CN106653923A - 一种适合薄片化的n型pert双面电池结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构，包括硅片基体；硅片基体的正面形成有n+轻掺杂层及局部n++重掺杂区，在n+轻掺杂层上形成有通过一个工艺步骤得到的第一钝化减反层，在n++重掺杂区引出负电极。基体的背面形成有p+掺杂层及通过一个工艺步骤得到的第二钝化减反层，在p+掺杂层上引出正电极。通过将n+掺杂层转移到电池正面，可以降低金属栅线遮光面积，减少电极接触复合；且形成的n++局部重掺杂区极大地提高电池开路电压和短路电流，同时可以使n+掺杂层的方阻提升的更高，这样有利于提表面钝化效果；第一钝化减反层和第二钝化减反层均通过一个工艺步骤即可制备得到，因而在工艺制作流程上极大进行了优化，提高生产效率，减低了生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种适合薄片化(硅片厚度170微米及以下)的N型PERT双面电池结构及其制备方法。
背景技术
太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利、高效等特点，已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。因此，深入研究和利用太阳能资源，对缓解资源危机、改善生态环境具有十分重要的意义。
N型PERT电池和传统P型电池结构相近，被认为与传统常规产线工艺和设备兼容性最高的N型高效电池，因为其具有N型电池特有的低光致衰减(LID，Light InducesDegradation)、高的体少子寿命、对金属离子污染容忍度高等优势，且转化效率高而且适合制作双玻组件的特点，是当今国际研究和产业化的前沿。
以常规N型PERT双面电池为例，如图1所示，N型PERT双面电池的基本结构包括：N型硅片基体100，硅片基体的正表面由内到外依次是p+掺杂层101、氧化硅钝化层102、氮化硅减反射层103及正电极105；硅片基体的背面由内到外依次是n+掺杂层104、氧化硅钝化层102、氮化硅减反射层103及负电极106。
常规制作N型PERT双面电池的工艺流程大致为：去损伤层&制绒－硼扩散形成p+层－背面抛光&去BSG－背面离子注入形成n+层－氧化&退火－双面淀积氮化硅－双面印刷共烧－测试&分选。
以上是制作N型PERT双面电池的典型工艺步骤，该工艺一般采用190微米左右的N型硅片生产的PERT双面电池目前平均转化效率只有20.5％左右。随着硅片薄片化发展，采用该结构该工艺生产的N型PERT双面电池效率会持续降低。此外，由于正面电极采用银铝浆与p+层形成欧姆接触，银铝浆料电导率比银浆差，所以正面栅线要求宽度大(副栅线烧结后宽度通常在50微米以上)，而且银铝浆在与硅片接触区域会形成严重复合，这些限制了电池效率的进一步提高，影响了N型PERT双面电池的发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构及其制备方法，以提高N型PERT双面电池的效率，简化制备工艺。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构，包括：
硅片基体；
n+轻掺杂层，形成在所述硅片基体的正面；
n++重掺杂区，选择性形成在所述n+轻掺杂层中；
第一钝化减反层，形成在所述n+轻掺杂层上；
负电极，引出于所述n++重掺杂区；
p+掺杂层，形成在所述硅片基体的背面；
第二钝化减反层，形成在所述p+掺杂层上；
正电极，引出于所述p+掺杂层。
在本发明的一个实施例中，所述硅片基体的厚度小于等于170微米。
在本发明的一个实施例中，所述第一钝化减反层包括第一钝化层以及位于所述第一钝化层上的第一减反层，所述第一钝化层与所述第一减反层通过热氧化或臭氧紫外氧化与化学沉积方法结合一次性形成，或者通过化学气相淀积方法一次性形成。
在本发明的一个实施例中，所述第二钝化减反层包括第二钝化层以及位于所述第二钝化层上的第二减反层，所述第二钝化层与所述第二减反层通过化学气相淀积方法一次性形成。
在本发明的一个实施例中，所述第一钝化减反层为SiO2/SiNx或SiO2/SiNx/SiONx叠层膜。
在本发明的一个实施例中，所述第二钝化减反层为AlOx/SiNx或SiO2/AlOx/SiNx或SiO2/SiNx/SiNx或AlOx/SiNx/SiONx或SiO2/AlOx/SiNx/SiONx或SiO2/SiNx/SiNx/SiONx叠层膜。
在本发明的一个实施例中，所述第一钝化减反层为SiO2/Si3N4/SiONx叠层膜，其中SiO2膜的厚度为10nm－40nm，折射率为1.3－1.5；Si3N4膜的厚度为30nm－80nm，折射率为1.8－2.2；SiONx膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.5－2.0。
在本发明的一个实施例中，所述第二钝化减反层为Al2O3/Si3N4叠层膜，其中Al2O3膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.3－1.7；Si3N4膜的厚度为30nm－150nm，折射率为1.8－2.2。
在本发明的一个实施例中，所述正电极包括第一主栅线及第一副栅线，所述第一副栅线的宽度为30μm－100μm，所述第一副栅线的数量为60根－150根；所述负电极包括第二主栅线及第二副栅线，所述第二副栅线的宽度为25μm－70μm，所述第二副栅线的数量为80根－150根。
一种上述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构的制备方法，包括如下步骤：
S1：提供N型硅片基体；
S2：对所述N型硅片基体进行双面制绒；
S3：对所述N型硅片基体的正面进行高温磷扩散掺杂形成n+轻掺杂层；
S4：利用N型硅片基体正面高温磷扩散形成的PSG对所述N型硅片基体的正面进行激光局部掺杂形成n++重掺杂区；
S5：对N型硅片基体的背面进行抛光并清洗去除扩散形成的PSG；
S6：对N型硅片基体的背面进行离子注入形成p+掺杂层；
S7：对N型硅片基体进行退火处理；
S8：通过CVD方法在N型硅片基体的正面形成第一钝化减反层，通过CVD方
法在N型硅片基体的背面形成第二钝化减反层；
S9：在N型硅片基体的背面印刷银铝浆形成正电极，并在其正面印刷银浆
形成负电极，并进行共烧。
在本发明的一个实施例中，所述第一钝化减反层为SiO2/Si3N4/SiONx叠层膜，其中SiO2膜的厚度为10nm－40nm，折射率为1.3－1.5，Si3N4膜的厚度为30nm－80nm，折射率为1.8－2.2，SiONx膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.5－2.0；所述第二钝化减反层为Al2O3/Si3N4叠层膜，其中Al2O3膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.3－1.7，Si3N4膜的厚度为30nm－150nm，折射率为1.8－2.2。
本发明由于采用以上技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：
1)本发明提供的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，通过将n+掺杂层转移到电池正面，可以降低金属栅线遮光面积，减少电极接触复合；且在电池正面形成n++局部重掺杂区，极大地提高电池开路电压和短路电流，同时可以使n+掺杂层的方阻提升的更高，这样有利于提表面钝化效果；
2)通过将p+掺杂层转移到电池背面，降低了p+掺杂层上面银铝电极对电池效率的影响，拓宽了银铝浆图形设计的空间。
3)本发明提供的结构设计特别适合薄片化(硅片厚度170微米及以下)电池。
4)本发明提供的适合薄片化的N型PERT双面电池结构的制备方法，通过一个工艺步骤即可制备第一钝化减反层，并且通过一个工艺步骤即可制备第二钝化减反层，相较于现有技术需通过不同的工艺步骤分别形成第一钝化层与第一减反层，且通过不同的工艺步骤分别形成第二钝化层与第二减反层，本发明在工艺制作流程上极大进行了优化，提高生产效率，减低生产成本。
附图说明
图1为现有技术中常规的N型PERT双面电池结构的示意图；
图2为本发明实施例提供的适合薄片化的N型PERT双面电池结构的示意图。
标号说明：
100－N型硅片基体，101－p+掺杂层，102－氧化硅钝化层，103－氮化硅减反层，104－n+掺杂层，105－正电极，106－负电极
200－N型硅片基体，201－p+掺杂层，202－第一钝化层，204－n+轻掺杂层，205－正电极，206－负电极，207－第二钝化层，208－n++重掺杂区，209－第一减反层，210－第二减反层
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的适合薄片化的N型PERT双面电池结构及其制备方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
请参考图2，如图2所示，本发明实施例提供的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，包括硅片基体200；硅片基体200的正面形成有n+轻掺杂层204，n+轻掺杂层204中选择性地形成有局部n++重掺杂区208，在n+轻掺杂层204上形成有通过一个工艺步骤得到的第一钝化减反层，在n++重掺杂区208引出负电极206。硅片基体200的背面形成有p+掺杂层201，p+掺杂层201上形成有通过一个工艺步骤得到的第二钝化减反层，在p+掺杂层上引出正电极105。
本发明提供的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，通过将n+掺杂层转移到电池正面，可以降低金属栅线遮光面积，减少电极接触复合；且在电池正面形成n++局部重掺杂区，极大地提高电池开路电压和短路电流，同时可以使n+掺杂层的方阻提升的更高，这样有利于提表面钝化效果。
同时，通过将p+掺杂层转移到电池背面，降低了p+掺杂层上面银铝电极对电池效率的影响，拓宽了银铝浆图形设计的空间。
其中，第一钝化减反层包括第一钝化层202以及位于第一钝化层202上的第一减反层209，第一钝化层202与第一减反层209通过热氧化或臭氧紫外氧化与化学沉积方法结合一次性形成，或者通过化学气相淀积方法一次性形成。
第二钝化减反层包括第二钝化层207以及位于第二钝化层207上的第二减反层210，第二钝化层207与第二减反层210通过化学气相淀积方法一次性形成。
作为可选实施方式，第一钝化减反层为SiO2/SiNx或SiO2/SiNx/SiONx叠层膜。具体地，第一钝化层102为SiO2膜，第一减反层109可为SiNx膜或SiNx/SiONx叠层膜。这些薄膜例如可通过化学气相沉积法一个工艺步骤形成。
作为可选实施方式，第二钝化减反层为AlOx/SiNx或SiO2/AlOx/SiNx或SiO2/SiNx/SiNx或AlOx/SiNx/SiONx或SiO2/AlOx/SiNx/SiONx或SiO2/SiNx/SiNx/SiONx叠层膜。具体地，第二钝化层107可为AlOx或SiO2/AlOx或SiO2/SiNx叠层膜，第二减反层210可为SiNx或SiNx/SiONx叠层膜。这些薄膜例如可通过化学气相沉积法一个工艺步骤形成。
作为优选实施方式，第一钝化减反层为SiO2/Si3N4/SiONx叠层膜，其中SiO2膜的厚度为10nm－40nm，折射率为1.3－1.5；Si3N4膜的厚度为30nm－80nm，折射率为1.8－2.2；SiONx膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.5－2.0。
作为优选实施方式，第二钝化减反层为Al2O3/Si3N4叠层膜，其中Al2O3膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.3－1.7；Si3N4膜的厚度为30nm－150nm，折射率为1.8－2.2。
本发明提供的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，第一钝化减反层只需通过一个工艺步骤即可制备得到，并且且第二钝化减反层也只需通过一个工艺步骤即可制备得到，相较于现有技术需通过不同的工艺步骤分别形成第一钝化层与第一减反层，且通过不同的工艺步骤分别形成第二钝化层与第二减反层，本发明在工艺制作流程上极大进行了优化，提高生产效率，减低生产成本。
并且，本发明通过在n+轻掺杂层204上和p+掺杂层201上采用不同的钝化层以提高电池钝化效果。
本发明提供的结构设计特别适合薄片化电池，其中，硅片基体200的厚度可小于等于170微米。
作为优先实施方式，正电极205包括第一主栅线及第一副栅线，第一副栅线的宽度为30μm－100μm，第一副栅线的数量为60根－150根；负电极206包括第二主栅线及第二副栅线，第二副栅线的宽度为25μm－70μm，第二副栅线的数量为80根－150根。相较于现有技术而言，本发明的电极结构中，其副栅线的宽度要求明显下降。有益于电池效率的提高。
结合图2，本发明还提供了一种上述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构的制备方法，包括如下步骤：
S1：提供N型硅片基200；
S2：对所述N型硅片基体200进行双面制绒，具体地，将N型硅片基体200放入质量分数为1％－3％的NaOH或KOH溶液中进行双面制绒；
S3：对所述N型硅片基体200的正面进行高温磷扩散掺杂形成n+轻掺杂层204；具体地，n+掺杂层204的扩散方阻为60－180ohm/sq；
S4：利用N型硅片基体正面高温磷扩散形成的PSG对所述N型硅片基体200的正面进行激光局部掺杂形成n++重掺杂区208；具体地，n++重掺杂区208的扩散方阻为10－60ohm/sq，n++重掺杂区208的宽度为20μm－100μm；
S5：对N型硅片基体200的背面进行抛光并清洗去除扩散形成的PSG；
S6：对N型硅片基体200的背面进行离子注入形成p+掺杂层201，退火后p+掺杂层201的扩散方阻为20－100ohm/sq；
S7：对N型硅片基体200进行800℃－1100℃退火处理，激活硼杂质；
S8：通过CVD方法在N型硅片基体200的正面形成第一钝化减反层，通过CVD方法在N型硅片基体200的背面形成第二钝化减反层；
具体地，通过CVD方法在正面形成SiO2/SiNx/SiONx叠层膜，其中SiO2膜的厚度为10nm－40nm，折射率为1.3－1.5，Si3N4膜的厚度为30nm－80nm，折射率为1.8－2.2，SiONx膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.5－2.0；通过CVD方法在背面形成Al2O3/Si3N4叠层膜，其中Al2O3膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.3－1.7，Si3N4膜的厚度为30nm－150nm，折射率为1.8－2.2；
S9：在N型硅片基体200的背面印刷银铝浆形成正电极205，并在其正面印刷银浆形成负电极206，并进行共烧。其中，正电极205包括第一主栅线及第一副栅线，第一副栅线的宽度为30μm－100μm，第一副栅线的数量为60根－150根；负电极206包括第二主栅线及第二副栅线，第二副栅线的宽度为25μm－70μm，第二副栅线的数量为80根－150根。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (11)
1.一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，包括：
硅片基体；
n+轻掺杂层，形成在所述硅片基体的正面；
n++重掺杂区，选择性形成在所述n+轻掺杂层中；
第一钝化减反层，形成在所述n+轻掺杂层上；
负电极，引出于所述n++重掺杂区；
p+掺杂层，形成在所述硅片基体的背面；
第二钝化减反层，形成在所述p+掺杂层上；
正电极，引出于所述p+掺杂层。
2.如权利要求1所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述硅片基体的厚度小于等于170微米。
3.如权利要求1所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述第一钝化减反层包括第一钝化层以及位于所述第一钝化层上的第一减反层，所述第一钝化层与所述第一减反层通过热氧化或臭氧紫外氧化与化学沉积方法结合一次性形成，或者通过化学气相淀积方法一次性形成。
4.如权利要求1或3所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述第二钝化减反层包括第二钝化层以及位于所述第二钝化层上的第二减反层，所述第二钝化层与所述第二减反层通过化学气相淀积方法一次性形成。
5.如权利要求1所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述第一钝化减反层为SiO2/SiNx或SiO2/SiNx/SiONx叠层膜。
6.如权利要求1或5所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述第二钝化减反层为AlOx/SiNx或SiO2/AlOx/SiNx或SiO2/SiNx/SiNx或AlOx/SiNx/SiONx或SiO2/AlOx/SiNx/SiONx或SiO2/SiNx/SiNx/SiONx叠层膜。
7.如权利要求1所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述第一钝化减反层为SiO2/Si3N4/SiONx叠层膜，其中SiO2膜的厚度为10nm－40nm，折射率为1.3－1.5；Si3N4膜的厚度为30nm－80nm，折射率为1.8－2.2；SiONx膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.5－2.0。
8.如权利要求1或7所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述第二钝化减反层为Al2O3/Si3N4叠层膜，其中Al2O3膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.3－1.7；Si3N4膜的厚度为30nm－150nm，折射率为1.8－2.2。
9.如权利要求1所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述正电极包括第一主栅线及第一副栅线，所述第一副栅线的宽度为30μm－100μm，所述第一副栅线的数量为60根－150根；所述负电极包括第二主栅线及第二副栅线，所述第二副栅线的宽度为25μm－70μm，所述第二副栅线的数量为80根－150根。
10.一种如权利要求1至9任一项所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：提供N型硅片基体；
S2：对所述N型硅片基体进行双面制绒；
S3：对所述N型硅片基体的正面进行高温磷扩散掺杂形成n+轻掺杂层；
S4：利用N型硅片基体正面高温磷扩散形成的PSG对所述N型硅片基体的正面进行激光局部掺杂形成n++重掺杂区；
S5：对N型硅片基体的背面进行抛光并清洗去除扩散形成的PSG；
S6：对N型硅片基体的背面进行离子注入形成p+掺杂层；
S7：对N型硅片基体进行退火处理；
S8：通过CVD方法在N型硅片基体的正面形成第一钝化减反层，通过CVD方法在N型硅片基体的背面形成第二钝化减反层；
S9：在N型硅片基体的背面印刷银铝浆形成正电极，并在其正面印刷银浆形成负电极，并进行共烧。
11.如权利要求10所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构的制备方法，其特征在于，所述第一钝化减反层为SiO2/Si3N4/SiONx叠层膜，其中SiO2膜的厚度为10nm－40nm，折射率为1.3－1.5，Si3N4膜的厚度为30nm－80nm，折射率为1.8－2.2，SiONx膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.5－2.0；所述第二钝化减反层为Al2O3/Si3N4叠层膜，其中Al2O3膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.3－1.7，Si3N4膜的厚度为30nm－150nm，折射率为1.8－2.2。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109786477A (zh) * | 2019-01-24 | 2019-05-21 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 一种抗pid双面perc电池多层钝化膜和双面perc电池的制备方法 |
| CN110690296A (zh) * | 2019-10-12 | 2020-01-14 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种高效背钝化晶硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN112567532A (zh) * | 2018-04-06 | 2021-03-26 | 韩华Qcells有限公司 | 双面太阳能电池、太阳能模块及双面太阳能电池的制造方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1166367A1 (en) * | 1999-03-17 | 2002-01-02 | Ebara Solar, Inc. | An aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabricatin thereof |
| CN101764179A (zh) * | 2009-12-31 | 2010-06-30 | 中山大学 | 一种选择性前表面场n型太阳电池的制作方法 |
| KR101139458B1 (ko) * | 2009-06-18 | 2012-04-30 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
| CN103943717A (zh) * | 2014-03-19 | 2014-07-23 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种采用管式pecvd制备太阳能电池叠层减反射膜的方法 |
| CN105514180A (zh) * | 2015-12-11 | 2016-04-20 | 英利能源（中国）有限公司 | 一种n型背结双面电池及其制备方法 |
| CN105655424A (zh) * | 2016-03-31 | 2016-06-08 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 全背场扩散n型硅基电池及其制备方法 |
| US9379258B2 (en) * | 2012-11-05 | 2016-06-28 | Solexel, Inc. | Fabrication methods for monolithically isled back contact back junction solar cells |
| CN206148449U (zh) * | 2016-11-01 | 2017-05-03 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种适合薄片化的n型pert双面电池结构 |
| EP3190629A1 (en) * | 2014-11-19 | 2017-07-12 | Shanghai Shenzhou New Energy Development Co. Ltd. | High-efficiency n-type double-sided solar cell |
-
2016
- 2016-11-01 CN CN201610935414.2A patent/CN106653923B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1166367A1 (en) * | 1999-03-17 | 2002-01-02 | Ebara Solar, Inc. | An aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabricatin thereof |
| KR101139458B1 (ko) * | 2009-06-18 | 2012-04-30 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
| CN101764179A (zh) * | 2009-12-31 | 2010-06-30 | 中山大学 | 一种选择性前表面场n型太阳电池的制作方法 |
| US9379258B2 (en) * | 2012-11-05 | 2016-06-28 | Solexel, Inc. | Fabrication methods for monolithically isled back contact back junction solar cells |
| CN103943717A (zh) * | 2014-03-19 | 2014-07-23 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种采用管式pecvd制备太阳能电池叠层减反射膜的方法 |
| EP3190629A1 (en) * | 2014-11-19 | 2017-07-12 | Shanghai Shenzhou New Energy Development Co. Ltd. | High-efficiency n-type double-sided solar cell |
| CN105514180A (zh) * | 2015-12-11 | 2016-04-20 | 英利能源（中国）有限公司 | 一种n型背结双面电池及其制备方法 |
| CN105655424A (zh) * | 2016-03-31 | 2016-06-08 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 全背场扩散n型硅基电池及其制备方法 |
| CN206148449U (zh) * | 2016-11-01 | 2017-05-03 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种适合薄片化的n型pert双面电池结构 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112567532A (zh) * | 2018-04-06 | 2021-03-26 | 韩华Qcells有限公司 | 双面太阳能电池、太阳能模块及双面太阳能电池的制造方法 |
| CN109786477A (zh) * | 2019-01-24 | 2019-05-21 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 一种抗pid双面perc电池多层钝化膜和双面perc电池的制备方法 |
| CN110690296A (zh) * | 2019-10-12 | 2020-01-14 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种高效背钝化晶硅太阳能电池及其制备方法 |
| EP4027395A4 (en) * | 2019-10-12 | 2022-11-23 | Tongwei Solar (Chengdu) Co., Ltd. | EFFICIENT SILICON SOLAR CELL WITH REVERSE PASSIVATION AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF |
| AU2020363658B2 (en) * | 2019-10-12 | 2024-02-08 | Tongwei Solar (Chengdu) Co., Ltd. | Efficient back passivation crystalline silicon solar cell and manufacturing method therefor |
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| Publication number | Publication date |
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