TW201821607A - 抗蝕劑剝離液組成物 - Google Patents

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川野伸一
大日向秀収
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Abstract

本發明提供一種具有優異抗蝕劑剝離性能，並且以純水清洗時，抗蝕劑剝離物對基板之再附著(抗蝕劑殘渣)極少之抗蝕劑剝離液組成物。該抗蝕劑剝離液組成物係於(A)抗蝕劑剝離液100質量份中調配(B)分子中具有氧伸烷基之界面活性劑0.01~10質量份而成，前述(B)界面活性劑係由如下之氧伸烷基界面活性劑：於水晶振動器微平衡法中，附著於水晶振動器測定基板上之氧化銦錫(ITO)膜面之前述界面活性劑藉由流水而於1000秒內單純減少並消失(惟，前述(B)界面活性劑之附著量為1nmol/cm2以上20nmol/cm2以下，前述ITO膜面之前述流水流速為0.1mL/分鐘，前述水晶振動器之發訊頻率為4.95MHz)。

Description

抗蝕劑剝離液組成物
本發明有關抗蝕劑剝離液組成物。
半導體元件或液晶面板元件之製造中，係於矽晶圓、玻璃等之基板上藉由真空蒸鍍或化學氣相成長，形成矽半導體層或氧化矽膜等之閘極絕緣膜、氧化銦錫膜(ITO膜)等之電極膜、氮化矽膜等之保護絕緣膜等。其次，於閘極絕緣膜或保護絕緣膜上均一塗佈光阻劑，隨後使該光阻劑選擇性曝光，顯像處理而形成光阻劑圖型。接著，將該圖型作為遮罩使上述閘極絕緣膜或保護絕緣膜選擇性蝕刻，形成微細電路後，藉由抗蝕劑剝離液去除不需要之光阻劑層，而製造液晶面板元件。
以往，作為由酚醛清漆樹脂所成之抗蝕劑被膜之剝離液，係使用於單乙醇胺(MEA)、N-甲胺基乙醇、N-乙基-2-吡咯啶酮等之胺系化合物中添加如二甲基亞碸(DMSO)之水溶性有機溶劑與水之胺系抗蝕劑剝離液。
作為胺系以外之抗蝕劑剝離液已知有含有具有還原性或吸附性之防腐蝕劑、水溶性有機溶劑、水及界面活性劑之抗蝕劑剝離液(例如參考專利文獻1)。
此處，於上述光阻劑圖型之形成過程中，接續蝕刻後之抗蝕劑剝離步驟之後，進行以純水洗淨去除附著於基板之抗蝕劑剝離液之清洗步驟。使用胺系以外之阻劑剝離劑時，於該以純水之清洗步驟，有如下問題：溶解於抗蝕劑剝離液中之抗蝕劑剝離物於基板表面析出、分散於抗蝕劑剝離液中之抗蝕劑剝離物之微粒子再附著於基板表面、產生抗蝕劑殘渣。
為了防止此等溶解之抗蝕劑剝離物於基板表面之析出或抗蝕劑剝離物之微粒子再附著，已知有於清洗步驟中使用於純水中含有界面活性劑之清洗液(例如參考專利文獻2)。又，亦提案於自碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、γ-丁內酯及環戊酮中選擇之1種以上中添加碳酸甘油酯之抗蝕劑剝離液(例如參考專利文獻3)。
然而，於清洗液中含有界面活性劑時，有如下課題：洗淨清洗液之追加清洗步驟為必要，或因清洗液起泡故對洗淨機器之維護產生負荷。
因此，雖期望僅以純水即可清洗之抗蝕劑剝離液，但近幾年來，隨著液晶顯示器之大面積化或液晶面板元件之多層化，對於洗淨後之基板表面之抗蝕劑殘渣之要求越趨嚴格。因此，要求可極力減少抗蝕劑殘渣之抗蝕劑剝離液組成物。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-58624號公報
[專利文獻2]日本特開2006-11054號公報
[專利文獻3]國際公開2014/2151號
本發明係為解決上述課題而完成者，目的在於提供具有優異抗蝕劑剝離性能，且於抗蝕劑剝離後之純水清洗時可極力減少抗蝕劑剝離物對基板之再附著(抗蝕劑殘渣)之抗蝕劑剝離液組成物。
本發明之抗蝕劑剝離液組成物，其特徵係於(A)抗蝕劑剝離液100質量份中調配(B)分子中具有氧伸烷基之界面活性劑0.01~10質量份而成，前述(B)界面活性劑係由如下之氧伸烷基界面活性劑而成：於水晶振動器微平衡法中，附著於水晶振動器測定基板上之氧化銦錫(ITO)膜面之前述界面活性劑藉由流水而於1000秒內單純減少並消失(惟，前述(B)界面活性劑之附著量為1nmol/cm2以上20nmol/cm2以下，前述ITO膜面之前述流水流速為0.1mL/分鐘，前述水晶振動器之發訊頻率為4.95MHz)。
本發明之抗蝕劑剝離液組成物之製造方法，其特徵係於(A)抗蝕劑剝離液100質量份中調配(B)氧伸烷基界面活性劑0.01~10質量份而製造抗蝕劑剝離液組成物 的抗蝕劑剝離液組成物之製造方法，前述(B)氧伸烷基界面活性劑係於藉由水晶振動器之發訊頻率為4.95MHz之水晶振動器微平衡法中，選擇分子中具有氧伸烷基之界面活性劑作為測定對象成分，前述水晶振動器微平衡法具有下述步驟：(A)於形成於水晶振動器測定基板上之氧化銦錫膜面上，以1nmol/cm2以上20nmol/cm2以下附著前述測定對象成分之附著步驟，(B)對附著有前述測定對象成分之前述氧化銦錫膜表面以0.1mL/分鐘供給流水，以前述流水洗淨前述測定對象成分之洗淨步驟，(C)測定前述洗淨步驟中附著於前述氧化銦錫膜面之前述測定對象成分之減少狀態及直至前述測定對象成分消失之時間，並選定附著於前述氧化銦錫膜面之前述測定對象成分於1000秒內單純減少並消失者作為(B)氧伸烷基界面活性劑之選定步驟。
本發明之抗蝕劑剝離液組成物具有優異抗蝕劑剝離性能，且於抗蝕劑剝離後之純水清洗時可極力減少抗蝕劑剝離物對基板之再附著(抗蝕劑殘渣)。
1‧‧‧水晶振動器微平衡(QCM)裝置
2‧‧‧試料測定用腔室
3‧‧‧測定基板
4‧‧‧流動模組
5‧‧‧振動數檢測器
6‧‧‧管
圖1係示意性表示水晶振動器微平衡(QCM)裝置之圖。
圖2係表示實施例中使用之界面活性劑之QCM洗淨性 試驗結果之圖表。
圖3係表示比較例中使用之界面活性劑之QCM洗淨性試驗結果之圖表。
圖4係表示實施例中使用之界面活性劑No.18之QCM洗淨性試驗結果之圖表。
圖5係表示實施例中使用之界面活性劑No.13之QCM洗淨性試驗結果之圖表。
以下詳細說明本發明之實施形態。
本發明之抗蝕劑剝離液組成物係抗蝕劑被膜之剝離所用之液狀組成物。本發明之抗蝕劑剝離液組成物包含(A)抗蝕劑剝離液及(B)氧伸烷基界面活性劑。本發明之抗蝕劑剝離液組成物中，(B)氧伸烷基界面活性劑具有如下特性：於水晶振動器微平衡法中，附著於水晶振動器測定基板上之氧化銦錫(ITO)膜面之前述界面活性劑藉由流水而於1000秒內單純減少並消失。該特性測定時之(B)界面活性劑之附著量為1nmol/cm2以上20nmol/cm2以下，ITO膜面之流水流速為0.1mL/分鐘，水晶振動器之發訊頻率為4.95MHz。
本發明之抗蝕劑剝離液組成物中，(A)成分係主要展現抗蝕劑剝離性之成分。(B)成分係抑制起因於抗蝕劑剝離所產生之抗蝕劑剝離物所致之抗蝕劑殘渣產生的成分。由(A)成分及(B)成分所成之本發明之抗蝕劑剝離液 組成物具有優異抗蝕劑剝離性能，並且於抗蝕劑剝離後之純水清洗步驟中，可獲得顯著地抑制下述情況之效果：溶解於抗蝕劑剝離液組成物中之抗蝕劑剝離物析出於基板、分散於抗蝕劑剝離液組成物中之抗蝕劑剝離物之微粒子再附著於基板表面、抗蝕劑剝離後之基板等之表面上產生抗蝕劑殘渣。
本發明之抗蝕劑剝離液組成物於例如形成於矽基板上之ITO膜等之親水性膜、氮化矽膜等之疏水性膜上之抗蝕劑被膜之剝離時，獲得抑制上述抗蝕劑殘渣之很大效果。本發明之抗蝕劑剝離液組成物對於作為抗蝕劑被膜之負型抗蝕劑被膜、正型抗蝕劑被膜之任一者之溶解性均高，發揮優異之抗蝕劑剝離性能及抗蝕劑殘渣之抑制效果。以下，針對本發明之抗蝕劑剝離液組成物所含有之各成分加以說明。
[(A)抗蝕劑剝離液]
本發明之抗蝕劑剝離液組成物中，(A)成分係發揮自該基板剝離形成於基板表面之抗蝕劑被膜之作用。(A)成分係胺系抗蝕劑剝離液或後述之烴系抗蝕劑剝離液等。
胺系抗蝕劑剝離液係例如以單乙醇胺(MEA)為主成分，進而含有二甲基亞碸(DMSO)或N-甲基吡咯啶酮(NMP)之溶劑系抗蝕劑剝離液，以單乙醇胺(MEA)為主成分，進而含有水及乙二醇單丁醚(BDG)之水系抗蝕劑剝離液。
烴系抗蝕劑剝離液係包含具有由碳及氧所成之環構造之化合物的抗蝕劑剝離液。烴系抗蝕劑剝離液係以碳酸伸乙酯(EC)、碳酸伸丙酯(PC)、碳酸甘油酯(GC)、環戊酮(CP)、γ-丁內酯(GBL)等為主成分之抗蝕劑剝離液。烴系抗蝕劑剝離液除上述成分以外，亦可含有乙二醇(EG)或丙二醇(PG)等之二醇化成物作為抗蝕劑剝離成分。
本發明之抗蝕劑剝離液組成物中，(A)成分較好為烴系抗蝕劑剝離液。更具體而言，(A)成分較好為(A1)碳酸伸乙酯與(A2)選自碳酸伸乙酯、γ-丁內酯、環戊酮及碳酸甘油酯之1種以上。該等(A1)成分及(A2)成分於分子構造具有五員環構造，具有構成該五員環之碳原子之一為構成羰基之共通分子構造。因此，(A1)成分及(A2)成分相互相溶性良好，而可容易混合。又，(A1)成分及(A2)成分對於抗蝕劑被膜尤其是酚醛清漆樹脂系之抗蝕劑被膜之溶解性高，抗蝕劑剝離性能優異。
(A)成分由(A1)成分及(A2)成分所成時，對於(A)抗蝕劑剝離液總量，(A1)碳酸伸乙酯較好含20質量%以上80質量%以下。本發明之抗蝕劑剝離液組成物藉由使用含有20質量%以上之碳酸伸乙酯之(A)抗蝕劑剝離液，而發揮極優異之剝離性能。碳酸伸乙酯含量若為80質量%以下，則抗蝕劑殘渣極為減低。
又，(A)成分由(A1)成分及(A2)成分所成時，(A)成分較好含有γ-丁內酯作為(A2)成分。該情況，(A)成分相對於其總量，較好含有20質量%以上80質量%以下之 γ-丁內酯，較好含有30質量%以上50質量%以下。本發明之抗蝕劑剝離液組成物藉由使用含有20質量%以上之γ-丁內酯之(A)抗蝕劑剝離液，而發揮更優異之抗蝕劑殘渣抑制效果。藉由使用含80質量%以下之γ-丁內酯的抗蝕劑剝離液，可使抗蝕劑剝離之作業溫度下之抗蝕劑剝離液之蒸氣壓變低，亦可抑制抗蝕劑剝離液之組成變動，而提高安全性。
又，(A)成分由上述(A1)成分及(A2)成分所成時，(A)成分較好含有γ-丁內酯及碳酸甘油酯作為(A2)成分。藉此，可提高抗蝕劑剝離性能並且進一步減低抗蝕劑殘渣。該情況，相對於(A)成分總量，較好含有30質量%以上之碳酸伸乙酯、γ-丁內酯及碳酸甘油酯。
又，(A)成分由(A1)成分及(A2)成分所成時，(A)成分較好含有碳酸甘油酯作為(A2)成分。該情況，(A)成分相對於其總量，較好含有超過0質量%且50質量%以下之碳酸甘油酯。藉由使用含有碳酸甘油酯之(A)抗蝕劑剝離液，可極為減低抗蝕劑殘渣。碳酸甘油酯含量，相對於(A)成分總量，較好為30質量%以下，更好為10質量%以下。
又，(A)成分含有碳酸伸丙酯作為(A2)成分時，(A)成分相對於其總量較好含有5質量%以上30質量%以下之碳酸伸丙酯，更好含有5質量%以上15質量%以下。藉由使用碳酸伸丙酯之含量為上述範圍之(A)抗蝕劑剝離液，抗蝕劑剝離液組成物可發揮優異之抗蝕劑剝離性能及 優異之抗蝕劑殘渣減低效果。
又，(A)成分含有環戊酮作為(A2)成分時，(A)成分相對於其總量較好含有5質量%以上50質量%以下之環戊酮，更好含有5質量%以上35質量%以下。環戊酮之含量若為上述範圍，則可獲得具有優異之抗蝕劑剝離性能及優異之抗蝕劑殘渣減低效果，進而安全性優異之抗蝕劑剝離液組成物。
又，(A)成分由(A1)成分及(A2)成分所成時，(A)抗蝕劑剝離液相對於其總量，較好含有50質量%以上70質量%以下之(A1)碳酸伸乙酯、30質量%以上50質量%以下之γ-丁內酯、超過0質量%且30質量%以下之碳酸甘油酯。若為上述範圍，則可獲得抗蝕劑剝離性能提高並且可進一步減低抗蝕劑殘渣且黏度低作業性優異之抗蝕劑剝離液組成物。
[(B)氧伸烷基界面活性劑]
本發明中之(B)成分於抗蝕劑剝離後之純水清洗步驟中抑制產生抗蝕劑殘渣。本發明人等發現藉由水晶振動器微平衡法(QCM法)可特定出發揮該等作用之(B)成分。亦即，發現於水晶振動器微平衡法之水晶振動器測定基板上形成由氧化銦錫(ITO)所成之薄膜，於該ITO薄膜表面上，附著特定量之測定對象成分，隨後，藉由純水洗淨附著於ITO薄膜表面之測定對象成分時，測定對象成分不會再附著於ITO薄膜表面，而於1000秒內單純減少並消失時，發 揮優異之抗蝕劑殘渣抑制效果。此處所謂「單純減少」意指沖洗測定對象成分時，測定對象成分消失之前顯示大致減少傾向，並無排除有測定對象成分暫時增加之情況之意圖。亦即，所謂「單純減少」意指並無伴隨再附著不定期重複所示之大幅增減。
此處，針對QCM法加以說明。QCM法係使用具有水晶振動器之秤量天平(測定基板)之QCM裝置，利用後述之水晶振動器之壓電效應，測定於水晶振動器表面引起之微小重量變化之方法。QCM裝置係例如Q-sence公司製之分子間相互作用定量測定裝置(型式名：QCM-D300)等。水晶震動器之表面亦可以金、鉑、銀、鐵、鈦等之重金屬、不鏽鋼或二氧化矽等之化合物被覆。
QCM法之測定原理如下。對水晶振動器施加交流電場時，水晶之結晶變形，水晶規律地振動激振(壓電效應)。該水晶振動器之表面上若附著微量異物，則振動數產生變化。振動數之變化量與附著之異物質量成比例。因此，藉由測定該振動數之變化量，可測定附著於水晶振動器表面之異物質量。
更具體而言，藉由QCM裝置，對水晶振動器施加交流電場，測定水晶振動器之振動數變化(△f)。例如使固形分濃度為5%以下左右之液體或漿液接觸於測定基板表面，以濕式測定該固形分對測定基板表面之附著量時，於振動數變化△f與水晶振動器之質量變化△m之間，以下之式(5)的關係成立。如式(5)所示，△f與附著於水晶 振動器表面之異物質量成比例。
△f=定數×△m．．．(5)
上述式(5)中之比例常數如下藉由Sauerbrey之式(式(6))求出。例如，上述QCM-D300自動切換5、15、25、35MHz之4階段頻率，測定個別之△f。而且，式(6)中，△f1係使用將以前述4階段之頻率測定之振動數變化△f分別除以1、3、5、7，換算為5MHz之值的值，算出質量變化△m。
△m=-17.7(ng．cm-2．Hz-1)．△f1(Hz)．．．(6)
其次，參考圖1，針對用以測定QCM洗淨性之QCM裝置之一例加以說明。圖1係示意性表示QCM裝置之圖。圖1所示之QCM裝置1具備試料測定用腔室2、配置於試料測定用腔室2內之測定基板3、對試料測定用腔室2內供給樣品液且隨後排出至試料測定用腔室2外之流動模組4、及用以對測定基板3所具備之水晶振動器之振動數變化進行測定之振動數檢測器5。振動數檢測器5係激振．消散檢測機等。
試料測定用腔室2係於內部使樣品液接觸於測定基板3表面之氣密容器。試料測定用腔室2亦可具備藉由電子控制等之溫度調節手段。流動模組4係送液樣品液之蠕動泵(peristaltic pump)等，藉由管6連接於試料測定用腔室2。
使用上述QCM裝置之QCM洗淨性試驗可例如如下般進行。(A)於水晶振動器測定基板上之氧化銦錫(ITO)膜面上，附著測定對象成分(附著步驟)，(B)對附著有該測定對象成分之ITO膜表面供給流水(洗淨步驟)，(C)測定經洗淨去除之測定對象成分之減少狀態及直至測定對象成分消失之時間。
具體而言，首先，於測定基板3表面，藉由例如濺鍍形成厚10~1000nm之ITO薄膜。將形成有該ITO薄膜之測定基板3配置於試料測定用腔室2。
隨後，藉由溫度調節手段將試料測定用腔室2內調節至特定溫度。測定時之溫度保持於例如15~80℃±0.1℃。溫度調節後，自流動模組4於試料測定用腔室2內通液作為標準水(blank water)之純水，確認安定性。
其次，進行如下之(A)附著步驟。於標準水中以特定濃度添加測定對象成分所得之樣品液通液試料測定用腔室2內。邊確認以振動數檢測器5檢測出之振動數安定，邊首先進行以任意濃度含有測定對象成分之樣品液之通液。持續上述樣品液之通液時，由振動數檢測器5所測定之振動數大致未變化，測定對象成分對ITO膜表面之附著量成為該樣品液之濃度中之飽和附著量。其次，樣品液中之測定對象成分之濃度少量增加，再度持續樣品液之通液時，測定對象成分之附著量成為該增加之樣品液濃度中之飽和附著量。如此，邊逐次增加其濃度邊通液樣品液，於例如飽和附著量成為1nmol/cm2以上20nmol/cm2以下 時，結束附著步驟。
上述附著步驟係使用樣品液中之測定對象成分濃度為0.1~100μmol/mL之稀水溶液。且，振動數測定時之振動數檢測器5之激振頻率為例如4.95±0.1MHz。
其次，以特定流量於試料測定用腔室2內連續通液標準水((B)洗淨步驟)。於該過程，由振動數檢測器5測定振動數變化，藉此算出測定基板3之質量變化，觀察測定對象成分之脫離狀態(QCM洗淨性)((C)選定步驟)。
上述洗淨步驟之測定基板3表面之標準水流量為例如0.01mL/分鐘~0.5mL/分鐘。測定對象成分之附著物，藉由標準水通液而自上述附著步驟結束時之飽和吸附量略單純減少，於標準水開始通液後1000秒內消失時，判斷為發揮抗蝕劑殘渣之抑制效果者。自標準水通液開始起，至測定對象成分之附著物消失為止之時間較好為900秒以內，更好為600秒以內，又更好為300秒以內，特佳為200秒以內。直至消失之時間較短者係抗蝕劑殘渣之抑制效果提高之傾向。
具體而言，以特定之一定流量連續通液標準水時，測定對象成分之附著量自標準水開始通液後以緩慢減少曲線減少時，可判斷為測定對象成分之附著物單純減少。測定對象成分之附著物單純減少時，測定對象成分之附著量之每通液時間之減少量之微分係數在洗淨步驟之期間內為正的值。此時，上述微分係數於洗淨步驟期間內之一部分期間亦可成為零。上述微分係數在洗淨步驟之期間 內亦可暫時為負的值。又，洗淨步驟之期間內，測定對象成分之附著物量為QCM裝置之測定下限值以下時，可判斷為測定對象成分之附著物消失。
具有上述QCM洗淨性之(B)成分，可抑制抗蝕劑殘渣之理由認為係於純水清洗步驟中，於抗蝕劑剝離液組成物剝離抗蝕劑後之基板表面上附著(B)成分，而抑制抗蝕劑剝離後於抗蝕劑剝離液組成物中溶解、分散之抗蝕劑剝離物與基板表面之接觸。此時，由於(B)成分對於基板表面之附著力適度小，故(B)成分本身，抑制抗蝕劑與基板表面之接觸，亦藉由純水清洗而沖掉。因此，可極力減少純水清洗後之基板表面抗蝕劑殘渣。且，認為藉由(B)成分附著於抗蝕劑剝離物之表面全體，包圍抗蝕劑剝離物，而有使抗蝕劑剝離物難以接觸基板表面之效果。
具有上述QCM洗淨性之(B)成分具體而言，為具有氧伸烷基之界面活性劑(氧伸烷基界面活性劑)，較好為具有親水基或具有疏水基與親水基兩者之氧伸烷基界面活性劑。且，界面活性劑為非離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑等。(B)成分之界面活性劑於減低微胞形成性或表面張力之作用中，並無必要具有充分之界面活性能，例如(B)成分只要為透過其親水基附著於ITO膜板表面而展現上述QCM洗淨性者即可。
(B)成分就展現優異之QCM洗淨性之方面，較好為陰離子系界面活性劑。其理由為陰離子系界面活性劑不具有電荷，即使暫時附著於洗淨後之基板時，亦容易藉 由純水洗淨，可抑制以此為基點而引起抗蝕劑之再附著。
作為(B)成分使用之氧伸烷基界面活性劑較好具有親水基的氧伸乙基(EO)，或除了氧伸乙基(EO)以外具有疏水基的氧伸丙基(PO)。此處，氧伸乙基係以-OCH2CH2-表示之基。氧伸丙基係伸丙基為直鏈狀之氧基-正伸丙基(以-OCH2CH2CH2-表示之基)及伸丙基分支之氧基-異伸丙基(-OC(CH3)HCH2-表示之基)中之1種以上。其中氧伸丙基較好為氧基-異伸丙基。
(B)成分之氧伸烷基界面活性劑藉由具有EO，而使(B)成分充分附著於ITO等之親水性之基板表面，藉由立體障礙而抑制抗蝕劑剝離物再附著於基板，可提高抗蝕劑殘渣之抑制效果。
(B)成分之氧伸烷基界面活性劑藉由具有PO，於(B)成分附著於ITO等之親水性之基板表面時，亦容易藉由純水洗淨，可抑制以此為基點而引起抗蝕劑剝離物之再附著。
且，如上述，(B)成分具有之EO及PO對於抗蝕劑殘渣之抑制效果所致之作用分別不同。因此，根據氧伸烷基界面活性劑具有之EO及PO之比率，而有其抗蝕劑殘渣之抑制效果不同之情況。依據本發明之抗蝕劑剝離液組成物，藉由使用具有上述QCM洗淨性之(B)成分，可獲得具有優異抗蝕劑殘渣抑制效果之(B)成分。
作為(B)成分使用之氧伸烷基界面活性劑於1分子中具有之氧伸乙基及氧伸丙基之個數以氧伸丙基/氧 伸乙基(PO/EO)表示之個數之比，較好為0以上6以下。藉由使PO/EO為0以上6以下，由於展現適度之QCM洗淨性，故可獲得兼具有(B)成分之利用純水之去除效果與抗蝕劑剝離物對基板之再附著抑制效果，且具有優異之抗蝕劑殘渣抑制效果之抗蝕劑剝離液組成物。又，此時之EO數於1分子中較好為1個以上149個以下。
作為(B)成分使用之氧伸烷基界面活性劑具有氧伸乙基(EO)及氧伸丙基(PO)時，其EO及PO之含有比例以EO：PO表示之莫耳比較好為0.2：1以上3：1以下，更好為0.5：1以上1.5：1以下。EO：PO(莫耳比)若為上述範圍，由於展現適度之QCM洗淨性，故可獲得具有優異之抗蝕劑殘渣抑制效果之抗蝕劑剝離液組成物。
作為(B)成分使用之氧伸烷基界面活性劑除了EO及PO以外，亦可具有烷基、羥基、氫原子等。該等基可藉由取代例如EO或PO具有之氫原子而連接於氧伸烷基界面活性劑具有之碳原子上，或連接於EO彼此、PO彼此或EO與PO之間，或連接於末端。上述之烷基、羥基、氫原子等，與烯基或苯基、多環苯基相較，由於疏水性低，故對於基板表面之附著較弱，而容易藉由純水洗淨。因此，可提高抗蝕劑殘渣之抑制效果。
(B)成分含有烷基時，該烷基較好為直鏈狀或分支狀。直鏈狀或分支狀之烷基，與環狀之烷基相較，由於疏水性較低，故對於基板表面之附著較弱，而容易藉由純水洗淨。因此，可提高抗蝕劑殘渣之抑制效果。
作為(B)成分使用之氧伸烷基界面活性劑，只要不損及本發明效果，則亦可含有構成EO、PO及任意具有之烷基、羥基之碳、氫、氧以外之元素，但較好僅由碳、氫、氧構成。(B)成分僅由碳、氫、氧構成構成時，由於該等元素不易帶電荷，故對於基板表面之附著較弱，而容易藉由純水洗淨。因此，可提高抗蝕劑殘渣之抑制效果。
作為(B)成分使用之氧伸烷基界面活性劑，基於與(A)成分之抗蝕劑剝離液之相溶性之觀點，數平均分子量較好為100以上15000以下。且，氧伸烷基界面活性劑較好碳數為10以上500以下。又，界面活性劑之數平均分子量可作為以凝膠滲透層析儀測定所得之聚苯乙烯換算之值而測定。
氧伸烷基界面活性劑較好為以下述通式(1)表示之化合物。
通式(1)：HO-(EO)x-(PO)y-(EO)z-H
(惟，上述通式(1)中，EO為氧伸乙基，PO為氧伸丙基、x+z為1~150之數，y為1~50之數)。
上述通式(1)中，x+z較好為1~30之數，y較好為1~30之數。又，上述通式(1)表示之化合物中，PO/EO(個數比)係以y/(x+z)算出，EO：PO(莫耳比)係以(x+z)：y算出。依據此等氧伸烷基界面活性劑，由於可獲得優異之抗蝕劑殘渣之抑制效果同時與(A)成分之相溶性優異，故可獲得作業性良好之抗蝕劑剝離液組成物。
作為通式(1)表示之化合物，可使用市售品。通式(1)表示之化合物之市售品為例如L-31、L-62、L34、F-88(均為製品名，ADEKA公司製)。
氧伸烷基界面活性劑較好為以下述通式(2-1)表示之化合物。
通式(2-1)：R1-O-(EO)p(PO)q-H
(惟，上述通式(2-1)中，R1為直鏈狀、分支狀或環狀之碳數6~22之烷基，EO為氧伸乙基，PO為氧伸丙基、p為1~149之數，q為0~10之數)。
通式(2-1)中，p較好為1~40之數。q較好為0~5之數，更好為0~3之數。
又，氧伸烷基界面活性劑較好為以下述通式(2-2)表示之化合物。
通式(2-2)：R1-O-(EO)p(PO)q-H
(惟，上述通式(2-2)中，R1為直鏈狀、分支狀或環狀之碳數6~18之烷基，EO為氧伸乙基，PO為氧伸丙基、p為1~10之數，q為1~10之數)。
上述通式(2-1)及(2-2)中，R1較好為直鏈狀或分支狀，碳數較好為8~16，更好為8~15。又，p較好為1~3之數，q較好為1~4之數。上述通式(2-1)及(2-2)表示之化合物中，PO/EO(個數比)係以p/q算出，EO：PO(莫耳比)係以p：q算出。
作為通式(2)表示之化合物，可使用市售品。通式(2-1)表示之化合物之市售品為NIKKOL BC-40、NIKKOL BC-20(均為日光化學股份有限公司製)等，通式(2-2)表示之化合物之市售品為WT-100(製品名，TANATEKKUS公司製)、2303Y、2303FB(均為製品名，日本乳化公司製)等。
使用通式(2-1)及(2-2)表示之氧伸烷基界面活性劑作為(B)成分時，藉由進而添加其以外之其他界面活性劑，可提高抗蝕劑殘渣之抑制效果。該情況，作為與通式(2-1)及(2-2)表示之氧伸烷基界面活性劑併用之其他界面活性劑，較好為陰離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、分離子系界面活性劑。其他界面活性劑可使用1種亦可使用2種以上。
本發明之抗蝕劑剝離液組成物中，(B)氧伸烷基界面活性劑之含有比例，對於(A)抗蝕劑剝離液100質量份，為0.01~10質量份，較好為0.1~3質量份，更好為0.1~1質量%。藉由使(B)氧伸烷基界面活性劑之含有比例在上述範圍，可獲得優異之抗蝕劑殘渣之抑制效果。
本發明之抗蝕劑剝離液組成物，於25℃之黏度較好為10cP以下，更好為5cP以下。本發明之抗蝕劑剝離液組成物中，含有碳酸甘油酯作為(A)成分時，由於碳酸甘油酯黏度高，故其調配量較多時黏度變高，認為因作業溫度而使作業性降低。此種情況下，期望加熱使黏度降低至上述範圍後進行剝離作業。
本發明之抗蝕劑剝離液組成物之引火點較好為100℃以上。引火點若為100℃以上，則加熱作業時之安全性更高。又，本發明之抗蝕劑剝離液組成物之引火點可藉由在本發明範圍內變更上述(A)成分之種類或含有比例而調整。
又，本發明之抗蝕劑剝離液組成物在不損及本發明效果之範圍內，亦可含有(A)成分、(B)成分以外之其他添加劑，例如少量之水或水溶性之有機溶劑。
以上說明之本發明之抗蝕劑剝離液組成物具有優異之抗蝕劑剝離性能。且，本發明之抗蝕劑剝離液組成物於抗蝕劑剝離後之純水清洗時，可顯著地抑制抗蝕劑剝離物對基板之再附著(抗蝕劑殘渣)。
[實施例1]
以下針對實施例加以說明。
又，以下實施例中之各簡寫表示如下物質或基。
EC：碳酸伸乙酯
PC：碳酸伸丙酯
GBL：γ-丁內酯
CP：環戊酮
GC：碳酸甘油酯
MEA：單乙醇胺
DMSO：二甲基亞碸
BDG：二乙二醇單丁醚
EO：氧伸乙基(-O-CH2CH2-)
i-PO：氧伸異丙基(-O-C(CH3)H-CH2-)
PO：氧伸異丙基(-O-C(CH3)H-CH2-)或氧伸正丙基(-O-CH2-CH2-CH2-)
又，各例中使用之界面活性劑為如下所示者，各製品之通式可藉由分析而得。
No.1：以通式(3)：HO-(EO)x-(PO)y-(EO)z-H表示之聚氧伸丙基聚氧伸乙基共聚物，x+z=3，y=16，製品名：L-31，ADEKA公司製，數平均分子量1100
No.2：以通式(3)表示之聚氧伸丙基聚氧伸乙基共聚物，x+z=17，y=30，製品名：L-62，ADEKA公司製，數平均分子量2500
No.3：以通式(4-1)：CaHb-O-(EO)p-(i-PO)q-H表示之聚氧伸烷基烷基醚，a=8，b=17，p=1，q=1，製品名：WT-100，TANATEKKUS公司製，數平均分子量220
No.4：以通式(3)表示之聚氧伸丙基聚氧伸乙基共聚物，x+z=1，y=1，製品名：L-34，ADEKA公司製，數平均分子量1700
No.5：以通式(4)：CaHb-O-(EO)p-(PO)q-H表示之聚氧伸烷基烷基醚，a=12~13，b=25~27，p=4，q=3，製品名：2303FB，日本乳化公司製，數平均分子量536
No.6：以通式(3)表示之聚氧伸丙基聚氧伸乙基共聚物，x+z=103，y=39，製品名：F-88，ADEKA公司製，數平均分子量10100
No.7：以通式(3)表示之聚氧伸丙基聚氧伸乙基共聚物，x+z=5，y=35，製品名：L-71，ADEKA公司製，數平均分子量2300
No.8：以通式(4)表示之聚氧伸烷基烷基醚，a=12~13，b=25~27，p=8，q=2，製品名：2303Y，日本乳化公司製，數平均分子量654
No.9：以通式(3)表示之聚氧伸丙基聚氧伸乙基共聚物，x+z=85，y=16，製品名：F-38，ADEKA公司製，數平均分子量4800
No.10：以通式(4)表示之聚氧伸烷基烷基醚，a=8，b=17，x=2，y=0(2-乙基己基二甘醇)，製品名：EHDG，日本乳化公司製，數平均分子量218
No.11：以通式(4)表示之聚氧伸烷基烷基醚，a=12~13，b=25~27，x=0，y=5，製品名：2303FE，日本乳化公司製，數平均分子量495
No.12：以通式(4)表示之聚氧伸烷基烷基醚，a=6，b=13，x=2，y=0(己基二甘醇)，製品名：HEDG，日本乳化公司製，數平均分子量190
No.13：以組成式：R13-O-(EO)z-(i-PO)y-H(R13為以-C14H29表示之分支狀烷基)表示之聚氧伸烷基烷基醚，x=5，y=0，製品名：NT-5，日本乳化公司製，數平均分子量420
No.14：陰離子系界面活性劑(C12H25COOK)，製品名：PIONIN A-1-K，竹本油脂公司製，數平均分子量253
No.15：陽離子系界面活性劑(C12H25N(CH3)3Cl)，製品名：PIONIN B-111，竹本油脂公司製，數平均分子量264
No.16：聚氧伸乙基多環苯基醚(-O-(CH2CH2O)n-H，：多環苯基(苯乙烯化酚系之多環苯基)，製品名：2607，日本乳化公司製，數平均分子量550)
No.17：以通式(4)表示之聚氧伸烷基烷基醚，a=16，b=33，p=40，q=0，製品名：NIKKOL BC-40，日光化學股份有限公司，數平均分子量2002
No.18：以通式(4)表示之聚氧伸烷基烷基醚，a=22，b=45，p=20，q=0，製品名：NIKKOL BB-20，日光化學股份有限公司，數平均分子量1206
No.19：以通式(4)表示之聚氧伸烷基烷基醚，a=16，b=33，p=150，q=0，製品名：NIKKOL BC-150，日光化學股份有限公司，數平均分子量6842
No.20：以通式(4)表示之聚氧伸烷基烷基醚，a=24，b=49，p=12，q=6，製品名：PEN-4612，日光化學股份有限公司，數平均分子量1214
[QCM洗淨性之測定]
針對上述No.1~No.20之界面活性劑，使用與圖1所示相同之QCM裝置，分別評價QCM洗淨性(例1~20)。首先，於測定基板之表面藉由濺鍍形成厚100nm之ITO薄膜。形成該ITO薄膜之測定基板配置於試料測定用腔室內。測定 基板之有效面積為0.95cm2。
隨後，將試料測定用腔室內之溫度調節於25℃，隨後，於試料測定用腔室內通液標準水(純水)。其次，對試料測定用腔室內通液於標準水中以特定濃度添加上述測定對象成分而成之樣品液，確認由振動數檢測器檢測出之振動數安定，邊重複通液逐次增加測定對象成分之添加濃度之樣品液。振動數檢測器之激振頻率係以將4.95±0.05MHz為1、3、5、7、9、11、13倍之奇數倍激振分別進行測定。
藉由振動數檢測器，進行測定基板之振動數變化測定，藉此算出測定基板之質量變化。質量無變化，質量安定300秒以上後，停止樣品液之供給。此時，於測定基板飽和吸附樣品液中之測定對象成分，自質量變化求出總附著量後，測定對象成分對測定基板之附著量為1nmol/cm2以上20nmol/cm2以下。於試料測定用腔室內以0.1mL/分鐘連續通液標準水。於該過程，藉由振動數檢測器測定振動數變化，與上述式(5)、(6)同樣算出測定基板之質量變化。
於具有測定對象成分於自該洗淨步驟初期之附著量(莫耳量)，藉由通液標準水於300秒以內單純減少並幾乎消失之特性時評價為◎(優)，具有於600秒以內單純減少並幾乎消失之特性時評價為○(良)，於900秒以內單純減少並幾乎消失，或雖比其更早期消失但發生對測定基板之再附著並引起一次之再附著量增加之特性時評價為 △(可)，發生對測定基板之再附著等且不定期引起附著量之上升及減少(未單純減少)時，及1000秒後亦未消失時評價為×(不良)。該等結果示於表1。
又，關於於上述判斷為○(良)之No.3的界面活性劑，判斷為×之No.8的界面活性劑，於洗淨步驟開始後之通液標準水期間與附著量之關係分別示於圖2(No.3)、圖3(No.8)。且，於上述判斷為○(良)之No.18的界面活性劑，判斷為△之No.13的界面活性劑，於洗淨步驟開始後之通液標準水期間與附著量之關係分別示於圖4(No.18)、圖5(No.13)。
[抗蝕劑容許濃度之評價1]
作為抗蝕劑殘渣之抑制效果之指標，如下測定抗蝕劑容許濃度。相對於以EC：GBL：GC=50：40：10(質量比)混合之抗蝕劑剝離液之100質量%，如表1所示，分別混合0.1質量%之界面活性劑No.1~20，調製例1~20之抗蝕劑剝離液組成物。
於所得之抗蝕劑剝離液組成物50g中以特定量溶解酚醛清漆樹脂系正型抗蝕劑(商品名：AZ SR-220(AZ ELECTRONIC MATERIALS公司製))，調製抗蝕劑溶解液。於以熱攪拌器加溫至45℃之評價對象之抗蝕劑溶解液50mL中使於表面形成有氮化矽(SiNx)膜之玻璃基板、表面形成有ITO膜之玻璃基板分別浸漬60秒，隨後取出。取出之玻璃基板浸漬於60℃、200mL之純水中清洗60秒。純水 清洗時，以收容有純水之容器內，以流量1.5L/min供給純水邊進行溢流邊清洗。
作為玻璃基板，使用CORNING公司製，商品名：EAGLE 2000，20mm×20mm，厚0.5mm。且玻璃基板表面之氮化矽膜、ITO膜均為厚度100nm，藉由濺鍍而形成。
純水清洗後，玻璃基板表面以氮氣乾燥，隨後，藉由光學顯微鏡(OLUMPUS公司製，商品名：工業用檢查顯微鏡MX51)觀察於乾燥後之玻璃基板表面(氮化矽膜表面或ITO膜表面)，確認玻璃基板表面有無附著物。於0.1~0.5質量%之範圍變更抗蝕劑溶解液中抗蝕劑濃度，針對各濃度之抗蝕劑溶解液進行上述試驗，將玻璃基板表面產生附著物之抗蝕劑濃度設為抗蝕劑容許濃度。結果示於表1。表1中，例1~6、10、12、13、17、18為實施例，例7~9、11、14~16、19、20為比較例。
抗蝕劑殘渣之抑制效果藉由抗蝕劑容許濃度以S~D之5階段如下評價。抗蝕劑容許濃度較大者，表示抗蝕劑剝離液中溶解之抗蝕劑濃度高，純水清洗時不易產生抗蝕劑剝離液之再附著(抗蝕劑殘渣)。
S：抗蝕劑容許濃度為0.7質量%以上
A：抗蝕劑容許濃度為0.5質量%以上
B：抗蝕劑容許濃度為0.3質量%以上且未達0.5質量%
C：抗蝕劑容許濃度為0.1質量%以上且未達0.3質量%
D：抗蝕劑容許濃度未達0.1質量%
又，工業上，若為抗蝕劑容許濃度為0.1質量%左右以上之抗蝕劑剝離液，則於純水清洗時不會產生阻劑殘渣而適於實用。
[抗蝕劑容許濃度之評價2]
分別對於由EC：GBL：GC=50：40：10(質量比)而成之抗蝕劑剝離液與對於EC：GBL：GC=60：35：5(質量比)之100質量%以0.01~10質量%之範圍之特定量混合例1之界面活性劑(氧伸烷基界面活性劑)而調製抗蝕劑剝離液組成物(例18~22、例24~28)。針對如此所得之各抗蝕劑剝離液組成物與未添加氧伸烷基界面活性劑之比較例的抗蝕劑剝離液(例17、例23)，與上述[抗蝕劑容許濃度之評價1]同樣，使用成膜有ITO膜之玻璃基板，測定抗蝕劑容許濃度並評價。結果示於表2。表2中，例18~22及例24~28為實施例，例17及例23為比較例。
且，作為(B)成分，代替界面活性劑No.1而使用界面活性劑No.17(BC-40)、界面活性劑No.18(BB-20)，與表2同樣變更其混合量，調整抗蝕劑剝離液組成物，測定上述同樣之抗蝕劑容許濃度並評價。其結果，使用界面活性劑No.17(BC-40)與No.18(BB-20)時，於(B)成分之量相對於(A)成分之100質量%為0.01質量%及10質量%時，均為「B」，於0.1質量%、0.5質量%、1.0質量%時，均為「A」，與使用表2所示之界面活性劑No.1時為相同評價結果。
[抗蝕劑容許濃度之評價3]
分別對於由EC：GBL：GC=50：40：10(質量比)而成之抗蝕劑剝離液之100質量%以0.1質量%混合No.1、No.3、No.6、No.17、No.18之界面活性劑中之一種，及以 0.1質量%混合No.9、No.11、No.13~16之界面活性劑中之一種，調製實施例之抗蝕劑剝離液組成物。針對如此所得之各例之抗蝕劑剝離液組成物，與上述[抗蝕劑容許濃度之評價1]同樣，使用成膜有ITO膜之玻璃基板，測定抗蝕劑容許濃度並評價。結果示於表3。
[抗蝕劑容許濃度之評價4]
於表2所示之例17~例28之抗蝕劑剝離液組成物中，以相對於(A)抗蝕劑剝離液之100質量%混合0.1質量%之No.11之界面活性劑，調製例47~58之抗蝕劑剝離液或抗蝕劑剝離液組成物。針對如此所得之各例之抗蝕劑剝離液組成物，與上述[抗蝕劑容許濃度之評價1]同樣，使用成膜有ITO膜之玻璃基板，測定抗蝕劑容許濃度並評價。結果示於表4。表4中，例48~52及例54~58為實施例，例47及例53為比較例。
且，作為(B)成分，代替界面活性劑No.1而使用界面活性劑No.17(BC-40)、界面活性劑No.18(BB-20)，與上述同樣變更其混合量，調整抗蝕劑剝離液組成物，測定上述同樣之抗蝕劑容許濃度並評價。其結果，使用界面 活性劑No.17(BC-40)與No.18(BB-20)時，於(B)成分之量相對於(A)成分之100質量%為0.01質量%及10質量%時，均為「B」，於0.1質量%、0.5質量%、1.0質量%時，均為「A」，與使用表4所示之界面活性劑No.1時為相同評價結果。
[抗蝕劑容許濃度之評價5]
作為胺系之抗蝕劑剝離液，準備MEA：DMSO=70：30及MEA：BDG：水=20：60：20(均為質量比)之抗蝕劑剝離液。此胺系之抗蝕劑剝離液對於各者之100質量%以0.01~10質量%之範圍之特定量混合No.1之界面活性劑，調製抗蝕劑剝離液組成物。針對如此所得之各例之抗蝕劑剝離液組成物與未添加氧伸烷基界面活性劑之抗蝕劑剝離液，與上述[抗蝕劑容許濃度之評價1]同樣，使用成膜有ITO膜之玻璃基板，測定抗蝕劑容許濃度並評價。結果示於表5。表5中，例60~64、例66~例70為實施例，例59及例65為比較例。
且，作為(B)成分，代替界面活性劑No.1而使用界面活性劑No.17(BC-40)、界面活性劑No.18(BB-20)，與上述同樣變更其混合量，調整抗蝕劑剝離液組成物，測定上述同樣之抗蝕劑容許濃度並評價。其結果，使用界面活性劑No.17(BC-40)與No.18(BB-20)時，於(A)成分之組成為MEA：DMSO=70：30時，(B)成分之量相對於(A)成分之100質量%為0.01質量%及10質量%時，均為「B」，於0.1質量%、0.5質量%、1.0質量%時，均為「A」，與使用例60~64所示之界面活性劑No.1時為相同評價結果。於(A)成分之組成為MEA：BDG：水=20：60：20時，(B)成分之量相對於(A)成分之100質量%為0.01質量%及10質量%時，均為「C」，於0.1質量%、0.5質量%、1.0質量%時，均為「A」，與使用例66~70所示之界面活性劑No.1時為相同評 價結果。
[抗蝕劑剝離速度之評價]
針對例17、例23、例19及例25之抗蝕劑剝離液組成物如下般進行抗蝕劑剝離速度之評價。於與[抗蝕劑容許濃度之評價1]同樣之玻璃基板表面，塗佈同樣抗蝕劑後，於110℃及130℃烘烤，形成厚2μm之抗蝕劑膜。所得附抗蝕劑膜之玻璃基板浸漬於各例之抗蝕劑剝離液組成物50g(常溫)中6~12秒之範圍的特定時間，以1次/秒搖動。隨後，與[抗蝕劑容許濃度之評價1]同樣，於容器內浸漬於溢流之純水中，藉由氮氣乾燥後，以上述同樣之光學顯微鏡觀察表面。抗蝕劑經剝離者記為○且結果示於表6。
藉此，針對任一抗蝕劑剝離液組成物，亦浸清附抗蝕劑之玻璃基板10秒以上，可知抗蝕劑剝離。
且，作為(B)成分，代替界面活性劑No.1而使用界面活性劑No.17(BC-40)、界面活性劑No.18(BB-20)， 與上述同樣變更其混合量，調整抗蝕劑剝離液組成物，測定上述同樣之抗蝕劑容許濃度並評價。其結果，使用界面活性劑No.17(BC-40)與No.18(BB-20)時，於(B)成分之量相對於(A)成分之100質量%為0.01質量%時，抗蝕劑剝離時間均為10~12秒，與使用界面活性劑No.1時為相同評價結果。
[對於金屬配線之腐蝕性評價]
針對例19、25(實施例)及例59、65(比較例)之抗蝕劑剝離液組成物，如下進行對於金屬配線之腐蝕性評價。於與[抗蝕劑容許濃度之評價1]同樣之玻璃基板上，濺鍍Cu、Al、Mo，準備模擬金屬配線基板。模擬金屬配線基板於加溫至60~80℃之上述評價對象之抗蝕劑剝離劑200g中，邊攪拌抗蝕劑剝離液組成物邊浸漬100分鐘。浸漬後，以ICP-MS(感應耦合電漿質量分析裝置)測定於抗蝕劑剝離液組成物中溶出之金屬量，由其結果求出Cu、Al、Mo之每1分鐘之蝕刻速度。結果示於表7。又，針對例19及例25，代替界面活性劑No.1而使用界面活性劑No.17(例93及例94)時、使用界面活性劑No.18(例95及例96)時，均以上述同樣進行對於金屬配線之腐蝕性評價。結果與使用上述界面活性劑No.1之例19及例25一起示於表7。
由表7可知依據烴系之抗蝕劑剝離液，相較於胺系之抗蝕劑剝離液，金屬配線之腐蝕受到抑制。

Claims (16)

  1. 一種抗蝕劑剝離液組成物，其特徵係於(A)抗蝕劑剝離液100質量份中調配(B)分子中具有氧伸烷基之界面活性劑0.01~10質量份而成，前述(B)界面活性劑係由如下之氧伸烷基界面活性劑而成：於水晶振動器微平衡法中，附著於水晶振動器測定基板上之氧化銦錫(ITO)膜面之前述界面活性劑藉由流水而於1000秒內單純減少並消失，(惟，前述(B)界面活性劑之附著量為1nmol/cm 2以上20nmol/cm 2以下，前述ITO膜面之前述流水流速為0.1mL/分鐘，前述水晶振動器之發訊頻率為4.95MHz)。
  2. 如請求項1之抗蝕劑剝離液組成物，其中前述氧伸烷基界面活性劑係非離子系界面活性劑。
  3. 如請求項1或2之抗蝕劑剝離液組成物，其中前述氧伸烷基界面活性劑係具有氧伸乙基之碳數10以上500以下之界面活性劑。
  4. 如請求項1至3中任一項之抗蝕劑剝離液組成物，其中前述氧伸烷基界面活性劑係具有氧伸乙基及氧伸丙基之碳數10以上500以下之界面活性劑。
  5. 如請求項3或4之抗蝕劑剝離液組成物，其中前述氧伸烷基界面活性劑所具有之氧伸乙基及氧伸丙基之數，以氧伸丙基/氧伸乙基表示之個數比計，為0以上6以下。
  6. 如請求項4或5之抗蝕劑剝離液組成物，其中前述氧伸烷基界面活性劑所具有之氧伸乙基及氧伸丙基之莫耳比，以氧伸乙基：氧伸丙基計，為0.2：1以上3：1以下。
  7. 如請求項1至6中任一項之抗蝕劑剝離液組成物，其中前述氧伸烷基界面活性劑係由選自下述通式(1)表示之化合物及下述通式(2-1)表示之化合物之1種以上所成，通式(1)：HO-(EO) x-(PO) y-(EO) z-H(惟，上述通式(1)中，EO為氧伸乙基，PO為氧伸丙基、x+z為1~150之數，y為1~50之數)通式(2-1)：R 1-O-(EO) p(PO) q-H(惟，上述通式(2-1)中，R 1為直鏈狀、分支狀或環狀之碳數6~22之烷基，EO為氧伸乙基，PO為氧伸丙基、p為1~149之數，q為0~10之數)。
  8. 如請求項1至7中任一項之抗蝕劑剝離液組成物，其中前述氧伸烷基界面活性劑係由下述通式(2-2)表示之化合物所成，通式(2-2)：R 1-O-(EO) p(PO) q-H(惟，上述通式(2-2)中，R 1為直鏈狀、分支狀或環狀 之碳數6~18之烷基，EO為氧伸乙基，PO為氧伸丙基、p為1~10之數，q為1~10之數)。
  9. 如請求項1至8中任一項之抗蝕劑剝離液組成物，其中前述氧伸烷基界面活性劑之含有比例，相對於前述(A)抗蝕劑剝離液之100質量%，為0.1~3質量%。
  10. 如請求項1至9中任一項之抗蝕劑剝離液組成物，其中前述(A)抗蝕劑剝離液係由(A1)碳酸伸乙酯與(A2)選自碳酸伸丙酯、γ-丁內酯、環戊酮及碳酸甘油酯中之1種以上所成。
  11. 如請求項10之抗蝕劑剝離液組成物，其中前述(A)抗蝕劑剝離液係相對於前述(A)抗蝕劑剝離液總量含有20質量%以上80質量%以下之前述(A1)碳酸伸乙酯。
  12. 如請求項10或11之抗蝕劑剝離液組成物，其中相對於前述(A)抗蝕劑剝離液總量含有20質量%以上80質量%以下之前述γ-丁內酯。
  13. 如請求項9至12中任一項之抗蝕劑剝離液組成物，其中相對於前述(A)抗蝕劑剝離液總量含有超過0質量%且50質量%以下之前述碳酸甘油酯。
  14. 如請求項10至13中任一項之抗蝕劑剝離液組成物，其中相對於前述(A)抗蝕劑剝離液總量含有50質量%以上70質量%以下之前述碳酸伸乙酯，30質量%以上50質量%以下之前述γ-丁內酯，超過0質量%且30質量%以下之前述碳酸甘油酯。
  15. 如請求項1至14中任一項之抗蝕劑剝離液組成物，其中前述抗蝕劑剝離液組成物係用於酚醛清漆樹脂系正型抗蝕劑之剝離。
  16. 一種抗蝕劑剝離液組成物之製造方法，其係於(A)抗蝕劑剝離液100質量份中調配(B)氧伸烷基界面活性劑0.01~10質量份而製造抗蝕劑剝離液組成物的抗蝕劑剝離液組成物之製造方法，其特徵為前述(B)氧伸烷基界面活性劑係藉由於水晶振動器之發訊頻率4.95MHz之水晶振動器微平衡法，選擇分子中具有氧伸烷基之界面活性劑作為測定對象成分，前述水晶振動器微平衡法具有下述步驟：(A)於形成於水晶振動器測定基板上之氧化銦錫膜面上，以1nmol/cm 2以上20nmol/cm 2以下附著前述測定對象成分之附著步驟，(B)對附著有前述測定對象成分之前述氧化銦錫膜表面以0.1mL/分鐘供給流水，以前述流水洗淨前述測定對象成分之洗淨步驟， (C)測定前述洗淨步驟中之附著於前述氧化銦錫膜面之前述測定對象成分之減少狀態及直至前述測定對象成分消失之時間，並選定附著於前述氧化銦錫膜面之前述測定對象成分於1000秒內單純減少並消失者作為(B)氧伸烷基界面活性劑之選定步驟。
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