JPH0817789A

JPH0817789A - エッチング方法、半導体素子の製造方法及びそれに使用し得るエッチング処理剤

Info

Publication number: JPH0817789A
Application number: JP7104317A
Authority: JP
Inventors: Hirobumi Ichinose; 博文一ノ瀬; Tsutomu Murakami; 勉村上; Akio Hasebe; 明男長谷部; Satoshi Niikura; 諭新倉
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-04-28
Filing date: 1995-04-27
Publication date: 1996-01-19
Anticipated expiration: 2016-06-04
Also published as: JP3173318B2

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、処理工程が少なく簡便で選択精度
に優れ、長期的にも安定なのエッチング方法、半導体素
子の製造方法及びそれら方法に用いられるエッチング剤
を提供する。【構成】本発明は、少なくとも１種類の微粒子体とエ
ッチング性溶液とを有するエッチング剤であるペースト
物を前記材料上に配する工程を有することを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、エッチング方法、半導
体素子の製造方法及びそれに使用し得るエッチング処理
剤に関し、より詳しくは、簡単で選択精度に優れ、非エ
ッチング領域及び非エッチング層への損傷を非常に少な
くすることが可能なエッチング方法及び該エッチング方
法を用いることにより、良好な特性の光起電力素子等の
半導体素子の製造方法及びその方法に使用し得るエッチ
ング剤に関する。

【０００２】

【従来の技術】エッチングの技術は光起電力の一つであ
る太陽電池やフォトダイオードなどの様々な用途の半導
体素子の製造過程において広く使用される。

【０００３】例えば、ダイオード、ＩＣ等の半導体素子
においては、金属導電膜もしくは透明導電膜の電極もし
くは基材あるいは半導体層のパターニング分離等に使用
されている。

【０００４】また、太陽電池等の半導体素子において
は、透明導電膜や電極半導体層のパターニング、分離等
に使用されている。集積型太陽電池においても導電層・
半導体層の分離パターニング等に使用されている。

【０００５】具体的には、例えば、非晶質シリコン太陽
電池では、光透過性基板上に設けられた透明性導電膜の
パターニング分離等に使用されたり、非晶質シリコン層
上に設けられた透明性導電膜のパターニング分離等に使
用されている。

【０００６】具体的な製造工程の概略の例をあげて説明
する。光透過性絶縁基板上に透明性導電膜を成膜し、こ
の膜にエッチングにより太陽電池セルの所定パターンを
形成し、パターニングされた透明性導電膜上に光電変換
層である非晶質シリコン層を成膜し、その上に背面電極
を形成することにより製造される非晶質シリコン太陽電
池に使用されている。

【０００７】また、別には、金属基板に非晶質シリコン
層を成膜し、次に、透明性導電膜を成膜し、この膜をエ
ッチングによりパターン形成し、その上に銀などの集電
用のグリッド電極を形成し製造される非晶質シリコン太
陽電池に使用されている。

【０００８】基板上の透明性導電膜を成膜後、選択的エ
ッチングによりパターニングする方法としては、特開昭
５５−１０８７７９号公報及び米国特許４４１９５３０
号に開示されているような化学エッチング法が知られて
いる。

【０００９】より具体的に透明性導電膜のパターニング
方法の一例について説明する。まず、透明性導電膜上に
シルクスクリーン印刷やフレキソ印刷あるいはその他の
印刷方法によって、またはスピンナーや印刷によって形
成されたフォトレジストに所望パターンで露光、現像し
てレジストによる所望のポジパターンを形成する。次
に、レジストパターンのネガ部分（透明性導電膜の露出
部分）に相当する透明性導電膜を、塩化第二鉄溶液や酸
性溶液である硝酸溶液などのエッチング液でエッチング
して除去し、レジストパターンに対応した透明性導電膜
を残す。あるいは、レジストパターンのネガ部分をプラ
ズマエッチング処理などのドライエッチング方法などで
処理してレジストパターンに対応した透明性導電膜を残
す。そして、ポジ部分に残っているレジストパターン
（シルクスクリーン用インクなどの印刷インクや樹脂、
フォトレジストの硬化物のパターン）を剥離剤によって
溶解除去及び／又は剥離除去し、又はドライプロセス
（プラズマ灰化処理など）等によって除去して、所望の
パターン形状の透明性導電膜を得ていた。

【００１０】しかしながら、従来のエッチングの方法に
よるパターニングではいずれもフォトレジストなどによ
るレジストのポジパターンの形成し、露光、現像、エッ
チングレジスト剥離、後処理とエッチングの前工程及び
後工程が多い。

【００１１】また、化学エッチングはエッチング溶液中
で行うため、レジストの膨張、剥離によるエッチング精
度低下を呈することがある。また、厳密な溶液の温度管
理も必要である。

【００１２】一方、ドライエッチングは精度の他界パタ
ーニングが可能であるが、処理速度が遅く、装置自身の
処理能力が低く結果として製造コストが高くなる。

【００１３】またフォトレジストの剥離には非常に強力
な酸化剤を必要とする場合がある。強力な酸化剤は、取
り扱いが危険であること、廃液処理も難しい。プラズマ
灰化法によるレジストの除去は溶液を使用せず無公害な
レジスト除去方法であるといえるが、全てのレジストに
対して利用できるわけではない。

【００１４】一方、透明性導電膜をエッチングしてパタ
ーニングする工程を経て形成された太陽電池では、パタ
ーニング不良（パターニングライン断線等）が生じると
ショートやシャントや外観不良が生じる場合がある。そ
の結果、変換効率等の特性低下や性能のばらつき、ある
いは製造歩留まりの低下を生じる場合がある。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記したよう
な問題点に鑑みて成されたものであり、処理工程数が少
なく、簡便で選択精度に優れ、エッチングによる損傷が
非常に少ないエッチング方法および該方法を利用した工
程を有する半導体素子の製造方法を提供することを目的
とする。

【００１６】また、本発明は安定して被エッチング膜を
含む被エッチング材料エッチングすることが可能で工程
不良の発生がなく、低コストで効率の良いエッチング処
理を行うことのできる被エッチング膜のエッチング方法
および該方法を利用した工程を有する半導体素子の製造
方法を提供することを目的とする。

【００１７】加えて本発明は、歩留りが高く、エッチン
グ不良によって発生することのあるショートやシャン
ト、あるいは外観不良がない被エッチング膜のエッチン
グ方法を利用した工程を有する半導体素子の製造方法を
提供することを目的とする。

【００１８】更に本発明は長時間の保存でも安定した特
性を有するエッチング処理剤を提供することを目的とす
る。

【００１９】加えて、本発明は導電膜、更には透明性導
電膜のエッチングに用いて好適なエッチング方法、該エ
ッチング方法を有する半導体素子の製造方法及びそれに
使用し得るエッチング処理剤を提供するものである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明のエッチング方法
は、少なくとも一種類の微粒子体とエッチング性溶液と
を有するペースト物を被エッチング材料上に配すること
を特徴とする。

【００２１】また、本発明の半導体素子の製造方法は、
少なくとも一種類の微粒体とエッチング性溶液とを有す
るペースト物を配する工程を有することを特徴とする。

【００２２】また、本発明のエッチング処理剤は、エッ
チング性溶液と少なくと一種の高分子微粒子体とを有す
ることが望ましい。

【００２３】

【作用】本発明では少なくとも一種類の高分子材料で形
成された微粒子体とエッチング性溶液とを混練したペー
ストを利用して被エッチング物のエッチングを行う。こ
のような本発明のエッチング法は、高分子微粒子体及び
エッチング溶液の配合及び必要に応じて行われる熱処理
条件の相互の関係において、良好なエッチングパターン
の得られる条件を実験的に見いだし、更に実験を進めて
完成したものである。

【００２４】（エッチング）本発明により良好なエッチ
ングパターン得られる理由は以下のように考えられる。

【００２５】一般に、化学エッチングと呼ばれる方法で
は、酸やアルカル等のエッチング製溶液を用いる。ここ
では、被エッチング膜の表面の原子とエッチング溶液が
反応し、出来た反応生成物が溶解し除去される。

【００２６】一方、例えば、非晶質太陽電池などに用い
られる透明製導電膜としては、可視光に対する透明性と
電気伝導性で優れた特性をもつＳｎＯ₂，Ｉｎ₂Ｏ₃，Ｉ
ＴＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃＋ＳｎＯ₂）膜などが使用される。これ
らの透明性導電膜の製法としては、真空蒸着法、イオン
化蒸着方、スパッタリング法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶ
Ｄ法、スプレー法等を用いることができ、所望に応じて
適宜選択される。

【００２７】これらの透明性導電膜は、例えば、前記酸
やアルカリ等のエッチング性溶液、すなわち濃硫酸、濃
塩酸、塩化鉄溶液などと接触させた状態で熱を加えるこ
とにより透明性導電膜とエッチング性溶液とが反応し溶
解する。従って、透明性導電膜を形成した基板をエッチ
ング溶液に浸漬させ加熱することにより透明性導電膜を
エッチングすることが可能である。

【００２８】しかしながら、透明性導電膜を所望のパタ
ーンにパターンニングするためには前述のごとく透明性
導電膜を残したい部分に対応して表面をマスクしてエッ
チング性溶液と接触させないためレジストのパターン形
成が必須となり、フォトレジストと通称される感光剤な
どを用いて複雑なパターニングを行っている。

【００２９】本発明では、エッチング性溶液を単独で用
いて、それとレジストを表面に形成した透明性導電膜を
接触させるのではなく、高分子微粒子体と混練したペー
スト物を透明性導電膜上に積層してパターニングを同時
に行う。従って、マスクによるパターニングを必要とし
ない。しかも、ポジパターンの形成、露光、現像といっ
たエッチング前工程、マスクの剥離といったエッチング
後工程を必要とせず工程を大幅に少なくすることが出来
る。また、１００℃以上に加熱することによりエッチン
グ性溶液と透明性導電膜との反応を速めることができエ
ッチング時間を短縮できる。なお、６０℃未満の場合
は、エッチング性溶液と透明性導電膜との反応が不十分
なため、パターニングによって得られるラインの線幅が
不均一になることや、断線が生じることがある。加え
て、本発明ではエッチング性溶液に基板全体を浸漬する
わけではないため、多層上の透明性導電膜をエッチング
する場合であっても、透明性導電膜の下層の膜に溶液の
影響を及ぼすことも避けられる。

【００３０】本発明において、前記高分子微粒子体はエ
ッチング性溶液と混練することにより粘度を増加させる
役割を果たす。粘度が増加したペースト物は液体状では
ないため、処理時間を短縮化することにより、だれずに
パターニングすることが可能となる。微粒子体の材料と
して高分子樹脂の微粒子体を用いることにより容易にペ
ースト物が得られる。

【００３１】使用される高分子樹脂としてはポリメタク
リル酸メチルのようなアクリル樹脂、シリコーン樹脂、
ベンゾグアナミン樹脂、四フッ化エチレン樹脂やポリフ
ッ化ビニルのようなフッ素樹脂、ウレタン樹脂、ポリス
チレン樹脂が好適に使用される。これらの高分子樹脂は
更に耐溶剤性や耐酸性が付与されることにより耐腐蝕性
が向上し、より安定なペースト物が得られる。

【００３２】エッチング反応を速めるため１００℃以上
で加熱する場合には、加熱温度で組成や状態が変化しな
いように加熱温度より融点の高い分子樹脂が好適に用い
られる。このような高分子樹脂を選択することで高分子
樹脂はエッチング時の加熱で変化しないため、ペースト
物内のエッチング液が反応中に高分子微粒子体は無用な
変化をしたり反応することがなく、ペースト物が基板に
結着して除去しにくくなる等の弊害から逃れられる。

【００３３】高分子微粒子体の形状は基本的には均質な
球状粒子であるが、それ以外の様々な形状のものでも良
く、構造的にも多種の高分子の混ざりあった構造又は積
層された構造、他の材料との複合粒子構造であってもよ
い。

【００３４】また、高分子微粒子体とエッチング性溶液
を均一に混練、分散することにより、ペースト物が透明
性導電膜等の被エッチング膜上に付与された部分では、
エッチング性溶液が透明性導電膜等の被エッチング膜と
均一に接触、反応することができ均一なパターン形成が
可能になる。本発明に使用される高分子微粒子体の粒子
径は均質分散可能なだけ小さく設計されることが望まし
い。具体的には平均粒子径を２０μｍ以下とするのが好
ましく、より好ましくは０．１μｍ〜２０μｍ、更に好
ましくは０．２μｍ〜１０μｍとするのが望ましい。

【００３５】また、印刷法を用いる際には高分子微粒子
体に柔軟性を付与したり、グリセリンなどを添加し潤滑
性を持たせて印刷性を向上させると良い。なお、平均粒
子径やグリセリンの添加量、その他ペーストの粘度をあ
げる増粘剤や水のようなペーストの粘度を下げたり腐食
性をコントロールする希釈剤やその添加量はエッチング
する線幅や精度に合わせて適宜選択して混合することが
好ましい。

【００３６】前記ペースト物を透明性導電膜等の被エッ
チング膜上に所望のパターンで形成するためには公知の
方法が用いられる。すなわち、ある程度の粘度を持つた
めスクリーン印刷が可能であり、所望のパターニングを
形成した版を用いてパターン形成が出来る。また、塗布
法やドッティング法を用いて簡易的にパターン形成する
こともできる。更には、ディスペンサーによってペース
ト物を付与しても良い。

【００３７】また、前記ペースト物の膜厚はエッチング
除去される透明性導電膜等の被エッチング膜の材質や厚
さや範囲によって適宜決められるが、具体的には１０μ
ｍ以上２ｍｍ未満とするのが好ましい。たいていの場合
１０μｍ以上とするとペースト物内のエッチング液が透
明性導電膜等の被エッチング膜と十分に反応し、未エッ
チング部なしにパターン形成でき、２ｍｍ未満とすると
ペースト物の横方向へのだれが生じず、線幅の均一なパ
ターン形成ができる。

【００３８】ペースト物を積層した後は、所望の条件で
温風オーブンやＩＲ（赤外）オーブンを用いて加熱す
る。エッチング反応を速めるために高温で加熱すること
が効果的であり、１００℃以上の温度とするのが望まし
い。また、１００℃以上に加熱し反応を速めることによ
りペーストの液だれを防止することができ、より一層良
好なパターニングが可能となる。加熱完了後、水または
溶剤でペースト物を洗い流し除去する。用いる高分子微
粒子体の融点を加熱温度より高くすると、微粒子体は加
熱時においても熱的に安定であり、微粒子同士で反応す
ることもなく、溶融して基板に決着することがないので
容易に除去される。

【００３９】次に、本発明のエッチング方法を利用して
作製された半導体素子の一つである光起電力素子２００
を図１を用いて説明する。図において２０１は支持基
板、２０２は下部電極、２０３，２０４，２０５はそれ
ぞれ半導体層、２０６は上部電極としての透明性導電
膜、２０７はエッチングにより透明性導電膜が除去され
パターニングされた部分、２０８はグリッド電極を表
す。

【００４０】支持基板２０１上には下部電極２０２が形
成され、該電極２０２上にアモルファス、多結晶又は微
結晶を有する非単結晶の半導体層２０３，２０４，２０
５が順に積層される。この非単結晶の半導体層２０３，
２０４，２０５はシリコン原子を有するものが好適に使
用される。具体的には非晶質シリコン系半導体を有する
半導体層が好適である。非単結晶の半導体層２０３，２
０４，２０５は一般にはｎ型（ｐ型），ｉ型，ｐ型（ｎ
型）の導電型をそれぞれ有する。半導体層２０４はその
中を更に多層領域に分けてもよく、たとえば３つの領域
に分けて、上下を非単結晶シリコン半導体領域、その間
に非単結晶シリコンゲルマニウム半導体領域を設けてよ
い。

【００４１】また、ｎｉｐ型（又はｐｉｎ型）の組を図
１に示されるような１つ有するいわゆるシングルセルタ
イプ以外に、２つ有するいわゆるタンデムセルタイプや
３つ有するいわゆるトリプルセルタイプ（図２）、ある
いはそれ以上有してもよい。

【００４２】図１においては半導体層２０５上に上部電
極としての透明性導電膜２０６が形成され、所望のパタ
ーンにパターニングされて上部電極とされる。そして該
透明性導電膜２０６上には必要に応じてグリッド電極が
形成されている。

【００４３】太陽電池により、より多くの電力を得るに
は大面積化の必要があるが、変換効率は面積が大きくな
るにつれて減少する傾向にある。これは透明性導電膜２
０６の抵抗による電力損失などが主たる原因である。そ
のため、グリッド電極２０８の集電効率との関係から太
陽電池の有効面積が決定されるが、透明性導電膜２０６
のパターニングを正確に行うことにより、太陽電池の有
効面積が増加し、出力の向上がはかれる。

【００４４】また、パターニングの際にパターニングラ
イン２０７が所望通り形成されないと、有効面積外のシ
ャント部からリーク電流が発生し効率低下の原因とな
る。従って、エッチングの際、透明性導電膜が完全に除
去されることが必要となる。

【００４５】

【実施態様例】次に本発明が好適に適用可能な太陽電池
の（光起電力素子の）他の実施態様構成例について図を
用いて説明する。

【００４６】本発明を適用することができる太陽電池の
好適な構成例を図２及び図３にそれぞれ模式的に示す。

【００４７】図１に示した光起電力素子は基板と反対側
から光入射するシングルセル構造のたとえば非晶質シリ
コン系太陽電池の例であったが、前述したように図２に
示されるようにトリプル構造とした非晶質シリコン系太
陽電池としてもよい。

【００４８】なお、図３は図１及び図２の太陽電池を光
入射側から見た図である。図３においては基板２０１の
大きさとその上に設けられる下部電極２０２、半導体層
２０３，２０４，２０５（又は半導体層２０３，２０
４，２０５，２１３，２１４，２１５，２２３，２２
４，２２５）、透明性導電膜２０６の外周が一致された
場合を示している。

【００４９】更に、図示しないが、透明性絶縁基板上に
堆積した非晶質シリコン系太陽電池においても本発明の
思想を用いた構成は適用可能であることは言うまでもな
い。

【００５０】（基板）基板２０１はアモルファスシリコ
ンのような薄膜の太陽電池の場合の半導体層２０３，２
０４，２０５を機械的に支持する部材であり、また場合
によっては電極として用いられる。前記基板２０１は、
半導体層２０３，２０４，２０５を成膜するときの加熱
温度に耐える耐熱性が要求されるが、導電性のものでも
電気絶縁性のものでも良く、導電性の材料としては、具
体的にはＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｎｂ，
Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｔｉ等の金属またはこれ
らの合金、例えば真鍮、ステンレス鋼等の薄板及びその
複合体やカーボンシート、亜鉛メッキ鋼板等が挙げら
れ、電気絶縁性材料としては、ポリエステル、ポリエチ
レン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド、ポリイミド、エポキシ等の耐
熱性合成樹脂のフィルムまたはシートまたはこれらとガ
ラスファイバー、カーボンファイバー、ホウ素ファイバ
ー、金属繊維等との複合体、及びこれらの金属の薄板、
樹脂シート等の表面に異種材質の金属薄膜及び／または
ＳｉＯ ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ａｌ₂Ｏ₃，ＡｌＮ等の絶縁性薄膜
を、スパッタ法、蒸着法、鍍金法等により表面コーティ
ング処理を行ったもの、及びガラス、セラミックス等、
あるいはそれらの積層構造体が挙げられる。

【００５１】（下部電極）下部電極２０２は、半導体層
２０３，２０４，２０５で発生した電力を取り出すため
の一方の電極であり、半導体層２０３に対してはオーミ
ックコンタクトするような仕事関数を持つことが要求さ
れる。材料としては、Ａｌ，Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｎｉ，
Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｕ，ステンレス，
真鍮，ニクロムＳｎＯ₂，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＺｎＯ，ＩＴＯ等
のいわゆる金属単体又は合金、及び透明導電性酸化物
（ＴＣＯ）等が用いられる。

【００５２】前記下部電極２０２の表面は平滑であるこ
とが好ましいが、光の乱反射を起こさせる場合には必要
に応じて凹凸を形成してテクスチャー化しても良い。ま
た、基板２０１が半導体層２０３とオーミックコンタク
トする導電性材料であるときは、前記下部電極２０２は
必ずしも設ける必要はない。下部電極はメッキ、蒸着、
スパッタ等の方法を用いて形成することができる。

【００５３】（半導体層）半導体層は上述したようにア
モルファス材料、多結晶材料、微結晶材料もしくはそれ
らの混在物を含む非単結晶材料を用いることができる。

【００５４】上述したように、非単結晶の半導体層とし
てはアモルファスシリコン系半導体が好適に使用し得る
が、中でもｉ型導電型の半導体層２０４を形成する半導
体材料としては、ａ−Ｓｉ：Ｈ，ａ−Ｓｉ：Ｆ，ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ：Ｆ，ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ，ａ−ＳｉＧｅ：Ｆ，ａ
−ＳｉＧｅ：Ｈ：Ｆ，ａ−ＳｉＣ：Ｈ，ａ−ＳｉＣ：，
ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ等のいわゆるＩＶ族及びＩＶ族合金系ア
モルファス半導体が好適な材料として挙げられる。

【００５５】ｉ型導電型の半導体層２０４の両側に設け
られるｐ型導電型又はｎ型導電型の半導体層２０３，２
０５を構成する半導体材料としては、前述したｉ型導電
型層を構成する半導体材料に価電子制御剤をドーピング
することによって得られる。

【００５６】具体的には、ｐ型半導体を得るための価電
子制御剤としては周期律表第ＩＩＩ族の元素を挙げるこ
とができ、原料としてこの元素を含む化合物が用いられ
る。第ＩＩＩ族の元素としては、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ
が挙げられ、特にＢが好ましい元素として挙げられる。
ｎ型半導体を得るための価電子制御剤としては周期律表
第Ｖ族の元素を挙げることができ、原料としてこの元素
を含む化合物が用いられる。第Ｖ族の元素としては、
Ｐ，Ｎ，Ａｓ，Ｓｂが挙げられ、特にＰ，Ａｓが好まし
い元素として挙げられる。

【００５７】アモルファスシリコン半導体層の成膜法と
しては、蒸着法、スパッタリング法、ＲＦプラズマＣＶ
Ｄ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、ＶＨＦ波プラズマ
ＣＶＤ法、ＥＣＲ法、熱ＣＶＤ法、ＬＰＣＶ法、光ＣＶ
Ｄ法等の公知の方法を所望に応じて用いることができ
る。工業的に採用されている方法としては、原料ガスを
ＲＦプラズマで分解し、基板上に体積させるＲＦプラズ
マＣＶＤ法が好んで用いられる。さらに、ＲＦプラズマ
ＣＶＤ法に於いては、原料ガスの分解効率が約１０％と
低いことや、堆積速度が１Å／ｓｅｃから１０Å／ｓｅ
ｃ程度と遅いことが問題であるが、この点を改善できる
成膜法としてマイクロ波プラズマＣＶＤ法やＶＨＦ波プ
ラズマＣＶＤ法が注目されている。

【００５８】以上の成膜を行うため反応装置としては、
バッチ式の装置や連続成膜装置などの公知の装置が所望
に応じて使用できる。本発明の半導体装置、中でも太陽
電池に於いては、分光感度や電圧の向上を目的として半
導体接合を２以上積層するいわゆるタンデムセルやトリ
プルセルにも用いることが出来る。

【００５９】（上部電極）上部電極として使用可能な材
料は基本的に下部電極に使用可能な材料が適用可能であ
る。また、光透過性の電極とするか遮光性の電極とする
かは、素子への光入射が上部電極側から成されるか基板
側から成されるかで適宜決められる。

【００６０】上部電極は、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム
加熱蒸着法、スパッタリング法、スプレー法等を用いる
ことができ、所望に応じて適宜選択される。

【００６１】もちろん、先に形成されている半導体層や
下部電極に悪影響を与えることのない方法や形成温度が
採用される。

【００６２】図７は太陽電池（光起動力半導体装置）と
しての別の半導体装置の層構造の一例を説明するための
模式的断面図である。

【００６３】図７に示されるように、作製される光起電
力装置４００、基板４０１、第１の電極４０２、半導体
４０４、第２の電極４０６を含む構造を有し、第１の電
極層をエッチングした第１の溝４０３、半導体層をエッ
チングした第２の溝４０５、第２の電極層をエッチング
した溝４０７もまた図７に示される。

【００６４】この構造は以下のように形成される。ま
ず、第１の電極層が基板４０１上に堆積され、該第１の
電極層がエッチングによってパターニングされ第１の溝
４０３と第１の電極４０２が形成される。半導体層は第
１の電極４０２と基板４０１上に堆積され、該半導体層
は半導体４０４を形成するために半導体層をエッチング
して形成された第２の溝４０５によって分離される。

【００６５】続いて第２の電極層が半導体と第１の電極
上に堆積され、第２の電極層は第２の電極４０６を形成
するために第２の電極層をエッチングして形成された溝
４０７によって分離される。

【００６６】上述した溝は本発明のエッチングペースト
を使用して各電極層又は半導体層から除去され形成され
る。

【００６７】上述した工程によって図７に示される太陽
電池は得られる。この太陽電池は横方向に並んで配され
直列に複数の半導体を接続される。

【００６８】

【実施例】次に本発明の高分子微粒子体およびエッチン
グ性溶液を混練したペースト物を用いたエッチング法に
ついて必要に応じて図面を使用して具体的に説明する。

【００６９】（実施例１）図１及び図２はそれぞれ本実
施例のパターニングを説明するための模式的断面図であ
る。

【００７０】まず、１１ｃｍ×１１ｃｍ角のガラス基板
１０１上にスプレー法によってＳｎＯ₂膜１０２を成膜
した。なお、成膜温度は４５０℃、膜厚は４５０ｎｍと
した。

【００７１】次いで、以下のようにしてエッチングペー
スト物を作製した。まず、結晶水を有する塩化第二鉄
（６水和物）５７ｇを８０℃で湯浴加熱して溶融しエッ
チング性溶液として用い、これに粒子径５μｍのアクリ
ル樹脂の微粒子体（アクリルビーズ）４０ｇ及びグリセ
リン１８ｇを混練し、ペースト物を作製した。次に、不
図示のスクリーン印刷機で線幅１ｍｍのラインで、１０
ｃｍ×１０ｃｍ角のパターンで前記ペースト物１０３を
膜厚３０μｍで印刷し（図４）、不図示の赤外線オーブ
ン１７０℃で５分間加熱した。その後基板をオーブンか
ら取り出して冷却後、基板を純水で洗浄しペースト物を
除去した。これを前記オーブンで８０℃で３分間保持
し、乾燥し、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のパターン１０４が
得られた（図５）。同様のパターニングを施した基板を
合計１００個作製し、エッチングを評価した。

【００７２】上記のように透明性導電膜はパターニング
された基板の実際のラインの観察と線幅計測を行ったと
ころ、線幅は平均で１．０ｍｍ±０．１ｍｍを有する均
一なパターニングラインが形成された。

【００７３】（実施例２）高分子微粒子体を粒径１０μ
ｍのシリコーン樹脂の微粒子（シリコーンビーズ、融点
３００℃）を用い、ペースト配合を以下のようにした以
外は実施例１と同様にして透明性導電膜をパターニング
し、実施例１と同様にラインの観察と線幅計測を行った
ところ、エッチングのむらはなく、線幅の平均値が１．
０ｍｍ±０．１ｍｍの均一なパターニングラインが得ら
れていた。

【００７４】塩化鉄（６水和物）５８．８ｇシリコーンビーズ４０．０ｇグリセリン１８．０ｇ

【００７５】（実施例３）高分子微粒子体を粒径５μｍ
のシリコーン樹脂の微粒子（融点３００℃）及び８μｍ
のアクリル樹脂の微粒子（融点２５０℃）を５０％分量
ずつ混合する以外は実施例１と同様にして透明導電膜を
パターニングし、実施例１と同様の観察と線幅計測を行
ったところ、線幅は１．０ｍｍ±０．１ｍｍで均一なパ
ターニングラインが得られた。

【００７６】（実施例４）実施例１と同様なガラス基板
にスパッタリング法によってＩＴＯ膜（成膜温度４５０
℃、膜厚５００μｍ）を成膜した後、実施例１と同様に
してエッチングパターニングを行った。その後、実施例
１と同様の観察と線幅計測をおこなったところ、エッチ
ングむらもなく、線幅の平均も１．０ｍｍ±０．１ｍｍ
で均一なラインのパターニングを行うことができた。

【００７７】（実施例５）エッチングによるパターニン
グ処理温度を６０℃、１００℃、２００℃、３００℃と
した以外は実施例１と同様にして、それぞれ５０個ずつ
のパターニングを施した基板を作製した。作製された基
板を実施例１と同様の観察と線幅計測を行った。その結
果を表１に示す。

【００７８】

【表１】

【００７９】表１に示されるように、加熱温度を調製す
ることで同じエッチングペーストを使用した場合であっ
てもパターニング精度が変化することがわかる。特に加
熱温度が低いもの程線幅が不均一になるが、これはエッ
チング処理時間を適切にすることで解消することができ
る。たとえば、加熱温度を１００℃とした場合、１０分
間の処理でエッチングむらなく、線幅を１．０ｍｍ±
０．１ｍｍとすることができる。言いかえれば、適切な
加熱温度とすることで短時間で不良エッチング部のない
高精度のパターニングを行うことができる。

【００８０】また、粒子体の融点温度以下で加熱するこ
とは、基板洗浄後に基板上へのペーストの残存もなく、
外観上より良好なパターニングを行うことができるとこ
とがわかる。

【００８１】（実施例６）次に高分子微粒子体の粒子径
を０．０１μｍ、０．１μｍ、２０μｍ、３０μｍとす
る以外は実施例１と同様にして、それぞれ５０個ずつの
パターニングを施した基板を作製した。作製された基板
を実施例１と同様の観察と線幅計測を行った。その結果
を表２に示す。

【００８２】

【表２】

【００８３】表２に示されるように、高分子微粒子体の
粒子径を調製することで同じエッチング性溶液、添加剤
としてのグリセリンを使用した場合であってもパターニ
ング精度が変化することがわかる。

【００８４】本実施例の結果からは、とくに線幅１．０
ｍｍのパターンを形成する場合、高分子粒子体の粒子径
を０．１μｍ〜２０μｍにすることによりエッチング性
溶液が粒子体と均一に混ざり合い、且つ液だれを生じ
ず、粒子体がエッチング性溶液を効果的に支持し、良好
なパターニングを行えることがわかる。

【００８５】もちろん、スクリーンやパターニング線幅
を考慮すれば０．０１μｍや３０μｍの粒子径の高分子
粒子体であっても良好なエッチングを行うことができ
る。

【００８６】（比較例１）高分子微粒子体のかわりに粒
径１０μｍのタンパク微粒子体を用いた以外は実施例１
と同様にして透明性導電膜をパターニングし、次に実施
例１と同様の観察を行った。

【００８７】その結果、基板洗浄後に基板上にエッチン
グペーストの残存が観察された。線幅は０．１ｍｍ〜
２．０ｍｍと不均一なものであった。

【００８８】（実施例７）本発明の一実施例として、本
発明のエッチングパターニング工程を入れたｐｉｎ接合
型シング構成の非晶質太陽電池２００（図１）の作製方
法について説明する。

【００８９】まず、十分に脱脂、洗浄したＳＵＳ基板Ｓ
ＵＳ４３０ＢＡ製基板２０１を不示図のＤＣスパッタ装
置に入れＡｇを４０００Å厚堆積し、その後該Ａｇ上に
ＺｎＯを４０００Å厚堆積して下部電極２０２を形成し
た。ＤＣスパッタ装置から基板を取り出し、不図示のＲ
ＦプラズマＣＶＤ成膜装置に入れ、ｎ層２０３、ｉ層２
０４、ｐ層２０５の順で半導体層の堆積を行った。その
後、ＲＦプラズマＣＶＤ成膜装置から基板を取り出し、
不図示の抵抗加熱の蒸着装置に入れ、反射防止効果を兼
ねた機能を有する透明性導電膜２０６としてＩＴＯ膜を
成膜（成膜温度４５０℃、膜厚７００Å）し、蒸着装置
から基板を取り出した。

【００９０】次に、実施例１と同様にしてペースト物を
作製し、不図示のスクリーン印刷機でＩＴＯ膜上に図に
示すように線幅１ｍｍのラインで、１０ｃｍ×１０ｃｍ
角のパターンに印刷し、不図示の赤外線オーブン１７０
℃で５分間加熱した。その後基板をオーブンから取り出
して冷却後、基板を純水で洗浄しペースト物を除去し、
１０ｃｍ×１０ｃｍ角のパターン２０７を得た。これを
前記オーブンで８０℃で３分間保持し乾燥した。さら
に、集電用のグリッド電極２０８を銀ペーストのスクリ
ーン印刷で形成した。

【００９１】上記のように、パターニングされた非晶質
太陽電池を１００個作製し、その初期特性を以下のよう
に測定した。

【００９２】まず、暗状態での電圧電流特性を測定し、
原点付近の傾きからシャント抵抗を求めたところ、平均
で１２０．２ｋΩｃｍ²であった。

【００９３】次に、ＡＭ１．５グローバルの太陽光スペ
クトルで１００ｍＷｃｍ²の光量の擬似太陽光源（ＳＰ
ＩＲＥ社製）を用いて太陽電池特性を測定し、変換効率
を求めたところ、平均で７．５％であった。

【００９４】また、実施例１と同様の観察を行ったとこ
ろ、ＩＴＯ膜で形成された透明性導電膜２０６は不良の
未エッチング部やエッチングむらがなく、線幅も均一で
極めて良好にパターニングされていた。

【００９５】以上のとおり、本発明のエッチングを用い
て作製した太陽電池は不要なショートやシャント、断線
もなく良好な特性を示した。

【００９６】（実施例８）高分子微粒子体を粒径８μｍ
のボリエチレン樹脂の微粒子体とした以外は実施例７と
同様にして透明性導電膜をパターニングし、非晶質太陽
電池を１００個作製した。次に実施例７と同様の手順で
初期特性を測定したところ、シャント抵抗が平均１１
５．５ｋΩｃｍ²、変換効率が平均７．５％であった。

【００９７】また、実施例１と同様の観察を行ったとこ
ろ、透明性導電膜は不良の未エッチング部やエッチング
むらがなく、均一な線幅のパターニングが行われてい
た。

【００９８】以上のとおり、本実施例の太陽電池も不必
要なショートやシャント、断線がなく、良好な特性を示
した。

【００９９】（実施例９）太陽電池の構成をトリプルセ
ル型として半導体層の形成にマイクロ波ＣＶＤ法を用い
た以外はほぼ実施例７と同様の方法で以下のようにして
非晶質太陽電池３００を作製した。まず、ＳＵＳ基板２
０１上にＡｇとＺｎＯからなる下部電極２０２を形成
し、その後、不図示のマイクロ波プラズマＣＶＤ成膜装
置に入れ、ｎ層２０３、ｉ層２０４、ｐ層２０５の順で
ボトム層を形成した。次に、同様にｎ層２１３、ｉ層２
１４、ｐ層２１５の順でミドル層を形成し、続いてｎ層
２２３、ｉ層２２４、ｐ層２２５の順でトップ層を順次
形成し、半導体層を堆積した。次に実施例７と同様に反
射防止効果を兼ねた機能を有する透明性導電膜２０６と
してＩＴＯ膜を成膜し、エッチングによるパターニング
を行い、非晶質太陽電池３００を１００個作製した。

【０１００】次に実施例７と同様の手順で初期特性を測
定したところ、シャント抵抗が平均１２３．０ｋΩｃｍ
²、変換効率が平均１０．４％であった。また実施例１
と同様の観察を行ったところ、不良な未エッチング部や
エッチングむらもなく、均一な線幅のパターニングが行
われていた。

【０１０１】以上のとおり、本実施例のトリプルセル型
太陽電池もシングルセル型の太陽電池と同様にショート
がなく、シャント不良や断線もない良好なものであっ
た。

【０１０２】（実施例１０）エッチング処理時の加熱温
度を６０℃、１００℃、２００℃、３００℃とした以外
は実施例７と同様にシングルセル型太陽電池をそれぞれ
５０個ずつ作製し、それぞれ実施例７と同様に初期特性
の測定とパターニング部の観察を行った。その結果を表
３に示す。

【０１０３】

【表３】

【０１０４】表３に示されるように加熱温度を調製する
ことで同じエッチングペーストを用いて同じ処理を行っ
た場合でも完成した太陽電池の特性が変化することがわ
かる。特に加熱温度の低いものはシャント抵抗および変
換効率いずれも低い値になっている。しかしながら、こ
れは、エッチング処理時間を調整することで充分なシャ
ント抵抗・変換効率とすることができる。

【０１０５】また、より高温に加熱することでより短時
間で処理を行うことができるが、粒子体の融点以下とす
ることはペースト残渣が生じずにより好ましいこともわ
かった。

【０１０６】（比較例２）実施例７と同様の工程を経て
透明性導電膜まで形成した後、透明性導電膜上に感光性
樹脂のレジストを塗布、乾燥した。次に実施例７と同様
のパターンを形成するため、感光性樹脂上にマスクを重
ね、紫外線光をマスクを通して感光性樹脂に照射した
（露光）。続いて、マスクを除去した後、感光性樹脂を
現像し、所望のレジストパターンを形成した。

【０１０７】レジストパターンが形成された太陽電池基
板を塩化鉄溶液内に３０分間浸漬し透明性導電膜をエッ
チング処理した後、十分に純水洗浄した。洗浄後レジス
トパターンをアルコールを用いて除去し、再び純水洗浄
した後、乾燥した。

【０１０８】続いて、実施例７と同様に透明性導電膜上
に集電電極を形成しシングルセル型の太陽電池を完成し
た。

【０１０９】完成した太陽電池の初期特性を実施例７と
同様に測定したところ、シャント抵抗が１０ｋΩｃｍ²
のものが１０％あり、また変換効率は５．３±１．８％
とばらつきが大きかった。シャントが生じているものの
パターニングラインを顕微鏡で観察したところ、不充分
なエッチング状態であった。

【０１１０】この不良は、感光性樹脂のパターニングの
際に不要な感光性樹脂の除去が不充分であったためと考
えられる。また、変換効率の低いもののなかには、シリ
ーズ抵抗が高いものがあり、これは液処理中に半導体層
の一部に剥離が生じたためと考えられる。

【０１１１】（実施例１１）エッチングの長期安定性を
確認するために、実施例１と同様な方法を自動化し、１
０秒タクトで１０００回印刷、実施例１と同様にしてパ
ターニングを行った。その後１００００回目に透明性導
電膜がパターニングされた基板について実施例１と同様
の観察、線幅の測定を行ったところ実施例１と同様に良
好なパターンが得られた。

【０１１２】（実施例１２）エッチングの長期安定性を
確認するためにペースト物作製後、６０日間保存後に、
実施例１と同様にしてパターニングを行った。また、実
施例１と同様の観察、線幅の測定を行ったところ実施例
１と同様に良好なパターンが得られた。

【０１１３】（実施例１３）１つのｐｉｎ構造を有する
アモルファス太陽電池（４００）を上述した本発明のパ
ターニング工程を含む工程を用いて作製した。

【０１１４】まず、絶縁体としてＤＣスパッタリングに
よって堆積されたＳｉＣ層を有するステンレス基板４０
１を準備し、その基板をＤＣスパッタリング装置（不図
示）中に載置した。アルミニウム膜がＳｉＣ層上に堆積
され、エッチングペーストを用いて第１の電極が形成さ
れた。

【０１１５】エッチングペーストは燐酸、硝酸、そして
酢酸の混合液のエッチング液を使用したものを除いて実
施例１と同様に準備した。そのエッチングペーストを微
細なパターンを形成するためスクリーン印刷機（不図
示）を使用して第１の電極層上に塗布した。

【０１１６】次に実施例７に述べたようにベーキング
（熱処理）、洗浄、乾燥した。次にｎ型層、ｉ型層、そ
してｐ型層を順に有する半導体層を実施例７のように第
１の電極と基板上に堆積した。

【０１１７】微細パターン（溝４０５）を形成するため
スクリーン印刷機（不図示）によって半導体層上にフッ
酸、硝酸そして酢酸を混合した溶液を有するエッチング
ペーストを印刷した。

【０１１８】次に、半導体形成後、第２の電極を形成す
るため半導体と第１の電極上にＩＴＯを堆積した。

【０１１９】次に、実施例１と同様にエッチングペース
トを準備し、スクリーン印刷機（不図示）を使用してＩ
ＴＯ上に塗布した。上記エッチングペーストを使用して
パターニングされ、溝４０７が形成された。

【０１２０】上述したごとく作製された１００個の太陽
電池（直列接続モノシリック型）を実施例７と同様に初
期特性を測定した。

【０１２１】その結果、シャント抵抗の平均値は１２
１．５ｋΩｃｍ²で変換効率の平均値は７．８％であっ
た。

【０１２２】エッチングの品質は目視で判定した。その
結果エッチングされる領域中に残渣を見い出せなかっ
た。また、エッチングの均一性に優れ、得られたパター
ンは均一な線幅を有していた。

【０１２３】以上のように本発明のエッチング技術を用
いて作製された太陽電池は電気的な短絡やシャントの欠
陥がなく優れた特性を示した。また形成された線の断線
も生じなかった。

【０１２４】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の主旨の範囲内で適宜変形、組合
せが可能である。

【０１２５】また、半導体素子は上記した太陽電池のよ
うな光起電力素子以外に、透明性導電膜を有するフォト
トランジスタ、フォトダイオード、ＣＣＤなどのような
フォトセンサも含まれ、また広義には、液晶装置のよう
な基板上に透明性導電膜を被着したような素子も含む。

【０１２６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理工程数が少なく、簡便で選択精度に優れたエッチン
グ方法および該方法を利用した工程を有する半導体素子
の製造方法を提供することができる。

【０１２７】また、本発明によれば、安定して透明性導
電膜をエッチングすることが可能で、工程不良の発生が
なく、低コストで効率の良いエッチング処理を行うこと
のできる透明性導電膜のエッチング方法および該方法を
利用した工程を有する半導体素子の製造方法を提供する
ことができる。

【０１２８】加えて本発明によれば、歩留りが高く、エ
ッチング不良によって発生することのあるショートやシ
ャントあるいは外観不良がない透明性導電膜のエッチン
グ方法を利用した工程を有する半導体素子の製造方法を
提供することができる。

【０１２９】また、本発明によれば、長時間の保存でも
安定した特性を有するエッチング処理剤を提供すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】太陽電池の層構成の一例を説明するための模式
的断面図である。

【図２】太陽電池の層構成の一例を説明するための模式
的断面図である。

【図３】太陽電池の上面構成の一例を説明するための模
式的平面図である。

【図４】エッチング処理の一例を説明するための被処理
物の模式的断面図である。

【図５】エッチング処理の一例を説明するための被処理
物の模式的断面図である。

【図６】図５に示される被処理物の模式的平面図であ
る。

【図７】本発明を使用して直列化した太陽電池（光起電
力素子）の模式的断面図である。

【符号の説明】

１０１ガラス基板、１０２，１０６透明性導電膜、１０３ペースト物、１０４，２０７パターニングライン、２００，３００光起電力素子本体、２０１ＳＵＳ基板、２０２下部電極、２０３，２１３，２２３ｎ層、２０４，２１４，２２４ｉ層、２０５，２１５，２２５ｐ層、２０８グリッド電極、４００光起電力装置、４０１基板、４０２第１の電極、４０３第１の電極層をエッチングした第１の溝、４０４半導体、４０５半導体層をエッチングした第２の溝、４０６第２の電極、４０７第２の電極層をエッチングした溝。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 31/04 ＭＳ (72)発明者新倉諭東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一種類の微粒子体とエッチン
グ性溶液とを有するペースト物をエッチングされる材料
上に配する工程を有することを特徴とするエッチング方
法。
【請求項２】前記微粒子体は高分子樹脂を有する請求
項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】前記高分子樹脂はアクリル樹脂、シリコ
ーン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、フッ素樹脂、ウレタ
ン樹脂、ポリスチレン樹脂からなる群から選択された少
なくとも一種の樹脂を有する請求項２に記載のエッチン
グ方法。
【請求項４】更に前記材料上のペーストを少なくとも
熱処理する工程を有する請求項１に記載のエッチング方
法。
【請求項５】前記高分子微粒子体の融点が熱処理温度
より高温度である請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項６】前記熱処理の熱処理温度は１００℃以上
である請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項７】前記高分子微粒子体の平均粒子径が２０
μｍ以下である請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項８】前記ペースト物は印刷法、塗布法または
ドッティング法のいずれかにより配される請求項１に記
載のエッチング方法。
【請求項９】前記材料は膜を含む請求項１に記載のエ
ッチング方法。
【請求項１０】前記材料は透明性導電膜を有する請求
項１に記載のエッチング方法。
【請求項１１】前記材料は金属を有する請求項１に記
載のエッチング方法。
【請求項１２】前記微粒子体は高分子微粒子を有する
請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項１３】該エッチングされる材料上に少なくと
も一種類の微粒子体とエッチング性溶液とを有するペー
スト物を配する工程を有することを特徴とする半導体素
子の製造方法。
【請求項１４】前記微粒子体は高分子樹脂を有する請
求項１３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１５】前記高分子樹脂はアクリル樹脂、シリ
コーン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、フッ素樹脂、ウレ
タン樹脂、ポリスチレン樹脂からなる群から選択された
少なくとも一種の樹脂を有する請求項１４に記載の半導
体素子の製造方法。
【請求項１６】更に少なくとも前記材料の前記ペース
トを熱処理する工程を有する請求項１３に記載の半導体
素子の製造方法。
【請求項１７】前記微粒子体の融点が熱処理温度より
高温度である請求項１６に記載の半導体素子の製造方
法。
【請求項１８】前記熱処理の処理温度は１００℃以上
である請求項１６に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１９】前記微粒子体の平均粒子径が２０μｍ
以下である請求項１３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２０】前記ペースト物は印刷法、塗布法また
はドッティング法のいずれかにより配される請求項１３
に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２１】前記半導体素子は非単結晶半導体層を
有する請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２２】前記非単結晶半導体層はシリコン原子
を含む非晶質半導体材料を有する請求項２１に記載の半
導体素子の製造方法。
【請求項２３】前記半導体素子は光起電力素子、フォ
トセンサ、液晶装置から選択された１つである請求項１
３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２４】前記材料は膜を含む請求項１３に記載
の半導体素子の製造方法。
【請求項２５】前記材料は透明性導電膜を有する請求
項１３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２６】前記材料は金属を有する請求項１３に
記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２７】前記微粒子体は高分子微粒子を有する
請求項１３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２８】エッチング性溶液と少なくとも一種の
微粒子体とを有するエッチング処理剤。
【請求項２９】前記微粒子体は高分子樹脂を有するこ
とを特徴とする請求項２８に記載のエッチング処理剤。
【請求項３０】前記高分子樹脂はアクリル樹脂、シリ
コーン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、フッ素樹脂、ウレ
タン樹脂、ポリスチレン樹脂からなる群から選択された
少なくとも一種の樹脂を有することを特徴とする請求項
２９に記載のエッチング処理剤。
【請求項３１】前記微粒子体の平均粒子径が２０μｍ
以下である請求項２８に記載のエッチング処理剤。
【請求項３２】更にグリセリンを有する請求項２８に
記載のエッチング処理剤。
【請求項３３】更に希釈剤を有する請求項２８又は３
２に記載のエッチング処理剤。
【請求項３４】前記微粒子体は高分子樹脂を有するこ
とを特徴とする請求項２８に記載のエッチング処理剤。
【請求項３５】前記ペースト物は１０μｍ以上２ｍｍ
未満の厚さに配される請求項１に記載のエッチング方
法。
【請求項３６】前記ペースト物は更にグリセリンを有
する請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３７】該ペースト物を洗浄除去する工程を有
する請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３８】前記熱処理後に前記ペースト物を洗浄
除去する工程を有する請求項４に記載のエッチング方
法。
【請求項３９】前記ペースト物は１０μｍ以上２ｍｍ
未満の厚さに配される請求項１３に記載の半導体素子の
製造方法。
【請求項４０】前記ペースト物は更にグリセリンを有
する請求項１３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４１】前記半導体層はｐ型半導体層、ｉ型半
導体層およびｎ型半導体層をこの順で有する請求項１３
に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４２】該ペースト物を洗浄除去する工程を有
する請求項１３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４３】前記熱処理工程後に前記ペースト物を
洗浄除去する工程を有する請求項１６に記載の半導体素
子の製造方法。