JP2021136429A - シリコンエッチング液、該エッチング液を用いたシリコンデバイスの製造方法および基板処理方法 - Google Patents

シリコンエッチング液、該エッチング液を用いたシリコンデバイスの製造方法および基板処理方法 Download PDF

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吉貴 清家
真奈美 置塩
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真奈美 置塩
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Abstract

【課題】ポリシリコン膜中の単結晶粒の結晶方位に関係なく一様なエッチング処理が可能となるシリコンエッチング液を提供する。【解決手段】等方性シリコンエッチング液は、水酸化第４級アンモニウム、水、下記式（１）及び下記式（２）で示される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含み、且つ、下記条件１及び２を満足する。Ｒ１Ｏ−（ＣｍＨ２ｍＯ）ｎ−Ｒ２（１）ＨＯ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｐ−Ｈ（２）条件１：０．２≦エッチング速度比（Ｒ１１０／Ｒ１００）≦１条件２：０．８≦エッチング速度比（Ｒ１１０／Ｒ１１１）≦４（上記中、Ｒ１００はシリコン単結晶の１００面に対するエッチング速度、Ｒ１１０はシリコン単結晶の１１０面に対するエッチング速度、Ｒ１１１はシリコン単結晶の１１１面に対するエッチング速度を示す。）【選択図】図１

Description

本発明は、各種シリコンデバイスを製造する際の表面加工、エッチング工程で使用され
るシリコンエッチング液に関する。また、本発明は該エッチング液を用いたシリコンデバ
イスの製造方法に関する。また、本発明は該エッチング液を用いた基板処理方法に関する
。なお、基板には、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用
ガラス基板、磁気または光ディスク用のガラスまたはセラミック基板、有機ＥＬ用ガラス
基板、太陽電池用ガラス基板またはシリコン基板などが含まれる。
シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜に対する選択性を考慮して、シリコンを用いた半
導体の製造プロセスには、アルカリエッチングが用いられることがある。ここで、選択性
とは、特定の部材に対して特に高いエッチング性を示す性質をいう。たとえばシリコン膜
と他の膜（たとえばシリコン酸化膜）とを有する基板をエッチングする際に、シリコン膜
のみをエッチングし、シリコン酸化膜がエッチングされない場合には、シリコンに対する
選択性が高いとされる。アルカリとしては、毒性が低く取り扱いが容易なＮａＯＨ、ＫＯ
Ｈ、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（以下、ＴＭＡＨともいう。）が単独
で使用されている。中でもＴＭＡＨは、ＮａＯＨやＫＯＨを用いた場合と比較してシリコ
ン酸化膜に対するエッチング速度がほぼ１桁低く、特に、マスク材料としてシリコン窒化
膜と比べてより安価なシリコン酸化膜を使用する場合に、好適に使用されている。
半導体デバイスにおいて、メモリセルの積層化や、ロジックデバイスの緻密化により、
エッチングに対する要求が厳しくなっている。エッチングにおいてアルカリによるシリコ
ンエッチングの場合、弗酸―硝酸水溶液でのエッチングとは異なり、結晶異方性を示す。
結晶異方性とは、シリコンの結晶方位によってエッチング速度の差が生じる性質（エッチ
ングの異方性）をいう。この性質を利用して、単結晶シリコンに対して複雑な３次元構造
を有するシリコンデバイスの加工にアルカリエッチングが用いられている。一方で、ポリ
シリコンは単結晶のシリコンの粒（単結晶粒）からなっているため、エッチングの異方性
があると、単結晶粒の露出した結晶方位の違いによりエッチング速度に差が生じ、均一な
エッチングができず表面荒れが生じやすい、その他にエッチング後に特定の単結晶粒がエ
ッチングされ難く残存する場合があるという問題点があった。
近年、半導体製造工程においてシリコンエッチングを利用した工程が多用されている。
その工程の一例として、電荷蓄積型メモリの工程を例にとり説明する。電荷蓄積型メモリ
は、たとえば図４に示すように、複数のポリシリコン膜Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３と複数のシリコ
ン酸化膜Ｏ１、Ｏ２、Ｏ３を含む積層膜９１を有する基板Ｗを含み、その製造プロセスは
積層膜９１のエッチング工程を含む。エッチングに際しては、シリコン酸化膜を残してポ
リシリコンのみをエッチングする工程が含まれ、基板Ｗに設けられた凹部９２にエッチン
グ液を供給し、ポリシリコン膜Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を選択的にエッチングする。この際、シ
リコン酸化膜Ｏ１、Ｏ２、Ｏ３をエッチングせずに残留させる。電荷蓄積型メモリは、ポ
リシリコン膜に電荷を蓄積することでメモリとして作動する。蓄積される電荷量は、ポリ
シリコン膜の体積に依存する。したがって、設計容量を実現するためには、ポリシリコン
膜の体積を厳密に制御する必要がある。しかし、上記のように単結晶粒の結晶方位により
エッチング速度が異なると、ポリシリコン膜を均一にエッチングすることができず、デバ
イスの製造が困難になる。
上記したように、弗酸―硝酸水溶液でのエッチングは、シリコンの結晶方位に関わらず
等方的にエッチングすることができ、単結晶シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリ
コンに対して均一にエッチングすることが可能である。すなわち、弗酸―硝酸水溶液はシ
リコンのエッチングにおいて結晶異方性を示さない。しかし、弗酸―硝酸水溶液はシリコ
ンとシリコン酸化膜とのエッチング選択比が小さく、上記のようなシリコン酸化膜を残留
させる半導体製造プロセスには用いることができなかった。
一方、アルカリ性のエッチング液は、シリコン酸化膜およびシリコン膜に対する選択性
を有し、シリコン膜を選択的にエッチングする。アルカリを用いたエッチングに関して、
特許文献１には、水酸化アルカリ、水およびポリアルキレンオキサイドアルキルエーテル
を含む、太陽電池用シリコン基板のエッチング液が開示されている。特許文献２には、ア
ルカリ化合物、有機溶剤、界面活性剤および水を含む太陽電池用シリコン基板のエッチン
グ液が開示されている。特許文献２ではアルカリ化合物の一例として、ＴＭＡＨが例示さ
れ、有機溶剤としてポリアルキレンオキサイドアルキルエーテルが例示されているが、現
実に使用されているアルカリ化合物は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムである。
特許文献３には、水酸化第４級アルキルアンモニウム、ノニオン界面活性剤および水を
含む現像液が開示されている。ノニオン界面活性剤としてポリアルキレンオキサイドアル
キルエーテルの例示はあるが、実際にはアセチレングリコール系のサーフィノール（商品
名）などの界面活性能の高いノニオン界面活性剤が使用されている。
非特許文献１には、シリコン表面を電圧印加により酸化し、その酸化膜をＫＯＨ水溶液
で溶解させることにより等方的にシリコンをエッチングできる方法が記載されている。
特許文献４には、水、水酸化第４級アルキルアンモニウム、水混和性溶媒を含むエッチ
ング液が開示され、水混和性溶媒としては、トリプロピレングリコールメチルエーテルな
どが記載されている。
特開２０１０−１４１１３９号公報 特開２０１２−２２７３０４号公報 国際公開２０１７／１６９８３４号 特開２０１９−５０３６４号公報
デンソーテクニカルレビュー、山下等、２００１年、Ｖｏｌ．６、Ｎｏ．２、ｐ．９４−９９
ところが、特許文献１、特許文献２のエッチング液では、アルカリ化合物としてＮａＯ
Ｈ、ＫＯＨが使用されているため、シリコン酸化膜に対するエッチング速度が高い。この
ため、マスク材料およびパターン構造の一部として残留させるべきシリコン酸化膜もエッ
チングされてしまい、ポリシリコン膜のみを選択的にエッチングすることはできない。さ
らに、特許文献１、２のエッチング液は結晶異方性を高め、表面を荒らすことを目的とし
ているため、ポリシリコン膜を均一にエッチングすることはできない。特許文献３の現像
液は、シリコンの精密エッチングを目的としたものではなく、したがってポリシリコン膜
のエッチングの均一性については何ら考慮されていない。また、実際に使用されているノ
ニオン界面活性剤はサーフィノールなどであり、高い界面活性能を有し、ポリシリコン膜
の表面を覆い、アルカリによるポリシリコンのエッチングをむしろ損ない、ポリシリコン
膜を高い精度でエッチングすることはできない。次に、非特許文献１は等方的にシリコン
をエッチングできるが、シリコンを直接溶解させているのではなく、電圧印加により酸化
した酸化膜をＫＯＨ水溶液でエッチングしているため、シリコンとシリコン酸化膜とのエ
ッチング選択比がない。また、特許文献４に記載のエッチング液はシリコン−ゲルマニウ
ムに対してシリコンを選択的に除去できる薬液であって、等方的にシリコンをエッチング
することについての記載はない。
そこで、本発明は、結晶異方性を抑えることが可能となり、ポリシリコン膜中の単結晶
粒の結晶方位に関係なく一様なエッチング処理が可能となるシリコンエッチング液を提供
することを目的とする。また、本発明の好ましい態様では、シリコンエッチング液の組成
比を調整することにより、シリコンエッチング時の結晶異方性によるエッチング速度への
影響の程度を調整する方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、鋭意努力の末、水酸化第４級アンモニウムと水を含むシリコンエッチン
グ液に式（１）、または式（２）で示される化合物を含有させることにより、上記の課題
が解決できることを見出した。
すなわち、第一の本発明は、
水酸化第４級アンモニウム、水、および下記式（１）および（２）で示される化合物か
らなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含み、且つ、下記条件１及び２を満足
することを特徴とする等方性シリコンエッチング液に関する。
Ｒ１Ｏ−（ＣｍＨ２ｍＯ）ｎ−Ｒ２ （１）
（式中、Ｒ１は水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜
６のアルキル基、
ｍは２〜６の整数、ｎは１〜３である。但し、Ｒ１とＲ２とは同時に水素原子であるこ
とはなく、ｍ＝２の場合、ｎとＲ１の炭素数（Ｃ１）と、Ｒ２の炭素数（Ｃ２）の合計（
ｎ＋Ｃ１＋Ｃ２）が５以上である。）
ＨＯ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｐ−Ｈ （２）
（式中、ｐは１５〜１０００の範囲にある。）
条件１：０．２≦ エッチング速度比（Ｒ１１０／Ｒ１００） ≦１
条件２：０．８≦ エッチング速度比（Ｒ１１０／Ｒ１１１） ≦４
（上記中、Ｒ１００はシリコン単結晶の１００面に対するエッチング速度、Ｒ１１０はシ
リコン単結晶の１１０面に対するエッチング速度、Ｒ１１１はシリコン単結晶の１１１面
に対するエッチング速度を示す。）
第一の本発明において、水酸化第４級アンモニウムの濃度が０．１〜２５質量％、式（
１）または式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合物の濃度は０
．００１〜４０重量％であることが好ましい。
第一の本発明において、水酸化第４級アンモニウムの濃度が０．５〜２５質量％、式（
１）、または式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合物の濃度が
、０．００１〜２０重量％であることがさらに好ましい。
第一の本発明のシリコンエッチング液のエッチング速度比（Ｒ１１０／Ｒ１００）は０
．３〜１で、エッチング速度比（Ｒ１１０／Ｒ１１１）は０．８〜３であることが好まし
い。エッチング速度比が上記範囲にあることにより、結晶方位に関係なくエッチング速度
がほぼ一定となり、面荒れが小さくなり一様なエッチングが可能となる。
第二の本発明は、第一の本発明の等方性シリコンエッチング液を用いてシリコンウェハ
、および／またはポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜を含む基板を処理する、基板
の処理方法である。
第三の本発明は、シリコンウェハ、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜をエッチ
ングする工程を含むシリコンデバイスの製造方法において、エッチングを第一の本発明の
シリコンエッチング液を用いて行うシリコンデバイスの製造方法である。
本発明においてエッチング速度比は、結晶方位が異なるシリコン基板に対するエッチン
グ速度の比であり、条件１は１１０面と１００面のエッチング速度比（エッチング速度比
（Ｒ１１０／Ｒ１００））で、条件２は１１０面と１１１面のエッチング速度比（エッチ
ング速度比（Ｒ１１０／Ｒ１１１））である。エッチング速度比が上記の範囲になると、
エッチング時の結晶方位の影響を受けにくいということを意味している。条件１及び２の
エッチング速度比が１に近いと、エッチング時の結晶方位の影響を受けにくく、より等方
的にエッチングできる。
本発明者らの検討により、水酸化第４級アンモニウムと水を含む従来のシリコンエッチ
ング液に式（１）または式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合
物を含有させると、図１に示すように、シリコンのエッチング速度は低下するが、式（１
）または式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合物を含まないシ
リコンエッチング液と比較して、結晶方位の違いによるエッチング速度の差が低減するこ
とが分かった。式（１）または式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種
の化合物を含まないシリコンエッチング液は１１０面、１００面の順にエッチング速度が
速く、１１１面のエッチング速度は最も遅い。（１）または式（２）で示される化合物か
ら選択される少なくとも１種の化合物を含有させることにより各結晶面のエッチング速度
が低下していくが、１００面、１１０面のエッチング速度の低下に対し、１１１面のエッ
チング速度の低下が小さいため、各結晶面のエッチング速度が同程度に近づく。この時、
水酸化第４級アンモニウム、および（１）または式（２）で示される化合物から選択され
る少なくとも１種の化合物の添加量を調整することで、結晶方位の影響を受けにくく、よ
り均一にシリコンをエッチングできるシリコンエッチング液とすることができる。
本発明のシリコンエッチング液を用いた第１の実施形態に係る基板処理方法は、
基板を水平姿勢に保持する基板保持工程と、
当該基板の中央部を通る、鉛直な回転軸線まわりに前記基板を回転させながら、前記基
板の主面に本発明の等方性シリコンエッチング液を供給する処理液供給工程とを含む。
本発明のシリコンエッチング液を用いた第２の実施形態に係る基板処理方法は、
複数の基板を直立姿勢で保持する基板保持工程と、
処理槽に貯留された本発明の等方性シリコンエッチング液に前記基板を直立姿勢で浸漬
する工程とを含む。
本発明のシリコンエッチング液のエッチング速度は、シリコンの結晶方位の影響を受け
難く、ポリシリコン膜や単結晶のエッチング処理面に出てくる結晶面に関係なく等方的な
エッチング処理が可能となる。
また、シリコンエッチング液の組成比を調整することにより、シリコンの結晶方位に対
するエッチング速度を調整することができ、所望のエッチング速度比のシリコンエッチン
グ液を調製することができる。
（１）または式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合物の濃度と各結晶面のシリコン基板のエッチング速度との関係を示す図である。 第１の実施形態で用いる基板処理装置の概略上面図である。 第１の実施形態で用いる基板処理ユニットの概略断面図である。 エッチング対象となる基板Ｗを示す概略断面図である。 第１の実施形態におけるエッチングの処理フローの一例である。 エッチング対象となる他の基板Ｗ２を示す概略断面図である。 第２の実施形態で用いる基板処理装置の概略上面図である。 第２の実施形態で用いる基板処理ユニットの概略断面図である。 第２の実施形態におけるエッチングの処理フローの一例である。
本発明の等方性シリコンエッチング液は、水酸化第４級アンモニウム、水、および下記
式（１）および（２）で示される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合
物を含み、且つ、下記条件１及び２を満足する。
Ｒ１Ｏ−（ＣｍＨ２ｍＯ）ｎ−Ｒ２ （１）
（式中、Ｒ１は水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜
６のアルキル基、
ｍは２〜６の整数、ｎは１〜３である。但し、Ｒ１とＲ２とは同時に水素原子であるこ
とはなく、ｍ＝２の場合、ｎとＲ１の炭素数（Ｃ１）と、Ｒ２の炭素数（Ｃ２）の合計（
ｎ＋Ｃ１＋Ｃ２）が５以上である。）
ＨＯ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｐ−Ｈ （２）
（式中、ｐは１５〜１０００の範囲にある。）
条件１：０．２≦ エッチング速度比（Ｒ１１０／Ｒ１００） ≦１
条件２：０．８≦ エッチング速度比（Ｒ１１０／Ｒ１１１） ≦４
（上記中、Ｒ１００はシリコン単結晶の１００面に対するエッチング速度、Ｒ１１０はシ
リコン単結晶の１１０面に対するエッチング速度、Ｒ１１１はシリコン単結晶の１１１面
に対するエッチング速度を示す。エッチング速度は実施例に記載の方法で測定する。）
水酸化第４級アンモニウムとしては、従来からシリコンエッチング液の成分として使用
されている各種の水酸化第４級アンモニウムが用いられる。水酸化第４級アンモニウムは
ＮＲ４ ＋・ＯＨ−で表される。Ｒは、通常はアルキル基もしくはアリール基であり、４つ
のＲは同一であっても異なっていてもよい。またアルキル基もしくはアリール基は、水酸
基等の置換基を有していてもよい。好ましい水酸化第４級アンモニウムとしては、４つの
Ｒがアルキル基である水酸化第４級アルキルアンモニウム、および水酸化第４級アルキル
アンモニウムのアルキル基に水酸基が結合したアンモニウム化合物、たとえばトリメチル
−２−ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド（水酸化コリン）、ジメチルビ
ス（２−ヒドロキシルエチル）アンモニウムハイドロオキサイド、メチルトリス（２−ヒ
ドロキシルエチル）アンモニウムハイドロオキサイドがあげられる。
水酸化第４級アルキルアンモニウムとしてはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＥＡＨ）、テトラ
プロピルアンモニウムハイドロオキサイド、又は、テトラブチルアンモニウムハイドロオ
キサイドが特に制限なく使用できる。これら水酸化第４級アルキルアンモニウムの中でも
、アルキル基の炭素数が１〜４であり、すべてのアルキル基が同一の水酸化第４級アルキ
ルアンモニウムが好ましい。特に、シリコンのエッチング速度が高いという理由からＴＭ
ＡＨを使用するのが最も好適である。
また、水酸化第４級アンモニウムの濃度も従来のシリコンエッチング液と特に変わる点
は無く、０．１〜２５質量％の範囲であると、結晶の析出を生じることなく、すぐれたエ
ッチング効果が得られ、好ましい。さらに、水酸化第４級アンモニウムの濃度は、０．５
〜２５質量％の範囲であることがより好ましい。
本発明のシリコンエッチング液は、下記式（１）および下記式（２）で示される化合物
から選択される少なくとも１種の化合物を含むことを特徴とする。
Ｒ１Ｏ−（ＣｍＨ２ｍＯ）ｎ−Ｒ２ （１）
上記式（１）において、Ｒ１は水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ２は水素原
子または炭素数１〜６のアルキル基、ｍは２〜６の整数、ｎは１〜３である。但し、Ｒ１
とＲ２とは同時に水素原子であることはない。また、ｍ＝２の場合、ｎとＲ１の炭素数（
Ｃ１）と、Ｒ２の炭素数（Ｃ２）の合計（ｎ＋Ｃ１＋Ｃ２）が５以上である。
Ｒ１としては、水素原子又はメチル基が好ましく、Ｒ２としては、プロピル基又はブチ
ル基が好ましく、ｍは２又は３であることが好ましい。
本発明において特に好適に使用される上記式（１）で示される化合物を具体的に示せば
、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル
、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、
プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル
、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエー
テル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルを挙げることができる。この内、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエー
テル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。
ＨＯ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｐ−Ｈ （２）
上記式（２）において、ｐは１５〜１０００の範囲にある。なお、ｐは平均値である。
したがって、式（２）で示される化合物には、ｐが１４以下あるいはｐが１０００を超え
る化合物が若干量含まれていてもよい。ただし、式（２）で示される化合物中、ｐが上記
範囲外の化合物の割合は、２％以下であり、好ましくは０％である。本発明において特に
好適に使用される上記式（２）で示される化合物は、式（２）中のｐ＝１５〜１０００で
ある全てのポリエチレングリコールを挙げることができる。ｐが１５未満の場合、本発明
の効果が表れず、ｐが１０００を超えると混合した時の粘度が高くなり、使用が困難とな
る。これらポリエチレングリコールの中でも、粘度や取扱いの観点から、ｐ＝３０〜５０
０であることが好ましい。限定されないが、具体的には富士フィルム和光純薬製のポリエ
チレングリコール１０００（ｐ＝約２２）、ポリエチレングリコール１５００（ｐ＝約３
３）、ポリエチレングリコール１５４０（ｐ＝約３５）、ポリエチレングリコール２００
０（ｐ＝約４５）、ポリエチレングリコール４０００（ｐ＝約９０）、ポリエチレングリ
コール２００００（ｐ＝約４５０）を挙げることができる。
式（１）または式（２）で示される化合物は、１種類を単独で使用してもよく、種類の
異なるものを複数混合して使用してもよい。例えば、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルとプロピレングリコールモノプロピルエーテルとの混合、ジエチレングリコールエ
チルメチルエーテルとポリエチレングリコール１０００との混合、ポリエチレングリコー
ル１０００とポリエチレングリコール４０００との混合が挙げられる。
上記したように、式（１）または式（２）で示される化合物を水酸化第４級アンモニウ
ムと水を含むシリコンエッチング液に含有させると、シリコンの結晶方位の違いによるエ
ッチング速度の差が低減する。式（１）または式（２）で示される化合物を含まないシリ
コンエッチング液は１１０面、１００面の順にエッチング速度が速く、１１１面のエッチ
ング速度は最も遅い。式（１）または式（２）で示される化合物を含有させることにより
、各結晶面のエッチング速度は低下していくが、１００面、１１０面のエッチング速度の
低下に対し、１１１面のエッチング速度の低下が小さいため、各結晶面のエッチング速度
を同程度に近づけることができる。
式（１）または式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合物を含
み、且つ、条件１及び２を満足することにより、シリコンのエッチング時の結晶異方性を
抑制し、等方的にエッチングできるようになり、シリコンウェハ、ポリシリコン膜、アモ
ルファスシリコン膜に関わらず、一様なエッチング処理が可能となる。
上記条件１及び２を満足するためには、式（１）または式（２）で示される化合物から
選択される少なくとも１種の化合物の含有量を調整すればよい。この時、条件１、および
条件２の上限、または下限から外れた場合、ある結晶方位に対しては均一にエッチングで
きる場合があっても、他の結晶方位では不均一にエッチングされ、これはポリシリコン膜
中の単結晶粒の方位の影響を抑えることができないことを意味し、均一なエッチングがで
きない。
また、式（１）または式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合
物の含有量を調整することにより、所望の結晶方位による影響の受け方を有するシリコン
エッチング液とすることもできる。
上記式（１）または式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合物
の濃度は、エッチング液全体の質量を基準として４０質量％以下であることが好ましく、
２０質量％未満であることがより好ましく、１５質量％未満であることがさらに好ましく
、１０質量％以下であることが特に好ましい。また、上記式（１）または上記式（２）で
示される化合物から選択される少なくとも１種の化合物の濃度は０．００１質量％以上で
あることが好ましい。上記式（１）または上記式（２）で示される化合物の濃度が上記範
囲であると、結晶方位によるエッチング速度の差が小さくなるため、ポリシリコン中の単
結晶粒の影響が小さくなり均一なエッチング処理が可能となる。
水酸化第４級アンモニウムと式（１）または式（２）で示される化合物から選択される
少なくとも１種の化合物との合計濃度は、４５質量％以下であることが好ましく、４０質
量％以下であることがより好ましく、３５質量％以下であることがさらに好ましく、また
下限値は０．１０１質量％以上であることが好ましく０．５０１質量％以上であることが
さらに好ましい。
また、水酸化第４級アンモニウムと、式（１）または式（２）で示される化合物から選
択される少なくとも１種の化合物との質量比（水酸化第４級アンモニウム／該化合物）は
、式（１）で示される化合物は０．０５〜１０が好ましく、０．１〜５がさらに好ましく
、式（２）で示される化合物は０．５〜１０００が好ましく、１〜５００がさらに好まし
い。
また、式（１）で示される化合物を単独で使用する場合には、その濃度はエッチング液
全体の質量を基準として０．１〜４０質量％が好ましく、０．１〜２０質量％がさらに好
ましい。式（２）で示される化合物を単独で使用する場合には、その濃度はエッチング液
全体の質量を基準として０．００１〜１０質量％が好ましく、０．００１〜５質量％がさ
らに好ましい。
式（１）で示される化合物および式（２）で示される化合物を併用する場合には、その
質量比（式（１）の化合物／式（２）の化合物）は、０．０５〜２０００が好ましく、０
．１〜１０００がさらに好ましく、その合計量は前記の範囲にあることが好ましい。
シリコンエッチング液には、本発明の目的を損なわない範囲で、水酸化第４級アンモニ
ウムと式（１）または式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合物
以外にも、界面活性剤等が添加されていてもよいが、これらはエッチング性に影響を及ぼ
すことがあるため、１質量％以下とすることが好ましく、含まれていないことがより好ま
しい。したがって、シリコンエッチング液は、水酸化第４級アンモニウムと、式（１）ま
たは式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合物と、水とから実質
的になることが好ましく、これら以外の他の成分の含有量は、１質量％以下とすることが
好ましく、含まれていないことがより好ましい。すなわち、シリコンエッチング液の、水
酸化第４級アンモニウムと式（１）または式（２）で示される化合物から選択される少な
くとも１種の化合物以外の残部の全量が水であることが好ましい。
上記式（１）または式（２）で示される化合物に添加により、シリコンエッチングの結
晶異方性の影響を低減できるメカニズムは必ずしも明らかではない。しかし、本発明者ら
は以下のように考察している。上記式（１）または式（２）で示される化合物は、比較的
界面活性能が低い、ノニオン界面活性剤と考えることができる。式（１）または式（２）
で示される化合物は界面活性能を有し、ポリシリコン表面に付着し、これを一時的に保護
する。この結果、エッチング速度の高い１１０面、１００面のシリコン表面と第４級アン
モニウムとの接触が阻害され、エッチングが抑制される。しかし、式（１）または式（２
）で示される化合物の界面活性能は比較的低いため、シリコン表面から遊離する。この結
果、第４級アンモニウムがシリコン表面に接触して、エッチングが行われる。式（１）ま
たは式（２）で示される化合物のポリシリコン表面への付着、遊離は、繰り返され、この
間に緩やかにエッチングが進行する。一方、１１１面のシリコン表面にも該化合物は付着
するが、１１１面の原子空隙半径が１１０面、１００面と比較すると小さく、上記式（１
）または式（２）の化合物が侵入しにくいと考えられる。そのため、シリコン表面と第４
級アンモニウムとの接触の阻害が１１０面、１００面と比較して小さく、エッチングの抑
制度合いも低減されると考えられる。この結果、エッチング速度は遅くなるが、結晶方位
の影響は低減されると考えられる。
一方、式（１）または式（２）で示される化合物に代えて、界面活性能の高いノニオン
界面活性剤を使用すると、界面活性剤がポリシリコン表面に強固に付着し、ポリシリコン
表面とエッチング液との接触が阻害され、エッチングが進行し難くなる。
エッチング速度比（Ｒ１１０／Ｒ１００）は０．３〜１で、エッチング速度比（Ｒ１１
０／Ｒ１１１）は０．８〜３．５であることが好ましい。エッチング速度比が上記範囲に
あることにより、結晶方位に関係なくエッチング速度がほぼ一定となり、面荒れが小さく
なり一様なエッチングが可能となる。
本発明のシリコンエッチング液は、所定濃度の水酸化第４級アンモニウム水溶液に所定
量の式（１）または式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合物を
混合し、溶解させることにより容易に調製することができる。このとき式（１）または式
（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合物を直接混合せずに、予め
所定濃度の式（１）または式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化
合物の水溶液を調整しておき、これを混合してもよい。
本発明のシリコンエッチング液は、水酸化第４級アンモニウム水溶液系シリコンエッチ
ング液の特長、即ち毒性が低く取り扱いが容易で且つ、マスク材料として安価なシリコン
酸化膜を使用したり、残留させるべきシリコン酸化膜を有するパターン構造を使用するこ
とができるという利点を有する。また、従来の水酸化第４級アンモニウム水溶液系シリコ
ンエッチング液と比べて、結晶方位の違いによるシリコンに対するエッチング速度の変動
が少ない。より詳しくは、同一条件下でエッチング処理を実施した際に、ポリシリコン膜
中の単結晶粒の方位の影響を抑えることができるという特徴を有する。このため、本発明
のシリコンエッチング液は、シリコンの湿式エッチング技術により、バルブ、ノズル、プ
リンタ用ヘッド、並びに流量、圧力及び加速度等の各種物理量を検知するための半導体セ
ンサ（例えば半導体圧力センサのダイヤフラムや半導体加速度センサのカンチレバーなど
）の加工、及び金属配線の一部、ゲート電極等の材料として種々のデバイスに応用されて
いるポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜のエッチング等、種々のシリコンデバイス
を製造する際のエッチング液として好適に使用することができる。
本発明のシリコンエッチング液を用いてシリコンデバイスを製造する場合には、常法に
従いシリコンのウェットエッチングを行えばよい。このときの方法は、従来のシリコンエ
ッチング液を用いた場合と特に変わる点は無く、例えばシリコンエッチング液が導入され
たエッチング槽に被エッチング物として“シリコンウェハの必要部分をシリコン酸化膜や
シリコン窒化膜などでマスクしたシリコンウェハ”を投入し、シリコンエッチング液との
化学反応を利用してシリコンウェハの不要部分を溶解させることにより好適に行うことが
できる。
本発明の好ましい実施形態では、シリコンエッチング液は、ポリシリコン膜とシリコン
酸化膜とが交互に積層され、複数の膜を貫通する凹部もしくは貫通孔を有する積層体をエ
ッチングする際に、前記凹部もしくは貫通孔にシリコンエッチング液を供給して、ポリシ
リコン膜を選択的にエッチングする工程を含むシリコンデバイスの製造に用いる。
エッチングの際のシリコンエッチング液の温度は、所望のエッチング速度、エッチング
後のシリコンの形状や表面状態、生産性などを考慮して２０〜９５℃の範囲から適宜決定
すればよく、３０〜６０℃の範囲とするのが好適である。
シリコンのウェットエッチングは、被エッチング物をシリコンエッチング液に浸漬する
だけでも良いが、被エッチング物に一定の電位を印加する電気化学エッチング法を採用す
ることもできる。
本発明におけるエッチング処理の対象物としては、シリコン単結晶や、ポリシリコン、
アモルファスシリコンが挙げられ、対象物中にエッチング処理の対象ではない非対象物の
シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等、アルミニウムなどの金属が含まれていてもよい。例
えば、シリコン単結晶上にシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜、さらには金属膜を積層し
パターン形状を作成したものや、さらにはその上にポリシリコンやレジストを成膜、塗布
したもの、アルミニウムなどの金属部分が保護膜で覆われ、シリコンがパターン形成され
た構造体などが挙げられる。
以下では、本発明のシリコンエッチング液を用いた基板処理方法の実施形態を、添付図
面を参照して詳細に説明する。基板には、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、プ
ラズマディスプレイ用ガラス基板、磁気または光ディスク用のガラスまたはセラミック基
板、有機ＥＬ用ガラス基板、太陽電池用ガラス基板またはシリコン基板などが含まれる。
図２は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１を上から見た模式図である。
図２に示すように、基板処理装置１は、半導体ウェハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ
処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板Ｗを収容するキャリアＣを保持す
るロードポートＬＰと、ロードポートＬＰ上のキャリアＣから搬送された基板Ｗを処理す
る複数の処理ユニット２と、ロードポートＬＰ上のキャリアＣと処理ユニット２との間で
基板Ｗを搬送する搬送ロボットと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを備えている
。
搬送ロボットは、ロードポートＬＰ上のキャリアＣに対して基板Ｗの搬入および搬出を
行うインデクサロボットＩＲと、複数の処理ユニット２に対して基板Ｗの搬入および搬出
を行うセンターロボットＣＲとを含む。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰと
センターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送し、センターロボットＣＲは、インデクサロ
ボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、基板
Ｗを支持するハンドＨ１を含み、インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを支持するハンドＨ
２を含む。
複数の処理ユニット２は、平面視でセンターロボットＣＲのまわりに配置された複数の
タワーＴＷを形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数（たとえば３つ）の
処理ユニット２を含む。図３は、４つのタワーＴＷが形成されている例を示している。セ
ンターロボットＣＲは、いずれのタワーＴＷにもアクセス可能である。
図３は、基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の内部を水平に見た模式図である
。
処理ユニット２は、内部空間を有する箱型のチャンバー４と、チャンバー４内で１枚の
基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させるス
ピンチャック１０と、回転軸線まわりにスピンチャック１０を取り囲む筒状の処理カップ
２０とを含む。
チャンバー４は、基板Ｗが通過する搬入搬出口６が設けられた箱型の隔壁５と、搬入搬
出口６を開閉するシャッター７とを含む。
スピンチャック１０は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１２と、スピン
ベース１２の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン１１と、スピンベ
ース１２の中央部から下方に延びるスピン軸と、スピン軸を回転させることによりスピン
ベース１２および複数のチャックピン１１を回転させるスピンモータ１３とを含む。スピ
ンチャック１０は、複数のチャックピン１１を基板Ｗの外周面に接触させる挟持式のチャ
ックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１２の上面
に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい
。
処理カップ２０は、基板Ｗから外方に排出された液体を受け止める複数のガード２１と
、複数のガード２１によって下方に案内された液体を受け止める複数のカップ２２とを含
む。図３は、２つのガード２１と２つのカップ２２とが設けられている例を示している。
処理ユニット２は、複数のガード２１を個別に昇降させるガード昇降ユニットを含む。
ガード昇降ユニットは、上位置から下位置までの任意の位置にガード２１を位置させる。
ガード昇降ユニットは制御装置３により制御される。上位置は、スピンチャック１０に保
持されている基板Ｗが配置される保持位置よりも上方にガード２１の上端が配置される位
置である。下位置は、保持位置よりも下方にガード２１の上端が配置される位置である。
ガード天井部の円環状の上端は、ガード２１の上端に相当する。ガード２１の上端は、平
面視で基板Ｗおよびスピンベース１２を取り囲んでいる。
スピンチャック１０が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると
、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗから振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されると
き、少なくとも一つのガード２１の上端が、基板Ｗよりも上方に配置される。したがって
、基板Ｗから排出された薬液やリンス液などの処理液は、いずれかのガード２１に受け止
められ、このガード２１に対応するカップ２２に案内される。
複数の液吐出部は、第１薬液を吐出する第１薬液吐出部４１と、第２薬液を吐出する第
２薬液吐出部４２と、リンス液を吐出するリンス液吐出部４３とを含む。さらに、複数の
不活性ガスを吐出するガス吐出部が備えられていてもよい。複数の液吐出部はそれぞれに
液吐出を制御するバルブを有しており、液吐出の開始と停止を行うことができる。複数の
液吐出部はそれぞれ駆動機構を有しており、基板上に液を吐出する処理位置と、基板より
外側にある待機位置との間を駆動することができる。バルブ、駆動機構は制御装置３によ
り制御される。
第１薬液は、基板の自然酸化膜を除去可能な薬液（たとえば、フッ酸、バッファードフ
ッ酸、アンモニア水など）、のうちの少なくとも１つを含む液である。図３ではＤＨＦと
表記している。
第２薬液は、本発明のシリコンエッチング液である。図３ではＴＭＡＨ ＣＯＭＰＯＵ
ＮＤと表記している。
リンス液吐出部４３に供給されるリンス液は純水（脱イオン水）である。リンス液吐出
部４３に供給されるリンス液は、純水以外のリンス液であってもよい。図３ではＤＩＷと
表記している。
図４は、図５に示す処理が行われる前後の基板Ｗの断面の一例を示す模式図である。
図４の左側は、図５に示す処理（エッチング）が行われる前の基板Ｗの断面を示してお
り、図４の右側は、図５に示す処理（エッチング）が行われた後の基板Ｗの断面を示して
いる。図４の右側に示すように、基板Ｗがエッチングされると、基板Ｗの面方向（基板Ｗ
の厚み方向Ｄｔに直交する方向）に凹んだ複数のリセスＲ１が凹部９２の側面９２ｓに形
成される。
図４に示すように、基板Ｗは、シリコンウェハなどの母材の上に形成された積層膜９１
と、基板Ｗの最表面Ｗｓから基板Ｗの厚み方向Ｄｔ（基板Ｗの母材の表面に直交する方向
）に凹んだ凹部９２とを含む。積層膜９１は、複数のポリシリコン膜Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３と
複数のシリコン酸化膜Ｏ１、Ｏ２、Ｏ３とを含む。ポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３は、エッチ
ング対象物の一例であり、シリコン酸化膜Ｏ１〜Ｏ３は、非エッチング対象物の一例であ
る。酸化シリコンは、水酸化第４級アンモニウムを含むアルカリ性のエッチング液に溶解
しないもしくは殆ど溶解しない物質である。
複数のポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３および複数のシリコン酸化膜Ｏ１〜Ｏ３は、ポリシリ
コン膜とシリコン酸化膜とが交互に入れ替わるように基板Ｗの厚み方向Ｄｔに積層されて
いる。ポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３は、基板Ｗ上にポリシリコンを堆積させる堆積工程と、
堆積したポリシリコンを加熱する熱処理工程と、が行われた薄膜である（図４参照）。ポ
リシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３は、熱処理工程が行われていない薄膜であってもよい。
図４に示すように、凹部９２は、複数のポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３および複数のシリコ
ン酸化膜Ｏ１〜Ｏ３を基板Ｗの厚み方向Ｄｔに貫通している。ポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３
およびシリコン酸化膜Ｏ１〜Ｏ３の側面は、凹部９２の側面９２ｓで露出している。凹部
９２は、トレンチ、ビアホール、およびコンタクトホールのいずれかであってもよいし、
これら以外であってもよい。
図４に示す処理（エッチング）が開始される前は、ポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３およびシ
リコン酸化膜Ｏ１〜Ｏ３の表層に自然酸化膜が形成されている。図４の左側の二点鎖線は
、自然酸化膜の輪郭を示している。
以下では、図２、図３、および図５を参照して、基板処理装置１によって実行される基
板Ｗの処理の一例について説明する。基板処理装置１では、図５中のスタート以降の工程
が実行される。
基板処理装置１によって基板Ｗが処理されるときは、チャンバー４内に基板Ｗを搬入す
る搬入工程が行われる（図５のステップＳ１）。
具体的には、全てのガード２１が下位置に位置している状態で、センターロボットＣＲ
が、基板ＷをハンドＨ１で支持しながら、ハンドＨ１をチャンバー４内に進入させる。そ
して、センターロボットＣＲは、基板Ｗの表面が上に向けられた状態でハンドＨ１上の基
板Ｗを複数のチャックピン１１の上に置く。その後、複数のチャックピン１１が基板Ｗの
外周面に押し付けられ、基板Ｗを水平姿勢に保持する基板保持工程を行う。センターロボ
ットＣＲは、基板Ｗをスピンチャック１０の上に置いた後、ハンドＨ１をチャンバー４の
内部から退避させる。
次に、スピンモータ１３が駆動され、基板Ｗの回転が開始される（図５のステップＳ２
）。この結果、基板の中央部を通る、鉛直な回転軸線まわりに基板を回転させる。
次に、第１薬液の一例であるＤＨＦを基板Ｗの上面に供給する第１薬液供給工程が行わ
れる（図５のステップＳ３）。
具体的には、第１薬液吐出部４１の第１薬液バルブが開かれ、ＤＨＦの吐出を開始する
。第１薬液吐出部４１から吐出されたＤＨＦは、基板Ｗの上面中央部に衝突した後、回転
している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗの上面全域を覆うＤＨ
Ｆの液膜が形成され、基板Ｗの上面全域にＤＨＦが供給される。第１薬液バルブが開かれ
てから所定時間が経過すると、第１薬液バルブが閉じられ、ＤＨＦの吐出が停止される。
次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗの上面に供給する第１リンス液供給工程が行
われる（図５のステップＳ４）。
具体的には、リンス液吐出部４３のリンス液バルブが開かれ、リンス液吐出部４３が純
水の吐出を開始する。基板Ｗの上面中央部に衝突した純水は、回転している基板Ｗの上面
に沿って外方に流れる。基板Ｗ上のＤＨＦは、リンス液吐出部４３から吐出された純水に
よって洗い流される。これにより、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。リ
ンス液バルブが開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブが閉じられ、純水の
吐出が停止される。
次に、第２薬液としてシリコンエッチング液を基板Ｗの上面に供給する第２薬液供給工
程が行われる（図５のステップＳ５）。
具体的には、第２薬液吐出部４２の第２薬液バルブが開かれ、第２薬液吐出部４２がエ
ッチング液の吐出を開始する。エッチング液の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニッ
トは、基板Ｗから排出された液体を受け止めるガード２１を切り替えるために、少なくと
も一つのガード２１を鉛直に移動させてもよい。基板Ｗの上面中央部に衝突したエッチン
グ液は、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。基板Ｗ上の純水は、第２薬液
吐出部４２から吐出されたエッチング液に置換される。これにより、基板Ｗの上面全域を
覆うエッチング液の液膜が形成される。第２薬液バルブが開かれてから所定時間が経過す
ると、第２薬液バルブが閉じられ、エッチング液の吐出が停止される。
次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗの上面に供給する第２リンス液供給工程が行
われる（図５のステップＳ６）。
具体的には、リンス液吐出部４３のリンス液バルブが開かれ、リンス液吐出部４３が純
水の吐出を開始する。基板Ｗの上面中央部に衝突した純水は、回転している基板Ｗの上面
に沿って外方に流れる。基板Ｗ上のエッチング液は、リンス液吐出部４３から吐出された
純水によって洗い流される。これにより、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成され
る。リンス液バルブが開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブが閉じられ、
純水の吐出が停止される。
次に、基板Ｗの回転によって基板Ｗを乾燥させる乾燥工程が行われる（図５のステップ
Ｓ７）。
具体的には、スピンモータ１３が基板Ｗを回転方向に加速させ、第１薬液供給工程から
第２リンス液供給工程までの期間における基板Ｗの回転速度よりも大きい高回転速度（た
とえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これにより、液体が基板Ｗから除去され、基
板Ｗが乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモー
タ１３が回転を停止する。これにより、基板Ｗの回転が停止される（図５のステップＳ８
）。
次に、基板Ｗをチャンバー４から搬出する搬出工程が行われる（図５のステップＳ９）
。
具体的には、ガード昇降ユニットが全てのガード２１を下位置まで下降させる。その後
、センターロボットＣＲが、ハンドＨ１をチャンバー４内に進入させる。センターロボッ
トＣＲは、複数のチャックピン１１が基板Ｗの把持を解除した後、スピンチャック１０上
の基板ＷをハンドＨ１で支持する。その後、センターロボットＣＲは、基板ＷをハンドＨ
１で支持しながら、ハンドＨ１をチャンバー４の内部から退避させる。これにより、処理
済みの基板Ｗがチャンバー４から搬出される。
以上のように本発明の好ましい実施形態では、上記したシリコンエッチング液を、ポリ
シリコン膜Ｐ１〜Ｐ３（図４参照）とポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３とは異なる酸化シリコン
膜Ｏ１〜Ｏ３（図４参照）とが露出した基板Ｗに供給する。
本実施形態では、酸化膜除去液の一例であるＤＨＦが基板Ｗに供給され、ポリシリコン
膜Ｐ１〜Ｐ３の自然酸化膜がポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３の表層から除去される。その後、
エッチング液が基板Ｗに供給され、エッチング対象物であるポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３が
選択的にエッチングされる。ポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３の自然酸化膜は、主として酸化シ
リコンで構成されている。エッチング液は、酸化シリコンをエッチングせずにもしくは殆
どエッチングせずに、ポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３をエッチングする液体である。これは、
水酸化物イオンがケイ素と反応するものの、酸化シリコンとは反応しないもしくは殆ど反
応しないからである。したがって、ポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３の自然酸化膜を予め除去す
ることにより、ポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３を効率的にエッチングできる。
本実施形態では、堆積したポリシリコンを加熱する熱処理工程が行われたエッチング対
象物Ｐ１〜Ｐ３を、アルカリ性のエッチング液でエッチングする。堆積したポリシリコン
を適切な条件下で加熱すると、ポリシリコンの粒度（グレインサイズ）が増加する。した
がって、熱処理工程が行われない場合と比較して、エッチング対象物Ｐ１〜Ｐ３に含まれ
るシリコン単結晶が大型化している。これは、エッチング対象物Ｐ１〜Ｐ３の表面で露出
するシリコン単結晶の数が減少し、異方性の影響が高まることを意味する。したがって、
このようなエッチング対象物Ｐ１〜Ｐ３に水酸化第４級アンモニウムと水と式（１）また
は式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合物とを含むエッチング
液を供給することにより、異方性の影響を効果的に低下させることができる。
図６は、基板処理装置１によって実行される基板Ｗ２の処理の他の例である。図６に示
す例では、フィン形状のＳｉ突起を有する基板Ｗ２について図５に示す処理(エッチング)
を行った状態を示す。図６のようなフィン形状のＳｉ突起を有する基板Ｗ２の処理を行う
場合、従来はシリコンエッチング時の結晶異方性のため図６の左側に示すようにエッチン
グ量にバラツキ生じていた。図６の右側は、本発明のエッチング液による処理が行われた
後の基板Ｗ２の断面を示している。図６の右側に示すように、基板Ｗ２がエッチングされ
ると、基板Ｗ２のフィン形状のＳｉ突起のエッチング時の結晶異方性が抑制され、等方的
にエッチングできる。なお、図６の点線は処理前の形状を示している。
本実施形態では、処理ユニット２は、スピンチャック１０の上方に配置された遮断部材
を備えていてもよい。遮断部材は、スピンチャック１０の上方に配置された円板部と、円
板部外周部から下方に延びる筒状部とを含む。
次に、第２実施形態について説明する。
第１実施形態に対する第２実施形態の主要な相違点は、基板処理装置１０１が複数枚の
基板Ｗを一括して処理するバッチ式の装置であることである。
図７は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置１０１のレイアウトを示す図解的な
平面図である。図８は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置１０１に備えられた処
理ユニット１０２を示す模式図である。図７〜図９において、前述の図１〜図５に示され
た構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図７に示すように、基板処理装置１０１は、制御部３と、カセット保持部９３と、姿勢
変換部９４と、処理ユニット１０２とに大別され、カセット保持部９３、姿勢変換部９４
および処理ユニット１０２は制御部３により制御される。カセット保持部９３では、主面
が鉛直方向を向く水平姿勢に積層した複数の基板Ｗを収容するカセット９０が保持される
。姿勢変換部９４では、処理前の複数の基板Ｗがカセット９０から搬出されるとともに複
数の基板Ｗの姿勢が、主面が水平方向を向く直立姿勢に変換され、複数の基板Ｗが処理ユ
ニット１０２に受け渡される。また、処理ユニット１０２による処理後の複数の基板Ｗが
、直立姿勢にて処理ユニット１０２から姿勢変換部９４に受け渡され、複数の基板Ｗが、
主面が面直方向を向く水平状態に変換された後、複数の基板Ｗはカセット保持部９３のカ
セット９０に一括して戻される。
処理ユニット１０２は、主搬送機構１２１と、移載部洗浄部１２２と、第１薬液処理部
１２３と、第２薬液処理部１２４と、乾燥処理部１２５とを備え、第１薬液処理部１２３
、第２薬液処理部１２４、乾燥処理部１２５および移載部洗浄部１２２は、この順序にて
図７中に配列される。第１薬液処理部１２３は、所定の薬液が貯溜された第１薬液槽２３
１と、リンス液が貯溜された第１リンス液槽２３２と、第１薬液槽２３１から第１リンス
液槽２３２へと複数の基板Ｗを一括して搬送する第１リフタ２３３とを備える。第２薬液
処理部１２４も、第１薬液処理部１２３と同様に、所定の薬液が貯溜された第２薬液槽２
４１と、リンス液が貯溜された第２リンス液槽２４２と、第２薬液槽２４１から第２リン
ス液槽２４２へと複数の基板Ｗを一括して搬送する第２リフタ２４３とを備える。
主搬送機構１２１は、複数の基板Ｗの支持および昇降を行う移載部２１１と、移載部２
１１を移載部洗浄部１２２、第１薬液処理部１２３、第２薬液処理部１２４、乾燥処理部
１２５の間で移動する移載部移動機構２１２とを備える。移載部２１１は、間隔を空けて
配置される一対の支持アーム２１３と、一対の支持アーム２１３の間隔を変更するアーム
駆動部と、一対の支持アーム２１３を鉛直方向に昇降するアーム昇降部とを備える。各支
持アーム２１３の下部には支持部材２１４が設けられ、支持部材２１４には複数の溝が支
持アーム２１３の先端から根元に向かって一定のピッチにて形成される。アーム駆動部は
、支持アーム２１３の先端から根元に向かう軸に平行な軸を中心として各支持アーム２１
３を回動することにより、一対の支持部材２１４の間隔を変更する。
基板処理装置１０１では、姿勢変換部９４により、主面が支持アーム２１３の先端から
根元に向かって平行に積層した直立姿勢にて処理ユニット１０２内に複数の基板Ｗが搬送
され、一対の支持部材２１４により、基板Ｗのエッジが上記の溝内に配置されて支持され
る。一対の支持部材２１４の間隔は、一対の支持部材２１４により複数の基板Ｗを挟持す
る際の幅（基板Ｗの直径よりも小さい幅であり、以下、「挟持幅」という。）、および、
一対の支持部材２１４から複数の基板Ｗを解放する際の幅（基板Ｗの直径よりも大きい幅
であり、以下、「解放幅」という。）のいずれかとなる。
移載部洗浄部１２２は、一対の支持部材２１４の鉛直方向下側に配列された２つの洗浄
槽２２１を有する。各洗浄槽２２１内には洗浄液を噴出するノズルと、窒素ガスを噴出す
るノズルとが設けられる。移載部２１１の洗浄時には、一対の支持部材２１４（および、
支持アーム２１３の一部）が、２つの洗浄槽２２１内にそれぞれ配置される。そして、洗
浄液により支持部材２１４が洗浄され、その後、窒素ガスにより支持部材２１４に付着し
た洗浄液が除去される（すなわち、支持部材２１４が乾燥される。）。
基板Ｗを各薬液処理部１２３，１２４にて処理する際には、複数の基板Ｗを挟持する移
載部２１１が薬液槽２３１，２４１の上方に配置され、薬液槽２３１，２４１内の第１リ
フタ２３３，第２リフタ２４３が上方へと移動する。第１リフタ２３３，第２リフタ２４
３には、直立姿勢の基板Ｗを下方から支持するための複数の爪部が設けられており、基板
Ｗが爪部に当接した後、一対の支持部材２１４の間隔が解放幅まで広げられることにより
、移載部２１１から第１リフタ２３３，第２リフタ２４３に複数の基板Ｗが移載される。
薬液処理部１２３，１２４では、第１リフタ２３３，第２リフタ２４３が下降することに
より、薬液槽２３１，２４１内に複数の基板Ｗが配置され、薬液による処理が複数の基板
Ｗに対して一括して行われる。
薬液による処理が完了すると、第１リフタ２３３，第２リフタ２４３が上昇し、続いて
、リンス液槽２３２，２４２の上方に移動する。そして、第１リフタ２３３，第２リフタ
２４３が下降することにより、リンス液槽２３２，２４２内に複数の基板Ｗが配置され、
リンス液による処理が複数の基板Ｗに対して一括して行われる。リンス液による処理が完
了すると、第１リフタ２３３，第２リフタ２４３が上昇し、基板Ｗがリンス液槽２３２，
２４２の上方に配置される。このとき、移載部２１１もリンス液槽２３２，２４２の上方
に配置されており、間隔が解放幅に広げられた一対の支持部材２１４の間に複数の基板Ｗ
が位置する。一対の支持部材２１４の間隔が挟持幅まで狭められた後、第１リフタ２３３
，第２リフタ２４３が下降することにより、第１リフタ２３３，第２リフタ２４３から移
載部２１１に複数の基板Ｗが移載される。
具体的には、１つのバッチに含まれる全ての基板Ｗが、主搬送機構１２１によって第１
薬液処理部１２３の第１リフタ２３３に移載され、第１薬液槽２３１内の第１薬液に浸漬
される。たとえば、第１薬液はＤＨＦ（diluted hydrofluoric acid）である。第１薬液
は、基板の自然酸化膜を除去可能な薬液（たとえば、フッ酸、バッファードフッ酸、アン
モニア水など）のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。第１薬液に浸漬された
１つのバッチに含まれる全ての基板Ｗは、第１リフタ２３３によって、第１リンス液槽２
３２の上方に移動され、第１リンス液槽２３２内の第１リンス液に浸漬される。第１リン
ス液は純水（脱イオン水）である。純水以外のリンス液であってもよい。第１リンス液に
浸漬された１つのバッチに含まれる全ての基板Ｗは、第１リフタ２３３が上昇し、主搬送
機構１２１に全ての基板を移載され、第２薬液処理部１２４の第２リフタ２４３に移載さ
れる。第２薬液は、本発明のシリコンエッチング液である。図８ではＴＭＡＨ ＣＯＭＰ
ＯＵＮＤと表記している。第２リフタ２４３に移載された１つのバッチに含まれる全ての
基板Ｗは、第２薬液槽２４１の浸漬槽１０３内のエッチング液に浸漬され、その後、浸漬
槽１０３から搬出される（図９のステップＳ１３）。浸漬槽１０３から搬出された１つの
バッチに含まれる全ての基板Ｗは第２リンス液槽２４２に浸漬される。第２リンス液は純
水（脱イオン水）である。第２リンス液は純水以外のリンス液であってもよい。第２リフ
タ２４３に移載された１つのバッチに含まれる全ての基板Ｗは、主搬送機構１２１によっ
て乾燥処理部１２５で乾燥される。
図８は、処理ユニット１０２の薬液処理槽１２４の薬液槽２４１を説明するための図で
ある。図８は、第２薬液に相当するアルカリ性のエッチング液を複数枚の基板Ｗに同時に
供給する処理ユニット１０２を含む。処理ユニット１０２は、エッチング液を貯留すると
共に複数枚の基板Ｗが同時に搬入される浸漬槽１０３と、浸漬槽１０３からあふれたエッ
チング液を受け止めるオーバーフロー槽１０４とを含む。
処理ユニット１０２は、浸漬槽１０３およびオーバーフロー槽１０４に加えて、複数枚
の基板Ｗが浸漬槽１０３内のエッチング液に浸漬される下位置と複数枚の基板Ｗが浸漬槽
１０３内のエッチング液の上方に位置する上位置との間で複数枚の基板Ｗを同時に保持し
ながら昇降する第２リフタ２４３を含む。
処理ユニット１０２は、第２薬液に相当するアルカリ性のエッチング液を吐出する第２
薬液吐出口４７が設けられた２つの薬液ノズル１０９と、浸漬槽１０３内の液体を排出す
る排液配管１１６とを含む。薬液ノズル１０９がエッチング液を吐出すると、エッチング
液が浸漬槽１０３内に供給されると共に、上昇流が浸漬槽１０３内のエッチング液中に形
成される。また、排液配管１１６に介装された排液バルブ１１７が開かれると、エッチン
グ液などの浸漬槽１０３内の液体が排液配管１１６に排出される。排液配管１１６の上流
端は、浸漬槽１０３の底部に接続されている。
オーバーフロー槽１０４は、オーバーフロー槽１０４内のエッチング液を２つの薬液ノ
ズル１０９に向けて案内する共通配管１１０ｃと、共通配管１１０ｃから供給されたエッ
チング液を２つの薬液ノズル１０９にそれぞれ案内する２つの分岐配管１１０ｂとを含む
薬液配管１１０に、リターン配管１１５を介して接続されている。リターン配管１１５の
上流端は、オーバーフロー槽１０４に接続されており、リターン配管１１５の下流端は、
薬液バルブ１１４に接続されている。浸漬槽１０３からオーバーフロー槽１０４にあふれ
たエッチング液は、薬液バルブ１１４の下流に配置されるポンプ１１３によって再び２つ
の薬液ノズル１０９に送られると共に、２つの薬液ノズル１０９に達する前にフィルター
１１１によってろ過される。処理ユニット１０２は、エッチング液の加熱または冷却によ
って浸漬槽１０３内のエッチング液の温度を変更する温度調節器１１２を含んでいてもよ
い。
空の浸漬槽１０３をエッチング液で満たすときは、オーバーフロー槽１０４にエッチン
グ液を供給する配管６３に介装される薬液バルブ６５が開かれ、タンク６２に貯留された
エッチング液がポンプ６４によって、オーバーフロー槽１０４に送液される。続いて、共
通配管１１０ｃに介装された薬液バルブ１１４が開かれる。これにより、オーバーフロー
槽１０４内のエッチング液は、共通配管１１０ｃ内に送られ、２つの分岐配管１１０ｂを
介して２つの薬液ノズル１０９に供給され、２つの薬液ノズル１０９から浸漬槽１０３内
に吐出される。そして、浸漬槽１０３の中がエッチング液で満たされると、薬液バルブ６
５が閉じられ、タンク６２から浸漬槽１０３へのエッチング液の供給が停止される。薬液
バルブ６５は、空の浸漬槽１０３をエッチング液で満たすとき以外は閉じられていてよい
。
タンク６２には、水酸化第４級アンモニウムと上記式（１）または式（２）で示される
化合物の混合液が貯留されており、水酸化第４級アンモニウムと該化合物は配管７８に介
装される薬液バルブ７９が開かれ、タンク６２内に混合液として供給されてよく、または
別々に供給されてよい。また、タンク６２には、配管７２に介装されるバルブ７３が開か
れ不活性ガスが供給されてよい。これにより、不活性ガスでタンク６２の上部空間を満た
すことができ、タンク６２に貯留されている混合液と酸素が接することを抑制することが
できる。
図９は、新しいエッチング液を供給してから使用済みのエッチング液を浸漬槽１０３か
ら排出するまでの流れの一例を示す工程図である。 後述する動作は、制御装置３が基板
処理装置１０１を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置３は、以下の
動作を基板処理装置１０１に実行させるようにプログラムされている。以下では、図８お
よび図９を参照する。
処理ユニット１０２の浸漬槽１０３に供給されるエッチング液は、タンク６２内に貯留
される。その後、薬液バルブ６５、１１４が開かれ、ポンプ６４の駆動で、タンク６２か
らオーバーフロー槽１０４へエッチング液が供給される。オーバーフロー槽１０４に供給
されたエッチング液は、共通配管１１０ｃに接続された薬液バルブ１１４が開かれ、共通
配管１１０ｃ内に送られる。共通配管１１０ｃ内のエッチング液は、２つの分岐配管１１
０ｂを介して２つの薬液ノズル１０９に供給され、２つの薬液ノズル１０９から浸漬槽１
０３へのエッチング液の供給が開始される（図９のステップＳ１１）。浸漬槽１０３の中
がエッチング液で満たされると、薬液バルブ６５が閉じられ、タンク６２から浸漬槽１０
３へのエッチング液の供給が停止される。
エッチング液の供給後は、第２リフタ２４３が、複数枚の基板Ｗを直立姿勢で保持しな
がら、上位置から下位置に下降する。これにより、１つのバッチに含まれる全ての基板Ｗ
が直立姿勢で浸漬槽１０３内のエッチング液に沈められる（図９のステップＳ１２）。そ
のため、エッチング液が複数枚の基板Ｗに同時に供給され、ポリシリコン膜Ｐ１〜Ｐ３（
図４参照）などのエッチング対象物がエッチングされる。第２リフタ２４３が下位置に移
動してから所定時間が経過すると、第２リフタ２４３が上位置まで上昇する。
この一連の流れがバッチごとに繰り返される。つまり、１つのバッチに含まれる全ての
基板Ｗが浸漬槽１０３から搬出されると（図９のステップＳ１３）、前記と同様に、別の
バッチに含まれる全ての基板Ｗが浸漬槽１０３内のエッチング液に浸漬され、エッチング
される。そして、浸漬槽１０３内のエッチング液の使用回数または使用時間が上限値に達
すると、浸漬槽１０３内のエッチング液が新しいエッチング液に交換される。
具体的には、排液バルブ１１７が開かれ、浸漬槽１０３内のエッチング液が排液配管１
１６に排出される（図９のステップＳ１４）。浸漬槽１０３の中が空になると、新しいエ
ッチング液が、浸漬槽１０３に供給される（図９のステップＳ１１）。
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
実施例１
水酸化第４級アンモニウムとしてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭ
ＡＨ）を用い、式（１）で示される化合物としてジエチレングリコールモノブチルエーテ
ルを用い、表１に示す組成のシリコンエッチング液を調製した。
＜各結晶方位のシリコン基板の表面荒れの評価＞
液温４０℃に加熱したシリコンエッチング液に溶存酸素濃度が低下して一定濃度値とな
るまでＮ２ガスをバブリングして通気した後、シリコン基板を通気後のシリコンエッチン
グ液に２時間浸漬し、液温４０℃でのシリコンのエッチング速度を測定した。対象のシリ
コン基板は、各結晶方位のシリコン基板（１００面、１１０面、１１１面）であって、薬
液にて自然酸化膜を除去したものである。エッチング速度は、各結晶方位のシリコン基板
（１００面、１１０面、１１１面）ごとにエッチング前とエッチング後のシリコン基板の
重量を測定し、処理前後の重量差からシリコン基板のエッチング量を換算し、エッチング
時間で除することにより求めた。次に、各結晶方位のシリコン基板（１００面、１１０面
、１１１面）のエッチング速度比（Ｒ１１０／Ｒ１００）、（Ｒ１１０／Ｒ１１１）を算
出した。また、各結晶方位のシリコン基板（１００面、１１０面、１１１面）の表面状態
を外観観察し、下記の基準で評価した。結果を表２に示す。
＜各結晶方位のシリコン基板の表面荒れの評価基準＞
５…ウェハ表面に白い濁りが一切見られない、かつ鏡面である。
３…ウェハ表面にほんの僅かな白い濁りが見られるが、鏡面である。
１…ウェハ表面が完全に白く濁っているが、鏡面は残っている。
０…ウェハ表面が完全に白く濁っており、かつ激しい面荒れにより鏡面が失われている。
１００面、１１０面、１１１面の各評価結果が３以上であり、その合計が１１以上であ
るものを、各結晶方位とも均一にエッチングされており、良好な等方性を示しているとし
た。
＜シリコンとシリコン酸化膜、および窒化シリコン膜との選択比の評価＞
液温４０℃に加熱したシリコンエッチング液に溶存酸素濃度が低下して一定濃度値とな
るまでＮ２ガスをバブリングして通気した後、シリコン酸化膜、およびシリコン窒化膜を
通気後のシリコンエッチング液に１０分間浸漬し、液温４０℃でのシリコン酸化膜、およ
びシリコン窒化膜のエッチング速度を測定した。エッチング速度は、シリコン酸化膜、お
よびシリコン窒化膜のエッチング前とエッチング後の膜厚を分光エリプソメーターで測定
し、処理前後の膜厚差からシリコン酸化膜、およびシリコン窒化膜のエッチング量を換算
し、エッチング時間で除することにより求めた。次に、シリコン基板（１００面）とのエ
ッチング速度比（Ｒ１００／シリコン酸化膜）、（Ｒ１００／シリコン窒化膜）を算出し
、下記の基準で評価した。結果を表２に示す。
＜シリコンとシリコン酸化膜、および窒化シリコン膜との選択比の評価基準＞
シリコンとシリコン酸化膜との選択比（Ｓｉ（１００面）／ＳｉＯ２）
Ａ：１０００以上 Ｂ：７００以上１０００未満 Ｃ：５００以上７００未満 Ｄ：５０
０未満
シリコンと窒化シリコン膜との選択比（Ｓｉ（１００面）／ＳｉＮ）
Ａ：１０００以上 Ｂ：７００以上１０００未満 Ｃ：５００以上７００未満 Ｄ：５０
０未満
Ｂ以上が良好な選択性を示しているとした。ここで、無機アルカリである水酸化カリウム
（KOH）の選択比（Ｓｉ（１００面）／ＳｉＯ２）は約２５０であり、上記の評価基準で
はＤに分類される。
実施例２〜３２
シリコンエッチング液として、表１に示す組成のシリコンエッチング液を用いた以外、
実施例１と同様にして評価した。なお、表中の「Choline」は、トリメチル−２−ヒドロ
キシエチルアンモニウムハイドロオキサイド（水酸化コリン）を示す。結果を表２に示す
。
比較例１〜９
シリコンエッチング液として、式（１）または式（２）で示される化合物から選択され
る少なくとも１種の化合物を含有しない、表１に示す組成のシリコンエッチング液を用い
た以外、実施例１と同様にして評価した。結果を表２に示す。
また、実施例１０および比較例１について、各結晶方位のシリコン基板（１００面、１
１０面、１１１面）の表面Ｒａ値（単位：ｎｍ）を測定し、結果を表３に示す。表面Ｒａ
値は１００面、１１０面、１１１面については光干渉顕微鏡の５０倍レンズを用い視野角
１７５μｍで観察した時の値である。表２から、表面状態の評価結果と、表面Ｒａ値とは
整合していることがわかる。また、別に多結晶シリコン板を準備し、上記と同様にエッチ
ングし、その表面を原子間力顕微鏡（AFM：Atomic Force Microscope）を用いて視野角１
．５μｍで表面Ｒａ値を測定した。
Figure 2021136429
Figure 2021136429
Figure 2021136429
１、１０１ 基板処理装置
２、１０２ 処理ユニット
３ 制御装置
４ チャンバー
１０ スピンチャック
１１ チャックピン
１２ スピンベース
１３ スピンモータ
２０ 処理カップ
２１ ガード
２２ カップ
４１ 第１薬液吐出部
４２ 第２薬液吐出部
４３ リンス液吐出部
４７ 薬液吐出口
６２ タンク
９１ 積層膜
９２ 凹部
９３ カセット保持部
９４ 姿勢変換部
１０３ 浸漬槽
１０４ オーバーフロー槽
１０９ 薬液ノズル
１１０ 薬液配管
１１１ フィルター
１１２ 温度調節器
１１３ ポンプ
１１４ 薬液バルブ
１２１ 主搬送機構
１２３ 第１薬液処理部
１２４ 第２薬液処理部
２３３ 第１リフタ
２４３ 第２リフタ
Ｒ１ リセス
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ ポリシリコン膜
Ｏ１、Ｏ２、Ｏ３ シリコン酸化膜
ＬＰ ロードポート
ＩＲ インデクサロボット
ＣＲ センターロボット
Ｈ１（Ｈ２） ハンド

Claims (6)

  1. 水酸化第４級アンモニウム、水、および下記式（１）および（２）で示される化合物か
    らなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含み、且つ、下記条件１及び２を満足
    することを特徴とする等方性シリコンエッチング液。
    Ｒ１Ｏ−（ＣｍＨ２ｍＯ）ｎ−Ｒ２ （１）
    （式中、Ｒ１は水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜
    ６のアルキル基、
    ｍは２〜６の整数、ｎは１〜３である。但し、Ｒ１とＲ２とは同時に水素原子であるこ
    とはなく、ｍ＝２の場合、ｎとＲ１の炭素数（Ｃ１）と、Ｒ２の炭素数（Ｃ２）の合計（
    ｎ＋Ｃ１＋Ｃ２）が５以上である。）
    ＨＯ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｐ−Ｈ （２）
    （式中、ｐは１５〜１０００の整数である。）
    条件１：０．２≦ エッチング速度比（Ｒ１１０／Ｒ１００） ≦１
    条件２：０．８≦ エッチング速度比（Ｒ１１０／Ｒ１１１） ≦４
    （上記中、Ｒ１００はシリコン単結晶の１００面に対するエッチング速度、Ｒ１１０はシ
    リコン単結晶の１１０面に対するエッチング速度、Ｒ１１１はシリコン単結晶の１１１面
    に対するエッチング速度を示す。）
  2. 水酸化第４級アンモニウムの濃度が０．１〜２５質量％、式（１）または式（
    ２）で示される化合物から選択される少なくとも１種の化合物の濃度が０．００１〜４０
    質量％である請求項１に記載の等方性シリコンエッチング液。
  3. 請求項１又は２記載の等方性シリコンエッチング液を用いてシリコンウェハ、および／
    またはポリシリコン膜およびアモルファスシリコン膜を含む基板をエッチングする、基板
    の処理方法。
  4. シリコンウェハ、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜をエッチングする工程を含
    むシリコンデバイスの製造方法において、エッチングを請求項１又は２に記載の等方性シ
    リコンエッチング液を用いて行うシリコンデバイスの製造方法。
  5. 基板を水平姿勢に保持する基板保持工程と、
    当該基板の中央部を通る、鉛直な回転軸線まわりに前記基板を回転させながら、前記基
    板の上面に請求項１又は２記載の等方性シリコンエッチング液を供給する処理液供給工程
    と、を含む、基板処理方法。
  6. 複数の基板を直立姿勢で保持する基板保持工程と、
    処理槽に貯留された請求項１又は２記載の等方性シリコンエッチング液に前記基板を直
    立姿勢で浸漬する工程と、を含む、基板処理方法。
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