JP5165273B2 - フォトレジスト組成物 - Google Patents
フォトレジスト組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5165273B2 JP5165273B2 JP2007122603A JP2007122603A JP5165273B2 JP 5165273 B2 JP5165273 B2 JP 5165273B2 JP 2007122603 A JP2007122603 A JP 2007122603A JP 2007122603 A JP2007122603 A JP 2007122603A JP 5165273 B2 JP5165273 B2 JP 5165273B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cresol
- photoresist composition
- weight
- photoresist
- para
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 67
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 54
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N formaldehyde Natural products O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 23
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229940100630 metacresol Drugs 0.000 claims description 21
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 claims description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 7
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 2,6-Dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1O NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 claims description 4
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 3
- WFGOHWBMXOABAR-UHFFFAOYSA-N (3,4-dihydroxyphenyl)-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1O WFGOHWBMXOABAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WXYSZTISEJBRHW-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-[1,1-bis(4-hydroxyphenyl)ethyl]phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(C(C)(C=2C=CC(O)=CC=2)C=2C=CC(O)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 WXYSZTISEJBRHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 101100046775 Arabidopsis thaliana TPPA gene Proteins 0.000 claims description 2
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 2
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 claims description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 2
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- XZZNDPSIHUTMOC-UHFFFAOYSA-N triphenyl phosphate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(OC=1C=CC=CC=1)(=O)OC1=CC=CC=C1 XZZNDPSIHUTMOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 2,5-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(C)C(O)=C1 NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 2
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC=CC1=O WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALVGSDOIXRPZFH-UHFFFAOYSA-N [(1-diazonioimino-3,4-dioxonaphthalen-2-ylidene)hydrazinylidene]azanide Chemical compound C1=CC=C2C(=N[N+]#N)C(=NN=[N-])C(=O)C(=O)C2=C1 ALVGSDOIXRPZFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910001854 alkali hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1 SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 organic acid cyclic anhydride Chemical class 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
- C08G8/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes
- C08G8/08—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Description
本発明は液晶表示装置回路、半導体集積回路などの微細回路の製造に使用されるフォトレジスト組成物に関するもので、より詳しくはフォトレジストの耐熱性及び解像度を向上させることができるノボラック樹脂を導入することによって、パターンの均一度及び接着性に優れたフォトレジスト組成物に関するものである。
液晶表示装置回路または半導体集積回路のような微細な回路パターンを形成するためには、まず、基板上の絶縁膜または導電性金属膜にフォトレジスト組成物を均一にコーティング或いは塗布する。次に、所定の形状のマスク存在下でコーティングされたフォトレジスト組成物を露光及び現像して目的とする形状のパターンを作る。その後、マスクを使用して金属膜または絶縁膜をエッチングし、残存するフォトレジスト膜を除去して基板上に微細回路を形成する。前記コーティングまたは塗布過程には回転塗布方式或いはスリット塗布方式が利用される。
一般にフォトレジスト組成物は高分子樹脂、感光性化合物及び溶媒を含み、今までフォトレジスト組成物を利用して形成されたフォトレジスト膜の塗布均一度、感光速度、現像コントラスト、解像度、基板との接着力、残膜率、回路線幅均一度（ＣＤ ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）及び人体安全性などを改善するために多くの試みがあった。
例えば、米国特許第３，６６６，４７３号には２種類のフェノールホルムアルデヒドノボラック樹脂の混合物と典型的な感光性化合物の使用が開示され、米国特許第４，１１５，１２８号には感光速度を増加させるためにフェノール性樹脂とナフトキノンジアジド感光剤に有機酸サイクリック無水物を添加した構成が開示され、米国特許第４，５５０，０６９号には感光速度を増加させ、人体安全性を向上させるためにノボラック樹脂、オルト-キノンジアジド（ｏｒｔｈｏ-ｑｕｉｎｏｎｅ ｄｉａｚｉｄｅ）感光性化合物及び溶媒としてプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを用いるフォトレジスト組成物構成が開示されている。
しかし、今までも感光速度、残膜率、半露光部の残膜均一度（Ｒｅｍａｉｎ ＦｉｌｍＴｈｉｃｋｎｅｓｓ ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）、現像コントラスト、解像度、高分子樹脂の溶解性、基板との接着力及び回路線幅均一度などのようなフォトレジスト組成物の好ましい特性のうちのいずれかの特性を犠牲にせず、それぞれの産業工程に適した多様なフォトレジスト組成物に対する要求は続いている。
このような従来技術の問題点を考慮した本発明の目的は、フォト工程の後、微細回路線幅実現の特性に優れて、ハードベーク工程後のパターン均一性及び耐熱性に優れたフォトレジスト組成物を提供することにある。
本発明の第２の目的は、フォトレジスト膜の感光速度、残膜率、現像コントラスト、解像度、高分子樹脂の溶解性、基板との接着力及び回路線幅均一度を向上させることができるフォトレジスト組成物を提供することにある。
本発明の第３の目的は、前記フォトレジスト組成物を利用して製造される液晶表示装置または半導体素子を提供することにある。
前記目的を達成するために本発明は、ａ）下記化学式１で示されるノボラック樹脂、ｂ）ジアジド系感光性化合物、及びｃ）有機溶媒を含むフォトレジスト組成物を提供する。
[化１]
（化学式１で、Ｒは水素、-ＯＨまたは-ＣＨ３であり、ｎは３乃至２０の整数である。）
また、本発明は前記フォトレジスト組成物を利用して製造される液晶表示装置または半導体素子を提供する。
[化１]
（化学式１で、Ｒは水素、-ＯＨまたは-ＣＨ３であり、ｎは３乃至２０の整数である。）
また、本発明は前記フォトレジスト組成物を利用して製造される液晶表示装置または半導体素子を提供する。
本発明によるフォトレジスト組成物はサリチルアルデヒドを導入したノボラック樹脂を使用することによって、解像度に優れて、ハードベーク後にも耐熱特性に優れて、感光速度、残膜率、現像コントラスト、基板との接着力及び回路線幅均一度が同時に優れた長所がある。したがって、産業現場に容易に適用することができ、量産の時に使用量の節減、量産時間の減少などの効果で作業環境を効率的に変化することができる。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明者らはフォトレジスト組成物に対する研究を繰り返す過程で、フォトレジスト組成物にメタ-クレゾール、パラ-クレゾール及びサリチルアルデヒドを混合して重合したノボラック樹脂を導入する場合、フォトレジストの耐熱性が向上するだけでなく、解像度を向上させることができる事実を確認し、これに基づいて本発明を完成した。
本発明によるフォトレジスト組成物は、ａ）化学式１で示されるノボラック樹脂、ｂ）ジアジド系感光性化合物、及びｃ）有機溶媒を含む。
本発明のフォトレジスト組成物において、ａ）ノボラック樹脂はメタ-クレゾール、パラ-クレゾールを含む芳香族アルコールとサリチルアルデヒドを縮合反応させて合成した高分子重合体で、重量平均分子量は３，０００乃至１５，０００であるのが好ましい。
前記ａ）ノボラック樹脂は重合原料であるメタ-クレゾール、パラ-クレゾール及びサリチルアルデヒドの混合比によってフォトレジストの物性（感光速度、耐熱性、残膜率など）が変わり、具体的に前記ａ）ノボラック樹脂はメタ-クレゾール:パラ-クレゾール:サリチルアルデヒドの重量比が２乃至７:２乃至７:１乃至５で混合して重合するのが好ましい。
つまり、ノボラック樹脂を重合する時、メタ-クレゾールの含量が前記範囲を満足しない場合にはフォトレジストの感光速度が速くなりながら、残膜率が低くなり、パラ-クレゾールの含量が前記範囲を満足しない場合にはフォトレジストの感光速度が遅くなる。また、サリチルアルデヒドの含量が前記範囲に至らない場合には、フォトレジストの耐熱性及び解像度向上の効果が現れず、前記範囲を超える場合には、フォトレジストの溶解速度が速くなり過ぎて耐熱性及び解像度向上効果を発揮することが難しい。
また、前記ａ）ノボラック樹脂はメタ-クレゾール、パラ-クレゾール及びサリチルアルデヒドで混合して重合したものと共に、通常の組成であるメタ-クレゾール、パラ-クレゾール及びホルムアルデヒドで重合させたものを混合して使用することもできる。この時、前記メタ-クレゾール、パラ-クレゾール及びホルムアルデヒドの混合比は特に限定されないが、２乃至７:２乃至７:１乃至５で混合して重合することが好ましい。
前記ａ）ノボラック樹脂の含量は全組成物の５乃至３０重量％であるのが好ましい。つまり、フォトレジスト組成物を所望する厚さに容易に塗布するためにノボラック樹脂の含量が全組成物の５重量％以上であるのが好ましく、均一なコーティングを行うために３０重量％以下で添加するのが好ましい。
本発明のフォトレジスト組成物において、ｂ）ジアジド系感光性化合物はポリヒドロキシベンゾフェノン、１，２-ナフトキノンジアジド及び２-ジアゾ-１-ナフトール-５-スルホン酸などの化合物を反応させて製造することができる。
例えば、前記ｂ）ジアジド系感光性化合物はトリヒドロキシベンゾフェノンと２-ジアゾ-１-ナフトール-５-スルホン酸をエステル化反応させて製造された２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩、またはテトラヒドロキシベンゾフェノンと２-ジアゾ-１-ナフトール-５-スルホン酸をエステル化反応させて製造された２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を単独または混合して使用することができる。
好ましくは２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を４０乃至６０:６０乃至４０重量部の比率で混合して使用することができる。
この時、前記ｂ）ジアジド系感光性化合物の含量はフォトレジストの適切な感光速度を維持させるために、全組成物の２乃至１０重量％であるのが好ましい。
本発明のフォトレジスト組成物は全体重量が１００重量％になるようにするｃ）有機溶媒をさらに含む。
前記ｃ）有機溶媒として用いることができる例としては、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、乳酸エチル（ＥＬ）、２-メトキシ酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）からなる群より１種以上選択されるのが好ましく、さらに好ましくはＰＧＭＥＡと２-メトキシ酢酸エチルを混合比率７０乃至９０:３０乃至１０の重量部で混合使用することができる。
本発明のフォトレジスト組成物はフォトレジストの感度向上及びハードベーク工程の時にパターンの流れを向上させるためにｄ）感度増進剤をさらに含むことができる。
前記ｄ）感度増進剤はフェノール系ヒドロキシ群を有し、重量平均分子量５００未満のポリヒドロキシ化合物であるのが好ましい。代表的な例としては２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３’、４’、５-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセトン-ピロガロール縮合物、４，４’-[１-[４-[１-（４-ヒドロキシフェニル）-１-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール（ＴＰＰＡ）及び４，４’-（（２-ヒドロキシフェニル]メチレン）ビス（２，６-ジメチルフェノール）（ＢＩ２６Ｘ-ＳＡ）からなる群より１種以上選択されるものを使用することができる。
この時、前記ｄ）感度増進剤の含量は全組成物に対して０．１乃至１０重量％であるのが好ましい。つまり、フォトレジストの十分な感度増進効果を示すために、前記感度増進剤の含量が０．１重量％以上であるのが好ましく、残膜率の急激な低下を防止するために１０重量％以下で添加するのが好ましい。
この他、本発明のフォトレジスト組成物は必要に応じて着色剤、染料、擦痕防止剤、可塑剤、接着促進剤、速度増進剤及び界面活性剤からなる群より１種以上選択される添加剤を追加的に添加して基板に被覆することによって、個別工程の特性に応じる性能向上を図ることもできる。
一方、本発明は前記のように製造されるフォトレジスト組成物を利用して半導体素子を製造することができる。好ましい一例として、半導体素子の中で次のような液晶表示装置回路の製造工程で使用することができる。
まず、本発明によるフォトレジスト組成物を浸漬、噴霧、回転及びスピンコーティングを含む通常のコーティング法で基板上に塗布する。例えば、スピンコーティングを行う場合、フォトレジスト溶液の固体含量をスピニング装置の種類と方法によって適切に変化させることで目的とする厚さの被覆物を形成することができる。
前記基板はシリコン、アルミニウム、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、モリブデン、二酸化シリコン、ドーピングされた二酸化シリコン、窒化シリコン、タンタル、銅、ポリシリコン、セラミック、アルミニウム/銅混合物及び重合成樹脂からなる群より選択されるのが好ましい。
次いで、２０乃至１３０℃の温度で熱処理するソフトベーク工程を実施することができる。前記熱処理はフォトレジスト組成物のうちの固体成分を熱分解させずに溶媒を蒸発させるために実施することである。一般に、ソフトベーク工程によって溶媒の濃度を最少化するのが好ましく、厚さ２μｍ以下のフォトレジスト膜が基板に残るまで行うのが好ましい。
次に、フォトレジスト膜が形成された基板を適当なマスクまたは型版などを使用して光、特に紫外線に露光させることによって目的とする形態のパターンを形成する。このように露光された基板をアルカリ性現像水溶液に十分に浸漬させた後、光に露出された部位のフォトレジスト膜が全部或いはほとんど溶解されるまで放置する。この時、前記現像水溶液はアルカリ水酸化物、水酸化アンモニウムまたはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含有する水溶液であるのが好ましい。
前記のように露光された部位が溶解して除去された基板を現像液から取り出した後、再びハードベーク工程によって熱処理してフォトレジスト膜の接着性及び耐薬品性を増進させる。このような熱処理はフォトレジスト膜の軟化点以下の温度で実施されるのが好ましく、特に９０乃至１４０℃の温度で実施するのが好ましい。
前記のように現像が完了した基板を腐蝕溶液または気体プラズマで処理して露出された基板部位を処理し、この時、基板の露出されない部位はフォトレジスト膜によって保護される。このように基板を処理した後、適切なストリッパーでフォトレジスト膜を除去することによって基板に微細回路パターンを形成することができる。
以下、本発明のより容易な理解のために実施例と比較例を提示する。但し、下記の実施例は本発明を例示するものに過ぎず、本発明の範囲は下記の実施例に限定されない。
実施例１
メタ-クレゾール:パラ-クレゾール:サリチルアルデヒドの重量比が５:５:５であるボラック樹脂（重量平均分子量６，３００）８ｇ、及びメタ-クレゾール:パラ-クレゾールの重量比が４:６で、縮合剤としてホルムアルデヒドを用いたノボラック樹脂（重量平均分子量４，５３０）１２ｇ、並びに２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を５０/５０重量部で混合したジアジド系感光性化合物４ｇ、さらに有機溶媒であるプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）６０ｇを均一に混合して、フォトレジスト組成物を製造した。
メタ-クレゾール:パラ-クレゾール:サリチルアルデヒドの重量比が５:５:５であるボラック樹脂（重量平均分子量６，３００）８ｇ、及びメタ-クレゾール:パラ-クレゾールの重量比が４:６で、縮合剤としてホルムアルデヒドを用いたノボラック樹脂（重量平均分子量４，５３０）１２ｇ、並びに２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を５０/５０重量部で混合したジアジド系感光性化合物４ｇ、さらに有機溶媒であるプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）６０ｇを均一に混合して、フォトレジスト組成物を製造した。
実施例２
メタ-クレゾール:パラ-クレゾール:サリチルアルデヒドの重量比が５:５:５であるボラック樹脂（重量平均分子量６，３００）１０ｇ、及びメタ-クレゾール:パラ-クレゾールの重量比が４:６で、縮合剤としてホルムアルデヒドを用いたノボラック樹脂（重量平均分子量４，５３０）１０ｇ、並びに２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を５０/５０重量部で混合したジアジド系感光性化合物４ｇ、さらに有機溶媒のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）６０ｇを均一に混合してフォトレジスト組成物を製造した。
メタ-クレゾール:パラ-クレゾール:サリチルアルデヒドの重量比が５:５:５であるボラック樹脂（重量平均分子量６，３００）１０ｇ、及びメタ-クレゾール:パラ-クレゾールの重量比が４:６で、縮合剤としてホルムアルデヒドを用いたノボラック樹脂（重量平均分子量４，５３０）１０ｇ、並びに２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を５０/５０重量部で混合したジアジド系感光性化合物４ｇ、さらに有機溶媒のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）６０ｇを均一に混合してフォトレジスト組成物を製造した。
実施例３
メタ-クレゾール:パラ-クレゾール:サリチルアルデヒドの重量比が５:５:５であるボラック樹脂（重量平均分子量６，３００）１２ｇ、及びメタ-クレゾール:パラ-クレゾールの重量比が４:６で、縮合剤としてホルムアルデヒドを用いたノボラック樹脂（重量平均分子量４，５３０）８ｇ、並びに２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を５０/５０重量部で混合したジアジド系感光性化合物４ｇ、さらに有機溶媒のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）６０ｇを均一に混合してフォトレジスト組成物を製造した。
メタ-クレゾール:パラ-クレゾール:サリチルアルデヒドの重量比が５:５:５であるボラック樹脂（重量平均分子量６，３００）１２ｇ、及びメタ-クレゾール:パラ-クレゾールの重量比が４:６で、縮合剤としてホルムアルデヒドを用いたノボラック樹脂（重量平均分子量４，５３０）８ｇ、並びに２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を５０/５０重量部で混合したジアジド系感光性化合物４ｇ、さらに有機溶媒のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）６０ｇを均一に混合してフォトレジスト組成物を製造した。
実施例４
メタ-クレゾール:パラ-クレゾール:サリチルアルデヒドの重量比が５:５:５であるボラック樹脂（重量平均分子量６，３００）１４ｇ、及びメタ-クレゾール:パラ-クレゾールの重量比が４:６で、縮合剤としてホルムアルデヒドを用いたノボラック樹脂（重量平均分子量４，５３０）６ｇ、並びに２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を５０/５０重量部で混合したジアジド系感光性化合物４ｇ、さらに有機溶媒のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）６０ｇを均一に混合してフォトレジスト組成物を製造した。
メタ-クレゾール:パラ-クレゾール:サリチルアルデヒドの重量比が５:５:５であるボラック樹脂（重量平均分子量６，３００）１４ｇ、及びメタ-クレゾール:パラ-クレゾールの重量比が４:６で、縮合剤としてホルムアルデヒドを用いたノボラック樹脂（重量平均分子量４，５３０）６ｇ、並びに２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を５０/５０重量部で混合したジアジド系感光性化合物４ｇ、さらに有機溶媒のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）６０ｇを均一に混合してフォトレジスト組成物を製造した。
比較例１
メタ-クレゾール:パラ-クレゾールの重量比が４:６で、縮合剤としてホルムアルデヒドを用いたノボラック樹脂（重量平均分子量４，３２５）２０ｇ、並びに２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を５０/５０重量部で混合したジアジド系感光性化合物４ｇ、さらに有機溶媒のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）６０ｇを均一に混合してフォトレジスト組成物を製造した。
メタ-クレゾール:パラ-クレゾールの重量比が４:６で、縮合剤としてホルムアルデヒドを用いたノボラック樹脂（重量平均分子量４，３２５）２０ｇ、並びに２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を５０/５０重量部で混合したジアジド系感光性化合物４ｇ、さらに有機溶媒のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）６０ｇを均一に混合してフォトレジスト組成物を製造した。
比較例２
メタ-クレゾール:パラ-クレゾール:２，５-キシレノールの重量比が４:４:２で、縮合剤としてホルムアルデヒドを用いたノボラック樹脂（重量平均分子量４，８００）２０ｇ、並びに２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を５０/５０重量部で混合したジアジド系感光性化合物４ｇ、さらに有機溶媒のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）６０ｇを均一に混合してフォトレジスト組成物を製造した。
メタ-クレゾール:パラ-クレゾール:２，５-キシレノールの重量比が４:４:２で、縮合剤としてホルムアルデヒドを用いたノボラック樹脂（重量平均分子量４，８００）２０ｇ、並びに２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を５０/５０重量部で混合したジアジド系感光性化合物４ｇ、さらに有機溶媒のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）６０ｇを均一に混合してフォトレジスト組成物を製造した。
[実験例]
前記実施例及び比較例で製造したフォトレジスト組成物に対して下記のような実験を行い、その結果を下記表１に示した。
前記実施例及び比較例で製造したフォトレジスト組成物に対して下記のような実験を行い、その結果を下記表１に示した。
前記実施例及び比較例のフォトレジスト組成物それぞれを０．７Ｔ（ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ，０．７ｍｍ）のガラス基板に一定の速度でスピン塗布した後，０．１トール（Ｔｏｒｒ）下で６０秒間減圧乾燥し、前記基板を１１０℃で９０秒間加熱乾燥して１．５０μｍ厚さのフォトレジスト膜を形成した。
次いで、前記フォトレジスト膜の厚さ均一度を測定し、マスクを使用して３６５乃至４３５ｎｍ波長の紫外線に露光させた後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含有する水溶液で６０秒間現像してパターンを形成させた。
形成されたパターンをハードベーク工程（１３０℃）を進行した後、ＳＥＭを利用してパターンの耐熱特性を評価した。
１）感光速度（ｍＪ/ｃｍ２）及び残膜率（％）
*初期フィルム厚さ=損失厚さ+残膜の厚さ
*残膜率=（残膜の厚さ/初期フィルム厚さ）×１００％
感光速度は露光エネルギーによって一定の現像条件で膜が完全に溶けていくエネルギーを測定して求め、１１０℃でソフトベークを行って露光及び現像した後、残膜率を測定し、その結果を示す現像前後の厚さの差を測定した。
*初期フィルム厚さ=損失厚さ+残膜の厚さ
*残膜率=（残膜の厚さ/初期フィルム厚さ）×１００％
感光速度は露光エネルギーによって一定の現像条件で膜が完全に溶けていくエネルギーを測定して求め、１１０℃でソフトベークを行って露光及び現像した後、残膜率を測定し、その結果を示す現像前後の厚さの差を測定した。
２）耐熱性（℃）
耐熱性はハードベークを１３０℃で９０秒間進行した後、ＳＥＭによってパターンの流れで確認した。
耐熱性はハードベークを１３０℃で９０秒間進行した後、ＳＥＭによってパターンの流れで確認した。
３）接着性（μｍ）
モリブデン（Ｍｏ）がコーティングガラス上に形成されたパターン（微細線幅）を得た後、露出された部位のモリブデンを除去するために腐蝕溶液で処理して腐蝕溶液が露出されないモリブデンを腐蝕させた厚さを測定して接着性を実験した。
モリブデン（Ｍｏ）がコーティングガラス上に形成されたパターン（微細線幅）を得た後、露出された部位のモリブデンを除去するために腐蝕溶液で処理して腐蝕溶液が露出されないモリブデンを腐蝕させた厚さを測定して接着性を実験した。
Claims (6)
- ａ）メタ-クレゾール、パラ-クレゾール及びサリチルアルデヒドを混合して重合した下記化学式１で示されるノボラック樹脂と、メタ-クレゾール、パラ-クレゾール及びホルムアルデヒドを用いたノボラック樹脂の混合物、
ｂ）ジアジド系感光性化合物、及び
ｃ）有機溶媒を含み、
前記化学式１で示されるノボラック樹脂はメタ-クレゾール：パラ-クレゾール：サリチルアルデヒドを重量比２乃至７：２乃至７：１乃至５で混合して重合したものであり、重量平均分子量が３，０００乃至１５，０００であることを特徴とするフォトレジスト組成物:
- ａ）ノボラック樹脂５乃至３０重量％、
ｂ）ジアジド系感光性化合物２乃至１０重量％、及び
ｃ）有機溶媒残部を含むことを特徴とする、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。 - 前記ｂ）ジアジド系感光性化合物は２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩及び２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-１，２-ナフトキノンジアジド-５-スルホン酸塩を４乃至６:６乃至４の重量比で含むことを特徴とする、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記ｃ）有機溶媒はプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、乳酸エチル（ＥＬ）、２-メトキシ酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）からなる群より１種以上選択されることを特徴とする、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記組成物は２，３，４-トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３’，４’，５-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセトン-ピロガロール縮合物、４，４’-[１-[４-[１-（４-ヒドロキシフェニル）-１-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール（ＴＰＰＡ）及び４，４’-（（２-ヒドロキシフェニル]メチレン）ビス（２，６-ジメチルフェノール）（ＢＩ２６Ｘ-ＳＡ）からなる群より１種以上選択されるｄ）感度増進剤を０．１乃至１０重量％、さらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジスト組成物は着色剤、染料、可塑剤、接着促進剤、速度増進剤及び界面活性剤からなる群より１種以上選択される添加剤をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060041089A KR101324645B1 (ko) | 2006-05-08 | 2006-05-08 | 포토레지스트 조성물 |
| KR10-2006-0041089 | 2006-05-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007304592A JP2007304592A (ja) | 2007-11-22 |
| JP5165273B2 true JP5165273B2 (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=38838513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007122603A Active JP5165273B2 (ja) | 2006-05-08 | 2007-05-07 | フォトレジスト組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5165273B2 (ja) |
| KR (1) | KR101324645B1 (ja) |
| CN (1) | CN101071267B (ja) |
| TW (1) | TWI407253B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101611350B (zh) * | 2007-02-13 | 2012-08-08 | 东丽株式会社 | 正型感光性树脂组合物 |
| KR101473877B1 (ko) * | 2007-12-13 | 2014-12-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 잉크 조성물 |
| JP2009222733A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-10-01 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ノボラック樹脂ブレンドを含むフォトレジスト |
| CN102346372A (zh) * | 2010-07-30 | 2012-02-08 | 奇美实业股份有限公司 | 正型感光性树脂组成物及使用该组成物形成图案的方法 |
| WO2014069091A1 (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-08 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置 |
| TWI465851B (zh) * | 2013-02-22 | 2014-12-21 | Chi Mei Corp | 正型感光性樹脂組成物及其圖案形成方法 |
| JP6138067B2 (ja) * | 2014-02-03 | 2017-05-31 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | ノボラック樹脂ブレンドを含むフォトレジスト |
| JP6451065B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2019-01-16 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置 |
| KR101959648B1 (ko) * | 2014-10-14 | 2019-03-18 | 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 | 적층 구조체 |
| WO2022059448A1 (ja) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | Dic株式会社 | レジストパターンの製造方法、及びレジストパターン、並びに透明積層部材製造用ポジ型感光性樹脂組成物 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NO891063L (no) * | 1988-03-31 | 1989-10-02 | Thiokol Morton Inc | Novolakharpikser av blandede aldehyder og positive fotoresistmaterialer fremstilt fra slike harpikser. |
| NO891062L (no) * | 1988-03-31 | 1989-10-02 | Thiokol Morton Inc | Positiv fotofoelsom sammensetning. |
| JPH02300751A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-12 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPH02300752A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-12 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP3125894B2 (ja) * | 1991-09-02 | 2001-01-22 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| JP3377265B2 (ja) * | 1992-12-24 | 2003-02-17 | 住友化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物の製造方法 |
| JPH0859530A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-03-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポリヒドロキシ化合物及びそれを含有するポジ型レジスト組成物 |
| JP3444689B2 (ja) * | 1995-04-03 | 2003-09-08 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| EP0737895B1 (en) * | 1995-04-10 | 1999-09-08 | Shipley Company LLC | Photoresist with photoactive compound mixtures |
| US5709977A (en) * | 1995-07-13 | 1998-01-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive working photoresist composition |
| JPH09281703A (ja) * | 1996-04-16 | 1997-10-31 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH1115151A (ja) * | 1997-05-01 | 1999-01-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | コンタクトホール形成用ポジ型ホトレジスト組成物およびコンタクトホールの形成方法 |
| JPH11194490A (ja) * | 1998-01-07 | 1999-07-21 | Konica Corp | 平版印刷版用感光性組成物 |
| JPH11202485A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Konica Corp | 平版印刷版用感光性組成物 |
| JP2000029208A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JP2000029209A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びその製造方法 |
| JP2002107925A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フォトレジスト用フェノ−ル樹脂 |
| JP2002244285A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP2002278060A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
| KR100846085B1 (ko) * | 2001-10-31 | 2008-07-14 | 주식회사 동진쎄미켐 | 액정표시장치 회로용 포토레지스트 조성물 |
| KR100783603B1 (ko) * | 2002-01-05 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성방법 |
| WO2004104702A1 (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP2005097331A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法及びフォトレジスト組成物 |
| JP2005221515A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-08-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | システムｌｃｄ製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
| JP2006010779A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Nagase Chemtex Corp | 有機膜組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP2007254547A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フォトレジスト用フェノール樹脂とその製造方法、及びフォトレジスト用樹脂組成物 |
-
2006
- 2006-05-08 KR KR1020060041089A patent/KR101324645B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-04-19 CN CN200710096934XA patent/CN101071267B/zh active Active
- 2007-04-27 TW TW096115136A patent/TWI407253B/zh active
- 2007-05-07 JP JP2007122603A patent/JP5165273B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007304592A (ja) | 2007-11-22 |
| KR101324645B1 (ko) | 2013-11-01 |
| TWI407253B (zh) | 2013-09-01 |
| KR20070108714A (ko) | 2007-11-13 |
| CN101071267B (zh) | 2012-01-25 |
| CN101071267A (zh) | 2007-11-14 |
| TW200742940A (en) | 2007-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5165273B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP4594808B2 (ja) | フォトレジスト組成物及びこれを利用する液晶表示装置又は半導体素子の製造方法 | |
| JP2007304591A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| KR100973799B1 (ko) | Ｍｍｎ 헤드 코터용 포토레지스트 조성물 | |
| JP4336495B2 (ja) | フォトレジスト組成物およびこれを使用したパターンの形成方法 | |
| JP5165274B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| KR100846085B1 (ko) | 액정표시장치 회로용 포토레지스트 조성물 | |
| JP5047595B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP5879101B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP2010102342A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| KR100363273B1 (ko) | 액정표시장치 회로용 포토레지스트 조성물 | |
| US6447975B1 (en) | Composition for positive type photoresist | |
| KR101988960B1 (ko) | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법 | |
| KR20120138578A (ko) | 포토레지스트 조성물 | |
| KR101791265B1 (ko) | 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성방법 | |
| KR20120068462A (ko) | 포지티브 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성방법 | |
| JP2001117221A (ja) | ポジティブ型フォトレジスト組成物 | |
| KR20140137047A (ko) | 포지티브 포토레지스트 조성물 | |
| KR20110062836A (ko) | 포지티브 포토레지스트 조성물 | |
| JP2004280104A (ja) | 液晶表示装置回路用フォトレジスト組成物 | |
| KR20080105224A (ko) | 도포성이 우수한 포지티브 포토레지스트 조성물 | |
| KR20090024354A (ko) | 도포성이 우수한 포지티브 포토레지스트 조성물 | |
| KR20120058191A (ko) | 도포성이 우수한 포지티브 포토레지스트 조성물 | |
| KR20100086251A (ko) | 포토레지스트 조성물 | |
| KR20110027882A (ko) | 포지티브 포토레지스트 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100412 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120409 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120705 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121003 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121214 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121219 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151228 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5165273 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |