CN101071267A - 光致抗蚀剂组合物 - Google Patents

光致抗蚀剂组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN101071267A
CN101071267A CNA200710096934XA CN200710096934A CN101071267A CN 101071267 A CN101071267 A CN 101071267A CN A200710096934X A CNA200710096934X A CN A200710096934XA CN 200710096934 A CN200710096934 A CN 200710096934A CN 101071267 A CN101071267 A CN 101071267A
Authority
CN
China
Prior art keywords
corrosion
photo
agent composition
resisting agent
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200710096934XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101071267B (zh
Inventor
金东敏
金柄郁
朴大然
金周赫
崔基植
金贞元
李起范
卞哲基
金纹秀
金炳厚
边滋勋
申在浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongjin Semichem Co Ltd
Original Assignee
Dongjin Semichem Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongjin Semichem Co Ltd filed Critical Dongjin Semichem Co Ltd
Publication of CN101071267A publication Critical patent/CN101071267A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101071267B publication Critical patent/CN101071267B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08G8/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes
    • C08G8/08—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于制造液晶显示装置的电路、半导体集成电路等微细电路的光致抗蚀剂组合物，具体地涉及一种包含(a)由下述化学式1表示的酚醛清漆树脂、(b)重氮类感光性化合物、(c)有机溶剂的光致抗蚀剂组合物。在化学式1中，R表示氢、羟基或甲基，n是3至20的整数。本发明所涉及的光致抗蚀剂组合物，由于加入了酚醛清漆树脂，因而具有可提高光致光致抗蚀剂的耐热性及图案均匀性的效果。所述酚醛清漆树脂由间甲酚、对甲酚、及邻羟苯甲醛缩聚合而成。

Description

光致抗蚀剂组合物
技术领域
本发明涉及一种用于制造液晶显示装置的电路、半导体集成电路等微细电路的光致抗蚀剂组合物，具体地涉及一种通过加入可提高光致抗蚀剂的耐热性及分辨率的酚醛清漆树脂(novolak resin)，以获得具有优异的均匀性及粘合性图案的光致抗蚀剂组合物。
背景技术
为形成液晶显示装置的电路或半导体集成电路等微细电路的图案，首先在基板上的绝缘膜或金属导电膜上均匀地涂敷光致抗蚀剂组合物。然后，通过使用预定形状的掩膜，使光致抗蚀剂覆膜曝光、显影，从而形成预定形状的图案。之后，使用掩膜对金属膜或绝缘膜进行蚀刻，除去残留的光致抗蚀剂膜，以在基板上形成微细电路。上述涂敷工序采用旋转式涂敷法或狭缝式涂敷法。
通常，光致抗蚀剂组合物包含高分子树脂、感光性化合物及溶剂。直至目前，进行诸多努力，试图改善利用光致抗蚀剂组合物而形成的光致抗蚀剂膜的涂敷均匀性、感光速度、显影对比度、分辨率、与基板的粘合力、残膜率、电路线宽均匀性及人体安全性等。
例如，美国专利第3666473号公开了两种酚醛清漆树脂混合物和典型的感光性化合物，美国专利第4115128号公开了为增加感光速度，在酚醛树脂(phenolic resin)和重氮萘醌(naphtoquinone diazide)光敏剂中添加有机酸环酐的组合物，美国专利第4550069号公开了一种为增加感光速度，提高人体安全性，使用酚醛清漆树脂、邻醌二叠氮化物(ortho-quinone diazide)感光性化合物及作为溶剂使用丙二醇烷基醚乙酸酯(propyleneglycol alkyl ether acetate)的光致抗蚀剂组合物。
尽管如此，仍需要开发出不仅能够同时满足感光速度、残膜率、半曝光部分的残膜均匀性、显影对比度、分辨率、高分子树脂的溶解性、与基板的粘合力及电路线宽均匀性等光致抗蚀剂组合物的任何一种性能要求，还能适于在不同工艺中使用的不同的光致抗蚀剂组合物。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种经过涂敷工序之后微细电路线条成型性能优异，且在硬烘工序之后图案的均匀性及耐热性优异的光致抗蚀剂组合物。
本发明的另一目的在于，提供一种能够提高光致抗蚀剂膜的感光速度、残膜率、显影对比度、分辨率、高分子树脂的溶解性、与基板的粘合力及电路线宽均匀性的光致抗蚀剂组合物。
本发明的另一目的在于，提供一种利用所述光致抗蚀剂组合物制造的液晶显示装置或半导体元件。
为实现上述目的，本发明所提供的光致蚀刻剂组合物包含(a)由下述化学式1表示的酚醛清漆树脂、(b)重氮类感光性化合物(diazide seriesphotosensitive compound)、(c)有机溶剂。
[化学式1]
Figure A20071009693400051
在上述化学式1中，R表示氢、羟基或甲基，n是3至20的整数。
而且，本发明提供一种利用所述光致抗蚀剂组合物制造的液晶显示装置或半导体元件。
本发明所涉及的光致抗蚀剂组合物，由于使用了加入间苯二酚的酚醛清漆树脂，因而在硬烘工序之后仍具有优异的耐热性，且同时具有优异的分辨率、感光速度、残膜率、显影对比度、与基板的粘合力及电路线宽均匀性。因此，适于在工业生产中使用，而且在进行批量生产时，因其能够节省使用量，缩短批量生产时间，可有效地改善生产效率。
具体实施方式
下面，利用实施例详细说明本发明。
本申请的发明人在不断研究光致抗蚀剂组合物的过程中发现，如果对光致抗蚀剂组合物中加入由间甲酚(m-cresol)、对甲酚(p-cresol)、邻羟苯甲醛(salicylic aldehyde)的混合物聚合而成的酚醛清漆树脂，则不仅能提高光致抗蚀剂的耐热性，而且还能提高分辨率。于是基于上述发现，完成了本发明。
本发明所涉及的光致抗蚀剂组合物包含(a)由上述化学式1表示的酚醛清漆树脂、(b)重氮类感光性化合物、(c)有机溶剂。
本发明所涉及的光致抗蚀剂组合物中，(a)酚醛清漆树脂是将包含间甲酚、对甲酚的芳香族醇与邻羟苯甲醛进行反应而合成的高分子聚合物，其重均分子量优选为3000～15000。
其中，根据所述(a)酚醛清漆树脂的合成原料——间甲酚、对甲酚及邻羟苯甲醛的混合比例，本发明的光致抗蚀剂的物理特性(感光速度、耐热性、残膜率等)有所不同。具体而言，所述(a)酚醛清漆树脂优选由以2～7∶2～7∶1～5的重量比混合间甲酚、对甲酚、邻羟苯甲醛的混合物聚合而成。
即，通过聚合反应制备酚醛清漆树脂时，若间甲酚的含量未满足所述范围，就会导致光致抗蚀剂的感光速度变快，从而降低残膜率；若对甲酚的含量未满足所述范围，则会导致光致抗蚀剂的感光速度变慢。另外，若邻羟苯甲醛的含量低于所述范围，则不能提高光致抗蚀剂的耐热性及分辨率；若超过所述范围，则由于光致抗蚀剂溶解速度过快而难以提高耐热性及分辨率。
此外，所述(a)酚醛清漆树脂，可混合使用由间甲酚、对甲酚、邻羟苯甲醛聚合而成的聚合物及由间甲酚、对甲酚、甲醛聚合而成的一般聚合物。其中，对于所述间甲酚、对甲酚、甲醛，虽然没有特别限定其混合比例，但优选以2～7∶2～7∶1～5的比例混合。
所述(a)酚醛清漆树脂的含量优选为全部组合物的5～30重量％。为了便于涂敷本发明的光致抗蚀剂组合物，以满足所需厚度，所述(a)酚醛清漆树脂的含量优选为全部组合物的5重量％以上，而为了形成均匀的膜层，其加入量优选为30重量％以下。
本发明所涉及的光致抗蚀剂组合物中所述(b)重氮类感光性化合物，可通过将多羟基二苯甲酮(polyhydroxybenzophenone)、1，2-重氮萘醌(1，2-naphthoquinone diazide)、2-重氮-1-萘酚-5-磺酸(2-diazo-1-naphthol-5-sulfonic acid)等化合物反应而制造。
例如，所述(b)重氮类感光性化合物，可以单独或混合使用以下物质，即，将三羟基二苯甲酮(trihydroxybenzophenone)与2-重氮-1-萘酚-5-磺酸进行酯化反应而制得的2，3，4-三羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯(2，3，4-trihydroxybenzophenone-1，2-naphthoquinone diazide-5-sulfonate)；以及将四羟基二苯甲酮(tetrahydroxybenzophenone)与2-重氮-1-萘酚-5-磺酸进行酯化反应而制得的2，3，4，4’-四羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯(2，3，4，4’-tetrahydroxybenzophenone-1，2-naphthoquinone diazide-5-sulfonate)。2，3，4-三羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯和2，3，4，4’-四羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯，优选以40～60∶60～40重量份比混合使用。
此时，为使上述光致抗蚀剂维持适当的感光速度，所述(b)重氮类感光性化合物优选使用全部组合物的2～10重量％。
本发明所涉及的光致抗蚀剂组合物，可进一步包含(c)有机溶剂，使得光致抗蚀剂组合物的总量达到100重量％。
所述(c)有机溶剂，优选使用选自丙二醇甲醚乙酸酯(propyleneglycolmethyl ether acetate，PGMEA)、乳酸乙酯(ethyl lactate，EL)、2-甲氧基乙基乙酸酯(2-methoxyethyl acetate)、丙二醇单甲醚(propyleneglycolmonomethyl ether，PGME)中的至少一种溶剂，更优选以70～90∶30～10重量份比混合使用丙二醇甲醚乙酸酯和2-甲氧基乙基乙酸酯。
为提高灵敏度及硬烘工序中图案的形成效果，本发明所涉及的光致抗蚀剂组合物可进一步包含(d)灵敏度增进剂。
所述(d)灵敏度增进剂，最好是具有酚类羟基(phenol hydroxy group)官能团且重均分子量低于500的多羟基化合物(polyhydroxy compound)。例如，可使用选自2，3，4-三羟基二苯甲酮(2，3，4-trihydroxybenzophenone)、2，3，4，4’-四羟基二苯甲酮(2，3，4，4’-tetrahydroxybenzophenone)、2，3，4，3’，4’，5-六羟基二苯甲酮(2，3，4，3’，4’，5-hexahydroxybenzophenone)、丙酮-连苯三酚缩合物(acetone pyrogallol condensation product)、4，4-[1-[4-[1，(1，4-羟基苯基)-1-甲基乙基]苯基]亚乙基]双酚(4，4-[1-[4-[1-(1，4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphenol)，TPPA)、4，4-[[2-羟基苯基]亚甲基]双[2，6-二甲基苯酚](4，4-[[2-hydroxyphenyl]methylene]bis[2，6-dimethylphenol，BI26X-SA)中的至少一种化合物。
此时，基于组合物的总量，所述(d)灵敏度增进剂的含量优选为0.1～10重量％。即，为了充分体现光致抗蚀剂的灵敏度增进效果，所述灵敏度增进剂的含量优选为0.1重量％以上，而为防止残膜率急剧下降，其添加量优选为10重量％以下。
此外，本发明所涉及的光致抗蚀剂组合物，根据不同工艺的特点及需要，可进一步包含选自着色剂、染色剂、防痕剂、增塑剂、增粘剂、加速剂及表面活性剂中的至少一种添加剂，以提高不同工艺的性能。
另外，本发明可利用所述光致抗蚀剂组合物制造半导体元件。例如，本发明的光致抗蚀剂组合物可用于半导体元件中如下的液晶显示装置电路的制造工艺中。
首先，通过常用的涂敷方法，如浸涂法、喷涂法、辊涂法及旋涂法等将本发明的光致抗蚀剂组合物涂敷在基板之上。例如，当使用旋涂法时，可根据旋转装置和涂敷方法适当地改变光致抗蚀剂溶液中的固体含量来形成所需厚度的涂层。
所述基板优选采用选自硅、铝、铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)、钼、二氧化硅、掺杂二氧化硅、氮化硅、钽、铜、多晶硅、陶瓷、铜/铝混合物及聚合树脂的材料制成。
接下来实施软烘工序，所述软烘工序以20～130℃的温度进行热处理。所述热处理的目的在于，在不分解光致抗蚀剂组合物中固体成分的情况下蒸发溶剂。最好通过软烘工序将溶剂的浓度降到最低，直至基板上的光致抗蚀剂膜厚度小于2μm。
然后，使用适当的掩膜或模板，使形成有光致抗蚀剂膜的基板在光源，尤其在紫外线下曝光，从而形成所需形状的图案。之后，将基板充分地浸渍在碱性显影液中，直到曝光部分的光致抗蚀剂膜全部或大部分溶解为止。此时，上述显影液最好使用含有碱性氢氧化物、氢氧化铵或者氢氧化四甲铵(tetramethylammonium hydroxide)的水溶液。
从显影液中取出上述曝光部分的抗蚀剂被溶解去除的基板后，再通过硬烘工序进行热处理而提高光致抗蚀剂膜的粘合性和耐化学性。这种热处理最好在光致抗蚀剂膜的软化点以下温度进行，优选在90～140℃的温度下进行。
对上述已完成显影的基板，用蚀刻溶液或气态等离子体进行处理，而此时，只处理基板的暴露部分，而基板上未暴露的部分受到光致抗蚀剂膜的保护。如此处理基板之后，通过适当的剥离剂去除光致抗蚀剂膜，从而能够在基板上形成微细电路图案。
为了有助于理解本发明，下面提供一些实施例和比较例。但下列实施例只是用来说明本发明，并不用来限定本发明。
实施例1
均匀混合下述物质，制造光致抗蚀剂组合物。
8g的酚醛清漆树脂(重均分子量：6300)，其原料中，间甲酚、对甲酚、邻羟苯甲醛的重量比为5∶5∶5；
12g的酚醛清漆树脂(重均分子量：4530)，其原料中，间甲酚与对甲酚的重量比为4∶6，且所用缩合剂为甲醛；
4g的重氮类感光性化合物，其以50∶50的重量份比混合2，3，4，4’-四羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯和2，3，4-三羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯而获得；
60g的有机溶剂，其为丙二醇甲醚乙酸酯。
实施例2
均匀混合下述物质，制造光致抗蚀剂组合物。
10g的酚醛清漆树脂(重均分子量：6300)，其原料中，间甲酚、对甲酚、邻羟苯甲醛的重量比为5∶5∶5；
10g的酚醛清漆树脂(重均分子量：4530)，其原料中，间甲酚与对甲酚的重量比为4∶6，且所用缩合剂为甲醛；
4g的重氮类感光性化合物，其以50∶50的重量份比混合2，3，4，4’-四羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯和2，3，4-三羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯而获得；
60g的有机溶剂，其为丙二醇甲醚乙酸酯。
实施例3
均匀混合下述物质，制造光致抗蚀剂组合物。
12g的酚醛清漆树脂(重均分子量：6300)，其原料中，间甲酚、对甲酚、邻羟苯甲醛的重量比为5∶5∶5；
8g的酚醛清漆树脂(重均分子量：4530)，其中间甲酚与对甲酚的重量比为4∶6，且所用缩合剂为甲醛；
4g的重氮类感光性化合物，其以50∶50的重量份比混合2，3，4，4’-四羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯和2，3，4-三羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯而获得；
60g的有机溶剂，其为丙二醇甲醚乙酸酯。
实施例4
均匀混合下述物质，制造光致抗蚀剂组合物。
14g的酚醛清漆树脂(重均分子量：6300)，其原料中，间甲酚、对甲酚、邻羟苯甲醛的重量比为5∶5∶5；
6g的酚醛清漆树脂(重均分子量：4530)，其原料中，间甲酚与对甲酚的重量比为4∶6，且所用缩合剂为甲醛；
4g的重氮类感光性化合物，其以50∶50的重量份比混合2，3，4，4’-四羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯和2，3，4-三羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯而获得；
60g的有机溶剂，其为丙二醇甲醚乙酸酯。
比较例1
均匀混合下述物质，制造光致抗蚀剂组合物。
20g的酚醛清漆树脂(重均分子量：4325)，其原料中，间甲酚与对甲酚的重量比为4∶6，且所用缩合剂为甲醛；
4g的重氮类感光性化合物，其以50∶50的重量份比混合2，3，4，4’-四羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯和2，3，4-三羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯而获得；
60g的有机溶剂，其为丙二醇甲醚乙酸酯。
比较例2
均匀混合下述物质，制造光致抗蚀剂组合物。
20g的酚醛清漆树脂(重均分子量：4800)，其原料中，间甲酚、对甲酚、2，5-二甲苯酚(2，5-Xylenol)的重量比为4∶4∶2，且所用缩合剂为甲醛；
4g的重氮类感光性化合物，其以50∶50的重量份比混合2，3，4，4’-四羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯和2，3，4-三羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯而获得；
60g的有机溶剂，其为丙二醇甲醚乙酸酯。
[实验例]
对上述实施例及比较例所制造出的光致抗蚀剂组合物进行了如下实验，实验结果如表1所示。
将上述实施例及比较例所制造出的各光致抗蚀剂组合物，分别以规定速度旋涂在0.7T(厚度：0.7mm)的玻璃基板上后，在小于0.1托(Torr)的真空环境下，减压干燥60秒，之后将所述基板在110℃的温度下加热干燥90秒，形成厚度为1.50μm的光致抗蚀剂膜。
接着，测定上述光致抗蚀剂膜的厚度均匀性，使用掩膜，将其曝光在波长为365～435nm的紫外线之下，之后在含有氢氧化四甲铵的水溶液中浸渍60秒进行显影，使之形成图案。
对形成的图案进行硬烘(130℃)工序之后，利用扫描电子显微镜评价了图案的耐热性能。
1)感光速度(mJ/cm2)及残膜率(％)
初始膜层厚度＝损失厚度+残膜厚度
残膜率＝(残膜厚度/初始膜层厚度)×100％
感光速度则通过测定能够使得经过曝光的膜层在规定的显影条件下完全被溶解的曝光能量来求得。并在110℃的温度下软烘，使之曝光和显影之后，测定显影前后的厚度来求出残膜率。
2)耐热性(℃)
在130℃温度条件下进行90秒硬烘之后，利用扫描电子显微镜确认图案的形成效果，并由此而评价耐热性。
3)粘合性(μm )
在涂敷钼(Mo)的玻璃基板上形成图案(微细线宽)之后，为去除暴露部分的钼层，利用蚀刻溶液进行了处理，并通过测定钼层中未暴露部分被蚀刻溶液腐蚀的厚度，来评价粘合性。[表1]
  分类     感光速度Eth(mJ/cm2)   残膜率(％)   耐热性(℃)     粘合性(μm)
  实施例1实施例2实施例3实施例4比较例1比较例2     262420182230   939291909597   626466684550     1.111.191.251.401.251.25
如表1所示，利用本发明所涉及的实施例1至4的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂膜，与利用比较例1至2的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂膜相比，其耐热性更为优异。

Claims (8)

1.一种光致抗蚀剂组合物，其特征在于，该组合物包含：
a)由下述化学式1表示的酚醛清漆树脂；
b)重氮类感光性化合物；
c)有机溶剂，
[化学式1]
Figure A2007100969340002C1
在上述化学式1中，R表示氢、羟基或甲基，n是3至20的整数。
2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于：所述酚醛清漆树脂由以2～7∶2～7∶1～5的重量比混合间甲酚、对甲酚、邻羟苯甲醛的混合物聚合而成，且重均分子量为3000～15000。
3.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于，该组合物包含：
a)5～30重量％的所述酚醛清漆树脂；
b)2～10重量％的所述重氮类感光性化合物；
c)余量的所述有机溶剂。
4.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于：所述重氮类感光性化合物中，2，3，4-三羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯和2，3，4，4’-四羟基二苯甲酮-1，2-重氮萘醌-5-磺酸酯的重量比为4～6∶6～4。
5.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于：所述有机溶剂是选自丙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、2-甲氧基乙基乙酸酯、丙二醇单甲醚中的至少一种溶剂。
6.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于：该组合物进一步包含0.1～10重量％的灵敏度增进剂，其为选自2，3，4-三羟基二苯甲酮、2，3，4，4’-四羟基二苯甲酮、2，3，4，3’，4’，5-六羟基二苯甲酮、丙酮-连苯三酚缩合物、4，4-[1-[4-[1，(1，4-羟基苯基)-1-甲基乙基]苯基]亚乙基]双酚、4，4-[2-羟基苯基]亚甲基]双[2，6-二甲基苯酚]中的至少一种化合物。
7.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于：该组合物进一步包含选自着色剂、染色剂、防痕剂、增塑剂、增粘剂、加速剂、表面活性剂中的至少一种添加剂。
8.一种半导体元件，其特征在于：该半导体元件利用如权利要求1至7中任一项所述的光致抗蚀剂组合物制造。
CN200710096934XA 2006-05-08 2007-04-19 光致抗蚀剂组合物 Active CN101071267B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060041089A KR101324645B1 (ko) 2006-05-08 2006-05-08 포토레지스트 조성물
KR10-2006-0041089 2006-05-08
KR1020060041089 2006-05-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101071267A true CN101071267A (zh) 2007-11-14
CN101071267B CN101071267B (zh) 2012-01-25

Family

ID=38838513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200710096934XA Active CN101071267B (zh) 2006-05-08 2007-04-19 光致抗蚀剂组合物

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5165273B2 (zh)
KR (1) KR101324645B1 (zh)
CN (1) CN101071267B (zh)
TW (1) TWI407253B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102346372A (zh) * 2010-07-30 2012-02-08 奇美实业股份有限公司 正型感光性树脂组成物及使用该组成物形成图案的方法
CN101611350B (zh) * 2007-02-13 2012-08-08 东丽株式会社 正型感光性树脂组合物
CN106796400A (zh) * 2014-10-14 2017-05-31 太阳油墨制造株式会社 层叠结构体

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101473877B1 (ko) * 2007-12-13 2014-12-26 엘지디스플레이 주식회사 잉크 조성물
JP2009222733A (ja) * 2008-01-25 2009-10-01 Rohm & Haas Electronic Materials Llc ノボラック樹脂ブレンドを含むフォトレジスト
JPWO2014069091A1 (ja) * 2012-10-30 2016-09-08 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置
TWI465851B (zh) * 2013-02-22 2014-12-21 Chi Mei Corp 正型感光性樹脂組成物及其圖案形成方法
JP6138067B2 (ja) * 2014-02-03 2017-05-31 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ ノボラック樹脂ブレンドを含むフォトレジスト
JP6451065B2 (ja) * 2014-03-27 2019-01-16 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置
JP7318820B2 (ja) * 2020-09-17 2023-08-01 Dic株式会社 レジストパターンの製造方法、及びレジストパターン、並びに透明積層部材製造用ポジ型感光性樹脂組成物

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NO891062L (no) * 1988-03-31 1989-10-02 Thiokol Morton Inc Positiv fotofoelsom sammensetning.
NO891063L (no) * 1988-03-31 1989-10-02 Thiokol Morton Inc Novolakharpikser av blandede aldehyder og positive fotoresistmaterialer fremstilt fra slike harpikser.
JPH02300752A (ja) * 1989-05-16 1990-12-12 Mitsubishi Petrochem Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
JPH02300751A (ja) * 1989-05-16 1990-12-12 Mitsubishi Petrochem Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
JP3125894B2 (ja) * 1991-09-02 2001-01-22 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
JP3377265B2 (ja) * 1992-12-24 2003-02-17 住友化学工業株式会社 感光性樹脂組成物の製造方法
JPH0859530A (ja) * 1994-06-15 1996-03-05 Sumitomo Chem Co Ltd ポリヒドロキシ化合物及びそれを含有するポジ型レジスト組成物
JP3444689B2 (ja) * 1995-04-03 2003-09-08 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
DE69604114T2 (de) * 1995-04-10 2000-03-02 Shipley Co Gemische von photoaktiven Zusammensetzungen enthaltendes Fotoresist
US5709977A (en) * 1995-07-13 1998-01-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive working photoresist composition
JPH09281703A (ja) * 1996-04-16 1997-10-31 Nippon Zeon Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JPH1115151A (ja) * 1997-05-01 1999-01-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd コンタクトホール形成用ポジ型ホトレジスト組成物およびコンタクトホールの形成方法
JPH11194490A (ja) * 1998-01-07 1999-07-21 Konica Corp 平版印刷版用感光性組成物
JPH11202485A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Konica Corp 平版印刷版用感光性組成物
JP2000029209A (ja) * 1998-07-08 2000-01-28 Nippon Zeon Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びその製造方法
JP2000029208A (ja) * 1998-07-08 2000-01-28 Nippon Zeon Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2002107925A (ja) * 2000-09-28 2002-04-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd フォトレジスト用フェノ−ル樹脂
JP2002244285A (ja) * 2001-02-20 2002-08-30 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2002278060A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
KR100846085B1 (ko) * 2001-10-31 2008-07-14 주식회사 동진쎄미켐 액정표시장치 회로용 포토레지스트 조성물
KR100783603B1 (ko) * 2002-01-05 2007-12-07 삼성전자주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성방법
US7358028B2 (en) * 2003-05-20 2008-04-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified positive photo resist composition and method for forming resist pattern
JP2005097331A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd フォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法及びフォトレジスト組成物
JP2005221515A (ja) * 2004-01-08 2005-08-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd システムｌｃｄ製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
JP2006010779A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Nagase Chemtex Corp 有機膜組成物及びレジストパターン形成方法
JP2007254547A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd フォトレジスト用フェノール樹脂とその製造方法、及びフォトレジスト用樹脂組成物

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101611350B (zh) * 2007-02-13 2012-08-08 东丽株式会社 正型感光性树脂组合物
CN102346372A (zh) * 2010-07-30 2012-02-08 奇美实业股份有限公司 正型感光性树脂组成物及使用该组成物形成图案的方法
CN106796400A (zh) * 2014-10-14 2017-05-31 太阳油墨制造株式会社 层叠结构体

Also Published As

Publication number Publication date
JP5165273B2 (ja) 2013-03-21
KR20070108714A (ko) 2007-11-13
TWI407253B (zh) 2013-09-01
JP2007304592A (ja) 2007-11-22
CN101071267B (zh) 2012-01-25
KR101324645B1 (ko) 2013-11-01
TW200742940A (en) 2007-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101071267B (zh) 光致抗蚀剂组合物
CN101071266A (zh) 光致抗蚀剂组合物
US6790582B1 (en) Photoresist compositions
CN101071268B (zh) 光致抗蚀剂组合物
JP4403174B2 (ja) パターン形成方法およびそれに用いる感光性樹脂組成物
JP3057010B2 (ja) ポジ型レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
TWI481952B (zh) 圖案形成方法、平面面板顯示器用基板及其製法
US6905809B2 (en) Photoresist compositions
TWI397767B (zh) 光阻劑組成物
CN102566270B (zh) 光致抗蚀剂组合物
JP2013195497A (ja) フォトレジスト用樹脂組成物
KR20110040085A (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
JP2020055955A (ja) ノボラック型フェノール樹脂、感光性樹脂組成物およびノボラック型フェノール樹脂の製造方法
KR20100069304A (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
KR20100066082A (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
KR20110035528A (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
KR20120058191A (ko) 도포성이 우수한 포지티브 포토레지스트 조성물
KR20120068461A (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant