JP2006023734A - フォトレジスト組成物及びこれを利用する液晶表示装置又は半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明によるフォトレジスト組成物は、a)ノボラック樹脂、b)ジアジド系化合物、及びc)プロピレングリコールメチルエーテルアセテート及びトリメチルペンタンジオールモノイソブチレートを含有する溶媒を含む。また、これを利用する液晶表示装置または半導体素子の製造方法を提供する。
Description
したがって、塗布均一性、塗布染み特性、感光速度、残膜率、現像コントラスト、解像度、高分子樹脂の溶解性、基板との接着力、回路線幅均一性などのようなフォトレジスト組成物の好ましい特性のいずれの特性も損なわずにそれぞれの工程に適したフォトレジスト組成物に対する要求は続いている。
また、本発明は前記フォトレジスト組成物を利用する液晶表示装置または半導体素子の製造方法を提供する。
本発明のフォトレジスト組成物は、a)ノボラック樹脂、b)ジアジド系化合物、及びc)プロピレングリコールメチルエーテルアセテート及びトリメチルペンタンジオールモノイソブチレートを含有する溶媒を含む。
また、本発明に使用される前記b)のジアジド系化合物は感光性化合物として使用される。前記ジアジド系化合物は、ポリヒドロキシベンゾフェノンと1,2−ナフトキノンジアジド、2−ジアゾ−1−ナフトール−5−スルホン酸などのジアジド系化合物とを反応させて製造することができる。
また、本発明のフォトレジスト組成物は、前記c)のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)及びトリメチルペンタンジオールモノイソブチレート(TMPMB)を含有する溶媒を含む。
また、本発明に使用される溶媒のうちのPGMEAはエチルラクテート(EL)、メチルメトキシプロピオネート(MMP)及びプロピレングリコールメチルエーテル(PGME)などの1種以上と混合して使用することもできる。この際、PGMEAの含量が少なくとも50重量%以上であることが、塗布均一性と染み防止面で好ましい。
前記のような成分からなる本発明の液晶表示装置回路用フォトレジスト組成物は、必要に応じて通常の着色剤、染料、擦痕防止剤、可塑剤、接着促進剤、速度増進剤または界面活性剤などの添加剤を通常添加剤として使用される含量によってさらに含んで基板に被覆することにより個別工程の特性による性能向上を図ることができる。
また、本発明は前記フォトレジスト組成物を利用する液晶表示装置または半導体素子の製造方法を提供し、フォトレジスト組成物を利用して液晶表示装置または半導体素子を製造する通常の方法に前記本発明のフォトレジスト組成物を使用することを特徴とする。
まず、本発明のフォトレジスト組成物をスリット塗布方法で基板に塗布する。この時、フォトレジスト溶液の固体含量は、スリット塗布装置の種類と方法によって適宜調整することができ、所望の厚さの被覆物を形成することができる。
次いで、20〜130℃の温度で加熱するソフトベーク工程を実施することができる。この熱処理は、液晶表示装置回路用フォトレジスト組成物のうちの固体成分を熱分解させず、溶媒を蒸発させるために実施する。一般に、ソフトベーク工程によって溶媒量を最少化することが好ましく、したがって、この熱処理は大部分の溶媒を蒸発させる。2μm以下の厚さの液晶表示装置回路用フォトレジスト組成物の薄い被覆膜が基板に残るまで熱処理を行うことが好ましい。
ノボラック樹脂としてメタクレゾール:パラクレゾールの重量比が4:6であるノボラック樹脂20g、感光性化合物として2,3,4,4−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホネート4g、及び溶媒としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)60gとトリメチルペンタンジオールモノイソブチレート(TMPMB)16gを均一に混合してフォトレジスト組成物を製造した。
実施例1において、表1に示した成分及び組成比で使用したことを除いては実施例1と同様の方法でフォトレジスト組成物を製造した。
厚さ均一度=(最大厚さ−最小厚さ)/(最大厚さ+最小厚さ)×100
Claims (10)
- a)ノボラック樹脂と、
b)ジアジド系化合物と、
c)プロピレングリコールメチルエーテルアセテート及びトリメチルペンタンジオールモノイソブチレートを含有する溶媒とを含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。 - a)ノボラック樹脂5〜30重量%と、
b)ジアジド系化合物2〜10重量%と、
c)プロピレングリコールメチルエーテルアセテート及びトリメチルペンタンジオールモノイソブチレートを含有する溶媒60〜90重量%とを含む請求項1に記載のフォトレジスト組成物。 - 前記c)の溶媒がプロピレングリコールメチルエーテルアセテート:トリメチルペンタンジオールモノイソブチレートを60〜95重量部:5〜40重量部の比率で混合される請求項1又は2に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記c)の溶媒がプロピレングリコールメチルエーテルアセテート:トリメチルペンタンジオールモノイソブチレートを80重量部:20重量部の比率で混合される請求項3に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記a)のノボラック樹脂がメタクレゾール:パラクレゾールを40〜60重量部:60〜40重量部の比率で含む請求項1〜4のいずれか1つに記載のフォトレジスト組成物。
- 前記b)のジアジド系化合物が2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホネート及び2,3,4,4−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホネートを40〜60重量部:60〜40重量部の比率で含む請求項1〜4のいずれか1つに記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジスト組成物が着色剤、染料、擦痕防止剤、可塑剤、接着促進剤、速度増進剤、及び界面活性剤からなる群より選択される1種以上添加剤をさらに含む請求項1〜6のいずれか1つに記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジスト組成物が液晶表示装置回路製造用である請求項1〜7のいずれか1つに記載のフォトレジスト組成物。
- 請求項1〜8のいずれか1つに記載のフォトレジスト組成物を利用する液晶表示装置または半導体素子の製造方法。
- 前記液晶表示装置または半導体素子の製造方法がスリット塗布方式を使用する液晶表示装置の回路製造であることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置または半導体素子の製造方法。
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