KR20110027882A - 포지티브 포토레지스트 조성물 - Google Patents

포지티브 포토레지스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20110027882A
KR20110027882A KR1020090085671A KR20090085671A KR20110027882A KR 20110027882 A KR20110027882 A KR 20110027882A KR 1020090085671 A KR1020090085671 A KR 1020090085671A KR 20090085671 A KR20090085671 A KR 20090085671A KR 20110027882 A KR20110027882 A KR 20110027882A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist composition
positive photoresist
sulfonic acid
group
compound
Prior art date
Application number
KR1020090085671A
Other languages
English (en)
Inventor
김종환
장원영
이은상
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020090085671A priority Critical patent/KR20110027882A/ko
Publication of KR20110027882A publication Critical patent/KR20110027882A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0385—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable using epoxidised novolak resin
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

본 발명은 알칼리 가용성 수지; 감광제; 및 알코올계 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 표면에 친수성을 부여해 줄 수 있는 알코올계 첨가제를 도입하여, 레지스트패턴과 피식각물 사이에 친수성 액체인 박리액 및 현상액 침투가 용이하게 함으로써 레지스트 잔류물 문제를 해결할 수 있다.
박리성, 레지스트

Description

포지티브 포토레지스트 조성물{a positive photoresist composition}
본 발명은 포지티브 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 잔막률이 낮고, 박리성 및 현상성이 우수하고, 알코올계 첨가제를 포함하는 포지티브 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치의 회로 또는 반도체 집적회로와 같이 미세한 회로 패턴을 형성하기 위하여는, 먼저 기판 상에 형성된 절연막 또는 도전성 금속막에 포토레지스트 조성물을 균일하게 코팅 또는 도포한다. 이어서, 소정 형상의 마스크 존재 하에서 코팅된 포토레지스트 조성물을 노광하고 현상하여 목적하는 형상의 패턴을 만든다. 상기 패턴된 포토레지스트막을 마스크로 사용하여 상기 금속막 또는 절연막을 에칭한 다음, 남은 포토레지스트 막을 제거하여 기판상에 미세 회로를 형성한다. 상기 공정에 이용되는 포토레지스트 조성물은 노광되는 부분의 용해도 변화에 따라 네거티브형과 포지티브형으로 분류되며, 현재는 미세한 패턴 형성이 가능한 포지티브형 포토레지스트 조성물이 주로 사용되고 있다.
한편, 액정표시소자의 제조 공정에 있어서 배선이 미세화되고, 제조 공정이 5-마스크 공정에서 4-마스크, 3-마스크 공정으로 진행되면서 사용되는 레지스트 에 고내열성, 건식식각, 습식식각 내성, 에싱 내성 등의 특성들이 요구되고 있다. 상기에서 요구되는 특성을 나타내게 하기 위해 구조가 복잡한 레진들을 도입하거나, 분자량이 큰 노볼락 수지을 도입하거나, 아민계의 첨가제 등을 도입하고 있다. 레지스트에 도입된 레진의 구조가 복잡해지면, 건식 또는 습식 식각 후 박리 공정에서 레지스트막의 제거가 어렵게 된다. 이로 인해 포토레지스트가 완전하게 제거되지 않으면 배선 패턴 위 또는 배선 패턴과 패턴의 사이에 포토레지스트 잔류물이 남아 후속 공정에서 단선, 단락의 요인이 되어 반도체소자, 액정표시소자 및 평판표시소자 등의 생산에 있어서 수율이 저하되는 원인이 된다.
따라서 레지스트의 구조가 복잡해 지면서 발생되는 레지스트 잔류물 문제를 해결하기 위해서 새로운 박리액의 개발 또는 박리액에 쉽게 용해될 수 있는 레지스트 개발이 요구된다.
본 발명에은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 포지티브 포토레지스트 조성물의 표면에 친수성을 부여할 수 있는 첨가제를 도입하여 친수성 액체인 박리액 침투가 용이하게 함으로서 레지스트 잔류물 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 알칼리 가용성 수지; 감광제; 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종을 포함하는 알코올계 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물을 제공한다.
<화학식 1>
Figure 112009055928754-PAT00001
<화학식 2>
Figure 112009055928754-PAT00002
상기 화학식 1 및 화학식 2에서, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기 또는 탄소수 1~10의 직쇄형, 분지쇄형의 알킬기이고, n은 1~10의 정수이고, R1, R2, R3 및 R4 중에서 적어도 하나는 히드록시기이고, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기 또는 탄소수 1~10의 직쇄형, 분지쇄형의 알킬기이고, m은 0~5의 정수이고, R5 및 R6 중에서 적어도 하나는 히드록시기이다.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물은 표면에 친수성을 부여됨으로써, 레지스트 패턴과 피식각물 사이에 친수성 액체인 박리액 및 현상액 침투가 용이하게 되고, 이로 인해 레지스트 잔류물 문제를 해결할 수 있다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
Ⅰ. 포지티브 포토레지스트 조성물
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물은 알칼리 가용성 수지, 감광제 및 알코올계 첨가제를 포함한다.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물에 포함되는 알칼리 가용성 수지는 당해 기술분야에서 공지된 것이면 특별히 한정되지 않으나, 노볼락 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 상기 노볼락 수지는 페놀 화합물과 알데히드 화합물을 부가-축합반응시켜 얻어질 수 있다. 상기 페놀 화합물과 알데히드 화합물 간의 부가-축합 반응은 산 촉매 존재하에 통상의 방법으로 실시된다. 상기 부가-축합 반응은 적합한 용매하에서 또는 벌크상에서 수행되고, 반응온도는 대개 60~250℃이고, 반응시간은 대개 2~30 시간이다. 상기 페놀 화합물은 페놀, o-, m- 및 p-크레졸, 2,5-크실레놀, 3,5-크실레놀, 3,4-크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 4-t-부틸페놀, 2-t-부틸페놀, 3-t-부틸페놀, 3-에틸페놀, 2-에틸페놀, 4-에틸페놀, 3-메틸-6-t-부틸페놀, 4-메틸-2-t-부틸페놀, 2-나프톨, 1,3-디히드록시나프탈렌, 1,7-디히드록시나프탈렌 및 1,5-디히드록시나프탈렌로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 상기 알데히드 화합물은 포름알데히드, 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 벤즈알데히드, 페닐알데히드, α - 및 β-페닐프로필 알데히드, o-, m- 및 p-히드록시벤즈알데히드, 글루타르 알데히드, 글리옥살, o- 및 p-메틸벤즈알데히드로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 상기 산 촉매는 옥살산, 포름산, 트리클로로아세트산, p-톨루엔술폰산 등과 같은 유기산; 염산, 황산, 과염소산, 인산 등과 같은 무기산; 그리고 아세트산아연, 아세트 산마그네슘등과 같은 이가 금속염으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 상기 부가-축합 반응으로 생성된 노볼락 수 지는 폴리스티렌으로 환산한 중량평균분자량 2,000~50,000을 가지는 것이 바람직하다
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물에 포함하는 감광제는 히드록시기를 갖는 페놀성 화합물과 퀴논디아지드 술폰산 화합물의 에스테르 화합물인 것이 바람직하다. 상기 히드록시기를 갖는 페놀성 화합물은 2,3,4,4'-테트라하이드록시 벤조페논, 트리하이드록시벤조페논 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,3,4,4-테트라 히드록시벤조페논, 2,3,4,2,4-펜타히드록시벤조페논, 트리스 4-히드록시 페닐 메탄, 1,3,5-트리스 4- 히드록시 a-디메틸벤질벤젠, 1,1-비스-4-히드록시페닐-1-4-1-4- 히드 록시페닐 1-메틸에틸 페닐 에탄, 2-(3,4-디히드록시페닐)-2-(4-히드록시페닐) 프로판 등으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 상기 퀴논디아지드 술폰산 화합물은 o-퀴논디아지드 술폰산인 것이 바람직하다. 상기 o-퀴논디아지드 술폰산은 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 및 1,2-벤조퀴논디아지드-4-술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 히드록시기를 갖는 페놀성 화합물과 퀴논디아지드 술폰산 화합물의 에스테르 화합물의 구체적인 예로는 적어도 3개의 히드록시기를 가지는 페놀성 폴리히드록시 화합물과, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 또는 1,2-벤조퀴논디아지드-4-술폰산의 에스테르 화합물이 바람직하다.
한편, 상기 히드록시기를 갖는 페놀성 화합물과 퀴논디아지드 술폰산 화합 물의 에스테르 화합물의 제조방법은 하기와 같다. 상기 에스테르 화합물은, 상기 히드록시기를 갖는 페놀성 화합물을 톨루엔 또는 헵탄올 등의 용매내에서 트리에틸아민 등의 염기의 존재하에 o-퀴논디아지드술포닐 할라이드와 반응시켜 얻을 수 있다. 반응 완결 후에, 적합한 후처리를 하여, 원하는 퀴논디아지드술폰산 에스테르를 분리할 수 있다. 상기 적합한 후처리로는, 예를 들어, 반응물을 물과 혼합하여 원하는 화합물을 침전시키고, 여과 및 건조하여 분말상의 생성물을 얻는 방법; 반응물을 2-헵탄온 등의 레지스트 용매로 처리하고, 수세하고, 상분리하고, 증류 또는 평형 플래쉬 증류로 용매를 제거하여 레지스트 용매 중의 용액의 형태로 생성물을 얻는 방법 등을 들 수 있다. 상기 평형 플래쉬 증류는 액체 혼합물의 일부를 증류시키고, 생성된 증기를 액상과 충분히 접촉시켜 평형이 이루어지면 증기와 액상으로 분리하는 일종의 연속 증류를 일컫는다. 상기 평형 플래쉬 증류는 기화율이 매우 양호하고, 기화가 순식간에 일어나며, 증기와 액상 사이의 평형이 신속히 이루어지므로, 감열 물질의 농축에 적합하다.
상기 감광제는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여, 10 내지 20 중량부로 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물에 포함되는 알코올계 첨가제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 1종을 포함한다.
<화학식 1>
Figure 112009055928754-PAT00003
<화학식 2>
Figure 112009055928754-PAT00004
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기 또는 탄소수 1~10의 직쇄형, 분지쇄형의 알킬기이고, n은 1~10의 정수이고, R1, R2, R3 및 R4 중에서 적어도 하나는 히드록시기이고, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기 또는 탄소수 1~10의 직쇄형, 분지쇄형의 알킬기이고, m은 0~5의 정수이고, R5 및 R6 중에서 적어도 하나는 히드록시기이다.
상기 알코올계 첨가제는 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물에 포함 됨으로써, 레지스트 표면에 친수성을 부여해준다. 이로 인해, 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물로 제조된 레지스트 패턴과 피식각물 사이에 친수성 액체인 박리액 침투가 용이하게 하고, 레지스트 잔류물 문제를 해결할 수 있게 한다.
상기 알코올계 첨가제는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여, 0.1 내지 20중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위로 포함되면, 레지스트 패턴과 피식각물 사이에 친수성 액체인 박리액 침투가 용이하게 하고, 레지스트 잔류물 문제를 해결할 수 있게 한다.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물은, 실리콘 웨이퍼 등의 기판 상에 상기 성분들을 용매에 용해시킨 레지스트 용액의 형태로 적용할 수 있다. 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물에 포함되는 용매는 상기 구성성분들을 용해시킬 수 있고, 적합한 건조속도를 가지며, 용매의 증발 후에 균일하고 매끄러운 코팅막을 형성할 수 있다면, 특별히 한정하지 않고, 본 기술분야에서 통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있다. 상기 용매의 예로는 에틸 셀로솔브 아세테이트, 메틸 셀로솔브 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 등의 글리콜 에테르 에스테르; 에틸 셀로솔브, 메틸 셀로솔브, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 등의 글리콜 에테르; 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 아밀아세테이트 및 에틸피루베이트 등의 에스테르; 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤, 2-헵톤 및 시클로헥산온 등의 케톤; 및 γ-부티롤아세톤 등의 시클릭 에스테르 등을 들 수 있다. 상기 용매는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물은 또한, 착색제, 염료, 찰흔 방지제, 가소제, 접착촉진제, 속도증진제, 계면활성제 등의 첨가제를 첨가하여 기판에 피복함으로서 개별공정의 특성에 따른 성능향상을 도모할 수도 있다.
Ⅱ. 패턴형성방법
본 발명의 포토레지스트 조성물을 침지, 분무, 회전 및 스핀 코팅 및 슬릿 코팅을 포함하여 통상적인 방법으로 기판에 도포한다. 예를 들면 스핀 코팅하는 경우 포토레지스트 용액의 고체함량을 스피닝 장치의 종류와 방법에 따라 적절히 변화시킴으로서 목적하는 두께의 피복물을 형성할 수 있다. 상기 기판으로는 몰리브덴, 몰리브덴/알루미늄의 다중층, 실리콘, 알루미늄, 이산화실리콘, 도핑된 이산화실리콘, 질화실리콘, 탄탈륨, 구리, 폴리실리콘, 세라믹, 알루미늄/구리의 다중층 및 각종 중합성 수지로 이루어진 것이 포함된다.
상기한 방법에 의하여 기판에 코팅된 포토레지스트 조성물을 80℃ 내지 100℃의 온도로 가열하여, 소프트 베이크 공정을 수행한다. 이러한 처리는 포토레지스트 조성물 중 고체 성분을 열분해시키지 않으면서, 용매를 증발시키기 위하여 행한다. 일반적으로 소프트 베이크 공정을 통하여 용매의 농도를 최소화하는 것이 바람직하며, 따라서 이러한 처리는 대부분의 용매가 증발되어 포토레지스트 조성물의 얇은 피복막이 기판에 남을 때까지 수행한다.
다음으로 포토레지스트 막이 형성된 기판을 정당한 마스크 또는 형판 등을 사용하여 빛, 특히 자외선에 노광시킴으로서 목적하는 형태의 패턴을 형성한다.
상기 노광된 기판을 알카리성 현상 수용액에 충분히 침지시킨 다음, 빛에 노출된 부위의 포토레지스트 막이 전부 또는 거의 대부분 용해될 때까지 방치한다. 이에 적합한 현상 수용액으로는 알카리 수산화물, 수산화암모늄 또는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)를 함유하는 수용액을 들 수 있다. 이어서, 노광된 부위가 용해되어 제거된 기판을 현상액으로부터 꺼낸 후, 다시 열처리하여 포토레지스트 막의 접착성 및 내화학성을 증진시키는 하드 베이크 공정을 수행한다. 이러한 하드 베이크 공정은 바람직하게는 포토레지스트 막의 연화점 이하의 온도에서 이루어지며, 바람직하게는 약 100 내지 150℃의 온도에서 행할 수 있다.
상기 하드 베이크 공정이 완료된 기판을 부식용액 또는 기체 플라즈마로 처리하여 노출된 기판 부위를 처리하며, 이때 기판의 노출되지 않은 부위는 포토레지스트 막에 의하여 보호된다. 이와 같이 기판을 처리한 후 적절한 스트리퍼로 포토레지스트 막을 제거하여 기판에 미세 회로 패턴을 형성한다.
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위하여 예시하는 것으로서 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.
실시예 1~7 및 비교예 1,2: 포지티브 포토레지스트 조성물의 제조
하기의 표 1에 기재된 수지, 감광성 화합물 및 알코올계 첨가제를 표시된 함량에 따라 혼합하고, 표 1에 기재된 용매에 상기 구성성분들을 3시간 동안 상온에서 교반 및 용해시킨 후, 60℃에서 재교반하고, 상온으로 강온시킨 후, 0.1㎛의 필터로 여과하여 포지티브 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
수지 감광성 화합물 알코올계 첨가제 용매
종류 중량부 종류 중량부 종류 중량부 종류 중량부
실시예1 a-1 / a-2 50/50 b-1 15 c-1 10 d-1 100
실시예2 a-1 / a-2 50/50 b-1 15 c-2 10 d-1 100
실시예3 a-1 / a-2 50/50 b-1 15 c-3 10 d-1 100
실시예4 a-1 / a-2 50/50 b-1 15 c-4 10 d-1 100
실시예5 a-1 / a-2 50/50 b-1 15 c-5 10 d-1 100
실시예6 a-1 / a-2 50/50 b-1 15 c-6 10 d-1 100
실시예7 a-1 / a-2 50/50 b-1 15 c-7 10 d-1 100
비교예1 a-1 / a-2 50/50 b-1 15 - - d-1 100
a-1: 중량평균분자량이 폴리스티렌으로 환산하여 20,000인 m/p 크레졸의 비가 50/50인 노볼락 수지
a-2: 중량평균분자량이 폴리스티렌으로 환산하여 20,000인 m/p 크레졸의 비가 60/40인 노볼락 수지
b-1: 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논과1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 클로라이드와의 에스테르 화합물
c-1: 시클로헥산디올 c-2: 시클로헥산디메탄올
c-3: 시클로헥산디에탄올 c-4: 시클로헥산올
c-5: 헥산올 c-6: 옥탄올
c-7: 데칸올 d-1: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
시험예: 포토레지스트 조성물 특성 평가
4인치 베어글라스 상에 실시예1~7 및 비교예1의 포지티브 포토레지스트 조성물을 각각 적하하고, 일정한 회전속도로 회전시킨 다음, 상기 글라스를 110℃에서 90초간 가열 건조하여 1.60㎛ 두께의 필름막을 형성하였다. 상기 필름막 상에 소정 형상의 마스크를 장착한 다음, 자외선을 조사하고, 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 2.38중량% 수용액에 60초 동안 침적시켜, 자외선에 노광된 부분을 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다.
가. 잔막률
110℃에서 베이크를 진행한 후, 노광을 하지 않고, 2.38중량% 수용액에 60초간 현상을 한 후 현상 전후의 막두께를 비교한다.
잔막률=(현상후막두께/현상전막두께)
97% 이상: ◎, 94~97%: ○, 90~93%: △, 90% 이하: X
나. 현상성
포토레지스트를 몰리브덴이 증착된 글래스 위에 코팅한 후, 베이크 공정을 진행 시킨 후 코팅된 글래스 전면에 자외선을 조사한 후, 23℃의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 2.38중량% 수용액에 1분간 침지한 후 초순수로 글래스를 세정하여 남아있는 레지스트 양을 비교함.
전체 글래스에 남아있는 레지스트 양
1% 미만: ◎, 1~2%: ○, 3~5%: △, 5% 이상: X
다. 박리성
포토레지스트를 몰리브덴이 증착된 글래스위에 패터닝한 후 50℃로 가온된 PRS-2000(동우화인켐(주) 박리액) 박리액에 1분간 침지한 후 초순수로 글래스를 세정한 후 남아있는 레지스트의 양을 비교함.
전체 글래스에 남아있는 레지스트 양
1% 미만: ◎, 1~5%: ○, 6~10%: △, 10% 이상: X
잔막률 현상성 박리성
실시예1 ◎ ◎ ◎
실시예2 ◎ ◎ ◎
실시예3 ◎ ◎ ◎
실시예4 ◎ ◎ ◎
실시예5 ◎ ◎ ○
실시예6 ◎ ◎ ○
실시예7 ◎ ◎ ◎
비교예1 ◎ △ X
이상의 결과로부터, 본 발명의 알코올계 첨가제를 첨가함으로써, 잔막률, 박리성, 현상성이 향상되는 것을 알 수 있다.

Claims (8)

  1. 알칼리 가용성 수지;
    감광제; 및
    하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종을 포함하는 알코올계 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
    <화학식 1>
    Figure 112009055928754-PAT00005
    <화학식 2>
    Figure 112009055928754-PAT00006
    상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
    R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기 또는 탄소수 1~10의 직쇄형, 분지쇄형의 알킬기이고, n은 1~10의 정수이고, R1, R2, R3 및 R4 중에서 적어도 하나는 히드록시기이고,
    R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기 또는 탄소수 1~10의 직쇄형, 분지쇄형의 알킬기이고, m은 0~5의 정수이고, R5 및 R6 중에서 적어도 하나는 히드록시기이다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여,
    상기 감광제 10 내지 20 중량부; 및
    상기 알코올계 첨가제 0.1 내지 20 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 알칼리 가용성 수지는 노볼락 수지인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 노볼락 수지의 중량평균분자량이 폴리스티렌으로 환산하여 2,000~30,000 인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 감광제는 히드록시기를 갖는 페놀성 화합물과 퀴논디아지드 술폰산 화합물의 에스테르 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 히드록시기를 갖는 페놀성 화합물은 2,3,4,4'-테트라하이드록시 벤조페논, 트리하이드록시벤조페논 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,3,4,4-테트라 히드록시벤조페논, 2,3,4,2,4-펜타히드록시벤조페논, 트리스 4-히드록시 페닐 메탄, 1,3,5-트리스 4- 히드록시 a-디메틸벤질벤젠, 1,1-비스-4-히드록시페닐-1-4-1-4- 히드 록시페닐 1-메틸에틸 페닐 에탄, 2-(3,4-디히드록시페닐)-2-(4-히드록시페닐) 프로판 등으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 퀴논디아지드 술폰산 화합물은 o-퀴논디아지드 술폰산인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 o-퀴논디아지드 술폰산은 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 및 1,2-벤조퀴논디아지드-4-술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
KR1020090085671A 2009-09-11 2009-09-11 포지티브 포토레지스트 조성물 KR20110027882A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090085671A KR20110027882A (ko) 2009-09-11 2009-09-11 포지티브 포토레지스트 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090085671A KR20110027882A (ko) 2009-09-11 2009-09-11 포지티브 포토레지스트 조성물

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110027882A true KR20110027882A (ko) 2011-03-17

Family

ID=43934418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090085671A KR20110027882A (ko) 2009-09-11 2009-09-11 포지티브 포토레지스트 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110027882A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI407253B (zh) 光阻劑組成物
US6790582B1 (en) Photoresist compositions
JP2007304591A (ja) フォトレジスト組成物
JP4152852B2 (ja) 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
US6905809B2 (en) Photoresist compositions
JPH1069075A (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH0534913A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP4209297B2 (ja) 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
JP5112772B2 (ja) 液晶素子製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4405293B2 (ja) 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
KR101803098B1 (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
KR20170029285A (ko) 구리막용 포토레지스트 조성물
KR20110027882A (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
KR102012830B1 (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
KR20110062836A (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
JP4112416B2 (ja) 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
KR20120007124A (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
KR101791265B1 (ko) 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성방법
KR20110040085A (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
JPH0534915A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP5915893B2 (ja) ポジ型レジスト組成物及び電子デバイスの製造方法
JPH06301204A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2010015040A (ja) リンス液及びリフトオフ用レジストパターンの形成方法
JP2020055955A (ja) ノボラック型フェノール樹脂、感光性樹脂組成物およびノボラック型フェノール樹脂の製造方法
JPH05204149A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application