JP2008547232A - 酸化物透明導電層のエッチング用の媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
特に本発明は、無粒子の組成物であって、酸化物透明導電層において、隣接領域を損傷または腐食させることなく微細構造を選択的にエッチング可能な、前記組成物に関する。
ディスプレイ製造のために用いられるガラスシートの片側ITO層の厚さは、通常20〜200nmの範囲、殆どの場合30〜130nmの範囲である。
ディスプレイの製造中、ガラスシート上の透明導電層は、一連の工程段階で構築される。このためには、当業者に公知のフォトリソグラフィの方法が用いられる。
・酸化インジウムスズ In2O3:Sn(ITO)
・フッ素をドープした酸化スズ SnO2:F(FTO)
・アンチモンをドープした酸化スズ SnO2:Sb(ATO)
・アルミニウムをドープした酸化亜鉛 ZnO:Al(AZO)
適切な導電性のITO層はまた、湿式化学コーティング(ゾル−ゲル浸漬法)により、溶媒中または溶媒混合物中の液体または溶解固体の前駆体を用いて、得ることもできる。これらの液体組成物は通常、被覆すべき基板にスピン−コーティングにより適用される。これらの組成物は当業者に、スピンオンガラス(SOG)系として知られている。
エッチャント、すなわち化学的に攻撃的な化合物の使用は、該エッチング剤による攻撃に暴露される材料の溶解を引き起こす。殆どの場合、目的はエッチングすべき層を完全に除去することである。エッチングの終了は、実質的にエッチング剤に耐性のある層に到達することで達成される。
フォトリソグラフィは、材料集約的で時間のかかる、費用の高い工程段階を含む:
・基板表面のコーティング(例えば、液体フォトレジストによるスピンコーティング)、
・フォトレジストの乾燥、
・コーティングされた基板表面の露出、
・現像、
・洗浄、
・必要に応じて、乾燥
・例えば以下による、構造物のエッチング
・浸漬法(例えば、湿式化学ベンチにおけるウェットエッチング
基板をエッチングバスに浸漬すること、エッチング操作
・スピン・オン法またはスプレー法:エッチング溶液を回転する基板に適用し、エッチング操作をエネルギーの入力(例えばIRまたはUV照射)有り/無しで実施できる
・ドライエッチング法、例えば、複合真空ユニット内におけるプラズマエッチング、または流通反応器(flow reactor)内での反応ガスによるエッチング
・フォトレジストの、例えば溶媒による除去
・洗浄
・乾燥。
レーザー支援構築法では、レーザー光線は、ベクター指向システムにおいて点単位または線単位で、除去すべき領域をスキャンする。透明導電層は、レーザー光線でスキャンされた点において、レーザー光線の高いエネルギーのために自然に蒸発する。この方法は単純な形状の構築に非常に適している。より複雑な構造の場合、および特に透明導電層の比較的大きな領域の除去においては、その適性はより低い。ここで達成可能なスループットタイムは、大量生産には全く適さない。
[1]D.J. Monk, D.S. Soane, R.T. Howe, Thin Solid Films 232 (1993), 1;
[2]J. Buehler, F.-P. Steiner, H. Baltes, J. Micromech. Microeng. 7 (1997), R1
[3]M. Koehler "Aetzverfahren fuer die Mikrotechnik" [Etching Processes for Microtechnology], Wiley VCH 1983。
記載されたエッチング法の欠点は、時間がかかり材料集約的で費用の高い工程段階のためであり、これらは幾つかの場合、技術的条件および安全条件において複雑であり、しばしばバッチ方式で実施されるからである。
本発明の目的は、したがって、非常に均一で、500μm未満、特に100μm未満の幅の細い線、および、LCディスプレイ製造に用いるドープされた酸化スズまたは酸化亜鉛層の非常に微細な構造の、選択的エッチング用の新規の安価な組成物を提供することである。本発明のさらなる目的は、これを用いて調製される新規なエッチャントおよびエッチング媒体であって、エッチング後に、簡単な様式で残渣を残すことなく、好適で環境に優しい溶媒を用いて、随意的に熱に暴露することにより、処理した表面から除去が可能な、前記エッチング剤およびエッチング媒体を提供することである。
本発明の目的を達成するために好適なペースト形態の組成物を調製する試みにより、粒子含有ペーストと同等の印刷特性およびディスペンシング特性が、選択された増粘剤を用いることによって達成可能であることが示された。エッチング媒体の他の構成成分との化学的相互作用により、ゼラチン様のネットワークの形成が可能となる。これらの新規のゼラチン様ペーストは、ディスペンサー技術によるペーストの適用に対して特に優れた特性を示し、非接触型のペーストの適用を可能とする。
本発明によるペーストは、好ましくは請求項24〜29にクレームされた方法において用いる。
無機表面または無機の酸化物表面に細い線をエッチングすることができる、非常にバラエティに富んだそれ自体が耐性である組成物は、特許およびジャーナル文献から公知である。しかし、酸化スズまたは酸化亜鉛の表面に細い線を選択的にエッチングするには問題があり、なぜならば、通常用いるエッチング成分は、過剰なエッチング作用を有するか、またはこれらの表面に関して有効でないかの、どちらかであるためである。
セルロース/セルロース誘導体、および/または
デンプン/デンプン誘導体、および/または
キサンタン、および/または
ポリビニルピロリドン、
アクリレートもしくは官能化ビニル単位をベースとするポリマー類、
の群からの、1種または2種以上の均質に溶解した増粘剤である。
または
他の基板上に形成された、種々の厚さの対応する無孔または多孔質ガラス層をエッチングするために、
特に好適である。
a)エッチング成分としての塩化鉄(III)または塩化鉄(III)六水和物、
b)溶媒、
c)随意的に、均質に溶解した有機増粘剤、
d)随意的に、少なくとも1種の無機酸および/または有機酸、
および随意的に
e)添加剤、例えば消泡剤、チキソトロープ剤、流れ制御剤、脱気剤、接着促進剤を含み、そして、
印刷可能なペースト形態であり、エッチングすべき表面に非常に細い線で適用することができ、または適切な印刷技術により精巧に構築することができる。
全体として、本発明による組成物における有機酸および/または無機酸の比率は、媒体の総量に対して0〜80重量%の濃度範囲であることができ、ここで添加される酸またはこれらの混合物の各々は、0〜5のpKa値を有する。
セルロース/セルロース誘導体、および/または
デンプン/デンプン誘導体、および/または
キサンタン、および/または
ポリビニルピロリドン
アクリレートもしくは官能化ビニル単位をベースとするポリマー類
の群からの前記増粘剤は、エッチング媒体の総量に対して0.5%〜25重量%の量で存在してよい。組成物の使用特性を改善するために、消泡剤、チキソトロープ剤、流れ制御剤、脱気剤、接着促進剤の群から選択される添加剤を、総量に対して0〜5重量%の量でさらに添加してもよい。
本発明に従って、チキソトロピー特性と非ニュートン特性を有するエッチングペースト形態の新規な組成物は、OLEDディスプレイ、LCディスプレイ用の、または太陽光発電、半導体技術、高性能エレクトロニクス用の製品の製造の工程、太陽電池またはフォトダイオードの製造の工程の間に、好適な様式で、酸化物透明導電層を構築するために用いられる。
ここでエッチングすべき表面とは、酸化物透明導電材料の表面もしくは部分表面、および/または支持材料上の酸化物透明導電材料の多孔質および無孔の層の表面もしくは部分表面であることができる。
この関連において、最適化実験により、ドープされた酸化スズ表面(ITOおよび/またはFTO)は、0.5〜8nm/sのエッチング速度で50〜120℃の範囲の高い温度においてエッチングできることが示された。特に好適な条件下では、エッチングは、1〜6nm/sのエッチング速度で、特に3〜4nm/sのエッチング速度で行う。
ディスペンサー技術、スクリーン、ステンシル、線画凸版(klischee)、スタンプの設計またはカートリッジ制御に応じて、本発明に従って記載された、印刷可能で均質、無粒子の非ニュートン流動挙動を有するエッチングペーストを、表面全体に、またはエッチング構造マスクに従ってエッチングしたい領域のみに選択的に、適用することが可能である。したがって、さもなければ必要となる全てのマスキングおよびリソグラフィの段階は不要となる。エッチング操作は、例えば熱の放射(IRランプを用いる)の形態等のエネルギー入力が有る場合、または無い場合の両方において実施可能である。
好ましい態様において、本発明によるエッチングペーストは、5〜100Pa・s、好ましくは10〜50Pa・sの範囲の粘度を有する。ここで粘度とは、隣接する液体層の滑りの間の運動に抗する、材料に依存した摩擦抵抗の成分である。ニュートンによれば、平行に配置され相対的に運動する2つの滑る表面の間の液層におけるせん断抵抗は、速度またはせん断勾配Gに比例する。比例定数は、動粘性係数として知られる、mPa・sの次元を有する材料定数である。ニュートン流体の場合、比例定数は圧力および温度に依存する。ここで依存の度合いは、材料の組成により決定される。不均質な組成の液体または物質は、非ニュートン特性を有する。これらの材料の粘度は、せん断勾配にさらに依存する。
塩化鉄(III)、塩化鉄(III)六水和物、および/または塩酸溶液は、200nmの厚さの層を有するドープされた酸化スズ表面(ITO)を、50℃を超える温度において数秒〜数分以内に完全にエッチング除去することができることを見出した。100℃において、エッチング時間は約60秒である。
本発明による印刷可能なエッチングペーストの好ましい使用は、支持材料(ガラスまたはシリコン層)に適用するITOの構築について記載される方法に対して、OLEDディスプレイ、TFTディスプレイまたは薄層太陽電池の製造に対して、生じるものである。
ペースト適用についてのさらなる可能性は、スクリーン印刷である。
本明細書に記載された全ての出願、特許および刊行物、および2005年7月4日に提出された対応する出願DE 10 2005 031 469.4の全開示内容は、参照として本願に組み込まれる。
よりよい理解のためおよび本発明を説明するために、以下に例を示すが、これらは本発明の保護の範囲内である。これらの例はまた、可能な改変を説明するために使用される。しかし、記載される発明の原理は一般的に有用であるので、これらの例は、本願の保護の範囲を、それらの例にのみ減縮するために適するものではない。
例において示される温度は、常に℃で表される。さらに、言うまでもなく、詳細な説明および例の両方において、組成物中に添加する成分の量は、常に合計して100%となる。
均質な増粘剤:
塩化鉄(III)20g
を含むエッチングペーストに、以下を含む溶媒混合物を、攪拌しつつ添加する:
水60g
塩酸20g。
次にFinnfix 700(カルボキシメチルセルロースナトリウム塩)4gを、部分に分けてゆっくりと、激しく撹拌しつつ該溶液に加え、混合物をさらに30分間撹拌する。透明ペーストを次にディスペンサーカートリッジに移す。
こうして使用の準備ができたペーストを、ITO表面に、ディスペンサーを用いて適用することができる。
均質な増粘剤:
塩化鉄(III)20g
を含むエッチングペーストに、以下を含む溶媒混合物を、攪拌しつつ添加する:
水30g
エチレングリコール10g
水20g
塩酸20g。
次に4gのFinnfix 2000を、部分に分けてゆっくりと、激しく撹拌しつつ該溶液に加え、混合物をさらに30分間撹拌する。透明ペーストを次にディスペンサーカートリッジに移す。
こうして使用の準備ができたペーストを、ITO表面に、ディスペンサーを用いて適用することができる。
均質な増粘剤:
塩化鉄(III)20g
を含むエッチングペーストに、以下を含む溶媒混合物を、攪拌しつつ添加する:
水15g
乳酸15g
エチレングリコール10g
水20g
塩酸20g。
次に4gのFinnfix 2000を、部分に分けてゆっくりと、激しく撹拌しつつ該溶液に加え、混合物をさらに30分間撹拌する。透明ペーストを次にディスペンサーカートリッジに移す。
こうして使用の準備ができたペーストを、ITO表面に、ディスペンサーを用いて適用することができる。
適用例:
ディスペンシングおよびエッチングによるペーストの適用について、以下のパラメータを用いる:
適用速度XYステージ(JR2204):100mm/s
ディスペンサー(EFD 1500XL)−作動圧力:2〜3bar
ディスペンサー針の内径:230〜260μm
エッチングパラメータ:120℃で1分(ホットプレート)
洗浄:超音波バスにて30秒
乾燥:圧縮空気使用
ガラス上の125nm厚さのITO層のエッチング結果:
エッチング線幅:450〜550μm
Claims (29)
- 塩化鉄(III)または塩化鉄(III)六水和物の、酸化物表面のエッチングのための組成物における、エッチング成分としての使用。
- 請求項1に記載の塩化鉄(III)または塩化鉄(III)六水和物の、SnO2もしくは酸化亜鉛を含有するかまたはこれからなる酸化物表面のエッチングのための組成物における、エッチング成分としての使用。
- 請求項1に記載の塩化鉄(III)または塩化鉄(III)六水和物の、SnO2もしくは酸化亜鉛に加えて1種または2種以上のドーピング成分を含有する酸化物透明導電層のエッチングのための組成物における、
または一様で均質な無孔もしくは多孔質のドープされた酸化スズ表面、(ITOおよび/またはFTO)系およびかかる系の種々の厚さの層のエッチングのための組成物における、エッチング成分としての使用。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の塩化鉄(III)または塩化鉄(III)六水和物の、酸化物表面のエッチングのための組成物における、エッチング成分としての使用であって、塩酸、リン酸、硫酸、硝酸の群から選択される無機鉱酸、および/または、少なくとも1種の有機酸であって1〜10個のC原子を有する直鎖または分枝状アルキル基を有してもよく、アルキルカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸またはジカルボン酸の群から選択される前記有機酸、の存在下での、前記使用。
- 請求項4に記載の塩化鉄(III)または塩化鉄(III)六水和物の、ギ酸、酢酸、乳酸およびシュウ酸の群から選択される有機酸の存在下での使用。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の塩化鉄(III)または塩化鉄(III)六水和物の、均質に分散した増粘剤を総量に対して0.5〜25重量%の量で含むペースト形態の組成物における、エッチング成分としての使用。
- 請求項6に記載の塩化鉄(III)または塩化鉄(III)六水和物の、以下の群からの1種または2種以上の均質に溶解した増粘剤を含むペースト形態の組成物における、エッチング成分としての使用:
セルロース/セルロース誘導体、および/または
デンプン/デンプン誘導体、および/または
キサンタン、および/または
ポリビニルピロリドン、
アクリレートもしくは官能化ビニル単位をベースとするポリマー類。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の塩化鉄(III)または塩化鉄(III)六水和物の、20℃において6〜35Pa・sの範囲の粘度および25s−1までのせん断速度、好ましくは10〜25Pa・sの範囲の粘度、および非常に特に15〜20Pa・sの範囲の粘度を有するペースト形態の組成物における、エッチング成分としての使用。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の塩化鉄(III)または塩化鉄(III)六水和物の、SiO2もしくは窒化ケイ素を含有する、一様で均質な無孔もしくは多孔質固体形態のガラスをエッチングするための、
または、他の基板上に形成された種々の厚さの対応する無孔または多孔質ガラス層をエッチングするための、ペースト形態の組成物における、エッチング成分としての使用。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の塩化鉄(III)または塩化鉄(III)六水和物の、半導体部品およびこれらの集積回路または高性能エレクトロニクス部品の製造方法において、ドープされた酸化スズ表面(ITOおよび/またはFTO)の層を開口するための、ペースト形態の組成物における、エッチング成分としての使用。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の塩化鉄(III)または塩化鉄(III)六水和物の、ディスプレイ技術(TFT)における、太陽光発電、半導体技術、高性能エレクトロニクス、鉱物学またはガラス工業における、OLED照明、OLEDディスプレイの製造における、およびフォトダイオードの製造のため、およびフラットパネルスクリーン用途(プラズマディスプレイ)のためのITOガラスの構築のための、ペースト形態の組成物における、エッチング成分としての使用。
- 酸化物層のエッチングのための組成物であって、
a)エッチング成分として塩化鉄(III)または塩化鉄(III)六水和物、
b)溶媒、
c)随意的に、均質に溶解した有機増粘剤、
d)随意的に、少なくとも1種の無機酸および/または有機酸、
および随意的に
e)添加剤、例えば消泡剤、チキソトロープ剤、流れ制御剤、脱気剤、接着促進剤、
を含み、ペースト形態であり印刷可能である、前記組成物。 - 総量に対して、エッチング成分を1〜30重量%の量で、増粘剤を3〜20重量%の量で含むことを特徴とする、請求項12に記載の組成物。
- エッチング成分を、総量に対して2〜20重量%の量で含むことを特徴とする、請求項12に記載の組成物。
- エッチング成分を、総量に対して5〜15重量%の量で含むことを特徴とする、請求項12に記載の組成物。
- 塩酸、リン酸、硫酸、硝酸の群から選択される無機鉱酸、および/または、少なくとも1種の有機酸であって1〜10個のC原子を有する直鎖または分枝状アルキル基を有してもよく、アルキルカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸またはジカルボン酸溶液の群から選択される前記有機酸、を含むことを特徴とする、請求項12〜15のいずれかに記載の組成物。
- ギ酸、酢酸、乳酸およびシュウ酸の群から選択される有機酸を含むことを特徴とする、請求項16に記載の組成物。
- 有機酸および/または無機酸の比率が媒体の総量に対して0〜80重量%の濃度範囲にあり、かつ添加される酸またはこれらの混合物の各々が0〜5のpKa値を有することを特徴とする、請求項12〜17のいずれかに記載の組成物。
- 溶媒として、水;グリセロール、1,2−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、2−エチル−1−ヘキセノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、およびジプロピレングリコールの群から選択される一価アルコール類または多価アルコール類;エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、およびジプロピレングリコールモノメチルエーテルの群から選択されるエーテル類;[2,2−ブトキシ(エトキシ)]エチルアセテート、プロピレンカーボネートの群から選択されるエステル類;アセトフェノン、メチル−2−ヘキサノン、2−オクタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、および1−メチル−2−ピロリドンなどのケトン類を、それ自体で、または混合して、媒体の総量に対し10〜90重量%、好ましくは15〜85重量%の量で含むことを特徴とする、請求項12〜18のいずれかに記載の組成物。
- 以下の群からの1種または2種以上の均質に溶解した増粘剤を含むことを特徴とする、請求項12〜19のいずれかに記載の組成物:
セルロース/セルロース誘導体、および/または
デンプン/デンプン誘導体、および/または
キサンタン、および/または
ポリビニルピロリドン、
アクリレートもしくは官能化ビニル単位をベースとするポリマー類。 - 均質に分散した増粘剤を、エッチング媒体の総量に対して0.5〜25重量%の量で含むことを特徴とする、請求項20に記載の組成物。
- 消泡剤、チキソトロープ剤、流れ制御剤、脱気剤および接着促進剤の群から選択される添加剤を、総量に対して0〜5重量%の量で含むことを特徴とする、請求項12〜21のいずれかに記載の組成物。
- 20℃の温度において、25s−1のせん断速度において6〜35Pa・sの範囲の粘度を、好ましくは25s−1のせん断速度において10〜25Pa・sの範囲の、および非常に特に好ましくは25s−1のせん断速度において15〜20Pa・sの範囲の粘度を有することを特徴とする、請求項12〜22のいずれかに記載の組成物。
- 無機のガラス様結晶表面のエッチング方法であって、請求項12〜23のいずれかに記載の組成物を、全表面にわたって、またはエッチング構造マスクに従って選択的に表面上のエッチングしたい領域のみに適用すること、および、エッチングが完了した時に、これを溶媒または溶媒混合物を用いて洗浄除去するか、または加熱によって燃焼除去すること、を特徴とする、前記方法。
- 請求項12〜23のいずれかに記載の組成物を、エッチングすべき表面に適用し、10秒〜15分の露光時間の後、好ましくは30秒〜2分の後に再び除去することを特徴とする、請求項24に記載の方法。
- 請求項12〜23のいずれかに記載の組成物を、ディスペンサーにより、またはスクリーン、ステンシル、パッド、スタンプ、インクジェット、手動の印刷法により適用することを特徴とする、請求項24または25に記載の方法。
- エッチングが完了した時に水を用いてエッチング組成物を洗浄除去することを特徴とする、請求項24〜26のいずれかに記載の方法。
- エッチングを、30〜330℃の範囲、好ましくは40〜200℃の範囲、および非常に特に好ましくは50〜120℃の範囲の高い温度において行うことを特徴とする、請求項24〜27のいずれかに記載の方法。
- ドープされた酸化スズ表面(ITOおよび/またはFTO)を、0.5〜8nm/sのエッチング速度で、好ましくは1〜6nm/sのエッチング速度で、および非常に特に好ましくは3〜4nm/sのエッチング速度で、50〜120℃の範囲の高い温度においてエッチングすることを特徴とする、請求項24〜28のいずれかに記載の方法。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009503825A (ja) * | 2005-07-25 | 2009-01-29 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物の透明な導電層をエッチングするためのエッチング媒体 |
WO2010113744A1 (ja) | 2009-03-30 | 2010-10-07 | 東レ株式会社 | 導電膜除去剤および導電膜除去方法 |
JP2012043897A (ja) * | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Dnp Fine Chemicals Co Ltd | 導電膜用エッチング液およびエッチング方法 |
WO2012176905A1 (ja) | 2011-06-24 | 2012-12-27 | 株式会社クラレ | 導電膜形成方法、導電膜、絶縁化方法、及び絶縁膜 |
JP2013525946A (ja) * | 2010-03-23 | 2013-06-20 | カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション | 金属ナノワイヤを有する透明導体のエッチングパターン形成 |
KR20130087368A (ko) | 2010-04-09 | 2013-08-06 | 쯔루미소다 가부시끼가이샤 | 도전성 고분자 에칭용 잉크 및 도전성 고분자의 패터닝 방법 |
WO2013136624A1 (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-19 | 株式会社Adeka | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
JP2014529365A (ja) * | 2011-07-18 | 2014-11-06 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 帯電防止および反射防止コーティングならびに対応する積み重ね層の構築 |
JP2017216444A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | ナガセケムテックス株式会社 | エッチング液 |
KR20200037346A (ko) | 2017-09-22 | 2020-04-08 | 가부시키가이샤 가네카 | 패터닝 시트 및 에칭 구조물의 제조 방법 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006051735A1 (de) * | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Merck Patent Gmbh | Druckfähiges Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten |
EA201000138A1 (ru) * | 2007-07-04 | 2010-12-30 | Агк Флэт Гласс Юроп Са | Изделие из стекла |
US20090139568A1 (en) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Applied Materials, Inc. | Crystalline Solar Cell Metallization Methods |
US7888168B2 (en) * | 2007-11-19 | 2011-02-15 | Applied Materials, Inc. | Solar cell contact formation process using a patterned etchant material |
WO2010009297A2 (en) * | 2008-07-16 | 2010-01-21 | Applied Materials, Inc. | Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask |
JP2012501550A (ja) * | 2008-08-27 | 2012-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 印刷誘電体障壁を使用するバックコンタクト太陽電池 |
CN102203952A (zh) * | 2008-10-29 | 2011-09-28 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 以氧化锌为主要成分的透明导电膜的纹理加工液及具有凹凸的透明导电膜的制造方法 |
WO2010093779A1 (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-19 | Optera, Inc. | Plastic capacitive touch screen and method of manufacturing same |
US8486282B2 (en) * | 2009-03-25 | 2013-07-16 | Intermolecular, Inc. | Acid chemistries and methodologies for texturing transparent conductive oxide materials |
US8263427B2 (en) * | 2009-06-02 | 2012-09-11 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial screening of transparent conductive oxide materials for solar applications |
CN101958361A (zh) * | 2009-07-13 | 2011-01-26 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 透光薄膜太阳电池组件刻蚀方法 |
CN102097536B (zh) * | 2009-12-11 | 2012-12-12 | 杜邦太阳能有限公司 | 制造一体化光伏模块的方法 |
CN102108512B (zh) * | 2009-12-25 | 2013-09-18 | 比亚迪股份有限公司 | 一种金属化学蚀刻液及蚀刻方法 |
KR20130100092A (ko) * | 2010-06-14 | 2013-09-09 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 고해상도 형상 패턴화용 가교 및 다중-상 에칭 페이스트 |
WO2012083082A1 (en) | 2010-12-15 | 2012-06-21 | Sun Chemical Corporation | Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film |
DE102011016881A1 (de) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Ätzlösung sowie Verfahren zur Strukturierung einer Zinkoxidschicht und Zinkoxidschicht |
CN102569038A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-07-11 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 图形化衬底的制作方法 |
WO2013106225A1 (en) | 2012-01-12 | 2013-07-18 | Applied Materials, Inc. | Methods of manufacturing solar cell devices |
KR20130084717A (ko) * | 2012-01-18 | 2013-07-26 | 솔브레인 주식회사 | 식각 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 |
CN103980905B (zh) * | 2014-05-07 | 2017-04-05 | 佛山市中山大学研究院 | 一种用于氧化物材料体系的蚀刻液及其蚀刻方法和应用 |
WO2015168881A1 (zh) * | 2014-05-07 | 2015-11-12 | 佛山市中山大学研究院 | 一种用于氧化物材料体系的新型蚀刻液及其蚀刻方法和应用 |
WO2016096083A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Merck Patent Gmbh | Agent for increasing etching rates |
US10294422B2 (en) | 2015-07-16 | 2019-05-21 | Hailiang Wang | Etching compositions for transparent conductive layers comprising silver nanowires |
US10372246B2 (en) | 2015-07-16 | 2019-08-06 | Hailiang Wang | Transferable nanocomposites for touch sensors |
KR101922289B1 (ko) * | 2015-11-26 | 2018-11-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | Cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 유기막 연마방법 |
US9824893B1 (en) * | 2016-06-28 | 2017-11-21 | Lam Research Corporation | Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing |
US12051589B2 (en) | 2016-06-28 | 2024-07-30 | Lam Research Corporation | Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing |
KR20180093798A (ko) | 2017-02-13 | 2018-08-22 | 램 리써치 코포레이션 | 에어 갭들을 생성하는 방법 |
US10546748B2 (en) | 2017-02-17 | 2020-01-28 | Lam Research Corporation | Tin oxide films in semiconductor device manufacturing |
CN107673627B (zh) * | 2017-11-01 | 2020-06-16 | 南京大学 | 一种多孔导电玻璃的制备方法 |
WO2019182872A1 (en) | 2018-03-19 | 2019-09-26 | Lam Research Corporation | Chamfer-less via integration scheme |
CN110922971A (zh) * | 2018-09-20 | 2020-03-27 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种用于掺铝氧化锌薄膜的蚀刻液组合物 |
CN115565867A (zh) | 2019-06-27 | 2023-01-03 | 朗姆研究公司 | 交替蚀刻与钝化工艺 |
US11964874B2 (en) * | 2020-06-09 | 2024-04-23 | Agilent Technologies, Inc. | Etched non-porous particles and method of producing thereof |
CN112981403A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-06-18 | 苏州运宏电子有限公司 | 一种金属薄片表面细纹蚀刻工艺 |
CN113969173B (zh) * | 2021-09-23 | 2022-05-13 | 易安爱富(武汉)科技有限公司 | 一种ITO/Ag/ITO复合金属层薄膜的蚀刻液 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63125683A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 酸化錫導電膜のエッチング方法 |
JPH01147078A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Ricoh Co Ltd | 透明電極パターン形成用エッチングインキ組成物及びその使用方法 |
JPH02135619A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-24 | Asahi Glass Co Ltd | ウエットエッチング方法 |
JPH0342829A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | 透明導電膜のエッチャント |
JPH0817789A (ja) * | 1994-04-28 | 1996-01-19 | Canon Inc | エッチング方法、半導体素子の製造方法及びそれに使用し得るエッチング処理剤 |
JPH10110281A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-28 | Asahi Denka Kogyo Kk | 金属酸化物薄膜のエッチング方法 |
JPH11117080A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-27 | Asahi Denka Kogyo Kk | 金属酸化物薄膜のエッチング方法 |
JP2001307567A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板及びその製造方法 |
JP2003124203A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-04-25 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 透明導電膜用エッチング剤組成物 |
JP2005506705A (ja) * | 2001-10-10 | 2005-03-03 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | エッチングおよびドーピング複合物質 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03239377A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Canon Inc | 太陽電池モジュール |
CN1058051A (zh) * | 1990-07-10 | 1992-01-22 | 虞凌 | 一步法高速钢雕技术 |
CN1031747C (zh) * | 1993-10-27 | 1996-05-08 | 高平 | 电子移印机专用钢模凹版蚀刻液 |
US5688366A (en) * | 1994-04-28 | 1997-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Etching method, method of producing a semiconductor device, and etchant therefor |
US5457057A (en) * | 1994-06-28 | 1995-10-10 | United Solar Systems Corporation | Photovoltaic module fabrication process |
JP3057599B2 (ja) * | 1994-07-06 | 2000-06-26 | キヤノン株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
WO2000011107A1 (en) * | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Ki Won Lee | Ito etching composition |
AU4251001A (en) * | 2000-04-28 | 2001-11-12 | Merck Patent Gmbh | Etching pastes for inorganic surfaces |
EP1646091A3 (en) * | 2000-09-08 | 2006-04-19 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Etching liquid composition |
KR100442026B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-07-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐 틴 산화막의 식각용액 및 이를 이용한 식각방법 |
-
2005
- 2005-07-04 DE DE102005031469A patent/DE102005031469A1/de not_active Withdrawn
-
2006
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- 2006-06-08 JP JP2008518655A patent/JP5373394B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-29 MY MYPI20063097A patent/MY157618A/en unknown
- 2006-07-04 TW TW095124352A patent/TWI391474B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-10-24 HK HK08111757.2A patent/HK1119652A1/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63125683A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 酸化錫導電膜のエッチング方法 |
JPH01147078A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Ricoh Co Ltd | 透明電極パターン形成用エッチングインキ組成物及びその使用方法 |
JPH02135619A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-24 | Asahi Glass Co Ltd | ウエットエッチング方法 |
JPH0342829A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | 透明導電膜のエッチャント |
JPH0817789A (ja) * | 1994-04-28 | 1996-01-19 | Canon Inc | エッチング方法、半導体素子の製造方法及びそれに使用し得るエッチング処理剤 |
JPH10110281A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-28 | Asahi Denka Kogyo Kk | 金属酸化物薄膜のエッチング方法 |
JPH11117080A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-27 | Asahi Denka Kogyo Kk | 金属酸化物薄膜のエッチング方法 |
JP2001307567A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板及びその製造方法 |
JP2005506705A (ja) * | 2001-10-10 | 2005-03-03 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | エッチングおよびドーピング複合物質 |
JP2003124203A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-04-25 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 透明導電膜用エッチング剤組成物 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009503825A (ja) * | 2005-07-25 | 2009-01-29 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物の透明な導電層をエッチングするためのエッチング媒体 |
WO2010113744A1 (ja) | 2009-03-30 | 2010-10-07 | 東レ株式会社 | 導電膜除去剤および導電膜除去方法 |
US8617418B2 (en) | 2009-03-30 | 2013-12-31 | Toray Industries, Inc. | Conductive film removal agent and conductive film removal method |
US9023217B2 (en) | 2010-03-23 | 2015-05-05 | Cambrios Technologies Corporation | Etch patterning of nanostructure transparent conductors |
JP2013525946A (ja) * | 2010-03-23 | 2013-06-20 | カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション | 金属ナノワイヤを有する透明導体のエッチングパターン形成 |
KR101778738B1 (ko) | 2010-03-23 | 2017-09-14 | 챔프 그레이트 인터내셔널 코포레이션 | 나노구조 투광 전도체들의 에칭 패터닝 |
KR20130087368A (ko) | 2010-04-09 | 2013-08-06 | 쯔루미소다 가부시끼가이샤 | 도전성 고분자 에칭용 잉크 및 도전성 고분자의 패터닝 방법 |
JP2012043897A (ja) * | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Dnp Fine Chemicals Co Ltd | 導電膜用エッチング液およびエッチング方法 |
WO2012176905A1 (ja) | 2011-06-24 | 2012-12-27 | 株式会社クラレ | 導電膜形成方法、導電膜、絶縁化方法、及び絶縁膜 |
JP2014529365A (ja) * | 2011-07-18 | 2014-11-06 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 帯電防止および反射防止コーティングならびに対応する積み重ね層の構築 |
US9068267B2 (en) | 2012-03-13 | 2015-06-30 | Adeka Corporation | Etching liquid composition and etching method |
WO2013136624A1 (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-19 | 株式会社Adeka | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
JP2017216444A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | ナガセケムテックス株式会社 | エッチング液 |
KR20200037346A (ko) | 2017-09-22 | 2020-04-08 | 가부시키가이샤 가네카 | 패터닝 시트 및 에칭 구조물의 제조 방법 |
US11222787B2 (en) | 2017-09-22 | 2022-01-11 | Kaneka Corporation | Patterning sheet and etched structure production method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI391474B (zh) | 2013-04-01 |
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