RU2012113238A - Обрабатываемые раствором пассивирующие слои для органических электронных устройств - Google Patents
Обрабатываемые раствором пассивирующие слои для органических электронных устройств Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012113238A RU2012113238A RU2012113238/28A RU2012113238A RU2012113238A RU 2012113238 A RU2012113238 A RU 2012113238A RU 2012113238/28 A RU2012113238/28 A RU 2012113238/28A RU 2012113238 A RU2012113238 A RU 2012113238A RU 2012113238 A RU2012113238 A RU 2012113238A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composition
- organic
- solvent
- solvents
- water
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 23
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000000502 dialysis Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000001471 micro-filtration Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000001728 nano-filtration Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 claims abstract 2
- -1 oligomers Polymers 0.000 claims 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims 3
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 claims 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract 7
- 239000012704 polymeric precursor Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления пассивирующего слоя для органического электронного устройства, включающий следующие этапы:a) обеспечение органического полупроводникового слоя,b) нанесение первого пассивирующего слоя из первой композиции, включающей пассивирующий материал и один или несколько растворителей, на органический полупроводящий слой и удаление растворителей,c) необязательное нанесение второго пассивирующего слоя из второй композиции, включающей пассивирующий материал и, необязательно, один или несколько растворителей, на первый пассивирующий слой и удаление растворителя в случае его присутствия,причем растворители, содержащиеся в первой композиции, выбирают из воды или фторированных органических растворителей, иесли первая композиция включает воду в качестве растворителя, то первую композицию подвергают обработке для удаления ионных примесей перед нанесением на органический полупроводник.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что первая композиция содержит воду в качестве растворителя и подвергается обработке для удаления ионных примесей перед нанесением на органический полупроводник.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что обработка для удаления ионных примесей включает диализ, обратный осмос, ультрафильтрацию, микрофильтрацию или нанофильтрацию.4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что первая композиция содержит воду в качестве растворителя и пассивирующий материал, выбранный из водорастворимых углеводородных полимеров, олигомеров, полимерных прекурсоров, полимеризуемых соединений или смесей вышеупомянутых соединений.5. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что первая композиция содержит ф
Claims (12)
1. Способ изготовления пассивирующего слоя для органического электронного устройства, включающий следующие этапы:
a) обеспечение органического полупроводникового слоя,
b) нанесение первого пассивирующего слоя из первой композиции, включающей пассивирующий материал и один или несколько растворителей, на органический полупроводящий слой и удаление растворителей,
c) необязательное нанесение второго пассивирующего слоя из второй композиции, включающей пассивирующий материал и, необязательно, один или несколько растворителей, на первый пассивирующий слой и удаление растворителя в случае его присутствия,
причем растворители, содержащиеся в первой композиции, выбирают из воды или фторированных органических растворителей, и
если первая композиция включает воду в качестве растворителя, то первую композицию подвергают обработке для удаления ионных примесей перед нанесением на органический полупроводник.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что первая композиция содержит воду в качестве растворителя и подвергается обработке для удаления ионных примесей перед нанесением на органический полупроводник.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что обработка для удаления ионных примесей включает диализ, обратный осмос, ультрафильтрацию, микрофильтрацию или нанофильтрацию.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что первая композиция содержит воду в качестве растворителя и пассивирующий материал, выбранный из водорастворимых углеводородных полимеров, олигомеров, полимерных прекурсоров, полимеризуемых соединений или смесей вышеупомянутых соединений.
5. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что первая композиция содержит фторированный органический растворитель и пассивирующий материал, выбранный из фторированных углеводородных полимеров, олигомеров, полимерных прекурсоров, полимеризуемых соединений или смесей вышеупомянутых соединений.
6. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что вторая композиция не содержит растворитель.
7. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что вторая композиция содержит пассивирующий материал, выбранный из силиконовых полимеров, олигомеров, полимерных прекурсоров, полимеризуемых соединений или смесей вышеупомянутых соединений.
8. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что пассивирующий материал первой и/или второй композиции сшивают после нанесения.
9. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что органический полупроводящий слой содержит соединение, выбранное из замещенных пентаценов, замещенных тетраценов, замещенных антраценов или их гетероциклических производных.
10. Органическое электронное устройство, изготавливаемое способом по крайней мере по одному из пп.1-9.
11. Органическое электронное устройство по п.10, отличающееся тем, что его выбирают из группы, к которой относятся органические транзисторы с управляемым полем (OFET), тонкопленочные транзисторы (TFT), компоненты интегральных схем (1С), метки для радиочастотной идентификации (RFID), органические светоизлучающие диоды (OLED), электролюминесцентные дисплеи, дисплеи с плоским экраном, лампы подсветки, фотодетекторы, датчики, логические схемы, запоминающие элементы, конденсаторы, органические фотоэлементы (OPV), слои инжекции заряда, диоды Шоттки, планаризующие слои, антистатические пленки, проводящие подложки или рисунки, фотопроводники, фоторецепторы, электрофотографические устройства и ксерографические устройства.
12. Электронное устройство по п.10 или 11, отличающееся тем, что представляет собой OFET с нижним затвором.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP09011401.8 | 2009-09-05 | ||
| EP09011401 | 2009-09-05 | ||
| PCT/EP2010/004835 WO2011026550A1 (en) | 2009-09-05 | 2010-08-06 | Solution processable passivation layers for organic electronic devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012113238A true RU2012113238A (ru) | 2013-10-10 |
Family
ID=42983657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012113238/28A RU2012113238A (ru) | 2009-09-05 | 2010-08-06 | Обрабатываемые раствором пассивирующие слои для органических электронных устройств |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120153285A1 (ru) |
| EP (1) | EP2474053A1 (ru) |
| JP (1) | JP2013504186A (ru) |
| KR (1) | KR20120093194A (ru) |
| CN (1) | CN102484202A (ru) |
| GB (1) | GB2487150A (ru) |
| RU (1) | RU2012113238A (ru) |
| SG (1) | SG178586A1 (ru) |
| TW (1) | TW201114084A (ru) |
| WO (1) | WO2011026550A1 (ru) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011187626A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび電子機器 |
| CN102977753B (zh) * | 2011-09-02 | 2015-09-30 | 深圳市宝光工业有限公司 | 一种水性uv漆及其配制方法 |
| US9691985B2 (en) * | 2012-10-04 | 2017-06-27 | Merck Patent Gmbh | Passivation layers for organic electronic devices including polycycloolefinic polymers allowing for a flexible material design |
| CN103187529A (zh) * | 2013-03-20 | 2013-07-03 | 天津理工大学 | 采用并五苯作为栅绝缘层钝化的c60有机场效应晶体管 |
| KR102087791B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2020-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 및 표시 기판의 제조방법 |
| US9023683B2 (en) * | 2013-05-13 | 2015-05-05 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Organic semiconductor transistor with epoxy-based organic resin planarization layer |
| JP2015041642A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | ソニー株式会社 | 電子デバイス、画像表示装置、及び、画像表示装置を構成する基板 |
| JP2016086117A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 株式会社東芝 | 太陽電池、太陽電池パネル及び太陽電池フィルム |
| US9869945B2 (en) * | 2015-04-14 | 2018-01-16 | Xerox Corporation | Electrostatic charging member |
| CN107799450A (zh) * | 2016-09-06 | 2018-03-13 | 马维尔国际贸易有限公司 | 用于集成电路裸片的自对准的方法和装置 |
| US10485108B1 (en) * | 2017-03-28 | 2019-11-19 | Northrop Grumman Systems Corporation | Method of conformal coating |
| US20200313089A1 (en) | 2017-04-11 | 2020-10-01 | Tcl Technology Group Corporation | Crosslinked nanoparticle thin film, preparation method thereof, and thin film optoelectronic device having the same |
| CN108695376B (zh) * | 2017-04-11 | 2019-11-12 | Tcl集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法 |
| US11326006B2 (en) | 2017-07-04 | 2022-05-10 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Organic thin-film transistor and polymer compound |
| US20190127212A1 (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-02 | Texas Instruments Incorporated | Forming a passivation coating for mems devices |
| CN108821341B (zh) * | 2018-06-25 | 2020-11-24 | 桂林理工大学 | 一种表面刻蚀的多孔三氧化钼制备方法 |
| CN111416039A (zh) * | 2019-01-07 | 2020-07-14 | 纽多维有限公司 | 制剂和层 |
| CN109683412A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-04-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板 |
| US11407529B1 (en) | 2019-10-22 | 2022-08-09 | Northrop Grumman Systems Corporation | Aircraft retrofit system |
| KR102351155B1 (ko) * | 2020-01-30 | 2022-01-14 | 성균관대학교산학협력단 | 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자 제조 방법 및 인쇄 전자소자 |
| CN111755493B (zh) * | 2020-06-28 | 2022-08-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 屏下摄像头的oled显示面板及其制备方法及显示装置 |
| US11745893B2 (en) | 2021-04-29 | 2023-09-05 | Northrop Grumman Systems Corporation | Magnetic refueling assembly |
| TWI807879B (zh) * | 2022-06-24 | 2023-07-01 | 國立宜蘭大學 | 奈米纖維薄膜之製作方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1198851B1 (en) | 1999-07-21 | 2012-03-14 | E Ink Corporation | Reactive formation of dielectric layers and protection of organic layers in organic semiconductor device |
| US6690029B1 (en) | 2001-08-24 | 2004-02-10 | University Of Kentucky Research Foundation | Substituted pentacenes and electronic devices made with substituted pentacenes |
| JP2004039317A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Asahi Glass Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| EP1434282A3 (en) * | 2002-12-26 | 2007-06-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Protective layer for an organic thin-film transistor |
| JP4217086B2 (ja) * | 2003-03-13 | 2009-01-28 | 日本放送協会 | 有機アクティブ素子およびその製造方法、表示デバイス |
| WO2005035672A1 (en) | 2003-10-11 | 2005-04-21 | Merck Patent Gmbh | Barrier coating composition containing an inorganic flake material as well as a device containing this barrier coating composition |
| EP1687830B1 (en) | 2003-11-28 | 2010-07-28 | Merck Patent GmbH | Organic semiconducting layer formulations comprising polyacenes and organic binder polymers |
| JP4385812B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2009-12-16 | 株式会社日立製作所 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| TWI229383B (en) | 2004-04-13 | 2005-03-11 | Ind Tech Res Inst | The muti-passivation layers for organic thin film transistor |
| JP2006055700A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系硬化被膜の形成方法、シリカ系硬化被膜改善用液体、シリカ系硬化被膜及び電子部品 |
| JP4756128B2 (ja) * | 2004-10-20 | 2011-08-24 | 日揮触媒化成株式会社 | 半導体加工用保護膜形成用塗布液、その調製方法およびこれより得られる半導体加工用保護膜 |
| GB0424342D0 (en) * | 2004-11-03 | 2004-12-08 | Avecia Ltd | Process and device |
| US7385221B1 (en) | 2005-03-08 | 2008-06-10 | University Of Kentucky Research Foundation | Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith |
| JP5037841B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | 有機半導体素子、電界効果型トランジスタおよびそれらの製造方法 |
| JP5098153B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2012-12-12 | 凸版印刷株式会社 | 有機トランジスタおよびその製造方法 |
| KR20070053060A (ko) * | 2005-11-19 | 2007-05-23 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 이의 제조방법 |
| US7528448B2 (en) * | 2006-07-17 | 2009-05-05 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thin film transistor comprising novel conductor and dielectric compositions |
| JP2008171861A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ |
| KR101482652B1 (ko) * | 2007-06-07 | 2015-01-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기반도체 보호막 조성물 |
-
2010
- 2010-08-06 JP JP2012527209A patent/JP2013504186A/ja active Pending
- 2010-08-06 WO PCT/EP2010/004835 patent/WO2011026550A1/en active Application Filing
- 2010-08-06 EP EP10742763A patent/EP2474053A1/en not_active Withdrawn
- 2010-08-06 US US13/392,986 patent/US20120153285A1/en not_active Abandoned
- 2010-08-06 CN CN2010800390197A patent/CN102484202A/zh active Pending
- 2010-08-06 SG SG2012013645A patent/SG178586A1/en unknown
- 2010-08-06 RU RU2012113238/28A patent/RU2012113238A/ru not_active Application Discontinuation
- 2010-08-06 GB GB1205635.4A patent/GB2487150A/en not_active Withdrawn
- 2010-08-06 KR KR1020127008775A patent/KR20120093194A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-09-03 TW TW099129942A patent/TW201114084A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB201205635D0 (en) | 2012-05-16 |
| US20120153285A1 (en) | 2012-06-21 |
| WO2011026550A1 (en) | 2011-03-10 |
| CN102484202A (zh) | 2012-05-30 |
| KR20120093194A (ko) | 2012-08-22 |
| TW201114084A (en) | 2011-04-16 |
| EP2474053A1 (en) | 2012-07-11 |
| GB2487150A (en) | 2012-07-11 |
| SG178586A1 (en) | 2012-04-27 |
| JP2013504186A (ja) | 2013-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012113238A (ru) | Обрабатываемые раствором пассивирующие слои для органических электронных устройств | |
| KR102283518B1 (ko) | 광패턴화가능한 조성물, 패턴화된 고 k 박막 유전체 및 관련 장치 | |
| JP5657379B2 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
| Ji et al. | Large scale, flexible organic transistor arrays and circuits based on polyimide materials | |
| Baeg et al. | Effects of gate dielectrics and their solvents on characteristics of solution-processed N-channel polymer field-effect transistors | |
| US8999749B2 (en) | Method for manufacturing organic semiconductor element, and organic semiconductor element | |
| Baeg et al. | Polymer Dielectrics and Orthogonal Solvent Effects for High‐Performance Inkjet‐Printed Top‐Gated P‐Channel Polymer Field‐Effect Transistors | |
| CN107408510B (zh) | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及使用了薄膜晶体管的图像显示装置 | |
| KR101332955B1 (ko) | 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법 | |
| KR20130112882A (ko) | 유기 전자 디바이스의 제조 방법 | |
| Park et al. | Universal Route to Impart Orthogonality to Polymer Semiconductors for Sub‐Micrometer Tandem Electronics | |
| US8174004B2 (en) | Organic thin film transistor, method of fabricating the same, and gate insulating layer used in the same | |
| Lill et al. | High-k fluoropolymer gate dielectric in electrically stable organic field-effect transistors | |
| Li et al. | Fluorinated Dielectrics‐Modulated Organic Phototransistors and Flexible Image Sensors | |
| Lee et al. | High performance foldable polymer thin film transistors with a side gate architecture | |
| Kim et al. | High-efficiency nitrene-based crosslinking agent for robust dielectric layers and high-performance solution-processed organic field-effect transistors | |
| Pandey et al. | Unidirectionally Aligned Donor–Acceptor Semiconducting Polymers in Floating Films for High‐Performance Unipolar n‐Channel Organic Transistors | |
| US8017175B2 (en) | Manufacturing multilayer conjugate polymer optoelectronics device by using buffer layer | |
| Chiang et al. | P‐203L: Late‐News Poster: 6‐inch AMOLEDs Driven by High Stability Organic Thin‐Film Transistor Backplanes | |
| US9018622B2 (en) | Method for manufacturing organic semiconductor element | |
| JP2004281529A (ja) | 有機アクティブ素子および表示デバイス | |
| KR20020066370A (ko) | 유기 ｔｆｔ를 위한 정렬 폴리머 | |
| 박창현 et al. | Patternable coumarin-containing polymer gate-dielectric for organic electronic devices. | |
| JPWO2008096850A1 (ja) | 有機薄膜トランジスタ用絶縁膜材料及びこれを用いた有機薄膜トランジスタ | |
| 김신애 et al. | Post-depostion Binary Solvent Exposure for Improving the Structural Ordering and Electrical Characteristics of Polythiophene Thin Films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20130807 |