JP7467156B2 - 薄膜デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
・プラズマまたは酸化による分解
・アセトン等の有機溶剤またはKOH等のアルカリ溶液による溶解
・水蒸気等による膨潤
図1は、本実施形態に係る太陽電池(薄膜デバイス)を裏面側からみた図である。図1に示す太陽電池(薄膜デバイス)1は、裏面電極型(バックコンタクト型、裏面接合型ともいう。)の太陽電池である。太陽電池1は、2つの主面を備える半導体基板11を備え、半導体基板11の主面において第1領域7と第2領域8とを有する。
なお、第1導電型半導体層25がn型の半導体層であり、第2導電型半導体層35がp型の半導体層であってもよい。
次に、図3A~図3Iを参照して、本実施形態に係る太陽電池(薄膜デバイス)の製造方法について説明する。図3Aは、本実施形態に係る太陽電池(薄膜デバイス)の製造方法における第1半導体層材料膜形成工程(薄膜材料膜形成工程)を示す図であり、図3Bは、本実施形態に係る太陽電池(薄膜デバイス)の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図である。また、図3Cは、本実施形態に係る太陽電池(薄膜デバイス)の製造方法における第1半導体層形成工程(薄膜形成工程)を示す図であり、図3Dは、本実施形態に係る太陽電池(薄膜デバイス)の製造方法におけるレジスト剥離工程を示す図である。また、図3Eは、本実施形態に係る太陽電池(薄膜デバイス)の製造方法における第2半導体層材料膜形成工程(薄膜材料膜形成工程)を示す図であり、図3Fは、本実施形態に係る太陽電池(薄膜デバイス)の製造方法における第2半導体層形成工程(薄膜形成工程)(レジスト形成工程およびレジスト剥離工程を省略)を示す図である。また、図3Gは、本実施形態に係る太陽電池(薄膜デバイス)の製造方法における透明電極層材料膜形成工程(薄膜材料膜形成工程)を示す図であり、図3Hは、本実施形態に係る太陽電池(薄膜デバイス)の製造方法における透明電極層形成工程(薄膜形成工程)(レジスト形成工程およびレジスト剥離工程を省略)を示す図である。また、図3Iは、本実施形態に係る太陽電池(薄膜デバイス)の製造方法における金属電極層形成工程を示す図である。図3A~図3Iでは、半導体基板11の裏面側を示し、半導体基板11の表面側を省略する。
このとき、半導体基板11の受光面側の全面にも、レジスト90を形成してもよい。
以上の工程により、本実施形態の裏面電極型の太陽電池1が完成する。
本実施形態の太陽電池の製造方法を用いて第1導電型半導体層のパターニングを行った。実施例1の第1導電型半導体層のパターニングの主な工程は以下および表1の通りである。
<レジスト形成工程>
インクジェット印刷法を用いて、平均膜厚50μmのレジスト(ワックス:融点64度)を形成した。
レジストの印刷方向:レジストのパターンの長手方向
<レジスト剥離工程>
以下の温水浸漬工程、冷却工程およびシャワー工程のサイクルを繰り返した。
<<温水浸漬工程>>
半導体基板を温水に浸漬した。
温水温度:63度
浸漬時間:3秒/1サイクル
<<冷却工程>>
半導体基板を空冷法を用いて冷却した。
冷却時間:1秒/1サイクル
<<シャワー工程>>
半導体基板に純水シャワーを照射した。
純水シャワー:半導体基板の主面に沿う方向に広がる扇形状
照射方向:レジストのパターンの長手方向と直交する短手方向
照射時間:20秒/サイクル
実施例2は、シャワー工程における純水シャワーの照射方向の点において、実施例1と異なる。実施例2の第1導電型半導体層のパターニングの主な工程は表1の通りであり、実施例1との相違点は以下の通りである。
<レジスト剥離工程>
<<シャワー工程>>
照射方向:レジストのパターンの長手方向
比較例1は、レジスト形成工程におけるレジストの印刷方向の点において、実施例1と異なる。比較例1の第1導電型半導体層のパターニングの主な工程は表1の通りであり、実施例1との相違点は以下の通りである。
<レジスト形成工程>
レジストの印刷方向:レジストのパターンの長手方向と直交する短手方向
比較例2は、レジスト形成工程におけるレジストの印刷方向の点と、シャワー工程における純水シャワーの照射方向の点とにおいて、実施例1と異なる。比較例2の第1導電型半導体層のパターニングの主な工程は表1の通りであり、実施例1との相違点は以下の通りである。
<レジスト形成工程>
レジストの印刷方向:レジストのパターンの長手方向と直交する短手方向
<レジスト剥離工程>
<<シャワー工程>>
照射方向:レジストのパターンの長手方向
7 第1領域
7b,8b バスバー部
7f,8f フィンガー部
8 第2領域
11 半導体基板(基板)
15 光学調整層
25 第1導電型半導体層(薄膜)
25Z 第1導電型半導体層材料膜(薄膜材料膜)
27 第1電極層
28 第1透明電極層(薄膜)
28Z 透明電極層材料膜(薄膜材料膜)
29 第1金属電極層
35 第2導電型半導体層(薄膜)
35Z 第2導電型半導体層材料膜(薄膜材料膜)
37 第2電極層
38 第2透明電極層(薄膜)
39 第2金属電極層
60 インクジェット印刷のノズル
70 温水
80 シャワー
90 レジスト
Claims (13)
- 基板の上に、パターン化された薄膜を有する薄膜デバイスの製造方法であって、
前記基板の上に、前記薄膜の材料膜を形成する薄膜材料膜形成工程と、
前記薄膜の材料膜の上に、インクジェット印刷法を用いて、パターン化されたレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記レジストを用いて前記薄膜の材料膜をエッチングすることにより、パターン化された前記薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記レジストを剥離するレジスト剥離工程と、
を含み、
前記レジスト剥離工程は、
前記基板の上の前記レジストを、前記レジストの融点よりも低い温水に浸漬する温水浸漬工程と、
前記温水浸漬工程の後に、前記基板の上の前記レジストを冷却する冷却工程と、
前記冷却工程の後に、前記基板の上の前記レジストに洗浄水シャワーを照射するシャワー工程と、
を含み、
前記レジスト形成工程では、前記レジストの印刷方向を、前記レジストのパターンの長手方向に沿う方向とする、
薄膜デバイスの製造方法。 - 前記シャワー工程では、前記洗浄水シャワーの照射方向を、前記レジストのパターンの長手方向に沿う方向とする、請求項1に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記シャワー工程では、前記洗浄水シャワーは、前記基板の主面に沿う方向または前記基板の主面に交差する方向に広がる扇形状である、請求項1または2に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記レジストの材料はワックスを含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記レジスト剥離工程では、前記温水浸漬工程、前記冷却工程および前記シャワー工程のサイクルを1サイクル以上繰り返し行う、請求項4に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記温水浸漬工程では、前記基板の上の前記レジストを前記温水に3秒以上浸漬する、請求項4または5に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記冷却工程では、前記基板の上の前記レジストを1秒以上冷却する、請求項4~6のいずれか1項に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記温水浸漬工程では、前記温水に界面活性剤が添加されている、請求項4~7のいずれか1項に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記レジスト剥離工程は、前記基板の上の前記レジストを、BDG溶液に浸漬するBDG浸漬工程を含み、
前記BDG浸漬工程では、前記BDG溶液に対して前記基板を相対的に揺動する、
請求項4~8のいずれか1項に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 前記レジスト形成工程では、平均膜厚が50μm以上となるように、前記レジストを形成する、請求項4~9のいずれか1項に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記レジスト剥離工程は、剥離された前記レジストを回収する回収工程を含む、請求項4~10のいずれか1項に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記回収工程では、回収されたレジストを乾燥させる、請求項11に記載の薄膜デバイスの製造方法。
- 前記薄膜デバイスは、結晶シリコン系太陽電池であり、
前記基板は、結晶質シリコン基板であり、
前記薄膜は、非晶質シリコン層または電極層である、
請求項1に記載の薄膜デバイスの製造方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001250773A (ja) | 1999-08-12 | 2001-09-14 | Uct Kk | レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法 |
JP2009021324A (ja) | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Toshiba Corp | 洗浄方法及び洗浄装置 |
JP2014519203A (ja) | 2011-05-23 | 2014-08-07 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 層構造を製造するための製造装置 |
WO2018020837A1 (ja) | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | レジスト剥離液組成物 |
JP2019079916A (ja) | 2017-10-24 | 2019-05-23 | 株式会社カネカ | バックコンタクト型太陽電池モジュール |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0742000A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-10 | Kawasaki Steel Corp | 金属面のエッチング加工方法 |
-
2020
- 2020-02-19 JP JP2020025850A patent/JP7467156B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001250773A (ja) | 1999-08-12 | 2001-09-14 | Uct Kk | レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法 |
JP2009021324A (ja) | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Toshiba Corp | 洗浄方法及び洗浄装置 |
JP2014519203A (ja) | 2011-05-23 | 2014-08-07 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 層構造を製造するための製造装置 |
WO2018020837A1 (ja) | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | レジスト剥離液組成物 |
JP2019079916A (ja) | 2017-10-24 | 2019-05-23 | 株式会社カネカ | バックコンタクト型太陽電池モジュール |
Also Published As
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