JPH05127374A - ポジ型感放射線性レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型感放射線性レジスト組成物Info
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- JPH05127374A JPH05127374A JP3287648A JP28764891A JPH05127374A JP H05127374 A JPH05127374 A JP H05127374A JP 3287648 A JP3287648 A JP 3287648A JP 28764891 A JP28764891 A JP 28764891A JP H05127374 A JPH05127374 A JP H05127374A
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 解像度、感度及び耐熱性の諸性能のバランス
の優れたポジ型感放射線性レジスト組成物を提供する。 【構成】 アルカリ可溶性樹脂、感放射線性成分及び一
般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ3 は各々独立して水素原子、アルキル
基またはアルコキシ基を表わし、ｎは１、２または３を
表わす。）で示されるフェノール化合物を含有してなる
ポジ型感放射線性レジスト組成物。
の優れたポジ型感放射線性レジスト組成物を提供する。 【構成】 アルカリ可溶性樹脂、感放射線性成分及び一
般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ3 は各々独立して水素原子、アルキル
基またはアルコキシ基を表わし、ｎは１、２または３を
表わす。）で示されるフェノール化合物を含有してなる
ポジ型感放射線性レジスト組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は紫外線、遠紫外線（エキ
シマ・レーザー等を含む）、電子線イオンビーム、Ｘ線
等の放射線に感応するポジ型感放射線性レジスト組成物
に関する。
シマ・レーザー等を含む）、電子線イオンビーム、Ｘ線
等の放射線に感応するポジ型感放射線性レジスト組成物
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、集積回路の形成にはマスク密着方
式を用いていたが、該方式ではマスクの微細加工が困難
であり、解像度については２μｍが限界であった。この
ため、マスク密着方式の代わりに、サブミクロン・オー
ダーの解像度を有する縮小投影方式が主に用いられてい
る。しかしながら、縮小投影方式では、ウエハー１枚当
たりのトータル露光時間が長くなるという問題が有り、
該問題を解決するためにレジストの高感度化が望まれて
いる。レジストの高感度化により露光時間を短縮すれ
ば、スループットの向上、ひいては歩留りの向上が達成
されうる。一方、集積回路、特にＬＳＩの集積度の向上
と共に、配線の幅は微細化されている。これに伴い、従
来のウェットエッチングの他にプラズマ等によるドライ
エッチングも行われている。そして、このドライエッチ
ングにおいては、従来以上のレベルのレジストの耐熱性
（耐ドライエッチング性）が要求されている。
式を用いていたが、該方式ではマスクの微細加工が困難
であり、解像度については２μｍが限界であった。この
ため、マスク密着方式の代わりに、サブミクロン・オー
ダーの解像度を有する縮小投影方式が主に用いられてい
る。しかしながら、縮小投影方式では、ウエハー１枚当
たりのトータル露光時間が長くなるという問題が有り、
該問題を解決するためにレジストの高感度化が望まれて
いる。レジストの高感度化により露光時間を短縮すれ
ば、スループットの向上、ひいては歩留りの向上が達成
されうる。一方、集積回路、特にＬＳＩの集積度の向上
と共に、配線の幅は微細化されている。これに伴い、従
来のウェットエッチングの他にプラズマ等によるドライ
エッチングも行われている。そして、このドライエッチ
ングにおいては、従来以上のレベルのレジストの耐熱性
（耐ドライエッチング性）が要求されている。
【０００３】レジストの高感度化を達成するために、ア
ルカリ可溶性樹脂の分子量を小さくする方法が一般に採
用されている。しかしながら、この方法では、非露光部
の現像液に対する溶解速度の差に基づく所謂γ値や、解
像度の低下ばかりでなく、レジストの耐熱性の低下、あ
るいは基板との密着性の低下のような問題点がある。こ
のように、一方の性能を改良しようとすると他方の性能
が低下するので、解像度、感度及び耐熱性の諸性能の観
点から従来のポジ型レジスト組成物は充分満足なものと
はいえない。
ルカリ可溶性樹脂の分子量を小さくする方法が一般に採
用されている。しかしながら、この方法では、非露光部
の現像液に対する溶解速度の差に基づく所謂γ値や、解
像度の低下ばかりでなく、レジストの耐熱性の低下、あ
るいは基板との密着性の低下のような問題点がある。こ
のように、一方の性能を改良しようとすると他方の性能
が低下するので、解像度、感度及び耐熱性の諸性能の観
点から従来のポジ型レジスト組成物は充分満足なものと
はいえない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は解像度、感度
及び耐熱性の諸性能のバランスの優れたポジ型感放射線
性レジスト組成物を提供する。
及び耐熱性の諸性能のバランスの優れたポジ型感放射線
性レジスト組成物を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルカリ可溶
性樹脂、感放射線性成分及び一般式（Ｉ）
性樹脂、感放射線性成分及び一般式（Ｉ）
【０００６】
【化３】
【０００７】（式中、Ｒ1 〜Ｒ3 は各々独立して水素原
子、アルキル基またはアルコキシ基を表わし、ｎは１、
２または３を表わす。）で示されるフェノール化合物を
含有してなるポジ型感放射線性レジスト組成物である。
子、アルキル基またはアルコキシ基を表わし、ｎは１、
２または３を表わす。）で示されるフェノール化合物を
含有してなるポジ型感放射線性レジスト組成物である。
【０００８】一般式（Ｉ）で示されるフェノール化合物
として、好ましくはＲ1 〜Ｒ3 において水素原子、炭素
数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基
を表わすものが、より好ましくはＲ1 〜Ｒ3 において水
素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜２の
アルコキシ基を表わすものが、特に好ましくはＲ1 〜Ｒ
3 において水素原子、メチル基又はメトキシ基等を表わ
すものが、各々挙げられる。
として、好ましくはＲ1 〜Ｒ3 において水素原子、炭素
数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基
を表わすものが、より好ましくはＲ1 〜Ｒ3 において水
素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜２の
アルコキシ基を表わすものが、特に好ましくはＲ1 〜Ｒ
3 において水素原子、メチル基又はメトキシ基等を表わ
すものが、各々挙げられる。
【０００９】フェノール化合物として具体的には、例え
ば
ば
【００１０】
【化４】
【００１１】等の化合物が挙げられる。
【００１２】フェノール化合物は、例えば、９−フルオ
レノンとフェノール類とを硫酸等の酸触媒及びアルコー
ル等の溶媒の存在下に反応させることにより製造され
る。フェノール類としては、例えば、フェノール、レゾ
ルシン、カテコール、ピロガロール、クレゾール、キシ
レノール、２，３，５−トリメチルフェノール、メトキ
シフェノール、エチルフェノール、２−メチルレゾルシ
ン等が挙げられる。
レノンとフェノール類とを硫酸等の酸触媒及びアルコー
ル等の溶媒の存在下に反応させることにより製造され
る。フェノール類としては、例えば、フェノール、レゾ
ルシン、カテコール、ピロガロール、クレゾール、キシ
レノール、２，３，５−トリメチルフェノール、メトキ
シフェノール、エチルフェノール、２−メチルレゾルシ
ン等が挙げられる。
【００１３】一般式（Ｉ）で示されるフェノール化合物
の含量は、現像及びパターニングが容易になることか
ら、後述するアルカリ可溶性樹脂とフェノール化合物と
の総量100 重量部に対して４〜40重量部であることが好
ましい。
の含量は、現像及びパターニングが容易になることか
ら、後述するアルカリ可溶性樹脂とフェノール化合物と
の総量100 重量部に対して４〜40重量部であることが好
ましい。
【００１４】アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、ポ
リビニルフェノールあるいはノボラック樹脂等が挙げら
れる。
リビニルフェノールあるいはノボラック樹脂等が挙げら
れる。
【００１５】ノボラック樹脂としては、例えば、フェノ
ール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、
３，４−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノ
ール、４−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチルフェ
ノール、３−ｔ−ブチルフェノール、３−エチルフェノ
ール、２−エチルフェノール、４−エチルフェノール、
２−ｔ−ブチル−５−メチルフェノール、２−ｔ−ブチ
ル−６−メチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メチ
ルフェノール、２−ナフトール、１，３−ジヒドロキシ
ナフタリン、１，７−ジヒドロキシナフタリン、１，５
−ジヒドロキシナフタリン等のフェノール類を単独また
は２種以上組み合わせて、ホルマリン、パラホルムアル
デヒド等のアルデヒドと常法により縮合させた樹脂が挙
げられる。
ール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、
３，４−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノ
ール、４−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチルフェ
ノール、３−ｔ−ブチルフェノール、３−エチルフェノ
ール、２−エチルフェノール、４−エチルフェノール、
２−ｔ−ブチル−５−メチルフェノール、２−ｔ−ブチ
ル−６−メチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メチ
ルフェノール、２−ナフトール、１，３−ジヒドロキシ
ナフタリン、１，７−ジヒドロキシナフタリン、１，５
−ジヒドロキシナフタリン等のフェノール類を単独また
は２種以上組み合わせて、ホルマリン、パラホルムアル
デヒド等のアルデヒドと常法により縮合させた樹脂が挙
げられる。
【００１６】上記縮合は通常、バルクで、或いは好適な
溶媒中で60〜120 ℃・２〜30時間行われる。触媒を用い
る場合、触媒としては、例えば蓚酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸、トリクロル酢酸、蟻酸等の有機酸、例えば塩
酸、硫酸、過塩素酸、燐酸等の無機酸、及び例えば酢酸
亜鉛、酢酸マグネシウム等の二価金属塩等が挙げられ
る。
溶媒中で60〜120 ℃・２〜30時間行われる。触媒を用い
る場合、触媒としては、例えば蓚酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸、トリクロル酢酸、蟻酸等の有機酸、例えば塩
酸、硫酸、過塩素酸、燐酸等の無機酸、及び例えば酢酸
亜鉛、酢酸マグネシウム等の二価金属塩等が挙げられ
る。
【００１７】上記ノボラック樹脂として好ましくは、晶
析、分別等により、そのＧＰＣ（検出器UV-254ｎｍを使
用）によるポリスチレン換算重量平均分子量が900 以下
の成分が、全パターン面積に対して25％以下であるもの
が挙げられる。
析、分別等により、そのＧＰＣ（検出器UV-254ｎｍを使
用）によるポリスチレン換算重量平均分子量が900 以下
の成分が、全パターン面積に対して25％以下であるもの
が挙げられる。
【００１８】感放射線性成分としては１，２−キノンジ
アジド化合物等が挙げられる。１，２−キノンジアジド
化合物としては、例えば１，２−ベンゾキノンジアジド
−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸エステル等が挙げられる。
１，２−キノンジアジド化合物は公知の方法、例えばナ
フトキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物またはベン
ゾキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物と、ヒドロキ
シル基を有する化合物とを、弱アルカリの存在下で縮合
させることにより製造される。ここで、ヒドロキシル基
を有する化合物としてはハイドロキノン、レゾルシン、
フロログルシン、下式
アジド化合物等が挙げられる。１，２−キノンジアジド
化合物としては、例えば１，２−ベンゾキノンジアジド
−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸エステル等が挙げられる。
１，２−キノンジアジド化合物は公知の方法、例えばナ
フトキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物またはベン
ゾキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物と、ヒドロキ
シル基を有する化合物とを、弱アルカリの存在下で縮合
させることにより製造される。ここで、ヒドロキシル基
を有する化合物としてはハイドロキノン、レゾルシン、
フロログルシン、下式
【００１９】
【化５】
【００２０】（式中、ｑは０、１、２、３又は４を、ｒ
は１、２、３、４又は５を、各々表わし、ｑ＋ｒは２以
上の数である。Ｒ4 〜Ｒ8 は各々独立して水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アラルキ
ル基又はアリール基を表わす。又、Ｒ4 とＲ5 、及びＲ
7 とＲ8 は各々独立して環を形成することもできる。但
し、Ｒ4 とＲ5 のどちらか一方はアルキル基、アルケニ
ル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基
を表わす。）等で示されるオキシフラバン類、没食子酸
アルキルエステル又は下式
は１、２、３、４又は５を、各々表わし、ｑ＋ｒは２以
上の数である。Ｒ4 〜Ｒ8 は各々独立して水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アラルキ
ル基又はアリール基を表わす。又、Ｒ4 とＲ5 、及びＲ
7 とＲ8 は各々独立して環を形成することもできる。但
し、Ｒ4 とＲ5 のどちらか一方はアルキル基、アルケニ
ル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基
を表わす。）等で示されるオキシフラバン類、没食子酸
アルキルエステル又は下式
【００２１】
【化６】
【００２２】（式中、ｓ＋ｔは２〜６の整数である。）
で示されるヒドロキシベンゾフェノン類等が挙げられ
る。
で示されるヒドロキシベンゾフェノン類等が挙げられ
る。
【００２３】上記の感放射線性成分は単独で、又は２種
以上混合して用いられる。
以上混合して用いられる。
【００２４】アルカリ可溶性樹脂と感放射線性成分との
割合は、アルカリ可溶性樹脂100 重量部に対して、通
常、パターニングが容易で且つ感度が良好になることか
ら感放射線性成分５〜100 重量部であり、より好ましく
は感放射線性成分10〜50重量部である。
割合は、アルカリ可溶性樹脂100 重量部に対して、通
常、パターニングが容易で且つ感度が良好になることか
ら感放射線性成分５〜100 重量部であり、より好ましく
は感放射線性成分10〜50重量部である。
【００２５】ポジ型レジスト液の調製は本発明のポジ型
感放射線性レジスト組成物を溶媒に混合・溶解すること
により行う。
感放射線性レジスト組成物を溶媒に混合・溶解すること
により行う。
【００２６】ポジ型レジスト液の調製に用いる溶媒とし
ては適当な乾燥速度を有し、溶媒が蒸発して均一で平滑
な塗膜を与えるものがよい。このような溶媒としてはエ
チルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、ピルビン酸
エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、２−ヘ
プタノン、キシレン、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン
等が挙げられる。これらの溶媒は単独で、又は２種以上
混合して用いられる。溶媒量は例えばエチルセロソルブ
アセテートを用いる場合には、ポジ型感放射線性レジス
ト組成物100 重量部に対して30〜80重量部である。
ては適当な乾燥速度を有し、溶媒が蒸発して均一で平滑
な塗膜を与えるものがよい。このような溶媒としてはエ
チルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、ピルビン酸
エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、２−ヘ
プタノン、キシレン、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン
等が挙げられる。これらの溶媒は単独で、又は２種以上
混合して用いられる。溶媒量は例えばエチルセロソルブ
アセテートを用いる場合には、ポジ型感放射線性レジス
ト組成物100 重量部に対して30〜80重量部である。
【００２７】ポジ型レジスト液には必要に応じて少量の
樹脂や染料等を添加することができる。
樹脂や染料等を添加することができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明のポジ型感放射線性レジスト組成
物は解像度、感度及び耐熱性の諸性能のバランスの優れ
たポジ型レジスト液を与える。
物は解像度、感度及び耐熱性の諸性能のバランスの優れ
たポジ型レジスト液を与える。
【００２９】
【実施例】次に実施例をあげて本発明をより具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定さ
れるものではない。
明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定さ
れるものではない。
【００３０】参考例１ フェノール600 ｇ、９−フルオレノン287 ｇ、メタノー
ル300 ｇ及び98％硫酸388 ｇを70〜75℃で攪拌下に50時
間反応させた。常温まで冷却後、酢酸エチル及びトルエ
ンを加えた。有機層を分液後、水洗した。分液後の有機
層から溶媒及び過剰のフェノールを留去した後の残分に
トルエン／ｎ−ヘキサンを加え結晶化させ、下式（Ｉ
Ｉ）
ル300 ｇ及び98％硫酸388 ｇを70〜75℃で攪拌下に50時
間反応させた。常温まで冷却後、酢酸エチル及びトルエ
ンを加えた。有機層を分液後、水洗した。分液後の有機
層から溶媒及び過剰のフェノールを留去した後の残分に
トルエン／ｎ−ヘキサンを加え結晶化させ、下式（Ｉ
Ｉ）
【００３１】
【化７】
【００３２】で示される化合物を得た。
【００３３】参考例２ ｍ−クレゾール162 ｇ、ｐ−クレゾール162 ｇ、エチル
セロソルブアセテート302 ｇ及び５％蓚酸36.5ｇの混合
物を80℃に加熱・攪拌した。同温度で37％ホルマリン水
溶液182 ｇを１時間で滴下し、滴下終了後、さらに７時
間反応させた。常温まで冷却後、中和、水洗、脱水して
ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得
た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は46
00であった。
セロソルブアセテート302 ｇ及び５％蓚酸36.5ｇの混合
物を80℃に加熱・攪拌した。同温度で37％ホルマリン水
溶液182 ｇを１時間で滴下し、滴下終了後、さらに７時
間反応させた。常温まで冷却後、中和、水洗、脱水して
ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得
た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は46
00であった。
【００３４】参考例３ 参考例２で得たノボラック樹脂のエチルセロソルブアセ
テート溶液（ノボラック樹脂の含量34.1％）120 ｇ、エ
チルセロソルブアセテート425.8 ｇ及びｎ−ヘプタン29
2.7 ｇの混合物を20℃で30分攪拌し、有機層を分液後、
ｎ−ヘプタンを留去してノボラック樹脂のエチルセロソ
ルブアセテート溶液を得た。ＧＰＣによるポリスチレン
換算重量平均分子量は8300であった。
テート溶液（ノボラック樹脂の含量34.1％）120 ｇ、エ
チルセロソルブアセテート425.8 ｇ及びｎ−ヘプタン29
2.7 ｇの混合物を20℃で30分攪拌し、有機層を分液後、
ｎ−ヘプタンを留去してノボラック樹脂のエチルセロソ
ルブアセテート溶液を得た。ＧＰＣによるポリスチレン
換算重量平均分子量は8300であった。
【００３５】実施例１及び２ 参考例１で得た化合物及び参考例２〜３で得たノボラッ
ク樹脂を、感放射線性成分と共に下表に示す組成でエチ
ルセロソルブアセテートに溶かし、レジスト液を調製し
た。尚、溶媒量は以下に示す塗布条件で膜厚1.055 μｍ
になるように調整した。これら各組成物を0.2 μｍのテ
フロン製フィルターで濾過することにより、レジスト液
を調製した。これを常法によって洗浄したシリコンウエ
ハーに回転塗布機を用いて1.055 μｍ厚に塗布した。次
いでこのシリコンウエハーを90℃のホットプレートで60
秒間ベークした。次に、このウエハーに365 ｎｍ（ｉ
線）の露光波長を有する縮小投影露光機（ニコン社ＮＳ
Ｒ 1755ｉ７Ａ ＮＡ＝0.50）を用いて露光量を段階的
に変化させて露光した。露光後、110 ℃のホットプレー
トで60秒間ベークし、これを住友化学製現像液ＳＯＰＤ
で１分間現像することによりポジ型パターンを得た。露
光量に対するレジストの残膜厚をプロットすることによ
りレジストの感度を求めた。レジストの耐熱性はレジス
トパターン形成後のウエハーをダイレクトホットプレー
トで３分間所定温度で加熱後、３μｍのライアンドスペ
ースパターンの熱変形の有無をＳＥＭで観察して求め
た。
ク樹脂を、感放射線性成分と共に下表に示す組成でエチ
ルセロソルブアセテートに溶かし、レジスト液を調製し
た。尚、溶媒量は以下に示す塗布条件で膜厚1.055 μｍ
になるように調整した。これら各組成物を0.2 μｍのテ
フロン製フィルターで濾過することにより、レジスト液
を調製した。これを常法によって洗浄したシリコンウエ
ハーに回転塗布機を用いて1.055 μｍ厚に塗布した。次
いでこのシリコンウエハーを90℃のホットプレートで60
秒間ベークした。次に、このウエハーに365 ｎｍ（ｉ
線）の露光波長を有する縮小投影露光機（ニコン社ＮＳ
Ｒ 1755ｉ７Ａ ＮＡ＝0.50）を用いて露光量を段階的
に変化させて露光した。露光後、110 ℃のホットプレー
トで60秒間ベークし、これを住友化学製現像液ＳＯＰＤ
で１分間現像することによりポジ型パターンを得た。露
光量に対するレジストの残膜厚をプロットすることによ
りレジストの感度を求めた。レジストの耐熱性はレジス
トパターン形成後のウエハーをダイレクトホットプレー
トで３分間所定温度で加熱後、３μｍのライアンドスペ
ースパターンの熱変形の有無をＳＥＭで観察して求め
た。
【００３６】比較例１及び２ 参考例１で得た化合物及び参考例２〜３で得たノボラッ
ク樹脂を、感放射線性成分と共に下表に示す組成でエチ
ルセロソルブアセテートに溶かし、レジスト液の調整、
露光、現像及び耐熱性の評価を行った。
ク樹脂を、感放射線性成分と共に下表に示す組成でエチ
ルセロソルブアセテートに溶かし、レジスト液の調整、
露光、現像及び耐熱性の評価を行った。
【００３７】これらの結果をまとめて下表に示す。下表
から明らかなように実施例の感度、解像度、耐熱性のバ
ランスは比較例のそれに比べて格段に向上していること
が認められた。
から明らかなように実施例の感度、解像度、耐熱性のバ
ランスは比較例のそれに比べて格段に向上していること
が認められた。
【００３８】
【表１】
【００３９】*1 感放射線性成分 ナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２）−５−ス
ルホン酸クロリドと下記化合物の縮合物（反応モル比
１：2.8 ）
ルホン酸クロリドと下記化合物の縮合物（反応モル比
１：2.8 ）
【００４０】
【化８】
【００４１】*2 レジストの膜厚が０となる最小露光量*3 ３μｍのラインアンドスペースパターンが熱変形を
始める温度*4 感度が遅すぎて矩形のプロファイルのものが得られ
なかった。
始める温度*4 感度が遅すぎて矩形のプロファイルのものが得られ
なかった。
Claims (2)
- 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂、感放射線性成分及び
一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ3 は各々独立して水素原子、アルキル
基またはアルコキシ基を表わし、ｎは１、２または３を
表わす。）で示されるフェノール化合物を含有してなる
ポジ型感放射線性レジスト組成物。 - 【請求項２】一般式（Ｉ）で示されるフェノール化合物
が下式（ＩＩ） 【化２】 で示される化合物である請求項１に記載のポジ型感放射
線性レジスト組成物。
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