CN102005485A - 一种太阳能电池的多层减反膜以及其制作方法 - Google Patents

一种太阳能电池的多层减反膜以及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102005485A
CN102005485A CN2010105048719A CN201010504871A CN102005485A CN 102005485 A CN102005485 A CN 102005485A CN 2010105048719 A CN2010105048719 A CN 2010105048719A CN 201010504871 A CN201010504871 A CN 201010504871A CN 102005485 A CN102005485 A CN 102005485A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
antireflective film
sio
solar cell
tio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010105048719A
Other languages
English (en)
Inventor
朱军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZHEJIANG SHOUKE SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
ZHEJIANG SHOUKE SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZHEJIANG SHOUKE SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical ZHEJIANG SHOUKE SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN2010105048719A priority Critical patent/CN102005485A/zh
Publication of CN102005485A publication Critical patent/CN102005485A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种太阳能电池的多层减反膜以及其制作方法,具体为:在太阳能电池窗口层生长一层5~40nm厚度的SiO2膜,再在SiO2膜上沉积50~100nm的减反膜,然后再在减反膜上面覆盖EVA和玻璃封装。该层减反膜是折射率在2.3~2.4左右的透光膜。本发明使TiO2为基础的减反膜具有钝化作用,同时又能兼顾组件封装后的减反效果,能够代替当前工业常用的SiNx单层减反膜,减反钝化效果可以与SiNx媲美。而且该多层膜结构的制备工艺简单,设备造价低,是一种比较理想的结构。

Description

一种太阳能电池的多层减反膜以及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池,具体地说,涉及的是一种太阳能电池的多层减反膜以及其制作方法,属于太阳能制造技术领域。
背景技术
早期的太阳能电池生产中一般使用TiO2作为光学减反膜。但TiO2对硅材料没有钝化作用,使用TiO2作为减反膜的太阳能电池的开路电压较低,效率难以提高。因此渐渐地被同时具有很好减反效果和钝化作用的SiNx减反膜所取代。因此在目前的太阳能电池生产中大多使用SiNx作为减反膜。但SiNx减反膜生产成本较高,而且使用SiNx作为减反膜的组件在封装之后的反射率较高。
经文献检索发现,申请号为200910303615.0,名称为一种晶硅太阳能电池双层减反膜及其制备方法的发明专利,该专利自述为:“本发明公开了一种晶硅太阳能电池双层减反膜及其制备方法,其特征在于,依次由疏松层TiO2薄膜、致密层TiO2薄膜和SiO2钝化层组成;所述的SiO2钝化层处于致密层TiO2薄膜和硅基衬底之间。制备方法包括以下步骤:在硅基衬底正表面上依次沉积一层致密层TiO2薄膜和一层疏松层TiO2薄膜;电极银浆印刷后,经400℃~900℃的常规烧结,在硅衬底与致密TiO2界面处生成SiO2钝化层。本发明中TiO2/TiO2准双层减反膜通过改变沉积条件一次完成,在工艺和设备上得到优化,且比单层减反膜具有更好的减反射效果。”该专利虽然有一定的改善,但是还无法达到理想的效果。
为了降低太阳能电池的生产成本,很有必要制作出一种生产成本低,工艺简单的,但又同时具有钝化作用的减反膜。
发明内容
本发明的目的在于解决现有技术中的上述不足,提供一种太阳能电池的多层减反膜以及其制作方法,使TiO2为基础的减反膜具有钝化作用,同时又能兼顾组件封装后的减反效果。
为实现上述的目的,本发明所述的太阳能电池的多层减反膜,包括SiO2膜以及减反膜,所述SiO2膜设置在太阳能电池窗口层上,所述减反膜设置在SiO2膜上,其中:所述SiO2膜厚度为5~40nm;所述减反膜厚度为50~100nm,并且折射率在2.3~2.4左右。
进一步的,所述减反膜为透光膜。
进一步的,所述减反膜可以采用TiO2/SiO2双层膜,也可以是MgF/TiO2/SiO2,或者SiC/TiO2/SiO2、SiNx/TiO2/SiO2、ZnO/TiO2/SiO2等多层膜的形式。
进一步的,所述减反膜上面覆盖EVA和玻璃封装。
本发明上述的太阳能电池的多层减反膜的制作方法,具体为:在太阳能电池窗口层(电池的P+或者N+)生长一层5~40nm厚度的SiO2膜,再在SiO2膜上沉积50~100nm的减反膜,然后再在减反膜上面覆盖EVA和玻璃封装。该层减反膜是折射率在2.3~2.4左右的透光膜。
采用这种结构的原因是,封装后的太阳能电池的减反膜(一般而言是一层SiNx)是夹在窗口层(电池的P+或者N+)上和EVA之间的一种三明治结构。从光学原理考虑,对于单层减反膜,当4n1d1=λ时,反射率有最小值:
R = ( n 1 2 - n 0 n 2 n 1 2 + n 0 n 2 ) 2
其中n1,d1分别为减反膜的折射率和厚度,n0为空气或玻璃的折射率,n2为衬底的折射率,λ为减反膜的中心波长。从上式可以看出当
Figure BSA00000300456600022
时反射率最小。晶体硅的折射率为n2=3.9,封装材料(玻璃或EVA)的折射率n0=1.46,则n1=2.38时反射率R=0。工业应用中多采用的SiNx薄膜的折射率在封装之后因折射率一般为2.0左右,不能达到最佳的减反效果。而TiO2的折射率一般为2.3,与最佳减反膜的折射率较为匹配,但是TiO2的仅有减反效果而无钝化效果,因此加上一层很薄的SiO2起到弥补TiO2钝化的作用。采用这种新型减反膜在封装之后可以取得很好的减反射和钝化效果。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:本发明采用SiO2加TiO2或其它折射率在2.3-2.4左右的单层或多层光学减反膜,使TiO2为基础的减反膜具有钝化作用,同时又能兼顾组件封装后的减反效果。本发明能够寻找新的技术途径代替当前工业常用的SiNx单层减反膜,采用上述多层膜结构,同时实现光学匹配和电学钝化作用,减反钝化效果可以与SiNx媲美。而且该多层膜结构的制备工艺简单,设备造价低,是一种比较理想的结构。
附图说明
图1为本发明一具体实施例中太阳能电池的多层减反膜的结构示意图。
图中:太阳能电池窗口层1,SiO2膜2,减反膜3,EVA4。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明的技术方案作进一步的解释,但是以下的内容不用于限定本发明的保护范围。
实施例1
如图1所示,本发明提供一种太阳能电池的多层减反膜,包括SiO2膜2以及减反膜3,所述SiO2膜2设置在太阳能电池窗口层1上,所述减反膜3设置在SiO2膜2上,其中:所述SiO2膜2厚度为5~40nm;所述减反膜3厚度为50~100nm,并且为折射率在2.3~2.4左右的透光膜。
所述减反膜3可以采用TiO2/SiO2双层膜,也可以是MgF/TiO2/SiO2,或者SiC/TiO2/SiO2、SiNx/TiO2/SiO2、ZnO/TiO2/SiO2等多层膜的形式。本实施例中,如图1所示,减反膜3为双层膜的形式。
所述减反膜3上面覆盖EVA 4。EVA是一种塑料物料,由乙烯(E)及乙烯基醋酸盐(VA)所组成。
在太阳能电池窗口层(电池的P+或者N+)生长一层5~40nm厚度的SiO2膜,再在SiO2膜上沉积50~100nm的减反膜,然后再在减反膜上面覆盖EVA 4和玻璃封装。该层减反膜是折射率在2.3~2.4左右的透光膜。
实施例2
实施例1所述太阳能电池的多层减反膜的制作方法:
当硅片进行完正常的制绒,扩散,洗磷等太阳能电池制备工艺后,采用热氧化或者溶胶-凝胶的方法,在太阳能电池的窗口层即电池的N+生长一层5~40nm厚度的SiO2膜。然后在SiO2膜上沉积50~100nm的减反膜。之后再在减反膜上面覆盖EVA和玻璃封装,该封装工艺为常用的工艺。
本实施例中,所述减反膜是折射率在2.3左右的透光膜,可以采用的是TiO2/SiO2双层膜,如图1中所示。
实施例3
实施例1所述太阳能电池的多层减反膜的制作方法:
当硅片进行完正常的制绒,扩散,洗磷等太阳能电池制备工艺后,采用热氧化或者溶胶-凝胶的方法,在太阳能电池的窗口层即电池的P+生长一层5~40nm厚度的SiO2膜。然后在SiO2膜上沉积50~100nm的减反膜。之后再在减反膜上面覆盖EVA和玻璃封装,该封装工艺为常用的工艺。
本实施例中,所述减反膜是折射率在2.4左右的透光膜,为了达到最佳光学匹配,采用的是多层膜的形式,为MgF/TiO2/SiO2、SiC/TiO2/SiO2、SiNx/TiO2/SiO2、ZnO/TiO2/SiO2等中的一种。
本发明中,采用上述太阳能电池多层减反膜结构的理论依据是,封装后的太阳能电池的减反膜(一般而言是一层SiNx)是夹在窗口层(电池的P+或者N+)上和EVA之间的一种三明治结构。从光学原理考虑,对于单层减反膜,当4n1d1=λ时,反射率有最小值:
R = ( n 1 2 - n 0 n 2 n 1 2 + n 0 n 2 ) 2
其中n1,d 1分别为减反膜的折射率和厚度,n0为空气或玻璃的折射率,n2为衬底的折射率,λ为减反膜的中心波长。从上式可以看出当
Figure BSA00000300456600042
时反射率最小。晶体硅的折射率为n2=3.9,封装材料(玻璃或EVA)的折射率n0=1.46,则n1=2.38时反射率R=0。工业应用中多采用的SiNx薄膜的折射率在封装之后因折射率一般为2.0左右,不能达到最佳的减反效果。而TiO2的折射率一般为2.3,与最佳减反膜的折射率较为匹配,但是TiO2的仅有减反效果而无钝化效果,因此加上一层很薄的SiO2起到弥补TiO2钝化的作用。采用这种新型减反膜在封装之后可以取得很好的减反射和钝化效果。而且该种结构减反膜的制备工艺简单,设备造价低,但减反钝化效果可以与SiNx媲美。

Claims (6)

1.一种太阳能电池的多层减反膜,其特征在于包括SiO2膜以及减反膜,所述SiO2膜设置在太阳能电池窗口层上,所述减反膜设置在SiO2膜上,其中:所述SiO2膜厚度为5~40nm;所述减反膜厚度为50~100nm,并且是折射率为2.3~2.4的透光膜。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的多层减反膜,其特征在于:所述减反膜是TiO2/SiO2双层膜。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的多层减反膜,其特征在于:所述减反膜是MgF/TiO2/SiO2、SiC/TiO2/SiO2、SiNx/TiO2/SiO2、ZnO/TiO2/SiO2多层膜的形式中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的多层减反膜,其特征在于:所述减反膜上面覆盖EVA和玻璃封装。
5.一种如权利要求1所述的太阳能电池的多层减反膜的制作方法,其特征在于:在所述太阳能电池窗口层生长一层5~40nm厚度的SiO2膜,再在SiO2膜上沉积50~100nm的减反膜,然后再在减反膜上面覆盖EVA和玻璃封装,该层减反膜是折射率在2.3~2.4左右的透光膜。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的多层减反膜的制作方法,其特征在于:所述太阳能电池窗口层是指电池的P+或者N+
CN2010105048719A 2010-10-12 2010-10-12 一种太阳能电池的多层减反膜以及其制作方法 Pending CN102005485A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105048719A CN102005485A (zh) 2010-10-12 2010-10-12 一种太阳能电池的多层减反膜以及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105048719A CN102005485A (zh) 2010-10-12 2010-10-12 一种太阳能电池的多层减反膜以及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102005485A true CN102005485A (zh) 2011-04-06

Family

ID=43812699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010105048719A Pending CN102005485A (zh) 2010-10-12 2010-10-12 一种太阳能电池的多层减反膜以及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102005485A (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102324446A (zh) * 2011-09-13 2012-01-18 上海太阳能电池研究与发展中心 用于薄膜太阳电池的透明导电基板的制备方法
CN102496633A (zh) * 2011-12-16 2012-06-13 中国东方电气集团有限公司 一种GaAs系太阳能电池的多层减反射膜
CN102790125A (zh) * 2011-05-17 2012-11-21 南安市三晶阳光电力有限公司 一种提升太阳能电池效率的方法
CN102916057A (zh) * 2012-10-31 2013-02-06 湖南红太阳光电科技有限公司 一种晶硅太阳能电池梯度折射率减反膜及其制备方法
CN103066161A (zh) * 2013-01-17 2013-04-24 云南师范大学 一种太阳电池复合减反射膜的制备工艺
CN103137714A (zh) * 2011-12-01 2013-06-05 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 一种太阳能电池三层复合钝化减反层及制备方法
CN103579389A (zh) * 2012-07-30 2014-02-12 比亚迪股份有限公司 一种太阳能电池组件及其制备方法
CN110379901A (zh) * 2019-05-22 2019-10-25 华灿光电(苏州)有限公司 发光二极管芯片及其制作方法
CN116072741A (zh) * 2023-03-06 2023-05-05 通威太阳能(眉山)有限公司 太阳电池及其制备方法、光伏组件、用电装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102790125A (zh) * 2011-05-17 2012-11-21 南安市三晶阳光电力有限公司 一种提升太阳能电池效率的方法
CN102324446A (zh) * 2011-09-13 2012-01-18 上海太阳能电池研究与发展中心 用于薄膜太阳电池的透明导电基板的制备方法
CN103137714A (zh) * 2011-12-01 2013-06-05 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 一种太阳能电池三层复合钝化减反层及制备方法
CN103137714B (zh) * 2011-12-01 2016-09-21 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 一种太阳能电池三层复合钝化减反层及制备方法
CN102496633A (zh) * 2011-12-16 2012-06-13 中国东方电气集团有限公司 一种GaAs系太阳能电池的多层减反射膜
CN103579389A (zh) * 2012-07-30 2014-02-12 比亚迪股份有限公司 一种太阳能电池组件及其制备方法
CN103579389B (zh) * 2012-07-30 2016-12-21 比亚迪股份有限公司 一种太阳能电池组件及其制备方法
CN102916057B (zh) * 2012-10-31 2015-10-28 湖南红太阳光电科技有限公司 一种晶硅太阳能电池梯度折射率减反膜及其制备方法
CN102916057A (zh) * 2012-10-31 2013-02-06 湖南红太阳光电科技有限公司 一种晶硅太阳能电池梯度折射率减反膜及其制备方法
CN103066161A (zh) * 2013-01-17 2013-04-24 云南师范大学 一种太阳电池复合减反射膜的制备工艺
CN103066161B (zh) * 2013-01-17 2015-02-04 云南师范大学 一种太阳电池复合减反射膜的制备工艺
CN110379901A (zh) * 2019-05-22 2019-10-25 华灿光电(苏州)有限公司 发光二极管芯片及其制作方法
CN116072741A (zh) * 2023-03-06 2023-05-05 通威太阳能(眉山)有限公司 太阳电池及其制备方法、光伏组件、用电装置
CN116072741B (zh) * 2023-03-06 2023-08-15 通威太阳能(眉山)有限公司 太阳电池及其制备方法、光伏组件、用电装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102005485A (zh) 一种太阳能电池的多层减反膜以及其制作方法
CN207320169U (zh) 一种渐变带隙的钙钛矿电池
CN105895746B (zh) 具有叠层减反特性的晶体硅异质太阳电池及其制备方法
CN101771095B (zh) 太阳能电池
CN105845747A (zh) 一种太阳能电池结构
CN102534547A (zh) 一种晶体硅太阳电池的渐变减反射氮化硅薄膜的制备工艺
CN202502996U (zh) 双层减反射膜冶金多晶硅太阳能电池片及太阳能电池板
CN110534590A (zh) 一种提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜及其制备方法
CN103493215A (zh) 织构化玻璃上的多结构型薄膜硅太阳能电池
CN101958353A (zh) 太阳能电池表面三层减反钝化膜
CN201655812U (zh) 一种太阳能电池表面三层减反钝化膜
CN203690312U (zh) 减反射膜及具有该减反射膜的太阳能电池片
CN218182221U (zh) 太阳能电池及光伏组件
CN102832261A (zh) 包含新型减反射层的薄膜太阳能电池及其制造方法
CN103633158B (zh) 一种背接触晶硅电池及其非受光面处理方法和其制备方法
CN110246905A (zh) 一种硅太阳能电池及其制备方法
CN215418191U (zh) 一种太阳能电池减反射膜结构、太阳能电池及电池组件
CN109461776A (zh) 一种低成本高效晶硅太阳能电池组件
CN102157594B (zh) 一种超晶格量子阱太阳电池及其制备方法
CN104362188A (zh) 一种抗电势诱导衰减的太阳能电池及其制备方法
CN201307596Y (zh) 硅太阳能电池双层减反射薄膜
CN104659118A (zh) 一种太阳能电池的多层减反膜
CN110085686B (zh) 一种双面太阳能电池及其制备方法
CN103000705A (zh) 一种晶体硅太阳能电池减反射膜
TW201445748A (zh) 彩色太陽能電池及含有該電池之太陽能面板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
DD01 Delivery of document by public notice

Addressee: Zhejiang Shouke Science and Technology Co., Ltd.

Document name: Notification of before Expiration of Request of Examination as to Substance

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110406