JP3317595B2 - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アルカリ可溶性樹脂お
よび１,２−キノンジアジド化合物を含有する感放射線
性樹脂組成物に関する。さらに詳しくは紫外線、遠紫外
線、Ｘ線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射
線、プロトンビーム等の放射線に感応する高集積回路作
製用レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物に関す
る。
よび１,２−キノンジアジド化合物を含有する感放射線
性樹脂組成物に関する。さらに詳しくは紫外線、遠紫外
線、Ｘ線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射
線、プロトンビーム等の放射線に感応する高集積回路作
製用レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ポジ型レジストは、高解像度のレジスト
パターンが得られるため、集積回路の製造において多く
用いられているが、近年における集積回路の高集積化に
伴って、より解像度の向上したレジストパターンを形成
できるポジ型レジストが望まれている。一般にポジ型レ
ジストの解像度を向上させる方法としては、含有される
アルカリ可溶性樹脂の分子量を低下させる方法がある
が、レジストの耐熱性が低下するといった問題が生じ
る。また、キノンジアジド化合物の添加量を増やすこと
が考えられるが、しかしながらキノンジアジド化合物の
添加量が多くなると、現像性が悪化するというように、
一方の性能を向上させると他方の性能低下が生じてしま
う。そのため、高解像度、耐熱性および微細なパターン
での良好な現像性を備えたポジ型レジストが望まれてい
る。
パターンが得られるため、集積回路の製造において多く
用いられているが、近年における集積回路の高集積化に
伴って、より解像度の向上したレジストパターンを形成
できるポジ型レジストが望まれている。一般にポジ型レ
ジストの解像度を向上させる方法としては、含有される
アルカリ可溶性樹脂の分子量を低下させる方法がある
が、レジストの耐熱性が低下するといった問題が生じ
る。また、キノンジアジド化合物の添加量を増やすこと
が考えられるが、しかしながらキノンジアジド化合物の
添加量が多くなると、現像性が悪化するというように、
一方の性能を向上させると他方の性能低下が生じてしま
う。そのため、高解像度、耐熱性および微細なパターン
での良好な現像性を備えたポジ型レジストが望まれてい
る。
【０００３】特開平３−１７９３５３号公報には、下記
式
式
【０００４】
【化２】
【０００５】［式中、Ｒはアルキル基またはアルコキシ
ル基であり、ｎは０以上３以下の数である。］で表わさ
れるフェノール化合物を含有するアルカリ可溶性樹脂と
１,２−キノンジアジド化合物とを含有するポジ型感放
射線性レジスト組成物が開示されている。
ル基であり、ｎは０以上３以下の数である。］で表わさ
れるフェノール化合物を含有するアルカリ可溶性樹脂と
１,２−キノンジアジド化合物とを含有するポジ型感放
射線性レジスト組成物が開示されている。
【０００６】また、特開平４−１６５０号公報には、下
記式
記式
【０００７】
【化３】
【０００８】［式中、Ａはアルキレン基、置換アルキレ
ン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アリーレ
ン基または置換アリーレン基であり、Ｒ1〜Ｒ8は同一も
しくは異なり、水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル
基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシル基、Ｃ2〜Ｃ4のアルケニル
基または水酸基である。］で表わされる化合物、アルカ
リ可溶性フェノール樹脂およびキノンジアジドスルホン
酸エステル系感光剤を含有するポジ型レジスト組成物が
開示されている。しかし、これらのポジ型レジスト組成
物では、感度、解像度、現像性、耐熱性のバランスがと
れ、それぞれの特性に優れた組成物は得られていなかっ
た。
ン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アリーレ
ン基または置換アリーレン基であり、Ｒ1〜Ｒ8は同一も
しくは異なり、水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル
基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシル基、Ｃ2〜Ｃ4のアルケニル
基または水酸基である。］で表わされる化合物、アルカ
リ可溶性フェノール樹脂およびキノンジアジドスルホン
酸エステル系感光剤を含有するポジ型レジスト組成物が
開示されている。しかし、これらのポジ型レジスト組成
物では、感度、解像度、現像性、耐熱性のバランスがと
れ、それぞれの特性に優れた組成物は得られていなかっ
た。
【０００９】
【発明が解決すべき課題】本発明の目的は新規な感放射
線性樹脂組成物を提供することにある。本発明の他の目
的は、特にスカムの発生が有効に抑制され、現像性に優
れているとともに高解像度で、耐熱性に優れたポジ型レ
ジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供するこ
とにある。本発明のさらに他の目的および利点は以下の
説明から明らかになろう。
線性樹脂組成物を提供することにある。本発明の他の目
的は、特にスカムの発生が有効に抑制され、現像性に優
れているとともに高解像度で、耐熱性に優れたポジ型レ
ジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供するこ
とにある。本発明のさらに他の目的および利点は以下の
説明から明らかになろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的および利点は、後述する式（３−１）〜（３
−２４）
の上記目的および利点は、後述する式（３−１）〜（３
−２４）
【００１１】
【００１２】のそれぞれで表されるフェノール化合物よ
りなる群から選ばれる少なくとも１種のフェノール化合
物、アルカリ可溶性樹脂および１,２−キノンジアジド
化合物を含有する感放射線性樹脂組成物によって達成さ
れる。
りなる群から選ばれる少なくとも１種のフェノール化合
物、アルカリ可溶性樹脂および１,２−キノンジアジド
化合物を含有する感放射線性樹脂組成物によって達成さ
れる。
【００１３】以下、本発明を具体的に説明するが、これ
により、本発明の目的、構成および効果が明確となるで
あろう。
により、本発明の目的、構成および効果が明確となるで
あろう。
【００１４】アルカリ可溶性樹脂 本発明において用いられるアルカリ可溶性樹脂（以下、
「樹脂（Ａ）」という。）としては、例えばノボラック
樹脂、ポリビニルフェノールまたはその誘導体、スチレ
ン−無水マレイン酸共重合体、ポリビニルヒドロキシベ
ンゾエート、カルボキシル基含有メタアクリル酸系樹脂
等を挙げることができる。
「樹脂（Ａ）」という。）としては、例えばノボラック
樹脂、ポリビニルフェノールまたはその誘導体、スチレ
ン−無水マレイン酸共重合体、ポリビニルヒドロキシベ
ンゾエート、カルボキシル基含有メタアクリル酸系樹脂
等を挙げることができる。
【００１５】樹脂（Ａ）は、前記例示に代表される樹脂
を単独でまたは２種以上組み合わせて用いることができ
る。
を単独でまたは２種以上組み合わせて用いることができ
る。
【００１６】好ましい樹脂（Ａ）としては、ノボラック
樹脂を挙げることができる。このようなノボラック樹脂
は、下記式（２）
樹脂を挙げることができる。このようなノボラック樹脂
は、下記式（２）
【００１７】
【化５】
【００１８】（式（２）中、ｎは１〜３の整数であ
る。）で表わされるフェノール類とモノアルデヒド化合
物やビスアルデヒド化合物で示されるアルデヒド類とを
重縮合することによって得られる。
る。）で表わされるフェノール類とモノアルデヒド化合
物やビスアルデヒド化合物で示されるアルデヒド類とを
重縮合することによって得られる。
【００１９】上記フェノール類としては、例えばｏ−ク
レゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２,３−
キシレノール、２,５−キシレノール、３,４−キシレノ
ール、３,５−キシレノール、２,３,５−トリメチルフ
ェノール、３,４,５−トリメチルフェノール等を挙げる
ことができる。特にｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、
ｐ−クレゾール、２,３−キシレノール、２,５−キシレ
ノール、３,４−キシレノール、３,５−キシレノールお
よび２,３,５−トリメチルフェノールが好ましい。これ
らのフェノール類は、単独でまたは２種以上組み合わせ
て用いられる。この場合、ｍ−クレゾール／２,３−キ
シレノール／３,４−キシレノール＝２０〜９５／５〜
８０／０〜７５（重量比）、またはｍ−クレゾール／
２,３,５−トリメチルフェノール／２,３−キシレノー
ル＝２０〜９５／５〜８０／０〜７５（重量比）の組み
合わせが特に好ましい。
レゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２,３−
キシレノール、２,５−キシレノール、３,４−キシレノ
ール、３,５−キシレノール、２,３,５−トリメチルフ
ェノール、３,４,５−トリメチルフェノール等を挙げる
ことができる。特にｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、
ｐ−クレゾール、２,３−キシレノール、２,５−キシレ
ノール、３,４−キシレノール、３,５−キシレノールお
よび２,３,５−トリメチルフェノールが好ましい。これ
らのフェノール類は、単独でまたは２種以上組み合わせ
て用いられる。この場合、ｍ−クレゾール／２,３−キ
シレノール／３,４−キシレノール＝２０〜９５／５〜
８０／０〜７５（重量比）、またはｍ−クレゾール／
２,３,５−トリメチルフェノール／２,３−キシレノー
ル＝２０〜９５／５〜８０／０〜７５（重量比）の組み
合わせが特に好ましい。
【００２０】また、上記フェノール類と重縮合させるモ
ノアルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、ト
リオキサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニル
アセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、
β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−
ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズ
アルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロ
ベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−
メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズア
ルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラ
ール等を挙げることができる。ビスアルデヒド類として
は、グリオキサール、グルタルアルデヒド、テレフタル
アルデヒド、イソフタルアルデヒド等を挙げることがで
きる。これらのうち、ホルムアルデヒドを特に好適に用
いることができる。
ノアルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、ト
リオキサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニル
アセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、
β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−
ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズ
アルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロ
ベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−
メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズア
ルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラ
ール等を挙げることができる。ビスアルデヒド類として
は、グリオキサール、グルタルアルデヒド、テレフタル
アルデヒド、イソフタルアルデヒド等を挙げることがで
きる。これらのうち、ホルムアルデヒドを特に好適に用
いることができる。
【００２１】なお、ホルムアルデヒド発生源としては、
例えばホルマリン、トリオキサン、パラホルムアルデヒ
ド、メチルヘミホルマール、エチルヘミホルマール、プ
ロピルヘミホルマール、ブチルヘミホルマール、フェニ
ルヘミホルマール等を挙げることができる。これらのう
ち、ホルマリンとブチルヘミホルマールを特に好適に用
いることができる。
例えばホルマリン、トリオキサン、パラホルムアルデヒ
ド、メチルヘミホルマール、エチルヘミホルマール、プ
ロピルヘミホルマール、ブチルヘミホルマール、フェニ
ルヘミホルマール等を挙げることができる。これらのう
ち、ホルマリンとブチルヘミホルマールを特に好適に用
いることができる。
【００２２】これらのアルデヒド類も単独でまたは２種
以上を組み合わせて用いることができる。アルデヒド類
の使用量は、フェノール類１モルに対し、０.７〜３モ
ルが好ましく、より好ましくは０.８〜１.５モルであ
る。
以上を組み合わせて用いることができる。アルデヒド類
の使用量は、フェノール類１モルに対し、０.７〜３モ
ルが好ましく、より好ましくは０.８〜１.５モルであ
る。
【００２３】フェノール類とアルデヒド類との重縮合反
応には、通常、酸性触媒が使用される。この酸性触媒と
しては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢
酸等を挙げることができる。これらの酸性触媒の使用量
は、通常、フェノール類１モルに対し、１×１０-5〜５
×１０-1モルである。
応には、通常、酸性触媒が使用される。この酸性触媒と
しては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢
酸等を挙げることができる。これらの酸性触媒の使用量
は、通常、フェノール類１モルに対し、１×１０-5〜５
×１０-1モルである。
【００２４】重縮合反応においては、通常、反応媒質と
して水が使用されるが、重縮合反応に用いられるフェノ
ール類がアルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期か
ら不均一系になる場合は、反応媒質として親水性溶媒を
使用することもできる。これらの親水性溶媒としては、
例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール等のアルコール類；テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等の環状エーテル類が挙げられる。これらの反応媒質
の使用量は、通常、反応原料１００重量部当り、２０〜
１,０００重量部である。重縮合反応の温度は、反応原
料の反応性に応じて、適宜調整することができるが、通
常１０〜２００℃である。重縮合反応の方法としては、
フェノール類、アルデヒド類、酸性触媒等を一括して仕
込む方法および酸性触媒の存在下にフェノール類、アル
デヒド類等を反応の進行とともに加えていく方法を採用
することができる。重縮合反応の終了後、系内に存在す
る未反応原料、酸性触媒、反応媒質等を除去するため
に、一般的には、反応系の温度を１３０〜２３０℃に上
昇させ、減圧下で揮発分を留去し、ノボラック樹脂を回
収する。
して水が使用されるが、重縮合反応に用いられるフェノ
ール類がアルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期か
ら不均一系になる場合は、反応媒質として親水性溶媒を
使用することもできる。これらの親水性溶媒としては、
例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール等のアルコール類；テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等の環状エーテル類が挙げられる。これらの反応媒質
の使用量は、通常、反応原料１００重量部当り、２０〜
１,０００重量部である。重縮合反応の温度は、反応原
料の反応性に応じて、適宜調整することができるが、通
常１０〜２００℃である。重縮合反応の方法としては、
フェノール類、アルデヒド類、酸性触媒等を一括して仕
込む方法および酸性触媒の存在下にフェノール類、アル
デヒド類等を反応の進行とともに加えていく方法を採用
することができる。重縮合反応の終了後、系内に存在す
る未反応原料、酸性触媒、反応媒質等を除去するため
に、一般的には、反応系の温度を１３０〜２３０℃に上
昇させ、減圧下で揮発分を留去し、ノボラック樹脂を回
収する。
【００２５】本発明において使用する樹脂（Ａ）のポリ
スチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」とい
う。）は、本発明の組成物を基材へ塗布する際の作業
性、組成物の現像性、感度および耐熱性の点から、２,
０００〜２０,０００であることが好ましく、３,０００
〜１５,０００であることが特に好ましい。
スチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」とい
う。）は、本発明の組成物を基材へ塗布する際の作業
性、組成物の現像性、感度および耐熱性の点から、２,
０００〜２０,０００であることが好ましく、３,０００
〜１５,０００であることが特に好ましい。
【００２６】なお、Ｍｗの高いノボラック樹脂を得るた
めには、上記等の方法により得られたノボラック樹脂
を、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、ジオキサン、メタノール、酢酸エチル等の良溶媒に
溶解したのち、水、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の貧
溶媒を混合し、次いで析出する樹脂溶液層を分離し、高
分子量のノボラック樹脂を回収すればよい。
めには、上記等の方法により得られたノボラック樹脂
を、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、ジオキサン、メタノール、酢酸エチル等の良溶媒に
溶解したのち、水、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の貧
溶媒を混合し、次いで析出する樹脂溶液層を分離し、高
分子量のノボラック樹脂を回収すればよい。
【００２７】フェノール化合物 本発明の組成物は下記式（３−１）〜（３−２４）で表
わされるフェノール化合物（以下、「化合物（ａ）」と
いう。）を含有する。
わされるフェノール化合物（以下、「化合物（ａ）」と
いう。）を含有する。
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【化６】
【００３２】
【化７】
【００３３】
【化８】
【００３４】本発明の組成物においては、化合物（ａ）
を樹脂（Ａ）１００重量部当り、５〜５０重量部、特に
１０〜４０重量部の割合で使用することが好ましい。ま
た、化合物（ａ）は、単独であるいは２種以上を組合せ
て使用することができる。
を樹脂（Ａ）１００重量部当り、５〜５０重量部、特に
１０〜４０重量部の割合で使用することが好ましい。ま
た、化合物（ａ）は、単独であるいは２種以上を組合せ
て使用することができる。
【００３５】本発明においては、化合物（ａ）と併用し
て、化合物（ａ）以外のフェノール化合物（以下、「化
合物（ｂ）」という。）を配合することができる。この
ような化合物（ｂ）としては、ベンゼン環数が２〜６の
フェノール化合物またはＭｗが３００〜１,０００であ
る低分子量のアルカリ可溶性ノボラック樹脂等を挙げる
ことができる。かかる化合物（ｂ）または低分子量のア
ルカリ可溶性ノボラック樹脂の配合量は、通常、樹脂
（Ａ）１００重量部当り、５０重量部以下である。
て、化合物（ａ）以外のフェノール化合物（以下、「化
合物（ｂ）」という。）を配合することができる。この
ような化合物（ｂ）としては、ベンゼン環数が２〜６の
フェノール化合物またはＭｗが３００〜１,０００であ
る低分子量のアルカリ可溶性ノボラック樹脂等を挙げる
ことができる。かかる化合物（ｂ）または低分子量のア
ルカリ可溶性ノボラック樹脂の配合量は、通常、樹脂
（Ａ）１００重量部当り、５０重量部以下である。
【００３６】１,２−キノンジアジド化合物 本発明で用いられる１,２−キノンジアジド化合物とし
ては、例えば１,２−ベンゾキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジド−４−
スルホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル等の１,２−キノンジアジド化
合物が挙げられる。このような１,２−キノンジアジド
化合物は公知の方法、例えばナフトキノンジアジドスル
ホン酸ハロゲン化合物とフェノール化合物とを弱塩基の
存在下で縮合することにより得られる。ここで、フェノ
ール化合物の例としては、２,３,４−トリヒドロキシベ
ンゾフェノン、２,３,４,４'−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、２,３,４,２'４'−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
１,３,５−トリス（４−ヒドロキシ−α,α−ジメチル
ベンジル）ベンゼン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１−［４−｛１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−メチルエチル｝フェニル］エタン、２−
（３,４−ジヒドロキシフェニル）−２−（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２,４,４−トリメチル−２−
（２,４−ジヒドロキシフェニル）−７−ヒドロキシク
ロマン等の化合物を挙げることができる。
ては、例えば１,２−ベンゾキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジド−４−
スルホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル等の１,２−キノンジアジド化
合物が挙げられる。このような１,２−キノンジアジド
化合物は公知の方法、例えばナフトキノンジアジドスル
ホン酸ハロゲン化合物とフェノール化合物とを弱塩基の
存在下で縮合することにより得られる。ここで、フェノ
ール化合物の例としては、２,３,４−トリヒドロキシベ
ンゾフェノン、２,３,４,４'−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、２,３,４,２'４'−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
１,３,５−トリス（４−ヒドロキシ−α,α−ジメチル
ベンジル）ベンゼン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１−［４−｛１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−メチルエチル｝フェニル］エタン、２−
（３,４−ジヒドロキシフェニル）−２−（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２,４,４−トリメチル−２−
（２,４−ジヒドロキシフェニル）−７−ヒドロキシク
ロマン等の化合物を挙げることができる。
【００３７】上記以外の１,２−キノンジアジド化合物
の配合量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対して、好まし
くは１００重量部以下である。
の配合量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対して、好まし
くは１００重量部以下である。
【００３８】また、本発明の組成物中に占める１,２−
キノンジアジドスルホニル残基の総重量は、組成物中の
全固形分に対する割合として、好ましくは５〜５０重量
％、より好ましくは１０〜３０重量％となるように調節
される。
キノンジアジドスルホニル残基の総重量は、組成物中の
全固形分に対する割合として、好ましくは５〜５０重量
％、より好ましくは１０〜３０重量％となるように調節
される。
【００３９】各種配合剤 本発明の組成物には、必要に応じ、増感剤、界面活性剤
等の各種配合剤を配合することができる。
等の各種配合剤を配合することができる。
【００４０】前記増感剤は、レジストの感度を向上させ
るために配合されるものである。このような増感剤とし
ては、例えば２Ｈ−ピリド−［３,２−ｂ］−１,４−オ
キサジン−３（４Ｈ）−オン類、１０Ｈ−ピリド−
［３,２−ｂ］−（１,４）−ベンゾチアジン類、ウラゾ
ール類、ヒダントイン類、パルビツール酸類、グリシン
無水物類、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール類、アロ
キサン類、マレイミド類等が挙げられる。これらの増感
剤の配合量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対し、好まし
くは５０重量部以下である。
るために配合されるものである。このような増感剤とし
ては、例えば２Ｈ−ピリド−［３,２−ｂ］−１,４−オ
キサジン−３（４Ｈ）−オン類、１０Ｈ−ピリド−
［３,２−ｂ］−（１,４）−ベンゾチアジン類、ウラゾ
ール類、ヒダントイン類、パルビツール酸類、グリシン
無水物類、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール類、アロ
キサン類、マレイミド類等が挙げられる。これらの増感
剤の配合量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対し、好まし
くは５０重量部以下である。
【００４１】また、前記界面活性剤は、組成物の塗布性
や現像性を改良するために配合されるものである。この
ような界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレン
ラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテ
ル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポ
リオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレ
ングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジ
ステアレート、メガファックＦ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１
７３（商品名、大日本インキ化学工業社製）、フロラー
ド ＦＣ４３０、ＦＣ４３１（商品名、住友スリーエム
社製）、アサヒガード ＡＧ７１０、サーフロン Ｓ−
３８２、ＳＣ−１０１、ＳＣ−１０２、ＳＣ−１０３、
ＳＣ−１０４、ＳＣ−１０５、ＳＣ−１０６（商品名、
旭硝子社製）、ＫＰ３４１（商品名、信越化学工業社
製）、ポリフローＮｏ．７５、Ｎｏ．９５（商品名、共
栄社油脂化学工業社製）が挙げられる。これらの界面活
性剤の配合量は、各種配合剤を除いた組成物の固形分１
００重量部当り、好ましくは界面活性剤の有効成分が２
重量部以下である。
や現像性を改良するために配合されるものである。この
ような界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレン
ラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテ
ル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポ
リオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレ
ングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジ
ステアレート、メガファックＦ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１
７３（商品名、大日本インキ化学工業社製）、フロラー
ド ＦＣ４３０、ＦＣ４３１（商品名、住友スリーエム
社製）、アサヒガード ＡＧ７１０、サーフロン Ｓ−
３８２、ＳＣ−１０１、ＳＣ−１０２、ＳＣ−１０３、
ＳＣ−１０４、ＳＣ−１０５、ＳＣ−１０６（商品名、
旭硝子社製）、ＫＰ３４１（商品名、信越化学工業社
製）、ポリフローＮｏ．７５、Ｎｏ．９５（商品名、共
栄社油脂化学工業社製）が挙げられる。これらの界面活
性剤の配合量は、各種配合剤を除いた組成物の固形分１
００重量部当り、好ましくは界面活性剤の有効成分が２
重量部以下である。
【００４２】さらに本発明の組成物には、レジストの放
射線照射部の潜像を可視化させ、放射線照射時のハレー
ションの影響を少なくするために、染料や顔料を配合す
ることができ、また接着性を改善するために、接着助剤
を配合することもできる。さらに必要に応じて保存安定
剤、消泡剤等も配合することができる。
射線照射部の潜像を可視化させ、放射線照射時のハレー
ションの影響を少なくするために、染料や顔料を配合す
ることができ、また接着性を改善するために、接着助剤
を配合することもできる。さらに必要に応じて保存安定
剤、消泡剤等も配合することができる。
【００４３】溶剤 本発明の組成物は、前述した樹脂（Ａ）、１,２−キノ
ンジアジド化合物および化合物（ａ）並びに必要に応じ
て用いられる前述した各種配合剤を、例えば固形分濃度
が２０〜４０重量％となるように溶剤に溶解し、孔径
０.２μｍ程度のフィルターで濾過することによって調
製される。
ンジアジド化合物および化合物（ａ）並びに必要に応じ
て用いられる前述した各種配合剤を、例えば固形分濃度
が２０〜４０重量％となるように溶剤に溶解し、孔径
０.２μｍ程度のフィルターで濾過することによって調
製される。
【００４４】この際に用いられる溶剤としては、例えば
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、ト
ルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロ
キシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エ
チル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メ
チルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチ
ル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプ
ロピオン酸エチル、３−メトキシ−２−メチルプロピオ
ン酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等を挙げることが
できる。さらに、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−
メチルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジ
ルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルア
セトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オ
クタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢
酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレ
イン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、
炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート等の高
沸点溶剤を添加することもできる。これらの溶剤は、単
独でまたは２種以上を組み合わせて使用される。
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、ト
ルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロ
キシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エ
チル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メ
チルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチ
ル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプ
ロピオン酸エチル、３−メトキシ−２−メチルプロピオ
ン酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等を挙げることが
できる。さらに、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−
メチルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジ
ルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルア
セトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オ
クタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢
酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレ
イン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、
炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート等の高
沸点溶剤を添加することもできる。これらの溶剤は、単
独でまたは２種以上を組み合わせて使用される。
【００４５】レジスト被膜の形成 溶液として調製された本発明の組成物は、これを回転塗
布、流延塗布、ロール塗布等によって、例えばシリコン
ウェハーまたはアルミニウム等が被覆されたウェハーに
塗布される。次いでこれをプレベークすることによりレ
ジスト被膜を形成し、所望のレジストパターンを形成す
るようにレジスト被膜に放射線を照射し、現像液で現像
することによりパターンの形成が行われる。
布、流延塗布、ロール塗布等によって、例えばシリコン
ウェハーまたはアルミニウム等が被覆されたウェハーに
塗布される。次いでこれをプレベークすることによりレ
ジスト被膜を形成し、所望のレジストパターンを形成す
るようにレジスト被膜に放射線を照射し、現像液で現像
することによりパターンの形成が行われる。
【００４６】この際用いられる放射線としては、ｇ線、
ｉ線等の紫外線が好ましく用いられるが、エキシマレー
ザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電
子線等の荷電粒子線の如き各種放射線を用いることもで
きる。
ｉ線等の紫外線が好ましく用いられるが、エキシマレー
ザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電
子線等の荷電粒子線の如き各種放射線を用いることもで
きる。
【００４７】また本発明の組成物は、レジスト被膜を形
成し、プレベークし放射線照射を行った後、７０〜１４
０℃で加熱する操作を行い、その後に現像することによ
って、本発明の効果をさらに向上させることもできる。
成し、プレベークし放射線照射を行った後、７０〜１４
０℃で加熱する操作を行い、その後に現像することによ
って、本発明の効果をさらに向上させることもできる。
【００４８】上記レジスト被膜に対し使用する現像液と
しては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、
アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジ
エチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルア
ミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、コリン、ピロール、ピペリジン、１,８−ジアザビ
シクロ−［５.４.０］−７−ウンデセン、１,５−ジア
ザビシクロ−［４.３.０］−５−ノネン等のアルカリ性
化合物を、濃度が、例えば１〜１０重量％となるように
溶解してなるアルカリ性水溶液が使用される。また、前
記現像液には、水溶性有機溶媒、例えばメタノール、エ
タノール等のアルコール類や界面活性剤を適量添加して
使用することもできる。なお、このようなアルカリ性水
溶液からなる現像液を使用した場合は、一般的には、現
像後、水で洗浄する。
しては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、
アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジ
エチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルア
ミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、コリン、ピロール、ピペリジン、１,８−ジアザビ
シクロ−［５.４.０］−７−ウンデセン、１,５−ジア
ザビシクロ−［４.３.０］−５−ノネン等のアルカリ性
化合物を、濃度が、例えば１〜１０重量％となるように
溶解してなるアルカリ性水溶液が使用される。また、前
記現像液には、水溶性有機溶媒、例えばメタノール、エ
タノール等のアルコール類や界面活性剤を適量添加して
使用することもできる。なお、このようなアルカリ性水
溶液からなる現像液を使用した場合は、一般的には、現
像後、水で洗浄する。
【００４９】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例によって、なんら制約され
るものではない。なお、実施例中のＭｗの測定およびレ
ジストの評価は、以下の方法により行った。
が、本発明はこれらの実施例によって、なんら制約され
るものではない。なお、実施例中のＭｗの測定およびレ
ジストの評価は、以下の方法により行った。
【００５０】Ｍｗ：東ソー社製ＧＰＣカラム（Ｇ２００
０ＨXL：２本、Ｇ３０００ＨXL：１本、Ｇ４０００
ＨXL：１本）を用い、流量：１.０ｍｌ／分、溶出溶
媒：テトラヒドロフラン、カラム温度：４０℃の分析条
件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエー
ションクロマトグラフ法により測定した。
０ＨXL：２本、Ｇ３０００ＨXL：１本、Ｇ４０００
ＨXL：１本）を用い、流量：１.０ｍｌ／分、溶出溶
媒：テトラヒドロフラン、カラム温度：４０℃の分析条
件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエー
ションクロマトグラフ法により測定した。
【００５１】解像度：０.４μｍのライン・アンド・ス
ペースパターンを１対１に解像するときの露光量で、膜
減りすることなく分離するライン・アンド・スペースパ
ターンの最小寸法を走査型電子顕微鏡で測定した。
ペースパターンを１対１に解像するときの露光量で、膜
減りすることなく分離するライン・アンド・スペースパ
ターンの最小寸法を走査型電子顕微鏡で測定した。
【００５２】現像性：組成物のレジスト被膜を形成し、
パターン形成後のスカムや現像残りの程度を走査型電子
顕微鏡を用いて調べた。
パターン形成後のスカムや現像残りの程度を走査型電子
顕微鏡を用いて調べた。
【００５３】耐熱性：パターンが形成されたウェハーを
オーブン中で２分間加熱し、２.０μｍのライン・アン
ド・スペースパターンが熱変形を始めた温度を測定し
た。
オーブン中で２分間加熱し、２.０μｍのライン・アン
ド・スペースパターンが熱変形を始めた温度を測定し
た。
【００５４】〈樹脂（Ａ）の合成〉合成例１ オートクレーブに、 ｍ−クレゾール ６９.２ｇ（０.６４モル） ２,３−キシレノール ９.８ｇ（０.０８モル） ３,４−キシレノール ９.８ｇ（０.０８モル） ３７重量％ホルムアルデヒド水溶液 ６１.０ｇ（ホルムアルデヒド：０.７５モル） シュウ酸２水和物 ６.３ｇ（０.０５モル） 水 ５２.６ｇ および ジオキサン １８２ｇ を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を１３０
℃に保持して攪拌しながら８時間縮合を行い、反応後、
室温まで冷却し、内容物をビーカーに取り出した。この
ビーカー中で２層に分離したのち、下層を取り出し、濃
縮し、脱水し、乾燥してノボラック樹脂を回収した。こ
の樹脂を、樹脂（Ａ１）という。樹脂（Ａ１）のＭｗは
８,６００であった。
℃に保持して攪拌しながら８時間縮合を行い、反応後、
室温まで冷却し、内容物をビーカーに取り出した。この
ビーカー中で２層に分離したのち、下層を取り出し、濃
縮し、脱水し、乾燥してノボラック樹脂を回収した。こ
の樹脂を、樹脂（Ａ１）という。樹脂（Ａ１）のＭｗは
８,６００であった。
【００５５】合成例２ オートクレーブに、 ｍ−クレゾール ６４.９ｇ（０.６モル） ２,３−キシレノール ３６.７ｇ（０.３モル） ３,４−キシレノール １２.２ｇ（０.１モル） ３７重量％ホルムアルデヒド水溶液 ７７.１ｇ（ホルムアルデヒド：０.９モル） シュウ酸２水和物 ６.３ｇ（０.０５モル） 水 ７９.４ｇ および ジオキサン ３８３.９ｇ を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を１３０
℃に保持して攪拌しながら８時間縮合を行い、反応後、
室温まで冷却し、内容物をビーカーに取り出した。この
ビーカー中で２層に分離したのち、下層を取り出し、濃
縮し、脱水し、乾燥してノボラック樹脂を回収した。こ
の樹脂を、樹脂（Ａ２）という。樹脂（Ａ２）のＭｗは
７,８００であった。
℃に保持して攪拌しながら８時間縮合を行い、反応後、
室温まで冷却し、内容物をビーカーに取り出した。この
ビーカー中で２層に分離したのち、下層を取り出し、濃
縮し、脱水し、乾燥してノボラック樹脂を回収した。こ
の樹脂を、樹脂（Ａ２）という。樹脂（Ａ２）のＭｗは
７,８００であった。
【００５６】〈１,２−キノンジアジド化合物の合成〉合成例３ 遮光下、攪拌機、滴下ロートおよび温度計に装着したフ
ラスコに、 トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン １４.６ｇ（０.０５モル） １,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド ３３.５ｇ（０.１２５モル） および ジオキサン ２４８ｇ を仕込み、攪拌しながら溶解させた。次いで、フラスコ
を３０℃にコントロールされた水浴中に浸し、内温が３
０℃に一定となった時点で、この溶液に トリエチルアミン １３.９ｇ（０.１３８モル） を、内温が３５℃を越えないように滴下ロートを用いて
ゆっくり滴下した。その後、析出したトリエチルアミン
塩酸塩を濾過により取り除き、濾液を大量の希塩酸中に
注ぎ込んで析出させ、次いで析出物を濾取し、４０℃に
コントロールされた加熱真空乾燥器で一昼夜乾燥して
１,２−キノンジアジド化合物（イ）を得た。
ラスコに、 トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン １４.６ｇ（０.０５モル） １,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド ３３.５ｇ（０.１２５モル） および ジオキサン ２４８ｇ を仕込み、攪拌しながら溶解させた。次いで、フラスコ
を３０℃にコントロールされた水浴中に浸し、内温が３
０℃に一定となった時点で、この溶液に トリエチルアミン １３.９ｇ（０.１３８モル） を、内温が３５℃を越えないように滴下ロートを用いて
ゆっくり滴下した。その後、析出したトリエチルアミン
塩酸塩を濾過により取り除き、濾液を大量の希塩酸中に
注ぎ込んで析出させ、次いで析出物を濾取し、４０℃に
コントロールされた加熱真空乾燥器で一昼夜乾燥して
１,２−キノンジアジド化合物（イ）を得た。
【００５７】合成例４ １,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−［４−｛１−（４−ヒドロキ シフェニル）−１−メチルエチル｝フェニル］エタン ２１.２ｇ（０.０５モル） １,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド ２６.８ｇ（０.１モル） トリエチルアミン １１.１ｇ（０.１１モル） および ジオキサン ２３６ｇ を使用した他は合成例３と同様にして１,２−キノンジ
アジド化合物（ロ）を得た。
アジド化合物（ロ）を得た。
【００５８】合成例５ ２,３,４,４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン ２４.６ｇ（０.１０モル） １,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド ８０.６ｇ（０.３０モル） および トリエチルアミン ３３.３ｇ（０.３３モル） を使用した他は合成例３と同様にして１,２−キノンジ
アジド化合物（ハ）を得た。
アジド化合物（ハ）を得た。
【００５９】実施例１〜４および比較例１〜４ 表１に示す組成割合で（但し、部は重量部である）、樹
脂（Ａ）、フェノール化合物（ａ）あるいは化合物
（ｂ）、１,２−キノンジアジド化合物および溶剤を混
合して、均一溶液としたのち、孔径０.２μｍのメンブ
ランフィルターで濾過し、組成物の溶液を調製した。得
られた溶液をシリコン酸化膜を有するシリコンウェハー
上にスピンナーを用いて塗布したのち、ホットプレート
上で９０℃にて２分間プレベークして厚さ１.１μｍの
レジスト膜を形成した。その後、レチクルを介して、
（株）ニコン社製ＮＳＲ−１７５５ｉ７Ａ縮小投影露光
機（レンズ開口数＝０.５０）で波長３６５ｎｍ（ｉ
線）を用いて露光し、２.３８重量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液により現像し、超純水でリ
ンスし、乾燥したのち、該組成物の性能を調べた。結果
を表１に示す。
脂（Ａ）、フェノール化合物（ａ）あるいは化合物
（ｂ）、１,２−キノンジアジド化合物および溶剤を混
合して、均一溶液としたのち、孔径０.２μｍのメンブ
ランフィルターで濾過し、組成物の溶液を調製した。得
られた溶液をシリコン酸化膜を有するシリコンウェハー
上にスピンナーを用いて塗布したのち、ホットプレート
上で９０℃にて２分間プレベークして厚さ１.１μｍの
レジスト膜を形成した。その後、レチクルを介して、
（株）ニコン社製ＮＳＲ−１７５５ｉ７Ａ縮小投影露光
機（レンズ開口数＝０.５０）で波長３６５ｎｍ（ｉ
線）を用いて露光し、２.３８重量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液により現像し、超純水でリ
ンスし、乾燥したのち、該組成物の性能を調べた。結果
を表１に示す。
【００６０】
【表１】
【００６１】表１において、前述以外のフェノール化合
物および溶剤の種類は次のとおりである。 フェノール化合物 ａ−１：前記式（３−１） ａ−２：前記式（３−５） ａ−３：前記式（３−７） α ：１,１,１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）
エタン β ：１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１
−フェニルエタン γ ：式（４）
物および溶剤の種類は次のとおりである。 フェノール化合物 ａ−１：前記式（３−１） ａ−２：前記式（３−５） ａ−３：前記式（３−７） α ：１,１,１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）
エタン β ：１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１
−フェニルエタン γ ：式（４）
【００６２】
【化９】
【００６３】溶剤 Ｓ１：２−ヒドロキシプロピオン酸エチル Ｓ２：３−エトキシプロピオン酸エチル
【００６４】本発明の実施態様をまとめて示せば以下の
とおりである。 １. 上記式（３−１）〜（３−２４）のそれぞれで表さ
れるフェノール化合物よりなる群から選ばれる少なくと
も１種のフェノール化合物、アルカリ可溶性樹脂および
１,２−キノンジアジド化合物を含有する感放射線性樹
脂組成物。 ２. アルカリ可溶性樹脂がノボラック樹脂、ポリビニル
フェノールまたはその誘導体、スチレン−無水マレイン
酸共重合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエートおよび
カルボキシル基含有メタアクリル酸系樹脂よりなる群か
ら選ばれる上記１に記載の感放射線性樹脂組成物。３. 前記フ ェノール化合物をアルカリ可溶性樹脂１００
重量部当り５〜５０重量部で含有する上記１に記載の感
放射線性樹脂組成物。４ . １,２−キノンジアジド化合物がフェノール類の１,
２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
１,２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステルおよび１,２−ナフトキノンジアジド−６−スル
ホン酸エステルよりなる群から選ばれる上記１に記載の
感放射線性樹脂組成物。５ . １,２−ナフトキノンジアジド化合物をアルカリ可
溶性樹脂１００重量部当り１００重量部以下で含有する
上記１に記載の感放射線性樹脂組成物。
とおりである。 １. 上記式（３−１）〜（３−２４）のそれぞれで表さ
れるフェノール化合物よりなる群から選ばれる少なくと
も１種のフェノール化合物、アルカリ可溶性樹脂および
１,２−キノンジアジド化合物を含有する感放射線性樹
脂組成物。 ２. アルカリ可溶性樹脂がノボラック樹脂、ポリビニル
フェノールまたはその誘導体、スチレン−無水マレイン
酸共重合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエートおよび
カルボキシル基含有メタアクリル酸系樹脂よりなる群か
ら選ばれる上記１に記載の感放射線性樹脂組成物。３. 前記フ ェノール化合物をアルカリ可溶性樹脂１００
重量部当り５〜５０重量部で含有する上記１に記載の感
放射線性樹脂組成物。４ . １,２−キノンジアジド化合物がフェノール類の１,
２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
１,２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステルおよび１,２−ナフトキノンジアジド−６−スル
ホン酸エステルよりなる群から選ばれる上記１に記載の
感放射線性樹脂組成物。５ . １,２−ナフトキノンジアジド化合物をアルカリ可
溶性樹脂１００重量部当り１００重量部以下で含有する
上記１に記載の感放射線性樹脂組成物。
【００６５】
【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、現像
性に優れているとともに、高解像度で耐熱性が改善され
る。そのため本感放射線性樹脂組成物は高集積度の集積
回路作製用レジストとして好適に使用できる。
性に優れているとともに、高解像度で耐熱性が改善され
る。そのため本感放射線性樹脂組成物は高集積度の集積
回路作製用レジストとして好適に使用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大田 利幸 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本 合成ゴム株式会社内 (72)発明者 辻 昭 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本 合成ゴム株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−211256（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−34915（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−251849（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−12356（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−308726（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−92669（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42
Claims (2)
- 【請求項１】 下記式（３−１）〜（３−２４） 【化１】 【化２】 【化３】 のそれぞれで表されるフェノール化合物よりなる群から
選ばれる少なくとも１種のフェノール化合物、アルカリ
可溶性樹脂および１，２−キノンジアジド化合物を含有
することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 - 【請求項２】 フェノール化合物が上記式（３−１）、
（３−５）および（３−７）のいずれかで表されるフェ
ノール化合物の少なくとも１種である請求項１に記載の
感放射線性樹脂組成物。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24114594A JP3317595B2 (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 感放射線性樹脂組成物 |
| EP95306895A EP0706090B1 (en) | 1994-10-05 | 1995-09-29 | Radiation sensitive resin composition |
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