TWI344999B - Etching pastes for silicon surfaces and layers - Google Patents

Description

1344999 坎、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種蝕刻糊狀物形式的新穎蝕刻媒質，其 可用來王區域及選擇性地蚀刻石夕表面及♦層；及其用途。 【先前技術】 在光生伏打電池、電子設備及半導體工業中，經常利用 濕式化學方法於浸潰槽中蝕刻矽表面及矽層。此全區域蝕 刻可在性媒質（等向性触刻）或在驗性媒質（異向性蚀刻） 中進行。在酸性蝕刻中’時常使用氫氟酸與硝酸的混合物 ;同時在鹼性蝕刻中，時常使用強鹼諸如氫氧化鈉溶液、 氫氧化鉀溶液、氫氧化四甲基銨（TMAH)等等。 為了產生已定出細微輪廓的蝕刻圖案/結構（例如埋入結 構）’除了全區域触刻（例如拋光触刻、紋理結構姓刻）外， 在實際的蝕刻步驟前需要材料密集、耗時及昂貴的製程步 驟’諸如例如，已由熟知技藝之人士所熟知的光微影光刻 光罩製程。 在此型式的遮罩製程中，該起始材料為一石夕晶圓。利用 熱乳化反應在上面製造一緻密的氧化層，接著結構化。 5亥乳化物並不覆蓋在想要的點處’此可藉由塗佈一光阻 、乾燥 '使用光罩曝露至UV光、隨後顯影' 然後使用氫氟 酸移除而達成。隨後，例如使用溶劑移除（”剥除"）仍然存在 的光阻。接著，可在強鹼（諸如例如，3 0%的氫氧化钾）中選 擇性地蝕刻該因此提供氧化物遮罩的Si晶圓之沒有被氧化 物覆蓋的點。該氧化物遮罩可抵擒該驗。在選擇性姓刻石夕 86977 後，通常再次使用氫氟酸來移除該氧化物掩膜。 池y 土式的光刻製程因為成本的理由而不使用在太陽能電 ，k工業中[1 ]。但是，選擇性結構化/打通該矽表面或矽 層則需要利用下列程序。 Μ在標準矽太陽能電池之製造製程中’光電效應所需之γη p 可例如藉由在]p〇Ci3烘箱中氣體擴散而於摻雜的晶 圓上形成。在該製程中，大約整片晶圓形成一厚度約500奈 ^ 摻娘矽層，且其必需經部分打通/切割以用於晚後的 光伏打電池應用。 此打通可利用雷射切割或乾蝕刻方法（諸如電漿蝕刻）而 機械地進行。 機械切割（例如在最後的製造製程步驟（在金屬化後）中輪 磨孩些電池邊緣）之缺點為在該太陽能電池中存在有相當 勺夕材料（及金屬糊狀物）損失、機械應力，並會產生結晶 缺陷。 土電漿蝕刻可以經氟化的烴類（例如以CF4或C2F6氣體）在昂 貴的真空設備中進行。在此製程中，預先在電漿蚀刻單元 中堆疊該些電池，且在電池邊緣處蝕刻。在堆疊期間，相 當大的處理問題為會發生高的晶圓破損比例。這些技術性 問嘁甚至在未來將進一步增強，因為由於材料成本高，故 與至今一般使用的厚度250-330微米之基材比較，該目標為 使用甚至較薄的多晶夕起始基材（<2〇〇微米）。 由於必需線性地（XY)移動點狀雷射來源，利用雷射來分 隔P-η躍遷為一種耗時、限制生產率的方法。所投入的成本 86977 1344999 相當大。此外，其會產生局部結晶的缺點。 . 在用來製造選擇性發射區白以貴製程中（其現在僅經發 展且使用在實驗室規模上），已經使用上述描述的微影光刻 . 氧化物遮罩。該氧化物以晚後將呈現該些與其接觸的區$ . 仍然呈空置的方式來遮罩該晶圓。讓該經遮罩的晶圓在無 遮罩區域中接受磷擴散及n-_摻雜。在移除氧化物遮罩後， 整個晶圓呈n+-摻雜[2]。 此可提供一種具有選擇性發射區的太陽能電池，即具有^ 2-3微米深且摻雜濃度約公分·3的高捧雜，區域（沒有 氧化物遮罩且晚後將位於該些接觸器下之區域）及一在整 個太陽能電池上具有摻雜濃度約1 *丨〇i9公分·3之淺的（〇 1 . 微米）η+捧雜發射區。 · 微影光刻的替代品為使用絹版印刷的接觸線作為蝕刻遮 罩。在文獻中已描述有溼式化學及電漿化學蝕刻二者。將 该經竭版印刷的太陽能電池浸泡進入一 HF/hn〇3混合物的 缺點為除了在接觸線間意欲移除的矽外，該混合物會攻擊 在接觸線下之矽而在該些金屬接觸線其本身中造成蝕刻損 傷。此會造成占空因素快速減損[3]。 電漿化學蝕刻（反應性離子蝕刻，RIE)可使用氣體（諸如例 如’ SF0或SF6/〇2)在昂貴的真空設備中進行，且該製程具有 相當大的技術最佳化成果[4]，[5]，[6]。 除了形成選擇性發射區外’該碎表面於此可在發射區邊 上結構化（粗糙化，|，紋理結構化"），使得改善該太陽能電池 的抗反射行為。 86977 1344999 本發明之目標為發現一種用來打通在太陽能電池中之 p-n躍遷的較不昂貴製程，其具有較低的材料損失。 因此’本發明之目標亦為提供_種簡單不貴的製程，其 可實行在太陽能電池工業中’藉此可選擇性地领_面 :產生發射區及改善抗反射行為，本發明之目標為 提供一種不貴可用來進行蝕刻製程的蝕刻劑。 此目標制可藉由-㈣刻媒質來達成，其為_種增稠 的鹼性液體形式而可用來蝕刻矽表面及矽層，叾中該蝕刻 製程在鹼性含溶劑的液體中進行。 因此’本目標可藉由將—種不貴i可快速及選擇性塗敷 的蝕刻掏狀物，使用例如祸版印刷器或分散器來提供至欲 姓刻的區域而達成，因A，首先可明顯減少_化學物質 之消耗，其次為在太陽能電池中的材料損失。 除了所描述之打通太陽能電池的”躍遷外，使用該触刻 :狀物來選擇性蝕刻矽能夠大量製造-選擇性的(亦二階 段）發射區產品且改良該太陽能電池的抗反射行為。 j發明可與將-驗性的黏鹽溶液塗佈至例如陶受组件且 乾燥（蒸發溶劑），並在则_40代的驗炫化下進行實際的触 刻製程[7]之製程有所區別。 因此’本發明為一種可印刷可分 從J丨利且J刀配之蝕刻糊狀物形式 的轴刻媒質，其包括： 諸如抗發泡劑類、觸變劑類、流動 a.至少一種溶劑； b·—增稠劑；及 c 選擇性的添加劑 86977 1344999 控制劑類、除氣劑類及增黏劑類； 且可在溫度從70至150T：下有效用及/或可（若必要時）藉由 輸入能量而活化。 此蝕刻媒質包含一濃度從2至50重量％(較佳為5至48重量 /〇’以遠總量為準）的有機或無機驗作為蝕刻組分。 可使用的蝕刻組分為至少一種選自於由下列所組成之群 的組分··氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、乙醇胺、乙二胺、氫 氧化四烷基銨或乙二胺/焦兒茶酚與乙醇胺/沒食子酸混合 物之一。 因此，本發明係關於一種蝕刻媒質，其包含一種選自於 由下列所組成之群的溶劑：水、異丙醇、二甘醇、二丙二 醇、聚乙二醇類、1，2_丙二醇、i，4_丁二醇、丨，3-丁二醇' 甘油、1’5-戊二醇、2_乙基_丨_己醇或其混合物；或選自於由 下列所組成之群··乙醯苯、甲基己酮、2_辛酮、4_羥基 •4-甲基-2-戊酮、：[_甲基_2_吡咯啶酮、乙二醇單丁基醚、乙 二醇單甲基趟、三甘醇單曱基鞋、二甘醇單丁級、二丙 二醇單曱基瞇、竣酸酯類，諸如醋酸[2,2_ 丁氧基（乙氧基）] 乙酿、碳酸丙二醋；就其本身或為混合物其量從1〇至9〇重 量％，較佳的量從15至85重量％ ’以該媒質的總量為準。 根據本發明之蝕刻媒質進一步包含一選自於由下列所組 成之群的增_ :㈣基瓜爾膠' 黃原膠、纖維素及/或乙 基&丙基-或羚乙基纖維素、羧甲基纖維素、羧基甲基羥 基...歲隹素#以功旎化的丙烯酸、丙烯酸酯類及甲基丙 缔酸烷酯類（(：丨0-(：,^>7接立-- 30)疋乙缔基早疋為主的同聚物或共聚物 86977 1344999 ，其各別或為混合物的量從0.5至25重量％，較佳為1至1〇φ 量°/。，以該蝕刻媒質的總量為準。 除了這些構件外，選自於由抗發泡劑類、觸變劑類、流 動控制劑類、除氣劑類及增黏劑類所组成之群的添加劑之 存在量可從0至2重量％，以該總量為準。 本發明亦關於一種用來|虫刻碎表面及碎廣的方法，其中 將根據本發明之蝕刻媒質塗佈在整個區域上方或特別在僅 與想要蚀刻的表面區域相符之姓刻結構遮罩上，在3 〇秒至5 分鐘之曝光時間後再次移除.。 根據本發明’該蝕刻媒質可在溫度範圍從7〇至15〇β(：下作 用。若需要的話，可藉由輸入能量來進行活化，較佳為IR 輻射。 在根據本發明之製程中，利用絹網 '模板、護墊、壓模、 噴墨或手動印刷方法或利用分配技術將該蝕刻媒質塗佈至 欲蝕刻的表面。在曝光時間後及在蝕刻後，使用溶劑或溶 劑混合物沖洗掉該蝕刻媒質。 根據本發明，該蝕刻媒質可使用在光生伏打電池、半導 a技術咼性能電子設備中，特別可用在光電二極體 '電 路、％子構件之製造中，或用來蝕刻在太陽能電池中的矽 表面及妙層以分隔p_n料。它們亦可使用來㈣太陽能電 勺夕表面及矽層以製造選擇性發射區、用來蝕刻太陽能 %池的沙表面及⑦層以改善抗反射行為、用來在半導體構 牛及其⑨路《製造製程中㈣碎表面及碎層、或用來在高 性能電子^備之構件的製造製程中触刻♦表面及碎層。 86977 1344999 【發明内容】 本發明之目標為使用蝕刻糊狀物在整個半導體表面及層 (特別是珍表面及矽層）或經選擇性結構化之區域上蝕刻。合 適於將孩姓刻糊狀物高度自動化及高生產量地傳遞至欲蝕 刻的區域之技術為印刷及分配。特別是，已由熟知此技藝 之人士所熟知的絹網、模板、護墊、壓模及喷墨印刷製程 及分配製程。同樣可使用手動塗佈，例如利用刷子/塗佈滾 同 ° 依絹網、模板、凸版或壓模之設計或卡匣或計量單位控 制而疋，可將根據本發明所描述之蝕刻糊狀物塗佈在整個 區域上，或根據蝕刻結構遮罩僅選擇性地塗佈至想要蝕刻 勺區域中全部的遮罩及微影光刻步驟於此實例中皆為多 餘的。 因此，可利用印刷及分配技術來置換複雜的遮罩結構化 製私、或諸如明顯縮短且可較不昂貴地進行的雷射結構化 製程、或易受技術缺點影響的製程（諸如電漿蝕刻）。此外， 孩蝕刻製程可明顯減少相關的蝕刻化學物質消耗，因為該 蚀刻糊狀物僅塗佈至欲蚀刻的區域。 特別疋，在矽太陽能電池的製造中，於分隔躍遷期間 ，可透過使用蝕刻糊狀物來達成下列優點： ◎我蘇.叩貴的電聚触刻單元 ◎減低發生高的電池破損速率 ◎將在機械切割期間的高材料損失減縮到最小 ◎避開表面缺點 86977 -12- 1344999 在使用蝕刻糊狀物來製造選擇性發射區中，同樣可省去 氧化物遮罩及昂貴的電漿蝕刻。此外，選擇性塗佈該触刻 糊狀物可避免該些接觸區域的蝕刻不定性。因為不需要遮 罩（甚至可利用絹版印刷金屬接觸線），故可排除對該些接觸 器的蚀刻損傷。 亦應該注意的是，與迄今使用的光微影光刻程序、電聚 化學及雷射製程比較’選擇性發射區之製造及在抗反射行 為上的改良可由根據本發明之蝕刻糊狀物變成明顯較短及 車父簡單。該些晶圓在整個表面上經均勻地n++-摻雜。在接觸 器間之區域則由該蝕刻糊狀物蝕刻掉，因此經"―摻雜及改 善其柷反射行為。因此可節省眾多製程步驟。 該蚀刻操作較佳地伴隨著輸入能量而進行，例如可以熱 輻射形式（IR燈）或利用加熱板。當蝕刻完成時，可使用合適 的落劑或溶劑混合物沖洗掉在該經蝕刻的表面上之蝕刻糊 狀物。 蝕刻期間可在數秒及數分鐘之間，端視應用、想要的蝕 刻深度及/或此些蝕刻結構的邊緣陡峭度及蝕刻溫度設定 而定。 孩些蝕刻糊狀物具有下列組成物： ◎蚀刻组分 ◎溶劑 ◎增稠劑 卞_〇右必要時，添加劑，諸如例如，抗發泡劑類、觸變 劑類、流動控制劑類 '除氣劑類及增黏劑類。 86977 !344999 為了從週期表的第4主族（諸如矽）蝕刻半導體元件，可使 用強腐蝕性的鹼液[7]。因此，根據本發明所描述之蝕刻糊 狀物的触刻作用乃基於使用鹼性的矽蝕刻溶液。 以HF或氟化物為主（如描述用於氧化物[8]，[9])的酸性蝕 刻糊狀物在矽上並不具有蝕刻作用。 使用在根據本發明所描述之蚀刻糊狀物中的鹼性蝕刻組 分可為無機鹼液水溶液，諸如氫氧化鈉 '氫氧化鉀、氨； 或以有機為基礎之驗性|虫刻混合物，諸如乙二胺/焦兒茶 酚、乙醇胺/沒食子酸、氫氧化四烷基銨或該二種之組合。 所使用的蝕刻組分比例在2_50重量％的濃度範圍，較佳為 5-48重里％，以該蝕刻糊狀物的總重量為準。特別佳的蝕刻 媒驁為垓敍刻組分之存在量為1 〇_45重量。特別合適的為 泫蝕刻媒質的蝕刻組分之存在量為3〇_4〇重量％(以該蝕刻 糊狀物的總重量為準），因為已發現此型式之蝕刻媒質其蝕 刻速率可谷易完成ρ-η躍遷之打通及高生產量，同時可顯示 出高選擇性。 該些蝕刻組分可在70-15〇。(：的蝕刻糊狀物中有效用。在 矽表面及矽層上’在溫度低於1 〇〇〇c下可獲得少於1微米的 蝕刻深度’及在溫度大於1〇〇°c下可獲得最大2_3微米的蝕 刻深度。 合適的典機及/或有機溶劑及/或其混合物可如下列： ◎水 ◎簡單或多羥醇類（例如異丙醇、二甘醇、二丙二醇、 聚乙二醇類、1，2-丙二醇、丨，4_丁二醇、丨，3·丁二醇、甘油 86977 • 14 - 1344999 、1,5-戊二醇、2-乙基-1_己醇）或其混合物 ◎酮類（例如乙醯苯、曱基_2·己酮、2_辛酮、4_羥基 甲基-2-戊酮、甲基·2·ρ比哈烷酮） ◎醚類（例如乙二醇單丁基醚、乙二醇單甲基醚、三甘 醇單甲基醚、二甘醇單丁基醚、二丙二醇單曱基醚） ◎羧酸酯類（例如醋酸[2,2-丁氧基（乙氧基）]乙酯） ◎碳酸之酯類（例如碳酸丙二酯） 車又佳的疋使用水及選自於由醚類及酮類所組成之群的溶 劑。 屬^ 水已證明特別合適。 孩些溶劑的比例範園從10_9〇重量％，較佳為15_85重量〇/〇 ’以該蚀刻糊狀物的總重量為準。特別合適的組成物已註 明為☆劑存在量為55_75重量％的那些，以該姓刻糊狀物的 總重量為準。 根據本發明所描述的触刻糊狀物之黏度可由會在液相中 膨潤的網絡形成增稠劑設定，其可依想要的塗佈區域而改& 可能的增稠劑有交聯與未交聯的同聚物及共聚物，其可 以諸如已功能化的乙晞基單位之單體單位為主，例如丙稀 酸、丙埽酸酿類、甲基丙埽酸垸酿類(Ci〇_C3〇)及刪瓜爾 膠、κ原膠，及經β·葡萄糖基連結的葡萄糖單位（即纖維素 及/或纖維素衍生_)，諸如纖料賴（特別是乙基_、經 丙基_3戈幾乙基纖維素）、幾甲基纖維素及纖維素之乙酵酸酸 的鹽類（特別是幾甲基纖維相）^該些增稠射各別使用及 86977 •15- 1344999 /或與其它增稠劑組合。較佳的是使用羧曱基纖維素之鹽類 與交聯的丙烯酸聚合物作為增稠劑。羧甲基纖維素的鋼鹽 (芬費克斯（Finnfix)®)及交聯的丙烯酸同聚合物（卡玻魔斯 (Carbomers)®)已钲明非常特別合適於此目的。 特定的黏度範圍設定及形成可印刷或可分配的糊狀物所

需之增稠劑比例範園為0.5-25重量％，較佳為1-1〇重量％， 以該蝕刻糊狀物的總重量為準。特別合適的組成物已証明 為增稠劑之存在量為1.5_6重量％的那些。 對想要的目的具有優良性質之添加劑有抗發泡劑類，例

如泰夠（TEGO)®弗美克斯（Foamex)N(二甲基聚矽氧院）；觸 變劑類，例如B Y K ® 4 1 0 (經改質的尿素）、波奇傑而 (Borchigel)®西索（Thixo)2 ;流動控制劑類’例如泰夠⑧葛 萊得（Glide)ZG 400(聚醚·珍氧烷共聚物）；除氣劑類，例如 泰夠®愛爾雷克斯（Airex)986(含有矽酮頂端的聚合物）；及 增黏劑類，例如拜歐偉特（Bayowet)(g) FT 929(氟表面活性劑） »這些會正影響該蝕刻糊狀物的可印性及可節約性。添加 劑的比例範園為〇-2重量❶/。，以該蝕刻糊狀物的總重量為準。 透過實驗已發現使用來製備該蝕刻媒質的組分之選擇與 該些組分在該蝕刻媒質中彼此的混合比率二者相當重要。 該些組分彼此的百分比比率應該依將該蝕刻媒質塗佈至欲 触刻的區域之方法而不同地設定，因為尤其是黏度及流動 邊力或觸變性設定相當大地受到所存在之溶劑及增稠劑量 所影響。溶劑及增稠劑的存在量依次會影響触刻行為。因 此，可由熟知此技藝之人士依在根據本發明之製程中的使 86977 •16- 1344999 用型式而選擇一相符合適的蝕刻媒質組成物。 【實施方式】 應用區域 根據本發明之蝕刻糊狀物可應用在下列領域中： ◎太陽能電池工業 ◎半導體工業 ◎鬲性能電子設備 根據本發明之蝕刻糊狀物可使用在想要蝕刻的矽表面或 矽層之整個區域及/或經結構化的全部區域中。因此，在每 個α例中，可於矽表面或矽層中，在整個或選擇的區域上 蚀刻各別的結構至想要的深度。 可應用的領域有，例如： ◎全部的蝕刻步驟（與結構化步驟同義），包括光電構件 (諸如太陽能電池、光電二極體及其類似物）之製造時的矽表 面及矽層 < 表面淨化/粗糙，特別是在矽太陽能電池中分隔 Ρ-ηί偉遷及部分移除摻雜層（選擇性發射區） ◎在矽表面及矽層上的全部蝕刻步驟，此可製造半 體構件及雷路 ◎在矽表面及矽層上的全部蝕刻步驟，其可製造在高 f生此电子6又備中之構件（IGBTs、電源可控矽、等等）。 為了幸X好了解且為了闡明本發明，下列提供一些實例， 其落在本發明之料範圍内，但是此並不意欲將本發 制至這些實例。 ―貫例 86977 1344999 貫例1

40.0克的 KOH 59.0克的去離子水 1.5克的乙二醇單丁基醚 4_〇克的卡玻魔（丙烯酸同聚物） 將該些化學物質稱入燒杯、混合及溶解，且在攪拌下加 入增稠劑。

在一短的靜置時間後，將該混合物轉移進入容器《此混 合物可提供一蝕刻糊狀物，其可例如在輸入及/或沒有輸入 能量下向下蝕刻該矽表面及矽層（特別在整個區域上或在 結構中）至想要的深度。

例如利用絹版印刷或使用分散器（例如直徑260微米的針 腳），將該蝕刻糊狀物塗佈至矽表面，且在l〇〇°C的加熱板 上触刻3分鐘。於n-摻雜（100)的矽晶圓上，在製造出線寬約 1耄米的蝕刻結構中，所測出的蝕刻深度為〇 3-1微米（依印 刷及分配參數而定”該蝕刻深度可藉由增加K〇H濃度及線 寬而增加。對線寬4毫米及KOH濃度20-50重量％來說，蝕刻 深度為2-3微米。 所產生的蝕刻糊狀物在儲存上穩定、容易處理且可印 刷。其可使用溶劑（例如使用水）從該經印刷的表面或層或從 該糊狀物載體（絹網、刮刀、模板、壓模、凸版、卡匣等等） 中移除。 會例2

8.0克的KOH 86977 -18- 1344999 26·4克的去離子水 4.0克的Ν-甲基ρ比ρ各坡酉同 2.3克的羧甲基纖維素Na鹽（芬費克斯⑧） 如實例1所描述般進行該配料及處理。 使用分散器（直徑4 5 0微米的針腳）將該蝕刻糊狀物塗佈至 矽表面，且在130°C的蝕刻溫度下蝕刻3分鐘。在n_摻雜（1〇〇) 的矽晶圓上，於製造出具有線寬約丨毫米之蝕刻結構中，所 測出之蝕刻深度為〇·2-ΐ微米（依印刷及分配參數而定）。 實例3 37.8重量％的水 0.8重量％的乙醇胺 50.0重量％的乙二醇 4·7重量％的氫氧化四乙基銨 4.7重量％的氫氧化四丙基銨 0 · 3重量％的沒食子酸 < 0.1重量％的ρ比井 1.8重量°/。的羧甲基纖維素Na鹽（芬費克斯⑧） 如實例1所描述般進行該配料及處理。 利用絹版印刷或使用分散器（直徑45〇微米的針腳），將該 蝕刻糊狀物塗佈至矽表面，且在130〇c的蝕刻溫度下蝕刻3 分鐘。在矽晶圓上，於所製造的具有線寬丨毫米之蝕刻結構 中’所測出的蝕刻深度約200奈米β 實例4 39.4重量％的去離子水 86977 •19· 1344999 49.3重量％的乙二醇 4 _ 9重量°/。的氫氧化四乙基銨 4.9重量％的氫氧化四丙基按 1.5重量％的羧甲基纖維素]^&鹽（芬費克斯⑧） 如實例1所描述般進行該配料及處理。 利用絹版印刷或使用分散器（直徑45〇微米的針腳），將該 敍刻糊狀物塗佈至矽表面’且在13(rc的蝕刻溫度上蝕刻3 分鐘。在珍晶圓上，於所製造之具有線寬1毫米的蝕刻結構 中，所測出的蝕刻深度約300奈米。 實例5 5 0體積％的氫氧化四乙基按 20體積％的乙二胺 20體積％的去離子水 10體積％的三亞乙基四胺 0.25克的沒食子酸 < 0.1重量°/。的ρ比_ 3重量％的黃原膠 如實例1所描述般進行該配料及處理。 利用絹版印刷或使用分散器（直徑450微米的針腳），將該 蚀刻糊狀物塗佈至矽表面，並在1 〇〇的触刻溫度下触刻3 分鐘。在矽晶圓上，於所製造之具有線寬4毫米的蝕刻結構 中，所測出的蝕刻深度約1微米。 [1] W.威托靈（Wettling)，Phys. Bh 12(1997)，pp. 1197-1202 [2] J.侯肉（Horze丨），J.史魯夫曰克（S丨Ufzik)，j.尼次（Nijs)， 86977 -20- 1344999 R-摩聽思（Mertens)，Proc. 26th IEEE PVSC，（1997)，pp 139-42 [3] M.薛納兒（Schnell)，R_ 魯德曼（Liidemann)，S·薛弗 (Schafer)，Proc. 16thEU PVSEC，（2000)，pp_ 1482-85 [4] D.S.魯比（Ruby)，P·燕（Yang)，S·日依第（Zaidi)，S.布魯 依克（Brueck) ’ M.羅伊（R〇y)，S.納拉亞南（Narayanan)， PVSEC Proc. 2nd世界會議及展覽會，（1998)，pp, 1460-63

[5] 美國 6,091,021(2000)，D.S.魯比，W.K.舒伯特（Schubert) ’ J.M‘吉（Gee)，S.H.日依第 [6] 美國 5,871，591 (1999)，D.S.魯比，J.M.吉，W.K.舒伯特 [7] EP 0229915 (1986) ’ M.波克（Bock)，K.黑曼（Heymann)， H.-J.米帶克（Middeke)，D.坦布林克（Tenbrink) [8] WO 00/40518 (1998)，Μ·魯立（Luly)，R.新恩（Singh)，C. 雷得蒙（Redmon)，J.麥克翁（Mckown)，R.普雷特（pratt)

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Claims (1)

1344999 '月7日修正肩8无 第092124344號專利申請P 4 t 中文申請翔範g[雜本^，年3月^-- 拾、申請專利範圍： 1.種可印刷且可分配之钱刻媒質之用it，其用於部分移 除矽表面或矽層的摻雜層，其中該蝕刻媒質之特徵為其 係-種蝕刻糊狀物形式之經增稠的鹼性液體，其包含： a.以蝕刻媒質之總量為準，3〇至40重量％濃度之有機 或無機鹼作為蝕刻組分； b ·至少—種溶劑； • C.選自下列所組成之群的增稠劑：羥烷基瓜爾膠、黃 原膠、纖維素及/或乙基·、經丙基_或經乙基纖維素、緩 甲基纖維素、叛甲基經乙基纖維素鈉、以丙稀酸、丙烯 酸醋類及甲基丙烯酸烷醋類(Ci〇_C3。)之經功能化的乙烯 基早兀為主之同聚合物或共聚物；其各別或為混合物的 篁以該姓刻媒質的總量為準’為1.5至6重量％;及選擇 性的 俘 d ·添加劑；

且其在自70至150。(：之溫度範圍下具有蝕刻作用。 I 圍第1項之_媒質之用途，其中該钱刻 糊狀物糟由輸入能量而活化。 I ==圍第1項之㈣媒質之用途，其㈣刻 …、3/種選自下列所組成之群的組分作為蝕 ，刀：虱氧化納、聽化鉀 '氨、乙醇胺、乙二胺、 氫氧化四烷基銨或乙二胺/焦兒 混合物之―。 十齡與乙醇胺/沒食子酸 4.如申請專利範圍第3項之姓刻媒質之用m該姓刻 86977-1000307.doc 、、貝包含-種選自下列所組成之群的溶劑：水、異丙醇 丁Γ甘醇、m乙二醇類H丙二醇、M- 或7、1,3-丁二醇、甘油、Μ·戊二醇、2·乙基小己醇 ^昆合物；或可選自於由下列所組成之群：乙酿苯、 =己n辛酮、4_膝4^2_相、ι曱基〜比 分沉酮、乙二醇置其 -甲龙 ％早丁基Μ乙—_單甲㈣、三甘醇單 Cl:甘醇單丁㈣、二丙二醇單甲㈣、㈣ =如醋酸[2…基(乙氧基)]乙酿、碳酸丙二醋)； =質的總量為準’就其本身或為混合物其量為㈣ I 利範圍第4項之姓刻媒質之用途，其中以該媒 6 、⑽1為準，該溶劑之量為自15至85重量％。 .2請專利範圍第W刻媒質之用途，其特徵為該 ^媒質包含選自下列所組成之群的添加劑：抗發泡劑 :旦觸變劑類、流動控制劑類、除氣劑類及增黏劑類， ” 1從0至2重量。/。，以總量為準。 7· 一㈣刻梦表面及石夕層的方法，其特徵為將如中請專利 ^圍第1至6項中卜項所定義之❹i媒質塗佈在整個 區域上’或與特別僅在想要㈣的表面區域中相符之钱 刻結構遮罩上；再次，在曝光時間從3G秒至5分鐘後移 除。 8. 如申請專利範圍第7項之方法，其特徵為該㈣媒質可 在70至150C的溫度範圍内作用。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該姓刻媒質藉由輸 86977-I000307.doc -2- U44^9 入能量而活化。 10·如:請專利範圍第8或9項之方&，其特徵為該㈣媒質 可藉由曝路至熱（IR燈或加熱板）而活化。 如申請專利範圍第7項之方法，其特徵為利用絹網、模 板4塾、麼模 '嗔墨或手動印刷方法或利用分配技術 將该蝕刻媒質塗佈至該欲蝕刻的表面。 12.如申請專利範圍第7項之方法，其特徵為當钱刻完成時 • ，該蝕刻媒質可使用溶劑或溶劑混合物沖洗掉。 13·如申請專利範圍第⑴項中任—項之㈣媒質的用途 ’其可使用在光伏打電池、半導體技術、高性能電子設 備，及可使用來製造光電二極體、電路及電子構件。 14·如^ 4專利範圍第1至6項中任-項之用途，其可使用在 太陽此包池中來蝕刻矽表面及矽層以分隔躍遷。 ^如申料利範圍第⑴項中任—項之用途，其可用來触 刻太陽能電池的石夕表面及石夕層以製造一選擇性發射區。 魯16’如申印專利範圍第1至6項中任-項之用途，其可用來钱 刻太陽旎電池的矽表面及矽層用來改善該抗反射行為。 17.如申請專利11圍第1至6項中任一項之用it，其可用在半 V體構件及其電路的製造製程中來蝕刻矽表面及矽層。 18·如申請專利範圍第⑴項中任—項之用途，其可用在高 性此電子没備的構件之製造上，於製程中蝕刻矽表面及 石夕層。 86977-1000307.doc