CN110854243B - 一种氮氧化硅perc背钝化方法及钝化炉 - Google Patents
一种氮氧化硅perc背钝化方法及钝化炉 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110854243B CN110854243B CN201911415067.0A CN201911415067A CN110854243B CN 110854243 B CN110854243 B CN 110854243B CN 201911415067 A CN201911415067 A CN 201911415067A CN 110854243 B CN110854243 B CN 110854243B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- furnace
- passivation
- temperature
- silicon oxynitride
- seconds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 69
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 title claims abstract description 15
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 title claims abstract description 15
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 title claims abstract description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明公开了一种氮氧化硅PERC背钝化方法及钝化炉，通过阶梯设置的温度进行钝化，并且在其中加入N2O，能够提高背钝化的效果；另外，增加换热机构，使得炉门打开时，将端部气体传递至炉管尾端，尽可能减少热量的丧失，进而节约能源。加热层采用独立控制的电热丝作为加热源，降低了设备成本，并且对炉内温度实现分区控制，使温度控制更加精确。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池片生产领域，特别涉及一种氮氧化硅PERC背钝化方法及其钝化炉。
背景技术
随着能源问题的日益突出，太阳能作为一种可再生的清洁能源，越来越受到人们的关注，太阳电池的应用前景也越来越广泛。晶体硅太阳电池一直是太阳电池领域的主力军，特别单晶硅电池转换率高于多晶硅，受到青睐。但是国内民用太阳能电池的普及率依然很低，原因还是在太阳能电池生产成本过高，理论上理想的生产工艺与产业化生产差距大，成品良率低，电池转换效率也与理论相差大，电池安装成本高等。因此降低制造成本和提高转化率是太阳电池制造行业的努力方向。
电池片在生产过程中，需要在硅片的表面镀上一层减反射膜。目前，采用等离子体增强化学气相沉积方法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)，使气体在硅电池片表面发生化学反应并形成覆盖层，即减反射膜。此减反射膜的主要作用是：降低反射率、良好的体钝化和表面钝化，以及利用氮化硅薄膜的强致密性和耐多数酸碱性，在硅片表面形成保护层。电池片的PECVD工序一般通过PECVD机完成，PECVD机在石英管的两端通微波源，表面抽真空的条件下将氨气和硅烷分解成高能离子状态，经过一系列化学反应转变成氮化硅气体，在硅片表面沉积氮化硅固态薄膜，同时分解出来的氢离子，将硅片表面原有缺陷钝化。
发明内容
针对以上现有技术存在的缺陷，本发明的主要目的在于克服现有技术的不足之处，公开了一种氮氧化硅PERC背钝化方法，包括以下步骤：
第一步，启动钝化炉，对其进行预热，使其加热至350℃，保温20分钟；
第二步，将电池片的石墨舟放入钝化炉内，保持炉内温度350℃，通入NH3和N2O，并且其重量比例为1:2，保温110-120秒；
第三步，通入SiH4、NH3和N20的混合气体，并且其重量比例为1:3:6，保温900-1000秒；
第四步，钝化炉内升温至480℃，通入SiH4和NH3并且其重量比例为1:3，保温180-200秒；
第五步，通入SiH4和NH3，并且其重量比例为1:4，保温75-85秒；
第六步，通入SiH4和NH3，并且其重量比例为1:5，保温400-430秒；
第七步，取出石墨舟。
进一步地，第二步、第三步中，钝化炉内部压力保持在191Pa。
进一步地，，第四步、第五步和第六步中，钝化炉内部压力保持在202Pa。
进一步地，钝化炉内从入口处依次设置五个温区；在第二步和第三步中，第一温区加热温度在360℃，中间三个温区温度在350℃，最后一个温区设置340℃。
进一步地，钝化炉内从入口处依次设置五个温区；在第四步、第五步和第六步中，第一五个温区均设置在480℃。
进一步地，第七步中，打开炉门前，启动换热机构，将炉口端的气体传递至炉管的尾端。
一种氮氧化硅PERC背钝化的钝化炉，包括炉管、换热机构和抽气机构，所述炉管包括石英内层、加热层和保温外层，所述炉管的炉口端设置进气口，所述抽气机构设置在所述炉管的尾端，利用所述抽气机构对所述炉管内抽气，以促进炉管内气体流动；所述换热机构将所述炉管内炉口端的气体传送至所述炉管的尾端。
进一步地，所述加热层有依次设置的五个独立控制的电热丝组成，并且通过热电偶进行实时测温。
进一步地，所述抽气机构包括抽气泵和抽气管，所述抽气管沿所述炉管尾端的周向设置四个抽气口。
进一步地，所述保温外层为玻璃纤维棉。
本发明取得的有益效果：
本发明中通过阶梯设置的温度进行钝化，并且在其中加入N2O，能够提高背钝化的效果；另外，增加换热机构，使得炉门打开时，将端部气体传递至炉管尾端，尽可能减少热量的丧失，进而节约能源。加热层采用独立控制的电热丝作为加热源，降低了设备成本，并且对炉内温度实现分区控制，使温度控制更加精确。
附图说明
图1为本发明的一种氮氧化硅PERC背钝化的钝化炉的结构示意图；
附图标记如下：
1、炉管，2、换热机构，3、抽气机构，11、石瑛内层，12、加热层，13、保温外层，21、换热管，22、抽气泵，31、抽气泵，32、抽气管。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
一种氮氧化硅PERC背钝化方法，包括以下步骤：
第一步，启动钝化炉，对其进行预热，使其加热至350℃，保温20分钟；
第二步，将电池片的石墨舟放入钝化炉内，保持炉内温度350℃，钝化炉内部压力保持在191Pa，通入NH3和N2O，并且其重量比例为1:2，保温110秒；镀膜厚度为19.7nm，折射率2.7。
第三步，钝化炉内部压力保持在191Pa，通入SiH4、NH3和N20的混合气体，并且其重量比例为1:3:6，保温900秒；镀膜厚度为82nm，折射率2.19。
第四步，钝化炉内部压力保持在202Pa，钝化炉内升温至480℃，通入SiH4和NH3并且其重量比例为1:3，保温180秒；镀膜厚度为30.2nm，折射率2.2。
第五步，钝化炉内部压力保持在202Pa，通入SiH4和NH3并且其重量比例为1:4，保温75秒；镀厚度为9.8nm，折射率2.15。
第六步，钝化炉内部压力保持在202Pa，通入SiH4和NH3并且其重量比例为1:5，保温400秒；镀膜厚度为51.3nm，折射率2.1。
第七步，取出石墨舟。
实施例2
一种氮氧化硅PERC背钝化方法，包括以下步骤：
第一步，启动钝化炉，对其进行预热，使其加热至350℃，保温20分钟；
第二步，将电池片的石墨舟放入钝化炉内，保持炉内温度350℃，钝化炉内部压力保持在191Pa，通入NH3和N2O，并且其重量比例为1:2，保温112秒；镀膜厚度为20nm，折射率2.7。
第三步，钝化炉内部压力保持在191Pa，通入SiH4、NH3和N20的混合气体，并且其重量比例为1:3:6，保温930秒；镀膜厚度为83nm，折射率2.2。
第四步，钝化炉内部压力保持在202Pa，钝化炉内升温至480℃，通入SiH4和NH3并且其重量比例为1:3，保温190秒；镀膜厚度为31nm，折射率2.23。
第五步，钝化炉内部压力保持在202Pa，通入SiH4和NH3并且其重量比例为1:4，保温80秒；镀厚度为10nm，折射率2.18。
第六步，钝化炉内部压力保持在202Pa，通入SiH4和NH3并且其重量比例为1:5，保温420秒；镀膜厚度为52nm，折射率2.1。
第七步，取出石墨舟。
实施例3
一种氮氧化硅PERC背钝化方法，包括以下步骤：
第一步，启动钝化炉，对其进行预热，使其加热至350℃，保温20分钟；
第二步，将电池片的石墨舟放入钝化炉内，保持炉内温度350℃，钝化炉内部压力保持在191Pa，通入NH3和N2O，并且其重量比例为1:2，保温120秒；镀膜厚度为20.3nm，折射率2.7。
第三步，钝化炉内部压力保持在191Pa，通入SiH4、NH3和N20的混合气体，并且其重量比例为1:3:6，保温1000秒；镀膜厚度为83.2nm，折射率2.21。
第四步，钝化炉内部压力保持在202Pa，钝化炉内升温至480℃，通入SiH4和NH3并且其重量比例为1:3，保温200秒；镀膜厚度为31nm，折射率2.23。
第五步，钝化炉内部压力保持在202Pa，通入SiH4和NH3并且其重量比例为1:4，保温85秒；镀厚度为10nm，折射率2.17。
第六步，钝化炉内部压力保持在202Pa，通入SiH4和NH3并且其重量比例为1:5，保温430秒；镀膜厚度为52nm，折射率2.11。
第七步，取出石墨舟。
在上述实施例中，为了节约能源，钝化炉内从入口处依次设置五个温区；在第二步和第三步中，第一温区加热温度在360℃，中间三个温区温度在350℃，最后一个温区设置340℃。可知，加热温度越高，能耗越大，因此，通过在入口端设置高温，在尾端设置低温，并且配合抽气泵促进气体流动，进而达到节约能源的效果。
在一实施例中，钝化炉内从入口处依次设置五个温区；在第四步、第五步和第六步中，第一五个温区均设置在480℃。
在一实施例中，第七步中，打开炉门前，启动换热机构，将炉口端的气体传递至炉管的尾端。
通过NIicolet的670FTIR红外傅里叶分析仪测不通折射率下红外吸收光谱，随着气体分解，含氧量增加，膜中N的成分减少，SiH4逐渐过渡为富N的氮氧化硅，一直到濒危富硅的氮氧化硅，最后申城SiO2。
本发明还公开了一种氮氧化硅PERC背钝化的钝化炉，如图1所所示，包括炉管1、换热机构2和抽气机构3，炉管1包括石英内层11、加热层12和保温外层13，炉管1的炉口端设置进气口，将钝化气体通过进气口进入炉管内。抽气机构3设置在炉管1的尾端，利用抽气机构3对炉管内抽气，以促进炉管内气体流动；换热机构2将炉管1内炉口端的气体传送至炉管的尾端。在背钝化完成后，打开炉门前，通过换热机构2将炉口端的热量传送至炉管尾端，尽可能减少热量的丧失，进一步降低能耗。
在一实施例中，加热层12有依次设置的五个独立控制的电热丝组成，并且通过热电偶进行实时测温。通过独立设置的电热丝，能够更精确的对炉管内温度进行控制；另外，电热丝成本低，进而降低设备成本。
在一实施例中，抽气机构3包括抽气泵31和抽气管32，抽气管32沿炉管尾端的周向设置四个抽气口。通过分散设置的抽气口，使得炉内气流流动更稳定。
在一实施例中，保温外层13为玻璃纤维棉。
在一实施例中，换热机构2包括换热管21和换热抽气泵22，通过抽气泵21将炉管1的炉口端的热气体传送至炉管1的尾部，降低炉门打开时热量过多丧失。优选的，炉管1的炉口端侧壁沿其周向等间距设置若干个换热口，换热口与换热机构2连接。
以上仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明的实施范围；如果不脱离本发明的精神和范围，对本发明进行修改或者等同替换，均应涵盖在本发明权利要求的保护范围当中。
Claims (6)
1.一种氮氧化硅PERC背钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步，启动钝化炉，对其进行预热，使其加热至350℃，保温20分钟；
第二步，将电池片的石墨舟放入钝化炉内，保持炉内温度350℃，通入NH3和N2O，并且其重量比例为1:2，保温110-120秒；
第三步，通入SiH4、NH3和N20的混合气体，并且其重量比例为1:3:6，保温900-1000秒；
第四步，钝化炉内升温至480℃，通入SiH4和NH3并且其重量比例为1:3，保温180-200秒；
第五步，通入SiH4和NH3，并且其重量比例为1:4，保温75-85秒；
第六步，通入SiH4和NH3，并且其重量比例为1:5，保温400-430秒；
第七步，取出石墨舟。
2.根据权利要求1所述的一种氮氧化硅PERC背钝化方法，其特征在于，第二步、第三步中，钝化炉内部压力保持在191Pa。
3.根据权利要求1所述的一种氮氧化硅PERC背钝化方法，其特征在于，第四步、第五步和第六步中，钝化炉内部压力保持在202Pa。
4.根据权利要求1所述的一种氮氧化硅PERC背钝化方法，其特征在于，钝化炉内从入口处依次设置五个温区；在第二步和第三步中，第一温区加热温度在360℃，中间三个温区温度在350℃，最后一个温区设置340℃。
5.根据权利要求1所述的一种氮氧化硅PERC背钝化方法，其特征在于，钝化炉内从入口处依次设置五个温区；在第四步、第五步和第六步中，第一五个温区均设置在480℃。
6.根据权利要求1所述的一种氮氧化硅PERC背钝化方法，其特征在于，第七步中，打开炉门前，启动换热机构，将炉口端的气体传递至炉管的尾端。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911415067.0A CN110854243B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 一种氮氧化硅perc背钝化方法及钝化炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911415067.0A CN110854243B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 一种氮氧化硅perc背钝化方法及钝化炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110854243A CN110854243A (zh) | 2020-02-28 |
| CN110854243B true CN110854243B (zh) | 2024-03-22 |
Family
ID=69610741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911415067.0A Active CN110854243B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 一种氮氧化硅perc背钝化方法及钝化炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110854243B (zh) |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011133965A2 (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Solexel, Inc. | Passivation methods and apparatus for achieving ultra-low surface recombination velocities for high-efficiency solar cells |
| CN103094366A (zh) * | 2013-01-25 | 2013-05-08 | 中山大学 | 一种太阳电池钝化减反射膜及其制备工艺方法 |
| JP2013084747A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sharp Corp | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
| NO20131549A1 (no) * | 2013-11-19 | 2015-05-20 | Inst Energiteknik | Passiveringssabel på en solcelle av krystallinsk silisium |
| CN105161547A (zh) * | 2015-09-06 | 2015-12-16 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种用于背钝化太阳电池的叠层膜及其制备方法以及一种背钝化太阳电池 |
| CN105185851A (zh) * | 2015-09-06 | 2015-12-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种背面钝化太阳能电池及其制备方法 |
| WO2017090059A1 (en) * | 2015-11-23 | 2017-06-01 | Council Of Scientific And Industrial Research | Preparation of anti-reflection and passivation layers of silicon surface |
| CN107845701A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-27 | 常州亿晶光电科技有限公司 | Perc电池背面al2o3叠加膜层工艺 |
| KR101846444B1 (ko) * | 2017-01-13 | 2018-04-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| CN109192813A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-01-11 | 常州亿晶光电科技有限公司 | Perc电池背面钝化工艺 |
| JP2019050329A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-03-28 | シャープ株式会社 | 太陽電池セルの製造方法 |
| JP2019067887A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 住友電気工業株式会社 | 窒化珪素パッシベーション膜の成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN110129770A (zh) * | 2019-06-17 | 2019-08-16 | 无锡松煜科技有限公司 | 光伏电池背钝化沉积装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150101662A1 (en) * | 2010-04-23 | 2015-04-16 | Solexel, Inc. | Surface passivation of high-efficiency crystalline silicon solar cells |
| US9978902B2 (en) * | 2013-11-19 | 2018-05-22 | Institutt For Energiteknikk | Passivation stack on a crystalline silicon solar cell |
| US10497636B2 (en) * | 2015-11-20 | 2019-12-03 | AZ Power Inc. | Passivation for silicon carbide (SiC) device and method for fabricating same |
-
2019
- 2019-12-31 CN CN201911415067.0A patent/CN110854243B/zh active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011133965A2 (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Solexel, Inc. | Passivation methods and apparatus for achieving ultra-low surface recombination velocities for high-efficiency solar cells |
| JP2013084747A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sharp Corp | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
| CN103094366A (zh) * | 2013-01-25 | 2013-05-08 | 中山大学 | 一种太阳电池钝化减反射膜及其制备工艺方法 |
| NO20131549A1 (no) * | 2013-11-19 | 2015-05-20 | Inst Energiteknik | Passiveringssabel på en solcelle av krystallinsk silisium |
| CN105161547A (zh) * | 2015-09-06 | 2015-12-16 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种用于背钝化太阳电池的叠层膜及其制备方法以及一种背钝化太阳电池 |
| CN105185851A (zh) * | 2015-09-06 | 2015-12-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种背面钝化太阳能电池及其制备方法 |
| WO2017090059A1 (en) * | 2015-11-23 | 2017-06-01 | Council Of Scientific And Industrial Research | Preparation of anti-reflection and passivation layers of silicon surface |
| KR101846444B1 (ko) * | 2017-01-13 | 2018-04-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| JP2019050329A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-03-28 | シャープ株式会社 | 太陽電池セルの製造方法 |
| JP2019067887A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 住友電気工業株式会社 | 窒化珪素パッシベーション膜の成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN107845701A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-27 | 常州亿晶光电科技有限公司 | Perc电池背面al2o3叠加膜层工艺 |
| CN109192813A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-01-11 | 常州亿晶光电科技有限公司 | Perc电池背面钝化工艺 |
| CN110129770A (zh) * | 2019-06-17 | 2019-08-16 | 无锡松煜科技有限公司 | 光伏电池背钝化沉积装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110854243A (zh) | 2020-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102856174B (zh) | 氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法 | |
| CN101834225B (zh) | 晶体硅太阳能电池各色氮化硅膜制备方法 | |
| CN106299025B (zh) | 一种管式pecvd沉积氮化硅的工艺 | |
| CN102157570A (zh) | 一种用于晶体硅太阳电池的复合钝化减反膜及制备方法 | |
| CN104505427B (zh) | 改善晶体硅太阳能电池片lid和pid的方法及装置 | |
| CN103160803A (zh) | 石墨舟预处理方法 | |
| CN103094366A (zh) | 一种太阳电池钝化减反射膜及其制备工艺方法 | |
| CN102931283B (zh) | 一种高效晶体硅太阳电池背面钝化的方法 | |
| CN107464857A (zh) | 一种降低perc电池片衰减的镀膜工艺方法 | |
| CN109192813A (zh) | Perc电池背面钝化工艺 | |
| CN102222733A (zh) | 双层氮化硅减反射膜制备方法 | |
| CN104882516A (zh) | 一种高温低压的硅片扩散方法 | |
| CN109950363A (zh) | 一种perc太阳能电池的背面钝化工艺 | |
| CN202090045U (zh) | 一种处理制备cigs太阳能电池吸收层的硒化炉 | |
| WO2023184844A1 (zh) | 硅基薄膜、太阳电池及其制备方法 | |
| CN106409926A (zh) | 一种晶硅电池多层钝化膜及其制造方法 | |
| CN104167469A (zh) | 一种SnS2/SnS异质结薄膜太阳能电池的一次性制备方法 | |
| CN110854243B (zh) | 一种氮氧化硅perc背钝化方法及钝化炉 | |
| CN102386277A (zh) | 多层镀膜工艺 | |
| CN104393061B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池减反射膜及其制备工艺 | |
| CN104835881A (zh) | 一种太阳能电池减反射膜的制作方法以及太阳能电池 | |
| CN210956714U (zh) | 一种氮氧化硅perc背钝化的钝化炉 | |
| CN102260857B (zh) | 一种晶硅表面镀膜及其制备方法 | |
| CN206490082U (zh) | 一种板式pecvd机台在线钝化和抗pid装置 | |
| CN101423934A (zh) | 一种太阳集热管增透涂层的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20240221 Address after: 215400 417, building 1, 168 Shanghai East Road, Loudong street, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant after: TAICANG ZHETAITIAN PRODUCT DESIGN Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 215400 No.168, Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant before: HONSUN PHOTOVOLTAIC (TAICANG) Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |