TW201337463A - 耐熱性優異的化學放大型正感光型高敏感度有機絕緣膜組成物及應用該組成物的有機絕緣膜的形成方法 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及耐熱性優異的化學放大型正感光型高敏感度有機絕緣膜組成物及應用該組成物的有機絕緣膜的形成方法，該化學放大型正感光型高敏感度有機絕緣膜組成物包括粘合劑樹脂，其特徵在於，所述粘合劑樹脂包括包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質或者具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）且不包含酸分解性保護基的單位物質而構成，並且同時或單獨包含至少一種以上的所述單位物質。本發明具有如下優點：與以往不同地，將在酸分解性保護基或非酸分解性保護基的分子結構上包含活性能量線交聯性或熱交聯性官能基的單位物質構成為聚合物、共聚物或其混合物的形態，從而不僅保持優異的敏感度及解析度特性，還能顯著地減少在曝光中產生的揮發蒸氣，並且在形成圖案後的熱工序過程中也能抑制塗膜的熱收縮或熱流性（thermal flow）所致的圖案的變形現象，藉此將圖案形狀保持在所需斜度（錐角）範圍內。
Description
本發明涉及一種耐熱性優異的化學放大型正感光型高敏感度有機絕緣膜組成物及應用該組成物的有機絕緣膜的形成方法，更為詳細地涉及這樣一種耐熱性特性優異的化學放大型正感光型高敏感度有機絕緣膜組成物及應用該組成物的有機絕緣膜的形成方法：該組成物在形成液晶顯示元件等的有機絕緣膜時，與以往相比，敏感度及解析度明顯提高，即使在形成圖案後的熱工序過程中，也能顯著改善塗膜的熱收縮及熱流性（Thermal flow），從而維持圖案形狀。
在薄膜電晶體（TFT）型液晶顯示裝置等顯示裝置中，以往將氮化矽（SiOx或SiNx） 等無機類保護膜作為保護TFT（Thin Film Transistor）電路並用於絕緣的保護膜來使用，但由於真空蒸鍍所需費用及制程時間的延遲所致的負擔以及介電常數高而具有不易提高開口率的問題，因此為了克服該問題，對介電率低且能塗覆的液態有機絕緣膜的需求日益增加。
另外，此時應用的有機絕緣膜對絕緣膜本身賦予感光功能，從而在無需進行額外的附加工序的情況下能夠形成提供電路間相互連接通道的微細圖案，藉此能夠減少以往的在無機類絕緣膜上使用光刻膠來進行的額外的光刻工序，因此具有更高的生產效率及費用節儉效果，其使用日益增加。
這種有機絕緣膜一般使用感光樹脂，該感光樹脂為透過光及電子線進行化學反應，並且對特定溶劑的溶解度產生變化。電路圖案的微細加工則透過由上述有機絕緣膜的光學反應所引起的高分子的極性變化或交聯反應來進行。特別是，上述有機絕緣膜材料利用的是在曝光後對鹼性水溶液等顯影液的溶解性的變化特性。
上述有機絕緣膜根據感光部分對顯影的溶解度分為正型及負型。正型光刻膠為曝光部分透過極性變化而被顯影液溶解的方式，負型光刻膠為曝光部分透過交聯反應不被顯影液溶解，而是未曝光部分溶解而形成圖案的方式。
其中，負型有機絕緣膜在與以往批量制程中廣泛使用的鹼性顯影液混合使用時會產生雜質，但正型有機絕緣膜與負型有機絕緣膜的上述缺陷不同地在與顯影液的相容性上不存在問題，因此有利於作業環境，不僅如此在理論上還能夠防止沒有暴露在紫外線的部分的膨潤現象，因此具有解析能力提高的優點。並且在形成有機膜後便於使用剝離液進行去除，藉此在製程中產生不良面板時透過去除有機膜來顯著提高基板的回收再使用性。
基於這種理由，將混合典型的粘合劑丙烯酸類高分子樹脂和醌二疊氮（quinonediazide）類光敏劑（PAC: Photo Active Compound）等的組成物作為上述正型有機絕緣膜組成物適用的事例蓬勃興起，最近市面上還出現廣泛應用上述絕緣膜以實現高開口率（High aperture ratio）的各種高亮度裝置。
上述有機絕緣膜所要求的特性中的一個重要特性是敏感度。提高敏感度能夠在顯示裝置的工業生產中大幅縮短生產時間，因此在液晶顯示裝置等的需求量顯著增加的當前情況下，敏感度被視做這種有機絕緣膜所要求的最重要的特性之一。
然而，以往使用的利用丙烯酸類感光樹脂及光敏劑（PAC）的有機絕緣膜組成物對曝光紫外線波長的透射度低，因此大部分情況下敏感度不夠充分，尤其由於這種根本原因，紫外線的照射部分和未照射部分的溶解度之差不大，因此不具有充分的解析能力的情況較多。
例如，使用堿溶性樹脂並將醌二疊氮（quinonediazide）作為光敏劑（PAC）使用的韓國專利第10-0867948號和韓國專利第10-0737723號的發明由於醌二疊氮（quinonediazide）的高含量（最低5wt%以上）及由此而引起的對曝光光線的高吸光率，具有難以提高敏感度（100mJ/cm2以下）的問題。
另外，美國專利第4139391號公開了一種將丙烯酸類化合物和丙烯酸酯化合物的共聚物作為粘合劑樹脂使用，將丙烯酸酯類化合物作為多官能性單體使用而製備的感光樹脂有機絕緣膜組成物，但在顯影中應當殘留的非曝光部區域的溶解抑制能力不高，曝光部和非曝光部的溶解速度之差不夠充分，因此顯影特性不佳，難以獲得15μm以下的微細圖案。
如此，以往的正型有機絕緣膜不僅無法充分滿足敏感度問題，而且想要應對為了實現逐漸高積體化的微細化，其解析度有限。
也可透過最大限度地減少光敏劑（PAC）相對於所使用聚合物的含量來提高對曝光光線的透射度或者透過加長顯影時間來提高敏感度，但該方法有侷限性，而且會同時引起非曝光部的溶解，因此總體殘膜率下降，這在大型顯示器用基板中成為膜浸染及圖案受損的原因。
最近為了解決上述包含光敏劑（PAC）的正型有機絕緣膜的敏感度問題，提出一種化學放大型正型有機絕緣膜（韓國專利第0964733號），該有機絕緣膜利用透過曝光光線發生的酸（acid），透過酸催化劑反應來去除高分子粘合劑的保護基，從而使該高分子粘合劑透過極性變化來呈現對顯影液的溶解性。
然而在其中，在高分子粘合劑中使用的酸分解性縮醛保護基在曝光時經過分解而產生的生成物的大小非常小，因此沸點低，揮發性強，在曝光時會產生大量蒸氣，不僅容易污染曝光器的高額透鏡，還具有膜厚度相對變小的重要缺陷，其中該膜厚度為在曝光中透過保護基的脫離及揮發而體積收縮後的厚度。
不僅在曝光工序中在曝光區域產生這種問題，還具有如下的技術侷限性：當殘留的非曝光部圖案膜在後續工序（post process）中暴露於高溫高濕環境時其保護基因熱斷開而易於揮發，從而在裝置內引起脱氣（outgas）問題，最終影響到裝置工作。
而且，在形成圖案後當所形成的圖案隨著用於形成TFT陣列（array）的後續工序的進行而持續暴露於220℃以上的高溫時，透過圖案的流動，會導致形狀變形及最終殘膜率的不良。
因此，亟需開發能夠解決高敏感度及高解析度問題並且能夠提高耐熱性的新型高耐熱性的高敏感度有機絕緣膜物質。
另外，此時應用的有機絕緣膜對絕緣膜本身賦予感光功能，從而在無需進行額外的附加工序的情況下能夠形成提供電路間相互連接通道的微細圖案，藉此能夠減少以往的在無機類絕緣膜上使用光刻膠來進行的額外的光刻工序，因此具有更高的生產效率及費用節儉效果，其使用日益增加。
這種有機絕緣膜一般使用感光樹脂，該感光樹脂為透過光及電子線進行化學反應，並且對特定溶劑的溶解度產生變化。電路圖案的微細加工則透過由上述有機絕緣膜的光學反應所引起的高分子的極性變化或交聯反應來進行。特別是，上述有機絕緣膜材料利用的是在曝光後對鹼性水溶液等顯影液的溶解性的變化特性。
上述有機絕緣膜根據感光部分對顯影的溶解度分為正型及負型。正型光刻膠為曝光部分透過極性變化而被顯影液溶解的方式，負型光刻膠為曝光部分透過交聯反應不被顯影液溶解，而是未曝光部分溶解而形成圖案的方式。
其中，負型有機絕緣膜在與以往批量制程中廣泛使用的鹼性顯影液混合使用時會產生雜質，但正型有機絕緣膜與負型有機絕緣膜的上述缺陷不同地在與顯影液的相容性上不存在問題，因此有利於作業環境，不僅如此在理論上還能夠防止沒有暴露在紫外線的部分的膨潤現象，因此具有解析能力提高的優點。並且在形成有機膜後便於使用剝離液進行去除，藉此在製程中產生不良面板時透過去除有機膜來顯著提高基板的回收再使用性。
基於這種理由，將混合典型的粘合劑丙烯酸類高分子樹脂和醌二疊氮（quinonediazide）類光敏劑（PAC: Photo Active Compound）等的組成物作為上述正型有機絕緣膜組成物適用的事例蓬勃興起，最近市面上還出現廣泛應用上述絕緣膜以實現高開口率（High aperture ratio）的各種高亮度裝置。
上述有機絕緣膜所要求的特性中的一個重要特性是敏感度。提高敏感度能夠在顯示裝置的工業生產中大幅縮短生產時間，因此在液晶顯示裝置等的需求量顯著增加的當前情況下，敏感度被視做這種有機絕緣膜所要求的最重要的特性之一。
然而，以往使用的利用丙烯酸類感光樹脂及光敏劑（PAC）的有機絕緣膜組成物對曝光紫外線波長的透射度低，因此大部分情況下敏感度不夠充分，尤其由於這種根本原因，紫外線的照射部分和未照射部分的溶解度之差不大，因此不具有充分的解析能力的情況較多。
例如，使用堿溶性樹脂並將醌二疊氮（quinonediazide）作為光敏劑（PAC）使用的韓國專利第10-0867948號和韓國專利第10-0737723號的發明由於醌二疊氮（quinonediazide）的高含量（最低5wt%以上）及由此而引起的對曝光光線的高吸光率，具有難以提高敏感度（100mJ/cm2以下）的問題。
另外，美國專利第4139391號公開了一種將丙烯酸類化合物和丙烯酸酯化合物的共聚物作為粘合劑樹脂使用，將丙烯酸酯類化合物作為多官能性單體使用而製備的感光樹脂有機絕緣膜組成物，但在顯影中應當殘留的非曝光部區域的溶解抑制能力不高，曝光部和非曝光部的溶解速度之差不夠充分，因此顯影特性不佳，難以獲得15μm以下的微細圖案。
如此，以往的正型有機絕緣膜不僅無法充分滿足敏感度問題，而且想要應對為了實現逐漸高積體化的微細化，其解析度有限。
也可透過最大限度地減少光敏劑（PAC）相對於所使用聚合物的含量來提高對曝光光線的透射度或者透過加長顯影時間來提高敏感度，但該方法有侷限性，而且會同時引起非曝光部的溶解，因此總體殘膜率下降，這在大型顯示器用基板中成為膜浸染及圖案受損的原因。
最近為了解決上述包含光敏劑（PAC）的正型有機絕緣膜的敏感度問題，提出一種化學放大型正型有機絕緣膜（韓國專利第0964733號），該有機絕緣膜利用透過曝光光線發生的酸（acid），透過酸催化劑反應來去除高分子粘合劑的保護基，從而使該高分子粘合劑透過極性變化來呈現對顯影液的溶解性。
然而在其中，在高分子粘合劑中使用的酸分解性縮醛保護基在曝光時經過分解而產生的生成物的大小非常小，因此沸點低，揮發性強，在曝光時會產生大量蒸氣，不僅容易污染曝光器的高額透鏡，還具有膜厚度相對變小的重要缺陷，其中該膜厚度為在曝光中透過保護基的脫離及揮發而體積收縮後的厚度。
不僅在曝光工序中在曝光區域產生這種問題，還具有如下的技術侷限性：當殘留的非曝光部圖案膜在後續工序（post process）中暴露於高溫高濕環境時其保護基因熱斷開而易於揮發，從而在裝置內引起脱氣（outgas）問題，最終影響到裝置工作。
而且，在形成圖案後當所形成的圖案隨著用於形成TFT陣列（array）的後續工序的進行而持續暴露於220℃以上的高溫時，透過圖案的流動，會導致形狀變形及最終殘膜率的不良。
因此，亟需開發能夠解決高敏感度及高解析度問題並且能夠提高耐熱性的新型高耐熱性的高敏感度有機絕緣膜物質。
本發明是為了解決上述問題而提出的，其目的是提供一種化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物及應用該組成物的有機絕緣膜的形成方法，該組成物與以往不同地，包括包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質或者具有活性能量線或熱交聯性官能基（crosslinking group）且不包含酸分解性保護基的單位物質而構成，並且將包括同時或單獨包含至少一種以上所述單位物質的聚合物、共聚物或其混合物的物質作為粘合劑樹脂來使用，從而不僅能夠顯著提高敏感度，還能顯著減少在後續的熱工序過程中可能會發生的熱收縮（thermal shrinkage）及熱流（thermal flow）所導致的圖案變形及塗膜減少。
此外，本發明的目的是提供一種化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物及應用該組成物的有機絕緣膜的形成方法，該組成物能夠顯著地減少曝光中揮發蒸氣的產生，且能夠透過顯著地縮短曝光時間來節儉制程費用，並且能夠實現顯示器的高解析度，不僅能夠保持高透射率，還具有高耐熱性。
不僅如此，本發明的目的是提供一種化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物及應用該組成物的有機絕緣膜的形成方法，該組成物與以往不同地，在保持高敏感度及高解析度特性的情況下，在包含酸分解性保護基的單位物質或者不包含酸分解性保護基的單位物質引進活性能量線交聯性或熱交聯性官能基，並將包含至少一種以上所述單位物質的聚合物、共聚合物或其混合物作為粘合劑樹脂來使用，從而在制程中透過活性能量線或熱而實現它們之間的交聯（cross-linking），由此在後續熱工序過程中也能最大限度地減少由熱而引起的酸分解性保護基的脫離，不僅如此還能提高塗膜的耐熱性（玻璃轉移溫度：Tg）以抑制已形成圖案的熱損傷及熱收縮，從而能夠實現並保持具有高敏感度及高解析度的圖案。
為了實現上述目的，本發明的化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物包含粘合劑樹脂，其特徵在於，所述粘合劑樹脂包括包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質或者具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）且不包含酸分解性保護基的單位物質而構成，並且包含同時或單獨包含至少一種以上所述單位物質的聚合物、共聚合物或其混合物。
此外，所述包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質由以下化學式1-1到1-10中的至少一種構成，
<化學式1-1>
<化學式1-2>
<化學式1-3>
<化學式1-4>
<化學式1-5>
<化學式1-6>
<化學式1-7>
<化學式1-8>
<化學式1-9>
<化學式1-10>
在所述化學式1-1到1-10中，R1為鏈式或環式脂肪族基或芳族基，R2為鏈式或環式烷基，R3為氫基或鏈烷基，R4為氫基或鏈烷基，R5及R6為氫基或鏈烷基，R7不存在或鏈式或環式烷基；在所述化學式中，m為0或1，n0。
並且，X為透過活性能量線或熱進行交聯的官能基，是包含或不包含矽的烷氧基（-ORx）、羥基（-OH）、巰基（thiol）（-SH）、羧基（-COOH）、磷酸酯基（-PO（OH）x）、呋喃基、包括氧雜環氧丁烷及環氧基等的環形結構醚基（cyclic ethers）、芳基、乙烯基、丙烯醯（acryloyl）基、異氰酸酯基、脲基、三聚氰胺基、二醯亞胺基（imide）或醯胺基（amide）中的任一種。
此外，本發明的特徵在於，所述具有透過活性能量線或熱進行交聯的官能基且不包含酸分解性保護基的單位物質由具有包含或不包含矽的烷氧基（-ORx）、羥基（-OH）、巰基（thiol）（-SH）、羧基（-COOH）、磷酸酯基（-PO（OH）x）、呋喃基、包括氧雜環氧丁烷及環氧基等的環形結構醚基（cyclic ethers）、芳基、乙烯基、丙烯醯（acryloyl）基、異氰酸酯基、脲基、三聚氰胺基、二醯亞胺基（imide）或醯胺（amide）基中的至少一種官能基且能構成（共）聚合物的至少一種單體構成。
本發明的特徵在於，構成所述粘合劑樹脂的聚合物或共聚物的平均分子量為2,000到200,000，分散度為1到10。
此外，本發明的特徵在於，為了彌補形成圖案的有機絕緣膜的敏感度、透射度及機械強度等性質，進一步包括包含不具有所述由X表示的活性能量線交聯性或熱交聯性官能基而僅包含酸分解性保護基的單位物質或者不具有活性能量線交聯性或熱交聯性官能基且不包含酸分解性保護基的單位物質的聚合物或共聚物，所述包含不具有交聯性官能基的單位物質的聚合物或共聚物的平均分子量為2,000到100,000，分散度為1到20。
此外，本發明的特徵在於，所述不具有活性能量線交聯性或熱交聯性官能基且包含酸分解性保護基的單位物質由以下化學式2到化學式5中的至少一種構成，
<化學式2>
<化學式3>
<化學式4>
<化學式5>
在所述化學式2及所述化學式3中，G為相當於包含所述化學式1-1到化學式1-10所示酸分解性保護基的母體的單位物質，Y為芳基、鏈式或環式脂肪族基、鏈式或環式酯基或鏈式或環式醚基中的任一種；此外，在所述化學式4及所述化學式5中，R8為氫基、鏈式或環式烷基，R9為鏈式或環式烷基、或鏈式或環式烯烴基（alkene group），R10為氫基、鏈式或環式烷基或芳基。
此外，本發明的特徵在於，進一步包括溶解抑制劑，所述溶解抑制劑在包含至少一個苯酚基的堿溶性酚醛類化合物或芴（fluorene）類化合物、包含至少一個羧酸基的堿溶性化合物或包含至少一個苯甲酸基的堿溶性化合物中的至少一種中含有酸分解性保護基；在所述溶解抑制劑中，所述酸分解性保護基為在所述化學式1-1到1-10中示出的酸分解性保護基中的任一種，或者在所述化學式1-1到1-10中不具有活性能量線交聯性或熱交聯性官能基X的酸分解性保護基中的任一種。
此外，本發明的特徵在於，進一步包括光酸發生劑，所述光酸發生劑由鎓鹽化合物、含鹵素化合物、碸化合物、磺酸酯化合物或三嗪類化合物中至少一種構成，且相對於所述粘合劑樹脂100重量份，含有0.1到10重量份的所述光酸發生劑。
此外，本發明的特徵在於，為了促進活性能量線交聯性及熱交聯性官能基之間的結合反應，進一步包括透過活性能量線或熱來發揮作用的自由基發生劑（free-radical generator）或堿發生劑（base generator）或酸發生劑（acid generator），相對於所述粘合劑樹脂100重量份，包含0.01到10重量份的所述自由基發生劑或堿發生劑或酸發生劑。
此外，本發明的特徵在於，進一步包括含有醌二疊氮（quinonediazide）基的光敏劑（photo Active Compound；PAC）；且進一步包括添加劑，所述添加劑由熱交聯劑、熱穩定劑、光固化促進劑、表面活性劑、鹼性抑制劑（base quencher）、防光暈劑、粘接助劑、光穩定劑、聚合終止劑或消泡劑中的至少一種構成。
本發明的特徵在於，所述熱交聯劑由包含脲類樹脂、三聚氰胺類樹脂、二醯亞胺類樹脂、異氰酸酯基、環氧基、氧雜環氧丁烷基、丙烯酸酯基、乙烯基、芳基、羥基或巰基中至少一種的化合物構成；所述熱穩定劑由酚醛類、內酯類、胺類、磷類或硫磺類化合物中的至少一種構成。
本發明的特徵在於，所述光穩定劑由苯並三唑類、三嗪類、二苯甲酮類、受阻氨基醚（hindered amino ether）類或受阻胺類化合物中的至少一種構成；所述粘接助劑由包含異氰酸酯基、氨基、脲基、烷基、環氧基、丙烯酸酯基、乙烯基或巰基中至少一種的烷氧基矽烷化合物構成。
本發明的特徵在於，所述鹼性抑制劑為含氮有機化合物，所述含氮有機化合物由一級胺、二級胺、三級胺或醯胺化合物中的至少一種構成。
其次，應用本發明的化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物的有機絕緣膜的形成方法的特徵在於，包括以下步驟：
在顯示裝置的基板上部及在所述基板上形成的源極/漏極或氮化矽層的上部塗覆所述有機絕緣膜組成物；
預烘（pre-bake）所述有機絕緣膜組成物；
選擇性地曝光所述有機絕緣膜組成物後進行顯影而形成圖案；及
對所述有機絕緣膜組成物進行整片曝光及熱處理（cure bake）以形成絕緣保護膜。
此外，本發明的特徵在於，在形成所述圖案的步驟中在曝光與顯影之間增加後烘（post bake）工序。
根據本發明的化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物及應用該組成物的有機絕緣膜的形成方法，與以往不同地，包括包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質或者具有活性能量線或熱交聯性官能基（crosslinking group）且不包含酸分解性保護基的單位物質而構成，並且構成為同時或單獨包含至少一種以上所述單位物質的聚合物、共聚物或其混合物的形式，從而不僅能夠顯著提高敏感度及解析度，還能在熱工序之後保持圖案形狀且能顯著減少膜減小現象，具有在塗覆有機絕緣膜時能夠最大限度地減少使用量的經濟效果。
此外，透過使用包含具有交聯性官能基的酸分解性保護基的單位物質，即使在後續熱工序中對形成有圖案的有機膜加以熱量的情況下，也能透過單位物質之間的交聯反應來抑制可能會因為酸分解性單位物質的脫離（deprotection）而產生的揮發蒸氣（outgas）的量，並且透過引發包含交聯性官能基的（共）聚合物之間的交聯反應來提高有機膜的玻璃轉移溫度（Tg），從而確保有機膜圖案的耐熱性。
此外，本發明的目的是提供一種化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物及應用該組成物的有機絕緣膜的形成方法，該組成物能夠顯著地減少曝光中揮發蒸氣的產生，且能夠透過顯著地縮短曝光時間來節儉制程費用，並且能夠實現顯示器的高解析度，不僅能夠保持高透射率，還具有高耐熱性。
不僅如此，本發明的目的是提供一種化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物及應用該組成物的有機絕緣膜的形成方法，該組成物與以往不同地，在保持高敏感度及高解析度特性的情況下，在包含酸分解性保護基的單位物質或者不包含酸分解性保護基的單位物質引進活性能量線交聯性或熱交聯性官能基，並將包含至少一種以上所述單位物質的聚合物、共聚合物或其混合物作為粘合劑樹脂來使用，從而在制程中透過活性能量線或熱而實現它們之間的交聯（cross-linking），由此在後續熱工序過程中也能最大限度地減少由熱而引起的酸分解性保護基的脫離，不僅如此還能提高塗膜的耐熱性（玻璃轉移溫度：Tg）以抑制已形成圖案的熱損傷及熱收縮，從而能夠實現並保持具有高敏感度及高解析度的圖案。
為了實現上述目的，本發明的化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物包含粘合劑樹脂，其特徵在於，所述粘合劑樹脂包括包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質或者具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）且不包含酸分解性保護基的單位物質而構成，並且包含同時或單獨包含至少一種以上所述單位物質的聚合物、共聚合物或其混合物。
此外，所述包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質由以下化學式1-1到1-10中的至少一種構成，
<化學式1-1>
<化學式1-2>
<化學式1-3>
<化學式1-4>
<化學式1-5>
<化學式1-6>
<化學式1-7>
<化學式1-8>
<化學式1-9>
<化學式1-10>
在所述化學式1-1到1-10中，R1為鏈式或環式脂肪族基或芳族基，R2為鏈式或環式烷基，R3為氫基或鏈烷基，R4為氫基或鏈烷基，R5及R6為氫基或鏈烷基，R7不存在或鏈式或環式烷基；在所述化學式中，m為0或1，n0。
並且，X為透過活性能量線或熱進行交聯的官能基，是包含或不包含矽的烷氧基（-ORx）、羥基（-OH）、巰基（thiol）（-SH）、羧基（-COOH）、磷酸酯基（-PO（OH）x）、呋喃基、包括氧雜環氧丁烷及環氧基等的環形結構醚基（cyclic ethers）、芳基、乙烯基、丙烯醯（acryloyl）基、異氰酸酯基、脲基、三聚氰胺基、二醯亞胺基（imide）或醯胺基（amide）中的任一種。
此外，本發明的特徵在於，所述具有透過活性能量線或熱進行交聯的官能基且不包含酸分解性保護基的單位物質由具有包含或不包含矽的烷氧基（-ORx）、羥基（-OH）、巰基（thiol）（-SH）、羧基（-COOH）、磷酸酯基（-PO（OH）x）、呋喃基、包括氧雜環氧丁烷及環氧基等的環形結構醚基（cyclic ethers）、芳基、乙烯基、丙烯醯（acryloyl）基、異氰酸酯基、脲基、三聚氰胺基、二醯亞胺基（imide）或醯胺（amide）基中的至少一種官能基且能構成（共）聚合物的至少一種單體構成。
本發明的特徵在於，構成所述粘合劑樹脂的聚合物或共聚物的平均分子量為2,000到200,000，分散度為1到10。
此外，本發明的特徵在於，為了彌補形成圖案的有機絕緣膜的敏感度、透射度及機械強度等性質，進一步包括包含不具有所述由X表示的活性能量線交聯性或熱交聯性官能基而僅包含酸分解性保護基的單位物質或者不具有活性能量線交聯性或熱交聯性官能基且不包含酸分解性保護基的單位物質的聚合物或共聚物，所述包含不具有交聯性官能基的單位物質的聚合物或共聚物的平均分子量為2,000到100,000，分散度為1到20。
此外，本發明的特徵在於，所述不具有活性能量線交聯性或熱交聯性官能基且包含酸分解性保護基的單位物質由以下化學式2到化學式5中的至少一種構成，
<化學式2>
<化學式3>
<化學式4>
<化學式5>
在所述化學式2及所述化學式3中，G為相當於包含所述化學式1-1到化學式1-10所示酸分解性保護基的母體的單位物質，Y為芳基、鏈式或環式脂肪族基、鏈式或環式酯基或鏈式或環式醚基中的任一種；此外，在所述化學式4及所述化學式5中，R8為氫基、鏈式或環式烷基，R9為鏈式或環式烷基、或鏈式或環式烯烴基（alkene group），R10為氫基、鏈式或環式烷基或芳基。
此外，本發明的特徵在於，進一步包括溶解抑制劑，所述溶解抑制劑在包含至少一個苯酚基的堿溶性酚醛類化合物或芴（fluorene）類化合物、包含至少一個羧酸基的堿溶性化合物或包含至少一個苯甲酸基的堿溶性化合物中的至少一種中含有酸分解性保護基；在所述溶解抑制劑中，所述酸分解性保護基為在所述化學式1-1到1-10中示出的酸分解性保護基中的任一種，或者在所述化學式1-1到1-10中不具有活性能量線交聯性或熱交聯性官能基X的酸分解性保護基中的任一種。
此外，本發明的特徵在於，進一步包括光酸發生劑，所述光酸發生劑由鎓鹽化合物、含鹵素化合物、碸化合物、磺酸酯化合物或三嗪類化合物中至少一種構成，且相對於所述粘合劑樹脂100重量份，含有0.1到10重量份的所述光酸發生劑。
此外，本發明的特徵在於，為了促進活性能量線交聯性及熱交聯性官能基之間的結合反應，進一步包括透過活性能量線或熱來發揮作用的自由基發生劑（free-radical generator）或堿發生劑（base generator）或酸發生劑（acid generator），相對於所述粘合劑樹脂100重量份，包含0.01到10重量份的所述自由基發生劑或堿發生劑或酸發生劑。
此外，本發明的特徵在於，進一步包括含有醌二疊氮（quinonediazide）基的光敏劑（photo Active Compound；PAC）；且進一步包括添加劑，所述添加劑由熱交聯劑、熱穩定劑、光固化促進劑、表面活性劑、鹼性抑制劑（base quencher）、防光暈劑、粘接助劑、光穩定劑、聚合終止劑或消泡劑中的至少一種構成。
本發明的特徵在於，所述熱交聯劑由包含脲類樹脂、三聚氰胺類樹脂、二醯亞胺類樹脂、異氰酸酯基、環氧基、氧雜環氧丁烷基、丙烯酸酯基、乙烯基、芳基、羥基或巰基中至少一種的化合物構成；所述熱穩定劑由酚醛類、內酯類、胺類、磷類或硫磺類化合物中的至少一種構成。
本發明的特徵在於，所述光穩定劑由苯並三唑類、三嗪類、二苯甲酮類、受阻氨基醚（hindered amino ether）類或受阻胺類化合物中的至少一種構成；所述粘接助劑由包含異氰酸酯基、氨基、脲基、烷基、環氧基、丙烯酸酯基、乙烯基或巰基中至少一種的烷氧基矽烷化合物構成。
本發明的特徵在於，所述鹼性抑制劑為含氮有機化合物，所述含氮有機化合物由一級胺、二級胺、三級胺或醯胺化合物中的至少一種構成。
其次，應用本發明的化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物的有機絕緣膜的形成方法的特徵在於，包括以下步驟：
在顯示裝置的基板上部及在所述基板上形成的源極/漏極或氮化矽層的上部塗覆所述有機絕緣膜組成物；
預烘（pre-bake）所述有機絕緣膜組成物；
選擇性地曝光所述有機絕緣膜組成物後進行顯影而形成圖案；及
對所述有機絕緣膜組成物進行整片曝光及熱處理（cure bake）以形成絕緣保護膜。
此外，本發明的特徵在於，在形成所述圖案的步驟中在曝光與顯影之間增加後烘（post bake）工序。
根據本發明的化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物及應用該組成物的有機絕緣膜的形成方法，與以往不同地，包括包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質或者具有活性能量線或熱交聯性官能基（crosslinking group）且不包含酸分解性保護基的單位物質而構成，並且構成為同時或單獨包含至少一種以上所述單位物質的聚合物、共聚物或其混合物的形式，從而不僅能夠顯著提高敏感度及解析度，還能在熱工序之後保持圖案形狀且能顯著減少膜減小現象，具有在塗覆有機絕緣膜時能夠最大限度地減少使用量的經濟效果。
此外，透過使用包含具有交聯性官能基的酸分解性保護基的單位物質，即使在後續熱工序中對形成有圖案的有機膜加以熱量的情況下，也能透過單位物質之間的交聯反應來抑制可能會因為酸分解性單位物質的脫離（deprotection）而產生的揮發蒸氣（outgas）的量，並且透過引發包含交聯性官能基的（共）聚合物之間的交聯反應來提高有機膜的玻璃轉移溫度（Tg），從而確保有機膜圖案的耐熱性。
1．．．下部基板
2．．．柵絕緣膜
3．．．柵電極
4．．．半導體層
5．．．源電極
6．．．漏電極
7．．．存儲電極
8．．．數據線
9．．．有機絕緣膜
10．．．圖元電極
第1圖為示出適用本發明的化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物的具有高開口率的TFT-LCD的unit cell裝置的剖視圖。
第2a圖為用電子顯微鏡（SEM）拍攝的用於評價在本發明的實施例1的組分下的耐熱特性的熱處理（cure bake）前後有機絕緣膜圖案的剖面照片。
第2b圖為用電子顯微鏡（SEM）拍攝的用於評價在本發明的實施例2的組分下的耐熱特性的熱處理（cure bake）前後有機絕緣膜圖案的剖面照片。
第2c圖為用電子顯微鏡（SEM）拍攝的用於評價在本發明的比較例1的組分下的耐熱特性的熱處理（cure bake）前後有機絕緣膜圖案的剖面照片。
第2d圖為用電子顯微鏡（SEM）拍攝的用於評價在本發明的比較例2的組分下的耐熱特性的熱處理（cure bake）前後有機絕緣膜圖案的剖面照片。
第2a圖為用電子顯微鏡（SEM）拍攝的用於評價在本發明的實施例1的組分下的耐熱特性的熱處理（cure bake）前後有機絕緣膜圖案的剖面照片。
第2b圖為用電子顯微鏡（SEM）拍攝的用於評價在本發明的實施例2的組分下的耐熱特性的熱處理（cure bake）前後有機絕緣膜圖案的剖面照片。
第2c圖為用電子顯微鏡（SEM）拍攝的用於評價在本發明的比較例1的組分下的耐熱特性的熱處理（cure bake）前後有機絕緣膜圖案的剖面照片。
第2d圖為用電子顯微鏡（SEM）拍攝的用於評價在本發明的比較例2的組分下的耐熱特性的熱處理（cure bake）前後有機絕緣膜圖案的剖面照片。
下面，參照附圖詳細說明本發明的耐熱性優異的化學放大型正感光型高敏感度有機絕緣膜組成物及應用該組成物的有機絕緣膜的形成方法的較佳實施方式。透過以下實施例能夠更加易於理解本發明，以下實施例是用於例示本發明而提供的，並不是用來限定由所附的申請專利範圍所限定的保護範圍而提供的。
首先，耐熱性優異的化學放大型正感光型高敏感度有機絕緣膜組成物的特徵在於包括粘合劑樹脂，所述粘合劑樹脂包括包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質或者具有透過活性能量線或熱量進行交聯的交聯性官能基（cross-linking group）且不包含酸分解性保護基的單位物質而構成，並且包括同時或單獨包含至少一種以上所述單位物質的聚合物、共聚物或其混合物。
其中，所謂單位物質包括單體（monomer），表示構成（共）聚合物的最小單位，被定義為包括相當於與酸分解性保護基或活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）連接的母體的任何物質。
此外，本發明的特徵在於，所述包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質由所述化學式1-1到1-10中的至少一種構成。
此外，本發明的特徵在於，所述具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）且不包含酸分解性保護基的單位物質由具有包含或不包含矽的烷氧基（-ORx）、羥基（-OH）、巰基（thiol）（-SH）、羧基（-COOH）、磷酸酯基（-PO（OH）x）、呋喃基、包括氧雜環氧丁烷及環氧基等的環形結構醚基（cyclic ethers）、芳基、乙烯基、丙烯醯（acryloyl）基、異氰酸酯基、脲基、三聚氰胺基、二醯亞胺基（imide）或醯胺（amide）基中的至少一種官能基且能構成（共）聚合物的至少一種單體構成。
經研究發現，當於包含酸分解性保護基或不包含酸分解性保護基的單位物質中引進所述活性能量線交聯性或熱交聯性官能基並適用於液晶顯示裝置用有機絕緣膜時，在形成圖案及進行熱工序之後，所述有機絕緣膜還會殘留並起到配線絕緣及保護膜功能，有機絕緣膜所要求的特性即敏感度、殘膜率、解析度及控制揮發蒸氣的提高效果非常優異，並且能夠表現出在進行熱工序之後也能保持圖案形狀的高耐熱性，不僅如此還能調節所需水準的熱流（thermal flow）程度而控制圖案形狀。
所述粘合劑樹脂包括由所述化學式1-1到1-10表示的包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質、或者具有所述化學式1-1到1-10中由X表示的活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）且不包含酸分解性保護基的單位物質而構成，所述粘合劑樹脂也可以在同時或單獨包含至少一種以上的所述單位物質而形成的一種以上聚合物或共聚物內分佈有所述單位物質的形式構成，並且也可以簡單地混合所述（共）聚合物而構成。
其中，所述粘合劑樹脂的平均分子量優選為2,000到200,000，更加優選為5,000到30,000。此外，所述粘合劑樹脂的分散度優選為1到10，更加優選為1.1到5.0。當超出所述最佳平均分子量和分散度範圍時，會出現有機絕緣膜的特性顯著下降或經濟效率低的問題。
此外，所述本發明的有機絕緣膜組成物優選進一步包括如下的聚合物或共聚物，所述聚合物或共聚物包括包含不具有由所述X表示的活性能量線交聯性或熱交聯性官能基的酸分解性保護基的單位物質，或者包括不具有活性能量線交聯性或熱交聯性官能基也不包含酸分解性保護基的單位物質。不包含所述單位物質的聚合物或共聚物的平均分子量優選為2,000到100,000，更加優選為5,000到30,000，分散度優選為1到20，更加優選為1.1到5。
由這種不具有交聯性官能基的單位物質構成的（共）聚合物與粘合劑樹脂有效混合，從而不僅提高殘留圖案塗膜的透射度等光學特性，還起到能夠在所需水準上調節機械強度的作用。
此外，優選地，所述本發明的有機絕緣膜組成物進一步包括溶解抑制劑，所述溶解抑制劑優選在包含至少一個苯酚基的堿溶性酚醛類化合物或芴（fluorene）類化合物、包含至少一個羧基的堿溶性化合物或包含至少一個苯甲酸基的堿溶性化合物中的至少一種中含有酸分解性保護基。在所述溶解抑制劑中，所述酸分解性保護基優選為所述化學式1-1到1-10中示出的酸分解性保護基中的任一種，或者在所述化學式1-1到1-10中不具有活性能量線交聯性或熱交聯性官能基X的酸分解性保護基中的任一種。
這種溶解抑制劑與粘合劑樹脂有效混合，從而起到提高敏感度和解析度，並且易於形成圖案的作用。
在單分子結構下，所述溶解抑制劑的分子量優選為5,000以下，在高分子結構下，所述溶解抑制劑的分子量優選為5,000到30,000。
如上所述，本發明的粘合劑樹脂在使用最少量的酸分解性保護基的情況下使非曝光部呈現對顯影液的充分的溶解抑制能力，從而能夠顯著地減少在曝光工序中或在其後可能在殘留有機圖案膜中產生的揮發蒸氣量，曝光部在曝光工序中由光酸發生劑（PAG: Photo Acid Generator）激發的酸的作用下透過催化劑反應以非常快的速度脫離保護，從而對顯影液的溶解度急劇增加，使有機絕緣膜組成物的溶解對比度增加，從而即使在i, g, h-line的複合波長的光源下，也能夠形成高解析度（high resolution）的微細電路圖案。
同時，在顯影工序以後形成的殘留有機膜圖案在構成所述粘合劑樹脂的（共）聚合物內透過交聯性官能基之間的活性能量或熱而進行交聯而具有網狀結構，從而形成具有高玻璃轉移溫度（Tg）值的高耐熱性塗膜。這將最終控制後續工序中發生的因熱量而引起的圖案的熱流性（thermal flow），並保存圖案形狀以保持高解析度，並且控制熱收縮，從而持續保持穩定的塗膜厚度。特別是，當根據情況需要適當利用熱流性而按所需模樣調節圖案形狀時，能夠透過改變所述交聯性官能基的含量及種類而實現具有特定形狀的圖案。
此外，可透過在所述粘合劑樹脂中添加光酸發生劑、透過活性能量線或熱而發揮作用的自由基發生劑或鹼發生劑（base generator）或酸發生劑、各種添加劑以及有機溶劑中的至少一種而最大限度地發揮其性能。
首先，所述光酸發生劑可使用在暴露於活性照射線時能夠產生酸但不會降低保護膜形成特性及透射性等光學特性的任何物質，但優選使用在250nm到400nm的波長下具有適當的吸光度，在400nm以上的可見光區域中能夠保持有機絕緣膜優異的透射度及透明顏色的物質。
對此，在本發明中經過多次實驗確認所述光酸發生劑最好由鎓鹽化合物、含鹵素化合物、碸化合物、磺酸酯化合物或三嗪類化合物中的至少一種構成並使用該化合物。
所述鎓鹽化合物優選使用碘鹽、硫鹽（sulfonium salt）、磷鹽（phosphonium salt）、重氮鹽、銨鹽或吡啶鹽（Pyridinium salt），所述含鹵素化合物優選使用含鹵代烷基烴化合物或含鹵代烷基雜環化合物。
此外，碸化合物優選使用β-酮碸（β-ketosulfone）、β-磺醯碸或其α-重氮化合物，磺酸酯化合物優選使用烷基磺酸酯、鹵代烷基磺酸酯（Halo alkyl sulfonate）、芳基磺酸酯、亞氨基磺酸酯或醯胺磺酸酯。
此外，作為所述光酸發生劑的含量，相對於所述粘合劑樹脂100重量份優選包含0.1到10重量份，更加優選地包含1到5重量份。當少於0.1重量份時，在曝光中酸的產生量受到限制而難以實現充分速度的敏感度，當超過10重量份時，可能會產生塗膜透射性的下降及變色問題。
其次，透過活性能量線或熱而發揮作用的自由基發生劑（free-radical generator）或堿發生劑（base generator）或酸發生劑（acid generator）在暴露於活性能量線或熱時產生自由基或堿或酸，從而起到如催化劑那樣引導交聯性官能基之間順利進行交聯反應的作用，只要是不會降低保護膜形成特性及透射性等光學特性的物質，可使用任何物質，但優選使用能夠在400nm以上的可見光區域保持有機絕緣膜優異的透射度及透明顏色的物質。
接下來，所述添加劑優選由熱交聯劑、熱穩定劑、光固化促進劑、表面活性劑、鹼性抑制劑, 防光暈劑、粘接助劑、光穩定劑或消泡劑中的至少一種構成。
所述熱交聯劑與在形成有機絕緣膜時透過曝光後熱處理過程而引導在包含於構成所述粘合劑樹脂的（共）聚合物中的交聯性官能基之間的交聯反應無關地，是為了使粘合劑樹脂和熱交聯劑之間或熱交聯劑之間產生交聯反應，從而進一步補充性地提高耐熱性和塗膜的機械性質（硬度、強度）而添加的，在本發明中所述熱交聯劑最好由包含脲類、三聚氰胺類樹脂、異氰酸酯基、環氧基、氧雜環氧丁烷基、丙烯酸酯基、乙烯基、芳基、羥基或巰基中的至少一種的化合物構成。
此外，所述熱穩定劑是為了抑制所形成的有機膜由於在後續工序中或裝置的可靠性條件中產生的熱量而變色及透射度下降的問題而使用的，在本發明中最好由酚醛類、內酯類、胺類、磷類或硫磺類化合物中的至少一種構成。
所述光穩定劑是為了最大限度地發揮有機絕緣膜組成物的耐光性而使用的，只要是具有這種特性的光穩定劑，其種類不受特別的限制，但在本發明中最好使用苯並三唑類、三嗪類、二苯甲酮類、受阻氨基醚類或受阻胺類化合物中的至少一種。
此外，所述光固化促進劑只要在曝光中促進酸產生的物質可以使用任何物質，所述粘接助劑優選由包含異氰酸酯基、環氧基、丙烯酸酯基、乙烯基或巰基中的至少一種的烷氧基矽烷化合物構成。
所述鹼性抑制劑起到控制所產生酸的擴散的作用，優選使用鹼性不變的含氮有機化合物，最好由一級胺、二級胺、三級胺或醯胺化合物中的至少一種構成。
此外，表面活性劑（surfactant）是為了透過提高基板和有機絕緣膜組成物的潤濕特性（wetting）來改善塗覆性和厚度均勻性而使用的，其種類不受特別的限制，但優選可以舉出Polyoxy Laurylether、聚氧乙烯硬脂醯醚（Polyoxyethylene Stearylether）、聚氧乙烯油烯醚（Polyoxyethylene Oleyl ether）、聚氧乙烯辛基苯酚醚（Polyoxyethylene octylphenol ether）、聚氧乙烯壬基苯酚醚（Polyoxyethylene nonylphenol ether）或聚乙二醇二月桂酸酯等，至於這些表面活性劑的含量，相對於本發明正型有機絕緣膜組成物100重量份，優選使用3重量份以下。
除此之外可以使用常規的光固化促進劑、防光暈劑（均化劑）、消泡劑等，根據需要，除了上述列舉的添加劑之外還可以使用各種不同的添加劑來提高所需特性。
此外，所述有機絕緣膜組成物可以使用有機溶劑，所述有機溶劑優選使用醇類、醋酸酯類、醚類、二醇類、酮類或碳酸酯類有機溶劑中的至少一種，更加優選使用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA），這樣塗覆性優異，即使在大型玻璃基板上，有機絕緣膜覆膜的膜厚度均勻性也比較優異，因此最有效。
接下來，利用本發明的化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物的有機絕緣膜的形成方法包括以下步驟而構成：將所述有機絕緣膜組成物塗覆於顯示裝置的基板上部以及在所述基板上形成的源極/漏極或氮化矽層上部（S10）；預烘（pre-bake）所述有機絕緣膜組成物（S20）；選擇性地將所述有機絕緣膜組成物曝光及顯影而形成圖案（S30）；及整片曝光及熱處理（cure bake）所述有機絕緣膜組成物而形成絕緣保護膜（S40）。
作為所述基板主要使用通常在液晶顯示裝置（TFT-LCD）、OLED等FPD（Flat Panel Display）中使用的玻璃或透明塑膠樹脂，但不會根據所使用的顯示裝置的特性而受到特別的限制。例如，可將所述有機絕緣膜形成於在OLED中作為陽極使用的ITO金屬膜上、或在每個 RGB顏色的EL層上、或在玻璃等基板上構成柵電極的金屬膜上而作為保護及絕緣目的而使用。
在本發明中將所述有機絕緣膜組成物塗覆於基板等的上部的方法有噴塗法、輥塗法、噴出噴嘴式塗覆法等使用狹縫噴嘴的塗覆法、中央滴下旋轉塗覆法等旋塗法、擠壓塗覆法或棒塗法（bar coating）等，在塗覆時可以將兩種以上的塗覆方法組合使用。
根據塗覆方法、組成物的固體物質的濃度或粘度等，所塗覆的膜厚度不同，但通常塗覆為乾燥後的膜厚度達到0.5到10μm。。以後執行的預烘步驟為在形成塗膜後為了獲得無流動性的塗膜而加以真空、紅外線或熱量而使溶劑揮發的工序。加熱條件根據各成分的種類或組配等而不同，但在熱板（hot plate）加熱時一般以60到130℃的溫度加熱30到300秒，在使用熱烤箱時一般以60到150℃加熱30到1,000秒。其次，選擇性曝光工序在照射准分子鐳射、遠紫外線、紫外線、可見光、電子線、X線或g-線（波長為436nm）、i-線（波長為365nm）、h-線（波長為405nm）或其混合光線的同時執行。曝光可透過接觸式（contact）、接近式（porximity）或投影式（projection）曝光法等進行。
本發明的特徵是在執行鹼性顯影後對所述有機絕緣膜組成物進行整片曝光及熱處理（annealing）步驟。在用於進行所述高溫燒成的本發明有機絕緣膜組成物的結構中適用熱交聯劑等。所述熱處理步驟利用熱板或烤箱等加熱裝置在150℃到250℃溫度下執行30分鐘到2小時。在完成所述熱處理後可獲得完整地交聯及固化的圖案。
如此形成的有機絕緣膜在第1圖的顯示裝置所示的由基板10、柵電極20、柵絕緣膜30、氮化矽等構成的半導體層40、源極51、漏極52、保護膜60構成的層壓結構中在柵絕緣膜30或保護膜60中使用。
下面考察在本發明的耐熱性優異的化學放大型正感光型高敏感度有機絕緣膜組成物中作為粘合劑樹脂使用的不同（共）聚合物情況下的具體實施例。
實施例 1
首先，合成/製備作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用的由以下化學式6表示的（共）聚合物。並且，相對於有機溶劑（PGMEA） 100重量份，將使用由以下化學式6表示的（共）聚合物的粘合劑樹脂35.20重量份、光酸發生劑N-羥基萘醯亞胺三氟甲磺酸（N-hydroxynaphthalimide triflate）1.76重量份、鹼性抑制劑三乙基胺（triethylamine）0.20重量份、偶氮醯胺（Azo Amides）類自由基熱引發劑VAm-110（Wako）0.53重量份、粘接助劑γ-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽烷（gamma-Glycidoxypropyltrimethoxysilane）1.06重量份、聚合禁止劑2,5-二（1,1-二甲基丁基）對苯二酚（2,5-Bis（1,1-dimethylbuthyl）hydroquinone）0.18重量份以及用於塗覆性的表面活性劑F-475（Dainippon Ink & Chemicals） 0.14重量份混合使之完全溶解後，以500rpm到1000rpm的轉速旋轉塗覆於玻璃基板上，之後在熱板上以90℃溫度乾燥90秒而形成3.0μm-3.5μm厚度的塗膜後按光量進行曝光，然後在23℃到24℃下在2.38wt%的TMAH（tetramethylammonium hydroxide，四甲基氫氧化銨）顯影液中顯影90秒，並確認塗膜厚度及用於實現20㎛的L/S圖案的曝光量，並且確認可解析的最小線寬。
然後，在形成有圖案的有機膜上以500mJ/cm2到700mJ/cm2的曝光量利用紫外線進行整片曝光後，在230℃的烤箱中進行30分鐘的熱處理（cure bake），之後檢測所形成的塗膜厚度及圖案形狀。
<化學式6>
在上述化學式6中，a為0.35，b為0.30，c為0.10，d為0.10，e為0.1，f為0.05。
實施例2
分別合成/製備由以下化學式7及化學式8表示的（共）聚合物後以70：30的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式7>
<化學式8>
在上述化學式7中，a為0.40，b為0.15，c為0.40，d為0.05，在上述化學式8中x為0.45，y為0.30，z為0.10，w為0.15。
實施例 3
分別合成/製備由以下化學式9表示的（共）聚合物，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式9>
在上述化學式9中，a為0.35，b為0.40，c為0.10，d為0.05，e為0.10。
實施例 4
分別合成/製備由以下化學式10及化學式11表示的（共）聚合物並以60:40的重量比進行混合，並且將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式10>
<化學式11>
在上述化學式10中，a為0.35，b為0.45，c為0.10，d為0.10，在上述化學式11中x為0.35，y為0.30，z為0.25，w為0.10。
實施例5
分別合成/製備由以下化學式12、化學式13及化學式14表示的（共）聚合物後以35:25:40的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式12>
<化學式13>
<化學式14>
在上述化學式12中，a為0.35，b為0.45，c為0.10，d為0.10，在上述化學式13中x為0.35，y為0.45，z為0.10，w為0.10，在上述化學式14中p為0.20，q為0.30，r為0.30，s為0.20。
實施例 6
分別合成/製備由以下化學式15及化學式16表示的（共）聚合物後以30:70的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式15>
<化學式16>
在上述化學式15中，a為0.30，b為0.45，c為0.10，d為0.10，e為0.05，在上述化學式16中x為0.35，y為0.45，z為0.10，w為0.10。
實施例 7
合成/製備由以下化學式17表示的（共）聚合物，並且對其進一步混合包含由以下化學式18表示的交聯性官能基的溶解抑制劑後將其作為有機絕緣膜組成物使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式17>
<化學式18>
在上述化學式17中，a為0.35，b為0.45，c為0.10，d為0.10。
實施例8
分別合成/製備由以下化學式19及化學式20表示的（共）聚合物後以60:40的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式19>
<化學式20>
在上述化學式19中，a為0.25，b為0.25，c為0.50，在上述化學式20中x為0.25，y為0.30，z為0.20，w為0.25。
實施例 9
分別合成/製備由以下化學式21及化學式22表示的（共）聚合物後以65:35的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式21>
<化學式22>
在上述化學式21中，a為0.20，b為0.30，c為0.10，d為0.40，在上述化學式22中x為0.50，y為0.20，z為0.10，w為0.20。
實施例10
分別合成/製備由以下化學式23及化學式24表示的（共）聚合物後以65:35的重量比進行混合，並對其進一步混合由以下化學式25表示的熱交聯劑，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式23>
<化學式24>
<化學式25>
在上述化學式23中，a為0.33，b為0.50，c為0.17，在上述化學式24中x為0.50，y為0.20，z為0.10，w為0.20。
實施例 11
分別合成/製備由以下化學式26及化學式27表示的（共）聚合物後以65:35的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式26>
<化學式27>
在上述化學式26中，a為0.35，b為0.15，c為0.30，d為0.10，e為0.10，在上述化學式27中x為0.40，y為0.20，z為0.20，w為0.20。
實施例12
分別合成/製備由以下化學式28及化學式29表示的（共）聚合物後以50:50的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式28>
<化學式29>
在上述化學式28中，a為0.30，b為0.25，c為0.30，d為0.15，在上述化學式29中x為0.25，y為0.35，z為0.20，w為0.20。
實施例13
分別合成/製備由以下化學式30及化學式31表示的（共）聚合物後以55:45的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式30>
<化學式31>
在上述化學式30中，a為0.30，b為0.25，c為0.30，d為0.15，在上述化學式31中x為0.20，y為0.35，z為0.25，w為0.10，u為0.10。
實施例14
合成/製備由以下化學式32表示的（共）聚合物，並對其進一步混合由以下化學式33表示的熱交聯劑並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式32>
<化學式33>
在上述化學式32中，a為0.25，b為0.40，c為0.10，d為0.10，e為0.05，f為0.10。
實施例15
分別合成/製備由以下化學式34及化學式35表示的（共）聚合物後以70:30的重量比進行混合，對其進一步混合由以下化學式36表示的熱交聯劑後將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式34>
<化學式35>
<化學式36>
在上述化學式34中，a為0.30，b為0.45，c為0.15，d為0.10，在上述化學式35中x為0.05，y為0.30，z為0.30，w為0.35。
比較例1
合成/製備由以下化學式37表示的（共）聚合物後將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式37>
在上述化學式37中，a為0.35，b為0.20，c為0.30，d為0.10，e為0.05。
比較例2
除了使用以往適用的有機絕緣膜組成物（JSR公司產品名：411B）之外，與實施例1相同的評價方法進行實驗，所述有機絕緣膜組成物由作為粘合劑樹脂的堿溶性丙烯酸樹脂及含有醌二疊氮（quinonediazide）基的PAC化合物構成。
利用透過所述實施例及比較例形成的圖案，用以下方法分別檢測可檢測敏感度的適當曝光量（Eop）、顯影後的殘膜率、熱處理（cure bake）後的殘膜率、圖案的錐角（taper angle）、解析度及全光線透射率。
1）適當曝光量（Eop）
使用刻有寬度（CD）為20的圖案的光罩（photomask）進行曝光（UV exposure）及顯影（development）工序後用光學顯微鏡（optical microscopy）觀察並確認實現20μm圖案時的曝光量。
2)顯影後的殘膜率%
檢測顯影前的塗覆有機膜厚度和顯影後的殘留有機膜的圖案厚度，透過以下公式計算顯影後的殘膜率。其中，所述顯影後的殘膜率透過公式（顯影後的殘留有機膜的圖案厚度）/（顯影前塗覆塗膜的厚度）×100（%）來導出。
3） 熱處理（Cure bake）後的殘膜率%
將顯影後的殘留有機膜進一步擱置在230℃的烤箱內30分鐘以進行cure bake過程後檢測殘留有機膜的圖案厚度，並使用以下公式計算 cure bake後的殘膜率。其中，所述cure bake後的殘膜率透過公式（cure bake後的殘留有機膜的圖案厚度）/（顯影前塗覆塗膜的厚度）×100（%）導出。
4） Cure bake後圖案的錐角（Taper Angle; degree）
透過對如第2a圖到第2d圖所示表示圖案形狀的圖案下部斜度（錐角）的檢測來導出Cure bake後圖案的耐熱特性。
5） 解析度（resolution）
以1:1的line&space（L/S）圖案為基準檢測能夠形成顯影後圖案無變形（distortion）或剝離（peel-off）的最微細的圖案寬度（CD）。
6） 全光線透射率（%）
執行至最終cure bake工序後使用UV-Visible- Spectrometer、PDA UV-Vis Spectro （Scinco）對2.5μm厚度的殘留有機膜檢測在450nm波長下的透光度。
下表1示出針對透過所述實施例1到實施例13塗覆的薄膜評價適當曝光量（Eop）、顯影後殘膜率、cure bake後的殘膜率、圖案的錐角（Taper Angle）、解析度及透光率的結果。
表1
如上表1所示，根據本發明實施例的圖案的曝光量為35到55mJ/cm2範圍，具有突出的敏感度，解析度及透光率也優秀。
尤其是，可透過圖案的錐角值確認當與比較例1（具有鏈式結構酸分解性保護基的化學放大型有機絕緣膜）及比較例2（以往的使用醌二疊氮類感光性化合物的正型有機絕緣膜）比較時，不僅能夠保持相對較高的cure bake後的殘膜率，還能抑制熱流（thermal flow）所引起的圖案變形，其中所述比較例1將不包含具有活性能量交聯性或熱交聯性的交聯性官能基的單位物質的（共）聚合物作為有機絕緣膜的粘合劑樹脂使用。
這樣能夠對酸分解性保護基引進活性能量線交聯性或熱交聯性官能基引發相互分子鍵合，從而使脫保護基本身的揮發性顯著降低，由此最終能夠較低地保持由於熱量而在粘合劑樹脂的脫保護基可能會產生的副產物（byproduct）的濃度，從而能夠抑制塗膜的體積收縮及圖案變形。此外，透過將如下的（共）聚合物作為本發明的有機絕緣膜的粘合劑樹脂來使用，從而在顯影以後的整片曝光（Flood Exposure）或熱工序過程中引發構成圖案塗膜的聚合物之間的交聯以顯著提高玻璃轉移溫度Tg，藉此使塗膜具有能夠控制熱流（thermal flow）特性的優異的耐熱性。所述（共）聚合物包括具有未被引進酸分解性保護基中的活性能量線交聯性或熱交聯性官能基的單位物質。
以上說明了本發明的優選實施例，但可以改變或變更本發明並使用等同物。顯然，可適當地變形所述實施例並以相同的方式應用本發明。因此以上記載內容並不限定由以下申請專利範圍所要求保護的範圍所限定的本發明的範圍。
首先，耐熱性優異的化學放大型正感光型高敏感度有機絕緣膜組成物的特徵在於包括粘合劑樹脂，所述粘合劑樹脂包括包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質或者具有透過活性能量線或熱量進行交聯的交聯性官能基（cross-linking group）且不包含酸分解性保護基的單位物質而構成，並且包括同時或單獨包含至少一種以上所述單位物質的聚合物、共聚物或其混合物。
其中，所謂單位物質包括單體（monomer），表示構成（共）聚合物的最小單位，被定義為包括相當於與酸分解性保護基或活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）連接的母體的任何物質。
此外，本發明的特徵在於，所述包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質由所述化學式1-1到1-10中的至少一種構成。
此外，本發明的特徵在於，所述具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）且不包含酸分解性保護基的單位物質由具有包含或不包含矽的烷氧基（-ORx）、羥基（-OH）、巰基（thiol）（-SH）、羧基（-COOH）、磷酸酯基（-PO（OH）x）、呋喃基、包括氧雜環氧丁烷及環氧基等的環形結構醚基（cyclic ethers）、芳基、乙烯基、丙烯醯（acryloyl）基、異氰酸酯基、脲基、三聚氰胺基、二醯亞胺基（imide）或醯胺（amide）基中的至少一種官能基且能構成（共）聚合物的至少一種單體構成。
經研究發現，當於包含酸分解性保護基或不包含酸分解性保護基的單位物質中引進所述活性能量線交聯性或熱交聯性官能基並適用於液晶顯示裝置用有機絕緣膜時，在形成圖案及進行熱工序之後，所述有機絕緣膜還會殘留並起到配線絕緣及保護膜功能，有機絕緣膜所要求的特性即敏感度、殘膜率、解析度及控制揮發蒸氣的提高效果非常優異，並且能夠表現出在進行熱工序之後也能保持圖案形狀的高耐熱性，不僅如此還能調節所需水準的熱流（thermal flow）程度而控制圖案形狀。
所述粘合劑樹脂包括由所述化學式1-1到1-10表示的包含具有活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）的酸分解性保護基的單位物質、或者具有所述化學式1-1到1-10中由X表示的活性能量線或熱交聯性官能基（cross-linking group）且不包含酸分解性保護基的單位物質而構成，所述粘合劑樹脂也可以在同時或單獨包含至少一種以上的所述單位物質而形成的一種以上聚合物或共聚物內分佈有所述單位物質的形式構成，並且也可以簡單地混合所述（共）聚合物而構成。
其中，所述粘合劑樹脂的平均分子量優選為2,000到200,000，更加優選為5,000到30,000。此外，所述粘合劑樹脂的分散度優選為1到10，更加優選為1.1到5.0。當超出所述最佳平均分子量和分散度範圍時，會出現有機絕緣膜的特性顯著下降或經濟效率低的問題。
此外，所述本發明的有機絕緣膜組成物優選進一步包括如下的聚合物或共聚物，所述聚合物或共聚物包括包含不具有由所述X表示的活性能量線交聯性或熱交聯性官能基的酸分解性保護基的單位物質，或者包括不具有活性能量線交聯性或熱交聯性官能基也不包含酸分解性保護基的單位物質。不包含所述單位物質的聚合物或共聚物的平均分子量優選為2,000到100,000，更加優選為5,000到30,000，分散度優選為1到20，更加優選為1.1到5。
由這種不具有交聯性官能基的單位物質構成的（共）聚合物與粘合劑樹脂有效混合，從而不僅提高殘留圖案塗膜的透射度等光學特性，還起到能夠在所需水準上調節機械強度的作用。
此外，優選地，所述本發明的有機絕緣膜組成物進一步包括溶解抑制劑，所述溶解抑制劑優選在包含至少一個苯酚基的堿溶性酚醛類化合物或芴（fluorene）類化合物、包含至少一個羧基的堿溶性化合物或包含至少一個苯甲酸基的堿溶性化合物中的至少一種中含有酸分解性保護基。在所述溶解抑制劑中，所述酸分解性保護基優選為所述化學式1-1到1-10中示出的酸分解性保護基中的任一種，或者在所述化學式1-1到1-10中不具有活性能量線交聯性或熱交聯性官能基X的酸分解性保護基中的任一種。
這種溶解抑制劑與粘合劑樹脂有效混合，從而起到提高敏感度和解析度，並且易於形成圖案的作用。
在單分子結構下，所述溶解抑制劑的分子量優選為5,000以下，在高分子結構下，所述溶解抑制劑的分子量優選為5,000到30,000。
如上所述，本發明的粘合劑樹脂在使用最少量的酸分解性保護基的情況下使非曝光部呈現對顯影液的充分的溶解抑制能力，從而能夠顯著地減少在曝光工序中或在其後可能在殘留有機圖案膜中產生的揮發蒸氣量，曝光部在曝光工序中由光酸發生劑（PAG: Photo Acid Generator）激發的酸的作用下透過催化劑反應以非常快的速度脫離保護，從而對顯影液的溶解度急劇增加，使有機絕緣膜組成物的溶解對比度增加，從而即使在i, g, h-line的複合波長的光源下，也能夠形成高解析度（high resolution）的微細電路圖案。
同時，在顯影工序以後形成的殘留有機膜圖案在構成所述粘合劑樹脂的（共）聚合物內透過交聯性官能基之間的活性能量或熱而進行交聯而具有網狀結構，從而形成具有高玻璃轉移溫度（Tg）值的高耐熱性塗膜。這將最終控制後續工序中發生的因熱量而引起的圖案的熱流性（thermal flow），並保存圖案形狀以保持高解析度，並且控制熱收縮，從而持續保持穩定的塗膜厚度。特別是，當根據情況需要適當利用熱流性而按所需模樣調節圖案形狀時，能夠透過改變所述交聯性官能基的含量及種類而實現具有特定形狀的圖案。
此外，可透過在所述粘合劑樹脂中添加光酸發生劑、透過活性能量線或熱而發揮作用的自由基發生劑或鹼發生劑（base generator）或酸發生劑、各種添加劑以及有機溶劑中的至少一種而最大限度地發揮其性能。
首先，所述光酸發生劑可使用在暴露於活性照射線時能夠產生酸但不會降低保護膜形成特性及透射性等光學特性的任何物質，但優選使用在250nm到400nm的波長下具有適當的吸光度，在400nm以上的可見光區域中能夠保持有機絕緣膜優異的透射度及透明顏色的物質。
對此，在本發明中經過多次實驗確認所述光酸發生劑最好由鎓鹽化合物、含鹵素化合物、碸化合物、磺酸酯化合物或三嗪類化合物中的至少一種構成並使用該化合物。
所述鎓鹽化合物優選使用碘鹽、硫鹽（sulfonium salt）、磷鹽（phosphonium salt）、重氮鹽、銨鹽或吡啶鹽（Pyridinium salt），所述含鹵素化合物優選使用含鹵代烷基烴化合物或含鹵代烷基雜環化合物。
此外，碸化合物優選使用β-酮碸（β-ketosulfone）、β-磺醯碸或其α-重氮化合物，磺酸酯化合物優選使用烷基磺酸酯、鹵代烷基磺酸酯（Halo alkyl sulfonate）、芳基磺酸酯、亞氨基磺酸酯或醯胺磺酸酯。
此外，作為所述光酸發生劑的含量，相對於所述粘合劑樹脂100重量份優選包含0.1到10重量份，更加優選地包含1到5重量份。當少於0.1重量份時，在曝光中酸的產生量受到限制而難以實現充分速度的敏感度，當超過10重量份時，可能會產生塗膜透射性的下降及變色問題。
其次，透過活性能量線或熱而發揮作用的自由基發生劑（free-radical generator）或堿發生劑（base generator）或酸發生劑（acid generator）在暴露於活性能量線或熱時產生自由基或堿或酸，從而起到如催化劑那樣引導交聯性官能基之間順利進行交聯反應的作用，只要是不會降低保護膜形成特性及透射性等光學特性的物質，可使用任何物質，但優選使用能夠在400nm以上的可見光區域保持有機絕緣膜優異的透射度及透明顏色的物質。
接下來，所述添加劑優選由熱交聯劑、熱穩定劑、光固化促進劑、表面活性劑、鹼性抑制劑, 防光暈劑、粘接助劑、光穩定劑或消泡劑中的至少一種構成。
所述熱交聯劑與在形成有機絕緣膜時透過曝光後熱處理過程而引導在包含於構成所述粘合劑樹脂的（共）聚合物中的交聯性官能基之間的交聯反應無關地，是為了使粘合劑樹脂和熱交聯劑之間或熱交聯劑之間產生交聯反應，從而進一步補充性地提高耐熱性和塗膜的機械性質（硬度、強度）而添加的，在本發明中所述熱交聯劑最好由包含脲類、三聚氰胺類樹脂、異氰酸酯基、環氧基、氧雜環氧丁烷基、丙烯酸酯基、乙烯基、芳基、羥基或巰基中的至少一種的化合物構成。
此外，所述熱穩定劑是為了抑制所形成的有機膜由於在後續工序中或裝置的可靠性條件中產生的熱量而變色及透射度下降的問題而使用的，在本發明中最好由酚醛類、內酯類、胺類、磷類或硫磺類化合物中的至少一種構成。
所述光穩定劑是為了最大限度地發揮有機絕緣膜組成物的耐光性而使用的，只要是具有這種特性的光穩定劑，其種類不受特別的限制，但在本發明中最好使用苯並三唑類、三嗪類、二苯甲酮類、受阻氨基醚類或受阻胺類化合物中的至少一種。
此外，所述光固化促進劑只要在曝光中促進酸產生的物質可以使用任何物質，所述粘接助劑優選由包含異氰酸酯基、環氧基、丙烯酸酯基、乙烯基或巰基中的至少一種的烷氧基矽烷化合物構成。
所述鹼性抑制劑起到控制所產生酸的擴散的作用，優選使用鹼性不變的含氮有機化合物，最好由一級胺、二級胺、三級胺或醯胺化合物中的至少一種構成。
此外，表面活性劑（surfactant）是為了透過提高基板和有機絕緣膜組成物的潤濕特性（wetting）來改善塗覆性和厚度均勻性而使用的，其種類不受特別的限制，但優選可以舉出Polyoxy Laurylether、聚氧乙烯硬脂醯醚（Polyoxyethylene Stearylether）、聚氧乙烯油烯醚（Polyoxyethylene Oleyl ether）、聚氧乙烯辛基苯酚醚（Polyoxyethylene octylphenol ether）、聚氧乙烯壬基苯酚醚（Polyoxyethylene nonylphenol ether）或聚乙二醇二月桂酸酯等，至於這些表面活性劑的含量，相對於本發明正型有機絕緣膜組成物100重量份，優選使用3重量份以下。
除此之外可以使用常規的光固化促進劑、防光暈劑（均化劑）、消泡劑等，根據需要，除了上述列舉的添加劑之外還可以使用各種不同的添加劑來提高所需特性。
此外，所述有機絕緣膜組成物可以使用有機溶劑，所述有機溶劑優選使用醇類、醋酸酯類、醚類、二醇類、酮類或碳酸酯類有機溶劑中的至少一種，更加優選使用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA），這樣塗覆性優異，即使在大型玻璃基板上，有機絕緣膜覆膜的膜厚度均勻性也比較優異，因此最有效。
接下來，利用本發明的化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物的有機絕緣膜的形成方法包括以下步驟而構成：將所述有機絕緣膜組成物塗覆於顯示裝置的基板上部以及在所述基板上形成的源極/漏極或氮化矽層上部（S10）；預烘（pre-bake）所述有機絕緣膜組成物（S20）；選擇性地將所述有機絕緣膜組成物曝光及顯影而形成圖案（S30）；及整片曝光及熱處理（cure bake）所述有機絕緣膜組成物而形成絕緣保護膜（S40）。
作為所述基板主要使用通常在液晶顯示裝置（TFT-LCD）、OLED等FPD（Flat Panel Display）中使用的玻璃或透明塑膠樹脂，但不會根據所使用的顯示裝置的特性而受到特別的限制。例如，可將所述有機絕緣膜形成於在OLED中作為陽極使用的ITO金屬膜上、或在每個 RGB顏色的EL層上、或在玻璃等基板上構成柵電極的金屬膜上而作為保護及絕緣目的而使用。
在本發明中將所述有機絕緣膜組成物塗覆於基板等的上部的方法有噴塗法、輥塗法、噴出噴嘴式塗覆法等使用狹縫噴嘴的塗覆法、中央滴下旋轉塗覆法等旋塗法、擠壓塗覆法或棒塗法（bar coating）等，在塗覆時可以將兩種以上的塗覆方法組合使用。
根據塗覆方法、組成物的固體物質的濃度或粘度等，所塗覆的膜厚度不同，但通常塗覆為乾燥後的膜厚度達到0.5到10μm。。以後執行的預烘步驟為在形成塗膜後為了獲得無流動性的塗膜而加以真空、紅外線或熱量而使溶劑揮發的工序。加熱條件根據各成分的種類或組配等而不同，但在熱板（hot plate）加熱時一般以60到130℃的溫度加熱30到300秒，在使用熱烤箱時一般以60到150℃加熱30到1,000秒。其次，選擇性曝光工序在照射准分子鐳射、遠紫外線、紫外線、可見光、電子線、X線或g-線（波長為436nm）、i-線（波長為365nm）、h-線（波長為405nm）或其混合光線的同時執行。曝光可透過接觸式（contact）、接近式（porximity）或投影式（projection）曝光法等進行。
本發明的特徵是在執行鹼性顯影後對所述有機絕緣膜組成物進行整片曝光及熱處理（annealing）步驟。在用於進行所述高溫燒成的本發明有機絕緣膜組成物的結構中適用熱交聯劑等。所述熱處理步驟利用熱板或烤箱等加熱裝置在150℃到250℃溫度下執行30分鐘到2小時。在完成所述熱處理後可獲得完整地交聯及固化的圖案。
如此形成的有機絕緣膜在第1圖的顯示裝置所示的由基板10、柵電極20、柵絕緣膜30、氮化矽等構成的半導體層40、源極51、漏極52、保護膜60構成的層壓結構中在柵絕緣膜30或保護膜60中使用。
下面考察在本發明的耐熱性優異的化學放大型正感光型高敏感度有機絕緣膜組成物中作為粘合劑樹脂使用的不同（共）聚合物情況下的具體實施例。
實施例 1
首先，合成/製備作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用的由以下化學式6表示的（共）聚合物。並且，相對於有機溶劑（PGMEA） 100重量份，將使用由以下化學式6表示的（共）聚合物的粘合劑樹脂35.20重量份、光酸發生劑N-羥基萘醯亞胺三氟甲磺酸（N-hydroxynaphthalimide triflate）1.76重量份、鹼性抑制劑三乙基胺（triethylamine）0.20重量份、偶氮醯胺（Azo Amides）類自由基熱引發劑VAm-110（Wako）0.53重量份、粘接助劑γ-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽烷（gamma-Glycidoxypropyltrimethoxysilane）1.06重量份、聚合禁止劑2,5-二（1,1-二甲基丁基）對苯二酚（2,5-Bis（1,1-dimethylbuthyl）hydroquinone）0.18重量份以及用於塗覆性的表面活性劑F-475（Dainippon Ink & Chemicals） 0.14重量份混合使之完全溶解後，以500rpm到1000rpm的轉速旋轉塗覆於玻璃基板上，之後在熱板上以90℃溫度乾燥90秒而形成3.0μm-3.5μm厚度的塗膜後按光量進行曝光，然後在23℃到24℃下在2.38wt%的TMAH（tetramethylammonium hydroxide，四甲基氫氧化銨）顯影液中顯影90秒，並確認塗膜厚度及用於實現20㎛的L/S圖案的曝光量，並且確認可解析的最小線寬。
然後，在形成有圖案的有機膜上以500mJ/cm2到700mJ/cm2的曝光量利用紫外線進行整片曝光後，在230℃的烤箱中進行30分鐘的熱處理（cure bake），之後檢測所形成的塗膜厚度及圖案形狀。
<化學式6>
在上述化學式6中，a為0.35，b為0.30，c為0.10，d為0.10，e為0.1，f為0.05。
實施例2
分別合成/製備由以下化學式7及化學式8表示的（共）聚合物後以70：30的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式7>
<化學式8>
在上述化學式7中，a為0.40，b為0.15，c為0.40，d為0.05，在上述化學式8中x為0.45，y為0.30，z為0.10，w為0.15。
實施例 3
分別合成/製備由以下化學式9表示的（共）聚合物，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式9>
在上述化學式9中，a為0.35，b為0.40，c為0.10，d為0.05，e為0.10。
實施例 4
分別合成/製備由以下化學式10及化學式11表示的（共）聚合物並以60:40的重量比進行混合，並且將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式10>
<化學式11>
在上述化學式10中，a為0.35，b為0.45，c為0.10，d為0.10，在上述化學式11中x為0.35，y為0.30，z為0.25，w為0.10。
實施例5
分別合成/製備由以下化學式12、化學式13及化學式14表示的（共）聚合物後以35:25:40的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式12>
<化學式13>
<化學式14>
在上述化學式12中，a為0.35，b為0.45，c為0.10，d為0.10，在上述化學式13中x為0.35，y為0.45，z為0.10，w為0.10，在上述化學式14中p為0.20，q為0.30，r為0.30，s為0.20。
實施例 6
分別合成/製備由以下化學式15及化學式16表示的（共）聚合物後以30:70的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式15>
<化學式16>
在上述化學式15中，a為0.30，b為0.45，c為0.10，d為0.10，e為0.05，在上述化學式16中x為0.35，y為0.45，z為0.10，w為0.10。
實施例 7
合成/製備由以下化學式17表示的（共）聚合物，並且對其進一步混合包含由以下化學式18表示的交聯性官能基的溶解抑制劑後將其作為有機絕緣膜組成物使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式17>
<化學式18>
在上述化學式17中，a為0.35，b為0.45，c為0.10，d為0.10。
實施例8
分別合成/製備由以下化學式19及化學式20表示的（共）聚合物後以60:40的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式19>
<化學式20>
在上述化學式19中，a為0.25，b為0.25，c為0.50，在上述化學式20中x為0.25，y為0.30，z為0.20，w為0.25。
實施例 9
分別合成/製備由以下化學式21及化學式22表示的（共）聚合物後以65:35的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式21>
<化學式22>
在上述化學式21中，a為0.20，b為0.30，c為0.10，d為0.40，在上述化學式22中x為0.50，y為0.20，z為0.10，w為0.20。
實施例10
分別合成/製備由以下化學式23及化學式24表示的（共）聚合物後以65:35的重量比進行混合，並對其進一步混合由以下化學式25表示的熱交聯劑，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式23>
<化學式24>
<化學式25>
在上述化學式23中，a為0.33，b為0.50，c為0.17，在上述化學式24中x為0.50，y為0.20，z為0.10，w為0.20。
實施例 11
分別合成/製備由以下化學式26及化學式27表示的（共）聚合物後以65:35的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式26>
<化學式27>
在上述化學式26中，a為0.35，b為0.15，c為0.30，d為0.10，e為0.10，在上述化學式27中x為0.40，y為0.20，z為0.20，w為0.20。
實施例12
分別合成/製備由以下化學式28及化學式29表示的（共）聚合物後以50:50的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式28>
<化學式29>
在上述化學式28中，a為0.30，b為0.25，c為0.30，d為0.15，在上述化學式29中x為0.25，y為0.35，z為0.20，w為0.20。
實施例13
分別合成/製備由以下化學式30及化學式31表示的（共）聚合物後以55:45的重量比進行混合，並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式30>
<化學式31>
在上述化學式30中，a為0.30，b為0.25，c為0.30，d為0.15，在上述化學式31中x為0.20，y為0.35，z為0.25，w為0.10，u為0.10。
實施例14
合成/製備由以下化學式32表示的（共）聚合物，並對其進一步混合由以下化學式33表示的熱交聯劑並將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式32>
<化學式33>
在上述化學式32中，a為0.25，b為0.40，c為0.10，d為0.10，e為0.05，f為0.10。
實施例15
分別合成/製備由以下化學式34及化學式35表示的（共）聚合物後以70:30的重量比進行混合，對其進一步混合由以下化學式36表示的熱交聯劑後將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式34>
<化學式35>
<化學式36>
在上述化學式34中，a為0.30，b為0.45，c為0.15，d為0.10，在上述化學式35中x為0.05，y為0.30，z為0.30，w為0.35。
比較例1
合成/製備由以下化學式37表示的（共）聚合物後將其作為有機絕緣膜組成物的粘合劑樹脂使用，除此之外參照實施例1執行。
<化學式37>
在上述化學式37中，a為0.35，b為0.20，c為0.30，d為0.10，e為0.05。
比較例2
除了使用以往適用的有機絕緣膜組成物（JSR公司產品名：411B）之外，與實施例1相同的評價方法進行實驗，所述有機絕緣膜組成物由作為粘合劑樹脂的堿溶性丙烯酸樹脂及含有醌二疊氮（quinonediazide）基的PAC化合物構成。
利用透過所述實施例及比較例形成的圖案，用以下方法分別檢測可檢測敏感度的適當曝光量（Eop）、顯影後的殘膜率、熱處理（cure bake）後的殘膜率、圖案的錐角（taper angle）、解析度及全光線透射率。
1）適當曝光量（Eop）
使用刻有寬度（CD）為20的圖案的光罩（photomask）進行曝光（UV exposure）及顯影（development）工序後用光學顯微鏡（optical microscopy）觀察並確認實現20μm圖案時的曝光量。
2)顯影後的殘膜率%
檢測顯影前的塗覆有機膜厚度和顯影後的殘留有機膜的圖案厚度，透過以下公式計算顯影後的殘膜率。其中，所述顯影後的殘膜率透過公式（顯影後的殘留有機膜的圖案厚度）/（顯影前塗覆塗膜的厚度）×100（%）來導出。
3） 熱處理（Cure bake）後的殘膜率%
將顯影後的殘留有機膜進一步擱置在230℃的烤箱內30分鐘以進行cure bake過程後檢測殘留有機膜的圖案厚度，並使用以下公式計算 cure bake後的殘膜率。其中，所述cure bake後的殘膜率透過公式（cure bake後的殘留有機膜的圖案厚度）/（顯影前塗覆塗膜的厚度）×100（%）導出。
4） Cure bake後圖案的錐角（Taper Angle; degree）
透過對如第2a圖到第2d圖所示表示圖案形狀的圖案下部斜度（錐角）的檢測來導出Cure bake後圖案的耐熱特性。
5） 解析度（resolution）
以1:1的line&space（L/S）圖案為基準檢測能夠形成顯影後圖案無變形（distortion）或剝離（peel-off）的最微細的圖案寬度（CD）。
6） 全光線透射率（%）
執行至最終cure bake工序後使用UV-Visible- Spectrometer、PDA UV-Vis Spectro （Scinco）對2.5μm厚度的殘留有機膜檢測在450nm波長下的透光度。
下表1示出針對透過所述實施例1到實施例13塗覆的薄膜評價適當曝光量（Eop）、顯影後殘膜率、cure bake後的殘膜率、圖案的錐角（Taper Angle）、解析度及透光率的結果。
表1
如上表1所示，根據本發明實施例的圖案的曝光量為35到55mJ/cm2範圍，具有突出的敏感度，解析度及透光率也優秀。
尤其是，可透過圖案的錐角值確認當與比較例1（具有鏈式結構酸分解性保護基的化學放大型有機絕緣膜）及比較例2（以往的使用醌二疊氮類感光性化合物的正型有機絕緣膜）比較時，不僅能夠保持相對較高的cure bake後的殘膜率，還能抑制熱流（thermal flow）所引起的圖案變形，其中所述比較例1將不包含具有活性能量交聯性或熱交聯性的交聯性官能基的單位物質的（共）聚合物作為有機絕緣膜的粘合劑樹脂使用。
這樣能夠對酸分解性保護基引進活性能量線交聯性或熱交聯性官能基引發相互分子鍵合，從而使脫保護基本身的揮發性顯著降低，由此最終能夠較低地保持由於熱量而在粘合劑樹脂的脫保護基可能會產生的副產物（byproduct）的濃度，從而能夠抑制塗膜的體積收縮及圖案變形。此外，透過將如下的（共）聚合物作為本發明的有機絕緣膜的粘合劑樹脂來使用，從而在顯影以後的整片曝光（Flood Exposure）或熱工序過程中引發構成圖案塗膜的聚合物之間的交聯以顯著提高玻璃轉移溫度Tg，藉此使塗膜具有能夠控制熱流（thermal flow）特性的優異的耐熱性。所述（共）聚合物包括具有未被引進酸分解性保護基中的活性能量線交聯性或熱交聯性官能基的單位物質。
以上說明了本發明的優選實施例，但可以改變或變更本發明並使用等同物。顯然，可適當地變形所述實施例並以相同的方式應用本發明。因此以上記載內容並不限定由以下申請專利範圍所要求保護的範圍所限定的本發明的範圍。
1．．．下部基板
2．．．柵絕緣膜
3．．．柵電極
4．．．半導體層
5．．．源電極
6．．．漏電極
7．．．存儲電極
8．．．數據線
9．．．有機絕緣膜
10．．．圖元電極
Claims (19)
- 一種化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，包含粘合劑樹脂，且耐熱性優異，其特徵在於，
所述粘合劑樹脂包括包含具有活性能量線或熱交聯性官能基的酸分解性保護基的單位物質或者具有活性能量線或熱交聯性官能基且不包含酸分解性保護基的單位物質而構成。
- 如申請專利範圍第1項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
所述粘合劑樹脂包括包含具有活性能量線或熱交聯性官能基的酸分解性保護基的單位物質或者具有活性能量線或熱交聯性官能基且不包含酸分解性保護基的單位物質而構成，或者以在同時或單獨包含至少一種以上的所述單位物質而形成的一種以上聚合物或共聚物內分佈有所述單位物質的形式構成，或者包含所述（共）聚合物的混合物。 - 如申請專利範圍第1項或第2項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，所述包含具有活性能量線交聯性或熱交聯性官能基的酸分解性保護基的單位物質由以下化學式1-1到1-10中的至少一種構成，
<化學式1-1>
<化學式1-2>
<化學式1-3>
<化學式1-4>
<化學式1-5>
<化學式1-6>
<化學式1-7>
<化學式1-8>
<化學式1-9>
<化學式1-10>
在所述化學式1-1到1-10中，R1為鏈式或環式脂肪族基或芳族基，R2為鏈式或環式烷基，R3為氫基或鏈烷基，R4為氫基或鏈烷基，R5及R6為氫基或鏈烷基，R7不存在或鏈式或環式烷基；在所述化學式中，m為0或1，n0；
並且，X為透過活性能量線或熱進行交聯的官能基，是包含或不包含矽的烷氧基（-ORx）、羥基（-OH）、巰基（thiol）（-SH）、羧基（-COOH）、磷酸酯基（-PO（OH）x）、呋喃基、包括氧雜環氧丁烷及環氧基等的環形結構醚基（cyclic ethers）、芳基、乙烯基、丙烯醯（acryloyl）基、異氰酸酯基、脲基、三聚氰胺基、二醯亞胺基（imide）或醯胺基（amide）中的任一種。 - 如申請專利範圍第1項或第2項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
所述具有透過活性能量線或熱進行交聯的官能基且不包含酸分解性保護基的單位物質由具有包含或不包含矽的烷氧基（-ORx）、羥基（-OH）、巰基（thiol）（-SH）、羧基（-COOH）、磷酸酯基（-PO（OH）x）、呋喃基、包括氧雜環氧丁烷及環氧基等的環形結構醚基（cyclic ethers）、芳基、乙烯基、丙烯醯（acryloyl）基、異氰酸酯基、脲基、三聚氰胺基、二醯亞胺基（imide）或醯胺（amide）基中的至少一種官能基且能構成聚合物的至少一種單體構成。 - 如申請專利範圍第1項或第2項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
所述粘合劑樹脂的平均分子量為2,000到200,000，分散度為1到10。 - 如申請專利範圍第1項或第2項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
進一步包括包含不具有所述活性能量線或熱交聯性官能基而僅包含酸分解性保護基的單位物質或者不具有活性能量線或熱交聯性官能基且不包含酸分解性保護基的單位物質的聚合物或共聚物，不包含所述單位物質的聚合物或共聚物的平均分子量為2,000到100,000，分散度為1到20。 - 如申請專利範圍第6項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
所述不具有活性能量線或熱交聯性官能基而僅包含酸分解性保護基的單位物質由以下化學式2到化學式5中的至少一種構成，
<化學式2>
<化學式3>
<化學式4>
<化學式5>
在所述化學式2及所述化學式3中，G為相當於包含所述化學式1-1到化學式1-10所示酸分解性保護基的母體的單位物質，Y為芳基、鏈式或環式脂肪族基、鏈式或環式酯基或鏈式或環式醚基中的任一種；此外，在所述化學式4及所述化學式5中，R8為氫基、鏈式或環式烷基，R9為鏈式或環式烷基、或鏈式或環式烯烴基，R10為氫基、鏈式或環式烷基或芳基。 - 申請專利範圍第1項或第2項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
進一步包括溶解抑制劑，所述溶解抑制劑在包含至少一個苯酚基的堿溶性酚醛類化合物或芴（fluorene）類化合物、包含至少一個羧酸基的堿溶性化合物或包含至少一個苯甲酸基的堿溶性化合物中的至少一種中含有酸分解性保護基。 - 申請專利範圍第8項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
在所述溶解抑制劑中，所述酸分解性保護基為在所述化學式1-1到1-10中示出的酸分解性保護基、或在所述化學式1-1到1-10中不具有用X表示的交聯性官能基的酸分解性保護基中的任一種。 - 申請專利範圍第1項或第2項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
進一步包括光酸發生劑，所述光酸發生劑由鎓鹽化合物、含鹵素化合物、碸化合物、磺酸酯化合物或三嗪類化合物中至少一種構成，且相對於所述粘合劑樹脂100重量份，含有0.1到10重量份的所述光酸發生劑。 - 申請專利範圍第1項或第2項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
進一步包括透過活性能量線或熱量而發揮作用的自由基發生劑（free-radical generator）或堿發生劑（base generator）或酸發生劑（acid generator），相對於所述粘合劑樹脂100重量份，包含0.01到10重量份的所述自由基發生劑或堿發生劑或酸發生劑。 - 申請專利範圍第1項或第2項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
進一步包括含有醌二迭氮（quinonediazide）基的光敏劑（photoActiveCompound；PAC）。 - 申請專利範圍第1項或第2項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
進一步包括添加劑，所述添加劑由熱交聯劑、熱穩定劑、光固化促進劑、表面活性劑、鹼性抑制劑（base quencher）、防光暈劑、粘接助劑、光穩定劑、聚合終止劑或消泡劑中的至少一種構成。 - 申請專利範圍第13項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
所述熱交聯劑由包含脲類樹脂、三聚氰胺類樹脂、二醯亞胺類樹脂及異氰酸酯基、環氧基、氧雜環氧丁烷基、丙烯酸酯基、乙烯基、芳基、羥基或巰基中的至少一種的化合物構成。 - 申請專利範圍第13項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
所述熱穩定劑由酚醛類、內酯類、胺類、磷類或硫磺類化合物中的至少一種構成。 - 申請專利範圍第13項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
所述光穩定劑由苯並三唑類、三嗪類、二苯甲酮類、受阻氨基醚（hindered amino ether）類或受阻胺類化合物中的至少一種構成。 - 申請專利範圍第13項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
所述粘接助劑由包含異氰酸酯基、氨基、脲基、烷基、環氧基、丙烯酸酯基、乙烯基或巰基中至少一種的烷氧基矽烷化合物構成。 - 申請專利範圍第13項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，
所述鹼性抑制劑為含氮有機化合物，所述含氮有機化合物由一級胺、二級胺、三級胺或醯胺化合物中的至少一種構成。 - 一種有機絕緣膜的形成方法，利用申請專利範圍第1項至第18項中的任一項所述之化學放大型正感光型有機絕緣膜組成物，其特徵在於，包括以下步驟：
在顯示裝置的基板上部及在所述基板上形成的源極/漏極或氮化矽層的上部塗覆所述有機絕緣膜組成物；
預烘（pre-bake）所述有機絕緣膜組成物；
選擇性地曝光所述有機絕緣膜組成物後進行顯影而形成圖案；及
對所述有機絕緣膜組成物進行整片曝光及熱處理（cure bake）以形成絕緣保護膜。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120020756A KR20130099338A (ko) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | 내열성이 우수한 화학증폭형 포지티브 감광형 고감도 유기절연막 조성물 및 이를 이용한 유기절연막의 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201337463A true TW201337463A (zh) | 2013-09-16 |
Family
ID=49082988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102106988A TW201337463A (zh) | 2012-02-29 | 2013-02-27 | 耐熱性優異的化學放大型正感光型高敏感度有機絕緣膜組成物及應用該組成物的有機絕緣膜的形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20130099338A (zh) |
| TW (1) | TW201337463A (zh) |
| WO (1) | WO2013129864A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113126433A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光阻剂组成物和制造半导体元件的方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6200721B2 (ja) * | 2013-08-01 | 2017-09-20 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及びこれを用いた電子デバイスの製造方法 |
| KR101694698B1 (ko) | 2014-03-20 | 2017-01-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 감광성 수지 조성물 |
| JP6667361B2 (ja) * | 2016-05-06 | 2020-03-18 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
| KR20230045952A (ko) * | 2021-09-29 | 2023-04-05 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 하층막 형성용 고분자 화합물, 이를 포함하는 euv용 포토레지스트 하층막 조성물, euv용 포토레지스트 하층막의 제조방법 및 포토레지스트 막 패턴의 형성 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3972190B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2007-09-05 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
| KR101618897B1 (ko) * | 2010-01-20 | 2016-05-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 경화막의 제조 방법, 감광성 수지 조성물, 경화 막, 유기 ｅｌ 표시 장치, 및 액정 표시 장치 |
| KR20110135752A (ko) * | 2010-06-11 | 2011-12-19 | 삼성전자주식회사 | 프로브 어레이 제조용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 프로브 어레이의 제조 방법 |
| JP5598352B2 (ja) * | 2010-02-16 | 2014-10-01 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
| KR101406382B1 (ko) * | 2011-03-17 | 2014-06-13 | 이윤형 | 화학증폭형 포지티브 감광형 유기절연막 조성물 및 이를 이용한 유기절연막의 형성방법 |
-
2012
- 2012-02-29 KR KR1020120020756A patent/KR20130099338A/ko not_active Application Discontinuation
-
2013
- 2013-02-27 TW TW102106988A patent/TW201337463A/zh unknown
- 2013-02-28 WO PCT/KR2013/001634 patent/WO2013129864A1/ko active Application Filing
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113126433A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光阻剂组成物和制造半导体元件的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013129864A1 (ko) | 2013-09-06 |
| KR20130099338A (ko) | 2013-09-06 |
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