JP2009501247A - 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 - Google Patents
二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009501247A JP2009501247A JP2008520738A JP2008520738A JP2009501247A JP 2009501247 A JP2009501247 A JP 2009501247A JP 2008520738 A JP2008520738 A JP 2008520738A JP 2008520738 A JP2008520738 A JP 2008520738A JP 2009501247 A JP2009501247 A JP 2009501247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- inorganic
- optionally
- paste
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 187
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 60
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 45
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims description 43
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims description 21
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 59
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 20
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 claims description 17
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000001993 wax Substances 0.000 claims description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 8
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 8
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 6
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 5
- -1 alkyl carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 5
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 4
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000881 Modified starch Polymers 0.000 claims description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 4
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L magnesium stearate Chemical compound [Mg+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000019426 modified starch Nutrition 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IQDGSYLLQPDQDV-UHFFFAOYSA-N dimethylazanium;chloride Chemical compound Cl.CNC IQDGSYLLQPDQDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 claims description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MMELVRLTDGKXGU-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhex-1-en-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)=CO MMELVRLTDGKXGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GJMPSRSMBJLKKB-UHFFFAOYSA-N 3-methylphenylacetic acid Chemical compound CC1=CC=CC(CC(O)=O)=C1 GJMPSRSMBJLKKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 235000013361 beverage Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 2
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 claims description 2
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000388 diammonium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000019838 diammonium phosphate Nutrition 0.000 claims description 2
- ASLNLSYDVOWAFS-UHFFFAOYSA-N diethylazanium;dihydrogen phosphate Chemical compound CCNCC.OP(O)(O)=O ASLNLSYDVOWAFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 2
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 claims description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000019359 magnesium stearate Nutrition 0.000 claims description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- GEVPUGOOGXGPIO-UHFFFAOYSA-N oxalic acid;dihydrate Chemical compound O.O.OC(=O)C(O)=O GEVPUGOOGXGPIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 claims description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 claims description 2
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims description 2
- 229940117957 triethanolamine hydrochloride Drugs 0.000 claims description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 2
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 claims 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 16
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical class O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 3
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- KEQXNNJHMWSZHK-UHFFFAOYSA-L 1,3,2,4$l^{2}-dioxathiaplumbetane 2,2-dioxide Chemical compound [Pb+2].[O-]S([O-])(=O)=O KEQXNNJHMWSZHK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021532 Calcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001137251 Corvidae Species 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003854 Surface Print Methods 0.000 description 1
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- QUQFTIVBFKLPCL-UHFFFAOYSA-L copper;2-amino-3-[(2-amino-2-carboxylatoethyl)disulfanyl]propanoate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C(N)CSSCC(N)C([O-])=O QUQFTIVBFKLPCL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910052607 cyclosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000012154 double-distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000005007 epoxy-phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052610 inosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012533 medium component Substances 0.000 description 1
- 239000013028 medium composition Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000004762 orthosilicates Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052615 phyllosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010399 physical interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 125000005624 silicic acid group Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052645 tectosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
Description
太陽電池の製造プロセスの間、支持材料の酸化物層を構築することがとりわけ必要である。結晶シリコン太陽電池は、常に、中に、例えば、リンなどのn伝導物質の均一な薄層が表に広がったp伝導基材からなる。金属的に伝導する接触は、光の発生で出現する電流を奪うためにウェハの表裏に適用される。大量製造に好適な安価な製造方法を目的として、該接触は大抵スクリーンプリントによって製造される。
結晶シリコン太陽電池の表面は、製造方法の間、また、任意に、製造方法の終了後も、薄い無機層で被覆される。これらの層は、20〜200nmの範囲の厚さ、ほとんどの場合は50〜150nmの範囲の厚さを有する。
太陽電池の表面におけるこれらの開放部は、例えば、いわゆる選択エミッターの形成のために使用できる(選択エミッターはまた、2ステージエミッターとしても知られる)。この目的のために、その後の拡散の工程において、シリコン上に位置する拡散障壁の部分的開放部において、好ましくはリンの拡散によって、多量のn−ドーピングが提供される。
また、CVD方法による二酸化ケイ素の蒸着も、当業者に公知である。ここでは、反応が行われる方法に依存して、とりわけ以下の方法の間で区別が行われる:
− APCVD(大気圧CVD)
− PE−CVD(プラズマCVD(plasma enhanced CVD))
− LP−CVD(低圧CVD)
多くの場合、適用されたSiO2層はまた、反射を低下させる不動態化層として残る。これは、熱によって成長したSiO2の場合に特に頻繁である。
ガラスは、本来、均質な材料(例えば、クォーツ、窓ガラス、ホウケイ酸ガラス)、または他の基板(例えば、セラミック、金属シート、シリコンウェハ)上で当業者に公知の種々の方法(特に、CVD、PVD、スピン−オン、熱酸化)によって形成されたこれらの材料の薄層を意味すると考えられる。
エッチング液、すなわち、化学的に攻撃的な化合物の使用は、エッチング液の攻撃に曝される物質の溶解をもたらす。殆どの場合、目的は、エッチングされるべき層を完全に取り除くことである。エッチング液に対して実質的に耐性である層の接触によって、エッチングの終了に至る。さらに、通常定義される目的の厚さまでエッチングすることによる層の部分的除去という当業者に公知の方法が存在する。
最先端技術によると、直接的にレーザー支援エッチング法によって、またはマスキングの後で湿式化学法(([1] D.J. Monk, D.S. Soane, R.T. Howe, Thin Solid Films 232 (1993), 1; [2] J. Buehler, F.-P. Steiner, H. Baltes, J. Micromech. Microeng. 7 (1997), R1)または乾式エッチング法 ([3] M. Koehler "Aetzverfahren fuer die Mikrotechnik" [Etching Methods for Microtechnology], Wiley VCH 1983)によって、酸化ケイ素および窒化ケイ素ベースのガラスおよび他の酸化ケイ素および窒化ケイ素ベースの系、または多様な厚さのそれらの表面ならびにそれらの層において、任意の所望の構造をエッチングすることができる。
A.エッチングされるべきでない領域を、例えば以下によってマスキングする:
・フォトリソグラフィ:エッチング構造のネガまたはポジ(レジストに依存する)の製造、基板表面の被覆(例えば、液体フォトレジストによるスピン被覆によって)、フォトレジストの乾燥、被覆された基板表面の露出、現像、洗浄、任意に乾燥。
・浸漬法(例えば、湿式化学ベンチ中での湿式エッチング):エッチング漕中への基板の浸漬、エッチング操作、H2Oカスケードシンク中での洗浄の繰り返し、乾燥。
・スピン−オン法またはスプレー法:エッチング溶液を回転する基板に適用し、エネルギー入力なしで、またはエネルギー(例えば、IRまたはUVの照射)入力によって、エッチング操作を行い、その後、洗浄および乾燥を行うことができる。
・例えば、高価な真空ユニット中でのプラズマエッチング、または流れ反応器中での反応性気体によるエッチングなどの乾式エッチング法。
最終方法工程において、基板の保護領域をカバーするフォトレジストを除去しなければならない。これは、例えば、アセトンなどの溶媒、または希釈アルカリ水溶液によって行われる。基板は、最終的に洗浄され、乾燥される。
酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースのガラスならびに他の酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースの系ならびに多様な厚さのそれらの層を、領域全体にわたって、完全にまたは特定の深度までだけエッチングするためには、主として湿式エッチング法が使用される。酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースのガラスならびに他の酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースの系ならびに多様な厚さのそれらの層を、エッチング漕中へ浸漬する。エッチング層は、通常、毒性で高腐食性のフッ化水素酸、および任意に他の鉱酸の添加剤を含有する。
したがって、本発明の目的は、100μm未満、特に80μm未満の幅を有する非常に均質で細い線、ならびにケイ素太陽電池上に配置される二酸化ケイ素および/または窒化ケイ素の層上の極めて微細構造をエッチングするための、新規の安価なエッチングペーストを提供することである。本発明のさらなる目的は、必要であればエッチング後に熱作用下で、簡易な様式において残留物を残すことなく処置された表面から除去することができる、新規のエッチング媒体を提供することである。
より最近の実験により、これまでの経験に反し、好適に選択された微細粒子状のパウダーを添加した場合、エッチングペーストの技術的プリント特性が有利に改善され得ることが示されている。無機の微細粒子状パウダーの添加が、とくに好適であることが示されている。これらは好適なポリマー粒子と共にエッチング媒体に組み込むことができる。とくに無機パウダーは、得られたペースト中でその媒体の他の成分と物理的相互作用および/または化学反応によってネットワークを形成し、同時に組成物の粘性の増大を引き起こすポリマー粒子と共に組み込まれ得る。全く予想外なことに、添加されるポリマー粒子は、媒体のプリント可能性の改善に寄与し、一方で、添加される無機粒子は、続く洗浄ステップに有利な効果を有する。
実験により、ペースト形態のエッチング組成物における微粒子状パウダーの使用が、プリントプロセスの間のペーストの挙動および達成可能なエッチング結果の両方を有意に改善することができることが示された。驚くべきことに、選択された微細粒子状パウダーの添加は、エッチングされたラインおよび構造のエッジの鋭さを顕著に改善し得るだけでなく、プリントされたラインまたは構造の安定性に関して、組成物の特性に好ましい影響を及ぼすことが見出された。
a)少なくとも1種のエッチング成分、
b)少なくとも1種の溶媒、
c)少なくとも1種の、微細粒子状グラファイトおよび/またはカーボンブラックの形態の無機パウダー、および任意に、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリメタクリレート、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアニン樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、微細化セルロースおよびフッ素化ポリマー(PTFE、PVDF)の群から選択される微細粒子状プラスチックパウダーの形態の微細粒子状有機パウダー、
および任意に、微細化ワックス、
および任意に、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、酸化ホウ素、塩化ナトリウムの群からの無機粒子、
d)少なくとも1種の溶剤添加剤
e)任意に、均質に溶解する有機増粘剤、
f)任意に、少なくとも1種の無機および/または有機酸、および任意に、
g)消泡剤、チキソトロープ剤、流量調節剤、脱気剤、接着促進剤などの添加剤
が存在する、前記組成物に関する。
少なくとも1種の、微粒子状グラファイトおよび/またはカーボンブラックの形態の無機パウダー、および/または、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリメタクリレート、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアニン樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、微細化セルロース、フッ素化ポリマー(PTFE、PVDF)の群から選択される微細粒子状プラスチックパウダー形態の微細粒子状有機パウダー、
および任意に微細化ワックス、
および任意に酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、酸化ホウ素、塩化ナトリウムの群から選択された無機粒子
を含む。
ここに存在する微細粒子状有機パウダーは、10nm〜50μmの範囲の相対粒子径を有することができる。しかしながら、好ましくは、100nm〜30μmの範囲、非常にとくに好ましくは、1μm〜10μmの範囲の相対粒子径を有する有機パウダーの媒体への組み込みである。
セルロース/セルロース誘導体、および/または、
デンプン/デンプン誘導体、および/または、
ポリビニルピロリドン、
アクリレートをベースとするまたはビニル部分が官能化されたポリマー
の群からの1種または2種以上の均質に溶解する増粘剤であり得る。
好ましくは、エッチング媒体の全量に対して、3〜20重量%の量で増粘剤の添加が行われる。
−ポリアクリレート
−ポリアミド
−ポリエチレン
−エチレン−酢酸ビニルコポリマー
−エチレン−アクリル酸−アクリレートターポリマー
−エチレン−アクリレート−無水マレイン酸ターポリマー
−ポリプロピレン
−ポリイミド
−ポリメタクリレート
−メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアニン樹脂、フェノール樹脂、
−シリコーン樹脂
−フッ化ポリマー(PTFE、PVDF、・・・)、および
−微粉化ワックス
これらの微粒子性増粘剤を、1〜50重量%、有利には10〜50重量%の範囲において、特に25〜35重量%の量において、エッチング媒体に添加することができる。
−ポリスチレン
−ポリアクリレート
−ポリアミド
−ポリイミド
−ポリメタクリレート
−メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアニン樹脂、フェノール樹脂
−シリコーン樹脂
I.微粒子性増粘化により、エッチング媒体の弾性の改善をもたらす。粒子は、エッチング媒体中に骨格様構造を形成する。高度に分散したケイ酸(例えば、Aerosil(登録商標))による同様の構造が、当業者に公知である。特にエッチングペーストのスクリーンまたはステンシルプリントにおいて、流動に起因するプリント構造の拡大は、本発明によって実質的に防止され得るか、または少なくとも著しく制限される。プリントされ、そしてペーストによって被覆された領域は、従って、スクリーンまたはステンシルのレイアウトにおいて特定される領域に、実質的に対応する。多くの無機粒子、例えばケイ酸もしくは修飾されたケイ酸などは、使用されるエッチング成分との反応性に起因して、エッチング媒体の濃厚化のために使用されることができない。例えば、NH4HF2がエッチング成分として使用される場合、ケイ酸とNH4HF2との化学反応が起こる。
太陽電池中に短絡をもたらすpn接合開離後に、プラズマエッチングによって、またはLASERビームによる開口を使用して、電池の前面および背面に電気的接触が適用される。これを、ペーストを使用する二回の連続的なスクリーンプリント工程によって行ってもよい。このペーストは、結合剤および酸化物添加剤の他に、伝導性銀粒子および/またはアルミニウムを含んでもよい。プリント後、プリントされた接触部は、約700〜800℃でベークされる。
このように、そうでなければ必要となる全てのマスキングおよびリソグラフ工程が余分なものとなる。エッチング操作は、例えば、熱放射の形態においてはIR放射でのエネルギーの入力を用いて、または用いないで、行うことができる。
エッチングする表面は、既に述べたように、酸化ケイ素ベースまたは窒化ケイ素ベースのガラスならびに他の酸化ケイ素システムおよび窒化ケイ素系の表面または部分的な表面、および/またはガラスおよび他の支持材料の酸化ケイ素ベースまたは窒化ケイ素ベースのシステムの多孔性層および非多孔性層の表面または部分的な表面であり得る。
さらに、エッチングペーストにおける塩様添加剤(溶剤添加剤)の使用により、達成される洗浄が有意に改善される。この目的に対し、融点<300℃および分解点>400℃を有し、同時に、非常に良好な水溶性を有する溶剤添加剤がペーストに添加される。320〜390℃でのエッチング工程の後、冷えたペースト残渣は、続く濯ぎ操作の間、有意により良好に分離することができる。
特に言及することなしに、提供した例においておよび残りの記載においての両方で、組成物に存在する成分の引用されたパーセンテージのデータは、常に合計100%以下を意味する。
例1
微粒子増粘剤からなるエッチングペースト
465gのリン酸(85%)を、撹拌しながら、
218gの脱イオン水、
223gの1−メチル−2−ピロリドン、
1.6gのエチレングリコール、
33gの塩化ジメチルアンモニウム
からなる溶媒混合物へ添加した。
続いて該混合物を激しく撹拌した。
次いで、
100gのVestosint 2070
を澄んだ均一な混合物に添加し、さらに2時間撹拌した。
調製したエッチングペーストは、有利なエッチング特性を保持したまま、長期間に亘る貯蔵において安定であることを示した。
有利な特性を有する本発明の組成物のさらなる例を、添付の表に示す。
Claims (30)
- ガラス様または結晶層の極めて微細なラインまたは構造のエッチングのための、および任意にガラス様または結晶層のドーピングのための、ペーストの形態のプリント可能な組成物における、微細粒子状グラファイトおよび/またはカーボンブラックの形態の微細粒子状無機パウダーの、および/または、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリメタクリレート、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアニン樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、微細化セルロース、フッ素化ポリマー(PTFE、PVDF)および任意に微細化されたワックスの群から選択される微細粒子状プラスチックパウダーの形態の微細粒子状有機パウダーの、および任意に、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、酸化ホウ素、塩化ナトリウムの群からの微細粒子状無機パウダーの使用。
- ガラス様または結晶層をエッチングおよび任意にドーピングのための、ペーストの形態のプリント可能な組成物において、5μm未満の相対粒子径を有する請求項1に記載の微細粒子状無機パウダーの使用。
- 10nm〜50μm、好ましくは100nm〜30μm、さらに特に好ましくは、1μm〜10μmの範囲の相対粒子径を有する請求項1に記載の微細粒子状プラスチックパウダーの形態の微細粒子状有機パウダーの使用。
- 二酸化ケイ素ベースのガラスおよび窒化ケイ素ベースのガラスから選択される無機または結晶層のエッチングおよび任意にドーピングのための、ペーストの形態のプリント可能な組成物における請求項1〜3のいずれかに記載の微細粒子状の無機および/または有機パウダーおよび任意に微細化されたワックスの使用。
- 結晶またはアモルファスのシリコン表面に位置する二酸化ケイ素ベースのガラスおよび窒化ケイ素ベースのガラスの群から選択される無機または結晶層のエッチングおよび任意にドーピングのための、ペーストの形態のプリント可能な組成物における請求項1〜3のいずれかに記載の微細粒子状パウダーおよび任意に微細化されたワックスの使用。
- 均一均質な非孔性および多孔性の固体としてのSiO2含有ガラスまたは窒化ケイ素含有ガラスの、または、他の基材に製造された可変厚の対応する非孔性および多孔性のガラス層のエッチングのための、ペーストの形態のプリント可能な組成物における請求項1〜3のいずれかに記載の微細粒子状の無機および/または有機パウダーおよび任意に微細化されたワックスの使用。
- 酸化ケイ素/ドープした酸化ケイ素層および窒化ケイ素層の除去のため、酸化ケイ素および窒化ケイ素の不動態化層の選択的開口のため、半導体部品およびその集積回路または高性能エレクトロニクス用部品の製造プロセスにおける2ステージ選択エミッターおよび/または局部p+裏面領域の製造のための、ペーストの形態のプリント可能な組成物における請求項1〜3のいずれかに記載の微細粒子状の無機および/または有機パウダーおよび任意に微細化されたワックスの使用。
- カルシウム、ナトリウム、アルミニウム、鉛、リチウム、マグネシウム、バリウム、カリウム、ホウ素、ベリリウム、リン、ガリウム、ヒ素、アンチモン、ランタン、スカンジウム、亜鉛、トリウム、銅、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、バナジウム、チタン、金、プラチナ、パラジウム、銀、セリウム、セシウム、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ネオジムおよびプラセオジムの群から選択される元素を含むガラスの表面のエッチングのための、ペーストの形態のプリント可能な組成物における請求項1〜3のいずれかに記載の微細粒子状の無機および/または有機パウダーおよび任意に微細化されたワックスの使用。
- 光起電、半導体技術、高性能エレクトロニクス、鉱物学またはガラス産業の適用におけるエッチングまたはドーピングのため、および野外品の、フォトダイオードの、バルブまたは測定装置ののぞき窓の、ガラス支持体の製造のため、医療領域、装飾領域および衛生領域におけるエッチングされたガラス表面の製造のため、化粧品、食料および飲料のためのエッチングされたガラス容器の製造のため、容器および板ガラス製品のマーキングまたはラベルの製造のため、板パネルスクリーン品のガラスの構築のため、または、鉱物の調査、地質学の調査および微細構造の調査のための、ペーストの形態のプリント可能な組成物における請求項1〜8のいずれかに記載の微細粒子状の無機および/または有機パウダーおよび任意に微細化されたワックスの使用。
- 太陽電池用または集熱器用ガラス支持体の製造の適用におけるエッチングまたはドーピングのための、ペーストの形態のプリント可能な組成物における請求項1〜8のいずれかに記載の微細粒子状の無機および/または有機パウダーおよび任意に微細化されたワックスの使用。
- スクリーン、ステンシル、パッド、スタンプ、インクジェットまたは手動のプリンティングプロセスに適用することによるエッチングまたはドーピングのための、ペーストの形態のプリント可能な組成物における請求項1〜8のいずれかに記載の微細粒子状の無機および/または有機パウダーおよび任意に微細化されたワックスの使用。
- 二酸化ケイ素ベースのガラスおよび窒化ケイ素ベースのガラスの群から選択される無機ガラス様層または結晶層のエッチングおよび任意にドーピングのための組成物であって、
a)少なくとも1種のエッチング成分、
b)少なくとも1種の溶媒、
c)微細粒子状グラファイトおよび/またはカーボンブラックの形態の無機パウダー、および/または、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリメタクリレート、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアニン樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、微細化セルロース、フッ素化ポリマー(PTFE、PVDF)の群から選択されるプラスチックパウダーの形態の微細粒子状有機パウダー、および任意に微細化されたワックス、
および任意に、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、酸化ホウ素および塩化ナトリウムの群からの微細粒子状無機パウダー、
d)少なくとも1種の溶剤添加剤
e)任意に、均質に溶解する有機増粘剤、
f)任意に、少なくとも1種の無機および/または有機酸、および任意に、
g)消泡剤、チキソトロープ剤、流量調節剤、脱気剤および接着促進剤などの添加剤
を含み、プリント可能なペーストの形態である、前記組成物。 - 相対粒子径<5μmを有する無機パウダーおよび/または10nm〜50μm、好ましくは100nm〜30μm、そして特に好ましくは1μm〜10μmの範囲の相対粒子径を有する微細粒子状有機パウダーを含む、請求項12に記載の組成物。
- 全量に対し、1〜80重量%の量で、無機および/または有機パウダーを含む、請求項12または13に記載の組成物。
- 全量に対し、10〜50重量%、特に20〜40重量%の量で、無機および/または有機パウダーを含む、請求項12または13に記載の組成物。
- 全量に対して、12〜30重量%、好ましくは2〜20重量%および特に好ましくは5〜15重量%の量で、1種または2種以上のエッチング成分を含む、請求項12または13に記載の組成物。
- 全量に対し、3〜20重量%の量で増粘剤を含む、請求項12〜16のいずれかに記載の組成物。
- リン酸、リン酸塩の1種または2種以上の形態または加熱で対応するリン酸に分解され、エッチング成分として、および任意にドーピング成分として作用する化合物を含む、請求項12〜17のいずれかに記載の組成物。
- エッチング成分として、塩酸、リン酸、硫酸および硝酸の群から選択される少なくとも1種の無機鉱物酸、
および/または、任意に、
アルキルカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸およびジカルボン酸の群から選択される、1〜10個のC原子を有する直鎖または分枝状のアルキル基を含んでいてもよい、少なくとも1種の有機酸
を含む、請求項12〜17のいずれかに記載の組成物。 - ギ酸、酢酸、乳酸およびシュウ酸の群から選択される有機酸を含む、請求項19に記載の組成物。
- 有機および/または無機酸の割合が、媒体の全量に対し、0〜80重量%の濃度範囲であり、添加する酸の夫々が0〜5のpKa値を有することを特徴とする、請求項12〜20のいずれかに記載の組成物。
- 媒体の全量に対して、10〜90重量%の量、好ましくは、15〜85重量%の量で、そのまままたは混合物の形態で、水、グリセロール、1,2−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、2−エチル−1−ヘキセノール、エチレングリコール、ジエチレングリコールおよびジプロピレングリコールなどの一価アルコールまたは多価アルコール、ならびに、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルおよびジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのそれらのエーテル、ならびに、[2,2−ブトキシ(エトキシ)]エチルアセテート、プロピレンカーボネートなどのカルボン酸のエステルなどのエステル、アセトフェノン、メチル−2−ヘキサノン、2−オクタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノンおよび1−メチル−2−ピロリドンなどのケトンを、溶媒として含むことを特徴とする、請求項12〜21のいずれかに記載の組成物。
- セルロース/セルロース誘導体、および/または、
デンプン/デンプン誘導体、および/または、
ポリビニルピロリドン、
アクリレートをベースとするまたはビニル部分が官能化されたポリマー
の群からの1種または2種以上の均質に溶解する増粘剤を、
エッチング媒体の全量に対し、0.5〜25重量%の量で含むことを特徴とする、請求項12〜22のいずれかに記載の組成物。 - 全量に対して、0〜5重量%の、消泡剤、チキソトロープ剤、流量調節剤、脱気剤および接着促進剤の群から選択される添加剤を含むことを特徴とする、請求項12〜23のいずれかに記載の組成物。
- 20℃での粘性が、25S−1のせん断速度で6〜35Pa*sの範囲、好ましくは、25S−1のせん断速度で10〜25Pa*sの範囲、特に好ましくは、25S−1のせん断速度で15〜20Pa*sを有する、請求項12〜24のいずれかに記載の組成物。
- 塩化ジメチルアンモニウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸ジエチルアミン、尿素、ステアリン酸マグネシウム、酢酸ナトリウム、トリエタノールアミン塩酸塩およびシュウ酸二水和物の群から選択される溶剤添加剤を、個別または混合物の形態で、全量に対して、0.05〜25重量%の量で含む、請求項12〜25のいずれかに記載の組成物。
- 無機ガラス様層または結晶層の極めて微細なラインまたは極めて微細な構造のエッチングおよび任意に無機ガラス様層または結晶層のドーピングの方法であって、請求項12〜26のいずれかに記載のエッチングペーストの形態の組成物を、必要に応じてエネルギー入力によって活性化し、エッチングする半導体表面に、極めて微細なラインまたは構造における全領域に亘ってまたは選択的に適用し、10秒〜15分、好ましくは30秒〜2分の暴露時間の後、再び除去することを特徴とする、前記方法。
- 請求項12〜26のいずれかに記載のエッチングペーストの形態の組成物を、全領域に亘って、または特に、エッチング構造マスクに従って、エッチングおよび/またはドーピングが望まれる領域だけに適用し、エッチングが完了し、任意にさらなる加熱によってドーピングした後、溶媒または溶媒混合物を用いて濯ぎ落とすか、加熱により焼き落とすことを特徴とする、請求項27に記載の方法。
- エッチング媒体が、エッチングが完了したとき、水で濯ぎ落とされることを特徴とする、請求項27に記載の方法。
- エッチングが、30〜500℃の範囲、好ましくは200〜450℃の範囲、さらにとくに好ましくは320〜390℃の範囲の上昇した温度で行われることを特徴とする、請求項27に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005033724A DE102005033724A1 (de) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | Druckfähige Ätzmedien für Siliziumdioxid-und Siliziumnitridschichten |
DE102005033724.4 | 2005-07-15 | ||
PCT/EP2006/005937 WO2007009546A1 (de) | 2005-07-15 | 2006-06-21 | Druckfähige ätzmedien für siliziumdioxid- und siliziumnitridschichten |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014231134A Division JP2015083682A (ja) | 2005-07-15 | 2014-11-13 | 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009501247A true JP2009501247A (ja) | 2009-01-15 |
JP2009501247A5 JP2009501247A5 (ja) | 2009-08-13 |
JP5698897B2 JP5698897B2 (ja) | 2015-04-08 |
Family
ID=36928556
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008520738A Expired - Fee Related JP5698897B2 (ja) | 2005-07-15 | 2006-06-21 | 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 |
JP2014231134A Pending JP2015083682A (ja) | 2005-07-15 | 2014-11-13 | 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014231134A Pending JP2015083682A (ja) | 2005-07-15 | 2014-11-13 | 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8143172B2 (ja) |
EP (1) | EP1904413A1 (ja) |
JP (2) | JP5698897B2 (ja) |
KR (1) | KR101387260B1 (ja) |
CN (1) | CN101223116B (ja) |
DE (1) | DE102005033724A1 (ja) |
MY (1) | MY150096A (ja) |
TW (1) | TWI439434B (ja) |
WO (1) | WO2007009546A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014082332A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Hitachi Chemical Co Ltd | 液状組成物 |
JP2015526880A (ja) * | 2012-06-04 | 2015-09-10 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 光活性化エッチングペーストおよびその使用 |
JP2016015444A (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-28 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | シリコン窒化膜用エッチング剤、エッチング方法 |
US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006051735A1 (de) * | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Merck Patent Gmbh | Druckfähiges Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten |
JP4568300B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2010-10-27 | 株式会社ミマキエンジニアリング | 浸透防止剤、溶剤インク及び浸透防止方法 |
JP2008288499A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
EP2220687A1 (en) * | 2007-11-19 | 2010-08-25 | Applied Materials, Inc. | Solar cell contact formation process using a patterned etchant material |
WO2009067475A1 (en) * | 2007-11-19 | 2009-05-28 | Applied Materials, Inc. | Crystalline solar cell metallization methods |
MY152748A (en) * | 2008-09-01 | 2014-11-28 | Merck Patent Gmbh | Edge deletion of thin-layer solar modules by etching |
TWI443162B (zh) | 2008-09-05 | 2014-07-01 | Lg Chemical Ltd | 膠以及使用其製備太陽能電池之方法 |
KR101464001B1 (ko) * | 2008-12-15 | 2014-11-21 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지의 제조 방법 및 에칭 페이스트 |
KR20120036939A (ko) * | 2009-06-04 | 2012-04-18 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 2성분 에칭 |
KR101194064B1 (ko) * | 2009-06-08 | 2012-10-24 | 제일모직주식회사 | 에칭 및 도핑 기능을 가지는 페이스트 조성물 |
KR101130136B1 (ko) * | 2009-11-23 | 2012-03-28 | 강지현 | 인쇄 가능한 에칭 페이스트 |
US20130092657A1 (en) * | 2010-06-14 | 2013-04-18 | Nano Terra, Inc. | Cross-linking and multi-phase etch pastes for high resolution feature patterning |
TWI497737B (zh) * | 2010-12-02 | 2015-08-21 | Au Optronics Corp | 太陽能電池及其製造方法 |
US20140021400A1 (en) * | 2010-12-15 | 2014-01-23 | Sun Chemical Corporation | Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film |
DE102011016335B4 (de) * | 2011-04-07 | 2013-10-02 | Universität Konstanz | Nickelhaltige und ätzende druckbare Paste sowie Verfahren zur Bildung von elektrischen Kontakten beim Herstellen einer Solarzelle |
CN105209049B (zh) * | 2013-05-02 | 2019-05-14 | 医学科技研究公司 | 抗微生物组合物及其制造方法 |
WO2015079779A1 (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
US9059341B1 (en) * | 2014-01-23 | 2015-06-16 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method for manufacturing an interdigitated back contact solar cell |
WO2015134027A1 (en) * | 2014-03-06 | 2015-09-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Binary ink sets |
CN106062101B (zh) * | 2014-03-06 | 2019-10-18 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 非牛顿喷墨墨水 |
US9324899B2 (en) * | 2014-06-09 | 2016-04-26 | Natcore Technology, Inc. | Emitter diffusion conditions for black silicon |
CN104109908B (zh) * | 2014-07-23 | 2016-08-24 | 深圳市宇顺电子股份有限公司 | 蓝宝石玻璃蚀刻液及蓝宝石玻璃蚀刻方法 |
KR20170139580A (ko) * | 2015-04-15 | 2017-12-19 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 공확산 공정에서 인 확산을 동시 억제하는 스크린 인쇄 가능한 붕소 도핑 페이스트 |
US11186771B2 (en) | 2017-06-05 | 2021-11-30 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device |
CN108004598A (zh) * | 2017-12-01 | 2018-05-08 | 绍兴拓邦电子科技有限公司 | 一种晶体硅边缘刻蚀添加剂及其使用方法 |
KR102362365B1 (ko) * | 2018-04-11 | 2022-02-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리콘 질화막 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법 |
CN110040972A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-07-23 | 江西沃格光电股份有限公司 | 减薄玻璃及其制备方法和其应用 |
CN110350039A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-10-18 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 一种双面发电太阳能电池及其制备方法 |
KR20220032575A (ko) * | 2019-07-08 | 2022-03-15 | 바스프 에스이 | 실리콘-게르마늄 재료를 선택적으로 에칭하기 위한 조성물, 그의 용도 및 방법 |
CN112521946B (zh) * | 2019-09-18 | 2023-12-22 | Oci有限公司 | 氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 |
FR3118027B1 (fr) * | 2020-12-17 | 2023-08-18 | Saint Gobain | Procédé d’obtention d’un vitrage bombé feuilleté |
CN114315112A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 赵宇琪 | 一种玻璃热压成型单元 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817789A (ja) * | 1994-04-28 | 1996-01-19 | Canon Inc | エッチング方法、半導体素子の製造方法及びそれに使用し得るエッチング処理剤 |
JPH0992851A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Canon Inc | 薄膜太陽電池の形成方法 |
JP2008527698A (ja) * | 2005-01-11 | 2008-07-24 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 二酸化ケイ素および窒化ケイ素の層のエッチングのためのプリント可能な媒体 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1276261C2 (de) * | 1965-05-17 | 1974-09-19 | Hoechst Ag | Pasten zum beizen von edelstahloberflaechen |
US5074920A (en) * | 1990-09-24 | 1991-12-24 | Mobil Solar Energy Corporation | Photovoltaic cells with improved thermal stability |
US5688366A (en) * | 1994-04-28 | 1997-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Etching method, method of producing a semiconductor device, and etchant therefor |
US5457057A (en) * | 1994-06-28 | 1995-10-10 | United Solar Systems Corporation | Photovoltaic module fabrication process |
US6337029B1 (en) * | 1999-01-21 | 2002-01-08 | Xim Products | Method and composition for etching glass ceramic and porcelain surfaces |
EP1276701B1 (de) * | 2000-04-28 | 2012-12-05 | Merck Patent GmbH | Ätzpasten für anorganische oberflächen |
DE10150040A1 (de) * | 2001-10-10 | 2003-04-17 | Merck Patent Gmbh | Kombinierte Ätz- und Dotiermedien |
EP1378948A1 (en) * | 2002-07-01 | 2004-01-07 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates |
JP4549655B2 (ja) | 2003-11-18 | 2010-09-22 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 機能性塗料 |
JP2005183903A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 電子デバイスおよび電子デバイスを形成する方法 |
-
2005
- 2005-07-15 DE DE102005033724A patent/DE102005033724A1/de not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-06-21 WO PCT/EP2006/005937 patent/WO2007009546A1/de active Application Filing
- 2006-06-21 JP JP2008520738A patent/JP5698897B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-21 EP EP06762109A patent/EP1904413A1/de not_active Withdrawn
- 2006-06-21 KR KR1020087003749A patent/KR101387260B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-06-21 US US11/995,618 patent/US8143172B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-21 CN CN200680025884XA patent/CN101223116B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-13 MY MYPI20063341A patent/MY150096A/en unknown
- 2006-07-14 TW TW095125856A patent/TWI439434B/zh not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-10-14 US US13/273,447 patent/US20120032108A1/en not_active Abandoned
-
2014
- 2014-11-13 JP JP2014231134A patent/JP2015083682A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817789A (ja) * | 1994-04-28 | 1996-01-19 | Canon Inc | エッチング方法、半導体素子の製造方法及びそれに使用し得るエッチング処理剤 |
JPH0992851A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Canon Inc | 薄膜太陽電池の形成方法 |
JP2008527698A (ja) * | 2005-01-11 | 2008-07-24 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 二酸化ケイ素および窒化ケイ素の層のエッチングのためのプリント可能な媒体 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015526880A (ja) * | 2012-06-04 | 2015-09-10 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 光活性化エッチングペーストおよびその使用 |
JP2014082332A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Hitachi Chemical Co Ltd | 液状組成物 |
JP2016015444A (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-28 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | シリコン窒化膜用エッチング剤、エッチング方法 |
US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
US10465112B2 (en) | 2014-07-17 | 2019-11-05 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5698897B2 (ja) | 2015-04-08 |
JP2015083682A (ja) | 2015-04-30 |
CN101223116B (zh) | 2013-03-13 |
CN101223116A (zh) | 2008-07-16 |
TWI439434B (zh) | 2014-06-01 |
US20120032108A1 (en) | 2012-02-09 |
WO2007009546A1 (de) | 2007-01-25 |
DE102005033724A1 (de) | 2007-01-18 |
TW200712021A (en) | 2007-04-01 |
EP1904413A1 (de) | 2008-04-02 |
KR101387260B1 (ko) | 2014-04-18 |
US20080200036A1 (en) | 2008-08-21 |
US8143172B2 (en) | 2012-03-27 |
KR20080033414A (ko) | 2008-04-16 |
MY150096A (en) | 2013-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5698897B2 (ja) | 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 | |
JP5107722B2 (ja) | 二酸化ケイ素および窒化ケイ素の層のエッチングのためのプリント可能な媒体 | |
KR101465276B1 (ko) | 산화성 투명 전도층의 에칭을 위한 인쇄가능형 매질 | |
KR101473502B1 (ko) | 규소 표면 및 층을 위한 입자 함유 에칭 페이스트 | |
US8540891B2 (en) | Etching pastes for silicon surfaces and layers | |
US20080210660A1 (en) | Medium For Etching Oxidic, Transparent, Conductive Layers | |
JP2009501247A5 (ja) | ||
US20080210298A1 (en) | Combined Etching and Doping Media for Silicon Dioxide Layers and Underlying Silicon | |
KR20030004377A (ko) | 무기물 표면용 에칭 페이스트 | |
JP6374881B2 (ja) | シリコンウェハのための印刷可能な拡散障壁 | |
JP5734259B2 (ja) | 無機表面用エッチングペースト | |
AU2012224975A1 (en) | Aluminium oxide pastes and method for the use thereof | |
JP2016506629A (ja) | シリコンウェハから不純物をゲッタリングするための酸化物媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081023 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090619 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under section 19 (pct) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20090619 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090619 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120417 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120717 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120724 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120817 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120824 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120918 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120925 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121017 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121211 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130411 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130611 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130705 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131210 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131213 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140110 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140116 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140210 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140214 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140813 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140819 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140916 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140919 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141014 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20141017 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5698897 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |