JP5698897B2 - 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 - Google Patents
二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5698897B2 JP5698897B2 JP2008520738A JP2008520738A JP5698897B2 JP 5698897 B2 JP5698897 B2 JP 5698897B2 JP 2008520738 A JP2008520738 A JP 2008520738A JP 2008520738 A JP2008520738 A JP 2008520738A JP 5698897 B2 JP5698897 B2 JP 5698897B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- composition
- glass
- layer
- composition according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 183
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 52
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 41
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims description 39
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title description 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 89
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 54
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 29
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000000306 component Substances 0.000 claims description 23
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 22
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 17
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 claims description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 6
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- -1 alkyl carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 claims description 5
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L magnesium stearate Chemical compound [Mg+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000881 Modified starch Polymers 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IQDGSYLLQPDQDV-UHFFFAOYSA-N dimethylazanium;chloride Chemical compound Cl.CNC IQDGSYLLQPDQDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000019426 modified starch Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 claims description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MMELVRLTDGKXGU-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhex-1-en-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)=CO MMELVRLTDGKXGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical group COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GJMPSRSMBJLKKB-UHFFFAOYSA-N 3-methylphenylacetic acid Chemical compound CC1=CC=CC(CC(O)=O)=C1 GJMPSRSMBJLKKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 235000013361 beverage Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 2
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 claims description 2
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000388 diammonium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000019838 diammonium phosphate Nutrition 0.000 claims description 2
- ASLNLSYDVOWAFS-UHFFFAOYSA-N diethylazanium;dihydrogen phosphate Chemical compound CCNCC.OP(O)(O)=O ASLNLSYDVOWAFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 2
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 claims description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000019359 magnesium stearate Nutrition 0.000 claims description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- GEVPUGOOGXGPIO-UHFFFAOYSA-N oxalic acid;dihydrate Chemical compound O.O.OC(=O)C(O)=O GEVPUGOOGXGPIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 claims description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical group CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 claims description 2
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims description 2
- 229940117957 triethanolamine hydrochloride Drugs 0.000 claims description 2
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 claims 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- GWYLXIPVKYGEDX-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)OCC.C(C)(=O)C1=CC=CC=C1 Chemical group C(C)(=O)OCC.C(C)(=O)C1=CC=CC=C1 GWYLXIPVKYGEDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 claims 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 claims 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 16
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 5
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical class O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 3
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- KEQXNNJHMWSZHK-UHFFFAOYSA-L 1,3,2,4$l^{2}-dioxathiaplumbetane 2,2-dioxide Chemical compound [Pb+2].[O-]S([O-])(=O)=O KEQXNNJHMWSZHK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021532 Calcite Inorganic materials 0.000 description 1
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M Lactate Chemical compound CC(O)C([O-])=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003854 Surface Print Methods 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- QUQFTIVBFKLPCL-UHFFFAOYSA-L copper;2-amino-3-[(2-amino-2-carboxylatoethyl)disulfanyl]propanoate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C(N)CSSCC(N)C([O-])=O QUQFTIVBFKLPCL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910052607 cyclosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000012154 double-distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000005007 epoxy-phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052610 inosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012533 medium component Substances 0.000 description 1
- 239000013028 medium composition Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000004762 orthosilicates Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052615 phyllosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010399 physical interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 125000005624 silicic acid group Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052645 tectosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
太陽電池の製造プロセスの間、支持材料の酸化物層を構築することがとりわけ必要である。結晶シリコン太陽電池は、常に、中に、例えば、リンなどのn伝導物質の均一な薄層が表に広がったp伝導基材からなる。金属的に伝導する接触は、光の発生で出現する電流を奪うためにウェハの表裏に適用される。大量製造に好適な安価な製造方法を目的として、該接触は大抵スクリーンプリントによって製造される。
結晶シリコン太陽電池の表面は、製造方法の間、また、任意に、製造方法の終了後も、薄い無機層で被覆される。これらの層は、20〜200nmの範囲の厚さ、ほとんどの場合は50〜150nmの範囲の厚さを有する。
太陽電池の表面におけるこれらの開放部は、例えば、いわゆる選択エミッターの形成のために使用できる(選択エミッターはまた、2ステージエミッターとしても知られる)。この目的のために、その後の拡散の工程において、シリコン上に位置する拡散障壁の部分的開放部において、好ましくはリンの拡散によって、多量のn−ドーピングが提供される。
また、CVD方法による二酸化ケイ素の蒸着も、当業者に公知である。ここでは、反応が行われる方法に依存して、とりわけ以下の方法の間で区別が行われる:
− APCVD(大気圧CVD)
− PE−CVD(プラズマCVD(plasma enhanced CVD))
− LP−CVD(低圧CVD)
多くの場合、適用されたSiO2層はまた、反射を低下させる不動態化層として残る。これは、熱によって成長したSiO2の場合に特に頻繁である。
ガラスは、本来、均質な材料(例えば、クォーツ、窓ガラス、ホウケイ酸ガラス)、または他の基板(例えば、セラミック、金属シート、シリコンウェハ)上で当業者に公知の種々の方法(特に、CVD、PVD、スピン−オン、熱酸化)によって形成されたこれらの材料の薄層を意味すると考えられる。
エッチング液、すなわち、化学的に攻撃的な化合物の使用は、エッチング液の攻撃に曝される物質の溶解をもたらす。殆どの場合、目的は、エッチングされるべき層を完全に取り除くことである。エッチング液に対して実質的に耐性である層の接触によって、エッチングの終了に至る。さらに、通常定義される目的の厚さまでエッチングすることによる層の部分的除去という当業者に公知の方法が存在する。
最先端技術によると、直接的にレーザー支援エッチング法によって、またはマスキングの後で湿式化学法(([1] D.J. Monk, D.S. Soane, R.T. Howe, Thin Solid Films 232 (1993), 1; [2] J. Buehler, F.-P. Steiner, H. Baltes, J. Micromech. Microeng. 7 (1997), R1)または乾式エッチング法 ([3] M. Koehler "Aetzverfahren fuer die Mikrotechnik" [Etching Methods for Microtechnology], Wiley VCH 1983)によって、酸化ケイ素および窒化ケイ素ベースのガラスおよび他の酸化ケイ素および窒化ケイ素ベースの系、または多様な厚さのそれらの表面ならびにそれらの層において、任意の所望の構造をエッチングすることができる。
A.エッチングされるべきでない領域を、例えば以下によってマスキングする:
・フォトリソグラフィ:エッチング構造のネガまたはポジ(レジストに依存する)の製造、基板表面の被覆(例えば、液体フォトレジストによるスピン被覆によって)、フォトレジストの乾燥、被覆された基板表面の露出、現像、洗浄、任意に乾燥。
・浸漬法(例えば、湿式化学ベンチ中での湿式エッチング):エッチング漕中への基板の浸漬、エッチング操作、H2Oカスケードシンク中での洗浄の繰り返し、乾燥。
・スピン−オン法またはスプレー法:エッチング溶液を回転する基板に適用し、エネルギー入力なしで、またはエネルギー(例えば、IRまたはUVの照射)入力によって、エッチング操作を行い、その後、洗浄および乾燥を行うことができる。
・例えば、高価な真空ユニット中でのプラズマエッチング、または流れ反応器中での反応性気体によるエッチングなどの乾式エッチング法。
最終方法工程において、基板の保護領域をカバーするフォトレジストを除去しなければならない。これは、例えば、アセトンなどの溶媒、または希釈アルカリ水溶液によって行われる。基板は、最終的に洗浄され、乾燥される。
酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースのガラスならびに他の酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースの系ならびに多様な厚さのそれらの層を、領域全体にわたって、完全にまたは特定の深度までだけエッチングするためには、主として湿式エッチング法が使用される。酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースのガラスならびに他の酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースの系ならびに多様な厚さのそれらの層を、エッチング漕中へ浸漬する。エッチング層は、通常、毒性で高腐食性のフッ化水素酸、および任意に他の鉱酸の添加剤を含有する。
したがって、本発明の目的は、100μm未満、特に80μm未満の幅を有する非常に均質で細い線、ならびにケイ素太陽電池上に配置される二酸化ケイ素および/または窒化ケイ素の層上の極めて微細構造をエッチングするための、新規の安価なエッチングペーストを提供することである。本発明のさらなる目的は、必要であればエッチング後に熱作用下で、簡易な様式において残留物を残すことなく処置された表面から除去することができる、新規のエッチング媒体を提供することである。
より最近の実験により、これまでの経験に反し、好適に選択された微細粒子状のパウダーを添加した場合、エッチングペーストの技術的プリント特性が有利に改善され得ることが示されている。無機の微細粒子状パウダーの添加が、とくに好適であることが示されている。これらは好適なポリマー粒子と共にエッチング媒体に組み込むことができる。とくに無機パウダーは、得られたペースト中でその媒体の他の成分と物理的相互作用および/または化学反応によってネットワークを形成し、同時に組成物の粘性の増大を引き起こすポリマー粒子と共に組み込まれ得る。全く予想外なことに、添加されるポリマー粒子は、媒体のプリント可能性の改善に寄与し、一方で、添加される無機粒子は、続く洗浄ステップに有利な効果を有する。
実験により、ペースト形態のエッチング組成物における微粒子状パウダーの使用が、プリントプロセスの間のペーストの挙動および達成可能なエッチング結果の両方を有意に改善することができることが示された。驚くべきことに、選択された微細粒子状パウダーの添加は、エッチングされたラインおよび構造のエッジの鋭さを顕著に改善し得るだけでなく、プリントされたラインまたは構造の安定性に関して、組成物の特性に好ましい影響を及ぼすことが見出された。
a)少なくとも1種のエッチング成分、
b)少なくとも1種の溶媒、
c)少なくとも1種の、微細粒子状グラファイトおよび/またはカーボンブラックの形態の無機パウダー、および任意に、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリメタクリレート、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアニン樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、微細化セルロースおよびフッ素化ポリマー(PTFE、PVDF)の群から選択される微細粒子状プラスチックパウダーの形態の微細粒子状有機パウダー、
および任意に、微細化ワックス、
および任意に、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、酸化ホウ素、塩化ナトリウムの群からの無機粒子、
d)少なくとも1種の溶剤添加剤
e)任意に、均質に溶解する有機増粘剤、
f)任意に、少なくとも1種の無機および/または有機酸、および任意に、
g)消泡剤、チキソトロープ剤、流量調節剤、脱気剤、接着促進剤などの添加剤
が存在する、前記組成物に関する。
少なくとも1種の、微粒子状グラファイトおよび/またはカーボンブラックの形態の無機パウダー、および/または、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリメタクリレート、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアニン樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、微細化セルロース、フッ素化ポリマー(PTFE、PVDF)の群から選択される微細粒子状プラスチックパウダー形態の微細粒子状有機パウダー、
および任意に微細化ワックス、
および任意に酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、酸化ホウ素、塩化ナトリウムの群から選択された無機粒子
を含む。
ここに存在する微細粒子状有機パウダーは、10nm〜50μmの範囲の相対粒子径を有することができる。しかしながら、好ましくは、100nm〜30μmの範囲、非常にとくに好ましくは、1μm〜10μmの範囲の相対粒子径を有する有機パウダーの媒体への組み込みである。
セルロース/セルロース誘導体、および/または、
デンプン/デンプン誘導体、および/または、
ポリビニルピロリドン、
アクリレートまたは官能化されたビニル単位をベースとするポリマー
の群からの1種または2種以上の均質に溶解する増粘剤であり得る。
好ましくは、エッチング媒体の全量に対して、3〜20重量%の量で増粘剤の添加が行われる。
−ポリアクリレート
−ポリアミド
−ポリエチレン
−エチレン−酢酸ビニルコポリマー
−エチレン−アクリル酸−アクリレートターポリマー
−エチレン−アクリレート−無水マレイン酸ターポリマー
−ポリプロピレン
−ポリイミド
−ポリメタクリレート
−メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアニン樹脂、フェノール樹脂、
−シリコーン樹脂
−フッ化ポリマー(PTFE、PVDF、・・・)、および
−微粉化ワックス
これらの微粒子性増粘剤を、1〜50重量%、有利には10〜50重量%の範囲において、特に25〜35重量%の量において、エッチング媒体に添加することができる。
−ポリスチレン
−ポリアクリレート
−ポリアミド
−ポリイミド
−ポリメタクリレート
−メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアニン樹脂、フェノール樹脂
−シリコーン樹脂
I.微粒子性増粘化により、エッチング媒体の弾性の改善をもたらす。粒子は、エッチング媒体中に骨格様構造を形成する。高度に分散したケイ酸(例えば、Aerosil(登録商標))による同様の構造が、当業者に公知である。特にエッチングペーストのスクリーンまたはステンシルプリントにおいて、流動に起因するプリント構造の拡大は、本発明によって実質的に防止され得るか、または少なくとも著しく制限される。プリントされ、そしてペーストによって被覆された領域は、従って、スクリーンまたはステンシルのレイアウトにおいて特定される領域に、実質的に対応する。多くの無機粒子、例えばケイ酸もしくは修飾されたケイ酸などは、使用されるエッチング成分との反応性に起因して、エッチング媒体の濃厚化のために使用されることができない。例えば、NH4HF2がエッチング成分として使用される場合、ケイ酸とNH4HF2との化学反応が起こる。
太陽電池中に短絡をもたらすpn接合開離後に、プラズマエッチングによって、またはLASERビームによる開口を使用して、電池の前面および背面に電気的接触が適用される。これを、ペーストを使用する二回の連続的なスクリーンプリント工程によって行ってもよい。このペーストは、結合剤および酸化物添加剤の他に、伝導性銀粒子および/またはアルミニウムを含んでもよい。プリント後、プリントされた接触部は、約700〜800℃でベークされる。
このように、そうでなければ必要となる全てのマスキングおよびリソグラフ工程が余分なものとなる。エッチング操作は、例えば、熱放射の形態においてはIR放射でのエネルギーの入力を用いて、または用いないで、行うことができる。
エッチングする表面は、既に述べたように、酸化ケイ素ベースまたは窒化ケイ素ベースのガラスならびに他の酸化ケイ素システムおよび窒化ケイ素系の表面または部分的な表面、および/またはガラスおよび他の支持材料の酸化ケイ素ベースまたは窒化ケイ素ベースのシステムの多孔性層および非多孔性層の表面または部分的な表面であり得る。
さらに、エッチングペーストにおける塩様添加剤(溶剤添加剤)の使用により、達成される洗浄が有意に改善される。この目的に対し、融点<300℃および分解点>400℃を有し、同時に、非常に良好な水溶性を有する溶剤添加剤がペーストに添加される。320〜390℃でのエッチング工程の後、冷えたペースト残渣は、続く濯ぎ操作の間、有意により良好に分離することができる。
特に言及することなしに、提供した例においておよび残りの記載においての両方で、組成物に存在する成分の引用されたパーセンテージのデータは、常に合計100%以下を意味する。
例1
微粒子増粘剤からなるエッチングペースト
465gのリン酸(85%)を、撹拌しながら、
218gの脱イオン水、
223gの1−メチル−2−ピロリドン、
1.6gのエチレングリコール、
33gの塩化ジメチルアンモニウム
からなる溶媒混合物へ添加した。
続いて該混合物を激しく撹拌した。
次いで、
100gのVestosint 2070
を澄んだ均一な混合物に添加し、さらに2時間撹拌した。
調製したエッチングペーストは、有利なエッチング特性を保持したまま、長期間に亘る貯蔵において安定であることを示した。
有利な特性を有する本発明の組成物のさらなる例を、添付の表に示す。
Claims (31)
- ガラス様層または結晶層のエッチングのための組成物であって、
a)少なくとも1種のエッチング成分、
b)少なくとも1種の溶媒、
c)微細粒子状グラファイトおよび/またはカーボンブラックの形態の5μm未満の相対粒子径d 50 を有する第1の微細粒子状無機パウダーを組成物の全量に対し0.5重量%以上の量で、および、
10nm〜50μmの相対粒子径d 50 を有する微細粒子状有機パウダーであるフッ素化ポリマー、
d)少なくとも1種の溶剤添加剤、および
e)均質に溶解する有機増粘剤、
を含み、20℃での粘性が25S −1 のせん断速度で6〜35Pa*sの範囲を有するプリント可能なペーストの形態であり、
組成物の全量に対し、10〜50重量%の量で、第1の微細粒子状無機パウダーおよび微細粒子状有機パウダーを含む、前記組成物。 - セルロース、セルロース誘導体、デンプン、デンプン誘導体、ポリビニルピロリドン、ならびにアクリレートまたは官能化されたビニル単位をベースとするポリマーの群からの1種または2種以上の均質に溶解する有機増粘剤を、組成物の全量に対し、0.5〜25重量%の量で含むことを特徴とする、請求項1に記載の組成物。
- エッチング成分として、塩酸、リン酸、硫酸および硝酸の群から選択される少なくとも1種の無機鉱物酸含む、請求項1または2に記載の組成物。
- 微細粒子状有機パウダーが100nm〜30μmの範囲の相対粒子径d 50 を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物の全量に対し、20〜40重量%の量で、第1の微細粒子状無機パウダーおよび微細粒子状有機パウダーを含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物の全量に対し、0.5〜5重量%の量で、第1の微細粒子状無機パウダーを含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物の全量に対し、2〜30重量%の量で、1種または2種以上のエッチング成分を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物の全量に対し、2〜20重量%の量で、1種または2種以上のエッチング成分を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物の全量に対し、3〜20重量%の量で有機増粘剤を含む、請求項2〜8のいずれか一項に記載の組成物。
- アルキルカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸およびジカルボン酸の群から選択される、1〜10個のC原子を有する直鎖または分枝状のアルキル基を含んでいてもよい、少なくとも1種の有機酸をさらに含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の組成物。
- 有機酸がギ酸、酢酸、乳酸およびシュウ酸の群から選択される、請求項10に記載の組成物。
- 無機鉱物酸および存在する場合の有機酸の合計の割合が、組成物の全量に対し、0〜80重量%の濃度範囲であり、添加する酸の夫々が0〜5のpKa値を有することを特徴とする、請求項3〜11のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物の全量に対して、10〜90重量%の量で、そのままで、または混合物の形態で、水;グリセロール、1,2−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、2−エチル−1−ヘキセノール、エチレングリコール、ジエチレングリコールおよびジプロピレングリコールから選択される一価アルコールまたは多価アルコール;エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルおよびジプロピレングリコールモノメチルエーテルから選択されるエーテル;[2,2−ブトキシ(エトキシ)]エチルアセテートであるエステル;プロピレンカーボネートである炭酸のエステル;アセトフェノン、メチル−2−ヘキサノン、2−オクタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノンおよび1−メチル−2−ピロリドンから選択されるケトンの、1種または2種以上を、溶媒として含むことを特徴とする、請求項1〜12のいずれか一項に記載の組成物。
- 全量に対して、0〜5重量%の、消泡剤、チキソトロープ剤、流量調節剤、脱気剤および接着促進剤の群から選択される添加剤をさらに含むことを特徴とする、請求項1〜13のいずれか一項に記載の組成物。
- 溶剤添加剤が塩化ジメチルアンモニウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸ジエチルアミン、尿素、ステアリン酸マグネシウム、酢酸ナトリウム、トリエタノールアミン塩酸塩およびシュウ酸二水和物の群から選択され、個別または混合物の形態で、組成物の全量に対して0.05〜25重量%の量で含む、請求項1〜14のいずれか一項に記載の組成物。
- フッ素化ポリマーがPTFEまたはPVDFである、請求項1、3〜8および10〜15のいずれか一項に記載の組成物。
- フッ素化ポリマーがPTFEまたはPVDFである、請求項2または9に記載の組成物。
- フッ素化ポリマーがPTFEである、請求項1、3〜8および10〜17のいずれか一項に記載の組成物。
- フッ素化ポリマーがPTFEである、請求項2または9に記載の組成物。
- ガラス様層または結晶層の極めて微細なラインまたは構造のエッチングのための、請求項1〜19のいずれか一項に記載の組成物の使用。
- 微細粒子状有機パウダーが100nm〜30μmの範囲の相対粒子径d 50 を有することを特徴とする、請求項20に記載の使用。
- 二酸化ケイ素ベースのガラスおよび窒化ケイ素ベースのガラスの群から選択されるガラス様層または結晶層が、結晶またはアモルファスのシリコン表面に位置する、請求項20または21に記載の使用。
- ガラス様層または結晶層が、均一均質な非孔性および多孔性の固体としてのSiO2含有ガラスまたは窒化ケイ素含有ガラス、または、他の基材に製造された可変厚の対応する非孔性および多孔性のガラス層である、請求項20または21に記載の使用。
- ガラス様層または結晶層が、カルシウム、ナトリウム、アルミニウム、鉛、リチウム、マグネシウム、バリウム、カリウム、ホウ素、ベリリウム、リン、ガリウム、ヒ素、アンチモン、ランタン、スカンジウム、亜鉛、トリウム、銅、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、バナジウム、チタン、金、プラチナ、パラジウム、銀、セリウム、セシウム、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ネオジムおよびプラセオジムの群から選択される元素を含む、請求項20〜23のいずれか一項に記載の使用。
- 光起電技術、半導体技術、高性能エレクトロニクス、鉱物学またはガラス産業の製造用途におけるエッチングのための、およびフォトダイオード、バルブまたは測定装置ののぞき窓、屋外用のガラス支持体の製造におけるエッチングのための、医療領域、装飾領域および衛生領域ガラスの製造におけるエッチングのための、化粧品、食料および飲料のためのガラス容器の製造におけるエッチングのための、容器のマーキングまたはラベルの製造におけるエッチングのための、板ガラス製造におけるエッチングのための、あるいはフラットパネルスクリーン用、または、鉱物の調査、地質学の調査および微細構造の調査のためのガラスの構造化におけるエッチングのための、請求項20〜24のいずれか一項に記載の使用。
- 太陽電池用ガラス支持体または集熱器用ガラス支持体の製造おけるエッチングのための、請求項20〜24のいずれか一項に記載の使用。
- スクリーン、ステンシル、パッド、スタンプ、インクジェットまたは手動のプリンティングプロセスにより適用することによるエッチングのための、請求項20〜26のいずれか一項に記載の使用。
- ガラス様層または結晶層の極めて微細なラインまたは極めて微細な構造のエッチング方法であって、請求項1〜19のいずれか一項に記載の組成物を、エッチングするガラス様層または結晶層の表面に、極めて微細なラインまたは構造で全領域に亘ってまたは選択的に適用し、10秒〜15分の後、使用済みの組成物を除去することを特徴とする、前記方法。
- 請求項1〜19のいずれか一項に記載の組成物を、全領域に亘って、または、エッチングマスクを用いて、エッチングが望まれる領域だけに適用し、エッチングが完了した後、使用済みの組成物を溶媒または溶媒混合物を用いて濯ぎ落とすか、または加熱により焼き落とすことを特徴とする、請求項28に記載の方法。
- 使用済みの組成物が、エッチングが完了したとき、水で濯ぎ落とされることを特徴とする、請求項28に記載の方法。
- エッチングが、30〜500℃の範囲の上昇した温度で行われることを特徴とする、請求項28に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005033724.4 | 2005-07-15 | ||
DE102005033724A DE102005033724A1 (de) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | Druckfähige Ätzmedien für Siliziumdioxid-und Siliziumnitridschichten |
PCT/EP2006/005937 WO2007009546A1 (de) | 2005-07-15 | 2006-06-21 | Druckfähige ätzmedien für siliziumdioxid- und siliziumnitridschichten |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014231134A Division JP2015083682A (ja) | 2005-07-15 | 2014-11-13 | 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009501247A JP2009501247A (ja) | 2009-01-15 |
JP2009501247A5 JP2009501247A5 (ja) | 2009-08-13 |
JP5698897B2 true JP5698897B2 (ja) | 2015-04-08 |
Family
ID=36928556
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008520738A Expired - Fee Related JP5698897B2 (ja) | 2005-07-15 | 2006-06-21 | 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 |
JP2014231134A Pending JP2015083682A (ja) | 2005-07-15 | 2014-11-13 | 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014231134A Pending JP2015083682A (ja) | 2005-07-15 | 2014-11-13 | 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8143172B2 (ja) |
EP (1) | EP1904413A1 (ja) |
JP (2) | JP5698897B2 (ja) |
KR (1) | KR101387260B1 (ja) |
CN (1) | CN101223116B (ja) |
DE (1) | DE102005033724A1 (ja) |
MY (1) | MY150096A (ja) |
TW (1) | TWI439434B (ja) |
WO (1) | WO2007009546A1 (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006051735A1 (de) * | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Merck Patent Gmbh | Druckfähiges Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten |
JP4568300B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2010-10-27 | 株式会社ミマキエンジニアリング | 浸透防止剤、溶剤インク及び浸透防止方法 |
JP2008288499A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
TW200939509A (en) * | 2007-11-19 | 2009-09-16 | Applied Materials Inc | Crystalline solar cell metallization methods |
US7888168B2 (en) * | 2007-11-19 | 2011-02-15 | Applied Materials, Inc. | Solar cell contact formation process using a patterned etchant material |
JP5575771B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2014-08-20 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | エッチングによる薄層ソーラーモジュールの端部除去 |
US20110159633A1 (en) * | 2008-09-05 | 2011-06-30 | Min-Seo Kim | Paste and manufacturing method of solar cell using the same |
KR101464001B1 (ko) * | 2008-12-15 | 2014-11-21 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지의 제조 방법 및 에칭 페이스트 |
SG176274A1 (en) * | 2009-06-04 | 2012-01-30 | Merck Patent Gmbh | Two component etching |
KR101194064B1 (ko) * | 2009-06-08 | 2012-10-24 | 제일모직주식회사 | 에칭 및 도핑 기능을 가지는 페이스트 조성물 |
KR101130136B1 (ko) * | 2009-11-23 | 2012-03-28 | 강지현 | 인쇄 가능한 에칭 페이스트 |
WO2011157335A1 (en) * | 2010-06-14 | 2011-12-22 | Merck Patent Gmbh | Cross-linking and multi-phase etch pastes for high resolution feature patterning |
TWI497737B (zh) * | 2010-12-02 | 2015-08-21 | Au Optronics Corp | 太陽能電池及其製造方法 |
WO2012083082A1 (en) | 2010-12-15 | 2012-06-21 | Sun Chemical Corporation | Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film |
DE102011016335B4 (de) * | 2011-04-07 | 2013-10-02 | Universität Konstanz | Nickelhaltige und ätzende druckbare Paste sowie Verfahren zur Bildung von elektrischen Kontakten beim Herstellen einer Solarzelle |
JP2015526880A (ja) * | 2012-06-04 | 2015-09-10 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 光活性化エッチングペーストおよびその使用 |
JP2014082332A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Hitachi Chemical Co Ltd | 液状組成物 |
WO2014179353A1 (en) | 2013-05-02 | 2014-11-06 | Karandikar Bhalchandra M | Antimicrobial compositions and methods of making the same |
JP6331040B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2018-05-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
US9059341B1 (en) * | 2014-01-23 | 2015-06-16 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method for manufacturing an interdigitated back contact solar cell |
US9822270B2 (en) * | 2014-03-06 | 2017-11-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Binary ink sets |
EP3114178B1 (en) * | 2014-03-06 | 2018-12-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Non-newtonian inkjet inks |
US9324899B2 (en) * | 2014-06-09 | 2016-04-26 | Natcore Technology, Inc. | Emitter diffusion conditions for black silicon |
JP6425927B2 (ja) * | 2014-07-03 | 2018-11-21 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | シリコン窒化膜用エッチング剤、エッチング方法 |
US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
CN104109908B (zh) * | 2014-07-23 | 2016-08-24 | 深圳市宇顺电子股份有限公司 | 蓝宝石玻璃蚀刻液及蓝宝石玻璃蚀刻方法 |
CN107484432A (zh) * | 2015-04-15 | 2017-12-15 | 默克专利股份有限公司 | 可同时抑制在共扩散方法中的磷扩散的可丝网印刷的硼掺杂糊料 |
US11186771B2 (en) | 2017-06-05 | 2021-11-30 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device |
CN108004598A (zh) * | 2017-12-01 | 2018-05-08 | 绍兴拓邦电子科技有限公司 | 一种晶体硅边缘刻蚀添加剂及其使用方法 |
KR102362365B1 (ko) * | 2018-04-11 | 2022-02-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리콘 질화막 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법 |
CN110040972A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-07-23 | 江西沃格光电股份有限公司 | 减薄玻璃及其制备方法和其应用 |
CN110350039A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-10-18 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 一种双面发电太阳能电池及其制备方法 |
EP3997193B1 (en) | 2019-07-08 | 2023-05-03 | Basf Se | Composition, its use and a process for selectively etching silicon-germanium material |
KR20210033155A (ko) * | 2019-09-18 | 2021-03-26 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 용액 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조 방법 |
FR3118027B1 (fr) * | 2020-12-17 | 2023-08-18 | Saint Gobain | Procédé d’obtention d’un vitrage bombé feuilleté |
CN114315112A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 赵宇琪 | 一种玻璃热压成型单元 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1276261C2 (de) * | 1965-05-17 | 1974-09-19 | Hoechst Ag | Pasten zum beizen von edelstahloberflaechen |
US5074920A (en) * | 1990-09-24 | 1991-12-24 | Mobil Solar Energy Corporation | Photovoltaic cells with improved thermal stability |
US5688366A (en) | 1994-04-28 | 1997-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Etching method, method of producing a semiconductor device, and etchant therefor |
JP3173318B2 (ja) * | 1994-04-28 | 2001-06-04 | キヤノン株式会社 | エッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
US5457057A (en) | 1994-06-28 | 1995-10-10 | United Solar Systems Corporation | Photovoltaic module fabrication process |
JPH0992851A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Canon Inc | 薄膜太陽電池の形成方法 |
US6337029B1 (en) * | 1999-01-21 | 2002-01-08 | Xim Products | Method and composition for etching glass ceramic and porcelain surfaces |
KR100812891B1 (ko) * | 2000-04-28 | 2008-03-11 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 무기물 표면용 에칭 페이스트 |
DE10150040A1 (de) | 2001-10-10 | 2003-04-17 | Merck Patent Gmbh | Kombinierte Ätz- und Dotiermedien |
EP1378948A1 (en) * | 2002-07-01 | 2004-01-07 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates |
JP4549655B2 (ja) * | 2003-11-18 | 2010-09-22 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 機能性塗料 |
JP2005183903A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 電子デバイスおよび電子デバイスを形成する方法 |
DE102005007743A1 (de) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Merck Patent Gmbh | Druckfähiges Medium zur Ätzung von Siliziumdioxid- und Siliziumnitridschichten |
-
2005
- 2005-07-15 DE DE102005033724A patent/DE102005033724A1/de not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-06-21 CN CN200680025884XA patent/CN101223116B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-21 EP EP06762109A patent/EP1904413A1/de not_active Withdrawn
- 2006-06-21 KR KR1020087003749A patent/KR101387260B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-06-21 US US11/995,618 patent/US8143172B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-21 JP JP2008520738A patent/JP5698897B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-21 WO PCT/EP2006/005937 patent/WO2007009546A1/de active Application Filing
- 2006-07-13 MY MYPI20063341A patent/MY150096A/en unknown
- 2006-07-14 TW TW095125856A patent/TWI439434B/zh not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-10-14 US US13/273,447 patent/US20120032108A1/en not_active Abandoned
-
2014
- 2014-11-13 JP JP2014231134A patent/JP2015083682A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8143172B2 (en) | 2012-03-27 |
MY150096A (en) | 2013-11-29 |
DE102005033724A1 (de) | 2007-01-18 |
WO2007009546A1 (de) | 2007-01-25 |
JP2015083682A (ja) | 2015-04-30 |
KR20080033414A (ko) | 2008-04-16 |
TWI439434B (zh) | 2014-06-01 |
TW200712021A (en) | 2007-04-01 |
JP2009501247A (ja) | 2009-01-15 |
KR101387260B1 (ko) | 2014-04-18 |
US20120032108A1 (en) | 2012-02-09 |
EP1904413A1 (de) | 2008-04-02 |
US20080200036A1 (en) | 2008-08-21 |
CN101223116A (zh) | 2008-07-16 |
CN101223116B (zh) | 2013-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5698897B2 (ja) | 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 | |
JP5107722B2 (ja) | 二酸化ケイ素および窒化ケイ素の層のエッチングのためのプリント可能な媒体 | |
KR101465276B1 (ko) | 산화성 투명 전도층의 에칭을 위한 인쇄가능형 매질 | |
KR101473502B1 (ko) | 규소 표면 및 층을 위한 입자 함유 에칭 페이스트 | |
US8540891B2 (en) | Etching pastes for silicon surfaces and layers | |
US8088297B2 (en) | Combined etching and doping media for silicon dioxide layers and underlying silicon | |
US20080210660A1 (en) | Medium For Etching Oxidic, Transparent, Conductive Layers | |
JP2009501247A5 (ja) | ||
JP6374881B2 (ja) | シリコンウェハのための印刷可能な拡散障壁 | |
CN101098833A (zh) | 用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质 | |
JP5734259B2 (ja) | 無機表面用エッチングペースト |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081023 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090619 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under section 19 (pct) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20090619 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090619 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120417 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120717 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120724 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120817 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120824 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120918 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120925 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121017 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121211 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130411 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130611 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130705 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131210 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131213 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140110 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140116 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140210 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140214 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140813 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140819 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140916 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140919 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141014 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20141017 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5698897 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |