JPS60189739A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物Info
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- JPS60189739A JPS60189739A JP4514684A JP4514684A JPS60189739A JP S60189739 A JPS60189739 A JP S60189739A JP 4514684 A JP4514684 A JP 4514684A JP 4514684 A JP4514684 A JP 4514684A JP S60189739 A JPS60189739 A JP S60189739A
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- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、ポジ型感光性樹脂組成物に関し、さらに詳し
くは、特定のアルカリ可溶性ノボラック樹脂と １．２
−キノンジアジド化合物とを配合してなるポジ型感光性
樹脂組成物であって、感度、残膜率および耐熱性に優れ
たホトレジストとして好適な組成物に関する。 従来、集積回路を作製するためのホトレジストとしては
、環化イソプレンゴムにビスアジド化合物を配合したネ
ガ型ホトレジストが知られている。しかしこのネガ型ホ
トレジストは解像度に限界があるため、集積回路の高集
積化に十分対応できない欠点を有する。一方、このネガ
型ホトレジストに対し、ポジ型ホトレジストは、解像度
が優れているため集積回路の高集積化に十分対応しうる
ちのと考えられている。 また近年、露光装置の面から集積回路の高集積化を行う
ためにステップワイズに露光を行う方式の縮少投影露光
機が広く使用されるようになってきた。これに伴って、
ポジ型ホトレジストの一層の高感度化がめられているが
、現在市販されているポジ型ホトレジストはこの高感度
化に応え得る十分な感度を有していないのが現状である
。そのため、集積回路の作製の際にそれだけ長い露光時
間を要しており、生産性向」二の障害となっている。 さらに、集積回路の集積度を高めるために、エツチング
方法が従来のウェットエツチング方式からプラズマエツ
チング等のドライエ・ンチング方式に移りつつある。プ
ラズマエツチングは、テトラフルオロメタン、テトラク
ロロメタンのようなハロゲン化炭化水素等をプラズマ化
し、レジストでパターンニングした基板を食刻するもの
である。したがって、プラズマエツチングの際にはレジ
ストの温度が上昇するため熱変形等を起すことがあり、
レジストには高い耐熱性が要求される。 従来のレジストの中では、ノボラック樹脂系ポジ型ホト
レジストは、耐熱性が比較的高くて過酷なドライエツチ
ング条件に向くものと評価されているが、それでも実際
には耐熱性が不十分である。 そのため、ドライエツチングの条件を緩和してエツチン
グが行われており、これも生産性向りの障害となってい
た。 Ｓらにまた、従来のノボラック樹脂系ポジ型ホトレジス
トは残膜率の点においても必ずしも満足できる結果が得
られていない。レジストパターンとして残るべき未露光
部分の露光前と現像後の高さの比を残膜率というが、従
来のポジ型ホトレジストは、この残膜率が低いものであ
った。残膜率が低いポジ型ホトレジストを、表面に段差
構造を有する基板に塗布し、露光し、現像してレジスト
パターンを形成すると、段差部をレジストパターンが十
分に被覆できないので、正常な集積回路を作製すること
が困難となる。 本発明の目的は、従来のポジ早ホトレジストの欠点を解
消し、高感度、高残膜率かつ高耐熱性の、ホトレジスト
として好適なポジ型感光性樹脂組成物を提供することに
ある。 すなわち、本発明は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と
１，２−キノンジアジド化合物とからなるポジ型感光性
樹脂組成物において、前記アルカリ可溶性／ポラ・ンク
樹脂の１〜３核体含量が１０重量％未満であることを特
徴とするポジ型感光性樹脂組成物を提供する。 本発明においては、アルカリ可溶性ノボラック樹脂とし
て１〜３核体含量が１０重量％未満、好ましくは８重用
％未猫のものを使用する。１〜３核体含量が１０重量％
以上では、組成物の感度、残膜率および耐熱性の向上を
達成することができない６一般に、ノボランク樹脂は１
核体から１５核体程度までを包含しているが、本発明者
らの研究によると、このうち低核体成分がポジ型感光性
樹脂組成物の性能を害していると考えられる。本発明に
おいては、上記のようにアルカリ可溶性／ポラ、り樹脂
の分子量分布を制御することにより、諸性能の向上を達
成することができた。 １〜３核体含量が１０重量％未満であるアルカリ可溶性
ノボラック樹脂を調製する方法としては、例えば、常法
にしたがってフェノール類を酸性触媒の存在下、アルデ
ヒド類と縮合させて合成し、合成されたアルカリ可溶性
ノボラック樹脂を極性溶媒、例えばメタノール、エタノ
ール、アセトン、メチルエチルケトン、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン等に溶解し、次に水−極性溶媒混合系
沈澱剤やペンタン、ヘキサン等の非極性溶媒系沈澱剤に
入れ樹脂分を沈澱させる方法がある。また、別の方法と
しては、アルカリ可溶性ノボラック樹脂の合成時に例え
ばアルデヒド類の添加を回分式もしくは連続的に行うこ
とにより、縮合反応を制御する方法を利用できる。この
ようにして得られる本発明に用いるアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂の平均核体数は、５〜１０程度であり、本発
明の組成物に用いるアルカリ可溶性ノボラック樹脂とし
て好適なものである。 本発明に用いるアルカリ可溶性ノボラック樹脂の合成に
使用されるフェノール類およびアルデヒド類としては次
の化合物を例示することができる。すなわち、フェノー
ル類の具体例としては、フェノール、クレゾール、エチ
ルフェノール、ブチルフェノール、ヒドロキノン、ギシ
レノール、ジヒドロキシベンゼン、フェニルフェノール
、ジヒドロキシビフェニル、ジヒドロキシジフェニルメ
タン、ジヒドロキシジフェニルプロパン、ジヒドロキシ
ジフェニルブタン等を挙げることができる。これらのフ
ェノール類は単独でまたは二種具−１−を混合して使用
することができる。アルデヒド類の具体例としてはホル
ムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、ベンズアルデヒド、フルフラール等を挙げることが
でき、好ましくはホルムアルデヒドである。また、使用
する酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸等の無
機酸、蟻酸、酢酸、シュウ酸等の有機酸を使用できる。 」−記アルデヒド類の使用量は、フェノール類１モルに
対して０．７〜３モル、上記酸性触媒の使用量は、フェ
ノール類１モルに対してｌＸ１０〜４〜５Ｘ１０−３モ
ルが一般的である。また反応温度は、通常７０〜１３０
℃である。 なお本発明に用いるアルカリ可溶性ノボラック樹脂には
、ノボラック樹脂のアルカリ再検性を損わない程度に各
種置換基が結合されていてもざい。 本発明の組成物には上記のアルカリ可溶性ノボラック樹
脂以外のアルカリ可溶性樹脂を必要に応じて配合するこ
とができる。このようなアルカリ可溶性樹脂としては、
例えばスチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレンル
アクリル酸共重合体、メチルメタクリレート−メタクリ
ル酸共重合体、メチルメタクリレート−２−ヒドロキシ
エチルメタクリレート共重合体、ブタジェン−スチレン
−メタクリル酸共重合体、メチルメタクリラート−２−
ヒドロキシエチルメタクリラート−メタクリル酸共重合
体等を挙げることができる。これらの高分子化合物は、
数平均分子量（習τ）がｔ、ｏｏｏ 〜ｔｏｏ、ｏｏｏ
、さらに好ましくは２，０００〜１０．０００−ｔ＝
あッテ、Ｍｗ／Ｍｎ （Ｍｗ：重量平均分子量）の比が
２．５未満、さらに好ましくは２．０未満のものが望ま
しい。これらのアルカリ可溶性樹脂は、アルカリ可溶性
ノボラック樹脂１００重量部に対し、好ましくは１〜５
０重量部、特に好ましくは５〜３０重量部の割合で配合
することができる。 これらのアルカリ可溶性樹脂を配合することによって組
成物を基板に塗布したときの表面状態並びに皮膜の強度
、接着性および現像性等の改良を行うことができる。 本発明の組成物には感光剤として１，２−キノンジアジ
ド化合物が配合される。この１．２−キノンジアジド化
合物は、前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量
部に対して５〜１００重量部、好ましくはｌＯ〜５０重
是部用いられる。５重量・部未満では、添加量が少ない
ために１．２−キノンジアジド化合物のアルカリ可溶性
ノボラック樹脂に対する不溶化効果が不十分であり、露
光部と未露光部とのアルカリ性水溶液からなる現像液に
対する溶解性に差をつけることができないのでパターン
形成が困難であり、 １００重量部を超えると短時間の
光照射では１，２−キノンジアジド化合物すべてを分解
することができないで一部が残存するためアルカリ性水
溶液からなる現像液による現像が困難となる。 このような１．２−キノンジアジド化合物の例としては
、種々の１．２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン
酸エステル、 １，２〜ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、 １．２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル等がある。 具体的には、例えば、モノもしくはポリヒドロキシベン
ゼンまたはこれらの化合物の誘導体の上記エステル類を
挙げることができる。ヒドロキシベンゼンの具体例とし
ては、ｐ−クレゾール、レゾルシン、ピロガロール、フ
ロログリシツール等がある。 さらに、例えば下記一般式（Ｉ） （式中ｎは１〜３の整数、Ｒ５はアルキル基、アリール
基またはアラルキル基を意味する）で表わされる化合物
のヒドロキシル基の全部または一部に、 １，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルポニルクロリド、 １．２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリドまた
は１．２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニルクロ
リド等を縮合反応させて得られる１、２−キノンジアジ
ド化合物が挙げられる。この一般式 （Ｉ）で表わされ
る化合物の具体例としては、２，３．４− トリヒドロ
キシフェニルメチルケトン、 ２，３．４− ）ジヒド
ロキシフェニルエチルケトン、２，３．４− トリヒド
ロキシフェニルブチルケトン、２，３．４−トリヒドロ
キシフェニル−ｎ−へキシルケトン、 ３，４．５−
トリヒドロキシフェニルメチルケトン、３，４．５−ト
リヒドロキシフェニルエチルケトン、３，４．５− ）
ジヒドロキシフェニルブチルケトン、３，４．５− ）
ジヒドロキシフェニル−ｎ−へキシルケトン、２，４．
８− トリヒドロキシフェニルメチルケトン、２，４．
８−トリヒドロキシフェニルエチルケトン、２，４．８
−トリヒドロキシフェニルブチルケトン、２，４．８−
）ジヒドロキシフェニル−ｎ−へキシルケトン、２゜
３．４−トリヒドロキシフェニルデシルケトン、２゜３
．４−）ジヒドロキシフェニルドデシルケトン、２．３
．４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４．８−ト
リヒドロキシベンゾフェノン、 ２，３．４− トリヒ
ドロキシフェニルベンジルケトン、３，４．５− ）リ
ヒドロキシベンジルケトン、２，４．６− ）ジヒドロ
キシフェニルベンジルケトン等が挙げられる（米国特許
第３０４６１１８号および特公昭３７−１８０１５号明
細書）。これらに同類のものとして、さらに２，４−ジ
ヒドロキシフェニルプロピルケトン、２．４−ジヒドロ
キシフェニル−ｎ−へキシルケトン、２゜４−ジヒドロ
キシベンゾフェノンを例示することができる。 さらにまた１例えば２，４．２°、４゛−テトラヒドロ
キシ−６，８゛−ジメチル−ジフェニルメタン、２，６
゜２’ 、８’−テトラヒドロキシ−３，５，３’、５
°−テトラクロル−ジフェニルメタン、２，２°−ジヒ
ドロキシ−４，４°−ジメチル−ジフェニルメタン−（
１，１）、２．２′−ジヒドロキシ−４，４°−ジメト
キシ−ジフェニルエタン−（１，１）、２，４．２’
、４°−テトラヒドロキシ−ジフェニルエタン−（１，
１） 、 ２．２’−ジヒドロキシ−４，４′−ジメト
キシ−トリフェニルメタン、２，２°−ジヒドロキシ−
ジナフチルメタン、２゜４．２°、４′ −テトラヒド
ロキシ−ジフェニルスルフィド、 ２．４，２°、４°
−テトラヒドロキシ−ジフェニルスルホキシド、２，４
．２’ 、４″−テトラヒドロキシ−６，６°−ジメチ
ル−ジフェニルエタン＝（１，１）、 ２，４．２’、
４°−テトラヒドロキシ−６，６°−ジカルポメトキシ
ージフエニルメタン、２，４，２°。 ４°−テトラヒドロキシ−８，６°−ジメチル−トリフ
ェニルメタン、２，４，２°、４°−テトラヒドロキシ
−ジフェニルプロパン−（１，１） 、 ２，４．２′
、４′ −テトラヒドロキシ−ジフェニル−ｎ−ブタン
−（１゜１）、２，４．２’ 、４’ −ペンタヒドロ
キシ−トリフェニルメタン、 ２，４．２’ 、４″−
テトラヒドロキシ−ジフェニルシクロヘキサン−（１，
１） 、 ２．２°−ジヒドロキシ−４，４“−ジメト
キシ−ジフェニルメタン、２．４．２’、４°−テトラ
ヒドロキシ−ジフェニルペンタン−（１，１）、２，４
．２°、４°−テトラヒドロキシ−ジフェニルプロパン
−（２，２） 、 ２，４．２’、４’ −テトラヒド
ロキシ−トリフェニルメタン、２．２′−ジヒドロキシ
−５，５′−ジブロム−ジフェニルメタン、２．２°−
ジヒドロキシ−５，５°−ジクロル−ジフェニルエタン
−（１，１） 、 ２．２°−ジヒドロキシ−５，５′
−ジブロム−ジフェニルエタン−（１，１） 等ｔ−１
，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド
、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロ
リドまたは１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホ
ニルクロリド等と縮合反応させて得られる１、２−キノ
ンジアジド化合物（特公昭３？−１９５３号公報）を配
合することもできる。 さらに、 ３，５−ジヒドロキシ安息香酸ラウリル、
２，３．４− トリヒドロキシ安息香酸フェニル、３．
４．５− トリヒドロキシ安息香酸プロピル、３，４゜
５−トリヒドロキシ安息香酸フェニル等の（ポリ）ヒド
ロキシ安息香酸アルキルエステルまたはアリールエステ
ルを１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルク
ロリド、ｌ、２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニ
ルクロリドまたはｌ、２−ペンゾキノンジアジド−４−
スルホニルクロリド等と縮合反応させて得られる１、２
−キノンジアジド化合物を使用することができる。 さらに下記一般式（ＩＩ）、 下記一般式（ＩＩ［）、 （一般式（ＩＩ）および（ｍ）において、ａおよびｂは
同一または異なり、３または４の整数、見およびｍは同
一または異なり、０または１〜３の整数、Ｃは１〜４の
整数、ｎはＯまたは１〜３の整数を意味し、また（ａ−
文） 、 （ｂ−ｍ）および（ｃ−ｎ）′はいずれも１
以上の整数、Ｒ１＊ Ｒ５およびＲ７は同一または異な
り、１．２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基
、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基ま
たは１．２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニル基
、Ｒ２＋ Ｒ６＊Ｒ８およびＩ’ｉ＋ｔは同一または異
なり、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール
基、アラルキル基、アルコキシ基、シアン基またはニト
ロ基、Ｒ３ｔ Ｒ４＋ Ｒ９およびＲ１（ｌは同一また
は異なり、水素原子、アルキル基、アリール基またはア
ラルキル基を意味し、Ｒ３およびＲ４ならびにＲ９およ
びＲＩＧは炭素−炭素結合またはエーテル結合で環を形
成することができる）下記一般式（） （一般式（ＩＴ）において、ｎは２〜４の整数、見はＯ
または１〜３の整数、ｍは１〜４の整数、ｋは１〜４の
整数、かつに＋ｌＬ＋ｍ＝５であり、Ｒ□は１．２−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホニル基、１．２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニル基、または１．２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホニル基、Ｒ２は水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラル
キル基、アルコキシ基、シアノ基またはニトロ基、Ｚは
メタンまたは芳香族化合物の残基を意味する）、下記一
般式（Ｖ）、 または下記一般式（■）。 （一般式（Ｖ）および（Ｖｌ）において、ａ、ｂおよび
Ｃは１〜４の整数であってａとｂは同一または異なり、
ｌ、ｒａおよびｎは０または１〜３の整数であって文と
ｍは同一または異なり、 （ａ−Ｊｌｊ）、 （ｂ−ａ
ｌ）および（ｃ−ｎ）は１以上の整数、Ｒ１＋ Ｒ２お
よびＲ５は１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホ
ニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ル基または１．２−ペンクギノンジアジド−４−スルホ
ニル基であってＲ１とＲ２は同一または異なり、Ｒ３，
Ｒ４およびＲ６は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、シアン基
またはニトロ基であってＲ３とＲ４は同一または異なり
、Ｒ７はアルキル基、アリール基またはアラルキル基、
Ｚは置換基を有するかもしくは有しないアルキレン基ま
たはオキサアルキレン基を意味する）で表わされる １
，２−キノンジアジド化合物も使用することができる。 」二記一般式（ＩＩ ）で表わされる１、２−キノンジ
アジド化合物は、例えばジ（２，３，４−）リヒドロキ
シフェニル）メタン、 １．１−ジ（２，３，４−トリ
ヒドロキシフェニル）プロパン、 ２．２−ジ（２，３
，４−）リヒドロキシフェニル）プロパン、 １．１−
ジ（２゜３．４−１−リヒドロキシフェニル）ブタン、
１．１−ジ（２，３，４−トリヒドロキシシクロヘキ
サン、 １．１−ジ（２，３，４−トリヒドロキシ）−
４−オキサシクロヘキサン、ジ（２，４，８−トリヒド
ロキシフェニル）メタン、１．１−ジ（２，４，８−ト
リヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ジ（２，，
４，８−トリヒドロキシフェニル）プロパン、 １，１
−ジ（２，４，８−）ジヒドロキシフェニル）ブタン、
１．１−ジ（２，４，８−トリヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン、１゜ｌ−ジ（２，４，８−トリヒドロキ
シフェニル）−４−オキサシクロヘキサン、ジ（２，３
，４−トリヒドロキシ−５−ブロモフェニル）メタン、
２，２−ジ（２゜４．６−ドリヒドロキシー３−クロロ
フェニル）フロパン、ジ（２，３，ａ−）ジヒドロキシ
−５−メチルフェニル）メタン、 ２．２−（２，４，
８−）リヒドロキシー３−メチル）プロパン、ジ（２，
３，４−トリヒトａキシ−５〜シアノフエニル）メタン
、 ２，２−ジ（２，４，８−トリヒドロキシ−３−ニ
トロフェこル）プロパン、ジ（１，２，３，４−テトラ
ヒドロキシフェニル）メタン、２．２−ジ（１，２，３
，５−テトラヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（ｐ
−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，４−ジヒド
ロキシフェニル）メタン、 ２，２−ビス（ｐ−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（２，４−ジヒ
ドロキシフェニル）プロパン等のビス（モノもしくはポ
リヒドロキシフェニル）アルカンと１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホニルクロリド、 １．２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホニルクロリドまたは１，
２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニルクロリドと
を当量比０．１２５〜ｌで縮合することにより得ること
ができる。 」−記一般式（ｍ）で表わされる１、２−キノンジアジ
ド化合物は、例えば２，３．４− トリヒドロキシジフ
ェニルメタン、２，４．８−トリヒドロキシジフェニル
メタン、２，３．４−トリヒドロキシ−５−クロロジフ
ェニルメタン、２，４．θ−トリヒドロキシー３−ブロ
モジフェニルメタン、２，３．４− ）リヒドロキシー
５−メチルジフェニルメタン、２，４゜６−ドリヒドロ
キシー３−シアノジフェニルメタン、 ２，３．４−
トリヒドロキシ−５−ニトロジフェニルメタン、 ２，
３．４− ）リヒドロキシー４°−メチルジフェこルメ
タン、２，４．６’−トリヒドロキシ−４゛−メチルジ
フェニルメタン、 ２，３．４− ）ジヒドロキシ−４
°−ｔ−ブチルジフエニルメタン、 ２，３゜４．５−
テトラヒドロキシジフェニルメタン、 ２，３゜４．６
−テトラヒドロキシジフェニルメタン、 ２，５−ジヒ
ドロキシジフェニルメタン、２，４−ジヒドロキシジフ
ェニルメタン、２，４−ジヒドロキシ−４゛−メチルジ
フェニルメタン、２，５−ジヒドロキシ−４′−ｔ−ブ
チルジフェニルメタン、 ２−（２゜３．４−トリヒド
ロキシフェニル）−２−フェニルプロパン、２−（２，
４，８−トリヒドロキシフェニル）−２−フェニルプロ
パン、２−（２，３，４−トリヒドロキシ−５−クロロ
フェニル）−２−フェニルプロパン、 ２−（２，３，
４−トリヒドロキシ−５−メチルフェニル）−２−フェ
ニルプロパン、 ２−（２，４，８−） ＩＪヒドロキ
シ−３−シアノフェニル）−２−フェニルプロパン、２
−（２，３，４−）リヒドロキシー５−二トロフェこル
）−２−フェニルプロパン、２−（２，３，４−）ジヒ
ドロキシフェニル）−２−（ｐ−１リル）プロパン、
２−（２，４，８−トリヒドロキシフェニル）−２−（
４−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、２− （２，３，
４，５−テトラヒドロキシフェニル）−２−フェニルプ
ロパン、 ２−（２，３，４，８−テトラヒドロキシ）
−２−フェニルプロパン、２−（２，５−ジヒドロキシ
フェニル）−２−１−ｍ−１，−／Ｉ−１，ぐ＼ノ リ
ー／ＱＪ−１フレ ［ナーふ １−ェこル）−２〜フエ
ニルプロパン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）
−２−（ｐ−）リル）プロパン等のポリヒドロキシ化合
物と１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルク
ロリド、１．２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニ
ルクロリドまたは１．２−ベンゾキノンジアジド−４−
スルホニルクロリドとを当量比０．２５〜ｌで縮合する
ことにより得ることができる。 Ｌ記一般式（Ｈ）または（Ｉｌｌ）で表わされる１、２
−キノンジアジド化合物に関する詳細は、本出願人の出
願に係る特願昭５８−２３０３２８号に記載されている
。 上記一般式（ＩＶ）で表わされる１、２−キノンジアジ
ド化合物は、例えば、ｐ−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
イル）ベンゼン、ｐ−ビス（２，５−ジヒドロキシベン
ゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス（２，３，４−トリヒドロ
キシベンゾイル）ベンゼン、Ｐ−ビス（２，４，８−ト
リヒドロキシへンゾイル）ベンゼン、ｍ−ビス（２，４
，Ｂ−トリヒドロキシベンゾイル）ベンセン、ｐ−ビス
（４−ヒドロキシ−３−グロロベンゾイル）ベンゼン、
ｐ−ビス（２，３，４−）リヒドロキシー５−メチルベ
ンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス（２，４，８”−）リヒ
ドロキシー３−ニトロベンゾイル）ベンゼン、Ｐ−ビス
（２，３，４−トリヒドロキシ−５−シアノベンゾイル
）ベンゼン、１，３．５−トリス（２，５−ジヒドロキ
シベンゾイル）ベンゼン、１，２．３−トリス（２，３
，４−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、 １，２
．４−トリス（２，４，６−トリヒドロキシベンゾイル
）ベンゼン、１，２，４．５−テトラキス（２，３，４
−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、α、α′−ビ
ス（２，３，４−トリヒドロキシベンゾイル）−ｐ−キ
シレン、α、α゛、α″−トリス（２，３，４−トリヒ
ドロキシベンゾイル）メシチレン、 １．２−ビス（２
，３，４−）リヒドロキシベンゾイル）ナフタレン、ビ
ス（２，５−ジヒドロキシベンソイル）メタン、ビス（
２，３，４−トリヒドロキシベンゾイル）メタン、ビス
（２，４，８−）リヒドロキシベンゾイル）メタン等の
ポリヒドロキシ化合物と １，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホニルクロリド、 １．２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホニルクロリドまたは１，２−ベン
ゾキノンジアジド−４−スルホニルクロリドとを当量比
０．０８３〜１で縮合することにより得ることができ、
詳細は本出願人の出願に係る特願昭５８−２４３５８３
号に記載されている。 上記一般式（Ｖ）で表わされる１、２−キノンジアジド
化合物は、例えば、エチレングリコール−２’（２−ヒ
ドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコールージ（
２，３−ジヒドロキシベンゾエート）、トリエチレング
リコールージ（２，８−ジヒドロキシベンゾエート）、
エチレングリコールージ（３，４，５−トリヒドロキシ
ベンゾエート）、ジエチレングリコールージ（２，４，
８−）ジヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリ
コールージ（２−ヒドロキシ−３−メチルベンゾニー１
−）、エチレングリコールージ（４−クロロ−２−ヒド
ロキシベンゾニー１・）、ポリエチレングリコールージ
（５−ブロモ−２−ヒドロキシベンゾエート）、エチレ
ングリコールージ（３，５−ジヒドロキシベンゾエート
）、ポリエチレングリコールージ（３，５−ジヒドロキ
シベンジェ−１−）、ホリエチレングリコールーシ（３
，４，５−トリヒドロキシへンゾエート）、プロピレン
グリコールージ（３−クロロ−４−ヒドロキシベンゾエ
ート）、スチレングリコールージ（２−ヒドロキシ−３
−メｉ・キシベンゾエート）、ポリプロピレングリコー
ルージ（２−ヒドロキシ−５−メトキシベンゾエート）
、ポリ−３，３−ビスクロロメチルオキセタングリコー
ルージ（３−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾエート）
、１゜３−プロパンジオールージ（３，４，５−トリヒ
ドロキシへンゾエート）、 １，４−ブタンジオールー
ジ（３−ヒドロキシベンゾエート）、ポリテトラヒドロ
フラングリコールージ（３，４，５−）ジヒドロキシベ
ンゾエート）等のポリヒドロキシ化合物と １，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド、 １．
２−ナフトキノンシアシト−４−スルホニルクロリドま
たは１．２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニルク
ロリドとを当量比０．１７〜ｌで縮合することにより得
ることができる。 上記一般式（Ｖｌ）で表わされる１、２−キノンジアジ
ド化合物は、例えば、エチレングリコール−モノメチル
−モノ（３，４，５−）ジヒドロキシベンゾエート）、
エチレングリコール−モノエチル−モノ（２，４，６−
トリヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール
−モノエチル−モノ（２，３−ジヒドロキシベンゾエー
ト）、トリエチレングリコール−モノエチル−モノ（３
，５−ジヒドロキシベンゾ！−日、エチレングリコール
−モノフェニル−モノ（３，４，５−トリヒドロキシベ
ンゾエート）。 １．２−ベンゼンジメタノ−ルーモノエチル−モノ（３
，４，５−）ジヒドロキシベンゾエート）等のポリヒド
ロキシ化合物と１，２−ナフｉ・キノンジアジド−５−
スルホニルクロリド、 １．２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホニルクロリドまたは１．２−ベンゾキノン
ジアジド−４−スルホニルクロリドとを当量比０．３〜
ｌで縮合することにより得ることができる。 上記一般式（Ｖ）または（Ｖｌ）で表わされる１、２−
キノンジアジド化合物に関する詳細は、本出願人の出願
に係る特願昭５９−２５２１号に記載されている。 さらに、 １．２−キノンジアジド化合物の別の例とし
て、ヒドロキシル基を有するα−ピロン系天然色素、ヒ
ドロキシル基を有するγ−ピロン系天然色素、ヒドロキ
シル基を有するジアジン系天然色素およびヒドロキシル
基を有するキノン系天然色素からなる群から選ばれる化
合物のヒドロキシル基の全部または一部を１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、 １．２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド、１
，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニルクロリド
等の１．２−キノンジアジドスルホニルクロリドと、塩
基性触媒の存在下で縮合反応させ、精製することによっ
て得られる１、２−キノンジアジド化合物を挙げること
ができる。 」二記ヒドロキシル基を有するα−ピロン系天然色素と
しては、例えばヒスピジン、 ２°、３°−ジオキシ−
ジベンズ−α−ピロン、エラグ酸、グルベルジン、オオ
スポラフトン等を挙げることができる。前記ヒドロキシ
ル基を有するγ−ピロン系天然色素としては、例えばオ
イゲニン、ブラシリン、ヘマトキシリン、オイキサント
ン、ゲンチミン、クリシン、クリジンの配糖体であるト
リンギン、プリメチン、アビゲニン、アビゲニンの配糖
体であるアビイン、ルテオリン、ケルセチン、ケルセチ
ンの配糖体であるケルシトリン、インケルシトリン、ケ
ルシトリンリン、ルチン、ヒベリン、カランギン、ケン
ペロール、フィセチン、モリン、ラムネチン、ミリセチ
ン、ソテツフラポン、ナリンゲニン、ナリンゲニンの配
糖体であるナリンジン、サクラネチン、ヘスペリチン、
アルピノン、カテキン、ダイゼイン、プルシネチン、プ
ルネチンの配糖体であるプルニドリン、ペリゲニン、ペ
リゲニンの配糖体であるイリジン、オサジン、ベラルゴ
ニジン、シアニジン、ロイコデルフィニジン等を挙げる
ことができる。前記ヒドロキシル基を有するジアジン系
天然色素としては、例えばキサントプテリン、ロイコプ
テリン、エントロプテリン、クリップテリン、イオジニ
ン等を挙げることができる。前記ヒドロキシル基を有す
るキノン系天然色素としては、例えばポリボール酸、ア
トロメンチン、ロイコメロン、ムスカルフィン、オオス
ボレイン、ニゲロン、エキツクロームＡ、スピノンＡ、
スピンクロームＮ、アリザリン、プルプリン、エモジン
、カルミン酸、ケルメス酸、スカイリン、ピロマイシン
等を挙げることができる。 これら天然色素から得られる１、２−キノンジアジド化
合物に関する詳細は、本出願人の出願に係る特願昭５８
−１８２８７号に記載されている。 さらに、特公昭３７−３８２７号公報、同３７−１３１
０９号公報、同４０−２８１２８号公報、同４０−３８
０１号公報、同４５−５［１０４号公報、同４５−２７
３４５号公報、同５１−１３０１３号公報、特開昭４８
−９８５７５号公報、同４８−８３８０２号公報、同４
８−８３８０３号公報、同５８−７５１４９号公報等に
記載された、あるいはＪ、Ｋｏｓａｒ著“Ｉ、ｉｇｈｔ
−５ｅｎｓｉ−ｔｉｖｅ ５ｙｓｔｅ＋ｍｓ” ３３１
１〜３５２．（１１３８５）、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ
＆５ｏｎｓ社（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）やＷ、Ｓ、口ｅ Ｆ
ｏｒｅｓｔ著“Ｐｈｏｔｏｒｅ−ｓｉｓｔ” ５０．（
１９７５）、 ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ、Ｉｎｃ、、（
Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）に記載されている１、２−キノンジ
アジド化合物も使用することができる。 本発明の組成物は、微細加工すべき基板上に塗布し、活
性光線、例えば紫外線等を部分的に照射し、現像するこ
とによってパターンを形成することができる。 本発明の組成物を基板に塗布する方法としては１本発明
の組成物を、例えば濃度が５〜５０重量％となるように
適当な溶剤に溶解し、これを回転塗布、流し塗布、ロー
ル塗布等により塗布する方 −法が挙げられる。この際
に用いられる適当な溶剤としては、エチレングリコール
千ツメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル等のクリコールエーテル類、メチルセロソルブア
セテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ
エステル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類
５メチルエチルケトン５シクロヘキサン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類を挙げることが
できる。これらの溶剤を２種類以上混合して使用するこ
ともできる。また、必要に応じ、ベンジルエチルエーテ
ル、ジへキシルエーテル等のエーテル類、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル等のグリコールエーテル類、アセトニ
ルアセトン、イソホロン等のケトン類、カプロン酸、カ
プリル酸等の脂肪酸類、 ｌ−オクタツール、 ｌ−ノ
ナノール、ベンジルアルコール等のアルコール類、酢酸
ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マイレ
ン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭
酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート等のエス
テル類の如き高沸点溶剤を添加することができる。 本発明の組成物には、必要に応じて保存安定剤、色素等
を添加配合することもできる。また本発明の組成物と基
板との接着力を向上させるために、選定した基板に応じ
て、例えばヘキサメチルジシラザン、クロロメチルシラ
ン等を接着助剤として基板に塗布してもよい。 本発明の組成物に通用する現像液としては、例えば水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ
酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等
の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン
等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピル
アミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジ
エチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールア
ミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩な
どアルカリ類の水溶液。 ピロール、ピペリジン、 １．８−ジアザビシクロ（５
，４，０） −７−ウンデセン、 １，５−ジアザビシ
クロ（４，３，０） −５−ノナン等の環状アミン類の
水溶液が使用され、金属を含有する現像液の使用が問題
となる集積回路作製時には、第四級アンモニウム塩や環
状アミンの水溶液を使用するのが好ましい。また上記ア
ルカリ類の水溶液にメタノール、エタノールのようなア
ルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添
加した水溶液を現像液に使用することもできる。 本発明の組成物は、高感度、高解像度、高残膜率および
高耐熱性を有し、集積回路作製用のポジ型ホトレジスト
として特に有用であるとともに、マスク製作用のポジ型
ホトレジスト等としても填用なものである。 次に実施例を挙げて本発明を詳述するが、本発明はこれ
らの実施例により何ら制約されるものではない。 以下の実施例において諸特性は次のように評価された。 初期軟化温度（’Ｃｉ）・・・キャピラリー法で測定。 １〜３核体の含量・・・・・・ゲル浸透クロマトグラ（
重量％） フィー（ＧＰＣ）で測定したクロマトグラム
よりめ る。 感 度（ｍＪ／ｃｒｎ’）・・・・・・Ｉｇ＋ｅのライ
ンアンドスペースのパターンが解像 できるときの最低露光エ ネルギー量。 残 膜 率（％）・・す・・パターンとして残るべき未
露光部分の現像前後の 高さの比。 酎 熱 性（’０）・・・・・・一定温度のオーブン中
にパターン形成したシリコ ンウェーハを入れ３０分間 加熱し、パターンのだれ 発生の有無を顕微鏡で観 察したときのだれを発生 しない最高温度。 選 択 比・・・・・・・・・・・・・・・シリコン酩
化膜がエツチングされる速度／レジス トがエツチングされる速 度の比。削ドライエツチ ング性を示す。 尖蔦瀧」 （１）撹拌機、冷却管および温度計を装着した内容積５
００謬りの三ツロセパラブルフラスコにｍ−クレゾール
１１７ｇ、ｐ−クレゾール１３ｇ、３７重量％ホルムア
ルデヒド水溶液９２＋＊Ｊｌｊ、およびシュウ酸０．０
４ ｇを仕込んだ。撹拌しながら、セバラブルフラスコ
を油浴に浸し、内温を１００℃に保持しながら、３時間
３０分反応させた。その後、油浴温度を１８０℃まで上
げ、同時にセパラブルフラスコ内を減圧にして、水、未
反応のクレゾール、ホルムアルデヒドおよびシュウ酸を
除いた。次いで、溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹
脂Ｅ以下「ノボラック樹脂ＩＡ Ｊという］を室温に戻
して回収した。ノボラック樹脂ＩＡの初期軟化温度は８
０℃で、 １〜３核体含量は３０重量％であった。 （２）ノボラック樹脂１＾２０ｇをメタノール１８０ｇ
に溶解し、完全に溶解した後、水／メタノールの混合比
が６／４
くは、特定のアルカリ可溶性ノボラック樹脂と １．２
−キノンジアジド化合物とを配合してなるポジ型感光性
樹脂組成物であって、感度、残膜率および耐熱性に優れ
たホトレジストとして好適な組成物に関する。 従来、集積回路を作製するためのホトレジストとしては
、環化イソプレンゴムにビスアジド化合物を配合したネ
ガ型ホトレジストが知られている。しかしこのネガ型ホ
トレジストは解像度に限界があるため、集積回路の高集
積化に十分対応できない欠点を有する。一方、このネガ
型ホトレジストに対し、ポジ型ホトレジストは、解像度
が優れているため集積回路の高集積化に十分対応しうる
ちのと考えられている。 また近年、露光装置の面から集積回路の高集積化を行う
ためにステップワイズに露光を行う方式の縮少投影露光
機が広く使用されるようになってきた。これに伴って、
ポジ型ホトレジストの一層の高感度化がめられているが
、現在市販されているポジ型ホトレジストはこの高感度
化に応え得る十分な感度を有していないのが現状である
。そのため、集積回路の作製の際にそれだけ長い露光時
間を要しており、生産性向」二の障害となっている。 さらに、集積回路の集積度を高めるために、エツチング
方法が従来のウェットエツチング方式からプラズマエツ
チング等のドライエ・ンチング方式に移りつつある。プ
ラズマエツチングは、テトラフルオロメタン、テトラク
ロロメタンのようなハロゲン化炭化水素等をプラズマ化
し、レジストでパターンニングした基板を食刻するもの
である。したがって、プラズマエツチングの際にはレジ
ストの温度が上昇するため熱変形等を起すことがあり、
レジストには高い耐熱性が要求される。 従来のレジストの中では、ノボラック樹脂系ポジ型ホト
レジストは、耐熱性が比較的高くて過酷なドライエツチ
ング条件に向くものと評価されているが、それでも実際
には耐熱性が不十分である。 そのため、ドライエツチングの条件を緩和してエツチン
グが行われており、これも生産性向りの障害となってい
た。 Ｓらにまた、従来のノボラック樹脂系ポジ型ホトレジス
トは残膜率の点においても必ずしも満足できる結果が得
られていない。レジストパターンとして残るべき未露光
部分の露光前と現像後の高さの比を残膜率というが、従
来のポジ型ホトレジストは、この残膜率が低いものであ
った。残膜率が低いポジ型ホトレジストを、表面に段差
構造を有する基板に塗布し、露光し、現像してレジスト
パターンを形成すると、段差部をレジストパターンが十
分に被覆できないので、正常な集積回路を作製すること
が困難となる。 本発明の目的は、従来のポジ早ホトレジストの欠点を解
消し、高感度、高残膜率かつ高耐熱性の、ホトレジスト
として好適なポジ型感光性樹脂組成物を提供することに
ある。 すなわち、本発明は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と
１，２−キノンジアジド化合物とからなるポジ型感光性
樹脂組成物において、前記アルカリ可溶性／ポラ・ンク
樹脂の１〜３核体含量が１０重量％未満であることを特
徴とするポジ型感光性樹脂組成物を提供する。 本発明においては、アルカリ可溶性ノボラック樹脂とし
て１〜３核体含量が１０重量％未満、好ましくは８重用
％未猫のものを使用する。１〜３核体含量が１０重量％
以上では、組成物の感度、残膜率および耐熱性の向上を
達成することができない６一般に、ノボランク樹脂は１
核体から１５核体程度までを包含しているが、本発明者
らの研究によると、このうち低核体成分がポジ型感光性
樹脂組成物の性能を害していると考えられる。本発明に
おいては、上記のようにアルカリ可溶性／ポラ、り樹脂
の分子量分布を制御することにより、諸性能の向上を達
成することができた。 １〜３核体含量が１０重量％未満であるアルカリ可溶性
ノボラック樹脂を調製する方法としては、例えば、常法
にしたがってフェノール類を酸性触媒の存在下、アルデ
ヒド類と縮合させて合成し、合成されたアルカリ可溶性
ノボラック樹脂を極性溶媒、例えばメタノール、エタノ
ール、アセトン、メチルエチルケトン、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン等に溶解し、次に水−極性溶媒混合系
沈澱剤やペンタン、ヘキサン等の非極性溶媒系沈澱剤に
入れ樹脂分を沈澱させる方法がある。また、別の方法と
しては、アルカリ可溶性ノボラック樹脂の合成時に例え
ばアルデヒド類の添加を回分式もしくは連続的に行うこ
とにより、縮合反応を制御する方法を利用できる。この
ようにして得られる本発明に用いるアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂の平均核体数は、５〜１０程度であり、本発
明の組成物に用いるアルカリ可溶性ノボラック樹脂とし
て好適なものである。 本発明に用いるアルカリ可溶性ノボラック樹脂の合成に
使用されるフェノール類およびアルデヒド類としては次
の化合物を例示することができる。すなわち、フェノー
ル類の具体例としては、フェノール、クレゾール、エチ
ルフェノール、ブチルフェノール、ヒドロキノン、ギシ
レノール、ジヒドロキシベンゼン、フェニルフェノール
、ジヒドロキシビフェニル、ジヒドロキシジフェニルメ
タン、ジヒドロキシジフェニルプロパン、ジヒドロキシ
ジフェニルブタン等を挙げることができる。これらのフ
ェノール類は単独でまたは二種具−１−を混合して使用
することができる。アルデヒド類の具体例としてはホル
ムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、ベンズアルデヒド、フルフラール等を挙げることが
でき、好ましくはホルムアルデヒドである。また、使用
する酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸等の無
機酸、蟻酸、酢酸、シュウ酸等の有機酸を使用できる。 」−記アルデヒド類の使用量は、フェノール類１モルに
対して０．７〜３モル、上記酸性触媒の使用量は、フェ
ノール類１モルに対してｌＸ１０〜４〜５Ｘ１０−３モ
ルが一般的である。また反応温度は、通常７０〜１３０
℃である。 なお本発明に用いるアルカリ可溶性ノボラック樹脂には
、ノボラック樹脂のアルカリ再検性を損わない程度に各
種置換基が結合されていてもざい。 本発明の組成物には上記のアルカリ可溶性ノボラック樹
脂以外のアルカリ可溶性樹脂を必要に応じて配合するこ
とができる。このようなアルカリ可溶性樹脂としては、
例えばスチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレンル
アクリル酸共重合体、メチルメタクリレート−メタクリ
ル酸共重合体、メチルメタクリレート−２−ヒドロキシ
エチルメタクリレート共重合体、ブタジェン−スチレン
−メタクリル酸共重合体、メチルメタクリラート−２−
ヒドロキシエチルメタクリラート−メタクリル酸共重合
体等を挙げることができる。これらの高分子化合物は、
数平均分子量（習τ）がｔ、ｏｏｏ 〜ｔｏｏ、ｏｏｏ
、さらに好ましくは２，０００〜１０．０００−ｔ＝
あッテ、Ｍｗ／Ｍｎ （Ｍｗ：重量平均分子量）の比が
２．５未満、さらに好ましくは２．０未満のものが望ま
しい。これらのアルカリ可溶性樹脂は、アルカリ可溶性
ノボラック樹脂１００重量部に対し、好ましくは１〜５
０重量部、特に好ましくは５〜３０重量部の割合で配合
することができる。 これらのアルカリ可溶性樹脂を配合することによって組
成物を基板に塗布したときの表面状態並びに皮膜の強度
、接着性および現像性等の改良を行うことができる。 本発明の組成物には感光剤として１，２−キノンジアジ
ド化合物が配合される。この１．２−キノンジアジド化
合物は、前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量
部に対して５〜１００重量部、好ましくはｌＯ〜５０重
是部用いられる。５重量・部未満では、添加量が少ない
ために１．２−キノンジアジド化合物のアルカリ可溶性
ノボラック樹脂に対する不溶化効果が不十分であり、露
光部と未露光部とのアルカリ性水溶液からなる現像液に
対する溶解性に差をつけることができないのでパターン
形成が困難であり、 １００重量部を超えると短時間の
光照射では１，２−キノンジアジド化合物すべてを分解
することができないで一部が残存するためアルカリ性水
溶液からなる現像液による現像が困難となる。 このような１．２−キノンジアジド化合物の例としては
、種々の１．２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン
酸エステル、 １，２〜ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、 １．２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル等がある。 具体的には、例えば、モノもしくはポリヒドロキシベン
ゼンまたはこれらの化合物の誘導体の上記エステル類を
挙げることができる。ヒドロキシベンゼンの具体例とし
ては、ｐ−クレゾール、レゾルシン、ピロガロール、フ
ロログリシツール等がある。 さらに、例えば下記一般式（Ｉ） （式中ｎは１〜３の整数、Ｒ５はアルキル基、アリール
基またはアラルキル基を意味する）で表わされる化合物
のヒドロキシル基の全部または一部に、 １，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルポニルクロリド、 １．２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリドまた
は１．２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニルクロ
リド等を縮合反応させて得られる１、２−キノンジアジ
ド化合物が挙げられる。この一般式 （Ｉ）で表わされ
る化合物の具体例としては、２，３．４− トリヒドロ
キシフェニルメチルケトン、 ２，３．４− ）ジヒド
ロキシフェニルエチルケトン、２，３．４− トリヒド
ロキシフェニルブチルケトン、２，３．４−トリヒドロ
キシフェニル−ｎ−へキシルケトン、 ３，４．５−
トリヒドロキシフェニルメチルケトン、３，４．５−ト
リヒドロキシフェニルエチルケトン、３，４．５− ）
ジヒドロキシフェニルブチルケトン、３，４．５− ）
ジヒドロキシフェニル−ｎ−へキシルケトン、２，４．
８− トリヒドロキシフェニルメチルケトン、２，４．
８−トリヒドロキシフェニルエチルケトン、２，４．８
−トリヒドロキシフェニルブチルケトン、２，４．８−
）ジヒドロキシフェニル−ｎ−へキシルケトン、２゜
３．４−トリヒドロキシフェニルデシルケトン、２゜３
．４−）ジヒドロキシフェニルドデシルケトン、２．３
．４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４．８−ト
リヒドロキシベンゾフェノン、 ２，３．４− トリヒ
ドロキシフェニルベンジルケトン、３，４．５− ）リ
ヒドロキシベンジルケトン、２，４．６− ）ジヒドロ
キシフェニルベンジルケトン等が挙げられる（米国特許
第３０４６１１８号および特公昭３７−１８０１５号明
細書）。これらに同類のものとして、さらに２，４−ジ
ヒドロキシフェニルプロピルケトン、２．４−ジヒドロ
キシフェニル−ｎ−へキシルケトン、２゜４−ジヒドロ
キシベンゾフェノンを例示することができる。 さらにまた１例えば２，４．２°、４゛−テトラヒドロ
キシ−６，８゛−ジメチル−ジフェニルメタン、２，６
゜２’ 、８’−テトラヒドロキシ−３，５，３’、５
°−テトラクロル−ジフェニルメタン、２，２°−ジヒ
ドロキシ−４，４°−ジメチル−ジフェニルメタン−（
１，１）、２．２′−ジヒドロキシ−４，４°−ジメト
キシ−ジフェニルエタン−（１，１）、２，４．２’
、４°−テトラヒドロキシ−ジフェニルエタン−（１，
１） 、 ２．２’−ジヒドロキシ−４，４′−ジメト
キシ−トリフェニルメタン、２，２°−ジヒドロキシ−
ジナフチルメタン、２゜４．２°、４′ −テトラヒド
ロキシ−ジフェニルスルフィド、 ２．４，２°、４°
−テトラヒドロキシ−ジフェニルスルホキシド、２，４
．２’ 、４″−テトラヒドロキシ−６，６°−ジメチ
ル−ジフェニルエタン＝（１，１）、 ２，４．２’、
４°−テトラヒドロキシ−６，６°−ジカルポメトキシ
ージフエニルメタン、２，４，２°。 ４°−テトラヒドロキシ−８，６°−ジメチル−トリフ
ェニルメタン、２，４，２°、４°−テトラヒドロキシ
−ジフェニルプロパン−（１，１） 、 ２，４．２′
、４′ −テトラヒドロキシ−ジフェニル−ｎ−ブタン
−（１゜１）、２，４．２’ 、４’ −ペンタヒドロ
キシ−トリフェニルメタン、 ２，４．２’ 、４″−
テトラヒドロキシ−ジフェニルシクロヘキサン−（１，
１） 、 ２．２°−ジヒドロキシ−４，４“−ジメト
キシ−ジフェニルメタン、２．４．２’、４°−テトラ
ヒドロキシ−ジフェニルペンタン−（１，１）、２，４
．２°、４°−テトラヒドロキシ−ジフェニルプロパン
−（２，２） 、 ２，４．２’、４’ −テトラヒド
ロキシ−トリフェニルメタン、２．２′−ジヒドロキシ
−５，５′−ジブロム−ジフェニルメタン、２．２°−
ジヒドロキシ−５，５°−ジクロル−ジフェニルエタン
−（１，１） 、 ２．２°−ジヒドロキシ−５，５′
−ジブロム−ジフェニルエタン−（１，１） 等ｔ−１
，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド
、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロ
リドまたは１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホ
ニルクロリド等と縮合反応させて得られる１、２−キノ
ンジアジド化合物（特公昭３？−１９５３号公報）を配
合することもできる。 さらに、 ３，５−ジヒドロキシ安息香酸ラウリル、
２，３．４− トリヒドロキシ安息香酸フェニル、３．
４．５− トリヒドロキシ安息香酸プロピル、３，４゜
５−トリヒドロキシ安息香酸フェニル等の（ポリ）ヒド
ロキシ安息香酸アルキルエステルまたはアリールエステ
ルを１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルク
ロリド、ｌ、２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニ
ルクロリドまたはｌ、２−ペンゾキノンジアジド−４−
スルホニルクロリド等と縮合反応させて得られる１、２
−キノンジアジド化合物を使用することができる。 さらに下記一般式（ＩＩ）、 下記一般式（ＩＩ［）、 （一般式（ＩＩ）および（ｍ）において、ａおよびｂは
同一または異なり、３または４の整数、見およびｍは同
一または異なり、０または１〜３の整数、Ｃは１〜４の
整数、ｎはＯまたは１〜３の整数を意味し、また（ａ−
文） 、 （ｂ−ｍ）および（ｃ−ｎ）′はいずれも１
以上の整数、Ｒ１＊ Ｒ５およびＲ７は同一または異な
り、１．２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基
、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基ま
たは１．２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニル基
、Ｒ２＋ Ｒ６＊Ｒ８およびＩ’ｉ＋ｔは同一または異
なり、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール
基、アラルキル基、アルコキシ基、シアン基またはニト
ロ基、Ｒ３ｔ Ｒ４＋ Ｒ９およびＲ１（ｌは同一また
は異なり、水素原子、アルキル基、アリール基またはア
ラルキル基を意味し、Ｒ３およびＲ４ならびにＲ９およ
びＲＩＧは炭素−炭素結合またはエーテル結合で環を形
成することができる）下記一般式（） （一般式（ＩＴ）において、ｎは２〜４の整数、見はＯ
または１〜３の整数、ｍは１〜４の整数、ｋは１〜４の
整数、かつに＋ｌＬ＋ｍ＝５であり、Ｒ□は１．２−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホニル基、１．２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニル基、または１．２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホニル基、Ｒ２は水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラル
キル基、アルコキシ基、シアノ基またはニトロ基、Ｚは
メタンまたは芳香族化合物の残基を意味する）、下記一
般式（Ｖ）、 または下記一般式（■）。 （一般式（Ｖ）および（Ｖｌ）において、ａ、ｂおよび
Ｃは１〜４の整数であってａとｂは同一または異なり、
ｌ、ｒａおよびｎは０または１〜３の整数であって文と
ｍは同一または異なり、 （ａ−Ｊｌｊ）、 （ｂ−ａ
ｌ）および（ｃ−ｎ）は１以上の整数、Ｒ１＋ Ｒ２お
よびＲ５は１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホ
ニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ル基または１．２−ペンクギノンジアジド−４−スルホ
ニル基であってＲ１とＲ２は同一または異なり、Ｒ３，
Ｒ４およびＲ６は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、シアン基
またはニトロ基であってＲ３とＲ４は同一または異なり
、Ｒ７はアルキル基、アリール基またはアラルキル基、
Ｚは置換基を有するかもしくは有しないアルキレン基ま
たはオキサアルキレン基を意味する）で表わされる １
，２−キノンジアジド化合物も使用することができる。 」二記一般式（ＩＩ ）で表わされる１、２−キノンジ
アジド化合物は、例えばジ（２，３，４−）リヒドロキ
シフェニル）メタン、 １．１−ジ（２，３，４−トリ
ヒドロキシフェニル）プロパン、 ２．２−ジ（２，３
，４−）リヒドロキシフェニル）プロパン、 １．１−
ジ（２゜３．４−１−リヒドロキシフェニル）ブタン、
１．１−ジ（２，３，４−トリヒドロキシシクロヘキ
サン、 １．１−ジ（２，３，４−トリヒドロキシ）−
４−オキサシクロヘキサン、ジ（２，４，８−トリヒド
ロキシフェニル）メタン、１．１−ジ（２，４，８−ト
リヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ジ（２，，
４，８−トリヒドロキシフェニル）プロパン、 １，１
−ジ（２，４，８−）ジヒドロキシフェニル）ブタン、
１．１−ジ（２，４，８−トリヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン、１゜ｌ−ジ（２，４，８−トリヒドロキ
シフェニル）−４−オキサシクロヘキサン、ジ（２，３
，４−トリヒドロキシ−５−ブロモフェニル）メタン、
２，２−ジ（２゜４．６−ドリヒドロキシー３−クロロ
フェニル）フロパン、ジ（２，３，ａ−）ジヒドロキシ
−５−メチルフェニル）メタン、 ２．２−（２，４，
８−）リヒドロキシー３−メチル）プロパン、ジ（２，
３，４−トリヒトａキシ−５〜シアノフエニル）メタン
、 ２，２−ジ（２，４，８−トリヒドロキシ−３−ニ
トロフェこル）プロパン、ジ（１，２，３，４−テトラ
ヒドロキシフェニル）メタン、２．２−ジ（１，２，３
，５−テトラヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（ｐ
−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，４−ジヒド
ロキシフェニル）メタン、 ２，２−ビス（ｐ−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（２，４−ジヒ
ドロキシフェニル）プロパン等のビス（モノもしくはポ
リヒドロキシフェニル）アルカンと１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホニルクロリド、 １．２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホニルクロリドまたは１，
２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニルクロリドと
を当量比０．１２５〜ｌで縮合することにより得ること
ができる。 」−記一般式（ｍ）で表わされる１、２−キノンジアジ
ド化合物は、例えば２，３．４− トリヒドロキシジフ
ェニルメタン、２，４．８−トリヒドロキシジフェニル
メタン、２，３．４−トリヒドロキシ−５−クロロジフ
ェニルメタン、２，４．θ−トリヒドロキシー３−ブロ
モジフェニルメタン、２，３．４− ）リヒドロキシー
５−メチルジフェニルメタン、２，４゜６−ドリヒドロ
キシー３−シアノジフェニルメタン、 ２，３．４−
トリヒドロキシ−５−ニトロジフェニルメタン、 ２，
３．４− ）リヒドロキシー４°−メチルジフェこルメ
タン、２，４．６’−トリヒドロキシ−４゛−メチルジ
フェニルメタン、 ２，３．４− ）ジヒドロキシ−４
°−ｔ−ブチルジフエニルメタン、 ２，３゜４．５−
テトラヒドロキシジフェニルメタン、 ２，３゜４．６
−テトラヒドロキシジフェニルメタン、 ２，５−ジヒ
ドロキシジフェニルメタン、２，４−ジヒドロキシジフ
ェニルメタン、２，４−ジヒドロキシ−４゛−メチルジ
フェニルメタン、２，５−ジヒドロキシ−４′−ｔ−ブ
チルジフェニルメタン、 ２−（２゜３．４−トリヒド
ロキシフェニル）−２−フェニルプロパン、２−（２，
４，８−トリヒドロキシフェニル）−２−フェニルプロ
パン、２−（２，３，４−トリヒドロキシ−５−クロロ
フェニル）−２−フェニルプロパン、 ２−（２，３，
４−トリヒドロキシ−５−メチルフェニル）−２−フェ
ニルプロパン、 ２−（２，４，８−） ＩＪヒドロキ
シ−３−シアノフェニル）−２−フェニルプロパン、２
−（２，３，４−）リヒドロキシー５−二トロフェこル
）−２−フェニルプロパン、２−（２，３，４−）ジヒ
ドロキシフェニル）−２−（ｐ−１リル）プロパン、
２−（２，４，８−トリヒドロキシフェニル）−２−（
４−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、２− （２，３，
４，５−テトラヒドロキシフェニル）−２−フェニルプ
ロパン、 ２−（２，３，４，８−テトラヒドロキシ）
−２−フェニルプロパン、２−（２，５−ジヒドロキシ
フェニル）−２−１−ｍ−１，−／Ｉ−１，ぐ＼ノ リ
ー／ＱＪ−１フレ ［ナーふ １−ェこル）−２〜フエ
ニルプロパン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）
−２−（ｐ−）リル）プロパン等のポリヒドロキシ化合
物と１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルク
ロリド、１．２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニ
ルクロリドまたは１．２−ベンゾキノンジアジド−４−
スルホニルクロリドとを当量比０．２５〜ｌで縮合する
ことにより得ることができる。 Ｌ記一般式（Ｈ）または（Ｉｌｌ）で表わされる１、２
−キノンジアジド化合物に関する詳細は、本出願人の出
願に係る特願昭５８−２３０３２８号に記載されている
。 上記一般式（ＩＶ）で表わされる１、２−キノンジアジ
ド化合物は、例えば、ｐ−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
イル）ベンゼン、ｐ−ビス（２，５−ジヒドロキシベン
ゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス（２，３，４−トリヒドロ
キシベンゾイル）ベンゼン、Ｐ−ビス（２，４，８−ト
リヒドロキシへンゾイル）ベンゼン、ｍ−ビス（２，４
，Ｂ−トリヒドロキシベンゾイル）ベンセン、ｐ−ビス
（４−ヒドロキシ−３−グロロベンゾイル）ベンゼン、
ｐ−ビス（２，３，４−）リヒドロキシー５−メチルベ
ンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス（２，４，８”−）リヒ
ドロキシー３−ニトロベンゾイル）ベンゼン、Ｐ−ビス
（２，３，４−トリヒドロキシ−５−シアノベンゾイル
）ベンゼン、１，３．５−トリス（２，５−ジヒドロキ
シベンゾイル）ベンゼン、１，２．３−トリス（２，３
，４−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、 １，２
．４−トリス（２，４，６−トリヒドロキシベンゾイル
）ベンゼン、１，２，４．５−テトラキス（２，３，４
−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、α、α′−ビ
ス（２，３，４−トリヒドロキシベンゾイル）−ｐ−キ
シレン、α、α゛、α″−トリス（２，３，４−トリヒ
ドロキシベンゾイル）メシチレン、 １．２−ビス（２
，３，４−）リヒドロキシベンゾイル）ナフタレン、ビ
ス（２，５−ジヒドロキシベンソイル）メタン、ビス（
２，３，４−トリヒドロキシベンゾイル）メタン、ビス
（２，４，８−）リヒドロキシベンゾイル）メタン等の
ポリヒドロキシ化合物と １，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホニルクロリド、 １．２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホニルクロリドまたは１，２−ベン
ゾキノンジアジド−４−スルホニルクロリドとを当量比
０．０８３〜１で縮合することにより得ることができ、
詳細は本出願人の出願に係る特願昭５８−２４３５８３
号に記載されている。 上記一般式（Ｖ）で表わされる１、２−キノンジアジド
化合物は、例えば、エチレングリコール−２’（２−ヒ
ドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコールージ（
２，３−ジヒドロキシベンゾエート）、トリエチレング
リコールージ（２，８−ジヒドロキシベンゾエート）、
エチレングリコールージ（３，４，５−トリヒドロキシ
ベンゾエート）、ジエチレングリコールージ（２，４，
８−）ジヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリ
コールージ（２−ヒドロキシ−３−メチルベンゾニー１
−）、エチレングリコールージ（４−クロロ−２−ヒド
ロキシベンゾニー１・）、ポリエチレングリコールージ
（５−ブロモ−２−ヒドロキシベンゾエート）、エチレ
ングリコールージ（３，５−ジヒドロキシベンゾエート
）、ポリエチレングリコールージ（３，５−ジヒドロキ
シベンジェ−１−）、ホリエチレングリコールーシ（３
，４，５−トリヒドロキシへンゾエート）、プロピレン
グリコールージ（３−クロロ−４−ヒドロキシベンゾエ
ート）、スチレングリコールージ（２−ヒドロキシ−３
−メｉ・キシベンゾエート）、ポリプロピレングリコー
ルージ（２−ヒドロキシ−５−メトキシベンゾエート）
、ポリ−３，３−ビスクロロメチルオキセタングリコー
ルージ（３−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾエート）
、１゜３−プロパンジオールージ（３，４，５−トリヒ
ドロキシへンゾエート）、 １，４−ブタンジオールー
ジ（３−ヒドロキシベンゾエート）、ポリテトラヒドロ
フラングリコールージ（３，４，５−）ジヒドロキシベ
ンゾエート）等のポリヒドロキシ化合物と １，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド、 １．
２−ナフトキノンシアシト−４−スルホニルクロリドま
たは１．２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニルク
ロリドとを当量比０．１７〜ｌで縮合することにより得
ることができる。 上記一般式（Ｖｌ）で表わされる１、２−キノンジアジ
ド化合物は、例えば、エチレングリコール−モノメチル
−モノ（３，４，５−）ジヒドロキシベンゾエート）、
エチレングリコール−モノエチル−モノ（２，４，６−
トリヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール
−モノエチル−モノ（２，３−ジヒドロキシベンゾエー
ト）、トリエチレングリコール−モノエチル−モノ（３
，５−ジヒドロキシベンゾ！−日、エチレングリコール
−モノフェニル−モノ（３，４，５−トリヒドロキシベ
ンゾエート）。 １．２−ベンゼンジメタノ−ルーモノエチル−モノ（３
，４，５−）ジヒドロキシベンゾエート）等のポリヒド
ロキシ化合物と１，２−ナフｉ・キノンジアジド−５−
スルホニルクロリド、 １．２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホニルクロリドまたは１．２−ベンゾキノン
ジアジド−４−スルホニルクロリドとを当量比０．３〜
ｌで縮合することにより得ることができる。 上記一般式（Ｖ）または（Ｖｌ）で表わされる１、２−
キノンジアジド化合物に関する詳細は、本出願人の出願
に係る特願昭５９−２５２１号に記載されている。 さらに、 １．２−キノンジアジド化合物の別の例とし
て、ヒドロキシル基を有するα−ピロン系天然色素、ヒ
ドロキシル基を有するγ−ピロン系天然色素、ヒドロキ
シル基を有するジアジン系天然色素およびヒドロキシル
基を有するキノン系天然色素からなる群から選ばれる化
合物のヒドロキシル基の全部または一部を１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、 １．２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド、１
，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニルクロリド
等の１．２−キノンジアジドスルホニルクロリドと、塩
基性触媒の存在下で縮合反応させ、精製することによっ
て得られる１、２−キノンジアジド化合物を挙げること
ができる。 」二記ヒドロキシル基を有するα−ピロン系天然色素と
しては、例えばヒスピジン、 ２°、３°−ジオキシ−
ジベンズ−α−ピロン、エラグ酸、グルベルジン、オオ
スポラフトン等を挙げることができる。前記ヒドロキシ
ル基を有するγ−ピロン系天然色素としては、例えばオ
イゲニン、ブラシリン、ヘマトキシリン、オイキサント
ン、ゲンチミン、クリシン、クリジンの配糖体であるト
リンギン、プリメチン、アビゲニン、アビゲニンの配糖
体であるアビイン、ルテオリン、ケルセチン、ケルセチ
ンの配糖体であるケルシトリン、インケルシトリン、ケ
ルシトリンリン、ルチン、ヒベリン、カランギン、ケン
ペロール、フィセチン、モリン、ラムネチン、ミリセチ
ン、ソテツフラポン、ナリンゲニン、ナリンゲニンの配
糖体であるナリンジン、サクラネチン、ヘスペリチン、
アルピノン、カテキン、ダイゼイン、プルシネチン、プ
ルネチンの配糖体であるプルニドリン、ペリゲニン、ペ
リゲニンの配糖体であるイリジン、オサジン、ベラルゴ
ニジン、シアニジン、ロイコデルフィニジン等を挙げる
ことができる。前記ヒドロキシル基を有するジアジン系
天然色素としては、例えばキサントプテリン、ロイコプ
テリン、エントロプテリン、クリップテリン、イオジニ
ン等を挙げることができる。前記ヒドロキシル基を有す
るキノン系天然色素としては、例えばポリボール酸、ア
トロメンチン、ロイコメロン、ムスカルフィン、オオス
ボレイン、ニゲロン、エキツクロームＡ、スピノンＡ、
スピンクロームＮ、アリザリン、プルプリン、エモジン
、カルミン酸、ケルメス酸、スカイリン、ピロマイシン
等を挙げることができる。 これら天然色素から得られる１、２−キノンジアジド化
合物に関する詳細は、本出願人の出願に係る特願昭５８
−１８２８７号に記載されている。 さらに、特公昭３７−３８２７号公報、同３７−１３１
０９号公報、同４０−２８１２８号公報、同４０−３８
０１号公報、同４５−５［１０４号公報、同４５−２７
３４５号公報、同５１−１３０１３号公報、特開昭４８
−９８５７５号公報、同４８−８３８０２号公報、同４
８−８３８０３号公報、同５８−７５１４９号公報等に
記載された、あるいはＪ、Ｋｏｓａｒ著“Ｉ、ｉｇｈｔ
−５ｅｎｓｉ−ｔｉｖｅ ５ｙｓｔｅ＋ｍｓ” ３３１
１〜３５２．（１１３８５）、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ
＆５ｏｎｓ社（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）やＷ、Ｓ、口ｅ Ｆ
ｏｒｅｓｔ著“Ｐｈｏｔｏｒｅ−ｓｉｓｔ” ５０．（
１９７５）、 ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ、Ｉｎｃ、、（
Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）に記載されている１、２−キノンジ
アジド化合物も使用することができる。 本発明の組成物は、微細加工すべき基板上に塗布し、活
性光線、例えば紫外線等を部分的に照射し、現像するこ
とによってパターンを形成することができる。 本発明の組成物を基板に塗布する方法としては１本発明
の組成物を、例えば濃度が５〜５０重量％となるように
適当な溶剤に溶解し、これを回転塗布、流し塗布、ロー
ル塗布等により塗布する方 −法が挙げられる。この際
に用いられる適当な溶剤としては、エチレングリコール
千ツメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル等のクリコールエーテル類、メチルセロソルブア
セテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ
エステル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類
５メチルエチルケトン５シクロヘキサン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類を挙げることが
できる。これらの溶剤を２種類以上混合して使用するこ
ともできる。また、必要に応じ、ベンジルエチルエーテ
ル、ジへキシルエーテル等のエーテル類、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル等のグリコールエーテル類、アセトニ
ルアセトン、イソホロン等のケトン類、カプロン酸、カ
プリル酸等の脂肪酸類、 ｌ−オクタツール、 ｌ−ノ
ナノール、ベンジルアルコール等のアルコール類、酢酸
ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マイレ
ン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭
酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート等のエス
テル類の如き高沸点溶剤を添加することができる。 本発明の組成物には、必要に応じて保存安定剤、色素等
を添加配合することもできる。また本発明の組成物と基
板との接着力を向上させるために、選定した基板に応じ
て、例えばヘキサメチルジシラザン、クロロメチルシラ
ン等を接着助剤として基板に塗布してもよい。 本発明の組成物に通用する現像液としては、例えば水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ
酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等
の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン
等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピル
アミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジ
エチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールア
ミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩な
どアルカリ類の水溶液。 ピロール、ピペリジン、 １．８−ジアザビシクロ（５
，４，０） −７−ウンデセン、 １，５−ジアザビシ
クロ（４，３，０） −５−ノナン等の環状アミン類の
水溶液が使用され、金属を含有する現像液の使用が問題
となる集積回路作製時には、第四級アンモニウム塩や環
状アミンの水溶液を使用するのが好ましい。また上記ア
ルカリ類の水溶液にメタノール、エタノールのようなア
ルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添
加した水溶液を現像液に使用することもできる。 本発明の組成物は、高感度、高解像度、高残膜率および
高耐熱性を有し、集積回路作製用のポジ型ホトレジスト
として特に有用であるとともに、マスク製作用のポジ型
ホトレジスト等としても填用なものである。 次に実施例を挙げて本発明を詳述するが、本発明はこれ
らの実施例により何ら制約されるものではない。 以下の実施例において諸特性は次のように評価された。 初期軟化温度（’Ｃｉ）・・・キャピラリー法で測定。 １〜３核体の含量・・・・・・ゲル浸透クロマトグラ（
重量％） フィー（ＧＰＣ）で測定したクロマトグラム
よりめ る。 感 度（ｍＪ／ｃｒｎ’）・・・・・・Ｉｇ＋ｅのライ
ンアンドスペースのパターンが解像 できるときの最低露光エ ネルギー量。 残 膜 率（％）・・す・・パターンとして残るべき未
露光部分の現像前後の 高さの比。 酎 熱 性（’０）・・・・・・一定温度のオーブン中
にパターン形成したシリコ ンウェーハを入れ３０分間 加熱し、パターンのだれ 発生の有無を顕微鏡で観 察したときのだれを発生 しない最高温度。 選 択 比・・・・・・・・・・・・・・・シリコン酩
化膜がエツチングされる速度／レジス トがエツチングされる速 度の比。削ドライエツチ ング性を示す。 尖蔦瀧」 （１）撹拌機、冷却管および温度計を装着した内容積５
００謬りの三ツロセパラブルフラスコにｍ−クレゾール
１１７ｇ、ｐ−クレゾール１３ｇ、３７重量％ホルムア
ルデヒド水溶液９２＋＊Ｊｌｊ、およびシュウ酸０．０
４ ｇを仕込んだ。撹拌しながら、セバラブルフラスコ
を油浴に浸し、内温を１００℃に保持しながら、３時間
３０分反応させた。その後、油浴温度を１８０℃まで上
げ、同時にセパラブルフラスコ内を減圧にして、水、未
反応のクレゾール、ホルムアルデヒドおよびシュウ酸を
除いた。次いで、溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹
脂Ｅ以下「ノボラック樹脂ＩＡ Ｊという］を室温に戻
して回収した。ノボラック樹脂ＩＡの初期軟化温度は８
０℃で、 １〜３核体含量は３０重量％であった。 （２）ノボラック樹脂１＾２０ｇをメタノール１８０ｇ
に溶解し、完全に溶解した後、水／メタノールの混合比
が６／４
【重量比】の混合溶媒５文中に入れ樹脂分を沈
殿させた。沈殿した樹脂分をろ過して回収し、４０℃に
加熱し減圧下で１５時間乾燥させて目的とするアルカリ
可溶性ノボラック樹脂Ｅ以下「ノボラック樹脂ＩＢＪと
いう】を得た。ノボラック樹脂ＩＢの初期軟化温度は１
３５℃であって、 １〜３核体含量は５．３重量％であ
った。 （３）ノボラック樹脂ｌＢ１５ｇと２．４．８− トリ
ヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸トリエステル２．３ｇを５０ｇの
エチルセロソルブアセテートに溶解した後、孔径０−２
ＪＬ■のメンブランフィルタ−でろ過し、ポジ型感光性
樹脂組成物の溶液を調製した。シリコン酸化膜を有する
シリコンウェーハ上にスピンナーで上記溶液を塗布した
後、８０℃で３０分間オーブン中でプリベークして１ｐ
Ｌ１１厚のレジスト膜を形成した。凸版印刷（製）ホト
マスクを介して、紫外線強度計（Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｓ
５ｏｃｉａｔｅｓ、Ｉｎｃ、、製Ｍｏｄｅｌ ２０５）
較正した波長３８５ｎｍテ（７）エネルギーが１４
ｍＪ／ｃｒｎ’の紫外線を照射後、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド２．４重量％水溶液で２０℃、６０
秒間現像したところ、最小線幅１．０ＪＬ■のパターン
を解像することができた。また、残膜率は９５％であっ
た。 ここで得られたパターンを空気循環式オーブンに入れ、
ポストベークし゛たところ、 １７０℃の耐熱性を有し
ていた。更にこれを平行平板型ドライエツチング装置（
電極間隔４０ｍｍ）に装着し、四フッ化炭素／酸素（９
５１５容星比）をエツチングガスとして、出力１００Ｗ
、ガス圧１５Ｐａの条件でレジストの耐ドライエツチン
グ性を調べた。その結果、選択比３．５が測定され、高
い耐ドライエ＋７チング性を有することもわかった。 止較迩」 ノボラック樹脂１８の代りにノボラック樹脂ＩＡを使用
した以外は実施例１の（３）と同様にしてポジ型感光性
樹脂組成物の溶液を調製し、レジストとしての性能を評
価した。結果は表１に示すとおりであり、実施例１の結
果と合わせ示す。 表１ 表１より、本発明の組成物が残膜率、耐熱性および耐ド
ライエツチング性のいずれにおいても著しく向−１ニし
ていることがわかる。 実ｍζヱ１ ノボラック樹脂ＩＢと表２の感光剤を使用したほかは実
施例１の（３）と同様にポジ型感光性樹脂組成物の溶液
を調製し、評価したところ、いずれも感度、残膜率、耐
熱性、耐ドライエツチング性に優れていた。結果を表２
に示す。 実」１１下 （１）撹拌機、冷却管および温度計を装着した内容積５
００＋ｓ文の三ツロセパラプルフラスコにｍ−クレゾー
ル７８ｇｊｐ−クレゾール２８ｇおよびヒドロキノン２
８ｇを仕込み、更に３７重量％ホルムアルデヒド水溶液
９２＋ｗｉおよびシュウ酸０．０４ｇを添加した。内容
物をよく撹拌し、均一溶液とするとともに三ツロセパラ
ブルフラスコを油浴に浸し、溶液の温度を１００℃まで
昇温した。溶液の温度を１００℃に保持しながら、３時
間反応させた。その後、油浴温度を１８０℃までＩ−げ
、セパラブルフラスコ内を減圧にすることにより、水、
未反応クレゾール、ホルムアルデヒドおよびシュウ酸を
除いた。 次いで、溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹脂Ｅ以下
「ノボラック樹脂ＧＡ Ｊ という１を室温に戻して回
収した。ノボラック樹脂６Ａの初期軟化温度は９５℃で
、 １〜３核体含量は２５重量％であった。 （２）このノボラック樹脂８Ａ２０ｇをメタノール１８
０ ｇに溶解した。次いＣ１水／メタノールの混合比が
５１５［重樋比１である混合溶媒５文中に入れ樹脂分を
沈殿させ、沈殿した樹脂分を回収し、更に加熱減圧下で
乾燥した［以下、「ノボラック樹脂６ＢＪという１゜ノ
ボラック樹脂６Ｂの初期軟化温度は１５０℃と高く、
１〜３核体含量は２．５重量％と少なかった。 （３）実施例１の（３）と同様にしてノボラック樹脂６
Ｂを素材としたポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調製し
、レジストとしての性能を評価したところ、感度１４．
５ ｎ＋Ｊ／ｃｒｎ’、残膜率８２％であり、ポストベ
ーク時の耐熱性は１８０℃と高く、更に選択比で表わす
耐ドライエツチング性も３．６と良い値を示した。 比（ｄ舛ヱ ノボラック樹脂６Ｂの代りにノボラック樹脂６Ａを使用
した以外は実施例６と同様にしてポジ型感光性樹脂組成
物の溶液を調製し、レジストとしての性能を評価した。 その結果、残膜率が６０％と低く、また耐熱性も１３０
℃と低く、選択比も２．３と良くなかった。
殿させた。沈殿した樹脂分をろ過して回収し、４０℃に
加熱し減圧下で１５時間乾燥させて目的とするアルカリ
可溶性ノボラック樹脂Ｅ以下「ノボラック樹脂ＩＢＪと
いう】を得た。ノボラック樹脂ＩＢの初期軟化温度は１
３５℃であって、 １〜３核体含量は５．３重量％であ
った。 （３）ノボラック樹脂ｌＢ１５ｇと２．４．８− トリ
ヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸トリエステル２．３ｇを５０ｇの
エチルセロソルブアセテートに溶解した後、孔径０−２
ＪＬ■のメンブランフィルタ−でろ過し、ポジ型感光性
樹脂組成物の溶液を調製した。シリコン酸化膜を有する
シリコンウェーハ上にスピンナーで上記溶液を塗布した
後、８０℃で３０分間オーブン中でプリベークして１ｐ
Ｌ１１厚のレジスト膜を形成した。凸版印刷（製）ホト
マスクを介して、紫外線強度計（Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｓ
５ｏｃｉａｔｅｓ、Ｉｎｃ、、製Ｍｏｄｅｌ ２０５）
較正した波長３８５ｎｍテ（７）エネルギーが１４
ｍＪ／ｃｒｎ’の紫外線を照射後、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド２．４重量％水溶液で２０℃、６０
秒間現像したところ、最小線幅１．０ＪＬ■のパターン
を解像することができた。また、残膜率は９５％であっ
た。 ここで得られたパターンを空気循環式オーブンに入れ、
ポストベークし゛たところ、 １７０℃の耐熱性を有し
ていた。更にこれを平行平板型ドライエツチング装置（
電極間隔４０ｍｍ）に装着し、四フッ化炭素／酸素（９
５１５容星比）をエツチングガスとして、出力１００Ｗ
、ガス圧１５Ｐａの条件でレジストの耐ドライエツチン
グ性を調べた。その結果、選択比３．５が測定され、高
い耐ドライエ＋７チング性を有することもわかった。 止較迩」 ノボラック樹脂１８の代りにノボラック樹脂ＩＡを使用
した以外は実施例１の（３）と同様にしてポジ型感光性
樹脂組成物の溶液を調製し、レジストとしての性能を評
価した。結果は表１に示すとおりであり、実施例１の結
果と合わせ示す。 表１ 表１より、本発明の組成物が残膜率、耐熱性および耐ド
ライエツチング性のいずれにおいても著しく向−１ニし
ていることがわかる。 実ｍζヱ１ ノボラック樹脂ＩＢと表２の感光剤を使用したほかは実
施例１の（３）と同様にポジ型感光性樹脂組成物の溶液
を調製し、評価したところ、いずれも感度、残膜率、耐
熱性、耐ドライエツチング性に優れていた。結果を表２
に示す。 実」１１下 （１）撹拌機、冷却管および温度計を装着した内容積５
００＋ｓ文の三ツロセパラプルフラスコにｍ−クレゾー
ル７８ｇｊｐ−クレゾール２８ｇおよびヒドロキノン２
８ｇを仕込み、更に３７重量％ホルムアルデヒド水溶液
９２＋ｗｉおよびシュウ酸０．０４ｇを添加した。内容
物をよく撹拌し、均一溶液とするとともに三ツロセパラ
ブルフラスコを油浴に浸し、溶液の温度を１００℃まで
昇温した。溶液の温度を１００℃に保持しながら、３時
間反応させた。その後、油浴温度を１８０℃までＩ−げ
、セパラブルフラスコ内を減圧にすることにより、水、
未反応クレゾール、ホルムアルデヒドおよびシュウ酸を
除いた。 次いで、溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹脂Ｅ以下
「ノボラック樹脂ＧＡ Ｊ という１を室温に戻して回
収した。ノボラック樹脂６Ａの初期軟化温度は９５℃で
、 １〜３核体含量は２５重量％であった。 （２）このノボラック樹脂８Ａ２０ｇをメタノール１８
０ ｇに溶解した。次いＣ１水／メタノールの混合比が
５１５［重樋比１である混合溶媒５文中に入れ樹脂分を
沈殿させ、沈殿した樹脂分を回収し、更に加熱減圧下で
乾燥した［以下、「ノボラック樹脂６ＢＪという１゜ノ
ボラック樹脂６Ｂの初期軟化温度は１５０℃と高く、
１〜３核体含量は２．５重量％と少なかった。 （３）実施例１の（３）と同様にしてノボラック樹脂６
Ｂを素材としたポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調製し
、レジストとしての性能を評価したところ、感度１４．
５ ｎ＋Ｊ／ｃｒｎ’、残膜率８２％であり、ポストベ
ーク時の耐熱性は１８０℃と高く、更に選択比で表わす
耐ドライエツチング性も３．６と良い値を示した。 比（ｄ舛ヱ ノボラック樹脂６Ｂの代りにノボラック樹脂６Ａを使用
した以外は実施例６と同様にしてポジ型感光性樹脂組成
物の溶液を調製し、レジストとしての性能を評価した。 その結果、残膜率が６０％と低く、また耐熱性も１３０
℃と低く、選択比も２．３と良くなかった。
Claims (1)
- １、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１．２−キノンジ
アジド化合物とからなるポジ型感光性樹脂組成物におい
て、前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂の１〜３核体含
星が１０重量％未満であることを特徴とするポジ型感光
性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4514684A JPS60189739A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4514684A JPS60189739A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189739A true JPS60189739A (ja) | 1985-09-27 |
| JPH0342657B2 JPH0342657B2 (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=12711139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4514684A Granted JPS60189739A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189739A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62227144A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| JPS632044A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| EP0251187A2 (en) * | 1986-06-27 | 1988-01-07 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Method for purifying novolak resins useful as material for coating on a semiconductor substrate |
| JPS636026A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Nippon Zeon Co Ltd | ノボラツク樹脂の精製方法 |
| JPH01105243A (ja) * | 1986-11-08 | 1989-04-21 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂 |
| JPH01177032A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-13 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JPH01276131A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH0260915A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ノボラック樹脂中の低核体の除去方法 |
| JPH02282745A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-20 | Toray Ind Inc | ポジ型フォトレジスト組成物および該組成物を使用した微細パターンの形成方法 |
| JPH03125152A (ja) * | 1989-10-09 | 1991-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトレジスト塗布組成物 |
| JPH03200251A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH03200253A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH03208054A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規なポジ型ホトレジスト組成物 |
| US5132376A (en) * | 1989-09-08 | 1992-07-21 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Process for selective removal of dimeric species from phenolic polymers |
| EP0722121A1 (en) * | 1995-01-12 | 1996-07-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photosensitive planographic printing plate |
| EP0786699A1 (en) | 1996-01-22 | 1997-07-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI546323B (zh) * | 2011-09-21 | 2016-08-21 | 住友電木股份有限公司 | 酚醛清漆型酚樹脂、光阻用樹脂組成物及液晶裝置之製造方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561044A (en) * | 1979-06-16 | 1981-01-08 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photosensitive composition |
| JPS5786830A (en) * | 1980-11-20 | 1982-05-31 | Fujitsu Ltd | Pattern forming material |
| JPS5817112A (ja) * | 1981-06-22 | 1983-02-01 | フイリツプ・エイ・ハント・ケミカル・コ−ポレイシヨン | ポジ型ノボラツクホトレジスト組成物及びその調製物 |
| JPS58182632A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPS58205147A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-11-30 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS59152A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 画像形成性樹脂組成物 |
| JPS6042753A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-07 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型クレゾ−ルノボラツクフオトレジスト組成物 |
| JPS6045238A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト材料とその製造方法 |
| JPS6097347A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 画像形成性感光性組成物 |
| JPS60140235A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-25 | オリン マイクロエレクトロニック ケミカルズ インコーポレーテッド | ポジ作用性ホトレジスト組成物 |
-
1984
- 1984-03-09 JP JP4514684A patent/JPS60189739A/ja active Granted
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561044A (en) * | 1979-06-16 | 1981-01-08 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photosensitive composition |
| JPS5786830A (en) * | 1980-11-20 | 1982-05-31 | Fujitsu Ltd | Pattern forming material |
| JPS5817112A (ja) * | 1981-06-22 | 1983-02-01 | フイリツプ・エイ・ハント・ケミカル・コ−ポレイシヨン | ポジ型ノボラツクホトレジスト組成物及びその調製物 |
| JPS58182632A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPS58205147A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-11-30 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS59152A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 画像形成性樹脂組成物 |
| JPS6042753A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-07 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型クレゾ−ルノボラツクフオトレジスト組成物 |
| JPS6045238A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト材料とその製造方法 |
| JPS6097347A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 画像形成性感光性組成物 |
| JPS60140235A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-25 | オリン マイクロエレクトロニック ケミカルズ インコーポレーテッド | ポジ作用性ホトレジスト組成物 |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62227144A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| JPS632044A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| JPH0680119B2 (ja) * | 1986-06-27 | 1994-10-12 | 日本ゼオン株式会社 | ノボラツク樹脂の精製方法 |
| EP0251187A2 (en) * | 1986-06-27 | 1988-01-07 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Method for purifying novolak resins useful as material for coating on a semiconductor substrate |
| JPS636026A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Nippon Zeon Co Ltd | ノボラツク樹脂の精製方法 |
| JPH01105243A (ja) * | 1986-11-08 | 1989-04-21 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂 |
| JPH01177032A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-13 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JPH01276131A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH0260915A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ノボラック樹脂中の低核体の除去方法 |
| JP2536600B2 (ja) * | 1988-08-29 | 1996-09-18 | 日本合成ゴム株式会社 | ノボラック樹脂中の低核体の除去方法 |
| JPH02282745A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-20 | Toray Ind Inc | ポジ型フォトレジスト組成物および該組成物を使用した微細パターンの形成方法 |
| US5132376A (en) * | 1989-09-08 | 1992-07-21 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Process for selective removal of dimeric species from phenolic polymers |
| JPH03125152A (ja) * | 1989-10-09 | 1991-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトレジスト塗布組成物 |
| JPH03200253A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH03200251A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH03208054A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規なポジ型ホトレジスト組成物 |
| EP0722121A1 (en) * | 1995-01-12 | 1996-07-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photosensitive planographic printing plate |
| EP0786699A1 (en) | 1996-01-22 | 1997-07-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0342657B2 (ja) | 1991-06-27 |
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