CN101208277B - 氧化物透明导电层的蚀刻介质 - Google Patents
氧化物透明导电层的蚀刻介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101208277B CN101208277B CN200680023243.0A CN200680023243A CN101208277B CN 101208277 B CN101208277 B CN 101208277B CN 200680023243 A CN200680023243 A CN 200680023243A CN 101208277 B CN101208277 B CN 101208277B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- composition
- etching
- chloride
- iron
- iii
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 120
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 121
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 106
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 53
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 150000004687 hexahydrates Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 22
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 17
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 14
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 13
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 10
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 10
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 10
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 claims description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 8
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 8
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010008 shearing Methods 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 5
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 5
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical group COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical group CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000881 Modified starch Polymers 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims description 4
- -1 alkyl carboxylic acid Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 235000019426 modified starch Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims description 4
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 4
- 239000000230 xanthan gum Substances 0.000 claims description 4
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 claims description 4
- 235000010493 xanthan gum Nutrition 0.000 claims description 4
- 229940082509 xanthan gum Drugs 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 claims description 3
- NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N (3S)-octan-3-ol Natural products CCCCCC(O)CC NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 claims description 2
- 229940043375 1,5-pentanediol Drugs 0.000 claims description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1-hexanol Natural products CCCCC(O)CCC WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CVYANEKTPUSMIM-UHFFFAOYSA-N 4,4,6,6-tetramethylnonan-5-one Chemical compound CCCC(C)(C)C(=O)C(C)(C)CCC CVYANEKTPUSMIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 claims description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000009980 pad dyeing Methods 0.000 claims description 2
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 claims description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960004063 propylene glycol Drugs 0.000 claims description 2
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 2
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 241001233242 Lontra Species 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 241000094111 Parthenolecanium persicae Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2,3,4,5,6-pentahydroxyhexanal;sodium Chemical compound [Na].CC(O)=O.OCC(O)C(O)C(O)C(O)C=O DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 1
- 238000012803 optimization experiment Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000036314 physical performance Effects 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 235000019812 sodium carboxymethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
本发明涉及显示器和/或太阳能电池生产中表面蚀刻用、有非牛顿流动行为的、掺杂锡氧化物层的新型一次性蚀刻介质，也涉及其用途。具体地说，它涉及可以用来选择性蚀刻微细结构而不损害或侵蚀相邻区域的相应无微粒组合物。
Description
本发明涉及氧化物透明导电层蚀刻用、有非牛顿流动行为的新颖一次性均匀蚀刻介质，也涉及其用途，例如，用于液晶显示器(LCDs)或有机发光显示器(OLEDs)的生产。
具体地说，它涉及可以用于氧化物透明导电层中选择性蚀刻微细结构而不损害或侵蚀相邻区域的无微粒组合物。
在载体材料上，例如，在薄玻璃上构建氧化物透明导电层的目的，除其它方面外，缘于液晶(LC)显示器的生产。LC显示器的基本组成为2枚玻璃板和配备于其间的若干氧化物透明导电层-通常为铟-锡氧化物(ITO)-和一个会通过电压的施加来改变其光透明性的液晶层。与ITO前后接触是通过间隔物的使用防止的。对于文字、符号或其它图案的显示来说，有必要在该玻璃片材上构建该ITO层。这使得该显示器范围内各区域能选择性地寻址。
1.先有技术和本发明的目的
用于显示器生产的玻璃片材的单面ITO层厚度在20～200nm范围内、在大多数情况下在30～130nm范围内。
在显示器制造期间，该玻璃片材上的透明导电层是用一系列工艺步骤构建的。为此，使用了业内技术人员已知的光刻蚀法。
在本说明书中，无机表面用来表示其导电性因掺杂物的添加而提高并保持光学透明度的氧化物型化合物。业内技术人员已知的层系不适用于这一目的：
□铟-锡氧化物In2O3:Sn(ITO)
□氟掺杂的锡氧化物SnO2:F(FTO)
□锑掺杂的锡氧化物SnO2:Sb(ATO)
□铝掺杂的锌氧化物ZnOAl(AZO)
业内技术人员已知的是通过阴极溅射(工艺线内溅射)来沉积铟-锡氧化物。
足够导电性的ITO层也可以通过使用一种液体或溶解于溶剂或溶剂混合物中的固体前体物的湿化学涂布(溶胶-凝胶浸渍法)来获得。这些液体组合物通常是用旋涂法施用到要涂布的基材上的。这些组合物是业内技术人员作为玻璃上旋涂(SOG)体系已知的。
结构刻蚀
蚀刻剂即化学侵蚀性化合物的使用引起受到蚀刻剂侵蚀的材料的溶解。在大多数情况下，目的是完全脱除要刻蚀的那一层。刻蚀终点是通过遭遇一个能实质上耐受该蚀刻剂的层达到的。
光刻蚀法包括材料密集的和耗时的以及昂贵的工艺步骤：
在已知的方法中，下列步骤是蚀刻结构的负片或正片(因光致抗蚀剂而异)的产生所必需的：
□基材表面涂布(例如，用液体光致抗蚀剂旋涂)，
□该光致抗蚀剂干燥，
□涂布基材表面曝光，
□显影，
□漂洗，
□必要时干燥，
□结构的刻蚀，例如用
о浸渍法(例如，在湿化学实验台上的湿法刻蚀)将基材浸入蚀刻浴中，刻蚀作业
о旋涂法或喷涂法：将蚀刻溶液施用到旋转基材上，该刻蚀作业的进行可以无/有能量输入(例如IR或UV辐射)
о干刻蚀法，例如，在复合真空单元中的等离子体刻蚀，或在流动反应器中用反应性气体刻蚀
□光致抗蚀剂去除，例如借助于溶剂
□漂洗
□干燥
近年来，借助于激光束的构建已经自己确立为光刻蚀法的一种替代方法。
在激光支撑的构建方法中，激光束扫描要用一个矢量取向系统逐点或逐行去除的区域。由于激光束的高能量密度，该透明导电层在以激光束扫描的点上自发地蒸发。该方法十分适用于简单几何形状的构建。在更复杂结构的情况下，尤其在相对大面积透明导电层的去除方面，它是不太适用的。这里的可达到物料通过时间对于质量生产而言是完全不够的。
在一些应用例如OLED显示器的透明导电层的构建中，激光构建原则上不是很适用：蒸发，透明导电材料在邻近基材上沉淀，和增加这些边缘区域中透明导电涂层的层厚。这对于需要极平表面的进一步工艺步骤来说是一个颇大的问题。
各种刻蚀方法的综述详见：
D.J.Monk，D.S.Soane，R.T.Howe，Thin Solid Films 232(1993)，1；
J.Bühler，F.-P.Steiner，H.Baltes，J.Micromech.Microeng.7(1997)，R1
M.Khler″tzverfahren fürdie Mikrotechnik″[Etching Processes forMicrotechnology]，Wiley VCH 1983.
所述各刻蚀方法的缺点是由于费时、材料密集和昂贵的工艺步骤的缘故，这些步骤在一些情况下是技术事项和安全事项复杂的而且往往是间歇式进行的。
目的
因此，本发明的目的是提供新颖、不昂贵的组合物，用于选择性刻蚀宽度＜500μm、尤其＜100μm的非常均匀细线和用于LC显示器生产的掺杂锡氧化物或锌氧化物层的极微细结构。本发明的一个进一步目的是提供新颖蚀刻剂和用其制备的蚀刻介质，后者在刻蚀后以一种简单方式、使用一种适用的环境友好溶剂、任选地暴露于热量就可以从处理的表面上去除而不留下残渣。
2.发明描述
适合于达到按照本发明的目的、呈糊形式的组合物的制备尝试已经显示，通过所选择增稠剂的使用，可以达到可与含微粒糊相比的印刷性能和分配性能。与蚀刻介质的其它成分的化学相互作用使得能形成一种明胶状网络。这些新颖明胶糊显示出特别优异的、借助于分配器技术的糊施用性能，使得能进行非接触式糊施用。
通过使用氯化铁(III)或氯化铁(III)六水合物作为相应氧化物表面的蚀刻成分，令人惊讶地达到了按照本发明的如下目的：选择性地刻蚀或构建氧化物层的表面，尤其锡氧化物层或锌氧化物层或相应的掺杂层例如铟-锡氧化物In2O3:Sn(ITO)、氟掺杂锡氧化物SnO2:F(FTO)、锑掺杂锡氧化物SnO2:Sb(ATO)或铝掺杂锌氧化物ZnO:Al(AZO)的表面。因此，具体地说，按照本发明的目的是通过提供和使用一种较好具有非牛顿流动行为、呈蚀刻糊形式、掺杂氧化物透明导电层刻蚀用的新颖可印刷蚀刻介质达到的。
一种相应的糊包含选自下列组成的一组的增稠剂：聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸酯、蜜胺树脂、聚氨酯树脂、苯并胍树脂、苯酚类树脂、硅酮树脂、氟化聚合物(PTFE、PVDF等)、和微米化蜡，并有至少一种蚀刻成分的存在和至少一种溶剂的存在。此外，按照本发明的组合物还可以包含无机酸和/或有机酸，和任选地添加剂，例如防沫剂、触变剂、流动控制剂、脱气剂、粘合促进剂。按照本发明的组合物在30～330℃范围内、较好在40～200℃范围内、特别好在50～120℃范围内的高温下是有效的，也可以通过输入呈热量或IR辐射的形式的能量来达到。具体地说，按照本发明的目的是通过使用氯化铁(III)或氯化铁(III)六水合物作为组合物中的选择性蚀刻成分达到的，该组合物呈按照权利要求2～7的糊的形式，用于刻蚀氧化物表面，尤其用于刻蚀由SnO2或氧化锌组成的表面或除SnO2或氧化锌外任选地包含一种或多种掺杂成分的氧化物透明导电层，或用于刻蚀均匀、均质、非多孔性或多孔性掺杂锡氧化物表面、(ITO和/或FTO)系统和此类系统的可变厚度的层。这些表面较好使用有权利要求8中要求保护的性能的糊刻蚀。对于所要求保护的用途来说，给予优先的是按照权利要求12～23的组合物的用途。
本申请也还涉及包含氯化铁(III)或氯化铁(III)六水合物的组合物在按照权利要求9～11的特种工业生产方法中用于刻蚀含SiO2或氮化硅的玻璃和以上提到的氧化物表面的用途。
按照本发明的糊较好用于权利要求24～29所要求保护的方法。
发明的详细描述
可以用来将细线刻蚀到有耐性的无机表面或无机氧化物表面上的种类繁多的组合物本身是从专利和期刊文献得知的。然而，迄今为止，将细线选择性地刻蚀到锡氧化物或锌氧化物的表面上一直是一个问题，因为通常使用的蚀刻成分对于这些表面来说要么有过度的刻蚀作用要么是无效的。
现在，实验已经显示，使用一种包含氯化铁(III)或氯化铁(III)六水合物作为蚀刻成分的组合物，就能选择性地而且以一种简单方式刻蚀氧化物表面。这样的组合物尤其适用于包含或组成为SnO2或氧化锌的表面。使用这些组合物，可以将细线和极微细构造刻蚀到除SnO2或氧化锌外还包含一种或多种掺杂成分的氧化物透明导电层上。然而，这些组合物也可以极好地用于刻蚀均匀、均质、非多孔性或多孔性的掺杂锡氧化物表面、(ITO和/或FTO)系统和此类系统的可变厚度的层。若在一种无机酸的存在下如所述那样使用氯化铁(III)或氯化铁(III)六水合物作为氧化物表面蚀刻组合物中的蚀刻成分，则达到特别好的刻蚀结果，其中使用一种选自盐酸、磷酸、硫酸和硝酸组成的一组的无机酸。这里，氯化铁(III)或氯化铁(III)六水合物可以在一种无机酸和/或至少一种有机酸的存在下采用，该有机酸可以有1～10C原子的直链或支化烷基，选自烷基羧酸、羟基羧酸或二羧酸组成的一组。特别适用于这一目的的是选自甲酸、乙酸、乳酸和草酸这一组的有机酸。
为了能印刷宽度为少数几微米或更细的细线，建议使用呈糊的形式的相应组合物，该糊包含以总量为基准数量为0.5～25wt％的均匀分散增稠剂。可以存在的增稠剂是一种或多种均匀溶解的增稠剂，选自下列一组：纤维素/纤维素衍生物和/或淀粉/淀粉衍生物和/或黄原胶和/或聚乙烯基吡咯烷酮，基于丙烯酸酯或官能化乙烯基单元的聚合物。
剪切速率可高达25s-1时的20℃粘度在6～35Pa·s范围内、较好在10～25Pa·s范围内、特别好在15～20Pa·s范围内的相应糊具有有利于按照本发明使用的性能。这样的蚀刻糊高度适用于刻蚀呈均匀、均质、非多孔性和多孔性固体的形式的含SiO2或氮化硅的玻璃，或用于刻蚀在其它基材上形成的、可变厚度的相应非多孔性和多孔性玻璃层。
这些糊状组合物也可以容易地在半导体成分及其集成电路或高性能电子器件成分的生产方法中用于打开掺杂锡氧化物表面(ITO和/或FTO)层并给出非常精确的刻蚀结果。包含氯化铁(III)或氯化铁(III)六水合物的糊状组合物的具体可能应用在于显示器技术(TFTs)，光电器件、半导体技术、高性能电子器件、矿物学或玻璃工业，OLED照明、OLED显示器的生产，光二极管的生产，和平板屏幕应用(等离子体显示器)的ITO玻璃的构建。
按照本发明，氧化物层刻蚀用组合物包含
a)作为蚀刻成分的氯化铁(III)或氯化铁(III)六水合物
b)溶剂
c)任选地一种均匀溶解的有机增稠剂
d)任选地至少一种无机酸和/或有机酸，和任选地
e)添加剂，例如防沫剂、触变剂、流动控制剂、脱气剂、粘合促进剂，而且
呈可印刷的糊形式，并可施用于要以极细线条刻蚀或以适用印刷技术精细构建的表面。
这些组合物可以包含以总量为基准数量为1～30wt％的蚀刻成分和数量为3～20wt％的增稠剂。以总量为基准，该蚀刻成分的存在量较好为2～20wt％、特别好为5～15wt％。
如以上已经指出的，对于该组合物来说有利的是，除氯化铁(III)或氯化铁(III)六水合物外，还包含作为蚀刻成分的、选自盐酸、磷酸、硫酸、硝酸这一组的无机酸，和/或至少一种可以有1～10C原子的直链或支化烷基、选自烷基羧酸、羟基羧酸或二羧酸溶液的有机酸，因为这样刻蚀作用就可以与要刻蚀的各层的要求相匹配。特别适用于按照本发明的糊的制备的有机酸是甲酸、乙酸、乳酸和草酸。
总而言之，在按照本发明的组合物中有机酸和/或无机酸的比例可以在以该介质的总量为基准0～80wt％的浓度范围内，其中所添加的酸或其混合物每一种的pKa值均为0～5。
按照本发明的组合物可以包含作为溶剂的水，选自甘油、1，2-丙二醇、1，4-丁二醇、1，3-丁二醇、1，5-戊二醇、2-乙基-1-己醇、乙二醇、二甘醇和二聚丙二醇这一组的一元醇或多元醇，选自乙二醇一丁醚、三甘醇一甲醚、二甘醇一丁醚和二聚丙二醇一甲醚这一组的醚，选自乙酸[2-丁氧基-2-乙氧基乙酯]、碳酸亚丙酯这一组的酯，酮类例如乙酰苯、甲基-2-己酮、2-辛酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮和1-甲基-2-吡咯烷酮，这些可单独或以混合物使用，以该介质的总量为基准，其数量为10～90wt％、较好15～85wt％。为了达到糊状触变性能，选自纤维素/纤维素衍生物和/或淀粉/淀粉衍生物和/或黄原胶和/或聚乙烯基吡咯烷酮、基于丙烯酸酯或官能化乙烯基单元的聚合物这一组的一种或多种均匀溶解增稠剂以该蚀刻介质的总量为基准的存在量可以是0.5～25wt％。为了改善该组合物的使用性能，还可以添加选自防沫剂、触变剂、流动控制剂、脱气剂和粘合促进剂这一组的添加剂，其添加量以总量为基准为0～5wt％。
各单一成分以优化方式彼此组合并以适当方式彼此混合的组合物，如以上已经描述的，在20℃的温度、同时剪切速率可高达25s-1的粘度在6～35Pa·s范围内，较好在剪切速率为25s-1时粘度在10～25Pa·s范围内、特别好在剪切速率为25s-1时粘度为15～20Pa·s。
按照本发明，呈有触变非牛顿性能的蚀刻糊形式的新颖组合物，在OLED显示器、LC显示器、光电器件、半导体技术、高性能电子器件、太阳能电池或光二极管的产品生产过程期间，用来以适当方式构建氧化物透明导电层。
为此，该糊是以一个单一工艺步骤施用或印刷在要刻蚀的整个表面上，或按照刻蚀结构掩膜只选择性地施用到该表面上希望刻蚀的区域，并在刻蚀完成时，在预先规定的曝光时间之后，通过使用一种溶剂或溶剂混合物漂洗掉再次去除，或通过加热将刻蚀刻糊烧掉。在通过加热去除之后，处理的表面必要时可以再次漂洗，以清洁和去除该蚀刻糊中可能仍然粘附的任何残渣。
以这种方式，就可以刻蚀和构建该印刷区域中的表面，而使非印刷区域保留原始状态。为了进行实际刻蚀，将该蚀刻糊组合物施用到要刻蚀的表面上并在10s～15min、较好30s～2min的曝光时间之后再次去除。这种程序特别适用于无机玻璃状结晶表面的处理，因为在半导体工业的各工艺过程中不得不形成和处理这样的表面。
在此，要刻蚀的表面可以是氧化物透明导电材料的表面或部分表面和/或载体材料上氧化物透明导电材料的多孔和非多孔层的表面或部分表面。
在按照本发明的方法中，要处理的表面的刻蚀通常是在30～330℃范围内、较好在40～200℃范围内、特别好在50～120℃范围内的高温下进行。
在这一方面，优化实验已经显示，掺杂的锡氧化物表面(ITO和/或FTO)可以在50～120℃范围内的高温下以0.5～8nm/s的蚀刻速率刻蚀。在特别适当的条件下，该刻蚀是以1～6nm/s、尤其3～4nm/s的蚀刻速率进行的。
对于该蚀刻糊向要刻蚀的基材表面的转移来说，使用一种有高度自动化和通过量的适当印刷方法。具体地说，业内技术人员已知的适用于这一目的的印刷方法是分配器技术法、丝网法、镂花模板法、轧染法、印模法、喷墨印刷法。然而，手工施用同样可以。
因分配器技术、丝网、镂花模板、电子刻版器、印模设计或墨盒控制而异，可以将按照本发明描述的、有非牛顿流动行为的可印刷、均质、无微粒蚀刻糊施用到整个面积上，或按照刻蚀结构掩膜只选择性地施用到希望刻蚀的区域上。因此，本来必要的所有掩蔽步骤和石印步骤就都是多余的。该刻蚀作业的进行可以有或无能量输入，例如，呈热辐射的形式(使用红外灯)的能量输入。
随后，像已经描述的那样，通过用水和/或适当溶剂或溶剂混合物洗涤该表面，来完成该实际刻蚀过程。当该刻蚀完成时，用一种适当溶剂或溶剂混合物漂洗掉该刻蚀表面上原来可印刷的、有非牛顿流动行为的蚀刻糊的残渣。该处理的表面以一种已知方式干燥。
出于环境理由，除其它方面外，漂洗较好用水进行；只有当出于技术理由和品质理由而必要和有利时才任选地向单独使用或作为混合物使用的水或其它溶剂中添加溶剂。对于这种漂洗作业而言，可以向该水中添加已经用于该组合物制备的溶剂。相应的溶剂已经在以上提到。此外，还可以使用业内技术人员为此目的而从半导体技术普遍得知的溶剂。有适当物理性能的溶剂可以单独或作为混合物采用。这里给予优先的是使用对该表面上的糊残留物有良好溶解能力、有适当蒸气压、能在该表面漂洗之后容易干燥、同时有环境友好性能的溶剂。
因此，按照本发明的蚀刻糊的使用，使得刻蚀能以适当自动化方法在工业规模大量生产中不昂贵地进行。
在较好的实施方案中，按照本发明的蚀刻糊的粘度在5～100Pa·s、较好10～50Pa·s范围内。在此，该粘度是能抵消相邻液层滑动期间的运动的摩擦阻力的材料依赖性分量。按照牛顿理论，平行排布且彼此相对运动的2个滑动表面之间一个液层中的剪切阻力正比于速度或剪切梯度G。比例因子是一种已知为动态粘度的材料常数，且量纲为mPa·s。在牛顿液体的情况下，比例因子是压力和温度依赖性的。在此，依赖程度决定于材料组成。组成不均匀的液体或物质有非牛顿性能。这些材料的粘度还依赖于剪切梯度。
该蚀刻糊组合物的更显著假塑性性能或触变性能在丝网印刷或镂花模板印刷中有特别有利的效应并导致颇大改善的结果。具体地说，这显著缩短蚀刻时间或在相同蚀刻时间内提高了蚀刻速率，尤其在层厚较大的情况下达到更大深度。
已经发现，氯化铁(III)、氯化铁(III)六水合物、和/或盐酸溶液，在＞50℃的温度，能在少数几秒～几分钟内完全刻蚀掉层厚为200nm的掺杂锡氧化物表面(ITO)。在100℃，蚀刻时间是约60秒。
为了制备按照本发明的无微粒介质，将溶剂、蚀刻成分、增稠剂、和添加剂相继彼此混合并搅拌足够的时间，直至形成一种有触变性能的粘性糊。搅拌的进行还可以加热到适当温度。各成分通常是在室温下彼此搅拌的。
按照本发明的可印刷蚀刻糊的较好使用缘于为在OLED显示器、TFT显示器或薄层太阳能电池的生产中构建施用于载体材料(玻璃或硅层)上的ITO而描述的各种方法。
如同已经提到的，该糊可以借助于分配器技术施用。在此，将该糊转移到一个塑料墨盒中。将一支分配器针旋到该墨盒上。该墨盒经由一条压缩空气软管连接到分配器控制器。然后，借助于压缩空气，迫使该糊通过该分配器针。在此，该糊可以作为一条细线施用到一种基材例如有ITO涂层的玻璃上。因该针的内径的选择而异，可以产生各种不同宽度的糊线。
糊施用的一种进一步可能性是丝网印刷。
为了将该糊施用到要处理的表面上，可以迫使该蚀刻糊通过一种含有印刷镂花模板(或刻蚀金属网板)的细目丝网。在一个进一步的步骤中，该糊的热补(burning in)可以用厚层技术丝网印刷法(导电金属糊的丝网印刷)进行，使得能测定电性能和机械性能。替而代之，当使用按照本发明的蚀刻糊时也可以省略热补(经由介电层烧成)，而且所施用的蚀刻糊可以在某一曝光时间之后用一种适当溶剂或溶剂混合物洗掉。该刻蚀作用是以洗涤告终的。
为了进行该刻蚀，制备了诸如实施例1中所述的蚀刻糊。使用这种类型的蚀刻糊，可以用丝网印刷法在120℃在60秒内选择性去除厚度约120nm的掺杂锡氧化物(ITO)层。随后，通过将该硅片浸入水中、然后借助于呈微细喷雾形式的水射流漂洗，完成该刻蚀。
以上和以下提到的所有申请、专利和出版物的全部公开内容，以及2005年7月4日提交的相应申请DE 10 2005 031 469.4，均列为本申请的参考文献。
4.实施例
为了更好地理解、也为了说明本发明，以下给出了属于本发明保护范围的实施例。这些实施例也用来说明可能的变种。然而，由于所述发明原理的普遍有效性，这些实施例不适用于使本申请的保护范围减少到这些实施例本身。
实施例中给出的温度总是以℃表示。进而，不言自明的是，在以上描述和以下实施例中，各成分的添加量都总是使该组合物中合计为100％。
实施例1
在搅拌下，将均质增调剂、20g氯化铁(III)组成的蚀刻糊添加到60g水、20g盐酸组成的溶剂混合物中。
然后，在剧烈搅拌下，向该溶液中分批徐徐添加4g Finnfix 700(羧甲基纤维素钠盐)，该混合物进一步搅拌30min。然后，将该透明糊转移到一个分配器墨盒中。然后，现在已经能使用的糊可以借助于该分配器施用到ITO表面上。
实施例2
在搅拌下，将均质增稠剂、20g氯化铁(III)组成的蚀刻糊添加到30g水、10g乙二醇、20g水、20g盐酸组成的溶剂混合物中。
然后，在剧烈搅拌下，向该溶液中分批徐徐添加4g Finnfix 2000，该混合物进一步搅拌30min。然后，将该透明糊转移到一个分配器墨盒中。然后，现在已经能使用的糊可以借助于该分配器施用到ITO表面上。
实施例3
在搅拌下，将均质增稠剂、20g氯化铁(III)组成的蚀刻糊添加到15g水、15g乳酸、10g乙二醇、20g水、20g盐酸组成的溶剂混合物中。
然后，在剧烈搅拌下，向该溶液中分批徐徐添加4g Finnfix 2000，该混合物进一步搅拌30min。然后，将该透明糊转移到一个分配器墨盒中。然后，现在已经能使用的糊可以借助于该分配器施用到ITO表面上。
应用例
对于通过分配和刻蚀的糊施用而言，使用下列参数：
施用速率XY台(JR2204)：100mm/s
分配器(EFD 1500XL)-工作压力：2-3bar
分配针内直径：230-260μm
刻蚀参数：120℃/1min(热板)
漂洗：30秒/超声波浴
干燥：使用压缩空气
玻璃上厚度为125nm的刻蚀ITO层的结果：
刻蚀线宽度为450～550μm。
Claims (39)
1. 氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为氧化表面蚀刻组合物中的蚀刻成分的用途，用于在选自盐酸、磷酸、硫酸、硝酸的无机酸和/或至少一种具有1-10个碳原子的直链或支化烷基、选自烷基羧酸、羟基羧酸或二羧酸的有机酸的存在下蚀刻氧化表面，所述组合物不含微粒并且在20℃的粘度在6-35 Pa·s范围内。
2. 按照权利要求1的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为氧化表面蚀刻组合物中的蚀刻成分的用途，该氧化表面包含SnO2或氧化锌或由SnO2或氧化锌组成。
3. 按照权利要求1的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为组合物中的蚀刻成分的用途，该组合物用于蚀刻除SnO2或氧化锌外还包含一种或多种掺杂成分的氧化透明导电层，或用于蚀刻均匀、均质、非多孔性或多孔性掺杂锡氧化物表面系统和这样的系统的可变厚度层。
4. 按照权利要求3的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为组合物中的蚀刻成分的用途，其中所述掺杂锡氧化物表面为ITO和/或FTO。
5. 按照权利要求3的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物的用途，其中存在选自甲酸、乙酸、乳酸和草酸的有机酸。
6. 按照权利要求1-5中一项或多项的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为糊状组合物中的蚀刻成分的用途，该组合物包含以总量为基准数量为0.5-25 wt%的均匀分散增稠剂。
7. 按照权利要求6的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为糊状组合物中的蚀刻成分的用途，该组合物包含选自如下的一种或多种均匀溶解增稠剂：纤维素/纤维素衍生物和/或淀粉/淀粉衍生物和/或黄原胶和/或聚乙烯基吡咯烷酮、基于丙烯酸酯或官能化乙烯基单元的聚合物。
8. 按照权利要求1的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为糊状组合物中的蚀刻成分的用途，该组合物在20℃的剪切速率高达25 s-1,粘度在10-25 Pa·s范围内。
9. 按照权利要求8的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为糊状组合物中的蚀刻成分的用途，该组合物在20℃的粘度在15-20 Pa·s范围内。
10. 按照权利要求1的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为糊状组合物中的蚀刻成分的用途，用于蚀刻呈均匀、均质、非多孔性和多孔性固体的形式的含SiO2或氮化硅玻璃，或用于蚀刻在其它基材上形成的可变厚度的相应非多孔性和多孔性玻璃层。
11. 按照权利要求1的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为糊状组合物中的蚀刻成分的用途，用于在半导体部件及其集成电路或高性能电子器件的部件的生产过程中打开掺杂锡氧化物表面层。
12. 按照权利要求11的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为糊状组合物中的蚀刻成分的用途，其中所述掺杂锡氧化物表面为ITO和/或FTO。
13. 按照权利要求1的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为糊状组合物中的蚀刻成分的用途，用于显示技术，用于光电器件、半导体技术、高性能电子器件、矿物学或玻璃工业，用于OLED照明、OLED显示器的生产，用于光二极管的生产，和用于平板屏幕应用ITO玻璃的构建。
14. 按照权利要求13的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为糊状组合物中的蚀刻成分的用途，其中所述显示技术为TFTs，平板屏幕应用为等离子体显示器。
15. 氧化层蚀刻组合物，包含
a) 氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物作为蚀刻成分，其量为总重量的2-20%，
b) 溶剂，
c) 任选地均匀溶解的有机增稠剂，其量为总重量的3-20%，
d) 任选地至少一种无机和/或有机酸，和任选地
e) 添加剂，所述添加剂选自防沫剂、触变剂、流动控制剂、脱气剂、粘合促进剂，而且
呈糊状、是可印刷的，
所述组合物不含微粒并且在20℃的粘度在6-35 Pa·s范围内。
16. 按照权利要求15的组合物，其特征在于它包含，以总量为基准，数量为5-15 wt%的蚀刻成分。
17. 按照权利要求15-16的组合物，其特征在于它包含选自盐酸、磷酸、硫酸、硝酸的无机酸，和/或至少一种具有1-10个碳原子的直链或支化烷基、选自烷基羧酸、羟基羧酸或二羧酸溶液的有机酸。
18. 按照权利要求17的组合物，其特征在于它包含选自甲酸、乙酸、乳酸和草酸的有机酸。
19. 按照权利要求15或16的组合物，其特征在于该有机酸和/或无机酸的比例，以该介质的总量为基准，在0-80 wt%的浓度范围内，其中所添加的酸或其混合物每一种的pKa值都在0-5之间。
20. 按照权利要求15或16的组合物，其特征在于它包含作为溶剂的水，选自甘油、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、1,5-戊二醇、2-乙基-1-己醇、乙二醇、二甘醇和二丙二醇的一元醇或多元醇，选自乙二醇一丁醚、三甘醇一甲醚、二甘醇一丁醚和二丙二醇一甲醚的醚，选自乙酸2-丁氧基-2-乙氧基乙酯、碳酸亚丙酯的酯，酮，这些单独或以混合物使用，以该介质的总量为基准，其数量为10-90 wt%。
21. 按照权利要求20的组合物，其中所述溶剂量为15-85 wt%。
22. 按照权利要求15或16的组合物，其特征在于它包含选自如下的一种或多种均匀溶解增稠剂：纤维素/纤维素衍生物和/或淀粉/淀粉衍生物和/或黄原胶和/或聚乙烯基吡咯烷酮、基于丙烯酸酯或官能化乙烯基单元的聚合物。
23. 按照权利要求22的组合物，其特征在于它包含以该蚀刻介质的总量为基准数量为0.5-25 wt%的均匀分散增稠剂。
24. 按照权利要求15或16的组合物，其特征在于它包含选自防沫剂、触变剂、流动控制剂、脱气剂和粘合促进剂的添加剂，以总量为基准，其数量为0-5 wt%。
25. 按照权利要求15或16的组合物，其特征在于它在20℃温度和25 s-1的剪切速率时的粘度在10-25 Pa·s范围内。
26. 按照权利要求15或16的组合物，其特征在于它在20℃温度和25 s-1的剪切速率时的粘度在15-20 Pa·s范围内。
27. 按照权利要求20的组合物，其中所述酮选自乙酰苯、甲基-2-己酮、2-辛酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮和1-甲基-2-吡咯烷酮。
28. 无机玻璃状结晶表面的蚀刻方法，其特征在于将按照权利要求15-24中一项或多项的组合物施用到整个面积上，或按照蚀刻结构掩膜选择性地只施用到该表面上希望蚀刻的区域上，其特征还在于当蚀刻完成时是用溶剂或溶剂混合物漂洗掉或通过加热烧掉的。
29. 按照权利要求28的方法，其特征在于将按照权利要求15-24中一项或多项的组合物施用到要蚀刻的表面上，并在10 s-15 min的曝光之后再次去除。
30. 按照权利要求29的方法，其中所述曝光时间为30 s-2 min。
31. 按照权利要求28-29的方法，其特征在于按照权利要求15-24中一项或多项的组合物是借助于分配器、或用丝网印刷法、镂花模板印刷法、轧染印刷法、模冲印刷法、喷墨印刷法、手工印刷法施用的。
32. 按照权利要求28或29的方法，其特征在于该蚀刻组合物是在蚀刻完成时用水漂洗掉的。
33. 按照权利要求28或29的方法，其特征在于该蚀刻是在30-330℃范围内的高温进行的。
34. 按照权利要求33的方法，其特征在于该蚀刻是在40-200℃范围内的高温进行的。
35. 按照权利要求33的方法，其特征在于该蚀刻是在50-120℃范围内的高温进行的。
36. 按照权利要求28或29的方法，其特征在于掺杂锡氧化物表面是在50-120℃范围内的高温以0.5-8 nm/s的蚀刻速率蚀刻的。
37. 按照权利要求36的方法，其中所述掺杂锡氧化物表面为ITO和/或FTO。
38. 按照权利要求36的方法，其中所述蚀刻速率为1-6 nm/s。
39. 按照权利要求36的方法，其中所述蚀刻速率为3-4 nm/s。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102005031469A DE102005031469A1 (de) | 2005-07-04 | 2005-07-04 | Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten |
| DE102005031469.4 | 2005-07-04 | ||
| PCT/EP2006/005460 WO2007003255A1 (de) | 2005-07-04 | 2006-06-08 | Medium zur ätzung von oxidischen transparent leitfähigen schichten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101208277A CN101208277A (zh) | 2008-06-25 |
| CN101208277B true CN101208277B (zh) | 2014-09-24 |
Family
ID=36888644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200680023243.0A Expired - Fee Related CN101208277B (zh) | 2005-07-04 | 2006-06-08 | 氧化物透明导电层的蚀刻介质 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080210660A1 (zh) |
| EP (1) | EP1899277A1 (zh) |
| JP (1) | JP5373394B2 (zh) |
| KR (1) | KR20080025757A (zh) |
| CN (1) | CN101208277B (zh) |
| DE (1) | DE102005031469A1 (zh) |
| HK (1) | HK1119652A1 (zh) |
| MY (1) | MY157618A (zh) |
| TW (1) | TWI391474B (zh) |
| WO (1) | WO2007003255A1 (zh) |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005035255A1 (de) * | 2005-07-25 | 2007-02-01 | Merck Patent Gmbh | Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige Schichten |
| DE102006051735A1 (de) * | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Merck Patent Gmbh | Druckfähiges Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten |
| EA201000138A1 (ru) * | 2007-07-04 | 2010-12-30 | Агк Флэт Гласс Юроп Са | Изделие из стекла |
| TW200939509A (en) * | 2007-11-19 | 2009-09-16 | Applied Materials Inc | Crystalline solar cell metallization methods |
| US7888168B2 (en) * | 2007-11-19 | 2011-02-15 | Applied Materials, Inc. | Solar cell contact formation process using a patterned etchant material |
| TWI390756B (zh) | 2008-07-16 | 2013-03-21 | Applied Materials Inc | 使用摻質層遮罩之混合異接面太陽能電池製造 |
| WO2010025262A2 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Applied Materials, Inc. | Back contact solar cells using printed dielectric barrier |
| JP5299648B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2013-09-25 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜のテクスチャー加工液及び凹凸を有する透明導電膜の製造方法 |
| WO2010093779A1 (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-19 | Optera, Inc. | Plastic capacitive touch screen and method of manufacturing same |
| WO2010111197A2 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Intermolecular, Inc. | Acid chemistries and methodologies for texturing transparent conductive oxide materials |
| EP2415849A4 (en) | 2009-03-30 | 2014-12-17 | Toray Industries | CONDUCTIVE FILM ELIMINATING AGENT AND METHOD FOR REMOVING CONDUCTIVE FILM |
| US8263427B2 (en) * | 2009-06-02 | 2012-09-11 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial screening of transparent conductive oxide materials for solar applications |
| CN101958361A (zh) * | 2009-07-13 | 2011-01-26 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 透光薄膜太阳电池组件刻蚀方法 |
| US8198125B2 (en) * | 2009-12-11 | 2012-06-12 | Du Pont Apollo Limited | Method of making monolithic photovoltaic module on flexible substrate |
| CN102108512B (zh) * | 2009-12-25 | 2013-09-18 | 比亚迪股份有限公司 | 一种金属化学蚀刻液及蚀刻方法 |
| TWI549900B (zh) | 2010-03-23 | 2016-09-21 | 坎畢歐科技公司 | 奈米結構透明導體之圖案化蝕刻 |
| JP5733304B2 (ja) | 2010-04-09 | 2015-06-10 | 東亞合成株式会社 | 導電性高分子エッチング用インク及び導電性高分子のパターニング方法 |
| WO2011157335A1 (en) * | 2010-06-14 | 2011-12-22 | Merck Patent Gmbh | Cross-linking and multi-phase etch pastes for high resolution feature patterning |
| JP2012043897A (ja) * | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Dnp Fine Chemicals Co Ltd | 導電膜用エッチング液およびエッチング方法 |
| WO2012083082A1 (en) | 2010-12-15 | 2012-06-21 | Sun Chemical Corporation | Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film |
| DE102011016881A1 (de) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Ätzlösung sowie Verfahren zur Strukturierung einer Zinkoxidschicht und Zinkoxidschicht |
| JPWO2012176905A1 (ja) | 2011-06-24 | 2015-02-23 | 株式会社クラレ | 導電膜形成方法、導電膜、絶縁化方法、及び絶縁膜 |
| EP2735216A1 (de) * | 2011-07-18 | 2014-05-28 | Merck Patent GmbH | Strukturierung von antistatischen und antireflektionsbeschichtungen und von entsprechenden stapelschichten |
| CN102569038A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-07-11 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 图形化衬底的制作方法 |
| CN104011882A (zh) | 2012-01-12 | 2014-08-27 | 应用材料公司 | 制造太阳能电池装置的方法 |
| KR20130084717A (ko) * | 2012-01-18 | 2013-07-26 | 솔브레인 주식회사 | 식각 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 |
| US9068267B2 (en) | 2012-03-13 | 2015-06-30 | Adeka Corporation | Etching liquid composition and etching method |
| WO2015168881A1 (zh) * | 2014-05-07 | 2015-11-12 | 佛山市中山大学研究院 | 一种用于氧化物材料体系的新型蚀刻液及其蚀刻方法和应用 |
| CN103980905B (zh) * | 2014-05-07 | 2017-04-05 | 佛山市中山大学研究院 | 一种用于氧化物材料体系的蚀刻液及其蚀刻方法和应用 |
| WO2016096083A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Merck Patent Gmbh | Agent for increasing etching rates |
| US10372246B2 (en) | 2015-07-16 | 2019-08-06 | Hailiang Wang | Transferable nanocomposites for touch sensors |
| US10294422B2 (en) | 2015-07-16 | 2019-05-21 | Hailiang Wang | Etching compositions for transparent conductive layers comprising silver nanowires |
| KR101922289B1 (ko) * | 2015-11-26 | 2018-11-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | Ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 유기막 연마방법 |
| JP2017216444A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | ナガセケムテックス株式会社 | エッチング液 |
| US9824893B1 (en) * | 2016-06-28 | 2017-11-21 | Lam Research Corporation | Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing |
| KR20180093798A (ko) | 2017-02-13 | 2018-08-22 | 램 리써치 코포레이션 | 에어 갭들을 생성하는 방법 |
| KR102383394B1 (ko) | 2017-09-22 | 2022-04-08 | 가부시키가이샤 가네카 | 패터닝 시트 및 에칭 구조물의 제조 방법 |
| CN107673627B (zh) * | 2017-11-01 | 2020-06-16 | 南京大学 | 一种多孔导电玻璃的制备方法 |
| CN110922971A (zh) * | 2018-09-20 | 2020-03-27 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种用于掺铝氧化锌薄膜的蚀刻液组合物 |
| JP7320085B2 (ja) | 2019-06-27 | 2023-08-02 | ラム リサーチ コーポレーション | 交互のエッチングプロセスおよび不動態化プロセス |
| US11964874B2 (en) * | 2020-06-09 | 2024-04-23 | Agilent Technologies, Inc. | Etched non-porous particles and method of producing thereof |
| CN112981403A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-06-18 | 苏州运宏电子有限公司 | 一种金属薄片表面细纹蚀刻工艺 |
| CN113969173B (zh) * | 2021-09-23 | 2022-05-13 | 易安爱富(武汉)科技有限公司 | 一种ITO/Ag/ITO复合金属层薄膜的蚀刻液 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1058051A (zh) * | 1990-07-10 | 1992-01-22 | 虞凌 | 一步法高速钢雕技术 |
| CN1088161A (zh) * | 1993-10-27 | 1994-06-22 | 高平 | 电子移印机专用钢模凹版蚀刻液 |
| US5457057A (en) * | 1994-06-28 | 1995-10-10 | United Solar Systems Corporation | Photovoltaic module fabrication process |
| US5688366A (en) * | 1994-04-28 | 1997-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Etching method, method of producing a semiconductor device, and etchant therefor |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63125683A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 酸化錫導電膜のエッチング方法 |
| JPH01147078A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Ricoh Co Ltd | 透明電極パターン形成用エッチングインキ組成物及びその使用方法 |
| JPH02135619A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-24 | Asahi Glass Co Ltd | ウエットエッチング方法 |
| JPH0342829A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | 透明導電膜のエッチャント |
| JPH03239377A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Canon Inc | 太陽電池モジュール |
| JP3173318B2 (ja) * | 1994-04-28 | 2001-06-04 | キヤノン株式会社 | エッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
| JP3057599B2 (ja) * | 1994-07-06 | 2000-06-26 | キヤノン株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
| JPH10110281A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-28 | Asahi Denka Kogyo Kk | 金属酸化物薄膜のエッチング方法 |
| JPH11117080A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-27 | Asahi Denka Kogyo Kk | 金属酸化物薄膜のエッチング方法 |
| WO2000011107A1 (en) * | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Ki Won Lee | Ito etching composition |
| JP2001307567A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板及びその製造方法 |
| KR100812891B1 (ko) * | 2000-04-28 | 2008-03-11 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 무기물 표면용 에칭 페이스트 |
| EP1187225B1 (en) * | 2000-09-08 | 2006-11-15 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Etching liquid composition |
| KR100442026B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-07-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐 틴 산화막의 식각용액 및 이를 이용한 식각방법 |
| DE10150040A1 (de) * | 2001-10-10 | 2003-04-17 | Merck Patent Gmbh | Kombinierte Ätz- und Dotiermedien |
| JP3791597B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2006-06-28 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 透明導電膜用エッチング剤組成物 |
-
2005
- 2005-07-04 DE DE102005031469A patent/DE102005031469A1/de not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-06-08 CN CN200680023243.0A patent/CN101208277B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-08 EP EP06754211A patent/EP1899277A1/de not_active Withdrawn
- 2006-06-08 JP JP2008518655A patent/JP5373394B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-08 WO PCT/EP2006/005460 patent/WO2007003255A1/de active Application Filing
- 2006-06-08 US US11/994,608 patent/US20080210660A1/en not_active Abandoned
- 2006-06-08 KR KR1020087003019A patent/KR20080025757A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-06-29 MY MYPI20063097A patent/MY157618A/en unknown
- 2006-07-04 TW TW095124352A patent/TWI391474B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-10-24 HK HK08111757.2A patent/HK1119652A1/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1058051A (zh) * | 1990-07-10 | 1992-01-22 | 虞凌 | 一步法高速钢雕技术 |
| CN1088161A (zh) * | 1993-10-27 | 1994-06-22 | 高平 | 电子移印机专用钢模凹版蚀刻液 |
| US5688366A (en) * | 1994-04-28 | 1997-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Etching method, method of producing a semiconductor device, and etchant therefor |
| US5457057A (en) * | 1994-06-28 | 1995-10-10 | United Solar Systems Corporation | Photovoltaic module fabrication process |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP特开平11－117080A 1999.04.27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2007003255A1 (de) | 2007-01-11 |
| TW200710206A (en) | 2007-03-16 |
| EP1899277A1 (de) | 2008-03-19 |
| HK1119652A1 (zh) | 2009-03-13 |
| WO2007003255A8 (de) | 2007-03-22 |
| JP5373394B2 (ja) | 2013-12-18 |
| MY157618A (en) | 2016-06-30 |
| DE102005031469A1 (de) | 2007-01-11 |
| US20080210660A1 (en) | 2008-09-04 |
| TWI391474B (zh) | 2013-04-01 |
| KR20080025757A (ko) | 2008-03-21 |
| JP2008547232A (ja) | 2008-12-25 |
| CN101208277A (zh) | 2008-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101208277B (zh) | 氧化物透明导电层的蚀刻介质 | |
| CN101223116B (zh) | 用于二氧化硅和氮化硅层的可印刷蚀刻介质 | |
| AU2004283127B2 (en) | Method for production of a film | |
| EP2587564A1 (en) | Selective etching of a matrix comprising silver nanowires or carbon nanotubes | |
| US20160293289A1 (en) | Method for structuring a transparent conductive matrix comprising nano materials | |
| CN101632136A (zh) | 凸版反转印刷用导电性油墨 | |
| KR20120003874A (ko) | 도전막 제거제 및 도전막 제거 방법 | |
| CN103443214B (zh) | 导电墨水组合物，使用该导电墨水组合物的印刷方法及由该导电墨水组合物制备的导电图案 | |
| CN102436094B (zh) | 液晶显示装置及其制作方法 | |
| JP2018048324A (ja) | 透明な導電性コーティングを調製するためのエマルション | |
| CN105593796A (zh) | 用于图案化的纳米线透明导体上的印刷导电图案的保护性涂层 | |
| US10214657B2 (en) | Silver-containing compositions containing cellulosic polymers | |
| CN101946023A (zh) | 制造导电轨迹的方法 | |
| EP3596545B1 (en) | Silver-containing compositions containing cellulosic polymers and uses | |
| US10870774B2 (en) | Silver-containing precursor and product articles containing cellulosic polymers | |
| KR20150033497A (ko) | 투명 도전층 형성용 조성물 및 이를 이용한 투명 도전체의 제조 방법 | |
| US20180258305A1 (en) | Method of forming silver nanoparticles using cellulosic polymers | |
| CN113773545B (zh) | 一种全柔性可印刷图形化的电极制备方法 | |
| Wang et al. | A simple printable etchant formulation for etching oxidic, transparent and conductive layers | |
| JP2008004586A (ja) | 導電回路パターンの形成方法 | |
| WO2015062068A1 (zh) | 一种形成导电功能图案的图形化方法与应用 | |
| US20060199110A1 (en) | Method of making an address plate | |
| JPWO2006046431A1 (ja) | 無機塗料組成物、導電性塗膜及び導電性塗膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| REG | Reference to a national code |
Ref country code: HK Ref legal event code: DE Ref document number: 1119652 Country of ref document: HK |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| REG | Reference to a national code |
Ref country code: HK Ref legal event code: GR Ref document number: 1119652 Country of ref document: HK |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140924 Termination date: 20180608 |