JP2012043897A - 導電膜用エッチング液およびエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来の蓚酸系エッチング液のような界面活性剤配合に伴う泡や蓚酸に由来する残渣の発生を生じることなく、界面活性剤を一切使用しなくても、濡れ性、泡切れ性が優れ、高精度で透明導電膜をエッチングすることができるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも蓚酸を主成分とする導電膜用エッチング剤(A)と、(B)群および(C)群から選ばれる少なくとも1種とを含有し、界面活性剤を一切含有しないことを特徴とする導電膜用エッチング液。
【選択図】なし
【解決手段】少なくとも蓚酸を主成分とする導電膜用エッチング剤(A)と、(B)群および(C)群から選ばれる少なくとも1種とを含有し、界面活性剤を一切含有しないことを特徴とする導電膜用エッチング液。
【選択図】なし
Description
本発明は、各種表示素子に用いられる透明導電膜をエッチングして導電膜パターンを製造するために使用される導電膜用エッチング液(以下、単に「エッチング液」という場合がある。)に関し、さらに詳しくは、界面活性剤を一切使用しなくても、濡れ性、および泡切れ性が優れており残渣の発生がなく透明導電膜を高精度でエッチングすることができるエッチング液およびエッチング方法に関する。
近年、液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセンスなどのフラットパネルディスプレイのタッチパネルが急速に普及してきている。上記表示装置上のタッチ入力電極として透明導電膜が用いられており、該透明導電膜としては、各種の被処理基板上への製膜性、生産性、表示性能などから酸化インジウム錫(ITO)を主成分とする透明導電膜が広く使用されている。
上記のタッチパネルの製造法としては、例えば、フォトリソ法により、上記表示素子に用いられる酸化インジウム錫(ITO)を主成分とする透明導電膜を、選択的にエッチングできる酸性エッチング液を用いてエッチングを行いパターン化して製造している。
上記酸性エッチング液の内で、蓚酸を主成分とするエッチング液が、その濃度が変化してもエッチング速度に及ぼす影響が少なく、また、Alなどの配線金属エッチングしないなどの利点から主に使用されている。
しかしながら、上記蓚酸を主成分とするエッチング液は、前記透明導電膜をエッチングした場合に、上記導電膜に対する濡れ性が充分でないために、エッチングむらを生じるなどして、高精度のエッチングができず、得られるタッチパネルの電気特性に悪影響を及ぼす。
上記エッチング液の導電膜に対する濡れ性を向上させるために、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、両性界面活性剤、非イオン界面活性剤、フッ素系界面活性剤などの各種界面活性剤を配合することが検討されているが、これら界面活性剤を配合したエッチング液は、その調製の際に、また該エッチング液を使用してエッチングの際に、エッチング液中に泡が発生し易い。上記泡は、エッチング後、エッチング残渣の原因になる。
前記蓚酸を主成分とするエッチング液に関しては、下記の特許文献1(透明導電膜のエッチング方法)、特許文献2(液晶表示装置の製造方法)、特許文献3(透明導電膜のエッチング液組成物)、特許文献4(透明導電膜のエッチング液組成物)、および特許文献5(導電膜用エッチング液組成物)などが開示されている。
上記特許文献1に開示のエッチング液は、蓚酸濃度の変動を抑制するために蓚酸の飽和水溶液を、また、特許文献2に開示のエッチング液は、Alソース・ドレイン電極パターンの溶出を防止するために蓚酸濃度が2.5〜30重量%の蓚酸水溶液をそれぞれ単体で使用している。
しかしながら、特許文献1および特許文献2に開示のエッチング液は、蓚酸水溶液単体のエッチング液であるために、導電膜に対する濡れ性が充分でなくエッチング後、残渣が残る危険性がある。また、特許文献1に開示のエッチング液は、蓚酸の飽和水溶液を用いるために、温度が低下すると蓚酸が析出し、その蓚酸濃度が変動して安定したエッチングができない。
また、特許文献3に開示のエッチング液は、蓚酸水溶液に界面活性剤であるドデシルベンゼンスルホン酸を配合し、導電膜に対する濡れ性を改良することにより残渣を生じにくくしている。
しかしながら、上記特許文献3に開示のエッチング液は、エッチング残渣の低減効果は充分ではなく、ITO膜への精密なエッチングができない。また、配合した上記界面活性剤は、エッチングの際にエッチング液中に泡を発生し、これらの泡がエッチング被着体に付着することによりエッチング不良が起こり、泡に伴うエッチング残渣が発生しやすい。
また、特許文献4に開示のエッチング液は、前記ドデシルベンゼンスルホン酸の代わりに蓚酸水溶液に界面活性剤であるポリオキシエチレンリン酸エステルを配合し、エッチング残渣の発生を抑制し、ITO膜への精密なエッチング性を向上させている。
しかしながら、上記ポリオキシエチレンリン酸エステルの界面活性剤を配合したエッチング液も、エッチングの際にエッチング液中に泡を発生し、これらの泡がエッチング被着体に付着することによりエッチング不良が起こり、泡に伴うエッチング残渣が発生する。
また、特許文献5に開示のエッチング液は、前記界面活性剤の代わりに、蓚酸水溶液にパーフルオロアルキルエチレンオキシドおよび/またはパーフルオロアルケニルエチレンオキシドを主成分とするフッ素系界面活性剤を配合しエッチング残渣の発生を抑えている。
しかしながら、上記特許文献5に開示のエッチング液は、エッチング液中に発生する泡を消滅させる消泡時間がかなり長いために充分な消泡効果が得られず、泡によるエッチング不良を完全に解消することができないために、高精度のエッチングを阻害する。また、上記フッ素系界面活性剤は、その濃度が0.01〜0.1質量%を超えると、エッチング液の発泡が著しくなるために、得られる透明導電膜パターンに欠陥を誘引する。さらに、その残留物は環境上好ましくない。
上述のことから、界面活性剤配合に伴う弊害を全くなくし、高精度のエッチングができる透明導電膜用の蓚酸系エッチング液が要望されている。
従って、本発明の目的は、従来の蓚酸系エッチング液のような界面活性剤配合に伴う泡や蓚酸に由来する残渣の発生を生じることなく、界面活性剤を一切使用しなくても、濡れ性、および泡切れ性が優れ、高精度で透明導電膜をエッチングすることができるエッチング液およびエッチング方法を提供することである。
本発明者は、前記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、界面活性剤を一切使用しないで、下記の(B)群および(C)群から選ばれる少なくとも1種の化合物を含有した蓚酸系エッチング液とすることにより、エッチング液に濡れ性および泡切れ性を付与して、残渣を生じることなく経済的に高精度で透明導電膜をエッチングすることができることを見出した。
上記の目的は、以下の本発明により達成される。すなわち、本発明は、少なくとも蓚酸を主成分とする導電膜用エッチング剤(A)と、下記の(B)群および(C)群から選ばれる少なくとも1種とを含有し、界面活性剤を一切含有しないことを特徴とする導電膜用エッチング液を提供する。
(B)群;下記一般式(1)で表される分子内にエーテル基と1個の水酸基を有する化合物、
R1(OR2)nOH (1)
(上記式(1)において、R1は炭素数が1〜6のアルキル基、またはフェニル基を、また、R2は、炭素数が2〜6のアルキレン基を、nは、1〜4の整数を表す。)
(C)群;下記一般式(2)で表される化合物、下記一般式(3)で表される化合物、下記一般式(4)で表される化合物、および下記一般式(5)で表される化合物、
R3CH2OH (2)
(上記式(2)のR3は、炭素数が1〜6のアルキル基、またはフェニル基を、また、上記式(3)のR4およびR5は、炭素数が1〜5のアルキル基を、また、上記式(4)のR6、R7、およびR8は、炭素数が1〜4のアルキル基を表す。)
R9OH (5)
(上記式(5)において、R9は、炭素数が3〜6の脂環式炭化水素基、または、その水素原子をアルキル基に置き換えた脂環式炭化水素基誘導体を表す。)
(B)群;下記一般式(1)で表される分子内にエーテル基と1個の水酸基を有する化合物、
R1(OR2)nOH (1)
(上記式(1)において、R1は炭素数が1〜6のアルキル基、またはフェニル基を、また、R2は、炭素数が2〜6のアルキレン基を、nは、1〜4の整数を表す。)
(C)群;下記一般式(2)で表される化合物、下記一般式(3)で表される化合物、下記一般式(4)で表される化合物、および下記一般式(5)で表される化合物、
R3CH2OH (2)
(上記式(2)のR3は、炭素数が1〜6のアルキル基、またはフェニル基を、また、上記式(3)のR4およびR5は、炭素数が1〜5のアルキル基を、また、上記式(4)のR6、R7、およびR8は、炭素数が1〜4のアルキル基を表す。)
R9OH (5)
(上記式(5)において、R9は、炭素数が3〜6の脂環式炭化水素基、または、その水素原子をアルキル基に置き換えた脂環式炭化水素基誘導体を表す。)
また、本発明の好ましい実施形態としては、下記のことが挙げられる。前記(B)群が、1,3−ブタンジオール−3−メチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルから選ばれる少なくとも1種であること、前記(C)群が、エチルアルコール、iso−プロピルアルコール、n−ブチルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、2,2−ジメチル−1−プロパノール、2−ペンタノール、シクロヘキサノール、およびベンジルアルコールから選ばれる少なくとも1種であること、前記(B)群および(C)群から選ばれる少なくとも1種の濃度が、1質量%〜50質量%であること、蓚酸の濃度が、0.5質量%〜10質量%であること、表面張力が、20〜40mN/mであること、および前記導電膜が、酸化インジウム錫膜、および酸化インジウム亜鉛膜であること、である。
また、本発明は、前記エッチング液を使用して、被処理基板上に形成された導電膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法を提供する。
本発明のエッチング液は、従来の蓚酸系エッチング液に比べて、界面活性剤を一切使用しないために、界面活性剤の配合に伴う泡や蓚酸に由来する残渣の発生がなく透明導電膜を高精度でエッチングすることができることから、さらに電気特性の良好なタッチパネル用などの透明導電膜パターンを製造するのに有効である。
次に発明を実施するための好ましい実施の形態を挙げて、本発明をさらに詳しく説明する。本発明のエッチング液は、得られるエッチング液に濡れ性、および泡切れ性を付与して残渣を生じることなく高精度でエッチングするために前記導電膜用エッチング剤(A)に、(B)群および(C)群から選ばれる少なくとも1種の化合物を含有する。すなわち、上記導電膜用エッチング剤(A)に、(B)群の化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物、または(C)群の化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物をそれぞれ単独、あるいは上記(B)群の化合物と(C)群の化合物とを併用(混合)したものを含有することができる。
本発明を主として特徴づける上記(B)群は、下記一般式(1)で表される分子内にエーテル基と1個の水酸基を有する化合物である。上記化合物は単体でもあるいは2種以上を混合して使用することができる。
R1(OR2)nOH (1)
(上記式(1)において、R1は炭素数が1〜6のアルキル基、またはフェニル基を、また、R2は、炭素数が2〜6のアルキレン基を、nは、1〜4の整数を表す。)
R1(OR2)nOH (1)
(上記式(1)において、R1は炭素数が1〜6のアルキル基、またはフェニル基を、また、R2は、炭素数が2〜6のアルキレン基を、nは、1〜4の整数を表す。)
上記化合物は、前記一般式(1)に示されるようにそれらを構成するR1は炭素数が1〜6であるCH3−、C2H5−、C3H7−、C4H9−、C5H11−、C6H13−などのアルキル基であり、また、R2は炭素数が2〜6であるエチレン、プロピレン、ポリメチレンなどのアルキレン基であり、nは1〜4の整数である化合物など、好ましくはR1の炭素数が1〜4のアルキル基と、R2の炭素数が2〜3のアルキレン基と、nが1〜4である化合物が挙げられる。上記化合物は、単独でも、あるいは2種以上を混合して使用することができる。
前記一般式(1)の(B)群の化合物は、そのR1およびR2の炭素数が多くなり過ぎると得られるエッチング液中における溶解性が著しく低下し、得られるエッチング液に濡れ性、および泡切れ性を付与するのが困難になる。
上記(B)群の化合物としては、前記一般式(1)で表されるモノエーテル、ジエーテル、トリエーテル、テトラエーテルなどのグリコールエーテル類が挙げられ、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、および1,3−ブタンジオール−3−メチルエーテルなど、好ましくは1,3−ブタンジオール−3−メチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルから選ばれる少なくとも1種が挙げられる。
また、本発明を主として特徴づける前記(C)群は、下記一般式(2)、(3)、(4)、および(5)で表される化合物である。上記化合物は単独でも、あるいは2種以上を混合して使用することができる。
R3CH2OH (2)
(上記式(2)のR3は、炭素数が1〜6のアルキル基、またはフェニル基を、また、上記式(3)のR4およびR5は、炭素数が1〜5のアルキル基を、また、上記式(4)のR6、R7、およびR8は、炭素数が1〜4のアルキル基を表す。)
R9OH (5)
(上記式(5)において、R9は、炭素数が3〜6の脂環式炭化水素基、または、その水素原子をアルキル基に置き換えた脂環式炭化水素基誘導体を表す。)
R3CH2OH (2)
(上記式(2)のR3は、炭素数が1〜6のアルキル基、またはフェニル基を、また、上記式(3)のR4およびR5は、炭素数が1〜5のアルキル基を、また、上記式(4)のR6、R7、およびR8は、炭素数が1〜4のアルキル基を表す。)
R9OH (5)
(上記式(5)において、R9は、炭素数が3〜6の脂環式炭化水素基、または、その水素原子をアルキル基に置き換えた脂環式炭化水素基誘導体を表す。)
上記一般式(2)、(3)、および(4)で表される(C)群の化合物は、それらを構成するR3、R4、R5、R6、R7、およびR8の炭素数が前記の炭素数であるアルキル基を有する化合物、およびR3がフェニル基を有する化合物である。上記化合物は、上記一般式で表される水酸基1個を有する第一アルコール類、第二アルコール類、および第三アルコール類などの一価アルコール類などが挙げられる。上記化合物は、単独でも、あるいは、2種以上を混合して使用することができる。
また、上記一般式(5)で表される(C)群の化合物は、化合物を構成するR9の炭素数が3〜6の脂環式炭化水素基(脂環式炭化水素基誘導体も含む)を有する化合物である。上記化合物は、上記一般式で表される水酸基1個を有する脂環式一価アルコール類が挙げられる。
上記(C)群の化合物は、それらを構成するR3、R4、R5、R6、R7、R8、およびR9の炭素数が多くなり過ぎると得られるエッチング液中における溶解性が著しく低下し、得られるエッチング液の濡れ性、および泡切れ性が低下して残渣が残りやすくなる。
前記(C)群の化合物としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、iso−プロピルアルコール、n−ブチルアルコール、iso−ブチルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、n−アミルアルコール、iso−アミルアルコール、sec−アミルアルコール(2−ペンタノール)、tert−アミルアルコール、メチルアミルアルコール、n−ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール、3−ペンタノール、2,2−ジメチル−1−プロパノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコールなど、好ましくはエチルアルコール、iso−プロピルアルコール、n−ブチルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、2,2−ジメチル−1−プロパノール、2−ペンタノール、シクロヘキサノール、およびベンジルアルコールから選ばれる少なくとも1種が挙げられる。
前記(B)群および(C)群から選ばれる少なくとも1種の濃度は、得られるエッチング液中において、好ましくは1質量%〜50質量%である。上記濃度が高過ぎても、得られるエッチング液の濡れ性および泡切れ性のさらなる効果が得られない。一方、上記濃度が低過ぎると、得られるエッチング液の濡れ性および泡切れ性が低下し、また、蓚酸に由来するエッチング残渣が発現し易くなる。
また、前記(B)群、および(C)群の化合物と併用する導電膜用エッチング剤(A)は、蓚酸を単独でも、あるいは、蓚酸を主成分として、ITOなどの透明導電膜をエッチングできるその他公知の酢酸などのエッチング剤と併用することができ、好ましくは蓚酸単独がよい。上記蓚酸濃度は、得られるエッチング液中、好ましくは0.5質量%〜10質量%である。上記蓚酸濃度が上記上限を超えると、常温でエッチング液より蓚酸が析出し、また、エッチング装置に析出物の沈着が起きる。一方、上記蓚酸濃度が上記下限未満であると、エッチング速度が不充分で、かつ不安定となる。
本発明のエッチング液は、前記導電膜用エッチング剤(A)と、前記(B)群および(C)群から選ばれる少なくとも1種の化合物とを水中に溶解し、好ましくは各々の成分が前記濃度範囲になるように配合し公知の方法で均一に混合溶解して調製する。
また、本発明のエッチング液の調製に使用される上記水としては、好ましくはイオン交換水、蒸留水、およびRO水(逆浸透膜処理水)から選ばれる少なくとも1種の水が挙げられる。上記水は、一般の水道水、硬水などに比べて、金属イオン類が除去されているので電気特性が要求される透明導電膜のタッチパネルを製造するのに適している。
本発明のエッチング液は、その表面張力が20mN/m〜40mN/m、好ましくは20mN/m〜30mN/mである。上記表面張力が上記上限を超えると、導電膜および導電膜上に形成されたパターン状のエッチングマスクに対するエッチング液の湿潤濡れ性が劣り、高精度のエッチングが行えない。なお、本発明における表面張力は、エレクトロ平衡式法(白金板吊下げ法)による25℃条件下にて測定した値である。
本発明のエッチングの対象となる前記導電膜としては、液晶ディスプレイやELなどの表示素子に用いられる透明導電膜、例えば、非晶質酸化インジウム錫などの酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化錫、酸化亜鉛などからなる透明導電膜など、好ましくは酸化インジウム錫膜(ITO膜)、および酸化インジウム亜鉛膜(IZO膜)などの透明導電膜が挙げられる。上記の透明導電膜は、単体、もしくは、複合体として使用することができる。
上記導電膜は、被処理基板上に、蒸着法、スパッタリング法など公知の方法により、酸化インジウム錫、あるいは酸化インジウム亜鉛などの透明導電膜用の材料を100nm〜200nmの厚みに形成したものである。
上記被処理基板としては、例えば、液晶ディスプレイ用のアルカリガラス、ソーダライムガラス、フロートガラスなどのガラス基板、シリコーン基板、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、ポリメタアクリル、ポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチック基板、Siウエハなどが挙げられる。また、上記被処理基板は、必要に応じて透明導電膜を製膜する前に、SiN膜などの絶縁膜の処理をすることができる。上記被処理基板の形態としては、透明あるいは不透明の板状、シート状、およびフィルム状など、好ましくは透明のものが使用される。
本発明のエッチング液を使用して、上記被処理基板上の導電膜をエッチングするエッチング方法について説明する。上記エッチング方法としてはフォトリソグラフィを用いて、例えば、上記被処理基板に形成された前記透明導電膜上に公知のポジ型感光性樹脂組成物を0.5μm〜1.2μm(乾燥厚み)に塗布し感光性樹脂の塗膜を形成する。
上記のポジ型感光性樹脂組成物としては、透明導電膜用に使用される公知のポジ型感光性樹脂組成物であればいずれのものも使用することができ、例えば、AZエレクトロニックマテリアルズ社製のAZ−TFP−210K、あるいはロームアンドハース社製のマイクロポジットSC−500などのポジ型感光性樹脂組成物が挙げられる。
前記透明導電膜上に形成された感光性樹脂の塗膜をタッチパネル回路などの所望のフォトマスクパターンを介して、紫外線、あるいはレーザー光線などの活性エネルギーにより露光描画する。
露光描画後、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、炭酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウムなどの公知のアルカリ現像水溶液を使用してスプレー法あるいは浸漬法などの公知の現像方法により現像を行い、エッチングマスクを形成する。必要に応じて、得られたエッチングマスクをベーキング硬化する。
上記エッチングマスクを、本発明のエッチング液を使用して、20〜30℃にてエッチング液を撹拌しながら50〜70秒間浸漬エッチング、あるいはスプレーエッチングし、エッチングマスクで覆われていない透明導電膜をエッチング溶解除去して被処理基板を露出させる。
上記エッチング終了後、直ちにエッチングマスクおよびパターン化された透明導電膜に付着する不要となったエッチング液を純水を用いて洗浄し、洗浄後、上記エッチングマスクが剥離できる公知のアルカリ性剥離液を使用してエッチングマスクを除去し、さらに純水を用いてさらに水洗してパターン化された透明導電膜を露出させ、タッチパネルなどの液晶ディスプレイやELなどの表示素子に用いられるパターン化された透明導電膜を得る。
次に実施例および比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。文中「部」または「%」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。なお、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
[実施例1〜18](エッチング液F1〜F18)
蓚酸、(B)群の化合物、(C)群の化合物、およびイオン交換水を用いて、表1のように各々の成分を配合し、均一に撹拌混合して本発明のエッチング液F1〜F18を調製した。
なお、上記(B)群の化合物、および(C)群の化合物は下記の通りである。
・(B)群の化合物
B1:1,3−ブタンジオール−3−メチルエーテル
B2:エチレングリコールモノブチルエーテル
B3:ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
B4:プロピレングリコールモノブチルエーテル
B5:プロピレングリコールモノメチルエーテル
・(C)群の化合物
C1:エチルアルコール
C2:iso−プロピルアルコール
C3:n−ブチルアルコール
C4:sec−ブチルアルコール
C5:tert−ブチルアルコール
C6:2,2−ジメチル−1−プロパノール
C7:2−ペンタノール
C8:シクロヘキサノール
C9:ベンジルアルコール
蓚酸、(B)群の化合物、(C)群の化合物、およびイオン交換水を用いて、表1のように各々の成分を配合し、均一に撹拌混合して本発明のエッチング液F1〜F18を調製した。
なお、上記(B)群の化合物、および(C)群の化合物は下記の通りである。
・(B)群の化合物
B1:1,3−ブタンジオール−3−メチルエーテル
B2:エチレングリコールモノブチルエーテル
B3:ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
B4:プロピレングリコールモノブチルエーテル
B5:プロピレングリコールモノメチルエーテル
・(C)群の化合物
C1:エチルアルコール
C2:iso−プロピルアルコール
C3:n−ブチルアルコール
C4:sec−ブチルアルコール
C5:tert−ブチルアルコール
C6:2,2−ジメチル−1−プロパノール
C7:2−ペンタノール
C8:シクロヘキサノール
C9:ベンジルアルコール
[比較例1〜14](エッチング液G0〜G13)
蓚酸と、前記(B)群および前記(C)群の化合物以外の化合物(D)と、イオン交換水とを用いて表2のように各々の成分を配合し、均一に撹拌混合してエッチング液G0〜G13を調製した。
蓚酸と、前記(B)群および前記(C)群の化合物以外の化合物(D)と、イオン交換水とを用いて表2のように各々の成分を配合し、均一に撹拌混合してエッチング液G0〜G13を調製した。
上記化合物(D)は、下記の通りである。
・化合物(D):
D1:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
D2:ジプロピレングリコールジメチルエーテル
D3:γ−ブチロラクトン
D4:ペンタエリスリトール
D5:ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
D6:1,3−ブチレングリコールジアセテート
D7:プロピレングリコールジアセテート
D8:エチレングリコール
D9:ジエチレングリコール
D10:1,4−ブタンジオール
D11:ダイアセトンアルコール
D12:グリセリン
D13:1,4−ジオキサン
・化合物(D):
D1:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
D2:ジプロピレングリコールジメチルエーテル
D3:γ−ブチロラクトン
D4:ペンタエリスリトール
D5:ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
D6:1,3−ブチレングリコールジアセテート
D7:プロピレングリコールジアセテート
D8:エチレングリコール
D9:ジエチレングリコール
D10:1,4−ブタンジオール
D11:ダイアセトンアルコール
D12:グリセリン
D13:1,4−ジオキサン
[比較例15〜16](エッチング液G14〜G15)
蓚酸と、界面活性剤(E)と、イオン交換水とを用いて表2のように各々の成分を配合し、均一に撹拌混合してエッチング液G14〜G15を調製した。なお、上記界面活性剤(E)は、下記の通りである。
・界面活性剤(E)
E1:ドデシルベンゼンスルホン酸
E2:フッ素系界面活性剤(α−ペルフルオロノネニルオキシ−ω−メチルポリエチレンオキシド)
蓚酸と、界面活性剤(E)と、イオン交換水とを用いて表2のように各々の成分を配合し、均一に撹拌混合してエッチング液G14〜G15を調製した。なお、上記界面活性剤(E)は、下記の通りである。
・界面活性剤(E)
E1:ドデシルベンゼンスルホン酸
E2:フッ素系界面活性剤(α−ペルフルオロノネニルオキシ−ω−メチルポリエチレンオキシド)
前記の実施例および比較例の各々のエッチング液を使用し、それらのエッチング液の泡切れ性、濡れ性、および、エッチング後のエッチング残渣の有無を下記の方法で測定し評価した。上記評価結果を表3および表4に示す。
(泡切れ性)
前記で得られた各々のエッチング液を、50mlのスクリューバイアルに20ml入れ、50回振とうして起泡させ、液面最上部に発生した泡の消滅時間を目視にて測定した。上記泡の消滅時間は、その時間が短いほど泡切れ性が優れていることを示す。
前記で得られた各々のエッチング液を、50mlのスクリューバイアルに20ml入れ、50回振とうして起泡させ、液面最上部に発生した泡の消滅時間を目視にて測定した。上記泡の消滅時間は、その時間が短いほど泡切れ性が優れていることを示す。
(濡れ性)
前記で得られた各々のエッチング液を使用し、表面張力測定法のエレクトロ平衡式法(白金板吊下げ法)により25℃の条件下で、ITO膜に対する表面張力を測定し濡れ性を判定した。上記表面張力測定結果から、その値が小さいほど濡れ性が優れており、一方、その値が大きいほど濡れ性が良くないことを示す。
前記で得られた各々のエッチング液を使用し、表面張力測定法のエレクトロ平衡式法(白金板吊下げ法)により25℃の条件下で、ITO膜に対する表面張力を測定し濡れ性を判定した。上記表面張力測定結果から、その値が小さいほど濡れ性が優れており、一方、その値が大きいほど濡れ性が良くないことを示す。
(残渣)
前記で得られた各々のエッチング液を用いて、エッチングされた下記試料のエッチング後のITO膜残渣の有無を株式会社日立ハイテクノロジーズ社製、電解放出型走査型電子顕微鏡(FE−SEM S−4800)を用いて1万倍の倍率で観察し、設計図面通りにエッチングされずにPET上に残ったITO膜残渣を下記により評価した。
○:ITO膜残渣が、全く無し。
△:ITO膜残渣が、わずかに有り。
×:ITO膜残渣が、かなり有り。
前記で得られた各々のエッチング液を用いて、エッチングされた下記試料のエッチング後のITO膜残渣の有無を株式会社日立ハイテクノロジーズ社製、電解放出型走査型電子顕微鏡(FE−SEM S−4800)を用いて1万倍の倍率で観察し、設計図面通りにエッチングされずにPET上に残ったITO膜残渣を下記により評価した。
○:ITO膜残渣が、全く無し。
△:ITO膜残渣が、わずかに有り。
×:ITO膜残渣が、かなり有り。
[試料]
上記試料は、下記により作成した。
80μm厚のポリエステルフィルムの片面にスパッタリングにて150μmのITO膜を形成し、該ITO膜上にポジ型レジスト(ロームアンドハース社製、マイクロポジットSC−500)を1μm(乾燥厚み)塗布し、乾燥後、塗布面をタッチパネル用のフォトマスクパターンを介して超高圧水銀灯により露光描画し、露光後、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液によりスプレー現像しエッチングマスクを形成した。次に、上記エッチングマスクが形成されたITO膜を25℃に調整された前記各々のエッチング液中に浸漬してジャストタイムにてエッチングを行いエッチングマスクで覆われていないITO膜をエッチングし、エッチング後、直ちに純水にて洗浄し、次に、エッチングマスクを公知のアルカリ性剥離液を用いて除去、および純水にて水洗して試料を作成した。
上記試料は、下記により作成した。
80μm厚のポリエステルフィルムの片面にスパッタリングにて150μmのITO膜を形成し、該ITO膜上にポジ型レジスト(ロームアンドハース社製、マイクロポジットSC−500)を1μm(乾燥厚み)塗布し、乾燥後、塗布面をタッチパネル用のフォトマスクパターンを介して超高圧水銀灯により露光描画し、露光後、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液によりスプレー現像しエッチングマスクを形成した。次に、上記エッチングマスクが形成されたITO膜を25℃に調整された前記各々のエッチング液中に浸漬してジャストタイムにてエッチングを行いエッチングマスクで覆われていないITO膜をエッチングし、エッチング後、直ちに純水にて洗浄し、次に、エッチングマスクを公知のアルカリ性剥離液を用いて除去、および純水にて水洗して試料を作成した。
上記評価結果より、本発明のエッチング液は、界面活性剤を一切使用しなくても、エッチングの際の濡れ性、および泡切れ性が優れており、残渣を生じることなく透明導電膜をエッチングできることが実証された。とくに、従来の蓚酸系エッチング液のような界面活性剤の配合に伴う泡や蓚酸に由来する残渣の発生を排除するのに有効であった。
上述のように、本発明のエッチング液を使用することにより、従来の蓚酸系エッチング液に比べて、電気特性に悪影響を与える残渣の発生をさらに抑え、高精度で透明導電膜をエッチングできることから、ITO膜あるいはIZO膜からなるタッチパネルなどの製造に有効に使用することができる。
Claims (8)
- 少なくとも蓚酸を主成分とする導電膜用エッチング剤(A)と、下記の(B)群および(C)群から選ばれる少なくとも1種とを含有し、界面活性剤を一切含有しないことを特徴とする導電膜用エッチング液。
(B)群;下記一般式(1)で表される分子内にエーテル基と1個の水酸基を有する化合物、
R1(OR2)nOH (1)
(上記式(1)において、R1は炭素数が1〜6のアルキル基、またはフェニル基を、また、R2は、炭素数が2〜6のアルキレン基、nは、1〜4の整数を表す。)
(C)群;下記一般式(2)で表される化合物、下記一般式(3)で表される化合物、下記一般式(4)で表される化合物、および下記一般式(5)で表される化合物、
R3CH2OH (2)
(上記式(2)のR3は、炭素数が1〜6のアルキル基、またはフェニル基を、また、上記式(3)のR4およびR5は、炭素数が1〜5のアルキル基を、また、上記式(4)のR6、R7、およびR8は、炭素数が1〜4のアルキル基を表す。)
R9OH (5)
(上記式(5)において、R9は、炭素数が3〜6の脂環式炭化水素基、または、その水素原子をアルキル基に置き換えた脂環式炭化水素基誘導体を表す。) - 前記(B)群が、1,3−ブタンジオール−3−メチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルから選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の導電膜用エッチング液。
- 前記(C)群が、エチルアルコール、iso−プロピルアルコール、n−ブチルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、2,2−ジメチル−1−プロパノール、2−ペンタノール、シクロヘキサノール、およびベンジルアルコールから選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の導電膜用エッチング液。
- 前記(B)群および(C)群から選ばれる少なくとも1種の濃度が、1質量%〜50質量%である請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電膜用エッチング液。
- 蓚酸の濃度が、0.5質量%〜10質量%である請求項1に記載の導電膜用エッチング液。
- 表面張力が、20〜40mN/mである請求項1〜5のいずれか1項に記載の導電膜用エッチング液。
- 前記導電膜が、酸化インジウム錫膜、および酸化インジウム亜鉛膜である請求項1に記載の導電膜用エッチング液。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載のエッチング液を使用して、被処理基板上に形成された導電膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
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JPH0448631A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Fujitsu Ltd | 透明導電膜のエッチング方法 |
JPH0848560A (ja) * | 1993-11-25 | 1996-02-20 | Tosoh Corp | セラミックス微小成形球体及びセラミックス微小球体の製造方法 |
JP2008547232A (ja) * | 2005-07-04 | 2008-12-25 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物透明導電層のエッチング用の媒体 |
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-
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- 2010-08-17 JP JP2010182426A patent/JP2012043897A/ja active Pending
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