CN107845701A - Perc电池背面al2o3叠加膜层工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种PERC电池背面AL2O3叠加膜层工艺，采用一种新的钝化膜叠加层工艺，在完成AL2O3沉积工艺后，在炉管内通入N2O、硅烷和氨气，控制气体比例，在AL2O3的膜层上，再一次生长SiNx和氮氧化硅的叠层膜。通过该工艺，可以降低原有的AL2O3膜的膜厚，一方面减少TMA的用量，节省成本，提升了产能，另一方面，通过三层膜的钝化工艺，提升了钝化效果，进而提升效率。
Description
技术领域
本发明涉及电池工艺技术领域，特别是涉及一种PERC电池背面AL2O3叠加膜层工艺。
背景技术
PERC电池是一种把光能转化成电能的器件，其转化效率成为该器件最重要的指标。PERC电池的效率取得重要的提高的一种方法是对背面进行钝化。常见的钝化膜有AL2O3、SiNx或氮氧化硅，其中，AL2O3的钝化膜比较致密，钝化效果好，现有的工艺中，常常直接采用AL2O3作为钝化膜，镀完AL2O3后，膜厚要达到10nm，TMA(三甲基铝)的消耗量非常大，不利于成本控制，而且镀膜时间长，影响产能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：为了克服现有技术中的不足，本发明提供一种PERC电池背面AL2O3叠加膜层工艺。
本发明解决其技术问题所要采用的技术方案是：一种PERC电池背面AL2O3叠加膜层工艺，包括以下步骤：
清洗，将硅片在HF/HNO3混合溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕以及金属离子；
扩散，将硅片进行常压扩散，其方阻控制在70Ω～150Ω范围内；
洗磷，利用HF/HNO3和KOH进行清洗，除去表面的PSG和进行背面抛光；
沉积AL2O3，向炉内通入水H2O和三甲基铝TMA，其中，水H2O的流量为200-400sccm/min，三甲基铝TMA的流量为200-500sccm/min，来回摆动次数为2-4次，使AL2O3膜厚度达到5nm；
PDA退火工序是指硅片在做完氧化铝膜层后，将硅片放进退火扩散炉中，温度600-800℃，时间20-60min，对硅片进行热氧化处理。优选的，温度600-800℃，时间30-60min，对硅片进行处理；
背面叠加N2O和SiNx膜层，炉管内通入SiH4、NH3和N2O气体，其中，SiH4的流量为500-1200sccm/min，NH3的流量为1000-3000sccm/min，N2O的流量为150-340sccm/min，持续时间为1200s，在AL2O3膜层上再一次生长氮氧化硅叠层膜，形成的氮氧化硅膜厚度为75nm，氮氧化硅折射率为1.8；
正面镀SiNx膜层，炉管内通入SiH4和NH3气体，其中，SiH4的流量为500-800sccm/min，NH3的流量为1000-3500sccm/min，持续时间为1250s，在氮氧化硅膜层上生长氮化硅叠层膜，形成的氮化硅膜厚度为75nm，氮化硅折射率为2.0。
激光开孔，为了导出电流，将硅片背面进行激光开凿。
丝网印刷，将刻槽后的硅片进行丝网印刷烧结背铝浆、背电极和正电极即可。
本发明的有益效果是：本发明提供的一种PERC电池背面AL2O3叠加膜层工艺，在AL2O3镀膜完成后，采用氮氧化硅和SiNx的叠加层沉积来提升背面钝化效果，AL2O3的厚度在原有基础上降低了50％，同时TMA的耗量节省了将近一半，节省了生产成本，在不改变钝化效果的前提下，AL2O3膜厚可以做到更薄，提升了产能。
具体实施方式
现在对本发明作详细的说明。
本发明的一种PERC电池背面AL2O3叠加膜层工艺，包括以下步骤：
清洗，将硅片在HF/HNO3混合溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕以及金属离子；
扩散，将硅片进行常压扩散，其方阻控制在70Ω～150Ω范围内；
洗磷，利用HF/HNO3和KOH进行清洗，除去表面的PSG和进行背面抛光；
沉积AL2O3，向炉内通入水H2O和三甲基铝TMA，其中，水H2O的流量为200-400sccm/min，三甲基铝TMA的流量为200-500sccm/min，来回摆动次数为2-4次，使AL2O3膜厚度达到5nm；
PDA退火工序，温度600-800℃，时间30-60min，对硅片进行处理；退火工序是指硅片在做完氧化铝膜层后，将硅片放进退火扩散炉中，温度600-800℃，时间20-60min，对硅片进行热氧化处理。
背面叠加N2O和SiNx膜层，炉管内通入SiH4、NH3和N2O气体，其中，SiH4的流量为500-1200sccm/min，NH3的流量为1000-3000sccm/min，N2O的流量为150-340sccm/min，持续时间为1200s，在AL2O3膜层上再一次生长氮氧化硅叠层膜，形成的氮氧化硅膜厚度为75nm，氮氧化硅折射率为1.8；
正面镀SiNx膜层，炉管内通入SiH4和NH3气体，其中，SiH4的流量为500-800sccm/min，NH3的流量为1000-3500sccm/min，持续时间为1250s，在氮氧化硅膜层上生长氮化硅叠层膜，形成的氮化硅膜厚度为75nm，氮化硅折射率为2.0。
激光开孔，为了导出电流，将硅片背面进行激光开凿；
丝网印刷，将刻槽后的硅片进行丝网印刷烧结背铝浆、背电极和正电极即可。如表1所示，表中给出了沉积AL2O3工艺步骤的一组具体的工艺参数。表中，水H2O的流量为360sccm/min，三甲基铝TMA的流量为460sccm/min，循环次数为4次，使AL2O3膜厚度达到5nm。
表1沉积AL2O3参数
| H2O | TMA | LOOP | AL2O3厚度 |
| 360sccm | 460sccm | 4 | 5nm |
如表2所示，表中给出了SiNx和氮氧化硅的叠层膜步骤的一组具体的工艺参数，表中，背面叠加N2O和SiNx膜层，炉管内通入SiH4、NH3和N2O气体，其中，SiH4的流量为1200sccm/min，NH3的流量为3000sccm/min，N2O的流量为340sccm/min，持续时间为1200s，在AL2O3膜层上再一次生长氮氧化硅叠层膜，形成的氮氧化硅膜厚度为75nm，氮氧化硅折射率为1.8；
正面镀SiNx膜层，炉管内通入SiH4和NH3气体，其中，SiH4的流量为800sccm/min，NH3的流量为3500sccm/min，持续时间为1250s，在氮氧化硅膜层上生长氮化硅叠层膜，形成的氮化硅膜厚度为75nm，氮化硅折射率为2.0。
表2 SiNx和氮氧化硅的叠层膜参数
本发明主要采用一种新的钝化膜叠加层工艺，在现有的工艺基础上进行优化调整，在完成AL2O3沉积工艺后，在炉管内通入N2O、硅烷和氨气，控制气体比例，在AL2O3的膜层上，再一次生长SiNx和氮氧化硅的叠层膜。通过该工艺，可以降低原有的AL2O3膜的膜厚，一方面减少TMA的用量，节省成本，提升了产能，另一方面，通过三层膜的钝化工艺，提升了钝化效果，进而提升效率。在不改变钝化效果的前提下，AL2O3膜厚可以做到更薄，节省了生产成本，提升了产能。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关的工作人员完全可以在不偏离本发明的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (2)
1.一种PERC电池背面AL2O3叠加膜层工艺，其特征在于：包括以下步骤：清洗、扩散、洗磷、沉积AL2O3、PDA、背面叠加N2O和SiNx膜层、正面镀SiNx膜层、激光开孔和丝网印刷，
其中，所述沉积AL2O3、PDA、背面层叠N2O和SiNx膜和正面镀SiNx膜具体包括
沉积AL2O3，向炉内通入水H2O和三甲基铝TMA，其中，水H2O的流量为200-400sccm/min，三甲基铝TMA的流量为200-500sccm/min，来回摆动次数为2-4次，使AL2O3膜厚度达到5nm；
PDA退火工序，温度600-800℃，时间30-60min，对硅片进行处理；
背面叠加N2O和SiNx膜层，炉管内通入SiH4、NH3和N2O气体，其中，SiH4的流量为500-1200sccm/min，NH3的流量为1000-3000sccm/min，N2O的流量为150-340sccm/min，持续时间为1200s，在AL2O3膜层上再一次生长氮氧化硅叠层膜，形成的氮氧化硅膜厚度为75nm，氮氧化硅折射率为1.8；
正面镀SiNx膜层，炉管内通入SiH4和NH3气体，其中，SiH4的流量为500-800sccm/min，NH3的流量为1000-3500sccm/min，持续时间为1250s，在氮氧化硅膜层上生长氮化硅叠层膜，形成的氮化硅膜厚度为75nm，氮化硅折射率为2.0。
2.如权利要求1或2中所述的PERC电池背面AL2O3叠加膜层工艺，其特征在于：所述清洗是将硅片在HF/HNO3混合溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕以及金属离子；
所述扩散是将硅片进行常压扩散，其方阻控制在70Ω～150Ω范围内；
所述洗磷是利用HF/HNO3和KOH进行清洗，除去表面的PSG和进行背面抛光；
所述激光开孔是为了导出电流，将硅片背面进行激光开凿；
所述丝网印刷是将刻槽后的硅片进行丝网印刷烧结背铝浆、背电极和正电极即可。
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|---|---|
| CN (1) | CN107845701A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109148643A (zh) * | 2018-08-06 | 2019-01-04 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种解决ald方式的perc电池在电注入或光注入后效率降低的方法 |
| CN109950363A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-28 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种perc太阳能电池的背面钝化工艺 |
| CN109980046A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-07-05 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 单晶perc电池背钝化结构 |
| CN110047950A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-07-23 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种具有钝化层结构的太阳电池及其制备方法 |
| CN110854243A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-02-28 | 昊诚光电（太仓）有限公司 | 一种氮氧化硅perc背钝化方法及钝化炉 |
| CN111628010A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-09-04 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种晶硅电池背钝化叠层结构及制备工艺 |
| CN112510100A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-03-16 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种perc电池的背面钝化膜结构及其制备方法和用途 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105633174A (zh) * | 2014-11-04 | 2016-06-01 | 中国东方电气集团有限公司 | 一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN106206757A (zh) * | 2015-03-26 | 2016-12-07 | 新日光能源科技股份有限公司 | 具有背面多层抗反射镀膜的太阳能电池 |
| CN106972066A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-07-21 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种perc电池背面钝化膜层以及基于ald工艺的perc电池制备方法 |
-
2017
- 2017-11-03 CN CN201711070707.XA patent/CN107845701A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105633174A (zh) * | 2014-11-04 | 2016-06-01 | 中国东方电气集团有限公司 | 一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN106206757A (zh) * | 2015-03-26 | 2016-12-07 | 新日光能源科技股份有限公司 | 具有背面多层抗反射镀膜的太阳能电池 |
| CN106972066A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-07-21 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种perc电池背面钝化膜层以及基于ald工艺的perc电池制备方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109148643A (zh) * | 2018-08-06 | 2019-01-04 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种解决ald方式的perc电池在电注入或光注入后效率降低的方法 |
| CN109950363A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-28 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种perc太阳能电池的背面钝化工艺 |
| CN109980046A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-07-05 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 单晶perc电池背钝化结构 |
| CN110047950A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-07-23 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种具有钝化层结构的太阳电池及其制备方法 |
| CN110854243A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-02-28 | 昊诚光电（太仓）有限公司 | 一种氮氧化硅perc背钝化方法及钝化炉 |
| CN110854243B (zh) * | 2019-12-31 | 2024-03-22 | 太仓市哲泰天产品设计有限公司 | 一种氮氧化硅perc背钝化方法及钝化炉 |
| CN111628010A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-09-04 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种晶硅电池背钝化叠层结构及制备工艺 |
| CN112510100A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-03-16 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种perc电池的背面钝化膜结构及其制备方法和用途 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20180327 |