KR101482652B1 - 유기반도체 보호막 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기반도체 보호막 조성물에 관한 것으로, 특히 a) 수용성 수지; b) 수용성 염료 화합물; c) 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기반도체 보호막 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 유기반도체 보호막 조성물은 유기전기소자의 유기반도체막이 층간 절연막과 접하여 형성되는 경우 결정성이 저하되고 층간 절연막에 대한 광 조사시 광산화되는 것을 방지하기 위해 유기반도체막과 층간 절연막 사이에 위치하는 보호막으로 유용하게 사용될 수 있다.
수용성 수지, 수용성 염료 화합물, 차광성, 보호막

Description

유기반도체 보호막 조성물{PASSIVATION COMPOSITION FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR}
도 1은 본 발명의 시험예에서 전계발광 트랜지스터(FET)의 전기이동도를 측정하는 데에 사용되는 전달특성 그래프이다.
본 발명은 유기반도체 보호막 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기박막 트랜지스터(OTFT), 유연성 있는 디스플레이 또는 유기전기발광소자(OLED)의 유기반도체막이 층간 절연막과 접하여 형성되는 경우 결정성이 저하되고 층간 절연막에 대한 광 조사시 광산화되는 것을 방지하기 위한 유기반도체 보호막 조성물에 관한 것이다.
종래 OTFT 제조공정에서는 유기반도체막의 성막 후 유기용매를 기본으로 사용하는 층간 절연막인 포토레지스트를 유기반도체막에 직접 접하여 형성함으로써, 유기용매에 대해 취약한 유기반도체 박막의 결정성이 저하되어 OTFT 구동시 전기이 동도 및 온/오프 전기성능이 떨어지는 문제가 있었다.
또한, 유기반도체는 자외선 영역의 광에 노출되었을 때 광산화되어 광 안정성이 떨어지는데, 층간 절연막인 포토레지스트의 형상화를 위해 층간 절연막에의 자외선 영역의 노광시 이에 밀접한 유기반도체막이 광을 흡수하고 광산화 현상을 발생시켜 유기반도체의 물성을 떨어뜨리고 나아가 소자 성능을 떨어뜨리는 문제가 발생하였다.
따라서, OTFT 제조공정 중 유기반도체 박막의 손상을 최소화시키기 위한 연구가 필요한 실정이다.
상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자, 본 발명은 OTFT, 유연성있는 디스플레이 또는 OLED 등 유기전기소자의 유기반도체막과 층간 절연막(유기용매를 기본으로 하는 포토레지스트) 사이에 위치하여 유기반도체의 차광성 보호막으로 적합한 유기반도체 보호막 조성물, 및 상기 조성물을 경화시킨 차광성 보호막을 포함하는 유기전기소자 및 상기 유기반도체 보호막 조성물을 이용한 유기전자소자의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
a) 수용성 수지;
b) 수용성 염료 화합물;
c) 용매를 포함하는 유기반도체 보호막 조성물을 제공한다.
바람직하게는, 본 발명은
a) 수용성 수지 100 중량부;
b) 수용성 염료 화합물 5 내지 50 중량부;
c) 용매를 조성물 총량 중 고형분 함량이 3 내지 60 중량%가 되도록 포함하는 유기반도체 보호막 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 유기반도체 보호막 조성물을 경화시킨 보호막을 유기반도체막과 층간 절연막 사이에 포함하는 유기전기소자를 제공한다.
또한 본 발명은 상기 유기반도체 보호막 조성물을 유기반도체막 위에 도포 후 경화시켜 보호막을 형성하고, 상기 보호막 위에 층간 절연막을 형성시키는 단계를 포함하는 유기전기소자의 제조방법을 제공한다.
이하 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 유기반도체 보호막 조성물은 수용성 수지, 수용성 염료 화합물 및 용매를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한 바람직하게는, 상기 수용성 수지 100 중량부에 대해 상기 수용성 염료 화합물 5 내지 50 중량부 및 상기 용매를 조성물 총량 중 고형분 함량이 3 내지 60 중량%가 되도록 포함할 수 있다.
본 발명에 사용되는 상기 a)의 수용성 수지는 균질한 도포막을 용이하게 형성할 수 있도록 하는 작용을 한다.
상기 수용성 수지는 물에 대한 용해도가 0.1 중량% 이상인 중합체이면 종래부터 공지된 수용성 수지의 어느 것도 사용할 수 있다. 수용성 수지의 구체적인 예로는 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴산 및 이들의 유도체를 들 수 있다. 폴리비닐알콜 유도체로는 폴리비닐알콜의 하이드록실기를 아세틸기, 아세탈기, 포르말기, 부티랄기 등으로 치환한 경우를 들 수 있다. 폴리비닐피롤리돈 유도체의 예로는 비닐피롤리돈-아세트산 비닐 공중합체, 비닐피롤리돈-비닐알콜 공중합체, 비닐피롤리돈-비닐멜라민 공중합체 등을 들 수 있다. 폴리아크릴산의 예로는 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 아크릴산-메타크릴산 공중합체, 아크릴산에스테르-메타크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 이외에도, 수용성 수지로서 폴리에틸렌이민, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리비닐아민, 폴리알릴아민 등을 사용할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으며, 특히 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈 및 이들의 유도체를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 수용성 수지를 너무 적게 사용하면 점도가 낮아져 박막 형성이 어려울 수 있고, 너무 많이 사용하면 점도가 높아져 박막 형성시 도포장비에 무리를 줄 수 있다.
상기 수용성 수지는 폴리스티렌 환산 중량평균분자량(Mw)이 1,000 내지 300,000인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 3,000 내지 100,000일 수 있다. 상기 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 1,000 미만인 경우에는 도포성이 떨어짐과 동시에 도포막의 경시 안정성이 저하될 수 있고, 300,000을 초과할 경우에는 균일한 도포막을 수득하기 어렵고 필터의 투과성이 떨어질 수 있다.
본 발명에 사용되는 상기 b)의 수용성 염료 화합물은 특별한 제한은 없으나 물에 녹거나 분산될 수 있는 염료이면 모두 사용할 수 있다.
상기 수용성 염료 화합물의 구체적인 예로는 아조 염료(Azo dyes), 디아조 염료(Diazo dyes), 안트라퀴논 염료(Anthraquinone dyes), 인디고이드 염료(Indigoid dyes), 인디고계 염료(Indigo dyes), 싸이오인디오계 염료(Thioindigo dyes), 카보늄 염료(Carbonium dyes), 디페닐메탄계 염료(Diphenylmethane dyes), 트리페닐메탄계 염료(Triphenylmethane dyes), 잔텐계 염료(Xanthene dyes), 아크리딘계 염료(Acridine dyes), 프탈로시아닌 염료(Phthalocyanine dyes), 메틴 염료(Methine dyes), 폴리메틴계 염료(Polymethine dyes), 아조메틴계 염료(Azomethine dyes), 티아졸 염료(Thiazole dyes), 퀴논이민 염료(Quinoneimine dyes), 아진계 염료(Azine dyes), 옥사진계 염료(Oxazine dyes), 티아진계 염료(Thiazine dyes), 락톤 염료(Lactone dyes), 아미노 케톤 염료(Amino Ketone dyes), 하이드록시 케톤 염료(Hydroxy ketone dyes), 니트로 염료(Nitro dyes), 니트로소 염료(Nitroso dyes), 퀴놀린 염료(Quinoline dyes) 등을 들 수 있으며, 이들 염료 화합물을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 수용성 염료 화합물은 수용성 수지 100 중량부에 대해 5 내지 50 중량부, 바람직하게는 10 내지 30 중량부로 사용할 수 있다. 수용성 염료 화합물을 상기 범위 내로 사용하는 경우, 낮은 광투과율을 가져올 수 있어 층간 절연막의 노광시 유기반도체의 광산화를 막기 위한 보호막으로 적합하다.
본 발명에 사용되는 상기 c)의 용매로는 물 또는 물과 유기용매의 혼합물을 사용할 수 있다. 물의 경우 증류, 이온교환처리, 필터처리, 각종 흡착처리 등에 의해 유기 불순물 및 금속 이온이 제거된 것이 바람직하며, 유기용매는 도포성을 더욱 향상시키기 위해 사용되는데 물에 가용성인 것이 바람직하다. 물에 가용성인 유기용매로는 물에 대하여 0.1 중량% 이상 용해되는 용매이면 모두 사용할 수 있으며, 이의 구체적인 예로는 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜 등의 알콜류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 2-헵타논, 사이클로헥사논 등의 케톤류; 아세트산메틸, 아세트산에틸 등의 에스테르류; 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 등의 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르류; 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 등의 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트류; 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 등의 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르류; 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 에세테이트류; 락트산메틸, 락트산에틸 등의 락트산 에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류 등을 들 수 있다. 이들 용매는 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있으며, 차광형 수용성 수지 조성물의 박막 형성시 박막을 용해시키지 않으면서 동시에 유기반도체 박막을 손상시키지 않는 범위에서 사용가능하다.
상기 용매는 조성물 총량 중 고형분 함량이 3 내지 60 중량%가 되도록 사용하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5 내지 40 중량%가 되도록 사용할 수 있 다. 고형분 함량이 조성물 총량의 3 중량% 미만일 경우에는 박막 두께가 얇게 되고 박막 평탄성이 저하될 수 있며, 60 중량%를 초과할 경우에는 박막 두께가 두꺼워지고 도포시 코팅장비에 무리를 줄 수 있다.
또한 본 발명의 유기반도체 보호막 조성물은 d)의 수용성 계면활성제를 더욱 포함할 수 있다. 상기 수용성 계면활성제는 수용성 수지 조성물의 도포성을 개선할 수 있는 것이면 모두 사용가능하며, 이의 구체적인 예로는 아세틸렌 알콜, 아세틸렌 글리콜, 아세틸렌 알콜의 폴리에톡실레이트, 아세틸렌 글리콜의 폴리에톡실레이트 등을 들 수 있다. 아세틸렌 알콜 및 아세틸렌 글리콜로는 3-메틸-1-부틴-3-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 3,6-디메틸-4-옥틴-3,6-디올, 2,4,7,9-테트라메틸-5-데신-4,7-디올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 2,5-디메틸-3-헥신-2,5-디올, 2,5-디메틸-2,5-헥사디올 등을 들 수 있으며, 이들 계면활성제를 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 수용성 계면활성제는 수용성 수지 100 중량부에 대해 0.0001 내지 2 중량부로 사용할 수 있다. 수용성 계면활성제를 상기 범위 내로 사용하는 경우 조성물의 도포성을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명의 유기반도체 보호막 조성물은 상기 성분들을 혼합함으로써 제조될 수 있으며, 유기전기소자에 보호막으로 사용하기에 앞서 0.1∼0.2 ㎛ (이소프로필 알콜로 처리)의 밀리포아필터 등으로 여과하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명은 상기 유기반도체 보호막 조성물을 경화시킨 보호막을 유기반도체막과 층간 절연막 사이에 포함하는 유기전기소자를 제공한다. 상기 유기전기소자는 상기 수용성 수지 조성물을 유기반도체막 위에 도포 후 경화시켜 보호막을 형성하고, 상기 보호막 위에 층간 절연막을 형성시키는 단계를 통하여 제조할 수 있다.
상기 보호막은 유기반도체막과 층간 절연막 사이에 위치하여, 유기용매를 기본으로 하는 포토레지스트로 이루어진 층간 절연막에 대해서 유기반도체막을 보호함과 동시에 층간 절연막의 노광시 유기반도체의 광산화를 방지하는, 유기반도체의 차광성 보호막의 역할을 수행한다. 상기 유기반도체막, 본 발명의 차광성 보호막 및 층간 절연막은 기판 위에 패턴화된 형태로 존재할 수 있다.
구체적으로는, 상기 유기반도체 보호막 조성물을 유기반도체막 위에 스프레이법, 롤코터법, 회전도포법, 잉크-젯(ink-jet)법 등의 통상적인 방법으로 도포하고, 예비소성(prebaking) 없이 환류 오븐(convection oven)에서 경화시켜 목적하는 도포막을 형성한다. 이때, 상기 경화는 80∼150℃의 온도에서 40∼100분간 실시하는 것이 바람직하다. 형성된 차광성 보호막은 0.05 내지 0.2 마이크론의 두께를 가질 수 있다.
상기 본 발명의 차광성 보호막을 포함하는 유기전자소자로는 유기박막 트랜지스터(OTFT, orgainc thin-film transistor), 유연성있는 디스플레이(flexible display) 및 유기전기발광소자(OLED, organic light-emitting device) 등을 들 수 있다.
이와 같이 제조된 본 발명의 차광성 보호막은 박막 평탄성, 내열성, 내화학성, 전기이동도 등의 성능이 우수할 뿐만 아니라 광투과율이 낮으므로, 본 발명의 차광형 수용성 수지 조성물은 유기전기소자가 포함하는 유기반도체의 손상을 최소화하기 위해 유기반도체막과 층간 절연막 사이에 위치하는 유기반도체의 차광성 보호막으로 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
증류, 이온교환처리, 필터처리, 각종 흡착처리 등에 의해 유기 불순물 및 금속 이온이 제거된 물을 냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 넣고, 수용성 수지로서 폴리사이언스(Polysciences, Inc)사의 폴리비닐알콜(PVA) 분말(폴리스티렌 환산 중량평균분자량 6,000)을 천천히 첨가한 후 10~20℃/10분 간격으로 90℃까지 온도를 상승시키고 90℃에서 2시간 동안 교반하였다. 그 후 수용성 수지 용액의 온도가 떨어질 때까지 상온에서 방치하였다. 여기에, 수용성 수지 100 중량부에 대해, 수용성 염료 화합물로서 산성 염료인 니그로신산 블랙 2(Nigrosine Acid Black 2, 동남화성사)를 6.25 중량부 넣고 교반하여 수용성 수지 조성물을 제조하였다. 상기 조성물 총량 중 고형분 함량은 9 중량%로 조절하였다.
실시예 2
상기 실시예 1에서 수용성 계면활성제로서 아세틸렌 글리콜인 다우 코닝(Dow corning)사의 Q2-5212를 수용성 수지 100 중량부에 대해 0.0005 중량부 첨가한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 수용성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 3
상기 실시예 2에서 니그로신산 블랙 2를 6.25 중량부 대신 12.5 중량부 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일한 방법을 수행하여 수용성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 4
상기 실시예 1에서 니그로신산 블랙 2를 6.25 중량부 대신 18.75 중량부 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일한 방법을 수행하여 수용성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 5
상기 실시예 2에서 니그로신산 블랙 2를 6.25 중량부 대신 25 중량부 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일한 방법을 수행하여 수용성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 6
상기 실시예 2에서 니그로신산 블랙 2를 6.25 중량부 대신 31.25 중량부 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일한 방법을 수행하여 수용성 수지 조성물을 제조하였다.
시험예
상기 실시예 1 내지 6에서 제조된 수용성 수지 조성물로 이루어진 경화막에 대해 하기와 같은 방법으로 평탄성, 광투과율 및 내화학성을 평가하고, 이 경화막을 유기반도체막과 층간 절연막 사이에 차광성 보호막으로서 포함하는 전계발광 트랜지스터(FET, field emission transistor)를 추가로 제작하여 하기와 같은 방법으로 전기이동도를 평가하였다. 수용성 수지 조성물로 이루어진 차광성 보호막을 적용하지 않은 FET를 제작하여 이를 비교예 1로 하였다. 측정 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
ㄱ) 평탄성
상기 수용성 수지 조성물로 유리 기판 위에 도막을 코팅한 후 약 100 point에 대한 두께를 광학장비 등의 두께 측정기로 측정하여, 그 유의차가 2% 미만이면 ○, 3% 미만이면 △, 5% 미만이면 × 로 나타내었다. 이 방법을 통해 수용성 수지와 수용성 염료 화합물의 용해 안정성과 침전 가능성을 확인할 수 있다.
ㄴ) 광투과율
상기 수용성 수지 조성물을 경화시켜 두께 0.7 ㎛의 도막을 제조한 후 이 막에 대해 가시광선의 광흡수 스펙트럼(spectrum)을 측정하여, 400 ㎚에 있어서 광투과율이 50 % 이하인 경우를 ○, 51 ∼70 %인 경우를 △, 71∼90 %인 경우를 × 로 나타내었다.
ㄷ) 내화학성
상기 수용성 수지 조성물을 경화시켜 두께 0.7 ㎛의 도막을 제조한 후, 이 막을 유기용매 n-메틸피롤리돈(NMP)에 70 ℃에서 5분 동안 침지(dipping)한 다음 초순수로 세정(rinse)하여 NMP 처리 전후의 막 두께의 변화율을 측정하였다. 이때, 막 두께의 변화율이 0∼20 %인 경우를 ○, 21∼40 %인 경우를 △, 41 %이상의 경우를 × 로 나타내었다.
ㄹ) 전기이동도
상기 수용성 수지 조성물의 경화막을 유기반도체막과 층간 절연막 사이에 차광성 보호막으로서 포함하는 FET의 전기이동도를 하기와 같이 평가하였다; 소스-드레인 사이의 전압(VDS)을 고정시키고, 게이트 전압(VGS)에 대한 소스-드레인 사이의 전류(IDS)의 변화를 나타내는 전달특성(Transfer Characteristics, 게이트 전압의 영향이 전계의 형태로 채널에 전달되므로 전달특성이라고 지칭함)을 측정한 후, 하기 수학식 1에 근거하여 전기이동도를 산출하였다. 이때, 측정된 전기이동도가 0.01 이상인 경우를 ○, 0.009 ∼ 0.001인 경우를 △, 0.0009 이하인 경우를 × 로 나타내었다.
Figure 112007041482910-pat00001
(W : 채널 넓이, L : 채널 길이, μ : 전기이동도 Ci : 게이트 절연막의 정전용량, Vg : 게이트 전압, Vth: 문턱 전압, KN : 도 1에 도시된 그래프의 기울기)
구분 실시예 비교예 1
평탄성 1 2 3 4 5 6
-
광투과율 ×
내화학성 ×
전기이동도 ×
상기 표 1로부터, 본 발명에 따라 제조한 실시예 1 내지 6의 차광형 수용성 수지 조성물은 비교예 1과 비교해 볼 때 평탄성 및 내화학성이 우수하고 광투과율이 낮을 뿐만 아니라, 특히 현저히 향상된 전기이동도를 가짐으로써 유기반도체의 차광성 보호막으로 적용가능함을 알 수 있다. 이에 반하여, 상기 차광형 수용성 수지 조성물을 유기반도체막과 층간 절연막인 포토레지스트 사이에 보호막으로서 적용하지 않은 비교예 1의 경우는 전기이동도가 낮아 OTFT에 적용하기 어려움을 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 유기반도체 보호막 조성물은 박막으로 제조시 평탄성, 내열성, 내화학성, 전기이동도 등의 성능이 우수할 뿐만 아니라 광투과율이 낮으므로, 유기전기소자가 포함하는 유기반도체의 손상을 최소화하기 위해 유기반도체막과 층간 절연막 사이에 위치하는 유기반도체의 차광성 보호막으로 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (15)

  1. 유기용매를 사용하는 유기절연막을 형성하기 이전에 OTFT 또는 OLED의 유기반도체를 보호하기 위한 보호막 조성물로서,
    a) 폴리비닐알콜 및 폴리비닐피롤리돈으로부터 1종 이상 선택되는 수용성 수지 100 중량부;
    b) 수용성 염료 화합물 5 내지 50 중량부; 및
    c) 용매를 조성물 총량 중 고형분 함량이 3 내지 60 중량%가 되도록 포함하는 것을 특징으로 하는 OTFT 또는 OLED의 유기반도체 보호막 조성물.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    수용성 계면활성제를 수용성 수지 100 중량부에 대해 0.0001 내지 2 중량부로 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기반도체 보호막 조성물.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 수용성 수지가 1,000 내지 300,000의 폴리스티렌 환산 중량평균분자량(Mw)을 갖는 것을 특징으로 하는 유기반도체 보호막 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 수용성 염료 화합물이 아조 염료(Azo dyes), 디아조 염료(Diazo dyes), 안트라퀴논 염료(Anthraquinone dyes), 인디고이드 염료(Indigoid dyes), 인디고계 염료(Indigo dyes), 싸이오인디오계 염료(Thioindigo dyes), 카보늄 염료(Carbonium dyes), 디페닐메탄계 염료(Diphenylmethane dyes), 트리페닐메탄계 염료(Triphenylmethane dyes), 잔텐계 염료(Xanthene dyes), 아크리딘계 염료(Acridine dyes), 프탈로시아닌 염료(Phthalocyanine dyes), 메틴 염료(Methine dyes), 폴리메틴계 염료(Polymethine dyes), 아조메틴계 염료(Azomethine dyes), 티아졸 염료(Thiazole dyes), 퀴논이민 염료(Quinoneimine dyes), 아진계 염료(Azine dyes), 옥사진계 염료(Oxazine dyes), 티아진계 염료(Thiazine dyes), 락톤 염료(Lactone dyes), 아미노 케톤 염료(Amino Ketone dyes), 하이드록시 케톤 염료(Hydroxy ketone dyes), 니트로 염료(Nitro dyes), 니트로소 염료(Nitroso dyes) 및 퀴놀린 염료(Quinoline dyes)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 유기반도체 보호막 조성물.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 수용성 계면 활성제가 아세틸렌 알콜, 아세틸렌 글리콜, 아세틸렌 알콜의 폴리에톡실레이트 및 아세틸렌 글리콜의 폴리에톡실레이트로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 유기반도체 보호막 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 용매가 물 또는 물과 유기용매의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유기반도체 보호막 조성물.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 유기용매가 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 아세톤, 메틸에틸케톤, 2-헵타논, 사이클로헥사논, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 락트산메틸, 락트산에틸, 톨루엔, 크실렌, N,N-디메틸아세트아미드 및 N-메틸피롤리돈으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 유기반도체 보호막 조성물.
  10. 제1항, 제3항, 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 유기반도체 보호막 조성물을 경화시킨 보호막을 OTFT 또는 OLED의 유기반도체막과 층간 절연막 사이에 포함하는 유기전기소자.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 보호막이 상기 유기반도체 보호막 조성물을 유기반도체막 위에 도포한 후 80~150 ℃의 온도에서 40~100분간 경화시켜 얻어지는 것임을 특징으로 하는 유기전기소자.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 보호막이 0.05 내지 0.2 마이크론의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  13. 삭제
  14. 제1항, 제3항, 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 유기반도체 보호막 조성물을 OTFT 또는 OLED의 유기반도체막 위에 도포 후 경화시켜 보호막을 형성하고, 상기 유기반도체 보호막 위에 층간 절연막을 형성시키는 단계를 포함하는 유기전기소자의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 보호막이 상기 유기반도체 보호막 조성물을 유기반도체막 위에 도포한 후 80~150 ℃의 온도에서 40~100분간 경화시켜 얻어지는 것임을 특징으로 하는 유기전기소자의 제조방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013504186A (ja) * 2009-09-05 2013-02-04 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機電子装置用の溶液加工性パッシベーション層
JP6167016B2 (ja) 2013-10-31 2017-07-19 富士フイルム株式会社 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07191214A (ja) * 1993-12-26 1995-07-28 Toyo Shigyo Kk 水性塗料の塗布方法および画像形成方法
JPH09111087A (ja) * 1995-10-17 1997-04-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 水溶性感光性組成物およびこれを用いた遮光画像の形成方法
JPH10268126A (ja) * 1997-03-27 1998-10-09 Canon Inc カラーフィルタ基板及びその製造方法、該基板を用いた液晶素子
JP2006253305A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Mitsubishi Chemicals Corp 電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びに有機半導体材料

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57176A (en) * 1980-05-31 1982-01-05 Pentel Kk Water color
JP2579525B2 (ja) * 1988-04-27 1997-02-05 日本化薬株式会社 水溶性フタロシアニン化合物及びそれを用いる基材表面皮膜の着色法
JPH05202228A (ja) * 1991-07-16 1993-08-10 Tosoh Corp 平坦化材料及び平坦化方法
JPH0834923A (ja) * 1994-07-21 1996-02-06 Sekisui Chem Co Ltd 黒色感光性樹脂組成物及びブラックマトリクスの製造法
JP3393979B2 (ja) * 1997-07-01 2003-04-07 松下電器産業株式会社 画像表示パネルと画像表示装置およびそれを用いた投射型表示装置とビューファインダ
JPH1161021A (ja) * 1997-08-18 1999-03-05 Ricoh Co Ltd インクジェット記録用水性インクおよび該インクを用いた記録方法
JP3757408B2 (ja) * 1997-10-09 2006-03-22 Jsr株式会社 硬化膜、電子部品用膜およびその製造法
JP3915201B2 (ja) * 1997-11-11 2007-05-16 三菱化学株式会社 遮光性感光性樹脂組成物及びそれを用いたカラーフィルタ
JP2000326623A (ja) * 1999-05-19 2000-11-28 Oji Paper Co Ltd インクジェット記録媒体及び記録方法
JP2001108815A (ja) * 1999-10-07 2001-04-20 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルター及びその製造方法
TWI242103B (en) * 2001-08-23 2005-10-21 Nippon Kayaku Kk Negative type colored photosensitive composition
JP2004238504A (ja) * 2003-02-06 2004-08-26 Mitsubishi Materials Corp 光吸収材とその形成用組成物
JP2003313217A (ja) * 2002-04-24 2003-11-06 Fujifilm Arch Co Ltd 光硬化性組成物およびそれを用いたカラーフィルター
DE60304397T2 (de) * 2002-06-12 2007-03-08 Nippon Shokubai Co. Ltd. Phthalocyanin Verbindung, im nahen Infrarot absorbierende Farbstoffe und Wärmestrahlen-Abschirmung
JP2004221562A (ja) * 2002-12-26 2004-08-05 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタ素子の製造方法、該製造方法により製造した有機薄膜トランジスタ素子、及び有機薄膜トランジスタ素子シート
JP2004281623A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Konica Minolta Holdings Inc 薄膜トランジスタ素子シート及び薄膜トランジスタ素子シートの製造方法
KR101042667B1 (ko) * 2004-07-05 2011-06-20 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 조성물
KR101119818B1 (ko) * 2004-12-07 2012-03-06 주식회사 동진쎄미켐 컬러필터용 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한액정디스플레이 컬러필터의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07191214A (ja) * 1993-12-26 1995-07-28 Toyo Shigyo Kk 水性塗料の塗布方法および画像形成方法
JPH09111087A (ja) * 1995-10-17 1997-04-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 水溶性感光性組成物およびこれを用いた遮光画像の形成方法
JPH10268126A (ja) * 1997-03-27 1998-10-09 Canon Inc カラーフィルタ基板及びその製造方法、該基板を用いた液晶素子
JP2006253305A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Mitsubishi Chemicals Corp 電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びに有機半導体材料

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