JPS62173458A - ポジ型感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

ポジ型感放射線性樹脂組成物

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JPS62173458A
JPS62173458A JP1533386A JP1533386A JPS62173458A JP S62173458 A JPS62173458 A JP S62173458A JP 1533386 A JP1533386 A JP 1533386A JP 1533386 A JP1533386 A JP 1533386A JP S62173458 A JPS62173458 A JP S62173458A
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sulfonic acid
resin composition
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Kiyoshi Honda
清 本田
Yukihiro Hosaka
幸宏 保坂
Ikuo Nozue
野末 幾男
Yoshiyuki Harita
榛田 善行
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ポジ型感放射線性樹脂組成物に関し、さらに
詳しくは、特定のアルカリ可溶性ノボラック樹脂と1,
2−キノンジアジド化合物とを含有してなる、集積回路
作製用のレジストとして好適なポジ型感放射線性樹脂組
成物に関する。
(従来の技術) 従来、集積回路を作製するために使用されるしシストと
しては、環化ゴムにビスアジド化合物を配合したネガ型
レジストと、アルカリ可溶性ノボラック樹脂に1.2−
キノンジアジド化合物を配合したポジ型レジストとが知
られている。ネガ型レジストは、光照射によりビスアジ
ド化合物が窒素を脱離してナイトレンとなり、環化ゴム
を三次元架橋するが、光照射部分が完全に硬化するわけ
ではないので、有機溶剤からなる現像液中でのレジスト
パターンの膨潤が大きく、レジストパターンの解像度が
悪いという欠点がある。
一方、ポジ型レジストは、アルカリ可溶性ノボラック樹
脂にアルカリ不溶性の1,2−キノンジアジド化合物を
配合するため、アルカリ性水溶液からなる現像液に溶解
しにくく、はとんど膨潤もしない。したがって光照射部
分の1.2−キノンジアジド化合物がカルボン酸に変化
し、アルカリ性水溶液からなる現像液で現像されても、
レジストパターンとなる光来照射部分は溶解性の変化が
極端に少ないため、マスクのパターンに忠実で、かつ高
い解像度のレジストパターンが得られる。
そこで、集積回路の高集積度化が要求される近年は、こ
のような解像度の優れたポジ型レジストが多用されてい
る。
また、レジストの解像度を高める試みはレジストの特性
を改良するだけでなく、集積回路の作製方式の改良、例
えば従来の主流であったウェットエツチング方式からド
ライエツチング方式へ変えることによってもなされてい
る。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、このドライエツチング方式は、反応性イ
オンで基板をエツチングするため、基板の温度が上昇し
、レジストパターンが熱変形を受け、寸法精度を低下さ
せたり、高反応性のフッ素イオン、塩素イオン等がレジ
ストパターンに損傷を与えるという欠点がある。
従来、市販のノボラック樹脂系ポジ型レジストは、他の
レジストに比してこの苛酷なドライエツチング条件に耐
えうるものと評価されているが、十分に満足できるもの
とはいえない現状である。
本発明の目的は、ノボラック樹脂系ポジ型レジストの耐
ドライエツチング性を向上させ、さらに解像性および耐
熱性を向上させたポジ型感放射線性樹脂組成物を提供す
ることにある。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、下記一般式(1)と(II)で表わされるフ
ェノール類をモル比で(1) / (II) =1/9
9〜10010の割合で用い、カルボニル化合物と重縮
合させることにより得られるアルカリ可溶性ノボラック
樹脂と、1.2−キノンジアジド化合物とを含有するこ
とを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成物である。
〔式中、R1およびR2は同一または異なる、水酸基、
水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルケニル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルコキシ
カルボニル基(−COORlRは前記R1およびR2と
同様のアルキル基、以下同じ)、アリールカルボニル基
(−COOAr。
Arは前記R1およびR2と同様の了り−ル基、以下同
じ)、アルキロイルオキシ基(RCOO−)、了り−ロ
イルオキシ基(ArCOO−)、アシル基、シアノ基ま
たはニトロ基を意味し、好ましくは、水酸基、水素原子
、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、アルコキシ
カルボニル基、アシル基等である。〕、 〔式中、R3、R4およびR5は同一または異なる、水
素原子、アルキル基、了り−ル基、アラルキル基、アル
ケニル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルコキシカ
ルボニル基、アリールカルボニル基、アルキロイルオキ
シ基、了り一ロイルオキシ基、アシル基、シアノ基また
はニトロ基を意味し、好ましくは、水素原子、アルキル
基、アリール基等である〕。
なお、前記一般式(1)および(II)におけるR1.
R2、R3、R4およびR5のアルキル基としでは、例
えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基ニアリ
ール基としては、例えばフェニル基、トルイル基、クメ
ニル基;アルケニル基としては、例えばビニル基、プロ
ペニル基、アリル基、ブテニル基;アラルキル基として
は、例えばベンジル基、フェネチル基、クミル基;ハロ
ゲン原子としては、例えば塩素原子、フッ素原子、臭素
原子;アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基;アシル基としては
、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル
基を挙げることができる。
本発明で使用されるフェノール類(1)としては、例え
ばピロガロール、l、2.3−トリヒドロキシ−5−フ
ルオロベンゼン、1.2.3−1リヒドロキシ−5−ク
ロロベンゼン、1,2.3−トリヒドロキシ−5−ブロ
モベンゼン、3,4゜5−トリヒドロキシジフェニル、
1,2.3−トリヒドロキシ−5−メチルベンゼン、l
、2.3−トリヒドロキシ−5−エチルベンゼン、1,
2゜3−トリヒドロキシ−5−n−プロピルベンゼン、
1.2.3−1−リヒドロキシー5−イソプロビルヘン
ゼン、l、2.3−1−ジヒドロキシ−5−n−プチル
ヘンゼン、1.2.3−1−リヒドロキシーt−ブチル
ベンゼン、カテコール、3−メチルカテコール、3−エ
チルカテコール、3−イソプロピルカテコール、3−t
−ブチルカテコール、4−メチルカテコール、4−エチ
ルカテコール、4−イソプロピルカテコール、4−t−
ブチルカテコール、3−アセトキシカテコール、4−ア
セトキシカテコール、3−フルオロカテコール、4−フ
ルオロカテコール、3−クロロカテコール、4−クロロ
カテコール、3−ブロモカテコール、4−ブロモカテコ
ール、ヒドロキノン、2−メチルヒドロキノン、2−イ
ソプロピルヒドロキノン、2−t−ブチルヒドロキノン
、2−アセトキシヒドロキノン、2−フェニルヒドロキ
ノン、2−フロロヒドロキノン、2−クロロヒドロキノ
ン、2−ブロモヒドロキノン、フロログルシノール、レ
ゾルシノール、5−フルオロレゾルシノール、5−クロ
ロレヅルシノール、5−ブロモレゾルシノール、5−メ
チルレゾルシノール、5−エチルレゾルシノール、5−
n−プロピルレゾルシノール、5−イソプロピルレゾル
シノール、5−n−ブチルレゾルシノール、5−t−ブ
チルレゾルシノール、3,5−ジヒドロキシビフェニル
、2−メチルフロログルシノール、2−エチルフロログ
ルシノール、2−n−プロピルフロログルシノール、2
−イソプロピルフロログルシノール、2  n−ブチル
フロログルシノール、2−t−ブチルフロログルシノー
ル、2−メチルレゾルシノール、2−エチルレゾルシノ
ール、2−n−プロピルレゾルシノール、2−イソプロ
ピルレゾルシノール、2−n−ブチルレゾルシノール、
2−L−ブチルレゾルシノール、2−メチル−5−フル
オロレゾルシノール、2−メチル−5−クロロレゾルシ
ノール、2−メチル−5−ブロモレゾルシノール、2−
エチル−5−フルオロレゾルシノール、2−エチル−5
−クロロレゾルシノール、2−エチル−5−ブロモレゾ
ルシノール、2〜n−プロピル−5−フルオロレゾルシ
ノール、2−n−7”ロピルー5−クロロレゾルシノー
ル、2−イソプロピル−5−ブロモレゾルシノール、2
−n−ブチル−5−フルオロレゾルシノール、2− n
 −フチルー5−クロロレゾルシノール、2− n −
フチルー5−ブロモレゾルシノール、2−t−ブチル−
5−フルオロレゾルシノール、’1−t−ブチルー5−
クロロレゾルシノール、2−t−ブチル−5−ブロモレ
ゾルシノール、2,5−ジメチルレゾルシノール、2−
メチル−5−エチルレゾルシノール、2−メチル−5−
n−プロピルレゾルシノール、2−メチル−5−イソプ
ロピルレゾルシノール、2−メチル−5−n−ブチルレ
ゾルシノール、2−メチル−5−t−ブチルレゾルシノ
ール、2−エチル−5−メチルレゾルシノール、2.5
−ジエチルレゾルシノール、2−エチル−5−〇−プロ
ピルレゾルシノール、2−エチル−5−イソプロピルレ
ゾルシノール、2−エチル−5−〇−ブチルレゾルシノ
ール、2−エチル−5−t−ブチルレゾルシノール、2
−〇−プロピルー5−メチルレヅルシノール、2−n−
プロピル−5−エチルレゾルシノール、2.5−ジ−n
−プロピルレゾルシノール、2−n−プロピル−5−イ
ソプロピルレゾルシノール、2−n−プロピル−5−〇
−プチルレヅルシノール、2−n−プロピル−5−t−
ブチルレゾルシノール、2−イソプロピル−5−メチル
レゾルシノール、2−イソプロピル−5−エチルレゾル
シノール、2−イソプロピル−5−n−プロピルレゾル
シノール、2.5−シーイソプロピルレゾルシノール、
2−イソプロピル−5−n−ブチルレゾルシノール、2
−イソプロピル−5−t−ブチルレゾルシノール、2−
n−ブチル−5−メチルレゾルシノール、2−n=ブチ
ル−5−エチルレゾルシノール、2−n−ブチル−5−
n−プロピルレゾルシノール、2−n−ブチル−5−イ
ソプロピルレゾルシノール、2.5−ジーn−プチルレ
ゾルンノール、2−n−ブチル−5−t−ブチルレゾル
シノール、2−t−7”チル−5−メチルレゾルシノー
ル、2−t−ブチル−5−エチルレゾルシノール、2−
を−ブチル−5−n−プロピルレゾルシノール、2−t
−ブチル−5−イソプロピルレゾルシノール、2−t−
ブチル−5−n−ブチルレゾルシノール、2.5−t−
ブチルレゾルシノール、3.5−ジヒドロキシ−4−メ
チルジフェニル、3,5−ジヒドロキシ−4−エチルジ
フェニル、3,5−ジヒドロキシ−4−n−プロピルジ
フェニル、3゜5−ジヒドロキシ−4−イソプロピルジ
フェニル、3.5−ジヒドロキシ−4−n−ブチルジフ
ェニル、3.5−ジヒドロキシ−4−t−ブチルジフェ
ニル、4−トルイルピロガロール、5−トルイルピロガ
ロール、4−(2’、3’−キシリル)ピロガロール、
5−(2’、3’−キシリル)ピロガロール、4−(2
’、4’−キシリル)ピロガロール、5−(2’、4“
−キシリル)ピロガロール、4−メシチルピロガロール
、5−メシチルピロガロール、4−クメニルピロガロー
ル、5−クメニルビロガロール、4−ヘンシルピロガロ
ール、5−ベンジルピロガロール、4−フェネチルピロ
ガロール、5−フェネチルピロガロール、4−α−メチ
ルヘンシルピロガロール、5−α−メチルヘンジルピロ
ガロール、4−ス−1−IJルビロガロール、5−スチ
リルピロガロール、4−シンナミルピロガロール、5−
シンナミルピロガロール、4−プロペニルピロガロール
、5−7’ロペニルピ口ガロール、4−アリルピロガロ
ール、5−アリルピロガロール、4−イソプロペニルピ
ロガロール、5−イソプロペニルピロガロール、4−(
1−ブテニル)ピロガロール、5−(1−ブテニル)ピ
ロガロール、4−(2−ブテニル)ピロガロール、5−
(2−ブテニル)ピロガロール、4−アセチルピロガロ
ール、5−アセチルピロガロール、4−シアノピロガロ
ール、5−シフ/ピロガロール、4−二l−口ピロガロ
ール、5−ニトロピロガロール、没食子酸メチル、没食
子酸エチル、没食子酸プロピル、没食子酸イソプロピル
、没食子酸n−ブチル、没食子酸=sec−ブチル、没
食子Mt−ブチル、4−メトキシピロガロール、5−メ
トキシピロガロール、4−ヘンゾイロキシビロ力ロール
、5−ヘンソイロキシピロガロール、3−トルイルカテ
コール、4−トルイルカテコール、3−(2°、3′−
キシリル)カテコール、4−(2’、3’−キシリル)
カテコール、3−(2“、4′−キシリル)カテコール
、4−(2’、4’−キシリル)カテコール、3−メシ
チルカテコール、4−メシチルカテコール、3−クメニ
ルカテコール、4−クメニルカテコール、3−ヘンシル
カテコール、4−ヘンシルカテコール、3−フェネチル
カテコール、4−フェネチルカテコール、3−α−メチ
ルヘンシルカテコール、4−α−メチルベンジルカテコ
ール、3−スチリルカテコール、4−スチリルカテコー
ル、3−シンナミルカテコール、4−シンナミルカテコ
ール、3−プロペニルカテコール、4−プロペニルカテ
コール、3−イソプロペニルカテコール、4−イソプロ
ペニルカテコール、3−アリルカテコール、4−アリル
カテコール、3−(l−ブテニル)カテコール、4−(
1−フチニル)カテコール、3−(2−ブテニル)カテ
コール、4−(2−ブテニル)カテコール、3−アセト
キンカテコール、4−アセトキンカテコール、3−ヘン
ソイ口キシカテコール、4−ベンゾイロキシカテコール
、3−メトキシ力ルポニル力テコール、4−メトキシカ
ルボニルカテコール、3−アセチルカテコール、4−ア
セチルカテコール、3−シアノカテコール、4−シアノ
カテコール、3−ニトロカテコール、4−ニトロカテコ
ール、2−トルイルヒドロキノン、2−(2’、3’−
キシリル)ヒドロキノン、2− (2°、4′−キシリ
ル)ヒドロキノン、2−メシチルヒドロキノン、2−ク
メニルヒドロキノン、2−ベンジルヒドロキノン、2−
フェネチルヒドロキノン、2−(α−メチルヘンシル)
ヒドロキノン、2−スチリルヒドロキノン、2−シンナ
ミルヒドロキノン、2−プロペニルヒドロキノン、2−
イソプロペニルヒドロキノン、2−アリルヒドロキノン
、2− (L−ブテニル)ヒドロキノン、2−(2−ブ
テニル)ヒドロキノン、2−アセトキシヒドロキノン、
2−ベンゾイロキシヒドロキノン、2−メトキシカルボ
ニルヒドロキノン、2−アセチルヒドロキノン、2−シ
アノヒドロキノン、2−ニトロヒドロキノン、4−トル
イルレゾルシノール、2−トルイルレゾルシノール、4
−(2’、3°−キシリル)レゾルシノール、2−(2
“、3°−キシリル)レゾルシノール、4−(2’、4
’−キシリル)レゾルシノール、2−(2’、4’−キ
シリル)レゾルシノール、4−メシチルレゾルシノール
、2−メシチルレゾルシノール、4−クメニルレゾルシ
ノール、2−クメニルレゾルシノール、4−ベンジルレ
ゾルシノール、2−ベンジルレゾルシノール、4−フェ
ネチルレゾルシノール、2−フェネチルレゾルシノール
、4−(α−メチルヘンシル)レゾルシノール、2−(
α−メチルベンジル)レゾルシノール、4−スチリルレ
ゾルシノール、2−スチリルレゾルシノール、4−シン
ナミルレゾルシノール、2−シンナミルレゾルシノール
、4−プロペニルレゾルシノール、2−プロペニルレゾ
ルシ/−Jl/、4−イソプロペニルレゾルシノール、
2−イソプロペニルレゾルシノール、4−アリルレゾル
シノール、2−アリルレゾルシノール、4−(1−ブテ
ニル)レゾルシノール、2−(1−ブテニル)レゾルシ
ノール、4−(2−ブテニル)レゾルシノール、2−(
2−ブテニル)レゾルシノール、4−アセトキシレゾル
シノール、2−アセトキシレゾルシノール、4−ベンゾ
イロキシレゾルシノール、2−ベンゾイロキシレゾルシ
ノール、4−メトキシ力ルポニルレヅルシノール、2−
メトキシカルボニルレゾルシノール、4−7セチルレヅ
ルシノール、2−アセチルレゾルシノール、4−シアル
ゾルシノール、4−ニトロレゾルシノール、2−シアル
ツルシノール、4−シアルゾルシノール、2−トルイル
フロログルシノール、2−(2“、3″−キシリル)フ
ロログルシノール、2−(2°、4°−キシリル)フロ
ログルシノール、2−メシチルフロログルシノール、2
−クメニルフロログルシノール、2−ベンノルフロログ
ルシノール、2−フェネチルフロログルシノール、2−
α−メチルへンシルフロログルシノール、2−スチリル
フロログルシノール、2−シンナミルフロログルシノー
ル、2−プロペニルフロログルンノール、2−イソプロ
ペニルフロログルシノール、2−アリルフロログルンノ
ール、2−(1−ブテニル)フロログルシノール、2−
(2−ブテニル)フロログルシノール、2−アセトキシ
フロログルシノール、2−ベンゾイロキシフロログルシ
ノール、2−メトキシカルボニルフロログルシノール、
2−アセトキシフロログルシノール、2−9727口口
グルシノール、2−ニトロフロログルシノール等が挙げ
られる。これらの中で好ましいものとして、ピロガロー
ル、カテコール、ヒドロキノン、フロログルシノール、
レゾルシノール、5−クロロレゾルシノール、5−メチ
ルレゾルシノール、2−メチルレゾルシノール、3,5
−ジヒドロキシジフェニル、3,4゜5−トリヒドロキ
シジフェニル、没食子酸メチル、没食子酸エチル、没食
子酸n−プロピル、没食子酸−イソプロビル、4−アセ
トキシレゾルシノール、4−7セチルレゾルンノール等
が挙げられる。
これらフェノール?u(1)は単独でまたは2種以上混
合して使用できる。
次に本発明で用いられるフェノール類(II)としては
、例えばフェノール、O−クレゾール、m−クレゾール
、p−クレゾール、0−エチルフェノール、m−エチル
フェノール、p−エチルフェノール、0−ブチルフェノ
ール、m−ブチルフェノール、p−ブチルフェノール、
3.5−キシレノール、2.4−キシレノール、2,5
−キシレノール、3.4−キシレノール、2,3.5−
トリメチルフェノール、0−フェニルフェノール、p−
フェニルフェノール、イソプロペニルフェノール、o−
トルイルフェノール、p−トルイルフェノール、0−ス
チリルフェノール、p−スチリルフェノール、0−シン
ナミルフェノール、p−シンナミルフェノール、0−ア
セトキシフェノール、m−アセトキシフェノール、p−
アセトキシフェノール、0−ベンゾイロキシフェノール
、m−ベンゾイロキシフェノール、p−ベンゾイロキシ
フェノール、0−メトキシフェノール、m−メトキシフ
ェノール、p−メトキシフェノール、〇−メトキシカル
ボニルフェノール、m−メトキシカルボニルフェノール
、p−メトキシカルボニルフェノール、0−アセチルフ
ェノール、m−アセチルフェノール、p−アセチルフェ
ノール、p−ヒドロキシジフェニル等が挙げられる。こ
れらの中で好ましいものとしては、フェノール、0−ク
レゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2゜5−
キシレノール、3.5−キシレノール、2゜3.5−1
−リメチルフェノール、o−t−ブチルフェノール、m
−t−ブチルフェノール、p−t−プチルフェノール、
p−ヒドロキシジフェニル等が挙げられる。これらフェ
ノール類(1)は単独でまたは2種以上混合して使用で
きる。
フェノールIQ(1)と(II)の使用割合(([) 
/ (II) )は、1/99〜10010(モル比)
、好ましくは5/95〜10010(モル比)である。
1/99(モル比)未満では、本発明の目的であるレジ
ストの耐ドライエツチング性、解像性および耐熱性が不
十分である。
本発明で用いられるカルボニル化合物は、例えば下記一
般式([)で表される。
以下余白 C=O・・・・・・ (I[) 暑 R? 〔式中、R6およびR?は同一または異なる、水素原子
、または前記R1、R2、R3、R4およびR,と同様
のアルキル基、アリール基、アルケニル基もしくはアラ
ルキル基を意味する〕。
前記カルボニル化合物としては、例えばホルムアルデヒ
ド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピ
ルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアル
デヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニ
ルプロピルアルデヒド、1〜ルイルベンズアルデヒド、
メチルベンズアルデヒド、フエ名チルヘンズアルデヒド
、0−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベ
ンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、o
−クロロベンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒ
ド、p−クロロベンズアルデヒド、0−ニトロベンズア
ルデヒド、m−ニトロベンズアルデヒド、p−ニトロベ
ンズアルデヒド、0−メチルベンズアルデヒド、m−メ
チルベンズアルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、
p−エチルベンズアルデヒド、p−n−ブチルベンズア
ルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、シンナ
ムアルデヒド、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルフェニルケ
トン、メチルベンジルケトン等が挙げられ、これらの化
合物のうち、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベ
ンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、ア
クロレイン、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、メチルフェニルケト
ン、メチルベンジルケトン等が好ましい。
カルボニル化合物は、単独でまたは2種以上混合して使
用することができ、フェノール類(I)と(II)の合
計1モル当たり好ましくは0.7〜3モル、特に好まし
くは0.7〜2モル使用される。
0.7モル未満では、未反応のフェノール6−Q (■
)および(II)の残存量が多くなるためアルカリ可溶
性ノボラック樹脂の軟化点が低くなり、3モルを超える
とアルカリ可溶性ノボラック樹脂はゲル化する。
本発明に用いるアルカリ可溶性ノボラック樹脂の製造に
おいては、フェノール類(1)と(U)とカルホニル化
合物とを、通常、酸触媒を用いて重縮合させる。前記酸
触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、または蟻
酸、蓚酸、酢酸等の有機酸が挙げられる。これら酸触媒
の使用量はフェノール#1(1)と(II)の合計1モ
ル当たり、通常、lXl0−7〜5X10−1モル、好
ましくはlX10−”〜5X10−1モルである。lX
l0−7モル未満では、反応が遅く軟化点の高いアルカ
リ可溶性ノボラック樹脂が得られず、5X10−1モル
を超えるとアルカリ可溶性ノボラック樹脂はゲル化する
反応においては、反応媒質を使用しなくてもよいが、反
応媒質として水または親水性溶媒、もしくはこれらを混
合して使用することもできる。この際使用される親水性
溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、プロパ
ツール、ブタノール等のアルコール類、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジグライム等のエーテル類、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル類または
アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等
のニトリル類が挙げられる。これらの反応媒質の使用量
は、通常、フェノール類(1)と(■)の合計100重
量部当たり5000重量部以下、好ましくは10〜10
00重量部である。5000重量部を超えると反応が遅
くなる。
反応温度は、反応原料に応じて適宜選択するが、通常、
10〜200°C1好ましくは60〜160℃である。
反応温度が10℃未満では反応が遅(,200℃を超え
るとアルカリ可溶性ノボラック樹脂はゲル化する。反応
は不活性気体中、例えば窒素ガス、ヘリウムガス、アル
ゴンガス等を充虜した密閉系で加圧下に行なうことが好
ましく、通常、内圧と外圧との差は1〜50kg/ca
tであり、好ましくは3〜25kg/cn!である。
反応終了後に、系内に存在する未反応原料、酸触媒およ
び反応媒質を除去するため、一般的には内温を130〜
230℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去し、次いで
溶融したノボラック樹脂をスチール製ベルト等の上に流
促して、アルカリ可溶性ノボラック樹脂を回収する。
また反応終了後に、前記親水性溶媒に反応生成物を溶解
し、水、n−へキサン、石油エーテル、n−へブタン等
の沈殿剤に添加することにより、ノボラック樹脂を析出
させ、析出物を分離し、加熱乾燥する方法によりアルカ
リ可溶性ノボラック樹脂を回収することもできる。
本発明の樹脂組成物中には1,2−キノンジアジド化合
物が配合される。この1.2−キノンジアジド化合物は
、前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂100重量部に対
して、通常、5〜100重量部、好ましくは10〜50
重量部用いられる。
5重量部未満では、添加量が少ないために1,2−キノ
ンジアジド化合物のアルカリ可溶性ノボラック樹脂に対
する不溶化効果が不十分であり、放射線照射部と放射線
未照射部とのアルカリ性水溶液からなる現像液に対する
熔解性に差をつけることができないのでパターン形成が
困難であり、100重量部を超えると短時間の放射線照
射ではすべての1.2−キノンジアジド化合物を分解す
ることができず一部が残存するため、アルカリ性水溶液
からなる現像液による現像が困難となる。
このような1.2−キノンジアジド化合物としては、例
えばp−クレゾール−1,2−ベンゾキノンジアジド−
4−スルホン酸エステル、レゾルシノール−1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ピロガ
ロール−1,1−1−フトキノンジアジドー5−スルホ
ン酸エステル等の(ポリ)ヒドロキシヘンゼンの1,2
−キノンジアジドスルホン酸エステル類、2.4−ジヒ
ドロキシフェニル−プロピルケトン−1,2−ヘンヅキ
ノンジアジドー4−スルホン酸エステル、2゜4−ジヒ
ドロキシフェニル−n−へキシルケトン−1,2−ナフ
トキノンシアシト−4−スルホン酸エステル、2,4−
ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノツノ
アジド−5−スルホン酸エステル、2,3.4.−トリ
ヒド口キシフェニル−n−へキシルケトン−1,2−ナ
フトキノンシアシト−4−スルホン酸エステル、2,3
゜4−トリヒドロキシヘンシフエノン−1,2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2.3,4
. −トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2.4.6
−1−リヒドロキシベンゾフエノン−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2.4.6−
)リヒドロキシベンゾフエノン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステル、2.2’、4.4
’−テトラヒドロキシヘンシフエノン−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2.3,4
.4’−テトラヒドロキシヘンシフエノン−1,2−ナ
フトキノンシアシト−5−スルホン酸エステル、2,2
°、3.4.6’−ペンタヒドロキシヘンシフエノン、
2,3.3’、4゜4′、5″−へキサヒドロキシヘン
シフエノン、2.2’、3,4.4’、6’−へキサヒ
ドロキシヘンシフエノン等の(ポリ)ヒドロキシフェニ
ルアルキルケトンまたは(ポリ)ヒドロキシフェニルア
リールケトンの1.2−キノンジアジドスルホン酸エス
テル類、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン−1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ビ
ス(2゜3.4−トリヒドロキシフェニル)メタン−1
゜2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル
、2.2−ビス(p−ヒドロキシフェニル)プロパン−
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、2.2−ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)プ
ロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル、2゜2−ビス(2,3,4−1−ジヒドロ
キシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸エステル等のビス〔(ポリ)ヒドロ
キシフェニルコアルカンの1,2−キノンジアジドスル
ホン酸エステル類、3,5−ジヒドロキシ安息香酸ラウ
リル−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸
エステル、2,3.1−1−リヒドロキシ安息香酸フェ
ニル−1,2−ナフトキノンシアシト−5−スルホン酸
エステル、3,4゜5−トリヒドロキシ安息香酸プロピ
ル−1,2−ナフトキノンシアシト−5−スルホン酸エ
ステル、3.4.5−トリヒドロキシ安息香酸フェニル
−1,2−ナフトキノンシアシト−5−スルホン酸エス
テル等の(ポリ)ヒドロキシ安息香酸アルキルエステル
または(ポリ)ヒドロキシ安息香酸アリールエステルの
1.2−キノンジアジドスルホン酸エステル類、ビス(
2,5−ジヒドロキジベンゾイル)メタン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ヒス(
2,3,4−トリヒドロキジヘンジイル)メタン−1,
2−ナフトキノンジアシド−5−スルホン酸エステル、
ビス(2,4,6−トリヒドロキジヘンジイル)メタン
−1,2−ナフトキノンシアシト−5−スルホン酸エス
テル、p−ビス(2,5−ジヒドロキジベンゾイル)ベ
ンゼアシド、2−ナフトキノンジ了シト−4−スルホン
酸エステル、p−ビス(2,3,4−1−ジヒドロキジ
ベンゾイル)ベンゼン−1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸エステル、p−ビス(2,4,6−1
−ジヒドロキジベンゾイル)ベンゼン−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステル等のビス〔(
ポリ)ヒドロキシベンゾイルコアルカンまたはビス((
ポリ)ヒドロキシヘンゾイル〕ヘンゼンの1,2−キノ
ンジアジドスルホン酸エステル類、エチレングリコール
ージ(3,5〜ジヒドロキシベンゾエート)−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ポリ
エチレングリコールージ(3,4,5−1−リヒドロキ
ジベンヅエート)−1,2−ナフトキノンシアシト−5
−スルホン酸エステル等の(ポリ)エチレングリコール
ージ〔(ポリ)ヒドロキシヘンゾエート〕の1.2−キ
ノンジアジドスルホン酸エステル類、ヒドロキシ基を有
するα−ピロン系天然色素の1.2−キノンジアシドス
ルホン酸エステル類、ヒドロキシ基を有するγ−ピロン
系天然色素の1゜2−キノンジアジドスルホン酸エステ
ル類、ヒドロキシ基を有するジアジン系天然色素の1.
2−キノンジアシドスルホン酸エステル類が挙げられる
これらの1.2−キノンジアジド化合物の他に、J、K
osar著“Light−3ens i t ive 
 Systems”339〜352  (1965) 
、John  Winey&5ons社(New  Y
ork)やW、S、De  Forest著“Phot
oresist″50  (1975)、McGraw
−Hiffff、Inc、、  (Newyork)に
掲載されている1、2−キノンジアジド化合物を用いる
こともできる。
さらに、特開昭58−17112号公報に記載されてい
るように、前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂の水酸基
に1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロ
リド、1.2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル
クロリドまたは1゜2−ベンゾキノンジアジド−4−ス
ルホニルクロリドを当量比01001〜0.5で縮合さ
せた樹脂を1.2−キノンジアジド化合物として用いる
こともできる。
これらの1,2−キノンジアジド化合物は単独でまたは
2種以上混合して使用される。
本発明の樹脂組成物をシリコンウェハ等の基板に塗布す
るに際しては、前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂と1
.2−キノンジアジド化合物とを、溶剤に溶解し、これ
を回転塗布、流し塗布、ロール塗布等により基板に塗布
する。
この際に使用される溶剤としては、例えばエチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル等のグリコールエーテル類、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロ
ソルブエステル類、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン類または酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル等のエステル類が挙げられる。これ
らの溶剤は、単独でまたは2種以上混合して使用するこ
とができる。さらに、例えばトルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素類、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシル
エーテル等のエーテル類、ジエチレングリコール七ツメ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル等のグリコールエーテル類、アセトニルアセトン、イ
ソホロン等のケトン類、カプロン酸、カプリル酸等の脂
肪酸類、1−オクタツール、1−ノナノール、ベンジル
アルコール等のアルコールff1L酢酸ベンジル、安息
香酸エチル、蓚酸ジエチル、マレイン酸ジエチ)Ii、
炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブア
セテート等のエステル類またはγ−ブチロラクトン、δ
−バレロラクトン等のラクトン類のような高沸点溶剤を
添加することもできる。
なお、本発明の樹脂組成物には、フェノール、フレソー
ル、エチルフェノール、ブチルフェノール、キシレノー
ル等のフェノール類とホルムアルデヒド、アセトアルデ
ヒド、ヘンズアルデヒド等のカルボニル化合物を縮合し
て得られるノボラック(L・1脂等を併用することがで
きる。
さらに本発明の樹脂イ■成物には、レジストとしての感
度を向上させるため増感剤を配合することができる。増
感剤としては、例えば2H−ピリド(3,2−b〕−1
,4−オキサジン−3〔4H〕オン類、l0H−ピリド
 [3,2−b)  (1゜4〕−ヘンゾチ7ジン類、
ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビッール酸類、グ
リシン無水物類、1−ヒドロキシヘンシトリアゾール類
、アロキサン類、マレイミド類等が使用され、さらには
特公昭48−12242号公報、特公昭48−3540
2号公報、特開昭58−37641号公報、特開昭58
−149042号公報等に記載されている増感剤を使用
することもできる。増感剤の配合量は、1,2−キノン
ジアジド化合物100重量部に対し、通常、100重量
部以下、好ましくは4〜60重量部である。
さらに本発明の樹脂組成物は、界面活性剤を配合するこ
とができる。
ここにおける界面活性剤としては、例えばポリオキシエ
チレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等の
ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエ
チレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン
ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキ
ルフェニルエーテル類およびポリエチレングリコールジ
ラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等
のポリエチレングリコールジアルキルエステル類のよう
なノニオン系界面活性剤、エフトップBF301、EF
303 (新秋田化成社製商品名)、メガファソクF1
71、F173  (大日本インキ社製商品名〉、アサ
ヒガードAG710(旭硝子社製商品名)、特開昭57
−178242号公報に例示されるフッ化アルキル基ま
たはパーフルオロアルキル基を有する直鎖状のフッ素系
界面活性剤、エフトップEF352(新秋田化成社語商
品名)、フロラードFC430、FC431(住友3M
社製商品名)、サーフロン5CIOI、5C102,5
C103,5C104,5CIO5,5C106、S−
382(旭硝子社製商品名)等のフッ化アルキル基また
はバーフルオアルキル基を側鎖に含むフッ素系界面活性
剤、オルガノシロキサンポリマーKP341  (信越
化学社製商品名)やアクリル酸系またはメタクリル酸系
(共)重合体ポリフローNCL75、M2S (共栄社
油脂化学工業社製商品名)等を挙げることができる。
これらの界面活性剤の配合量は、本発明の樹脂組成物の
固形分100重量部当たり、通常、2重量部以下、好ま
しくは1重量部以下である。
さらに本発明の樹脂組成物は、必要に応じて保存安定剤
、着色剤等も配合することができる。
本発明の樹脂組成物は、溶剤にアルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂、1,2−キノンジアジド化合物および各種配合
剤を所定量溶解させ、例えば孔径0.2μm程度のフィ
ルタで濾過することにより、調製される。
なお、本発明の樹脂組成物の塗膜と基板との接着力を向
上させるため、予めヘキサメチルジシラザン、クロロメ
チルシラン等を被塗布基板に塗布することもできる。
本発明の樹脂組成物をポジ型レジストとして使用する際
の現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ
酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチ
ルアミン、n−プロピルアミン等の第1アミン類、ジエ
チルアミン、ジ−n−プロピルアミン等の第2アミン類
、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第3ア
ミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールア
ミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド、コリン等の第4級アンモニウム塩等ま
たはピロール、ピペリジン、■、8−ジアザビシクロ(
5,4,O) −7−ウンデセン、1.5−ジアザビシ
クロ(4,3,0)−5−ノナン等の環状アミン類を溶
解してなるアルカリ性水溶液が使用される。また前記ア
ルカリ性水溶液にメタノール、エタノール、アセトン等
の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適量添加した水溶液を
現像液に使用することもできる。
(実施例) 実施例1 内容積1500m6の耐圧反応器にレヅルシノール11
0g、90市量%アセ(・アルデヒド54g、蓚酸0.
3gおよびn−ブタノール73gを仕込み、攪拌しなが
ら、内温を140℃に保持して10時間重縮合を行なっ
た。反応終了後、反応生成物を大量の水に投入し、ノボ
ラック樹脂を沈殿させた。次いで、沈殿物を回収し、4
0°Cで24時間真空乾燥し、水、未反応物およびn−
ブタノールを除去し、アルカリ可溶性ノボラック樹脂を
得た。
このアルカリ可溶性ノボラック樹脂10gおよびビス(
2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸テトラエステル2.
5gを、エチルセロソルブアセテート37.5 gに溶
解し、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過して
本発明の樹脂組成物のl容l夜をδ周製した。
得られた溶液をシリコン酸化膜を有するシリコンウェハ
ー上にスピンナーで回転塗布した後、90°Cで2分間
プレヘークして1.2μm厚のレジスト膜を形成させた
次いで解像度テスト用パターンマスクを介して波長43
6nmを中心とする紫外線を照射した後、1重量%テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、レ
ジストパターンを形成した。
この結果、線幅0.9μmのレジストパターンはパター
ンマスクを忠実に再現しており、解像性も良好であった
。このレジス1−パターンを有するシリコンウェハーを
5分間ホットプレートに載せ、ホットプレートの温度と
レジストパターンの熱変形状態を観察した。レジストパ
ターンが変形しない最高温度を耐熱温度としたとき、こ
のものの耐熱温度は170°Cであり、極めて良好な耐
熱性を示した。
さらに、得られたレジストパターンを平行平板型プラズ
マエツチング装置(電極間隔40*n)に装着し、出力
100W、テトラフルオロメタン/酸素(9515(容
量比)〕のガス圧15paの条件で、レジストパターン
の耐ドライエツチング性を調べた。このレジストパター
ンの選択比(レジストパターンがエツチングされる速度
に対するシリコン酸化膜がエツチングされる速度の比)
は4.0と非常に高い値を示し、耐ドライエツチング性
が優れるものであった。
比較例1 内容81500 m iの三つロセバラブルフラスコに
m−クレゾール158g、p−クレゾール18g、37
重量%ホルムアルデヒド水溶液(以下、単に「ホルマリ
ン」という)125gおよび蓚酸0.06gを仕込み、
攪拌しながら、内温を100°Cに保持して3時間重縮
合を行なった。反応終了後、反応生成物を大量の水に投
入し、ノボラック樹脂を沈殿させた。次いで、沈殿物を
回収し、40℃で24時間真空乾燥し、水および未反応
物を除去し、アルカリ可溶性ノボラック樹脂を得た。
このアルカリ可溶性ノボラック樹脂を用い、その他は実
施例1と同様に処理して樹脂組成物の溶液を調製した。
この溶液を用い、2重量%テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド水溶液で現像した以外は実施例1と同様の処
理をし、レジストパターンを形成した。この結果、パタ
ーンマスクを忠実に再現している最小線幅は1.2μm
のレジストパターンであり、実施例1の解像度と比べる
と0.3μm4)解像度が低下していた。さらに得られ
たレジストパターンの耐熱温度は、110℃と低いもの
であり、このレジストパターンの耐ドライエツチング性
における選択比も2.1と悪いものであった。
実施例2〜19 レゾルシノールの代わりに、第1表に示すフェノールI
Ji (I)および(It)を使用し、アセトアルデヒ
ドの代わりに、第1表に示すカルボニル化合物を使用し
、その他は実施例1と同様に処理して本発明の樹脂組成
物の溶液を調製した。この溶液を用いて実施例1と同様
に処理しレジストパターンを形成した後、レジストパタ
ーンの耐熱温度、耐ドライエツチング性および解像度に
ついて調べた結果、第1表に示すようにいずれも耐熱温
度が高く、かつ耐トライエツチング性、解像性に優れる
ものであった。
以下余白 実施例20〜22 実施例1で得られたアルカリ可溶性ノボラック軸(脂を
用い、1.2−キノンジアジド化合物として第2表に示
す化合物を用い、その他は実施例1と同様に処理して本
発明の樹脂組成物の溶液を8Il製した。この溶液を用
いて実施例1と同様に処■ηしレジストパターンを形成
した後、レジストパターンの耐熱温度、耐ドライエツチ
ング性および〜像度を調べた結果、第2表に示すように
いずれ(耐熱温度が高(、かつ耐ドライエツチング性、
卿像性に優れるものであった。
以下余白 第2表 ! (発明の効果) 本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、耐ドライエツ
チング性、解像性および耐熱性に優れ、可視光線、紫外
線、遠紫外線、X線、分子線、イオン線、電子線、T線
等の放射線を照射することによって、レジストパターン
を形成させる集積回路作製用ポジ型レジストとして特に
有用であり、またマスク作製用ポジ型レジストとじても
有用である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下記一般式( I )と(II)で表わされるフェノ
    ール類をモル比で( I )/(II)=1/99〜100
    /0の割合で用い、カルボニル化合物と重縮合させるこ
    とにより得られるアルカリ可溶性ノボラック樹脂と、1
    ,2−キノンジアジド化合物とを含有することを特徴と
    するポジ型感放射線性樹脂組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・( I
    ) 〔式中、R_1およびR_2は同一または異なる、水酸
    基、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基
    、アルケニル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルコ
    キシカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキロイ
    ルオキシ基、アリーロイルオキシ基、アシル基、シアノ
    基またはニトロ基を意味する〕、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔II〕 〔式中、R_3、R_4およびR_5は同一または異な
    る、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基
    、アルケニル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルコ
    キシカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキロイ
    ルオキシ基、アリーロイルオキシ基、アシル基、シアノ
    基またはニトロ基を意味する〕。
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