JPH0654386B2 - ポジ型感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感放射線性樹脂組成物Info
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- JPH0654386B2 JPH0654386B2 JP61070552A JP7055286A JPH0654386B2 JP H0654386 B2 JPH0654386 B2 JP H0654386B2 JP 61070552 A JP61070552 A JP 61070552A JP 7055286 A JP7055286 A JP 7055286A JP H0654386 B2 JPH0654386 B2 JP H0654386B2
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- JP
- Japan
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- mol
- naphthoquinonediazide
- sulfonic acid
- acid ester
- alkali
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はポジ型感放射線性樹脂組成物に関し、さらに詳
しくは特定のアルカリ可溶性ノボラック樹脂と、１，２
−キノンジアジド化合物とからなる、紫外線、遠紫外
線、Ｘ線、電子線、分子線、線、シンクロトロン放射
線、プロトンビーム等の放射線に感応する、特に集積回
路作製のためのレジストとして好適なポジ型感放射線性
樹脂組成物に関する。
しくは特定のアルカリ可溶性ノボラック樹脂と、１，２
−キノンジアジド化合物とからなる、紫外線、遠紫外
線、Ｘ線、電子線、分子線、線、シンクロトロン放射
線、プロトンビーム等の放射線に感応する、特に集積回
路作製のためのレジストとして好適なポジ型感放射線性
樹脂組成物に関する。
（従来の技術） 従来、集積回路を作製するために使用されるレジストと
しては、環化ゴムにビスアジド化合物を配合したネガ型
レジストと、アルカリ可溶性樹脂に１，２−キノンジア
ジド化合物を配合したポジ型レジストが知られている。
ネガ型レジストは、紫外線照射によりビスアジド化合物
が窒素を脱離してナイトレンとなり、環化ゴムを三次元
架橋するため、環化ゴムの溶剤からなる現像液に対する
紫外線照射部分と未照射部分との溶解性に差が生じ、こ
れによりパターニングされるが、架橋といっても紫外線
照射部分が完全に硬化するわけではないため、現像液中
でのレジストパターンの膨潤が大きく、レジストパター
ンの解像度が悪いという欠点がある。
しては、環化ゴムにビスアジド化合物を配合したネガ型
レジストと、アルカリ可溶性樹脂に１，２−キノンジア
ジド化合物を配合したポジ型レジストが知られている。
ネガ型レジストは、紫外線照射によりビスアジド化合物
が窒素を脱離してナイトレンとなり、環化ゴムを三次元
架橋するため、環化ゴムの溶剤からなる現像液に対する
紫外線照射部分と未照射部分との溶解性に差が生じ、こ
れによりパターニングされるが、架橋といっても紫外線
照射部分が完全に硬化するわけではないため、現像液中
でのレジストパターンの膨潤が大きく、レジストパター
ンの解像度が悪いという欠点がある。
一方、ポジ型レジストは、アルカリ可溶性樹脂にアルカ
リ不溶性の１，２−キノンジアジド化合物を配合するた
め、アルカリ性水溶液からなる現像液に溶解しにくく、
ほとんど膨潤もしない。すなわちポジ型レジストでは紫
外線照射部分の１，２−キノンジアジド化合物がインデ
ンカルボン酸に変化し、アルカリ性水溶液からなる現像
液で現像されても、レジストパターンとなる未照射部分
の変化が極端に少ないため、マスクのパターンに忠実
な、かつ高い解像度のレジストパターンが得られる。こ
のため集積回路の高集積度化が要求される近年は、解像
度の優れたポジ型レジストが多用されている。
リ不溶性の１，２−キノンジアジド化合物を配合するた
め、アルカリ性水溶液からなる現像液に溶解しにくく、
ほとんど膨潤もしない。すなわちポジ型レジストでは紫
外線照射部分の１，２−キノンジアジド化合物がインデ
ンカルボン酸に変化し、アルカリ性水溶液からなる現像
液で現像されても、レジストパターンとなる未照射部分
の変化が極端に少ないため、マスクのパターンに忠実
な、かつ高い解像度のレジストパターンが得られる。こ
のため集積回路の高集積度化が要求される近年は、解像
度の優れたポジ型レジストが多用されている。
しかしながら、ポジ型レジストの場合にも紫外線露光部
がウエーハと接している部分まで、速やかに現像されな
ければマスクに忠実なレジストパターンを得ることが困
難であり、また集積度が高く、レジストパターン間隔
（以下、「線幅」という）が１μｍ以下と狭い現在で
は、レジストパターンの裾の部分の現像性が大きく解像
度に影響を与える。
がウエーハと接している部分まで、速やかに現像されな
ければマスクに忠実なレジストパターンを得ることが困
難であり、また集積度が高く、レジストパターン間隔
（以下、「線幅」という）が１μｍ以下と狭い現在で
は、レジストパターンの裾の部分の現像性が大きく解像
度に影響を与える。
また集積回路の形成において、解像度を１μｍ以下にす
るために採用される縮小投影露光方式には、スループッ
トが低い、すなわちウエーハ１枚当たりの露光時間が長
くなるという問題が生じている。このような問題を解決
するためには、レジストを高感度化することが必要であ
る。
るために採用される縮小投影露光方式には、スループッ
トが低い、すなわちウエーハ１枚当たりの露光時間が長
くなるという問題が生じている。このような問題を解決
するためには、レジストを高感度化することが必要であ
る。
一方、ＬＳＩの集積度の向上とともに配線の幅が微細化
され、その手段としてドライエッチングが行なわれてい
る。このドライエッチングを行なう間は加熱によってレ
ジストパターンが変化しないことが望ましいが、従来の
ポジ型レジストは耐熱性が不十分である。
され、その手段としてドライエッチングが行なわれてい
る。このドライエッチングを行なう間は加熱によってレ
ジストパターンが変化しないことが望ましいが、従来の
ポジ型レジストは耐熱性が不十分である。
このようにレジストとして要求される性能としては、
「解像度」、「感度」「現像性」、および「耐熱性」が
挙げられ、このうち感度と耐熱性とは相反する傾向にあ
る。すなわち、ノボラック樹脂の分子量を低くすると、
感度は上昇するものの耐熱性は悪化する。また現像性お
よび解像度もノボラック樹脂の分子量を低くすると、良
好な傾向にあるが、耐熱性は悪化する。
「解像度」、「感度」「現像性」、および「耐熱性」が
挙げられ、このうち感度と耐熱性とは相反する傾向にあ
る。すなわち、ノボラック樹脂の分子量を低くすると、
感度は上昇するものの耐熱性は悪化する。また現像性お
よび解像度もノボラック樹脂の分子量を低くすると、良
好な傾向にあるが、耐熱性は悪化する。
このように前記のレジストとして要求される性能の一方
を改良しようとすれば、他方が悪化してしまうため、従
来のポジ型レジストはいずれも不十分なものであった。
を改良しようとすれば、他方が悪化してしまうため、従
来のポジ型レジストはいずれも不十分なものであった。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、解像
度、感度、現像性、および耐熱性に優れた高集積度用ポ
ジ型レジストとして好適なポジ型感放射線性樹脂組成物
を提供することにある。
度、感度、現像性、および耐熱性に優れた高集積度用ポ
ジ型レジストとして好適なポジ型感放射線性樹脂組成物
を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１，２−キ
ノンジアジド化合物とからなるポジ型感放射線性樹脂組
成物において、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂とし
て、ｍ−クレゾール３０〜９０モル％および一般式
（Ｉ） （式中Ｘは−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ（ＣＨ３）３、
−ＣＯ２ＣＨ３または−ＣＯ２Ｃ２Ｈ５を意味し、３≧
ｎ≧１、３≧ｍ≧１である）で表わされる化合物（但し
ｍ−クレゾールは除く）７０〜１０モル％を含むフェノ
ール類とホルムアルデヒドとを縮合させて得られ、かつ
単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミェーション
クロマトグラフ（ＧＰＣ）法により求めたポリスチレン
換算分子量が６３００〜２５，０００、２５００〜６０
００および１５０〜９００の範囲にあるピークの最大の
高さの値をそれぞれａ、ｂおよびｃとしたとき、ａ／ｂ
＝０〜1.5およびｃ／ｂ＝0.5〜1.5の範囲にある樹脂を
用いることを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成物を
提供するものである。
ノンジアジド化合物とからなるポジ型感放射線性樹脂組
成物において、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂とし
て、ｍ−クレゾール３０〜９０モル％および一般式
（Ｉ） （式中Ｘは−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ（ＣＨ３）３、
−ＣＯ２ＣＨ３または−ＣＯ２Ｃ２Ｈ５を意味し、３≧
ｎ≧１、３≧ｍ≧１である）で表わされる化合物（但し
ｍ−クレゾールは除く）７０〜１０モル％を含むフェノ
ール類とホルムアルデヒドとを縮合させて得られ、かつ
単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミェーション
クロマトグラフ（ＧＰＣ）法により求めたポリスチレン
換算分子量が６３００〜２５，０００、２５００〜６０
００および１５０〜９００の範囲にあるピークの最大の
高さの値をそれぞれａ、ｂおよびｃとしたとき、ａ／ｂ
＝０〜1.5およびｃ／ｂ＝0.5〜1.5の範囲にある樹脂を
用いることを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成物を
提供するものである。
本発明の組成物においては、アルカリ可溶性ノボラック
樹脂として、ｍ−クレゾール３０〜９０モル％および前
記一般式（Ｉ）の化合物３０〜９０モル％を含むフェノ
ール類とホルムアルデヒドとを縮合させて得られる樹脂
が用いられる。
樹脂として、ｍ−クレゾール３０〜９０モル％および前
記一般式（Ｉ）の化合物３０〜９０モル％を含むフェノ
ール類とホルムアルデヒドとを縮合させて得られる樹脂
が用いられる。
本発明に用いられる前記一般式（Ｉ）の化合物として
は、例えばｏ−クレゾール、３，５−ジメチルフェノー
ル、２，５−ジメチルフェノール、２，３−ジメチルフ
ェノール、２，４−ジメチルフェノール、２，６−ジメ
チルフェノール、３，４−ジメチルフェノール、２，
３，５−トリメチルフェノール、４−ｔ−ブチルフェノ
ール、２−ｔ−ブチルフェノール、３−ｔ−ブチルフェ
ノール、２−メチルレゾルシノール、４−メチルレゾル
シノール、５−メチルレゾルシノール、４−ｔ−ブチル
カテコール、４−メトキシフェノール、３−メトキシフ
ェノール、２−メトキシフェノール、２−メトキシカテ
コール、２−メトキシレゾルシノール、３−メトキシレ
ゾルシノール、２，３−ジメトキシフェノール、２，５
−ジメトキシフェノール、３，５−ジメトキシフェノー
ル、没食子酸メチル、没食子酸エチル、３−メトキシ−
４，５−ジヒドロキシ安息香酸メチル、３−メトキシ−
４，５−ジヒドロキシ安息香酸エチル、４−メトキシ
３，５−ジヒドロキシ安息香酸メチル、４−メトキシ−
３，５−ジヒドロキシ安息香酸エチル、３，４−ジメト
キシ−５−ヒドロキシ安息香酸メチル、３，４−ジメト
キシ−５−ヒドロキシ安息香酸エチル、３，５−ジメト
キシ−４−ヒドロキシ安息香酸メチル、３，５−ジメト
キシ−４−ヒドロキシ安息香酸エチル、３−エチルフェ
ノール、２−エチルフェノール、４−エチルフェノー
ル、２，３，５−トリエチルフェノール、３，５−ジエ
チルフェノール、２，５−ジエチルフェノール、２，３
−ジエチルフェノール等が挙げられる。これらの化合物
は単独でまたは２種以上組合せて用いられる。
は、例えばｏ−クレゾール、３，５−ジメチルフェノー
ル、２，５−ジメチルフェノール、２，３−ジメチルフ
ェノール、２，４−ジメチルフェノール、２，６−ジメ
チルフェノール、３，４−ジメチルフェノール、２，
３，５−トリメチルフェノール、４−ｔ−ブチルフェノ
ール、２−ｔ−ブチルフェノール、３−ｔ−ブチルフェ
ノール、２−メチルレゾルシノール、４−メチルレゾル
シノール、５−メチルレゾルシノール、４−ｔ−ブチル
カテコール、４−メトキシフェノール、３−メトキシフ
ェノール、２−メトキシフェノール、２−メトキシカテ
コール、２−メトキシレゾルシノール、３−メトキシレ
ゾルシノール、２，３−ジメトキシフェノール、２，５
−ジメトキシフェノール、３，５−ジメトキシフェノー
ル、没食子酸メチル、没食子酸エチル、３−メトキシ−
４，５−ジヒドロキシ安息香酸メチル、３−メトキシ−
４，５−ジヒドロキシ安息香酸エチル、４−メトキシ
３，５−ジヒドロキシ安息香酸メチル、４−メトキシ−
３，５−ジヒドロキシ安息香酸エチル、３，４−ジメト
キシ−５−ヒドロキシ安息香酸メチル、３，４−ジメト
キシ−５−ヒドロキシ安息香酸エチル、３，５−ジメト
キシ−４−ヒドロキシ安息香酸メチル、３，５−ジメト
キシ−４−ヒドロキシ安息香酸エチル、３−エチルフェ
ノール、２−エチルフェノール、４−エチルフェノー
ル、２，３，５−トリエチルフェノール、３，５−ジエ
チルフェノール、２，５−ジエチルフェノール、２，３
−ジエチルフェノール等が挙げられる。これらの化合物
は単独でまたは２種以上組合せて用いられる。
ｍ−クレゾールと前記一般式（Ｉ）の化合物との使用割
合（モル％）は、３０〜９０／７０〜１０である。
合（モル％）は、３０〜９０／７０〜１０である。
ｍ−クレゾールおよび前記一般式（Ｉ）の化合物の使用
割合が３０モル％未満または９０モル％を超える場合に
は、解像度および現像性が低下する。なお、この使用割
合はノボラック樹脂合成時の原料の使用割合である。
割合が３０モル％未満または９０モル％を超える場合に
は、解像度および現像性が低下する。なお、この使用割
合はノボラック樹脂合成時の原料の使用割合である。
また本発明に用いられるアルカリ可溶性ノボラック樹脂
は、東洋ソーダ製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ６２本、
Ｇ３０００Ｈ６１本、Ｇ４０００Ｈ６１本）を用い、流
量1.5ml／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温
度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とす
るゲルパーミェーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法に
より求めたポリスチレン換算分子量が６３００〜２５，
０００、２５００〜６０００および１５０〜９００の範
囲にあるピークの最大の高さの値をそれぞれａ，ｂおよ
びｃとしたとき、ａ／ｂ＝０〜1.5およびｃ／ｂ＝0.5〜
1.5の範囲にある樹脂である。このアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂を用いることにより、従来のアルカリ可溶性
ノボラック樹脂に比べ、解像度、感度、現像性、および
耐熱性に優れたものが得られる。
は、東洋ソーダ製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ６２本、
Ｇ３０００Ｈ６１本、Ｇ４０００Ｈ６１本）を用い、流
量1.5ml／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温
度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とす
るゲルパーミェーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法に
より求めたポリスチレン換算分子量が６３００〜２５，
０００、２５００〜６０００および１５０〜９００の範
囲にあるピークの最大の高さの値をそれぞれａ，ｂおよ
びｃとしたとき、ａ／ｂ＝０〜1.5およびｃ／ｂ＝0.5〜
1.5の範囲にある樹脂である。このアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂を用いることにより、従来のアルカリ可溶性
ノボラック樹脂に比べ、解像度、感度、現像性、および
耐熱性に優れたものが得られる。
ａ／ｂの値が1.5を超える場合には、現像性および感度
が悪化する。またｃ／ｂの値が1.5を超える場合には、
耐熱性が悪化し、ｃ／ｂの値が0.5未満の場合には、感
度および解像度が低下する。
が悪化する。またｃ／ｂの値が1.5を超える場合には、
耐熱性が悪化し、ｃ／ｂの値が0.5未満の場合には、感
度および解像度が低下する。
本発明に用いられる前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂
は、前記フェノール類を酸触媒の存在下にホルムアルデ
ヒドと縮合させて合成されるが、無触媒でも合成するこ
とができる。この際用いられる酸触媒としては、例えば
塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、ギ酸、蓚酸、酢酸等の有
機酸が挙げられる。ホルムアルデヒドの使用量はフェノ
ール類１モルに対して0.7〜３モル、酸触媒の使用量は
フェノール類１モルに対して０〜0.1モルが好ましい。
は、前記フェノール類を酸触媒の存在下にホルムアルデ
ヒドと縮合させて合成されるが、無触媒でも合成するこ
とができる。この際用いられる酸触媒としては、例えば
塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、ギ酸、蓚酸、酢酸等の有
機酸が挙げられる。ホルムアルデヒドの使用量はフェノ
ール類１モルに対して0.7〜３モル、酸触媒の使用量は
フェノール類１モルに対して０〜0.1モルが好ましい。
縮合反応においては、通常、反応触媒として水を用いる
が、使用するフェノール類がホルムアルデヒドの水溶液
に溶解せず、反応初期から不均一系になる場合には、反
応媒質として親水性溶媒を使用することもできる。この
際用いられる親水性溶媒としては、例えばメタノール、
エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール
類、またはテトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エ
ーテル類が挙げられる。
が、使用するフェノール類がホルムアルデヒドの水溶液
に溶解せず、反応初期から不均一系になる場合には、反
応媒質として親水性溶媒を使用することもできる。この
際用いられる親水性溶媒としては、例えばメタノール、
エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール
類、またはテトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エ
ーテル類が挙げられる。
これらの反応媒質の使用量は、好ましくはフェノール類
とホルムアルデヒドの総量１００重量部当たり、２０〜
１０００重量部である。
とホルムアルデヒドの総量１００重量部当たり、２０〜
１０００重量部である。
縮合反応の反応温度は、フェノール類とホルムアルデヒ
ドの反応性に応じて適宜調整することができるが、通
常、１０〜２００℃、好ましくは７０〜１３０℃であ
る。また前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂を得る反応
法としては、例えば反応性の少ないフェノール類、ホル
ムアルデヒドおよび酸触媒を一括して仕込んで反応させ
る方法、ホルムアルデヒドおよび酸触媒にフェノール類
を反応の進行とともに加えて反応させる方法等が挙げら
れる。このフェノール類を反応の進行とともに加えて反
応させる方法においては、前記アルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂をより再現性よく、安定的に製造するため、始め
にフェノール類の一部、ホルムアルデヒドおよび酸触媒
を仕込んで重合させ、その後残りのフェノール類を反応
の進行とともに加えて反応させる方法をとることが好ま
しい。縮合反応終了後、系内に存在する未反応物、酸触
媒および反応媒質を除去するため、一般的には内温を１
３０〜２３０℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去し、
次いで溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹脂をスチー
ル製ベルト等の上に流涎して、アルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂を回収するが、溶剤に溶解させて回収する方法を
とることもできる。
ドの反応性に応じて適宜調整することができるが、通
常、１０〜２００℃、好ましくは７０〜１３０℃であ
る。また前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂を得る反応
法としては、例えば反応性の少ないフェノール類、ホル
ムアルデヒドおよび酸触媒を一括して仕込んで反応させ
る方法、ホルムアルデヒドおよび酸触媒にフェノール類
を反応の進行とともに加えて反応させる方法等が挙げら
れる。このフェノール類を反応の進行とともに加えて反
応させる方法においては、前記アルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂をより再現性よく、安定的に製造するため、始め
にフェノール類の一部、ホルムアルデヒドおよび酸触媒
を仕込んで重合させ、その後残りのフェノール類を反応
の進行とともに加えて反応させる方法をとることが好ま
しい。縮合反応終了後、系内に存在する未反応物、酸触
媒および反応媒質を除去するため、一般的には内温を１
３０〜２３０℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去し、
次いで溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹脂をスチー
ル製ベルト等の上に流涎して、アルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂を回収するが、溶剤に溶解させて回収する方法を
とることもできる。
本発明に用いられる１，２−キノンジアジド化合物は、
特に限定されないが、例えば１，２−ベンゾキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸エステル等が挙げられ
る。具体的にはｐ−クレゾール−１，２−ベンゾキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、レゾルシノール−
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、ピロガロール−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル等の（ポリ）ヒドロキシベンゼン
の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル類、２，
４−ジヒドロキシフェニル−プロピルケトン−１，２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，
４−ジヒドロキシフェニル−ｎ−ヘキシルケトン−１，
２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，４
−トリヒドロキシフェノン−ｎ−ヘキシルケトン−１，
２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，４，
６−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，４，６−
トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸エステル、２，２′，４，
４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，
４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，
２′，４．４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エ
ステル、２，２′，３，４，６′−ペンタヒドロキシベ
ンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、２，２′，３，４，６′−ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸エステル、２，３，３′，４，
４′，５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−１，２
−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
２，３，３′，４，４′，５′−ヘキサヒドロキシベン
ゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸エステル、２，３′，４，４′，５′，６−ヘキ
サヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホン酸エステル、２，３′，４，
４′，５′，６−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル等の（ポリ）ヒドロキシフェニルアルキルケトンまた
は（ポリ）ヒドロキシフェニルアリールケトンの１，２
−キノンジアジドスルホン酸エステル類、ビス（ｐ−ヒ
ドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステル、ビス（２，４−ジヒド
ロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸エステル、ビス（２，３，４−トリ
ヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステル、２，２−ビス（ｐ−
ヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、２，２−ビス
（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，
２−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロ
パン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル等のビス〔（ポリ）ヒドロキシフェニル）アル
カンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル類、
３，５−ジヒドロキシ安息香酸ラウリル−１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，
４−トリヒドロキシ安息香酸フェニル−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル、３，４，５
−トリヒドロキシ安息香酸プロピル−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸エステル、３，４，５−
トリヒドロキシ安息香酸フェニル−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステル等の（ポリ）ヒド
ロキシ安息香酸アルキルエステルまたは（ポリ）ヒドロ
キシ安息香酸アリールエステルの１，２−キノンジアジ
ドスルホン酸エステル類、ビス（２，５−ジヒドロキシ
ベンゾイル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−
４−スルホン酸エステル、ビス（２，３，４−トリヒド
ロキシベンゾイル）メタン−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル、ビス（２，４，６−ト
リヒドロキシベンゾイル）メタン−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステル、ｐ−ビス（２，
５−ジヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、ｐ−ビス
（２，３，４−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル、ｐ−ビス（２，４，６−トリヒドロキシベンゾイ
ル）ベンゼン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸エステル等のビス〔（ポリ）ヒドロキシベンゾ
イル〕アルカンまたはビス〔（ポリ）ヒドロキシベンゾ
イル〕ベンゼンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル類、エチレングリコール−ジ（３，５−ジヒドロ
キシベンゾエート）−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル、ポリエチレングリコール
（３，４，５−トリヒドロキシベンゾエート）−１，２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等の
（ポリ）エチレングリコール−ジ〔（ポリ）ヒドロキシ
ベンゾエート〕の１，２−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル類、水酸基を有するα−ピロン系天然色素の１，
２−キノンジアジドスルホン酸エステル類、水酸基を有
する−ピロン系天然色素の１，２−キノンジアジドス
ルホン酸エステル類、水酸基を有するジアジン系天然色
素の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル類等が
挙げられる。これらの化合物の他に、Ｊ．Ｋｏｓａｒ著
“Ｌｉｇｈｔ−Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ”
３３９〜３５２，（１９６５）、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ
＆Ｓｏｎｓ社（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）ゆＷ．Ｓ．Ｄｅ
Ｆｏｒｅｓｔ著“Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ”５０，（１
９７５）、ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ，Ｉｎｃ．，（Ｎｅ
ｗ Ｙｏｒｋ）に掲載されている１，２−キノンジアジ
ド化合物を用いることもできる。
特に限定されないが、例えば１，２−ベンゾキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸エステル等が挙げられ
る。具体的にはｐ−クレゾール−１，２−ベンゾキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、レゾルシノール−
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、ピロガロール−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル等の（ポリ）ヒドロキシベンゼン
の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル類、２，
４−ジヒドロキシフェニル−プロピルケトン−１，２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，
４−ジヒドロキシフェニル−ｎ−ヘキシルケトン−１，
２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，４
−トリヒドロキシフェノン−ｎ−ヘキシルケトン−１，
２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，４，
６−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，４，６−
トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸エステル、２，２′，４，
４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，
４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，
２′，４．４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エ
ステル、２，２′，３，４，６′−ペンタヒドロキシベ
ンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、２，２′，３，４，６′−ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸エステル、２，３，３′，４，
４′，５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−１，２
−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
２，３，３′，４，４′，５′−ヘキサヒドロキシベン
ゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸エステル、２，３′，４，４′，５′，６−ヘキ
サヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホン酸エステル、２，３′，４，
４′，５′，６−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル等の（ポリ）ヒドロキシフェニルアルキルケトンまた
は（ポリ）ヒドロキシフェニルアリールケトンの１，２
−キノンジアジドスルホン酸エステル類、ビス（ｐ−ヒ
ドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステル、ビス（２，４−ジヒド
ロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸エステル、ビス（２，３，４−トリ
ヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステル、２，２−ビス（ｐ−
ヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、２，２−ビス
（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，
２−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロ
パン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル等のビス〔（ポリ）ヒドロキシフェニル）アル
カンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル類、
３，５−ジヒドロキシ安息香酸ラウリル−１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，
４−トリヒドロキシ安息香酸フェニル−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル、３，４，５
−トリヒドロキシ安息香酸プロピル−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸エステル、３，４，５−
トリヒドロキシ安息香酸フェニル−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステル等の（ポリ）ヒド
ロキシ安息香酸アルキルエステルまたは（ポリ）ヒドロ
キシ安息香酸アリールエステルの１，２−キノンジアジ
ドスルホン酸エステル類、ビス（２，５−ジヒドロキシ
ベンゾイル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−
４−スルホン酸エステル、ビス（２，３，４−トリヒド
ロキシベンゾイル）メタン−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル、ビス（２，４，６−ト
リヒドロキシベンゾイル）メタン−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステル、ｐ−ビス（２，
５−ジヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、ｐ−ビス
（２，３，４−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル、ｐ−ビス（２，４，６−トリヒドロキシベンゾイ
ル）ベンゼン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸エステル等のビス〔（ポリ）ヒドロキシベンゾ
イル〕アルカンまたはビス〔（ポリ）ヒドロキシベンゾ
イル〕ベンゼンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル類、エチレングリコール−ジ（３，５−ジヒドロ
キシベンゾエート）−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル、ポリエチレングリコール
（３，４，５−トリヒドロキシベンゾエート）−１，２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等の
（ポリ）エチレングリコール−ジ〔（ポリ）ヒドロキシ
ベンゾエート〕の１，２−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル類、水酸基を有するα−ピロン系天然色素の１，
２−キノンジアジドスルホン酸エステル類、水酸基を有
する−ピロン系天然色素の１，２−キノンジアジドス
ルホン酸エステル類、水酸基を有するジアジン系天然色
素の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル類等が
挙げられる。これらの化合物の他に、Ｊ．Ｋｏｓａｒ著
“Ｌｉｇｈｔ−Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ”
３３９〜３５２，（１９６５）、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ
＆Ｓｏｎｓ社（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）ゆＷ．Ｓ．Ｄｅ
Ｆｏｒｅｓｔ著“Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ”５０，（１
９７５）、ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ，Ｉｎｃ．，（Ｎｅ
ｗ Ｙｏｒｋ）に掲載されている１，２−キノンジアジ
ド化合物を用いることもできる。
これらの１，２−キノンジアジド化合物は単独でまたは
２種以上混合して用いられる。
２種以上混合して用いられる。
これらの１，２−キノンジアジド化合物の配合量は、前
記アルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部に対し
て、通常、５〜１００重量部、好ましくは１０〜５０重
量部である。この配合量が５重量部未満の場合には、
１，２−キノンジアジド化合物が放射線を吸収して生成
するカルボン酸量が少ないので、パターニングが困難で
あり、一方、１００重量部を超える場合には、短時間の
放射線照射では加えた１，２−キノンジアジド化合物の
全てを分解することができず、アルカリ性水溶液からな
る現像液による現像が困難となる。
記アルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部に対し
て、通常、５〜１００重量部、好ましくは１０〜５０重
量部である。この配合量が５重量部未満の場合には、
１，２−キノンジアジド化合物が放射線を吸収して生成
するカルボン酸量が少ないので、パターニングが困難で
あり、一方、１００重量部を超える場合には、短時間の
放射線照射では加えた１，２−キノンジアジド化合物の
全てを分解することができず、アルカリ性水溶液からな
る現像液による現像が困難となる。
本発明の組成物には、レジストとしての感度を向上させ
るため、これらの増感剤を配合することができる。これ
らの増感剤としては、例えば２Ｈ−ピリド〔３，２−
ｂ〕−１，４−オキサジン−３〔４Ｈ〕オン類、１０Ｈ
−ピリド〔３，２−ｂ〕〔１，４〕−ベンゾチアジン
類、ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビツール酸
類、グリシン無水物類、１−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ール類、アロキサン類、マレイミド類、さらに特公昭４
８−１２２４２号公報、特公昭４８−３５４０２号公
報、特開昭５８−３７６４１号公報、特開昭５８−１４
９０４２号公報等に記載されている増感剤が挙げられ
る。増感剤の配合量は前記１，２−キノンジアジド化合
物１００重量部に対し、通常、１００重量部以下、好ま
しくは４〜６０重量部である。
るため、これらの増感剤を配合することができる。これ
らの増感剤としては、例えば２Ｈ−ピリド〔３，２−
ｂ〕−１，４−オキサジン−３〔４Ｈ〕オン類、１０Ｈ
−ピリド〔３，２−ｂ〕〔１，４〕−ベンゾチアジン
類、ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビツール酸
類、グリシン無水物類、１−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ール類、アロキサン類、マレイミド類、さらに特公昭４
８−１２２４２号公報、特公昭４８−３５４０２号公
報、特開昭５８−３７６４１号公報、特開昭５８−１４
９０４２号公報等に記載されている増感剤が挙げられ
る。増感剤の配合量は前記１，２−キノンジアジド化合
物１００重量部に対し、通常、１００重量部以下、好ま
しくは４〜６０重量部である。
本発明の組成物には、塗布性、例えばストリエーション
や乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性を改良するた
めに界面活性剤を配合することができる。界面活性剤と
しては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、
ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエ
チレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキ
ルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノール
エーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテ
ル等のポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル
類、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレ
ングリコールジステアレート等のポリエチレングリコー
ルジアルキルエーテル等のノニオン系界面活性剤、エフ
トップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（新秋田化
成（株）製）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３（大日
本インキ（株）製）、特開昭５７−１７８２４２号公報
に例示されるフッ化アルキル基またはパーフルオロアル
キル基を有する直鎖状のフッ素系界面活性剤、フロラー
ドＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）
製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８
２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０
４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフ
ッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３
４１（信越化学工業（株）製）、アクリル酸系またはメ
タクリル酸系（共）重合体ポリフローNo７５、No．９５
（共栄社油脂化学工業（株）製）等が挙げられる。
や乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性を改良するた
めに界面活性剤を配合することができる。界面活性剤と
しては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、
ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエ
チレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキ
ルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノール
エーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテ
ル等のポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル
類、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレ
ングリコールジステアレート等のポリエチレングリコー
ルジアルキルエーテル等のノニオン系界面活性剤、エフ
トップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（新秋田化
成（株）製）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３（大日
本インキ（株）製）、特開昭５７−１７８２４２号公報
に例示されるフッ化アルキル基またはパーフルオロアル
キル基を有する直鎖状のフッ素系界面活性剤、フロラー
ドＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）
製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８
２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０
４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフ
ッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３
４１（信越化学工業（株）製）、アクリル酸系またはメ
タクリル酸系（共）重合体ポリフローNo７５、No．９５
（共栄社油脂化学工業（株）製）等が挙げられる。
これらの界面活性剤は単独でまたは２種以上混合して用
いられる。界面活性剤の配合量は、組成物中のアルカリ
可溶性ノボラック樹脂および１，２−キノンジアジド化
合物の総量１００重量部当たり、通常、２重量部以下、
好ましくは１重量部以下である。
いられる。界面活性剤の配合量は、組成物中のアルカリ
可溶性ノボラック樹脂および１，２−キノンジアジド化
合物の総量１００重量部当たり、通常、２重量部以下、
好ましくは１重量部以下である。
また、本発明の組成物には、放射線照射部の潜像を可視
化させたり、放射線照射時のハレーションの影響を少な
くするために着色剤を、また接着性を改良するために接
着助剤を配合することもできる。
化させたり、放射線照射時のハレーションの影響を少な
くするために着色剤を、また接着性を改良するために接
着助剤を配合することもできる。
着色剤としては、例えばメチルバイオレット２Ｂ（ＣＩ
No．４２５５５）、マラカイトグリーン（ＣＩNo．４２
０００）、ビクトリアブルーＢ（ＣＩNo．４４０４
５）、ニュートラルレッド（ＣＩNo．５００４０）、ソ
ルベントイエロー２（ＣＩNo．１１０２０）、ソルベン
トイエロー６（ＣＩNo．１１３９０）、ソルベントイエ
ロー１４（ＣＩNo．１２０５５）、ソルベントイエロー
１５（ＣＩNo．１８８２０）、ソルベントイエロー１６
（ＣＩNo．１２７００）、ソルベントイエロー２１（Ｃ
ＩNo．１８６９０）、ソルベントイエローＤ−３３（Ｃ
ＩNo．４７０００）、ソルベントイエロー５６（ＣＩN
o．１１０２１）、ソルベントオレンジ１（ＣＩNo．１
１９２０）、ソルベントオレンジ２（ＣＩNo．１２１０
０）、ソルベントオレンジ１４（ＣＩNo．２６０２
０）、ソルベントオレンジ４０、ソルベントレッド３
（ＣＩNo．１２０１０）、ソルベントレッド８（ＣＩN
o．１２７１５）、ソルベントレッド２３（ＣＩNo．２
６１００）ソルベントレッド２４（ＣＩNo．２６１０
５）、ソルベントレッド２５（ＣＩNo．２６１１０）、
ソルベントレッド２７（ＣＩNo．２６１２５）、ソルベ
ントレッド（ＣＩNo．４５１７０Ｂ）、ディスパースレ
ッド９（ＣＩNo．６０５０５）、オイルスカーレット３
０８（ＣＩNo．２１２６０）、ソルベントブラウン（Ｃ
ＩNo．１２０２０）、ディスパースイエロー１（ＣＩN
o．１０３４５）、ディスパースイエロー３（ＣＩNo．
１１８５５）、ディスパースイエロー４（ＣＩNo．１２
７７０）、ディスパースイエロー８（ＣＩNo．２７０９
０）、ディスパースイエロー４２（ＣＩNo．１０３３
８）、ディスパースオレンジ１（ＣＩNo．１１０８
０）、ディスパースオレンジ３（ＣＩNo．１１００
５）、ディスパースオレンジ５（ＣＩNo．１１１０
０）、ディスパースオレンジ１１（ＣＩNo．６０７０
０）、ディスパースレッド１（ＣＩNo．１１１１０）、
ディスパースレッド４（ＣＩNo．６０７５５）、ディス
パースレッド１１（ＣＩNo．６２０１５）、ディスパー
スレッド１５（ＣＩNo．６０７１０）、ディスパースレ
ッド５８（ＣＩNo．１１１３５）等の油溶染料、分散染
料または塩素性染料、ミケトン・ファスト・イエロー７
Ｇ、ミケトン・ファスト・オレンジ５Ｒ（三井東圧染料
（株）製）、ホロン（サンド社製）、マクロレックスイ
エロー６Ｇ（バイエル社製）等のメチン系染料、スチル
ベン、４，４−ジアミノスチルベンスルホン酸誘導体、
クマリン誘導体、ピラゾリン誘導体等の螢光増白剤、特
開昭５９−１４２５３８号公報に記載されたヒドロキシ
アゾ系染料等が挙げられる。これらの着色剤の配合量
は、本発明の組成物中のアルカリ可溶性ノボラック樹脂
および１，２−キノンジアジド化合物の総量１００重量
部当たり、通常、６重量部以下、好ましくは４重量部以
下である。
No．４２５５５）、マラカイトグリーン（ＣＩNo．４２
０００）、ビクトリアブルーＢ（ＣＩNo．４４０４
５）、ニュートラルレッド（ＣＩNo．５００４０）、ソ
ルベントイエロー２（ＣＩNo．１１０２０）、ソルベン
トイエロー６（ＣＩNo．１１３９０）、ソルベントイエ
ロー１４（ＣＩNo．１２０５５）、ソルベントイエロー
１５（ＣＩNo．１８８２０）、ソルベントイエロー１６
（ＣＩNo．１２７００）、ソルベントイエロー２１（Ｃ
ＩNo．１８６９０）、ソルベントイエローＤ−３３（Ｃ
ＩNo．４７０００）、ソルベントイエロー５６（ＣＩN
o．１１０２１）、ソルベントオレンジ１（ＣＩNo．１
１９２０）、ソルベントオレンジ２（ＣＩNo．１２１０
０）、ソルベントオレンジ１４（ＣＩNo．２６０２
０）、ソルベントオレンジ４０、ソルベントレッド３
（ＣＩNo．１２０１０）、ソルベントレッド８（ＣＩN
o．１２７１５）、ソルベントレッド２３（ＣＩNo．２
６１００）ソルベントレッド２４（ＣＩNo．２６１０
５）、ソルベントレッド２５（ＣＩNo．２６１１０）、
ソルベントレッド２７（ＣＩNo．２６１２５）、ソルベ
ントレッド（ＣＩNo．４５１７０Ｂ）、ディスパースレ
ッド９（ＣＩNo．６０５０５）、オイルスカーレット３
０８（ＣＩNo．２１２６０）、ソルベントブラウン（Ｃ
ＩNo．１２０２０）、ディスパースイエロー１（ＣＩN
o．１０３４５）、ディスパースイエロー３（ＣＩNo．
１１８５５）、ディスパースイエロー４（ＣＩNo．１２
７７０）、ディスパースイエロー８（ＣＩNo．２７０９
０）、ディスパースイエロー４２（ＣＩNo．１０３３
８）、ディスパースオレンジ１（ＣＩNo．１１０８
０）、ディスパースオレンジ３（ＣＩNo．１１００
５）、ディスパースオレンジ５（ＣＩNo．１１１０
０）、ディスパースオレンジ１１（ＣＩNo．６０７０
０）、ディスパースレッド１（ＣＩNo．１１１１０）、
ディスパースレッド４（ＣＩNo．６０７５５）、ディス
パースレッド１１（ＣＩNo．６２０１５）、ディスパー
スレッド１５（ＣＩNo．６０７１０）、ディスパースレ
ッド５８（ＣＩNo．１１１３５）等の油溶染料、分散染
料または塩素性染料、ミケトン・ファスト・イエロー７
Ｇ、ミケトン・ファスト・オレンジ５Ｒ（三井東圧染料
（株）製）、ホロン（サンド社製）、マクロレックスイ
エロー６Ｇ（バイエル社製）等のメチン系染料、スチル
ベン、４，４−ジアミノスチルベンスルホン酸誘導体、
クマリン誘導体、ピラゾリン誘導体等の螢光増白剤、特
開昭５９−１４２５３８号公報に記載されたヒドロキシ
アゾ系染料等が挙げられる。これらの着色剤の配合量
は、本発明の組成物中のアルカリ可溶性ノボラック樹脂
および１，２−キノンジアジド化合物の総量１００重量
部当たり、通常、６重量部以下、好ましくは４重量部以
下である。
接着助剤としては、例えば３−アミノプロピルトリエト
キシシラン、ビニルトリクロロシラン、２−（３，４−
エポキシシクロヘキシルエチル）トリメトキシシラン等
のシリコン化合物が用いられる。接着助剤の配合量は、
本発明の組成物中のアルカリ可溶性ノボラック樹脂およ
び１，２−キノンジアジド化合物の総量１００重量部当
たり、通常、４重量部以下、好ましくは２重量部以下で
ある。
キシシラン、ビニルトリクロロシラン、２−（３，４−
エポキシシクロヘキシルエチル）トリメトキシシラン等
のシリコン化合物が用いられる。接着助剤の配合量は、
本発明の組成物中のアルカリ可溶性ノボラック樹脂およ
び１，２−キノンジアジド化合物の総量１００重量部当
たり、通常、４重量部以下、好ましくは２重量部以下で
ある。
さらに本発明の組成物には、必要に応じて保存安定剤、
消泡剤等も配合することができる。
消泡剤等も配合することができる。
本発明の組成物を基板に塗布するに際しては、前記アル
カリ可溶性ノボラック樹脂、前記１，２−キノンジアジ
ド化合物および各種配合剤を、例えば濃度が５〜５０重
量％となるように適当な溶剤に所定量ずつ溶解し、例え
ば孔径0.2μｍ程度のフィルタで濾過することにより調
製した組成物溶液を回転塗布、流し塗布、ロール塗布等
によりシリコンウェーハ等に塗布する。この際に用いら
れる溶剤としては、例えばエチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等
のグリコールエーテル類、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブエステ
ル類、２−オキシプロピオン酸メチル、２−オキシプロ
ピオン酸エチル等のモノオキシモノカルボン酸エステル
類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、または
酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類が挙げられる。
これらの溶剤は単独でまたは２種以上組合わせて用いら
れる。また必要に応じ、ベンジルエチルエーテル、ジヘ
キシルエーテル等のエーテル類、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル等のグリコールエーテル類、アセトニルアセト
ン、イソホロン等のケトン類、カプロン酸、カプリル酸
等の脂肪酸類、１−オクタノール、１−ノナノール、ベ
ンジルアルコール等のアルコール類、または酢酸ベンジ
ル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジ
エチル、−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロ
ピレン、フェニルセロソルブアセテート等のエステル類
のような高沸点溶剤を添加することもできる。
カリ可溶性ノボラック樹脂、前記１，２−キノンジアジ
ド化合物および各種配合剤を、例えば濃度が５〜５０重
量％となるように適当な溶剤に所定量ずつ溶解し、例え
ば孔径0.2μｍ程度のフィルタで濾過することにより調
製した組成物溶液を回転塗布、流し塗布、ロール塗布等
によりシリコンウェーハ等に塗布する。この際に用いら
れる溶剤としては、例えばエチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等
のグリコールエーテル類、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブエステ
ル類、２−オキシプロピオン酸メチル、２−オキシプロ
ピオン酸エチル等のモノオキシモノカルボン酸エステル
類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、または
酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類が挙げられる。
これらの溶剤は単独でまたは２種以上組合わせて用いら
れる。また必要に応じ、ベンジルエチルエーテル、ジヘ
キシルエーテル等のエーテル類、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル等のグリコールエーテル類、アセトニルアセト
ン、イソホロン等のケトン類、カプロン酸、カプリル酸
等の脂肪酸類、１−オクタノール、１−ノナノール、ベ
ンジルアルコール等のアルコール類、または酢酸ベンジ
ル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジ
エチル、−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロ
ピレン、フェニルセロソルブアセテート等のエステル類
のような高沸点溶剤を添加することもできる。
本発明の組成物の現像液としては、例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウ
ム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカ
リ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第１級ア
ミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の
第２級アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルア
ミン等の第３級アミン類、ジメチルエタノールアミン、
トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモ
ニウムヒドロキシド、コリン等の第４級アンモニウム
塩、またはピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシ
クロ（５，４，０）−７−ウンデセン、１，５−ジアザ
ビシクロ（４，３，０）−５−ノナン等の環状アミン類
を溶解してなるアルカリ性水溶液が使用される。金属を
含有する現像液の使用が問題となる集積回路の作製時に
は、第４級アンモニウム塩や環状アミン類のアルカリ性
水溶液を使用することが好ましい。
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウ
ム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカ
リ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第１級ア
ミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の
第２級アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルア
ミン等の第３級アミン類、ジメチルエタノールアミン、
トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモ
ニウムヒドロキシド、コリン等の第４級アンモニウム
塩、またはピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシ
クロ（５，４，０）−７−ウンデセン、１，５−ジアザ
ビシクロ（４，３，０）−５−ノナン等の環状アミン類
を溶解してなるアルカリ性水溶液が使用される。金属を
含有する現像液の使用が問題となる集積回路の作製時に
は、第４級アンモニウム塩や環状アミン類のアルカリ性
水溶液を使用することが好ましい。
また前記現像液に水溶性有機溶媒、例えばメタノール、
エタノール等のアルコール類や界面活性剤を適量添加し
て使用することもできる。
エタノール等のアルコール類や界面活性剤を適量添加し
て使用することもできる。
（実施例） 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれらの実施例によって何ら制約されるものではな
い。
明はこれらの実施例によって何ら制約されるものではな
い。
実施例１ 攪拌器、冷却管および温度計を装着した５セパラブル
フラスコに、ｍ−クレゾール３２４ｇ（３モル）、３，
５−ジメチルフェノール２４４ｇ（２モル）、３７重量
％ホルムアルデヒド水溶液７７０ｇおよび蓚酸0.8ｇを
仕込み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を１０
０℃に保持しながら１時間反応させ、その後さらにｍ−
クレゾール３２４ｇ（３モル）および３，５−ジメチル
フェノール２４４ｇ（２モル）を反応の進行とともに連
続的にセパラブルフラスコに仕込み、２時間反応させ
た。
フラスコに、ｍ−クレゾール３２４ｇ（３モル）、３，
５−ジメチルフェノール２４４ｇ（２モル）、３７重量
％ホルムアルデヒド水溶液７７０ｇおよび蓚酸0.8ｇを
仕込み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を１０
０℃に保持しながら１時間反応させ、その後さらにｍ−
クレゾール３２４ｇ（３モル）および３，５−ジメチル
フェノール２４４ｇ（２モル）を反応の進行とともに連
続的にセパラブルフラスコに仕込み、２時間反応させ
た。
次いで、油浴温度を１８０℃まで上昇させ、同時にセパ
ラブルフラスコ内を減圧にして水、ホルムアルデヒド、
未反応のｍ−クレゾール，３，５−ジメチルフェノール
および蓚酸を除去した。次いで溶融したノボラック樹脂
を室温に戻し回収した。
ラブルフラスコ内を減圧にして水、ホルムアルデヒド、
未反応のｍ−クレゾール，３，５−ジメチルフェノール
および蓚酸を除去した。次いで溶融したノボラック樹脂
を室温に戻し回収した。
このノボラック樹脂をテトラヒドロフランに溶解し、前
記のＧＰＣ法にてノボラック樹脂の分子量分布を測定し
た。その結果を第１表に示す。
記のＧＰＣ法にてノボラック樹脂の分子量分布を測定し
た。その結果を第１表に示す。
このようにして得られたノボラック樹脂１００重量部と
第１表に記載の１，２−キノンジアジド化合物２９重量
部とを、エチルセロソルブアセテート剤３０１重量部に
溶解し、本発明の組成物溶液を調製した。この組成物溶
液はポアサイズ0.2μｍのフィルタで濾過して異物微粒
子を除去した。
第１表に記載の１，２−キノンジアジド化合物２９重量
部とを、エチルセロソルブアセテート剤３０１重量部に
溶解し、本発明の組成物溶液を調製した。この組成物溶
液はポアサイズ0.2μｍのフィルタで濾過して異物微粒
子を除去した。
これを常法によりシリコンウェハー上にスピンナーで回
転塗布したのち、９０℃で２分間ホットプレート上にて
プレベークして1.2μｍ厚のレジスト膜を形成した。次
いで縮小投影露光機にて露光量を変化させ、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド2.4重量％水溶液を用い２
５℃で６０秒間現像し、水でリンスし、乾燥した後、得
られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察した
ところ、現像残りは認められず、感度は良好であり、さ
らにレジストパターンが細くなることがなく、線幅0.8
μｍのレジストパターンが解像できた。またオーブン中
にレジストパターンを形成したウエハーを入れてパター
ンが崩れ始めたときの温度を求めたところ、１５０℃で
あり、レジストとして耐熱性が良好なことが分かった。
その結果を第１表に示す。
転塗布したのち、９０℃で２分間ホットプレート上にて
プレベークして1.2μｍ厚のレジスト膜を形成した。次
いで縮小投影露光機にて露光量を変化させ、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド2.4重量％水溶液を用い２
５℃で６０秒間現像し、水でリンスし、乾燥した後、得
られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察した
ところ、現像残りは認められず、感度は良好であり、さ
らにレジストパターンが細くなることがなく、線幅0.8
μｍのレジストパターンが解像できた。またオーブン中
にレジストパターンを形成したウエハーを入れてパター
ンが崩れ始めたときの温度を求めたところ、１５０℃で
あり、レジストとして耐熱性が良好なことが分かった。
その結果を第１表に示す。
実施例２ 実施例１と同様なセパラブルフラスコに、ｍ−クレゾー
ル２７０ｇ（2.5モル）、３，５−ジメチルフェノール
３０５ｇ、（2.5モル）、３７重量％ホルムアルデヒド
水溶液７７０ｇおよびシュウ酸0.8ｇを仕込み、セパラ
ブルフラスコを油浴に浸し、内温を１００℃に保持しな
がら１時間反応させ、その後さらにｍ−クレゾール２７
０ｇ（2.5モル）および３，５−ジメチルフェノール３
０５ｇ（2.5モル）を反応の進行とともに連続的にセパ
ラブルフラスコに仕込み、２時間反応させた。その後実
施例１と同様にしてノボラック樹脂を合成し、前記のＧ
ＰＣ法にて、ノボラック樹脂の分子量分布を測定した。
その結果を第１表に示す。次いで、第１表に示す添加量
の１，２−キノンジアジド化合物を用い、その他は実施
例１と同様にして本発明の組成物溶液を調製し、濾過
し、レジスト性能の評価を行なった。その結果を第１表
に示す。いずれも感度、解像度、現像性および耐熱性の
優れたものであった。
ル２７０ｇ（2.5モル）、３，５−ジメチルフェノール
３０５ｇ、（2.5モル）、３７重量％ホルムアルデヒド
水溶液７７０ｇおよびシュウ酸0.8ｇを仕込み、セパラ
ブルフラスコを油浴に浸し、内温を１００℃に保持しな
がら１時間反応させ、その後さらにｍ−クレゾール２７
０ｇ（2.5モル）および３，５−ジメチルフェノール３
０５ｇ（2.5モル）を反応の進行とともに連続的にセパ
ラブルフラスコに仕込み、２時間反応させた。その後実
施例１と同様にしてノボラック樹脂を合成し、前記のＧ
ＰＣ法にて、ノボラック樹脂の分子量分布を測定した。
その結果を第１表に示す。次いで、第１表に示す添加量
の１，２−キノンジアジド化合物を用い、その他は実施
例１と同様にして本発明の組成物溶液を調製し、濾過
し、レジスト性能の評価を行なった。その結果を第１表
に示す。いずれも感度、解像度、現像性および耐熱性の
優れたものであった。
実施例３ 実施例１と同様なセパラブルフラスコに、ｍ−クレゾー
ル３２４ｇ（３モル）、２，３，５−トリメチルフェノ
ール２７２ｇ（２モル）、３７重量％ホルムアルデヒド
水溶液８９２ｇおよびシュウ酸3.0ｇを仕込み、セパラ
ブルフラスコを油浴に浸し、内温を１００℃に保持しな
がら３時間反応させ、その後さらにｍ−クレゾール３２
４ｇ（３モル）および２，３，５−トリメチルフェノー
ル２７２ｇ（２モル）を反応の進行とともに連続的にセ
パラブルフラスコに仕込み、３時間反応させた。その
後、実施例１と同様にして、ノボラック樹脂を合成し、
前記ＧＰＣ法にてノボラック樹脂の分子量分布を測定し
た。その結果を第１表に示す。次いで実施例１と同様に
して本発明の組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性
能の評価を行なった。その結果を第１表に示す。いずれ
も感度、解像度、現像性および耐熱性の優れたものであ
った。
ル３２４ｇ（３モル）、２，３，５−トリメチルフェノ
ール２７２ｇ（２モル）、３７重量％ホルムアルデヒド
水溶液８９２ｇおよびシュウ酸3.0ｇを仕込み、セパラ
ブルフラスコを油浴に浸し、内温を１００℃に保持しな
がら３時間反応させ、その後さらにｍ−クレゾール３２
４ｇ（３モル）および２，３，５−トリメチルフェノー
ル２７２ｇ（２モル）を反応の進行とともに連続的にセ
パラブルフラスコに仕込み、３時間反応させた。その
後、実施例１と同様にして、ノボラック樹脂を合成し、
前記ＧＰＣ法にてノボラック樹脂の分子量分布を測定し
た。その結果を第１表に示す。次いで実施例１と同様に
して本発明の組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性
能の評価を行なった。その結果を第１表に示す。いずれ
も感度、解像度、現像性および耐熱性の優れたものであ
った。
実施例４ 実施例１と同様なセパラブルフラスコに、ｍ−クレゾー
ル２１６ｇ（２モル）、４−ｔ−ブチルフェノール３０
０ｇ（２モル）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液７
７０ｇおよびシュウ酸3.0ｇを仕込み、セパラブルフラ
スコを油浴に浸し、内温を１００℃に保持しながら３時
間反応させ、その後さらにｍ−クレゾール６４８ｇ（６
モル）を反応の進行とともに連続的にセパラブルフラス
コに仕込み、４時間反応させた。その後実施例１と同様
にして、ノボラック樹脂を合成し、前記ＧＰＣ法にて、
ノボラック樹脂の分子量分布を測定した。この結果を第
１表に示す。次いで第１表に示す種類および添加量の
１，２−キノンジアジド化合物を用い、その他は実施例
１と同様にして本発明の組成物溶液を調製し、濾過し、
レジスト性能の評価を行なった。その結果を第１表に示
す。いずれも感度、解像度、現像性および耐熱性の優れ
たものであった。
ル２１６ｇ（２モル）、４−ｔ−ブチルフェノール３０
０ｇ（２モル）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液７
７０ｇおよびシュウ酸3.0ｇを仕込み、セパラブルフラ
スコを油浴に浸し、内温を１００℃に保持しながら３時
間反応させ、その後さらにｍ−クレゾール６４８ｇ（６
モル）を反応の進行とともに連続的にセパラブルフラス
コに仕込み、４時間反応させた。その後実施例１と同様
にして、ノボラック樹脂を合成し、前記ＧＰＣ法にて、
ノボラック樹脂の分子量分布を測定した。この結果を第
１表に示す。次いで第１表に示す種類および添加量の
１，２−キノンジアジド化合物を用い、その他は実施例
１と同様にして本発明の組成物溶液を調製し、濾過し、
レジスト性能の評価を行なった。その結果を第１表に示
す。いずれも感度、解像度、現像性および耐熱性の優れ
たものであった。
実施例５ 実施例１で得られたノボラック樹脂ならびに第１表に示
す種類および添加量の１，２−キノンジアジド化合物を
用い、その他は実施例１と同様にして本発明の組成物溶
液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を行なった。
その結果を第１表に示す。いずれも感度、解像度、現像
性および耐熱性の優れたものであった。
す種類および添加量の１，２−キノンジアジド化合物を
用い、その他は実施例１と同様にして本発明の組成物溶
液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を行なった。
その結果を第１表に示す。いずれも感度、解像度、現像
性および耐熱性の優れたものであった。
実施例６ 実施例１で得られたノボラック樹脂ならびに第２表に示
す種類および添加量の１，２−キノンジアジド化合物を
用い、その他は実施例１と同様にして本発明の組成物溶
液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を行なった。
その結果を第２表に示す。いずれも感度、解像度、現像
性および耐熱性の優れたものであった。
す種類および添加量の１，２−キノンジアジド化合物を
用い、その他は実施例１と同様にして本発明の組成物溶
液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を行なった。
その結果を第２表に示す。いずれも感度、解像度、現像
性および耐熱性の優れたものであった。
実施例７ 実施例２で得られたノボラック樹脂ならびに第２表に示
す種類および添加量の１，２−キノンジアジド化合物を
用い、その他は実施例１と同様にして本発明の組成物溶
液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を行なった。
その結果を第２表に示す。いずれも感度、解像度、現像
性および耐熱性の優れたものであった。
す種類および添加量の１，２−キノンジアジド化合物を
用い、その他は実施例１と同様にして本発明の組成物溶
液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を行なった。
その結果を第２表に示す。いずれも感度、解像度、現像
性および耐熱性の優れたものであった。
実施例８および９ 実施例３で得られたノボラック樹脂ならびに第２表に示
す種類および添加量の１，２−キノンジアジド化合物を
用い、その他は実施例１と同様にして本発明の組成物溶
液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を行なった。
その結果を第２表に示す。いずれも感度、解像度、現像
性および耐熱性の優れたものであった。
す種類および添加量の１，２−キノンジアジド化合物を
用い、その他は実施例１と同様にして本発明の組成物溶
液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を行なった。
その結果を第２表に示す。いずれも感度、解像度、現像
性および耐熱性の優れたものであった。
実施例１０および１１ 実施例１と同様なセパラブルフラスコに、ｍ−クレゾー
ル４３２ｇ（４モル）、２，３，５−トリメチルフェノ
ール７３６ｇ（１モル）、３７重量％ホルムアルデヒド
水溶液８９２ｇおよびシュウ酸3.0ｇを仕込み、セパラ
ブルフラスコを油浴に浸し、内温１００℃に保持しなが
ら３時間反応させ、その後さらにｍ−クレゾール１０８
ｇ（１モル）、２，３，５−トリメチルフェノール５４
４ｇ（４モル）を反応の進行とともに連続的にセパラブ
ルフラスコに仕込み、２時間反応させた。その後実施例
１と同様にしてノボラック樹脂を合成し、前記のＧＰＣ
法にて、ノボラック樹脂の分子量分布を測定した。その
結果を第２表に示す。
ル４３２ｇ（４モル）、２，３，５−トリメチルフェノ
ール７３６ｇ（１モル）、３７重量％ホルムアルデヒド
水溶液８９２ｇおよびシュウ酸3.0ｇを仕込み、セパラ
ブルフラスコを油浴に浸し、内温１００℃に保持しなが
ら３時間反応させ、その後さらにｍ−クレゾール１０８
ｇ（１モル）、２，３，５−トリメチルフェノール５４
４ｇ（４モル）を反応の進行とともに連続的にセパラブ
ルフラスコに仕込み、２時間反応させた。その後実施例
１と同様にしてノボラック樹脂を合成し、前記のＧＰＣ
法にて、ノボラック樹脂の分子量分布を測定した。その
結果を第２表に示す。
次いで第２表に示す種類および添加量の１，２−キノン
ジアジド化合物を用い、その他は実施例１と同様にして
本発明の組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性能の
評価を行なった。その結果を第２表に示す。いずれも感
度、解像度、現像性および耐熱性の優れたものであっ
た。
ジアジド化合物を用い、その他は実施例１と同様にして
本発明の組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性能の
評価を行なった。その結果を第２表に示す。いずれも感
度、解像度、現像性および耐熱性の優れたものであっ
た。
実施例１２および１３ 実施例１と同様なセパラブルフラスコに、ｍ−クレゾー
ル１０８ｇ（１モル）、３，５−ジメチルフェノール４
８８ｇ（４モル）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液
７７０ｇおよびシュウ酸0.8ｇを仕込み、セパラブルフ
ラスコを油浴に浸し、内温を１００℃に保持しながら0.
5時間反応させ、その後さらにｍ−クレゾール４３２ｇ
（４モル）、３，５−ジメチルフェノール１２２ｇ（１
モル）を反応の進行とともに連続的にセパラブルフラス
コに仕込み、1.5時間反応させた。その後実施例１と同
様にしてノボラック樹脂を合成し、前記のＧＰＣ法にて
ノボラック樹脂の分子量分布を測定した。その結果を第
２表に示す。
ル１０８ｇ（１モル）、３，５−ジメチルフェノール４
８８ｇ（４モル）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液
７７０ｇおよびシュウ酸0.8ｇを仕込み、セパラブルフ
ラスコを油浴に浸し、内温を１００℃に保持しながら0.
5時間反応させ、その後さらにｍ−クレゾール４３２ｇ
（４モル）、３，５−ジメチルフェノール１２２ｇ（１
モル）を反応の進行とともに連続的にセパラブルフラス
コに仕込み、1.5時間反応させた。その後実施例１と同
様にしてノボラック樹脂を合成し、前記のＧＰＣ法にて
ノボラック樹脂の分子量分布を測定した。その結果を第
２表に示す。
次いで第２表に示す種類と添加量の１，２−キノンジア
ジド化合物を用い、その他は実施例１と同様にして、本
発明の組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性能の評
価を行なった。その結果を第２表に示す。いずれも感
度、解像度、現像性および耐熱性の優れたものであっ
た。
ジド化合物を用い、その他は実施例１と同様にして、本
発明の組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性能の評
価を行なった。その結果を第２表に示す。いずれも感
度、解像度、現像性および耐熱性の優れたものであっ
た。
比較例１ 実施例１と同様のセパラブルフラスコに、ｍ−クレゾー
ル６４８ｇ（６モル）、反応活性の高い３，５−ジメチ
ルフェノール４８８ｇ（４モル）、３７重量％ホルムア
ルデヒド水溶液７７０ｇおよび蓚酸８ｇを一括して仕込
み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を１００℃
に保持しながら２時間反応させ、その後実施例１と同様
に処理してＧＰＣ法にてノボラック樹脂の分子量分布を
測定した。その結果を第１表に示す。
ル６４８ｇ（６モル）、反応活性の高い３，５−ジメチ
ルフェノール４８８ｇ（４モル）、３７重量％ホルムア
ルデヒド水溶液７７０ｇおよび蓚酸８ｇを一括して仕込
み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を１００℃
に保持しながら２時間反応させ、その後実施例１と同様
に処理してＧＰＣ法にてノボラック樹脂の分子量分布を
測定した。その結果を第１表に示す。
次いで第１表に示す種類および添加量の１，２−キノン
ジアジド化合物を用い、その他は実施例１と同様にして
組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を行
なった。その結果を第１表に示すが、実施例に比べ感
度、解像度および現像性が劣るものであった。
ジアジド化合物を用い、その他は実施例１と同様にして
組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を行
なった。その結果を第１表に示すが、実施例に比べ感
度、解像度および現像性が劣るものであった。
比較例２および３ 第１表に示す各種フェノール類を用い、その他は比較例
１と同様にしてノボラック樹脂を合成し、ＧＰＣ法にて
ノボラック樹脂の分子量分布を測定した。その結果を第
１表に示す。
１と同様にしてノボラック樹脂を合成し、ＧＰＣ法にて
ノボラック樹脂の分子量分布を測定した。その結果を第
１表に示す。
次いで第１表に示す種類および添加量の１，２−キノン
ジアジド化合物を用い、その他は実施例１と同様にして
本発明の組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性能の
評価を行なった。その結果を第１表に示すが、実施例に
比べ感度、解像度および現像性が劣るものであった。
ジアジド化合物を用い、その他は実施例１と同様にして
本発明の組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性能の
評価を行なった。その結果を第１表に示すが、実施例に
比べ感度、解像度および現像性が劣るものであった。
第１表の結果から、本発明の組成物は、感度、解像度、
現像性および耐熱性のバランスに優れていることが分か
る。
現像性および耐熱性のバランスに優れていることが分か
る。
（発明の効果） 本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、特定のアルカ
リ可溶性ノボラック樹脂を使用することにより、解像
度、感度、現像性、および耐熱性に優れ、さらに耐ドラ
イエッチング性にも優れたポジ型レジストとして好適な
ものである。
リ可溶性ノボラック樹脂を使用することにより、解像
度、感度、現像性、および耐熱性に優れ、さらに耐ドラ
イエッチング性にも優れたポジ型レジストとして好適な
ものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−17112（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−182633（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−57339（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−140235（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−189739（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１，２−
キノンジアジド化合物とからなるポジ型感放射線性樹脂
組成物において、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂とし
て、ｍ−クレゾール３０〜９０モル％および一般式
（Ｉ） 〔式中Ｘは−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ（ＣＨ３）３、
−ＣＯ２ＣＨ３または−ＣＯ２Ｃ２Ｈ５を意味し、３≧
ｎ≧１、３≧ｍ≧１である〕で表される化合物（但しｍ
−クレゾールは除く）７０〜１０モル％を含むフェノー
ル類とホルムアルデヒドとを縮合させて得られ、かつ単
分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミェーションク
ロマトグラフ（ＧＰＣ）法により求めたポリスチレン換
算分子量が６，３００〜２５，０００、２，５００〜
６，０００および１５０〜９００の範囲にあるピークの
最大の高さの値をそれぞれａ、ｂおよびｃとしたとき、
ａ／ｂ＝０〜1.5およびｃ／ｂ＝0.5〜1.5の範囲にある
樹脂を用いることを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組
成物。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP61070552A JPH0654386B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| EP87302750A EP0239423B1 (en) | 1986-03-28 | 1987-03-30 | Positive type radiation-sensitive resin composition |
| DE3751743T DE3751743T2 (de) | 1986-03-28 | 1987-03-30 | Positiv arbeitende photoempfindliche Kunststoffzusammensetzung |
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| JP61070552A JPH0654386B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
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Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| JPS58182633A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型画像の形成方法 |
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-
1986
- 1986-03-28 JP JP61070552A patent/JPH0654386B2/ja not_active Expired - Lifetime
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