JP4405293B2 - 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 - Google Patents
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Description
中央滴下後スピンする塗布法では、良好な塗布均一性が得られるものの、例えば1m角クラスの大型基板の場合は、回転時(スピン時)に振り切られて廃棄されるレジスト量がかなり多くなり、また高速回転による基板の割れや、タクトタイムの確保の問題が生じる。さらに中央滴下後スピンする方法における塗布性能は、スピン時の回転速度とレジストの塗布量に依存するため、さらに大型化される第5世代基板(1000mm×1200mm〜1280mm×1400mm程度)に適用しようとすると、必要な加速度を得られる汎用モータがなく、そのようなモータを特注すると部品コストが増大するという問題があった。
また、基板サイズや装置サイズが大型化しても、例えば、塗布均一性±3%、タクトタイム60〜70秒/枚など、塗布工程における要求性能はほぼ変わらないため、中央滴下後スピンする方法では、塗布均一性以外の要求に対応するのが難しくなってきた。
吐出ノズル式によるレジスト塗布法は、吐出ノズルと基板とを相対的に移動させることによって基板の塗布面全面にポジ型ホトレジスト組成物を塗布する方法で、例えば、複数のノズル孔が列状に配列された吐出口やスリット状の吐出口を有し、ホトレジスト組成物を帯状に吐出できる吐出ノズルを用いる方法が提案されている。また、吐出ノズル式で基板の塗布面全面にホトレジスト組成物を塗布した後、該基板をスピンさせて膜厚を調整する方法も提案されている。
エレクトリック・ジャーナル(Electronic Journal)2002年8月号、121〜123頁
従来のレジスト中央滴下後、基板をスピンさせる塗布方法では、界面活性剤添加量は10000ppm以下の範囲、一般的には1000ppm程度で配合され、当該範囲内で添加量を増加させるに伴い、乾燥斑、ストリエーション低減に効果的であった。
しかし、吐出ノズル式塗布法では添加量の増加に伴い、すじ状の痕が生じやすいことを本発明者等は見出した。
そこで、さらに鋭意研究を重ねた結果、ホトレジスト組成物中における界面活性剤の含有量を、従来は一般的に1000ppm程度であったのを900ppm以下と少量にすることにより、吐出ノズルからホトレジスト組成物を吐出させて基板上に塗布する際に、好ましくはレジスト塗布量を抑えつつ、すじ状痕の発生を防止できることを見出して本発明を成すに至った。
(A1)成分:m−クレゾール/p−クレゾール=20/80〜40/60(仕込み比)の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤として用いて合成したポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が4000〜6000のノボラック樹脂、
(A2)成分:m−クレゾール/p−クレゾール=20/80〜40/60(仕込み比)の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤として用いて合成したMwが5000〜10000であって、前記(A1)成分よりも高分子量体であるノボラック樹脂、
(A3)成分:m−クレゾール/p−クレゾール=50/50〜70/30(仕込み比)の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤として用いて合成したMwが9000以上のノボラック樹脂。
本明細書における「構成単位」とは、重合体(樹脂)を構成するモノマー単位を示す。
本明細書における「基板の塗布面」とは、基板のうちレジスト組成物が塗布されるべき領域を指しており、一般的には基板の一面全面である。
[(A)成分]
本発明で用いられるアルカリ可溶性ノボラック樹脂(A)は、ポジ型ホトレジスト組成物において被膜形成物質として通常用いられ得るものの中から任意に選択して利用することができる。
特に、(A)成分全体のポリスチレン換算質量平均分子量(以下、Mwとのみ記載する)が6000以上となるように調製されているものを用いると、吐出ノズル式塗布法におけるすじ状痕の発生をより効果的に防止をできる点で好ましい。(A)成分のMwのより好ましい範囲は6000〜10000程度である。
前記フェノール類としては、例えばフェノール;m−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のクレゾール類;2,3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,5−キシレノール、3,4−キシレノール等のキシレノール類;m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−エチルフェノール、2,3,5−トリメチルフェノール、2,3,5−トリエチルフェノール、4−tert−ブチルフェノール、3−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチル−4−メチルフェノール、2−tert−ブチル−5−メチルフェノール等のアルキルフェノール類;p−メトキシフェノール、m−メトキシフェノール、p−エトキシフェノール、m−エトキシフェノール、p−プロポキシフェノール、m−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類;o−イソプロペニルフェノール、p−イソプロペニルフェノール、2−メチル−4−イソプロペニルフェノール、2−エチル−4−イソプロペニルフェノール等のイソプロペニルフェノール類;フェニルフェノール等のアリールフェノール類;4,4’−ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールA、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール等のポリヒドロキシフェノール類等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、また2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのフェノール類の中では、特にm−クレゾール、p−クレゾールが好ましい。
前記酸性触媒としては、塩酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、パラトルエンスルホン酸等を使用することができる。
本発明において、アルカリ可溶性ノボラック樹脂(A)に、m−クレゾール/p−クレゾール=20/80〜40/60(仕込み比)の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤として用いて合成したMwが4000〜6000のノボラック樹脂(A1)、およびm−クレゾール/p−クレゾール=20/80〜40/60(仕込み比)の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤として用いて合成したMwが5000〜10000であって、A1よりも高分子量体であるノボラック樹脂(A2)の中から選ばれる少なくとも1種のノボラック樹脂が含まれていることが、高感度のレジスト組成物の調整に適し、未露光部の残膜性が向上する点から好ましい。
すなわち、m−クレゾール/p−クレゾール=20/80〜40/60(仕込み比)の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤として用いて合成したMwが4000〜10000のノボラック樹脂が少なくとも1種含まれていることが好ましい。
(A1)、(A2)成分のMwは、レジスト組成物の高感度化と、残膜率向上の点から、前者(A1)は、Mwが4000〜6000、特には4500〜5500であることが好ましく、後者(A2)は、5000〜10000、特には5500〜6500であることが好ましい。
(A1)および(A2)成分の中から選ばれる少なくとも1種の成分(ノボラック樹脂)を用いる場合、(A)成分中における(A1)、(A2)成分の好ましい含有割合は10〜60質量%であり、より好ましくは45〜55質量%である。(A)成分中における(A1)、(A2)の含有割合が、上記範囲以外では、高感度化および残膜率の向上効果が得られにくい。
また、アルカリ可溶性ノボラック樹脂(A)に、m−クレゾール/p−クレゾール=50/50〜70/30(仕込み比)の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤として用いて合成したMwが9000以上のノボラック樹脂(A3)が含まれていることが、すじ状痕の発生を抑制する効果に優れる点から好ましい。前記m−クレゾール/p−クレゾールの比は、55/45〜65/35が特に好ましい。なお、反応に用いたp−クレゾールの一部は、未反応物あるいは2核体物として反応系中に存在し、合成反応終了後に行う低分子量体のカットを目的とする分別操作時に除かれるため、最終的に得られるノボラック樹脂中のm−クレゾール構成単位/p−クレゾール構成単位のモノマー比は、55/45〜75/25、特には60/40〜70/30となる。
(A3)成分のMwは、大きすぎるとレジスト組成物の感度低下や、レジストパターン剥離工程におけるレジストパターンの剥離性に悪影響を及ぼす可能性があり、小さすぎるとすじ状痕の発生を抑制する効果が小さいため、Mwは9000以上が好ましく、より好ましくは9500〜15000である。
(A3)成分を用いる場合、(A)成分中における(A3)成分の好ましい含有割合は40〜90質量%であり、より好ましくは45〜55質量%である。(A)成分中における(A3)の含有割合が、上記範囲より大きいとレジスト組成物の感度低下や、レジストパターン剥離工程におけるレジストパターンの剥離性に悪影響を及ぼす可能性があり、小さいとすじ状痕の発生を抑制する効果が乏しい。
本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、分子量(M)が1000以下のフェノール性水酸基含有化合物(B)を含有することにより、感度向上効果が得られる。特に、液晶表示素子製造の分野においては、スループットの向上が非常に大きい問題であり、またレジスト消費量が多くなりがちであるため、ホトレジスト組成物にあっては高感度でしかも安価であることが望ましく、該(B)成分を用いると、比較的安価で高感度化を達成できるので好ましい。また(B)成分を含有させると、レジストパターンにおいて表面難溶化層が強く形成されるため、現像時に未露光部分のレジスト膜の膜減り量が少なく、現像時間の差から生じる現像ムラの発生が抑えられて好ましい。
該(B)成分としては、従来液晶表示素子製造用のポジ型ホトレジスト組成物に用いられている分子量1000以下のフェノール性水酸基含有化合物を適宜用いることができるが、下記一般式(III)で表わされるフェノール性水酸基含有化合物は、感度を効果的に向上できるのでより好ましい。
これらは、いずれか1種を用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明における(C)ナフトキノンジアジド基含有化合物は、感光性成分である。該(C)成分としては、例えば、従来より液晶表示素子製造用ポジ型ホトレジスト組成物の感光性成分として用いられてきたものを用いることができる。
例えば、(C)成分として、特に下記式(II)で表わされるフェノール性水酸基含有化合物と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物とのエステル化反応生成物は、非常に安価でありながら、高感度のホトレジスト組成物を調製できる点で好ましい。
このエステル化反応生成物の平均エステル化率は50〜70%、好ましくは55〜65%であり、50%未満では現像後の膜減りが発生し易く、残膜率が低くなる点で問題があり、70%を超えると、保存安定性が低下する傾向にあるため好ましくない。
上記1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物は、好ましくは1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル化合物である。
他のキノンジアジドエステル化物としては、例えば前記一般式(III)で表わされるフェノール性水酸基含有化合物と、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物、好ましくは1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル化合物または好ましくは1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル化合物とのエステル化反応生成物を用いることができる。
本発明組成物は、(A)〜(C)成分、(E)成分、および各種添加成分とを、有機溶剤(D)に溶解して溶液の形で用いられる。
本発明で用いられる有機溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)が塗布性に優れ、大型ガラス基板上でもレジスト被膜の膜厚均一性に優れている点で好ましい。
PGMEAは単独溶媒で用いることが最も好ましいが、PGMEA以外の溶媒も用いることができ、例えば乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどが挙げられる。
乳酸エチルを用いる場合は、PGMEAに対して質量比で0.1〜10倍量、好ましくは1〜5倍量の範囲で配合することが望ましい。
また、γ−ブチロラクトンを用いる場合は、PGMEAに対して質量比で0.01〜1倍量、好ましくは0.05〜0.5倍量の範囲で配合することが望ましい。
本発明において、有機溶剤(D)を使用して、ホトレジスト組成物中における上記(A)〜(C)成分の合計量が、組成物の全質量に対して30質量%以下、好ましくは20〜28質量%になるように調製することにより、吐出ノズルからホトレジスト組成物を帯状に吐出して基板上に塗布する際の良好な塗布性が得られる。また、その後スピンした場合にも良好な流動性が得られるので、膜厚均一性が良好なレジスト被膜を歩留まり良く形成するうえで好ましい。
本発明のホトレジスト組成物における界面活性剤(E)の含有量は、ホトジスト組成物全体に対して900ppm以下とされる。本発明のホトレジスト組成物には界面活性剤(E)が添加されていなくてもよく、すなわち界面活性剤(E)の含有量が0でもよい。好ましくは100〜800ppmの範囲内であり、より好ましくは200〜700ppmの範囲内である。
界面活性剤(E)の含有量を上記の範囲とすることにより、吐出ノズル塗布法により良好な吐膜を形成することができる。特に、塗布膜厚が100〜160μm程度の比較的薄膜条件下で、スピン後のすじ状痕が生じる現象を防止することができる。
界面活性剤の配合量が900ppmを超えると上記100〜160μm程度の薄膜条件下ではスピン後のすじ状痕が生じる現象を抑制する効果に乏しくなる。すじ状痕を抑える点では界面活性剤の配合量が少ない方が好ましく0が望ましいが、100ppm未満であると塗布後の回転時にストリエーションを発生する恐れがある。
上記以外の界面活性剤の具体例としては、ストリエーション防止のための界面活性剤、例えばフロラードFC−430、FC431(製品名、住友3M(株)製)、エフトップEF122A、EF122B、EF122C、EF126(製品名、トーケムプロダクツ(株)製)等のフッ素系界面活性剤が挙げられる。
本発明の組成物には、さらに本発明の目的を損なわない範囲において、保存安定剤などの各種添加剤を用いることができる。
例えばハレーション防止のための紫外線吸収剤、例えば2,2',4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−2',4'−ジヒドロキシベンゾフェノン、5−アミノ−3−メチル−1−フェニル−4−(4−ヒドロキシフェニルアゾ)ピラゾール、4−ジメチルアミノ−4'−ヒドロキシアゾベンゼン、4−ジエチルアミノ−4'−エトキシアゾベンゼン、4−ジエチルアミノアゾベンゼン、クルクミン等を適宜含有させることができる。
密着性向上剤を含有させる場合、その配合量が多すぎるとレジスト組成物の経時変化が劣化する傾向にあり、少なすぎると密着性向上効果が十分に得られないので、全固形分に対して0.1〜10質量%の範囲内とするのが好ましい。
以下、本発明のレジストパターンの形成方法の一実施形態を説明する。
本発明のレジストパターンの形成方法は、本発明のポジ型ホトレジスト組成物を吐出ノズル式塗布法を用いて、基板上に塗布する工程を有するものである。この塗布工程は、吐出ノズルと基板とを相対的に移動させる手段を備えた装置によって行うことができる。吐出ノズルは、ここから吐出されたホトレジスト組成物が基板上に帯状に塗布されるように構成されているものであればよく、特に限定されないが、例えば複数のノズル孔が列状に配列された吐出口を有する吐出ノズルや、スリット状の吐出口を有する吐出ノズルを用いることができる。当該塗布工程を有する塗布装置としては、コート&スピンレス方式のTR63000S(製品名;東京応化工業(株)製)が知られている。
例えば、ホトレジスト組成物が塗布された基板を100〜140℃程度で加熱乾燥(プリベーク)してレジスト被膜を形成する。その後、レジスト被膜に対し、所望のマスクパターンを介して選択的露光を行う。露光時の波長は、ghi線(g線、h線、およびi線)またはi線を好適に用いることができ、それぞれ適宜の光源を用いる。
この後、選択的露光後のレジスト被覆に対して、アルカリ性水溶液からなる現像液、例えば1〜10質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液を用いて現像処理する。
レジスト被膜に現像液を接触させる方法としては、例えば基板の一方の端部から他方の端部にかけて液盛りする方法や、基板の中心付近の上部に設置された現像液滴下ノズルより基板表面全体に現像液を行き渡らせる方法を用いることができる。
そして50〜60秒間程度静置して現像した後、レジストパターン表面に残った現像液を純水などのリンス液を用いて洗い落とすリンス工程を行うことによりレジストパターンが得られる。
しかも、用いるホトレジスト組成物は吐出ノズル方式に好適化されたものであり、ホトレジスト被膜にすじ状痕が発生するのが防止される。特に、塗布後スピンを行う場合には、レジスト塗布量を抑えつつすじ状痕の発生を防止できるので、製造コストの低減に寄与することができる。
(1)すじ状痕の評価:
試料(ポジ型ホトレジスト組成物)を、塗布装置(東京応化工業社製、製品名TR63000F)を用いて、Cr膜が形成されたガラス基板(1100×1250mm2)上に所定の膜厚(100μm、110μm、150μm)で塗布し、スピンさせることにより膜厚約1.5μmの塗布膜とした。上記塗布装置は、吐出ノズル式塗布法で基板上にホトレジスト組成物を塗布した後、基板をスピンさせるように構成されたものである。
次いで、ホットプレートの温度を130℃とし、約1mmの間隔をあけたプロキシミティベークにより60秒間の第1回目の乾燥を行い、次いでホットプレートの温度を120℃とし、0.5mmの間隔をあけたプロキシミティベークにより60秒間の第2回目の乾燥を施し、膜厚1.5μmのレジスト被膜を形成した。
得られたレジスト被膜の表面をナトリウムランプ下で観察し、すじ状痕の発生が見られなかったものを○、発生したものを×として表に示した。
試料(ポジ型ホトレジスト組成物)を、塗布装置(東京応化工業社製、製品名TR63000F)を用いて、Cr膜が形成されたガラス基板(1100×1250mm2)上に110μmの膜厚で塗布し、スピンさせることにより膜厚約1.5μmの塗布膜とした。
次いで、上記すじ状痕の評価と同様にして膜厚1.5μmのレジスト被膜を形成した後、3.0μmラインアンドスペースのレジストパターンを再現するためのマスクパターンが描かれたテストチャートマスク(レチクル)を介してミラープロジェクション・アライナーMPA−600FA(キャノン社製;ghi線露光装置)を用いて露光を行った。露光量は40mJ/cm2とした。
次いで、23℃、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液に60秒間接触させ、30秒間水洗し、スピン乾燥した。
実施例および比較例として、下記表1に示す配合でホトレジスト組成物を調製し、すじ状痕の評価を行った。評価結果を下記表2に示す。ただし、実施例5は参考例である。
また、レジストパターン形成能の評価においては、実施例はいずれも基板上に3.0μmラインアンドスペースのレジストパターンが寸法通りに再現されたが、比較例においては、すじ状痕の影響による膜厚変化によって、レジストパターンの一部に寸法変化が見られた。
(a1):m−クレゾール/p−クレゾール=30/70の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤とし、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合反応して得られたノボラック樹脂を水−メタノール混合溶媒にて分別処理を施して得られたMw5000のノボラック樹脂。
(a2):m−クレゾール/p−クレゾール=30/70の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤とし、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合反応して得られたノボラック樹脂を水−メタノール混合溶媒にて分別処理を施して得られたMw6300のノボラック樹脂。
(a3):m−クレゾール/p−クレゾール=60/40の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤とし、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合反応して得られたノボラック樹脂を水−メタノール混合溶媒にて分別処理を施して得られたMw11000のノボラック樹脂。
(b1):上記式(I)で表されるフェノール性水酸基含有化合物(M=376)
(c1):上記式(II)で表されるフェノール性水酸基含有化合物1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド2.34モルとのエステル化反応生成物。
(c2):ビス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド2.11モルとのエステル化反応生成物。
(d1):PGMEA。
(E)成分(界面活性剤)として下記の(e1)を表1に示す配合量で用いた。
(e1):フッ素−ケイ素系界面活性(大日本インキ化学工業(株)製、製品名メガファックR−60)
その他の成分として、2−(2−ヒドロキシエチル)ピリジンを全固形分に対して0.25質量部を用いた。
Claims (11)
- 吐出ノズルと基板とを相対的に移動させることによって基板の塗布面全面にポジ型ホトレジスト組成物を塗布する工程を有する吐出ノズル式塗布法に用いられるポジ型ホトレジスト組成物であって、
(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂、(C)ナフトキノンジアジド基含有化合物、(D)有機溶剤および(E)界面活性剤を含有してなり、
前記(A)成分は、下記(A1)成分および(A2)成分の中から選ばれる少なくとも1種と、下記(A3)成分を含有しており、下記(A1)成分および(A2)成分の中から選ばれる少なくとも1種の含有量と下記(A3)成分の含有量との質量比を表す[(A1)+(A2)]/(A3)の値が、10/90〜60/40であり、
前記(E)成分の含有量が100〜900ppmであることを特徴とする吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物。
(A1)成分:m−クレゾール/p−クレゾール=20/80〜40/60(仕込み比)の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤として用いて合成したポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が4000〜6000のノボラック樹脂、
(A2)成分:m−クレゾール/p−クレゾール=20/80〜40/60(仕込み比)の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤として用いて合成したMwが5000〜10000であって、前記(A1)成分よりも高分子量体であるノボラック樹脂、
(A3)成分:m−クレゾール/p−クレゾール=50/50〜70/30(仕込み比)の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤として用いて合成したMwが9000以上のノボラック樹脂。 - さらに、(B)分子量(M)が1000以下のフェノール性水酸基含有化合物を含有してなることを特徴とする請求項1に記載の吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物。
- 前記(A)成分のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が6000以上であることを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載の吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物。
- 前記(D)成分が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物。
- 前記(E)成分がパーフルオロアルキルエステル基とアルキルシロキサン基とエチレンオキシ基とプロピレンオキシ基が結合した非イオン性フッ素−ケイ素系界面活性剤を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物。
- さらに、2−(2−ヒドロキシエチル)ピリジンを含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物。
- 前記吐出ノズル式塗布法が、前記基板の塗布面全面にポジ型ホトレジスト組成物を塗布した後、前記基板をスピンさせる工程を有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物。
- 吐出ノズルと基板とを相対的に移動させることによって基板の塗布面全面にポジ型ホトレジスト組成物を塗布する方法で、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物を基板上に塗布する工程を有することを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 前記基板上にポジ型ホトレジスト組成物を塗布した後、前記基板をスピンさせる工程を有することを特徴とする請求項10記載のレジストパターンの形成方法。
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