KR102460134B1 - 구리막용 포토레지스트 조성물 - Google Patents

구리막용 포토레지스트 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 구리막용 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로 상기 포토레지스트 조성물은 특정 구조의 티아디아졸계 화합물을 소정의 함량 범위로 포함하여, 기존 대비 구리막 기판에서의 식각성능을 향상시킴으로써 기판과의 접착력 및 회로선폭 균일도를 동시에 개선할 수 있는 구리막용 포토레지스트 조성물이 제공된다.

Description

구리막용 포토레지스트 조성물 {PHOTORESIST COMPOSITION FOR COPPER LAYER}
본 발명은 포토레지스트 패턴 형성시 구리막 기판에서 식각 성능을 크게 향상시켜, 기판과의 접착력을 높이고 회로 선폭 균일도가 우수하여 신호전달특성 및 배선폭 감소, 고해상도를 구현할 수 있어서 각종 소자의 성능을 향상시킬 수 있는 구리막용 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
액정표시장치 회로 또는 반도체 집적회로와 같이 미세한 회로 패턴을 형성하기 위해서는 먼저 기판 상에 형성된 절연막 또는 도전성 금속막에 포토레지스트 조성물을 균일하게 코팅 또는 도포하고, 소정 형상의 마스크 존재 하에서 코팅된 포토레지스트 조성물을 노광하고 현상하여 목적하는 형상의 패턴을 형성한다. 이후 상기 패턴이 형성된 포토레지스트 막을 마스크로 사용하여 금속막 또는 절연막을 에칭한 다음, 잔존하는 포토레지스트 막을 제거하여 기판상에 미세 회로를 형성한다.
또한 최근에는 상기 기판에 구리막을 적용하고 있는데, 상기 구리막은 가격이 상대적으로 저렴하고, 낮은 비저항으로 인하여 신호 왜곡 및 간섭이 적어 신호전달특성을 향상시킬 수 있는 장점을 가지고 있어 점차 사용이 확대되고 있다.
그러나, 구리는 알루미늄과는 달리 건식 식각이 어려워 패터닝이 불가능하고 기판과의 접착력이 낮고 회로선폭 균일도가 낮아 해상도를 떨어뜨리는 문제가 있다. 또한 기존 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해 사용하는 일반적인 고분자 수지, 감광성 화합물, 및 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물은 식각 성능의 향상에 한계가 있고, 회로 선폭 균일도가 떨어질 수 있다. 따라서, 고해상도, 고직접화를 구현하기 위한 구리막 내에서의 식각 성능이 향상되며, 기판과의 접착력 등이 향상된 새로운 포토레지스트 조성물이 요구되고 있다.
본 발명은 구리막이 적용되는 다양한 소자의 구리막 기판에서 식각 성능을 향상 시킴으로써, 기판과의 접착력과 회로선폭 균일도가 동시에 우수한 구리막용 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 구리막 기판에서의 신호전달특성 및 배선폭 감소, 고해상도 등을 구현할 수 있는 구리막용 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 노볼락 수지 5 내지 30 중량%;
디아지드계 감광성 화합물 2 내지 10 중량%;
하기 화학식 1로 표시되는 티아디아졸계 화합물 0.005 내지 0.8 중량%; 및
유기용매 잔량;
을 포함하는, 구리막용 포토레지스트 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112015086863652-pat00001
(상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 아미노기 또는 메르캅토기이고, 이때 상기 R1 및 R2 중 하나는 메르캅토기이다)
또한, 본 발명에서 상기 티아디아졸계 화합물은 포토레지스트 조성물의 전체 중량을 기준으로 0.01 내지 0.55 중량%를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 화학식 1에서 R1 은 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 아미노기이고, R2는 메르캅토기일 수 있다.
상기 노볼락계 수지는 메타 크레졸과 파라 크레졸을 반응시켜 수득되는 수지일 수 있다.
상기 디아지드계 감광성 화합물은 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트, 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
상기 유기 용매는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 에틸락테이트, 2-메톡시에틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 및 1-메틸-2-피롤리디논으로 이루어진 군으로부터 1종 이상을 포함할 수 있다.
그리고, 본 발명에서 상기 포토레지스트 조성물은 액정 표시 소자(LCD), 발광 다이오드 소자(LED) 또는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 구리막 기판의 형성에 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 구리막 기판에서 식각성능을 향상시킴으로써 기판과의 접착력 및 회로선폭 균일도가 동시에 모두 우수한 장점이 있다. 따라서, 산업현장에서 구리막 기판에서의 etch bias를 최소화함으로써 신호전달특성 및 배선폭 감소, 고해상도 등을 구현하는데 용이하게 적용할 수 있다.
도 1은 실시예 1 내지 6의 주사전자현미경사진을 나타낸 것이다.
도 2는 실시예 7 내지 10의 주사전자현미경사진을 나타낸 것이다.
도 3은 비교예 1 내지 4의 주사전자현경사진을 나타낸 것이다.
이하에서 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
또한 본 발명의 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 명세서에서 기재된 포토레지스트 조성물은 감광성 수지 조성물을 의미할 수 있다.
본 발명은 일 구현예에 따르면, 노볼락 수지 5 내지 30 중량%; 디아지드계 감광성 화합물 2 내지 10 중량%; 하기 화학식 1로 표시되는 티아디아졸계 화합물 0.005 내지 0.8 중량%; 및 유기용매 잔량;을 포함하는, 구리막용 포토레지스트 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112015086863652-pat00002
(상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 아미노기 또는 메르캅토기이고, 이때 상기 R1 및 R2 중 하나는 메르캅토기이다)
상술한 바와 같이, 기존에는 구리막 기판 적용시 식각 성능이 저하되어 기판과의 접착력이 떨어지고 고해상도 구현이 어려운 문제가 있었다. 따라서 본 발명에서는 화학식 1의 티아디아졸계 화합물을 사용하되, 그 함량을 매우 소량으로 특정함으로써, 기존보다 식각 성능을 개선하여 기판과의 접착력을 크게 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 패턴에서의 미세선폭을 쉽게 형성할 수 있고, 또한 회로선폭 균일도가 우수하여, 신호전달특성이 향상되고 고해상도를 구현할 수 있는 다양한 소자를 제공하는데 기여할 수 있다.
그러면, 본 발명의 포토레지스트 조성물에서 사용되는 화학식 1의 티아디아졸계 화합물을 비롯한, 각 성분에 대하여 설명한다.
티아디아졸계 화합물
본 발명에서는 기존 대비, 구리막을 포함한 기판에서의 식각 성능을 향상시키고자, 특정하게 화학식 1의 티아디아졸계 화합물을 사용한다.
이때, 화학식 1의 티아디아졸계 화합물에서, 상기 R1 및 R2 중 하나는 메르캅토기를 포함하여야 기판과의 접착력 및 회로선폭 균일도를 높이는 성능을 발휘할 수 있다.
따라서, 본 발명의 바람직한 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서 R1 은 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 아미노기이고, 이때 R2는 메르캅토기인 것이 바람직하다.
특히, 본 발명에서는 화학식 1의 티아디아졸계 화합물을 사용함에 있어서, 포토레지스트 조성물의 전체 중량을 기준으로 0.005 내지 0.8 중량%로 소량 포함하는 특징이 있다. 보다 바람직하게 상기 화학식 1의 티아디아졸계 화합물은 포토레지스트 조성물의 전체 중량을 기준으로 0.01 내지 0.55 중량%로 포함할 수 있다.
상기 화학식 1의 티아디아졸계 화합물의 함량이 0.005 중량% 미만이면 그 함량이 너무 적어 식각 성능 향상은 물론 기판과의 접착력 개선효과를 발휘할 수 없다. 또한 그 함량이 0.8 중량%를 초과하면, 기판위 미세선폭을 형성하는데 문제가 있다.
노볼락 수지
한편, 본 발명의 포토레지스트 조성물에 포함되는 노볼락계 수지는 종래의 포토레지스트 조성물에서 사용되고 있는 통상의 알칼리 가용성 수지를 사용할 수 있다.
구체적으로, 상기 노볼락계 수지는 페놀계 화합물과 알데하이드계 화합물 또는 케톤계 화합물을 산성 촉매하에서 축중합 반응시켜 수득된 수지일 수 있다. 예를 들면, 상기 노볼락계 수지는 메타 크레졸 단독으로 합성된 노볼락계 수지, 파라 크레졸 단독으로 합성된 노볼락계 수지, 레조시놀을 사용한 노볼락계 수지, 살리실릭 알데하이드와 벤질 알데하이드를 반응시켜 제조한 노볼락계 수지, 메타 크레졸, 파라크레졸, 레조시놀 등을 혼합하여 반응시켜 제조된 노볼락계 수지 등이 모두 사용될 수 있다.
상기 페놀계 화합물의 구체적인 예로는 페놀, 오르토크레졸, 메타크레졸, 파라크레졸, 2,3-디메틸페놀, 3,4-디메틸페놀, 3,5-디메틸페놀, 2,4-디메틸페놀, 2,6-디메틸페놀, 2,3,6-트리메틸페놀, 2-t-부틸페놀, 3-t-부틸페놀, 4-t-부틸페놀, 2-메틸레졸시놀, 4-메틸레졸시놀, 5-메틸레졸시놀, 4-t-부틸카테콜, 2-메톡시페놀, 3-메톡시페놀, 2-프로필페놀, 3-프로필페놀, 4-프로필페놀. 2-이소프로필페놀, 2-메톡시-5-메틸페놀, 2-t-부틸-5-메틸페놀, 티몰, 또는 이소티몰 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 알데하이드계 화합물의 구체적인 예로는 포름알데하이드, 포르말린, 파라포름알데하이드, 트리옥산, 아세트알데하이드, 프로필알데하이드, 벤즈알데하이드, 페닐아세트알데하이드, α-페닐프로필알데하이드, β-페닐프로필알데하이드, o-하이드록시벤즈알데하이드, m-하이드록시벤즈알데하이드, p-하이드록시벤즈알데하이드, o-클로로벤즈알데하이드, m-클로로벤즈알데하이드, p-클로로벤즈알데하이드, o-메틸벤즈알데하이드, m-메틸벤즈알데하이드, p-메틸벤즈알데하이드, p-에틸벤즈알데하이드, p-n-부틸벤즈알데하이드, 또는 테레프탈산알데하이드 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 케톤계 화합물의 구체적인 예로는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 디에틸케톤, 디페닐케톤을 들 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 산성 촉매로는 황산, 염산, 포름산 아세트산, 옥살산 등이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 노볼락계 수지는 메타 크레졸과 파라 크레졸을 2 : 8 내지 8 : 2의 중량비로 혼합하여 반응시켜 수득한 수지일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 노볼락계 수지는 메타 크레졸 : 파라 크레졸을 8 : 2의 중량비로 반응시켜 수득된 노볼락계 수지, 메타 크레졸 : 파라 크레졸을 6 : 4의 중량비로 반응시켜 수득된 노볼락계 수지 또는 이들의 혼합물일 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 노볼락계 수지의 함량은 전체 포토레지스트 조성물에 대하여 약 5 내지 약 30 중량%로 포함될 수 있다. 상기 노볼락계 수지의 함량이 5 중량% 미만이면 일정 두께 이상의 도포막을 얻지 못하거나, 도포막 내부의 유동성이 커서 얼룩이 발생하기 쉬운 문제가 있고, 30 중량%를 초과하면 일정 두께 이하의 도포막을 얻지 못하거나, 막이 균일하지 못하게 도포되는 문제가 있다.
디아지드계 감광성 화합물
본 발명의 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 디아지드계 감광성 화합물은 폴리하이드록시 벤조페논, 1,2-나프토퀴논디아지드, 및 2-디아조-1-나프톨-5-술폰산 등의 화합물을 반응시켜 제조된 화합물일 수 있다. 예를 들어, 상기 디아지드계 감광성 화합물은 트리하이드록시 벤조페논과 2-디아조-1-나프톨-5-술폰산을 에스테르화 반응시켜 제조된 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트; 또는 테트라하이드록시 벤조페논과 2-디아조-1-나프톨-5-술폰산을 에스테르화 반응시켜 제조된 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트일 수 있으며, 이들은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.　 또한, 상기 예시된 디아지드계 화합물을 혼합 사용시 그 혼합비는 특별히 한정되지 않고 이 분야의 당업자에게 잘 알려진 비율로 혼합할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 디아지드계 감광성 화합물의 함량은 전체 포토레지스트 조성물에 대하여 약 2 내지 약 10 중량%일 수 있다. 상기 디아지드계 감광성 화합물의 함량이 2 중량% 미만이면 잔막률이 낮아지고 기판과의 접착력이 떨어지는 문제가 있고, 10 중량%를 초과하면 감광속도가 느려지고 현상 콘트라스트가 높아지는 문제가 있다.
유기용매
본 발명의 포토레지스트 조성물에 있어서, 유기 용매는 종래의 포토레지스트 조성물에서 사용되고 있는 통상의 유기 용매를 사용할 수 있다. 예들 들면, 본 발명의 포토레지스트 조성물의 각 성분을 용해시킬 수 있고 도포막의 형성이 용이한 글리콜에테르류, 에틸렌글리콜 알킬에테르아세테이트류 또는 디에틸렌글리콜류 등이 사용될 수 있다. 바람직하게, 상기 유기 용매는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 에틸락테이트, 2-메톡시에틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 및 1-메틸-2-피롤리디논으로 이루어진 군으로부터 1종 이상을 사용할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 유기 용매의 함량은 전체 포토레지스트 조성물에서 상기 노볼락계 수지, 디아지드계 감광성 화합물 및 화학식 1의 티아디아졸계 화합물을 제외한 잔량으로 포함될 수 있다. 바람직하게는 전체 포토레지스트 조성물에 대하여 약 80 내지 약 90 중량%, 보다 바람직하게 약 86 내지 87 중량%로 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 필요에 따라 포토레지스트의 감도 향상을 위하여 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 포토레지스트 조성물은 필요에 따라 착색제, 염료, 가소제, 접착 촉진제, 계면활성제, 찰흔 방지제 등과 같은 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제들이 본 발명의 포토레지스트 조성물에 첨가되는 경우 전체적인 조성물의 물성을 저하시키지 않으면서 성능을 개선할 수 있는 범위로 그 함량이 특별히 한정되지 않으며, 통상의 범위로 첨가될 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용함에 따라, 기존보다 구리막 기판에서의 식각 성능이 크게 향상되어 기판과의 밀착성이 높고, 고감도를 나타내어 고해상도 및 선폭의 균일도가 높은 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 포토레지스트 조성물은, 액정 표시 소자(LCD) 또는 발광 다이오드 소자(LED) 등의 소자의 구리 부착 기판에 적용될 수 있다.
포토레지스트 패턴의 형성 방법
한편, 본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 상기 포토레지스트 조성물을 이용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법이 제공된다.
본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 형성 방법은 기판 또는 막 상에 상술한 포토레지스트 조성물을 도포하는 단계; 및 상기 포토레지스트 조성물이 도포된 영역에 대하여 선택적으로 노광 및 현상하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 포토레지스트 조성물을 도포하는 대상은 기판이 될 수 있다. 상기 기판은 구리 부착 유리 기판일 수 있고, 기판에는 필요에 따라 실리콘, 알루미늄, 인듐 틴옥사이드(ITO), 인듐 징크옥사이드(IZO), 몰리브덴, 이산화 실리콘, 도핑된 이산화실리콘, 질화실리콘, 탄탈륨, 폴리실리콘, 세라믹, 알루미늄/구리 혼합물 및 중합성 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 추가로 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물은 침지, 분무, 회전 및 스핀 코팅을 포함하는 통상적인 도포 방법으로 기판 또는 막 상에 도포할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 포토레지스트 조성물이 도포된 기판에 대해 소프트 베이킹(soft baking)을 더 수행할 수 있다. 상기 소프트 베이킹 공정은 포토레지스트 조성물에 포함된 유기 용매를 제거시키기 위해 열을 가하는 단계이다.
다음에, 상기 포토레지스트 조성물이 도포된 영역에 대하여 마스크 패턴 등을 이용해 원하는 부분만 선택적으로 노광(exposure)한다. 상기 노광 공정은 마스크 패턴을 기판과 광원 사이에 위치시켜서, 광원에서 나온 광이 패턴이 없는 부분만 투과하여 포토레지스트 조성물을 감광시키는 공정이다.
노광 후 상기 포토레지스트 조성물을 현상(development)하여 포토레지스트 패턴을 형성하게 된다.
상기 노광된 기판은 알칼리성 현상 수용액에 충분히 침지시킨 후, 빛에 노출된 부위의 포토레지스트 막이 전부 또는 거의 대부분 용해될 때까지 방치한다. 이때, 상기 현상 수용액은 알칼리 수산화물, 수산화암모늄 또는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide)를 함유하는 수용액을 사용하는 것이 바람직하다.
노광된 부위가 용해되어 제거된 기판을 현상액으로부터 꺼내어 세척하고 건조시키면 목적하는 형태의 포토레지스트 패턴을 형성하게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 현상 및 세정 공정 후, 선택적으로 일반적인 하드 베이크(hard baking)하는 단계를 더 수행할 수도 있다.
이후, 다음에, 하부 기판 또는 막의 패터닝을 위해 상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 기판 또는 막을 통상의 구리 식각액을 이용하여 식각 공정을 진행하여, 목적하는 패턴을 형성한다.
본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용한 패턴 방법에 따르면, 식각 성능이 향상되어, 기존 대비 패턴 형상이 우수하고, 접착력이 향상되어 하부 기재와의 밀착성이 높고, 고해상도 및 균일한 선폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 제시한다. 그러나 하기의 실시예들은 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명을 이들만으로 한정하는 것은 아니다.
< 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 4>
메타 크레졸 : 파라 크레졸의 중량비가 5 : 5인 노볼락 수지, 감광성 화합물 (2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트와 2,3,4,4-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 3 : 7 중량부의 혼합물), 용매로 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA), 및 화학식 1의 티아디아졸계 화합물을 사용하고, 하기 표 1의 중량별로 각 성분을 균일하게 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
< 실험예 >
구리기판에서의 식각 성능 및 잔류물질 발생 유무 확인
실시예 및 비교예에서 제조한 각 포토레지스트 조성물을 구리부착 유리 기판에 일정한 속도로 슬릿 도포한 후, 진공건조 압력을 변화시키며 60 초간 감압 건조하고, 상기 기판을 110℃ 에서 150 초간 가열 건조하여 1.90 ㎛ 두께의 필름막을 형성하였다.　 그 다음, 상기 필름막의 두께 균일도를 측정하고, 노광기를 사용하여 노광시키고 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide)를 함유하는 수용액을 실온에서 65초간 현상하여 패턴을 형성하였다.
패턴이 형성된 구리 기판을 통상의 과산화수소가 포함되지 않은 구리 식각액을 사용하여 식각공정을 진행하였다. 식각이 진행된 기판을 주사전자현미경사진 SEM을 이용하여 etch bias를 측정하였고 그 결과는 표 1에 나타낸 바와 같다. 또한, 실시예 1 내지 10의 주사전자현미경 사진 결과는 각각 도 1 내지 2에 나타내었다. 비교예 1 내지 4의 주사전자현미경 사진 결과는 도 3에 나타내었다.
구분 노볼락
수지		 감광성
화합물		 티아디아졸계 화합물 용매 Etch Skew(nm) 잔류물질
발생
(유/무)
1 2 3
실시예 1 180g 43g 0.10g 1492g 976 무
2 180g 43g 0.22g - - 1492g 914 무
3 180g 43g 0.44g - - 1492g 808 무
4 180g 43g 0.66g - - 1492g 772 무
5 180g 43g 0.88g - - 1492g 743 무
6 180g 43g 1.10g - - 1492g 721 무
7 180g 43g - 4.40g - 1492g 848 무
8 180g 43g - 6.60g - 1492g 783 무
9 180g 43g - 8.80g - 1492g 724 무
10 180g 43g 13.0g 1492g 401 무
비교예 1 180g 43g - - - 1492g 1005 무
2 180g 43g 17.6g - - 1492g - 유
3 180g 43g - 17.6g - 1492g - 유
4 180g 43g - - 11.0g 1492g 1013 무
주)
티아디아졸계 화합물1: 화학식 1에서, R1=아미노기, R2=메르캅토기
티아디아졸계 화합물2: 화학식 1에서, R1= 메틸기, R2=메르캅토기
티아디아졸계 화합물3: 화학식 1에서, R1=아미노기, R2= 메틸기
상기 표 1 및 도 1 내지 3의 결과를 보면, 본 발명의 실시예 1 내지 10은 비교예 1~4보다 식각 성능이 향상되었음을 알 수 있다. 그리고, 표 1에서 알 수 있는 바대로, 티아디아졸계 화합물 0.005 내지 0.8 중량%의 상한치와 하한치 범위에 근접한 실시예 1 (티아디아졸계 화합물 0.006 중량%인 경우) 및 실시예 10 (티아디아졸계 화합물 0.75 중량%인 경우)의 경우 모두 잔류물질이 없을 뿐더러, 비교예보다 Etch Skew가 우수하였다.
또한 본 발명에서는 구리 기판에서 패턴 형성 후 잔류물질이 존재하지 않았지만, 비교예는 잔류물질이 남아 있어, 회로 성능을 떨어뜨렸다.
특히, 도 3에서 보는 바와 같이, 비교예 2 내지 3은 본원의 화학식 1의 물질을 포함하지만, 그 함량이 과다하기 때문에, 식각이 이루어질 수 없었다.

Claims (7)

  1. 노볼락 수지 5 내지 30 중량%;
    디아지드계 감광성 화합물 2 내지 10 중량%;
    하기 화학식 1로 표시되는 티아디아졸계 화합물 0.005 내지 0.8 중량%; 및
    유기용매 잔량;을 포함하며,
    액정 표시 소자(LCD), 발광 다이오드 소자(LED) 또는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 구리막 기판의 형성에 사용되는, 구리막용 포토레지스트 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112022036314331-pat00003

    (상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 아미노기 또는 메르캅토기이고, 이때 상기 R1 및 R2 중 하나는 메르캅토기이다)
  2. 제1항에 있어서,
    상기 티아디아졸계 화합물은 포토레지스트 조성물의 전체 중량을 기준으로 0.01 내지 0.55 중량%를 포함하는 구리막용 포토레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1에서 R1 은 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 아미노기이고, R2는 메르캅토인 구리막용 포토레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 노볼락 수지는 메타 크레졸과 파라 크레졸을 반응시켜 수득되는 수지인 구리막용 포토레지스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 디아지드계 감광성 화합물은 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 구리막용 포토레지스트 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유기 용매는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 에틸락테이트, 2-메톡시에틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 및 1-메틸-2-피롤리디논으로 이루어진 군으로부터 1종 이상을 포함하는 구리막용 포토레지스트 조성물.
  7. 삭제
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