WO2006107056A1 - パターン形成方法 - Google Patents

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WO2006107056A1
WO2006107056A1 PCT/JP2006/307158 JP2006307158W WO2006107056A1 WO 2006107056 A1 WO2006107056 A1 WO 2006107056A1 JP 2006307158 W JP2006307158 W JP 2006307158W WO 2006107056 A1 WO2006107056 A1 WO 2006107056A1
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pattern
resin
resin film
light
photosensitive resin
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PCT/JP2006/307158
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French (fr)
Inventor
Kenji Nakamura
Tomohiko Ushijima
Nobunori Abe
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Zeon Corporation
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Publication date
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • GPHYSICS
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass

Definitions

  • the present invention relates to removal of a resin pattern for manufacturing an electronic device to be used for an electronic product! Background sickle
  • Electrical devices such as enclosure elements and display elements use electronic devices with moderate wiring and circuits.
  • a pattern formation process using a photosensitive resin yarn is usually required on the heel.
  • the photosensitive resin yarn is applied to the cocoon using a spin coating method, and then when the force ⁇ heat (pre-bake) is applied to the sickle, Drying is also carried out at the same temple, and a dried and pre-beta resin film is obtained. Then, the pattern is exposed through exposure and image processes, and further heated (post-baked) as necessary to obtain a desired resin pattern. I'm going.
  • the pattern shape is changed to a hem-spread shape by calo heat (post beta) to form a superb view of the shelf electroluminescence device ⁇ It is known (US 2 0 0 4/0 0 9 6 7 7 1 etc.).
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2 0 0 1-2 6 9 6 0 7
  • a pattern forming method comprising a step of forming a pattern award on the resin film, and a step of forming a resin pattern on the male by imaging.
  • X represents a resin film obtained by applying a photosensitive resin yarn on a glass plate and heating at 110 to 150 seconds; 3 ⁇ 41 light transmittance of wavelength 405 nm (%), Y is the light transmittance (%) of wavelength 405 nm after irradiating the front layer with light of 600 Om J / cm 2 , Z ⁇ ⁇ is the thickness of the resin film ( ⁇ )
  • the step of heating the resin pattern formed in (5) and changing the non-turn shape is further performed.
  • Fig. 1 is a cross-sectional view of the resin pattern before post-beta
  • Fig. 2 is a cross-sectional view of the flow pattern after post-beta.
  • A is the upper corner of the pattern
  • B is the lower corner of the pattern
  • a is the height of the pattern
  • a ' is the contact point of the pattern located at g ⁇ of a from the tip of the flow pattern
  • B' is the tip of the single pattern ⁇ represents the flow angle.
  • a photosensitive resin set containing a resin, a photosensitizer and ⁇ lj, and a value A (hereinafter referred to as “A value”) calculated by Equation 3 [1] is 0. .8 or less, preferably 0.3 to 0.8, more preferably 0.5 to 0.8.
  • the A value is a parameter related to the amount of photosensitive resin in the photosensitive resin yarn, and the A value and the amount of the photosensitive group have a positive correlation.
  • the power of using a photosensitive resin composition with an A value of 0.8 or less, or in other words, a photosensitive resin composition with a predetermined amount of photosensitivity or less, under conditions » A resin pattern that is uniformly dried by being dried can be formed on the top.
  • the heat flow property is expressed substantially equally regardless of the distance between and ⁇ , and a uniform resin pattern having a spread shape can be obtained by applying the pattern to a post beta. Obtainable.
  • the value A is a laminate of a resin film and a glass support, obtained by applying a photosensitive resin yarn on a glass substrate and then heating it at 110 for 15 seconds.
  • the value obtained by measuring the transmittance of the light having a wavelength of 4 5 nm with respect to the one after irradiating the light with 6 0 00 mj Z cm 2 which will be described in detail later. It is obtained by the method described in the example.
  • the range of the threshold value can also be controlled by adjusting the esterification ratio and the blending amount.
  • the distribution of the photosensitizer is 4 in consideration of the storage stability.
  • the amount is usually 5 to 40 parts by weight, preferably 5 to 35 parts by weight, and more preferably 5 to 18 parts by weight with respect to 0 part by weight.
  • the quinonediazide sulfonic acid ester compound was selected as the photosensitizer: ⁇ , and its esterification rate is usually 40 to: L 0 0%, preferably considering the balance of sensitivity, residual B and ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ . Or set it within the range of 5 0 to 90%. Generally, the one with a high esterification rate is used: ⁇ reduces the blending amount, and the one with a low esterification rate uses a large amount.
  • the resin constituting the photosensitive resin fiber according to the present invention is an alkali-soluble resin having solubility in an alkaline developer.
  • This is for general photosensitive resin yarns!
  • Specific examples include novolak-type resins; polyhydroxystyrene resins; copolymers of hydroxystyrenes and monomers copolymerizable therewith; and the like. Can do.
  • a novolak type resin, a polyhydroxystyrene resin and a combination thereof are preferable.
  • ⁇ novolak type resin those widely used in the resist field can be used.
  • This nopolac-type resin can be obtained, for example, by causing phenols and amides or ketones to undergo S under an acid repellent medium (for example, oxalic acid).
  • phenols examples include: phenol, talented noretcrezonole, metacresol-, palatarezonore, 2,3-dimethylphenol, 2,5-dimethylphenol, 3,4 dimethino Nore, 2,4-Dimethylphenol, 2,6-Dimethyl Nolephenol, 2,3,5-Trimethinoleunoenore, 2,3,6-Trimethinoleunoenore, 2-t-Butinorephenol, 3- t-Petityl / Rephenol, 4-t-Butylphenol, 2-Methylresorenosinol, 4-Methylresorcinol, 5-Methylresorcinol, 4-T-Butylcatechol, 2-Methoxyphenol, 3-Methoxy Phenol, 2-propinole phenol, 3-propyl phenol, 4-propyl alcohol, 2-isopropino Fe Nonore, 2 main Tokishi 5- methylcarbamoyl Roh reflex Hainaut Honoré, 2- t-butyl
  • a novolak resin obtained by combining methacresol and paracresonole and condensing these with formanohydride, phosphorus, or paraformanohydride is particularly preferable from the viewpoint of excellent sensitivity controllability.
  • the weight ratio of metacresol to paracresol is usually 80:20 to 20:20, preferably 70:30 to 40:60.
  • Examples of the magic self-polyhydroxystyrene include poly (4-hydroxystyrene), poly (3-hydroxystyrene), poly (2-hydroxystyrene) and the like.
  • a copolymer of hydroxystyrene ⁇ and a monomer copolymerizable therewith for example, hydroxystyrene such as 4-hydroxystyrene, 3-hydroxystyrene, and 2-hydroxystyrene, isopropuylphenol
  • examples include acrylic monomers (acrylic acid and its esters, methacrylic acid and its esters, etc.), styrenes, maleic anhydride, maleic acid imide, and vinyl copolymers.
  • a copolymer of hydroxystyrenes and attalinole monomers and a copolymer of hydroxystyrene and styrene are preferred.
  • lilt's own alkali-soluble resin may be used as a resin component in one kind of war worm, or two or more kinds may be used in combination.
  • the average molecular weight of the resin is the weight average molecular weight of monodisperse polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC) with tetrahydrofuran (THF) as f ⁇ street night. 0, preferably 1,500 to 15, 000, more preferably 2,000 to 12, 000. If the weight average molecular weight of the resin used is too low, the unexposed resin film dissolves in the alkaline developer, making it difficult to put on the pattern. On the other hand, if the weight average molecular weight of the resin is too high, the dissolution in the alkaline developer in the exposed area will be small, and it will be difficult to obtain a good pattern with practical exposure time.
  • the weight average molecular weight of fat is The desired range can be controlled by adjusting the combination. Other than this, for example, (1) Resin obtained by synthesis is powdered and solid-liquid extracted with organic resin with appropriate solubility: ⁇
  • Any photosensitive agent may be used as long as it has a function of changing the solubility of the resin in an alkaline developer by irradiation of “active” l »tt rays.
  • Dosulphonic acid ester compounds are preferred, and in particular, quinonediazidosulphonic acid esters of polyhydroxybenzophenone such as 2,3,4,1 trihydroxybenzophenone or 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone. Is preferred.
  • the quinonediazide sulfonic acid ester compound is an esterification of a quinonediazidosulphonic acid halide such as 1,2-mononaphthoquinonediazido-5-sulfonic acid chloride and a phenol having at least one phenol v ⁇ fekm3 ⁇ 4.
  • the phenols include 2,3,4 monotrihydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 4,4 ' 1 [1- [4 — [1 1 [4-Hydroxyphenyl] 1 1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, 1, 1, 1 1 Tris (4-hydroxyphenyl) methane, 1, 1, 1-tris (4-hydroxy-1-3-methylolene) ethane, 1,1,2,2-tetrakis (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1,3-tris (2,5-dimethinore 4- (Hydroxyphenyl) 1-Phenylpropane, oligomer of novolak resin, and oligomer obtained by copolymerization of phenols with dicyclopentagen (Journal No. 3 0 9 0 9 9 1), etc. Is mentioned.
  • the photosensitive resin spoilage contains a normal resin, a photosensitizer, and ⁇ IJ, and is usually in a state dissolved in the resin and the photosensitizer.
  • propylene glycol diethylene glycol alkylene glycols; ethylene glycol! ⁇ Rickinole ether, ethylene glycol monopropino lee tenole, propylene dallicol monomethyl ether, propylene dallicol mono eno eno tenole, Propylene glycol nopropino enoate, jetylene glycol monomethyl ether, alkylene glycol monoethers of diethylene glycol monoethyl enoeno; Methyl ether, dipropylene glycol di Methylenoatenole, Dipropylene glycol Jetinoleethenore, Dipropylene Daricol Ethylmethyletheno V alkylene glycol / resialkyl ethers, Propylene glycol monomethyl ether acetate, Dipropylene glycol monomethyl Anoleylene glycol monoesters such as noreethenoleacetate and propylene daricono i
  • Cyclics such as tetrahydrofuran and dioxane Ethers; Metino M Cellosolve esters such as sonolepacetate and ethylcellosolenopacetate; aromatic charcoal tok such as benzene, toluene and xylene; ethyl acetate, coconut / le, ethyl lactate, 2-hydroxy-2-methyl Estenoles such as methyl propionate and ⁇ -peptidolactone; ; -methylformamide, ⁇ , ⁇ -dimethylformamide, ⁇ -methyl-2-pyrrolidone, ⁇ -methylacetamide, ⁇ , ⁇ -dimethylacetamide, etc.
  • Examples include polar organic compounds such as amides; dimethyl sulfoxide;
  • nonionic surface activity ' ⁇ Fluorine-based surface activity' is optional IJ, silicon-based surfactant, talyl »polymer-based surface activity 10 '(surface activity such as J It can be blended into photosensitive resin yarns for the purpose of improvement, etc.
  • crosslinking agents such as melami f fat and epoxi ⁇ jfl, and adhesive aids can be blended into photosensitive resin yarns. In addition, it can also improve the adhesion.
  • it is sensitive to antistatic agents, anti-static agents U, anti-encapsulation U, pigments, dyes, antioxidants, increased IJ, etc. Resin thread!
  • the solid content of the photosensitive resin Itojo of the present invention is not particularly limited, usually, 1 0-3 0 weight 0/0.
  • the pattern is formed using the photosensitive resin yarn.
  • the above-described photosensitive resin yarn is applied and dried to form a resin film, and the male on which the resin film is formed is heated at a normal pressure (pre-beta).
  • pre-beta a normal pressure
  • the substrate on which the photosensitive resin is applied there are no particular restrictions on the substrate on which the photosensitive resin is applied, and it is not limited to those that have ⁇ & lines, such as printed substrates, liquid crystal display substrates, glass substrates, plastic substrates, etc. It may be for opening the fountain.
  • the method for applying the photopolymer composition and the force s arbitrarily determined according to the thickness of the film to be formed, such as spray method, roll coating method, spin coating method, slit coat method, inkjet
  • a coating method using a slit coater and a slit coating method are preferred because of their excellent application efficiency, such as a coating method.
  • the dryness of the photosensitive resin yarn applied to is carried out under ⁇ ⁇ ⁇ . Drying under conditions can be performed using a mouthpiece.
  • E cattle usually have a reaching power of 10 to 4 0 0 0 Pa, preferably 10 to 3 3 0 0 Pa.
  • the atmosphere during drying is usually 10 to 60 ° C, preferably 15 to 40 ° C, more preferably 15 to 3 from the viewpoint of preventing generation of bubbles in the resin film. 0 ° C.
  • the size of, and the size of the photosensitive resin iJ may be set arbitrarily in consideration of the size of the photosensitive resin iJ, etc., but usually 1 second to 30 minutes, preferably 5 seconds to 10 minutes, more preferably 5 seconds, Between ⁇ 5 minutes. At the end of drying, the amount of IJ in the photosensitive resin composition forming the upper film is usually 40% by weight or less.
  • Prebaking is not particularly limited as long as it is carried out under normal pressure (usually ⁇ l K pa), and is usually 0. ⁇ ⁇ ⁇ - ⁇ ⁇ ⁇ m3 ⁇ 43 ⁇ 4 membrane. A method of heating using a hot plate for 5 to 60 seconds at 0 ° C is mentioned. This prebake can further advance the grass state.
  • the pre-baked resin film is irradiated (exposed) with a fountain through a mask having a predetermined pattern, and a pattern award is formed in the resin film.
  • the dew may be selected according to the photosensitizer, and examples thereof include visible light, ultraviolet light, and far ultraviolet light. Visible light and ultraviolet light are particularly preferable.
  • the amount of light # can be set arbitrarily according to the thickness of the film.
  • the exposed resin film is developed by worms with a developer. As a result, The turn is manifested and gained on the resin pattern force S ⁇ .
  • the developer should be a scale i "b according to the resin of the photosensitive resin thread destruction product, and is usually an aqueous solution of an alkaline compound dissolved in 7_k.
  • alkaline compounds include water. Sodium oxide, hydroxide power, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, anne Road Al force Li such as Monia water; E Ji / Reamin, the ⁇ f ⁇ Amin such as n- Puropiruamin; Jechiruamin, di n - secondary Amin such as Puropiruamin; Toryechiruamin, methylcarbamoyl Bruno Leger Chino Rare Min, N-methylpyrrolidone and other secondary amines; dimethylethanolamine, triethanolamine and other alcoholamines; tetramethylamine hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrabutynoleamone Quaternary ammonium salts such as umhydroxide and choline;
  • a water-soluble ⁇ ⁇ ⁇ ” such as methanono ethanol or a surfactant can be added to the iji elephant liquid.
  • development time or development There are no particular restrictions on the development time or development, and it is usually carried out at 30 to 50 ° C for 30 to 180 seconds.
  • this male and the rinse solution are transversed by a conventional method in order to remove unnecessary residual residue remaining on the male, 3 ⁇ 4M surface, and part. It can be made. rinse? After reversing the night, remove the rinse solution by removing 1 kg of compressed air and nitrogen. Thereafter, if necessary, the entire surface of the surface on which the male resin film is formed can be irradiated with a live line.
  • the resin pattern-containing fabric is usually further heated (post-baked) for the purpose of improving the adhesion of the resin pattern and the growth.
  • the resin pattern formed on the upper side may be post-beta, and the pattern shape may be changed from, for example, a rectangular shape to a hem-expanded shape with a rounded ridge on the upper surface (for example, FIG. 1 and F ig. 2).
  • “deformation” means that the shape of the pattern changes to a level that can be visually recognized after comparing the pattern shape before and after the post bake of the resin pattern.
  • heating method for the botoke there is no particular restriction on the heating method for the botoke, and it may be the same as the above-mentioned pre-beta removal.
  • the resin film can be further heated to advance the cross-linking, so that it can be cured.
  • the resin film obtained in this way is a display element such as an erect-mouth luminescence element or a liquid crystal display element represented by an LCD television, a key circuit element, a solid f «f element, a color 'Electric phosphor barrier, sealing film, m-
  • m-cresole or p-cresole is mixed with 50/50 (weight ratio) of cresole and paraformano! ⁇ Weight average obtained by combining fe with feK ⁇ * 4 5 0 0 nopolak resin 1 0 0 parts, 1,2-naphthoquinone of 2, 3, 4-trihydroxybenzophenone as photosensitivity IJ 1 2-Diazido 5-sulfonic acid ester compound (esterification rate 6 7%; abbreviated as “3 HBP” in the table) 1 8 parts, Silicon-based interfacial activity IJ [SH 2 9 PA Frozen ⁇ Dow Corning ⁇ Silicone ring] 0.3 part was dissolved in propylene glycol monomethyl etheracetate (PGME A) 5 7 6 part to obtain a night.
  • PGME A propylene glycol monomethyl etheracetate
  • the obtained night was filtered with a membrane filter made of ultrahigh molecular weight polyethylene (U ⁇ ⁇ ) having a pore size of 0 ⁇ ⁇ ⁇ to prepare a photosensitive resin and a destructive material having a solid content concentration of 17%. . .
  • Table 1 shows the threshold values calculated by the ttit self formula of the obtained photosensitive resin yarn destruction.
  • the A value was calculated based on the data obtained by the following method.
  • the value A was calculated by substituting 1.5 as the value of the yield rate X and the yield rate, SD ⁇ Z, in the self formula [1].
  • the obtained photosensitive resin yarn was applied on a glass fungus using a slit coater, and then drying was carried out with an effective force of 2 6 6 Pa. After that, it was heated (prebaked) on a hot plate at 110 ° C. for 1550 seconds at normal pressure to obtain a resist film having an ID of 2.1 ⁇ .
  • a contact hole (CZH) pattern mask with an inner diameter of 10 ⁇ : ⁇ from the top of the resist film, it is exposed with the mirror projection liner “MP A 7 0 0 0”, product name: Canonne: h $], and resin pattern Got.
  • the exposure amount was set to an energy amount that makes the diameter of the contact hole 1 ⁇ .
  • the film was developed for 70 seconds in the night of 2.38% tetramethylammonium hydroxide water to obtain charity having a resin pattern.
  • the obtained difficulty having a resin pattern was heated (post-baked) on a hot plate at 130 ° C. for 20 seconds. After that, the intersection of two diagonal lines (male; ⁇ (5) and near the four corners (on the pattern of the base plate! / ⁇ , S EM) Magnification: 20 and 0 0 f O) Flow pattern after post-beta, with the resin pattern thickness before post-baking as a, the upper corner of the pattern as A, and the lower corner of the pattern as B (see Fig. 1) When the point that touches the flow pattern from the tip B 'to the flow pattern at A is A' (see Fig.
  • the A value was calculated and the pattern shape was observed in the same manner as in Example 1 except that the page size and amount of the sensitivity were as shown in Table 1, so that the heat flow was so-called.

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Abstract

感光性樹脂組成物を基板に塗布し、乾燥して樹脂膜を形成する工程、樹脂膜が形成された基板を常圧で加熱する工程、光線を照射して、当該樹脂膜にパターンの潜像を形成する工程、及び現像することによって基板上に樹脂パターンを形成する工程を有するパターン形成方法であって、(1)前記乾燥が、減圧条件下で行われること、及び(2)前記感光性樹脂組成物の、式〔1〕:A=(1/Z)×1n(Y/X)(式〔1〕において、Xは、石英ガラス基板上に所定の条件下で形成された感光性樹脂組成物の樹脂膜と石英ガラス基板との積層体の光の透過率(%)、Yは、前記積層体に6000mJ/cm2の光を照射した後の光の透過率(%)、Zは、前記積層体の樹脂膜の厚み(μm))で算出される値Aが0.8以下であることを特徴とするパターン形成方法。

Description

明細書 パターン形成施 技術分野
本発明は、 電 ί ^品に用!/、られる電子デバイス製造用の樹脂パターンの形成 去に関す る。 背景鎌
轉体素子 示素子などの電÷¾品には、 猶田な配線や回路を有する電子デバイスが 用いられている。 電子デバイスの配線や回路の形成に当たっては、 通常、 纖上に感光性 樹脂糸贓物を用いたパターン形成工程を要する。 従来、 纖への感光性樹脂糸贓物の塗布 はスピンコート法が採用され、 その後、力 ρ熱 (プリべーク) する際に、 鎌に塗布された 感光†生樹月旨細戎物の乾燥も同 Β寺に行って、 乾 びプリベータされた樹脂膜を得、 次いで 露光、 像の工程を経てパターンを顕在化させ、 更に必要に応じて加熱 (ボストベーク) して所望の樹脂パターンを得てレ、る。
このように、 感光性樹脂組成物を基板に塗布した後の乾燥は、 従来、 プリべーク工程で 同時に行うのが"^的であるが、 プリベークェ程での同時享枭では、 力、かる工程の際に、 ¾Kを支持するピンの撤嚇が に転写されたり、 塗布膜の厚み変化や へのノ、。ーテ イク/!^の付着が生じたりする問題があった。 力かる問題を解決する観点から、 プリべ一 ク工程の前に 車喿する工程を経る方法が提案されている(特開 2 0 0 1 - 2 6 9 6 0 7 号公報) 。
一方、 感光性樹脂糸城物を用いて樹脂パターンを得た後、 カロ熱 (ポストベータ) してパ ターン形状を裾広がり形状に変化させて、 棚エレクトロルミネッセンス素子の絶観莫を 形成する ^去が知られている (U S 2 0 0 4/ 0 0 9 6 7 7 1など) 。
〔特許文献 1〕 特開 2 0 0 1 - 2 6 9 6 0 7号公報
〔特許文献 2〕 U S 2 0 0 4/0 0 9 6 7 7 1
発明の開示
カかる従 ¾¾#于の下、 本発明者らは、 特許文献 1に記載されたように、感光性樹脂糸滅 物を塗布、 ffi乾燥後、 プリベータして樹脂膜を形成し、 これを用いて、 特許 2に記 載された施によって裾広がり形状を形成しようと試みたところ、 蓬中^^では裾広が り形状が得られたものの、 έ離は矩形力 される: ^が認められた。 そして、 更なる検 討の結果、 ffi乾燥 0寺の乾燥の a¾が、 の (5と中^^とで異なり、 機旨膜の熱フロ 一性 (ポストベータによる樹脂膜の変开踏 14) が不均一になることが、 同一簾で、 同一 パターンの得られなレ、原因であると考えられた。
そこで、 本発明者らは鋭意検討した結果、 所定の感光性樹脂糸滅物を用いた 、 ± 条件下での乾燥により均一に乾燥されてなる樹脂パターンを 上に形成することがで き、 そのようにして得られた樹脂パターンでは、 勘反の職 15でも中^^でも熱フロ Η·生が 実質的に等しく発現され、 言亥ハ。ターンをボストベータに供することによりネ居広がり形状を 有する均質な樹脂パターン力 s得られることを見レ、だし、 本発明を るに至った。 即ち本楽明は、
(1) 樹脂、 感光剤及び猫 iJを含有する感光性樹脂 を に塗布し、 草燥して樹脂 膜を形成する工程、 樹脂膜が形成された を常圧で加熱する工程、 ¾泉を照射して、 当 該樹脂膜にパターンの謝象を形成する工程、 及ひ 像することによって雄上に樹脂バタ ーンを形成する工程を有するパターン形成方法であって、 (1)^|3享枭が、 狂条件下で 行われること、 及ぴ(2)觸 as光性樹脂糸滅物の、 下記式〔i〕 :
Figure imgf000004_0001
1 n (Y X) 〔1〕
(ただし、上記式〔1〕 において、 Xは、感光性樹脂糸滅物を ガラス難上に塗布し、 次レ、で 110 で 150秒間加熱して得られた、 樹脂膜と;^ガラス¾¾との ¾1体の、 波長 405 nmの光の透過率 (%)、 Yは、 前 層体に 600 Om J /cm2の光を照射 した後の、 波長 405nmの光の羅率 (%)、 Zは、 ΙίίΚ^ 体の樹脂膜の厚み(μπι)で ある)
で算出される値 Αが 0.8以下であることを頓敷とするパターン形戯法、
(2) |ίί¾Ε条件が、到 力 10〜4000Paである(1)記載のパターン形 ^法、
(3) 感光剤が、 ポリヒドロキシベンゾフエノンのキノンジアジドスノレホン酸エステノレで ある( 1 )記載のパターン形成:^法、
(4)感光性樹脂糸 JJ«を纖に塗布する施が、スリツトコート法によるものである(1) 記載のパターン形 法、 並びに
(5) に形成された樹脂パターンを加熱し、 ノターン形状を変 させる工程をさら に有する( 1 )記載のパターン形成雄、
を ί するものである。 図面の簡単な説明
F i g . 1はポストベータ前の樹脂パターン断面図、 F i g . 2はポストベータ後のフロ 一パターン断面図である。 図中符号 Aはパターン上部の角、 Bはパターン下部の角、 aは パターン高さ、 A'はフローパターンの先端から aの g謹にあるパターンの接点、 B 'はフ 口一パターンの先端、 Θはフロ一角度を表す。 発明を実施するための最良の形態
本発明のパターン形 法においては、 樹脂、感光剤及び竊 ljを含有する感光性樹脂組 であって、嫌3式〔1〕 で算出される値 A (以下、 「A値」 という) が 0. 8以下、好 ましくは 0. 3〜0. 8、 より好ましくは 0. 5〜0. 8のものを用いる。
A値は、 感光性樹脂糸滅物中の感光'隨の 量に関するパラメータであり、 A値と感 光性基の 量とは正の相関関係を有する。本発明にお!/、ては、 A値が 0. 8以下の感光性 樹脂糸滅物、 換計れば、 感光醒の被量が所定量以下である感光性樹脂組成物を用い ること力ら、 »条件下での享燥により均一に車燥されてなる樹脂パターンを 上に形 成することができる。 そして、 そのようにして得られた樹脂パターンでは、 の離で も中^^でも熱フロー性が実質的に等しく発現され、 該パターンをボストベータに供する ことにより摘広がり形状を有する均質な樹脂パターンを得ることができる。
本努明において、 A値は、 感光性樹脂糸滅物を碟ガラス難上に塗布し、 次いで 1 1 0でで 1 5 0秒間加熱して得られた、 樹脂膜と ガラス擁との積層体と、 これに 6 0 0 0 m j Z c m2の光を照射した後のものに関して、 波長 4 0 5 n mの光の透過率を測定 することで求められる値であり、 具体的には、 後述する «例にぉレヽて記載した方法によ り求められる。
A値を ±¾ϋの範囲にする方法に格別な制限はなレ、が、 通常、 感光剤の や Κβ*を調 整する。 更に、感光剤としてキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を用いた:^は、 そのエステノレ化率と配合量とを調整することによつても Α値の範囲を制御することができ る。
感光剤の配^ 4は、保存安定性への景耀を考慮すると、 感光性樹脂糸滅物中の樹脂 1 0 0重量部に対して、 通常 5〜 4 0重量部、 好ましくは 5〜 3 5重量部、 より好ましくは 5 〜1 8重量部である。
感光剤としてキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を選択した:^、そのエステノレ ィ匕率は、 感度、 残 B靜及 Ό¾ί呆存安定性のパランスを考慮すると、 通常 4 0〜: L 0 0 %、 好 ましくは 5 0〜 9 0 %の範囲に設定するのが良レヽ。 一般にエステル化率を高いものを用レヽ た:^は配合量を少なめにして、 エステル化率が低いものを用レ、た は配合量を多めに する。
本発明の感光性樹脂繊物を構财る樹脂は、 アル力リ現像液に财る溶解性を持つァ ルカリ可溶性樹脂である。 これは一般的な感光性樹脂糸城物に用!/ヽられる酸! 4¾含有樹脂 であり、 具体的には、 ノボラック型樹脂;ポリヒドロキシスチレン樹脂; ヒドロキシスチ レン類と、 これと共重合可能な単量体との共重合体;などを挙げることができる。 特に操 作性の観点から、 ノボラック型樹脂、 ポリヒドロキシスチレン樹脂及ぴこれらの組み合わ せが好ましい。
ΙίίΙΒノボラック型樹脂としては、 レジストの ¾#亍分野で広く用いられているものを使用 することができる。 このノポラック型樹脂は、 例えば、 フエノール類と、 ァノ ヒド類又 はケトン類とを酸翻虫媒 (例えば、 シュゥ酸)の雜下で^ Sさせることにより得ることが できる。
フエノーノレ類としては、 例えば、 フエノール、 才ノレトクレゾーノレ、 メタクレゾール-、パ ラタレゾーノレ、 2, 3—ジメチルフエノール、 2, 5—ジメチルフエノール、 3, 4一ジメチ ノレフエノーノレ、 3, 5—ジメチノレフエノーノレ、 2, 4—ジメチルフエノール、 2, 6—ジメチ ノレフエノール、 2, 3, 5—トリメチノレフエノーノレ、 2, 3, 6—トリメチノレフエノーノレ、 2 - t -ブチノレフェノール、 3 - t -プチ/レフェノール、 4一 t—ブチルフェノール、 2一 メチルレゾノレシノ一ノレ、 4ーメチルレゾルシノール、 5—メチルレゾルシノール、 4一 t ーブチルカテコール、 2—メ トキシフエノーノレ、 3—メトキシフエノーノレ、 2—プロピノレ フエノール、 3—プロピルフエノール、 4一プロピルフエノール、 2—イソプロピノレフェ ノーノレ、 2—メ トキシー 5—メチノレフエノーノレ、 2— t—ブチルー 5—メチルフエノール、 チモール、 イソチモールなどが挙げられる。 これらは、 それぞれ戦虫で、 あるいは 2種以 上を組み合わせて することができる。
ァ/ ヒド類としては、 例えば、 ホルムァノ ヒド、 ホルマリン、 ノ ラホルムァノ 、ヒ ド、 トリオキサン、 ァセトァノ ヒド、 プロピオンァノ ヒド、 ベンズァノ ヒド、 フエ 二ルァセトアノ^ヒド、 a—フエニルプロピオンアノ^ヒ ド、 β—フエニルプロピオンァ /1 ^ヒド、 0—ヒドロキシベンズァ ヒ ド、 m—ヒ ドロキ、ンべンズァノ I ^、ヒド、 p—ヒ ドロキシベンズァノ 、ヒド、 o—クロ口ベンズァノ ヒド、 m—クロ口ベンズァノ I ^ヒ ド、 p—クロ口べンズァ / ヒ ド、 o—メチルベンズァノ ヒド、 m—メチルベンズァノ ヒ ド、 ρ—メチノレベンズアノ^ "、ヒド、 p—ェチルベンズァノ 1^、ヒ ド、 p— n—プチルペンズ ァノ ヒド、 テレフタルアノ^ ^ヒドなどが挙げられる。 ケトン類としては、 アセトン、 メ チル工チルケトン、 ジェチルケトン、 ジフヱ二ルケトンなどが挙げられる。 これらは、 そ れぞれ戦虫で、 あるいは 2種以上を組み合わせて使用することができる。
した中でも、 メタクレゾールとパラクレゾーノレとを併用し、 これらとホルムアノ^' ヒド、 リン、またはパラホルムアノ^ヒドとを縮合^:させたノボラック型樹脂が、 感度制御性に優れる観点から特に好ましい。 メタクレゾールとパラクレゾールとの重量比 は、 通常 8 0 : 2 0〜2 0 : 8 0、 好ましくは 7 0 : 3 0〜4 0 : 6 0である。
魔己ポリヒドロキシスチレ ^ 脂としては、ポリ(4ーヒドロキシスチレン)、ポリ(3— ヒドロキシスチレン)、 ポリ(2—ヒドロキシスチレン)などが挙げられる。一方、 ヒドロキ シスチレ^と、 これと共重合可能な単量体との共重合体としては、 例えば 4—ヒドロキ シスチレン、 3—ヒドロキシスチレン、 2—ヒドロキシスチレンなどのヒドロキシスチレ と、ィソプロぺユルフェノール、アクリルモノマー(ァクリノレ酸およびそのエステル類、 メタクリル酸およびそのエステル類など)、 スチレン類、無水マレイン酸、マレイン酸ィミ ド、 酉懒ビニルなどの共重合体を挙げることができるが、 これらの中で、 ヒドロキシスチ レン類とアタリノレモノマーとの共重合体及びヒドロキシスチレ 賈とスチレ との共重 合体が好ましい。
本発明においては、 樹脂成分として、 lilt己のアルカリ可溶性樹脂を 1種戦虫で用いても よく、 2種以上を組み合わせて用レヽてもよい。
樹脂の平均分子量は、 テトラヒドロフラン (THF) を f额街夜としてゲルパーミエーシ ョ.ンクロマトグラフィー (G P C)により測定した単分散ポリスチレ の重量平均分子 量で、 通常 1 , 0 0 0〜2 0, 0 0 0、 好ましくは 1 , 5 0 0〜1 5 , 0 0 0、 より好ましく は 2, 0 0 0〜1 2 , 0 0 0である。 使用する樹脂の重量平均分子量が低すぎると、 未露光 部の樹脂膜がアルカリ現像液に溶解し付 パターユングが困難となる。 逆に樹脂の重 量平均分子量が高すぎると、 露光部のアルカリ現像液に る溶解 が小さくなり、 実 用的な露光時間で良好なパターンを得ること力 S難しくなる。上言 脂の重量平均分子量は、 合麟件を調整することにより、所望の範囲に制御することができる。この他、例えば、 ( 1 ) 合成により得られた樹脂を粉碎し、 適当な溶解度を持つ有機歸リで固一液抽出する:^去、
(2)合成により得られた樹脂を良翻 (Jに溶解させ、 ¾額 I仲に滴下するか、 または 額 IJ を滴下して、 固一液もしくは液一液抽出する方法などにより、 重量平均 ^量を制御する ことができる。
感光剤は、 '活' l»tt線の照射によって、 樹脂のアルカリ現像液に ¾ "る溶解性を変化さ せる機能を有するものであれば良いが、 パターン形成性が良好なことから、 キノンジアジ ドスルホン酸エステル化合物が好ましく、 特に、 2, 3, 4一トリヒドロキシベンゾフエノ ンゃ 2, 3, 4, 4'ーテトラヒドロキシベンゾフエノンなどのポリヒドロキシベンゾフエノ ンのキノンジアジドスノレホン酸エステルが好ましレ、。
キノンジアジドスルホン酸エステル化合物は、 1 , 2一ナフトキノンジアジドー 5ースル ホン酸クロライドなどのキノンジアジドスノレホン酸ハライドとフヱノーノ v†fekm¾を 1つ 以上有するフエノール類とのエステル化^である。 フエノール類としては、 2, 3, 4 一トリヒドロキシベンゾフエノン、 2, 3, 4, 4 'ーテトラヒドロキシベンゾフエノン、 2, 2—ビス(4ーヒドロキシフエニル)プロパン、 4, 4'一 [ 1— [4— [ 1一 [4—ヒ ド 口キシフェニル]一 1ーメチルェチル]フエニル]ェチリデン]ビスフエノール、 1, 1, 1一 トリス(4—ヒドロキシフエ二ノレ)メタン、 1 , 1, 1ートリス(4—ヒドロキシ一 3—メチノレ フエ二ノレ)ェタン、 1, 1, 2, 2—テトラキス(4ーヒドロキシフエニル)ェタン、 1, 1, 3 —トリス(2, 5—ジメチノレ一 4ーヒ ドロキシフエ-ル)一 3—フエニルプロパン、ノボラッ ク樹脂のォリゴマー、 フエノール類とジシクロペンタジェンとを共重合して得られるオリ ゴマー (精午第 3 0 9 0 9 9 1号公報)などが挙げられる。
感光性樹脂糸滅物は、通常 した樹脂と感光剤と歸 IJとを含有するものであり、通常、 樹脂と感光剤 に溶解された状態にある。
用いる としては、 例えば、 プロピレングリコール、 ジエチレングリコー のアル キレングリコール類;エチレングリコーノ!^ ノエチノレエ一テル、 エチレングリコールモノ プロピノレエーテノレ、 プロピレンダリコールモノメチルエーテル、 プロピレンダリコールモ ノェチノレエーテノレ、 プロピレングリコーノ ノプロピノレエーテノレ、 ジェチレングリコール モノメチルエーテル、 ジェチレングリコールモノェチルエーテノ^のアルキレングリコー ルモノエーテル類;ジエチレングリコ一/レジメチノレエーテノレ、 ジエチレングリコールジェ チノレエーテノレ、 ジェチレングリコールェチノレメチルエーテル、 ジプロピレングリコールジ メチノレエーテノレ、 ジプロピレングリコールジェチノレエーテノレ、 ジプロピレンダリコールェ チルメチルエーテノ V のアルキレングリコ一/レジアルキルエーテル類、 プロピレングリコ ールモノメチルエーテルァセテ一ト、 ジプロピレングリコールモノメチノレエーテノレァセテ ート、 プロピレンダリコーノ i^eノエチルエーテルァセテ一ト等のァノレキレングリコ一ノ^ E ノアルキルエーテルエステル類;メチルェチルケトン、 2—へプタノン、 4ーヒドロキシ 一 4ーメチノレー 2—ペンタノン、 シク口へキサノン、 シク口ペンタノン等のケト ||;メ タノ一ノレ、 エタノーノレ、 プロパノール、 ブタノーノレ、 3ーメトキシー 3—メチルブタノ一 ノ!^のアルコール類;テトラヒドロフラン、 ジォキサン等の環状エーテル類;メチノ M 口 ソノレプアセテ一ト、 ェチルセロソノレプアセテート等のセロソルブエステル類;ベンゼン、 トルエン、 キシレン等の芳香族炭ィ tok素類;酢酸ェチル、 酉懒プチ/レ、 乳酸ェチル、 2 - ヒドロキシー 2—メチルプロピオン酸メチル、 γ一プチ口ラクトン等のエステノレ類; Ν— メチルホルムアミド、 Ν, Ν—ジメチルホルムアミド、 Ν—メチルー 2—ピロリドン、 Ν— メチルァセトアミド、 Ν, Ν—ジメチルァセトアミド等のアミド類;ジメチルスルホキシ ド;等の極性有機 が挙げられる。
このほか、例えばノ二オン系界面活 '醜 フッ素系界面活'随 IJ、 シリコン系界面活性剤、 アタリル»重合体系界面活十销 (Jなどの界面活'随 (Jを、 塗布个生の向上などを目的として、 感光性樹脂糸滅物に配合することができる。 また、 メラミ f脂やェポキ ^jfl旨などの架 橋剤、接着助剤などを感光性樹脂糸滅物に配合して、 凝及との密着 I"生を向上させることも できる。 さらに、 帯電防止剤、 防 « ィ呆存安 U、 消包斉 U、 顔料、 染料、 酸化防止剤、 増戲 IJなどを感光性樹脂糸! ^物に混合することもできる。
本発明の感光性樹脂糸城物の固形分濃度としては、 特に限定されるものではないが、 通 常、 1 0〜3 0重量0 /0である。
本発明においては、 した感光性樹脂糸城物を用いてパターンを形成する。
パターンの形成に際しては、 上述した感光性樹脂糸滅物を¾¾に塗布し、 乾燥して樹脂 膜を形成する工程、 当該樹脂膜が形成された雄を、常圧で加熱(プリベータ)する工程、 これに続いてプリベータされた樹脂膜に光線を照射して、 当該樹脂膜にパターンの'纖を 形 る工程、 次レヽで現像することによって 上に樹脂パターンを形 ^ る工程とがあ る。
感光性樹脂細或物を塗布する基板に格別な制限はなく、 プリント酉 a镍板ゃ液晶ディスプ レイ用基板など酉 &線を有するものに限らず、 ガラス ¾ί反やプラスチック基板など、 これか ら酉 泉を开城するためのものであってもよレ、。
光性樹脂組成物を塗布する方法に格別な制限はなく、 形成する膜の厚みに応じ て任意に決められる力 s、 例えば、 スプレー法、 ロールコート法、 回転塗布法、 スリットコ ート法、 インクジェット塗布法など力 s挙げられ、 特に塗布効率に優れる観、から、 スリツ トコーターを用レ、たスリツトコ一ト法が好適である。
本発明において、 に塗布された感光性樹脂糸滅物の車燥は、 Ε^ί牛下で行われる。 条件下での乾燥は、 口の ¾置を用いて行うことができる。 E 牛は、 到赃 力が通常 1 0〜4 0 0 0 P a、 好ましくは 1 0〜3 3 0 0 P aである。 また、 草燥時 の雰囲気 は、 樹脂膜内での気泡発生を防止する観点から、 通常 1 0〜6 0 °C、 好まし くは 1 5〜4 0°C, より好ましくは 1 5〜3 0°Cである。 ffi皐纖に要する時間に格別な 制限はなく、 ?、 の大きさ、 感光性樹脂iJ 物の歸 1逢などを考慮して任意に設定 すればよいが、 通常 1秒間〜 3 0分間、好ましくは 5秒間〜 1 0分間、 より好ましくは 5 秒、間〜 5分間である。 乾燥の終点にあっては、 上の膜を形成する感光性樹脂組成物中 の歸 IJ量は、 通常、 4 0重量%以下となる。
こうして、 上に塗布した感光性樹脂糸 の樹脂膜を得た後、 をプリベータす る。 プリべークは、 常圧 (通常、 大 ± l K p a )餅下で行う限り格別な制限はなく、 0. Ι μ ΐπ- Ι Ο μ m¾¾の膜であれば通常 7 0〜: L 2 0 °Cで 5〜 6 0 0秒間 、 ^ブ ンゃホットプレートを用いて加熱する方法が挙げられる。 このプリべークによって、 更に 草¾¾ ^態を進行させることもできる。
次レ、で、 プリベークされた樹脂膜は、所定のパターンを有するマスクを介して 泉が照 射 (露光) され、 当該樹脂膜内にパターンの謝象が形成される。 露豫は、感光剤に応じ たものを選択すれば良く、 可視爐、 紫外線、 遠紫外線などが挙げられ、 特に可視光線、 紫外線が好ましい。照 # る光線量は、膜の厚みなどにより任意に設定することができる。 露光後の樹脂膜は、 現像液との擲虫により現像される。 これにより、 ノ、。ターンが顕在化 され、 樹脂パターン力 S纖上に得られる。
樹脂膜と現像液との撤妨法に格別な制限はな パドル法、 スプレー法、 デイツピン グ法など"^的な方法が採用される。
現像液は、 感光性樹脂糸滅物の樹脂に応じたものを體尺 i" bばよく、 通常、 7_kに溶解し たアル力リ性化合物の水性液である。 アルカリ性化合物としては、 例えば水酸化ナトリウ ム、 水酸化力リゥム、 炭酸ナトリゥム、 ケィ酸ナトリゥム、 メタケイ酸ナトリゥム、 アン モニァ水などの道アル力リ類;ェチ /レアミン、 n—プロピルァミンなどの第 ~f及ァミン 類;ジェチルァミン、ジー n—プロピルァミンなどの第二級ァミン類; トリェチルァミン、 メチノレジェチノレアミン、 N—メチルピロリドンなどの第 ΞΜァミン類;ジメチルエタノ一 ルァミン、 トリエタノールァミンなどのアルコールァミン類;テトラメチルァンモ-ゥム ヒドロキシド(TMAH)、 テトラエチルアンモ-ゥムヒドロキシド、 テトラブチノレアンモ 二ゥムヒドロキシド、 コリンなどの第四級アンモニゥム塩;ピロ一ノレ、 ピペリジン、 1, 8—ジァザビシクロ [ 5. 4. 0]ゥンデカー 7—ェン、 1, 5—ジァザビシクロ [4. 3. 0] ノナー 5—ェンなどの環状ァミ ;等力 S挙げられる。 これらアル力リ性化合物は 1種類 を戦虫で、 又は 以上を混合して用いることができる。
iji象液には、 メタノーノ ^エタノールなどの水溶性 ϋ^ι」や、 界面活性剤を適当量添 加することもできる。
現像時間や現像 に格別な制限はなく、通常 3 0〜: 1 8 0秒間、 1 0〜5 0°Cで行わ れる。
纖肚にパターン状の樹脂膜を形成した後、 必要に応じて、 雄上、 ¾M面、 部に残る不要な現誠渣を除去するために、 この雄とリンス液とを常法により翻虫させ ることができる。 リンス?夜と翻虫させた後、 凝反に 1£縮空気や 宿窒素を撤虫させてリン ス液を除去する。 その後、 さらに、 必要に応じて、 雄の樹脂膜が形成されている面に活 線を全面照 tt ~ることもできる。
こうして樹脂膜をパターン状に形成した後、 通常、 樹 s旨パターンの密着 I·生の向上などを 目的として、 樹脂パターンを有する纖反は、 更に加熱 (ポストべーク)される。 また、 ¾¾ 上に形成された樹脂パターンをポストベータし、 パターン形状を、 例えば、 矩形から上面 の廳部が丸みを帯びた裾広がり形状に変形させてもよい(例えば、 F i g . 1と F i g . 2参照) 。 ここで 「変形」 とは、 樹脂パターンのポストべーク前後でパターン形状を対比 した に、 目視で認識し得る體にパターン形状が変化することをいう。
ボスト ークのための加熱の方法に格別な制限はなく、 上述したプリベータのためのカロ 去と同様でよい。
また、 感光性樹脂 に架橋剤を含ませたものを用いれば、 樹脂膜を更に加熱して、 架橋 を進行させて、 纏旨月莫を硬化させることができる。
こうして得られる樹脂膜は、權エレクト口ルミネッセンス素子や、 L CDテレビに代 表されるような液晶表示素子などの各 «示素子、 鍵回路素子、 固 f«f象素子、 カラー '電 品の発光体隔壁、 封止膜、 m -
±且 莫などに用いられる。 細列
以下に、 本発明を具体的に説明する。 なお、 雞例中、 部及び。/。は、 特に断りのない限 り質 準である。
雄例 1
樹脂として、 m—クレゾーノレ/ p—クレゾーノレを 5 0/ 5 0 (重量比)のクレゾーノレ混合 液とパラホルムァノ! ^ヒドとをfeK宿合して得た重量平均^ *4 5 0 0のノポラック榭 脂 1 0 0部、感光斉 IJとして 2, 3, 4—トリヒドロキシベンゾフエノンの 1, 2—ナフトキノ ン一 2—ジアジドー 5—スルホン酸エステル化合物 (エステル化率 6 7 %;表中では「 3 H B P」 と略す) 1 8部、 シリコン系界面活'随 IJ [S H 2 9 PA 凍レ ·ダウコーニング ·シ リコーンネ環〕 0. 3部をプロピレングリコールモノメチルエーテルァセテ一ト( P GME A) 5 7 6部に溶解させて?辯夜を得た。 得られた瘤夜を、 孔径 0. Ι μ πιの超高分子量ポリ エチレン (U Ρ Ε)製メンブランフィルターで爐過して、 固形分濃度が 1 7 %の感光性樹脂 ,滅物を調製した。 .
得られた感光性樹脂糸滅物の ttit己式で算出される Α値は、 第 1表の通りである。
尚、 A値は、 以下の方法により求められたデータに基づレ、て算出した。
ガラス板 (Ϊ*反)上にスピンコーターを用いて感光性樹脂糸滅物を塗布した後、 1 1 0°Cで 1 5 0秒間、ホットプレート上でプリベータを行い、 f-1. 5 μ πιのプリべークさ れた樹脂膜を得た。 この ガラス板を 光度計 「V_ 5 6 0」 CM品名: 日本分 光社翻 にて、 4 0 5 nmでの光の透過率 Xを測定した。 その後、 コンタクトァライナー 「P LA— 5 0 1 F」 品名:キャノンネ: fci¾ を用いて、 6 0 0 O m j Z c m2の光を 棚旨膜の全面に照射して、 感^^を失活させた。 ついで、 再度 4 0 5 nmでの光の ¾率 Ύを測定した。
編己式〔1〕 に、得られた邏率 X及ひ Ύの値、 SD¥Zとして 1. 5を代入して、 A値を 算出した。
また、 得られた感光性樹脂糸滅物をガラス菌上にスリットコーターを用レ、て塗布し、 次いで 草燥を到 ffi力 2 6 6 P aで実施した。 そののち、 1 1 0°Cで 1 5 0秒間、 常 圧でホットプレート上で加熱 (プリべーク)して、 ID¥2. 1 μ ηιのレジスト膜を得た。この レジスト膜の上から内径 1 0 μ :αのコンタクトホール(CZH)パターンのマスクを用いて、 ミラープロジェクションァライナー 「MP A 7 0 0 0」 品名:キヤノンネ: h$ ] で露光 して、 樹脂パターンを得た。 露光量はコンタクトホールの直径が 1 Ο μ πιとなるエネルギ 一量とした。露光後、 2 . 3 8 %テトラメチルアンモニゥムヒドロキシド水激夜で 7 0秒間 現像し、 樹脂パターンを有する慈を得た。
得られた樹脂パターンを有する難を、 1 3 0 °Cで 2 0 0秒間、 ホットプレート上で加 熱 (ボストベーク)した。その後、播反の二つの対角線の交点 (雄中;^ (5)と四つ角付近 (基 板 のパターンにつ!/ヽて、 S EM (越型電子顕麟により、その断面形状を観察した (倍率: 2 0, 0 0 O f咅)。 ボストベーク前の樹脂パターンの厚みを a、パターン上部の角 を A、パターン下部の角を Bとし(F i g . 1参照)、ポストベータ後のフローパターンの 先端 B 'から aの賺でフローパターンと接する点を A'とした時(F i g . 2参照) に、 フ ローパターンの先端 B 'と A'とを結ぶ線と、 雄との角度 Θ (単位:。 )を測定し、 熱フロ 一性を評価した(F i g . 2参照)。 尚、 0力 S小さいほど熱フロー性が高く、 一般に 7 0。 未満 (好ましくは 6 5 ° 以下)であることが求められている。
結果を第 1表に示す。 尚、 四つの角の 0は、 測定後の平均値と偏差で表示している。 麵列 2、 3
感光剤の配合量を第 1表に示す量に変更したこと以外は、 実施例 1と同様にして A値を 算出し、 ノターン形状を観察し、 熱フロー性を諮面した。
結果を第 1表に示す。
麵列 4
感光剤を、 2, 3 , 4, 4 'ーテトラヒドロキシベンゾフエノンの 1, 2 _ナフトキノンジァ ジドスルホン酸エステル (エステル化率 7 5 %;表中では 「4 HB P」 と略す)を用い、 配 合量を第 1表に示す量にしたこと以外は、 難例 1と同様にして A値を算出し、 パターン 形状を観察し、 熱フロ Η·生を言鞭した。
.結果を第 1表に示す。
比較例:!〜 4
感¾¾の謹頁と量を第 1表の通りにしたこと以外は実施例 1と同様にして、 A値を算出 し、 パターン形状を観察し、 熱フロー性を謂面した。
結果を第 1表に示す。 表 1
Figure imgf000014_0001
この結果から、羅乾燥!:程を経るパターン形成では、 歸己式 C D で算出される A値 力 S本発明で規定した範囲にある感光性樹脂糸滅物を用いると、 ¾βの^ ¾でも中^^で も、 ほぼ同等の熱フロ^†生を持った樹脂パターンが得られていることがわかる。 これは、 樹脂パターン (熱フローさせる前)力 維面内の驗でも中^^でも均質であることを意 味している。 逆に Α値が本発明の規定の範囲からはずれた齢、 端部での熱フロー性が急 激に敏匕しており、 樹脂パターンが播肚の眘败によって均質ではないこと力分かる。 また、 本発明で規定した範囲にある感光性樹脂 «物を用いると、職 IIの熱フロー後の 角度 Θのばらつきも小さく、 安定したパターン力 s得られてレ、ることが分かる。

Claims

請求の範囲
1. 樹脂、感光剤及び藤 ί!を含有する感光性樹脂 物を に塗布し、 草燥して樹脂膜 を形财る工程、 樹脂膜が形成された繊を常圧で加熱する工程、 光線を照射して、 当該 樹脂膜にパターンの賺を形成する工程、 及ひa像することによって纏上に樹脂パター ンを形成する工程を有するパターン形^去であって、 (l)tfit己乾燥が、 条件下で行 われること、 及び(2)fiit¾ 光性榭脂糸滅物の、 下記式 〔1〕 :
Figure imgf000015_0001
1 n(Y/X) 〔1〕
(ただし、上記式〔1〕 において、 Xは、感光性樹脂糸城物を ガラス難上に塗布し、 次いで 110°Cで 150秒間加熱して得られた、樹脂膜と 力:ラス との ¾ 体の、 波長 405 nmの光の翻率(%;)、 Yは、 l確層体に 600 OmjZcm2の光を照射 した後の、 波長 405nmの光の翻率 (%)、 Zは、 |ίίΙΞ¾層体の樹脂膜の厚み( m)で ある)
で算出される値 Aが 0.8以下であることを 1敷とするパターン形^去。
2. 牛が、 到; 力 10〜4000Paである請求の範囲 1記載のパターン形 成方法。
3. 感光剤が、 ポリヒドロキシベンゾフエノンのキノンジアジドスノレホン酸エステノレであ る請求の範囲 1記載のパターン形 JifcW去。
4. 感光性樹脂糸滅物を勘反に塗布する方法が、 スリットコート法によるものである請求 の範囲 1記載のパターン形)^去。
5. 雄上に形成された樹脂パターンを加熱し、 パターン形状を変形させる工程をさらに 有する請求項 1記載のパターン形 法。
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