JPH02300751A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フォトレジスト組成物Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路、磁気バブルメモリー素子、
プリント配線用銅張板等の製造を行うときの写真食刻法
のエツチング保護膜に適するレジスト組成物に関するも
のである。
プリント配線用銅張板等の製造を行うときの写真食刻法
のエツチング保護膜に適するレジスト組成物に関するも
のである。
半導体集積回路、磁気バブルメモリー素子、プリント配
線用銅張板の製造には、従来光を用いた写真食刻法(リ
トグラフィー)が用いられてきた。
線用銅張板の製造には、従来光を用いた写真食刻法(リ
トグラフィー)が用いられてきた。
さらに近年微細なパターンを得るため、電子線、イオン
ビーム、X線、が使われはしめ、また光も可視光から紫
外線、深紫外線と短波長のものが使われるようになって
きた。
ビーム、X線、が使われはしめ、また光も可視光から紫
外線、深紫外線と短波長のものが使われるようになって
きた。
リトグラフィーのエツチング保護膜として用いられるレ
ジストは、ネガ型とポジ型であるが、ポジ型フォトレジ
ストはネガ型に比して解像力が優れている。ポジ型のフ
ォトレジストは、光やエネルギー線、粒子線を照射する
ことにより、アルカリ性水溶液に不溶の状態から、可溶
の状態へと変化する感光剤と、フェノールまたはアルキ
ルフェノールとホルム゛アルデヒドから製造されるノボ
ラック樹脂を組合わせて用いられる。
ジストは、ネガ型とポジ型であるが、ポジ型フォトレジ
ストはネガ型に比して解像力が優れている。ポジ型のフ
ォトレジストは、光やエネルギー線、粒子線を照射する
ことにより、アルカリ性水溶液に不溶の状態から、可溶
の状態へと変化する感光剤と、フェノールまたはアルキ
ルフェノールとホルム゛アルデヒドから製造されるノボ
ラック樹脂を組合わせて用いられる。
近年リトグラフィーにより形成するパターンの微細化が
すすみレジストも高性能化が要求されてきた。このため
レジストの解像度をあげるため、ノボラック樹脂の原料
である、主にクレゾールの異性体比を変えたり、クレゾ
ール以外のアルキルフェノールを共縮合重合したりして
特性の改良がなされてきた(特開昭59−162542
.特開昭61−275748号公報等)。
すすみレジストも高性能化が要求されてきた。このため
レジストの解像度をあげるため、ノボラック樹脂の原料
である、主にクレゾールの異性体比を変えたり、クレゾ
ール以外のアルキルフェノールを共縮合重合したりして
特性の改良がなされてきた(特開昭59−162542
.特開昭61−275748号公報等)。
とくに集積回路については高集積化に伴い形成するパタ
ーンの微細化がすすみ、1μm以下のパターンを正確に
描く必要がでてきたが、このような要求に対しては、従
来のようにノボラック樹脂原料のアルキルフェノールの
種類、異性体比を変えるだけでは、不充分であり、従来
よりも露光量の変化に対する現像速度の変化が大きい、
いわゆるT値が大きくパターンのきれのよい樹脂が求め
られている。
ーンの微細化がすすみ、1μm以下のパターンを正確に
描く必要がでてきたが、このような要求に対しては、従
来のようにノボラック樹脂原料のアルキルフェノールの
種類、異性体比を変えるだけでは、不充分であり、従来
よりも露光量の変化に対する現像速度の変化が大きい、
いわゆるT値が大きくパターンのきれのよい樹脂が求め
られている。
本発明は、前記課題を解決した次記:
A)下記一般式(1)で表わされるフェノール化合物と
下記一般式(II)で表わされるヒドロキシ芳香族アル
デヒドとを縮合して得られる多価フェノール化合物と、 I (式中、R1は炭素数1〜9のアルキル基またはハロゲ
ン原子を示し、Pは0.1または2である。)(式中、
R2は、−〇CH,基、炭素数1〜9のアルキル基、ハ
ロゲン原子、又はニトロ基を表わし、qは0又は1であ
る。) B)感光剤 とを含有してなるポジ型フォトレジスト組成物を提供す
るものである。
下記一般式(II)で表わされるヒドロキシ芳香族アル
デヒドとを縮合して得られる多価フェノール化合物と、 I (式中、R1は炭素数1〜9のアルキル基またはハロゲ
ン原子を示し、Pは0.1または2である。)(式中、
R2は、−〇CH,基、炭素数1〜9のアルキル基、ハ
ロゲン原子、又はニトロ基を表わし、qは0又は1であ
る。) B)感光剤 とを含有してなるポジ型フォトレジスト組成物を提供す
るものである。
本発明の多価フェノール化合物は、前記一般式(4)で
あられされるフェノール類と、前記一般式(II)であ
られされるヒドロキシ芳香族アルデヒドとを酸性触媒の
存在下、該アルデヒド1モルに対し、フェノール類を0
.8〜50モル、好ましくは1〜30モルの割合で、5
0〜180°C1好ましくは80〜150°Cの温度で
1〜8時間反応させることにより得られる。
あられされるフェノール類と、前記一般式(II)であ
られされるヒドロキシ芳香族アルデヒドとを酸性触媒の
存在下、該アルデヒド1モルに対し、フェノール類を0
.8〜50モル、好ましくは1〜30モルの割合で、5
0〜180°C1好ましくは80〜150°Cの温度で
1〜8時間反応させることにより得られる。
反応終了後触媒を情夫するか、水洗するか、アルカリで
中和した後、脱水、脱フエノール類を行うか、さらに水
不溶の溶剤を加えて水洗、脱溶剤を行う事によりA成分
の多価フェノールを得る。
中和した後、脱水、脱フエノール類を行うか、さらに水
不溶の溶剤を加えて水洗、脱溶剤を行う事によりA成分
の多価フェノールを得る。
この際脱水、脱フエノール類、脱溶剤等の蒸溜によるプ
ロセスは、230 ’C以下で行う事が望ましい。
ロセスは、230 ’C以下で行う事が望ましい。
使用するフェノール類としては、フェノール、及び炭素
数1〜9のアルキル置換基を有するフェノール、例えば
o −、m−、p−クレゾール、tert−ブチルフェ
ノール、ノニルフェノール、2.6−キシレノール、2
,6−ジプロピルフェノール、2.6−ジーter t
−ブチルフェノール、216=ジノニルフエノール、2
.3−キシレノール、及びハロゲン置換フェノール例え
ばクロロフェノール、ブロモフェノール、2I6−ジク
ロロフェノール、3−ブロモ−5−クロロフェノールな
どがあげられる。
数1〜9のアルキル置換基を有するフェノール、例えば
o −、m−、p−クレゾール、tert−ブチルフェ
ノール、ノニルフェノール、2.6−キシレノール、2
,6−ジプロピルフェノール、2.6−ジーter t
−ブチルフェノール、216=ジノニルフエノール、2
.3−キシレノール、及びハロゲン置換フェノール例え
ばクロロフェノール、ブロモフェノール、2I6−ジク
ロロフェノール、3−ブロモ−5−クロロフェノールな
どがあげられる。
またヒドロキシ芳香族アルデヒドとしては、例えば、サ
リチルアルデヒド、4−ヒドロキシベンズアルデヒド、
バニリン、3−ヒドロキシベンズアルデヒド、2−ヒド
ロキシ−3−ニトロペンズアルデヒド、4−クロロ−2
−ヒドロキシベンズアルデヒド、4−ブロモ−3−ヒド
ロキシベンズアルデヒド、3−ブロモ−4−ヒドロキシ
ベンズアルデヒドなどがあげられる。
リチルアルデヒド、4−ヒドロキシベンズアルデヒド、
バニリン、3−ヒドロキシベンズアルデヒド、2−ヒド
ロキシ−3−ニトロペンズアルデヒド、4−クロロ−2
−ヒドロキシベンズアルデヒド、4−ブロモ−3−ヒド
ロキシベンズアルデヒド、3−ブロモ−4−ヒドロキシ
ベンズアルデヒドなどがあげられる。
上記フェノール類、もしくはヒドロキシ芳香族アルデヒ
ド類は単独、または2種以上併用して用いられる。
ド類は単独、または2種以上併用して用いられる。
反応に使用する酸触媒は、硫酸、塩酸、硝酸、臭化水素
、過塩素酸などの鉱酸、もしくは、パラトルエンスルホ
ン酸、ベンゼンスルホン酸等のスルホン酸類、シュウ酸
、コハク酸、マロン酸、モノクロル酢酸、ジクロル酢酸
などのカルボン酸類が利用できる。
、過塩素酸などの鉱酸、もしくは、パラトルエンスルホ
ン酸、ベンゼンスルホン酸等のスルホン酸類、シュウ酸
、コハク酸、マロン酸、モノクロル酢酸、ジクロル酢酸
などのカルボン酸類が利用できる。
触媒の使用量は、反応条件により異るが、通常はフェノ
ール類100重量部に対し0.01〜20重量部、好ま
しくは0.1〜10重量部用いられる。
ール類100重量部に対し0.01〜20重量部、好ま
しくは0.1〜10重量部用いられる。
この縮合反応は特に溶媒は必要としないがベンゼン、ト
ルエン、キシレン、ブチルエーテル、グライム、テトラ
ヒドロフランのような溶媒を用いてもよい。
ルエン、キシレン、ブチルエーテル、グライム、テトラ
ヒドロフランのような溶媒を用いてもよい。
多価フェノールの分子量は、GPCクロマトグラムで求
めた数平均分子量で300〜5000程度のものを用い
るが、これに限定するものではない。
めた数平均分子量で300〜5000程度のものを用い
るが、これに限定するものではない。
上記多価フェノール化合物に添加されるB成分の感光剤
は、電子線、イオンビーム、X線、深紫外線、紫外線、
可視光線を照射することにより、レジスト組成物がアル
カリ性水溶液に不溶である状態へ変化する物質を全て含
む。例えばキノンジアジド化合物、アルキルスルホン化
合物などがあげられるが、光学露光にはキノンジアジド
化合物が望ましい。電子線、イオンビーム、X線、深紫
外線でもキノンジアジド化合物が使える。
は、電子線、イオンビーム、X線、深紫外線、紫外線、
可視光線を照射することにより、レジスト組成物がアル
カリ性水溶液に不溶である状態へ変化する物質を全て含
む。例えばキノンジアジド化合物、アルキルスルホン化
合物などがあげられるが、光学露光にはキノンジアジド
化合物が望ましい。電子線、イオンビーム、X線、深紫
外線でもキノンジアジド化合物が使える。
キノンジアジド化合物としては、ナフトキノンジアジド
基やベンゾキノンジアジド基を含む低分子および高分子
化合物、例えばナフトキノンジアジドスルホン酸クロリ
ドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドと水酸基
を有する低分子化合物や高分子化合物の縮合生成物があ
げられる。ここで、水酸基を有する低分子化合物の例と
してばヒドロキノン、レゾルシン、フロログルシン、2
.4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3.4− )
ジヒドロキシベンゾフェノン等があげられ、高分子化合
物の例としてはフェノール系樹脂、ポリヒドロキシスチ
レン等があげられる。
基やベンゾキノンジアジド基を含む低分子および高分子
化合物、例えばナフトキノンジアジドスルホン酸クロリ
ドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドと水酸基
を有する低分子化合物や高分子化合物の縮合生成物があ
げられる。ここで、水酸基を有する低分子化合物の例と
してばヒドロキノン、レゾルシン、フロログルシン、2
.4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3.4− )
ジヒドロキシベンゾフェノン等があげられ、高分子化合
物の例としてはフェノール系樹脂、ポリヒドロキシスチ
レン等があげられる。
本発明の多価フェノール化合物にナフトキノンジアジド
スルホン酸クロリドや、ベンゾキノンジアジドスルホン
酸クロリドを縮合したものを基材として用いてもよい。
スルホン酸クロリドや、ベンゾキノンジアジドスルホン
酸クロリドを縮合したものを基材として用いてもよい。
感光剤の添加量は、本発明の樹脂100グラムに対して
5ないし100グラムの範囲であることが望ましく、1
5ないし50グラムの範囲であることがさらに望ましい
。感光剤以外に、付加的な添加物として、少量の付加的
な樹脂(例えば有機膜との接着を向上させるためのもの
)、可塑剤、顔料、染料(光吸収剤)などが添加されて
いてもよい。
5ないし100グラムの範囲であることが望ましく、1
5ないし50グラムの範囲であることがさらに望ましい
。感光剤以外に、付加的な添加物として、少量の付加的
な樹脂(例えば有機膜との接着を向上させるためのもの
)、可塑剤、顔料、染料(光吸収剤)などが添加されて
いてもよい。
レジスト液の調製は、キノンジアジド化合物とノボラン
ク樹脂を溶剤に混合溶解することにょっで行う。ここで
用いる溶剤は、適当な乾燥速度で溶剤が蒸発した後、均
一で平滑な塗膜を与えるものがよい。そのようなものと
しては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソル
ブアセテ−I・、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ
、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、キシレン等が
あげられる。
ク樹脂を溶剤に混合溶解することにょっで行う。ここで
用いる溶剤は、適当な乾燥速度で溶剤が蒸発した後、均
一で平滑な塗膜を与えるものがよい。そのようなものと
しては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソル
ブアセテ−I・、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ
、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、キシレン等が
あげられる。
塗布後、適当な条件で加熱乾燥した後本発明のレジスト
組成物を、電子線・イオンビーム・X線・深紫外線・紫
外線・可視光線等で露光し、現像することにより、所定
のレジストパターンを描くことができるが、本発明のレ
ジスト組成物の現像に適する現像液としては、水酸化す
トリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ水溶液、水
酸化テトラメチルアンモニウム、コリン等の有機アルカ
リを含む水溶液など、アルカリ性を示す水溶液をすべて
含む。アルカリ性物質の他に、界面活性剤等の付加的な
添加剤が加えられていてもよい。
組成物を、電子線・イオンビーム・X線・深紫外線・紫
外線・可視光線等で露光し、現像することにより、所定
のレジストパターンを描くことができるが、本発明のレ
ジスト組成物の現像に適する現像液としては、水酸化す
トリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ水溶液、水
酸化テトラメチルアンモニウム、コリン等の有機アルカ
リを含む水溶液など、アルカリ性を示す水溶液をすべて
含む。アルカリ性物質の他に、界面活性剤等の付加的な
添加剤が加えられていてもよい。
以下に実験例を示して、本発明をより具体的に説明する
。尚、例中、特に規定ない限り、割合は重量割合を示す
。
。尚、例中、特に規定ない限り、割合は重量割合を示す
。
合成例1
還流冷却器、攪拌器、温度計および滴下濾戸を備えた反
応器内にm−クレゾール1296g (12モル)とサ
リチルアルデヒド976g (8モル)を加え内容物を
攪拌しなから80°Cに加温する。滴下濾戸から濃塩酸
26gをゆっくりと滴下し、激しい発熱の無いようにコ
ントロールしながら100゛Cまで昇温し、100 ’
Cにて3時間反応させた。
応器内にm−クレゾール1296g (12モル)とサ
リチルアルデヒド976g (8モル)を加え内容物を
攪拌しなから80°Cに加温する。滴下濾戸から濃塩酸
26gをゆっくりと滴下し、激しい発熱の無いようにコ
ントロールしながら100゛Cまで昇温し、100 ’
Cにて3時間反応させた。
次に前記反応器の還流冷却器を冷却分離器にかえて系内
を150°Cまで上昇し、さらに5mm)Igの減圧下
で190°Cまで加熱して塩酸、水、未反応クレゾール
を情夫し、生成物1965gを得た。この樹脂の顕微鏡
法による軟化点は135°Cであった。
を150°Cまで上昇し、さらに5mm)Igの減圧下
で190°Cまで加熱して塩酸、水、未反応クレゾール
を情夫し、生成物1965gを得た。この樹脂の顕微鏡
法による軟化点は135°Cであった。
合成例2
m−クレゾールを1728g (16モル)、サリチル
アルデヒドを244g(2モル)用いる他は合成例1と
同様にして生成物608gを得た。
アルデヒドを244g(2モル)用いる他は合成例1と
同様にして生成物608gを得た。
この樹脂の顕微鏡法による軟化点は110°Cであった
。
。
合成例3
m−クレゾールを1080g (10モ/l/) 、サ
リチルアルデヒドを1037g(8,5モル)用いる他
は合成例1と同様にして生成物1866gを得た。この
樹脂の顕微鏡法による軟化点は160°Cであった。
リチルアルデヒドを1037g(8,5モル)用いる他
は合成例1と同様にして生成物1866gを得た。この
樹脂の顕微鏡法による軟化点は160°Cであった。
合成例4
サリチルアルデヒドの代りにp−ヒドロギシベンズアル
デヒド976g(8モル)を用いる他は合成例Iと同様
にして生成物1950gを得た。
デヒド976g(8モル)を用いる他は合成例Iと同様
にして生成物1950gを得た。
この樹脂の顕微鏡法による軟化点は140°Cであった
。
。
合成例5
サリチルアルデヒドの代りにバニリン1216g(8モ
ル)を用いる他は合成例1と同様にして生成物2150
gを得た。この樹脂の顕微鏡法による軟化点は142”
Cであった。
ル)を用いる他は合成例1と同様にして生成物2150
gを得た。この樹脂の顕微鏡法による軟化点は142”
Cであった。
合成例6
m−クレゾールの代りに、m−クレゾール648g(6
モルLp−クレゾール432g(4モル)、3.5−キ
シレノール244g(2モル)を用いる他は合成例1と
同様にして生成物1970gを得た。この樹脂の顕微鏡
法による軟化点は145°Cであった。
モルLp−クレゾール432g(4モル)、3.5−キ
シレノール244g(2モル)を用いる他は合成例1と
同様にして生成物1970gを得た。この樹脂の顕微鏡
法による軟化点は145°Cであった。
合成例7
m−クレゾールの代りにフェノール1128g(12モ
ル)を用いる他は合成例1と同様にして生成物1786
gを得た。この樹脂の顕微鏡法による軟化点は118°
Cであった。
ル)を用いる他は合成例1と同様にして生成物1786
gを得た。この樹脂の顕微鏡法による軟化点は118°
Cであった。
実施例1〜7
合成例各1〜7で製造した多価フェノール化合物10g
に対し、ナフトキノン−(1,2)−ジアジド−(2)
−5−スルホン酸クロリドと2.3.4−トリヒドロキ
シヘンシフエノンの縮合反応物3.5gを酢酸エチレン
グリコールモノエチルエーテルに溶解して、フォトレジ
スト溶液を調整した。樹脂濃度は下記塗布条件で1.2
μmとなるように調整した。
に対し、ナフトキノン−(1,2)−ジアジド−(2)
−5−スルホン酸クロリドと2.3.4−トリヒドロキ
シヘンシフエノンの縮合反応物3.5gを酢酸エチレン
グリコールモノエチルエーテルに溶解して、フォトレジ
スト溶液を調整した。樹脂濃度は下記塗布条件で1.2
μmとなるように調整した。
レジスト溶液は0.2μmのフィルターで濾過し異物を
除いた後、シリコン基板上に、回転塗布器を用い400
Or、p、m、にてスピンコードした。このウェハー
を80°Cのクリーンオーブンに入れ、30分間乾燥し
た。
除いた後、シリコン基板上に、回転塗布器を用い400
Or、p、m、にてスピンコードした。このウェハー
を80°Cのクリーンオーブンに入れ、30分間乾燥し
た。
その後350Wの超高圧水銀灯を光源として、パターン
を描いたマスクを通して5秒間露光した。
を描いたマスクを通して5秒間露光した。
ついで現像液シラプレー AZ(シラプレー社製)を用
い21°Cにて60秒間現像した。現像後、各ステップ
の現像速度と露光量をプロ・ントシ、γ値を求めた。
い21°Cにて60秒間現像した。現像後、各ステップ
の現像速度と露光量をプロ・ントシ、γ値を求めた。
尚、γ値は次により定義される。
γ−(p、ogl12−42ogR+) / (j2o
gEz −1ogE+)ただし、Eは露光量、Rは露光
部の現像速度で露光部の露光量がE、からR2に変化し
たとき、現像速度はR,からR2に変化するものとする
。γ値が大きい程露光量の変化に対する現像速度の変化
が大きく、パターンのきれがよくなる。
gEz −1ogE+)ただし、Eは露光量、Rは露光
部の現像速度で露光部の露光量がE、からR2に変化し
たとき、現像速度はR,からR2に変化するものとする
。γ値が大きい程露光量の変化に対する現像速度の変化
が大きく、パターンのきれがよくなる。
比較台病例1
メタクレゾール272.5 gとパラクレゾール272
、5 gを還流冷却器、攪拌器、温度計、滴下濾斗を備
えた反応器に加え、37%ホルムアルデヒド水溶液23
9g、修酸二水相物7.3gを水60mj2に溶解した
ものを加えた。100°Cにて5時間反応を行った後、
系内の温度を上昇し、窒素気流下で蒸溜を行い、徐々に
200°Cまで加温した。さらに5mm11gまで減圧
し、揮発成分を情夫し、生成物375gを得た。この樹
脂の顕微鏡法による軟化点は115°Cであった。
、5 gを還流冷却器、攪拌器、温度計、滴下濾斗を備
えた反応器に加え、37%ホルムアルデヒド水溶液23
9g、修酸二水相物7.3gを水60mj2に溶解した
ものを加えた。100°Cにて5時間反応を行った後、
系内の温度を上昇し、窒素気流下で蒸溜を行い、徐々に
200°Cまで加温した。さらに5mm11gまで減圧
し、揮発成分を情夫し、生成物375gを得た。この樹
脂の顕微鏡法による軟化点は115°Cであった。
得られた樹脂を用いる他は実施例1〜7と同様にしてフ
ォトレジストを製造し、シリコン基板上に塗布、乾燥後
、露光現像を行った。結果を表に示す。
ォトレジストを製造し、シリコン基板上に塗布、乾燥後
、露光現像を行った。結果を表に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 A)下記一般式(I)で表わされるフェノール化合物と
下記一般式(II)で表わされるヒドロキシ芳香族アルデ
ヒドとを縮合して得られる多価フェノール化合物と、 ▲数式、化学式、表等があります▼(I) (式中、R^1は炭素数1〜9のアルキル基またはハロ
ゲン原子を示し、pは0、1または2である。)▲数式
、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^2は、−OCH_3基、炭素数1〜9のア
ルキル基、ハロゲン原子、又はニトロ基を表わし、qは
0又は1である。) B)感光剤 とを含有してなるポジ型フォトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1121729A JPH02300751A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1121729A JPH02300751A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02300751A true JPH02300751A (ja) | 1990-12-12 |
Family
ID=14818438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1121729A Pending JPH02300751A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02300751A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5372909A (en) * | 1991-09-24 | 1994-12-13 | Mitsubishi Kasei Corporation | Photosensitive resin composition comprising an alkali-soluble resin made from a phenolic compound and at least 2 different aldehydes |
US5384228A (en) * | 1992-04-14 | 1995-01-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Alkali-developable positive-working photosensitive resin composition |
EP0753795A1 (en) * | 1995-07-13 | 1997-01-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive working photoresist composition |
US5660967A (en) * | 1994-12-27 | 1997-08-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Photosensitive resin composition and method for forming photoresist pattern using the same |
JP2007304592A (ja) * | 2006-05-08 | 2007-11-22 | Dongjin Semichem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
TWI402621B (zh) * | 2006-05-08 | 2013-07-21 | Dongjin Semichem Co Ltd | 光阻劑組成物 |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPS62173458A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-30 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
JPH02275955A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-11-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型感放射線性レジスト組成物 |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP1121729A patent/JPH02300751A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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