JPH0742000A - 金属面のエッチング加工方法 - Google Patents
金属面のエッチング加工方法Info
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- JPH0742000A JPH0742000A JP5190330A JP19033093A JPH0742000A JP H0742000 A JPH0742000 A JP H0742000A JP 5190330 A JP5190330 A JP 5190330A JP 19033093 A JP19033093 A JP 19033093A JP H0742000 A JPH0742000 A JP H0742000A
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- Japan
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- resist
- etching
- metal surface
- metal
- sheet
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/14—Etching locally
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属板のエッチング加工において用いるレジ
ストを使用後、回収して再利用するエッチング加工法の
提案。 【構成】 レジストを溶融状態で塗布し、冷却して皮膜
化し、エッチング加工後、溶融除去して再利用に供す
る。
ストを使用後、回収して再利用するエッチング加工法の
提案。 【構成】 レジストを溶融状態で塗布し、冷却して皮膜
化し、エッチング加工後、溶融除去して再利用に供す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属板表面の微細加工技
術、即ち金属面のエッチング加工プロセスの改良、コス
ト削減、公害防止技術に関するものである。
術、即ち金属面のエッチング加工プロセスの改良、コス
ト削減、公害防止技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属面のエッチング加工において、これ
を工業的に実施するにはレジストをいかに安価に付着さ
せ、剥離するかが重要である。このため特開平４−2286
00号公報や、特開平２−133585号公報のようにレジスト
マスクやロールを用いてレジストをなくす試みがなされ
ているが、いずれも工業的に成果が不明であり、主流は
特開平４−210483号公報のように塗料を全面に塗布した
後部分的にはぎ取るか、あるいは、パターンを印刷する
方法である。
を工業的に実施するにはレジストをいかに安価に付着さ
せ、剥離するかが重要である。このため特開平４−2286
00号公報や、特開平２−133585号公報のようにレジスト
マスクやロールを用いてレジストをなくす試みがなされ
ているが、いずれも工業的に成果が不明であり、主流は
特開平４−210483号公報のように塗料を全面に塗布した
後部分的にはぎ取るか、あるいは、パターンを印刷する
方法である。
【０００３】一般に塗料は溶剤で希釈し液状で塗布さ
れ、焼き付けあるいは乾燥処理することによって皮膜を
形成しレジスト作用を発揮するので、エッチング後は機
械的に剥離するか、化学的に溶解除去しなければならな
い。除去した塗料を溶剤から分離して回収し再利用する
ためには、多くのプロセスと時間、コストが必要となる
ことから排水処理を行うだけで塗料は使い捨てされてい
る。
れ、焼き付けあるいは乾燥処理することによって皮膜を
形成しレジスト作用を発揮するので、エッチング後は機
械的に剥離するか、化学的に溶解除去しなければならな
い。除去した塗料を溶剤から分離して回収し再利用する
ためには、多くのプロセスと時間、コストが必要となる
ことから排水処理を行うだけで塗料は使い捨てされてい
る。
【０００４】これらの廃棄物は有害な成分を含むものも
あり、公害の原因となる恐れもあった。
あり、公害の原因となる恐れもあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
使い捨てされていたレジストを回収再利用することによ
って、レジストのコストを大幅に削減するばかりでな
く、資源の有効利用を推進し、公害の発生を防止するこ
とができる新しいエッチング加工方法を提供しようとす
るものである。
使い捨てされていたレジストを回収再利用することによ
って、レジストのコストを大幅に削減するばかりでな
く、資源の有効利用を推進し、公害の発生を防止するこ
とができる新しいエッチング加工方法を提供しようとす
るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属表面に、
該金属表面とエッチング液との接触を防ぐレジストを所
定のパターンが形成されるように密着させ、エッチング
液に浸漬し、該金属表面をレジストパターンにエッチン
グする金属面のエッチング加工方法において、エッチン
グ処理後のレジストを回収して、再びレジストとして使
用することを特徴とする金属面のエッチング加工方法で
あり、また本発明は、金属表面に、該金属表面とエッチ
ング液との接触を防ぐレジストを全面に密着させ、次い
で所定のパターンが形成されるように部分的にレジスト
を除去し、エッチング液に浸漬し、該金属表面をレジス
トパターンにエッチングする金属面のエッチング加工方
法において、エッチング処理後のレジストを回収して、
再びレジストとして使用することを特徴とする金属面の
エッチング加工方法でもある。
該金属表面とエッチング液との接触を防ぐレジストを所
定のパターンが形成されるように密着させ、エッチング
液に浸漬し、該金属表面をレジストパターンにエッチン
グする金属面のエッチング加工方法において、エッチン
グ処理後のレジストを回収して、再びレジストとして使
用することを特徴とする金属面のエッチング加工方法で
あり、また本発明は、金属表面に、該金属表面とエッチ
ング液との接触を防ぐレジストを全面に密着させ、次い
で所定のパターンが形成されるように部分的にレジスト
を除去し、エッチング液に浸漬し、該金属表面をレジス
トパターンにエッチングする金属面のエッチング加工方
法において、エッチング処理後のレジストを回収して、
再びレジストとして使用することを特徴とする金属面の
エッチング加工方法でもある。
【０００７】また、本発明では、金属表面にレジストを
溶融状態で塗布し、冷却により皮膜化することが望まし
く、レジストとしては 300℃以下の融点を有し、加熱、
冷却により溶融、凝固を安定的に繰り返す物質が望まし
い。また、本発明は、金属が鋼帯のような長尺の金属板
に用いることができ、その場合連続的にレジストパター
ンを形成し、連続エッチング処理することができる。
溶融状態で塗布し、冷却により皮膜化することが望まし
く、レジストとしては 300℃以下の融点を有し、加熱、
冷却により溶融、凝固を安定的に繰り返す物質が望まし
い。また、本発明は、金属が鋼帯のような長尺の金属板
に用いることができ、その場合連続的にレジストパター
ンを形成し、連続エッチング処理することができる。
【０００８】また 300℃以下の融点を有する経済的なレ
ジストとしてパラフィンワックスが利用できる。また当
然エッチング処理は単なる浸漬でもよく、あるいは電解
エッチングでもよい。
ジストとしてパラフィンワックスが利用できる。また当
然エッチング処理は単なる浸漬でもよく、あるいは電解
エッチングでもよい。
【０００９】
【作用】本発明によれば、例えばレジスト材料に加熱、
冷却により溶融、凝固を安定して繰り返すことができる
ものを用い、溶融状態で金属板に連続的にレジストパタ
ーンを印刷して凝固皮膜を形成させたのちエッチングを
行って所望の加工を行い、その後再びレジストを溶解し
て金属板から液状で回収しリサイクルするようにしたの
で、レジストの回収や処理に伴うコストが不用となり、
しかも廃棄物の量を大幅に減少させることができ、リサ
イクルの効果を最大限に発揮させることができる。
冷却により溶融、凝固を安定して繰り返すことができる
ものを用い、溶融状態で金属板に連続的にレジストパタ
ーンを印刷して凝固皮膜を形成させたのちエッチングを
行って所望の加工を行い、その後再びレジストを溶解し
て金属板から液状で回収しリサイクルするようにしたの
で、レジストの回収や処理に伴うコストが不用となり、
しかも廃棄物の量を大幅に減少させることができ、リサ
イクルの効果を最大限に発揮させることができる。
【００１０】特に本発明においては、融点が 300℃以下
でレジストとして必要なパラフィンワックスのような物
質を用いることができるので、融解状態でレジストを金
属板に付着させ、冷却により凝固皮膜を形成してレジス
ト作用を発揮させ、除去時には、熱を加えて再び融解し
回収することにより、レジストのリサイクルを容易に達
成することができる。
でレジストとして必要なパラフィンワックスのような物
質を用いることができるので、融解状態でレジストを金
属板に付着させ、冷却により凝固皮膜を形成してレジス
ト作用を発揮させ、除去時には、熱を加えて再び融解し
回収することにより、レジストのリサイクルを容易に達
成することができる。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明を採用した電解エッチングラ
インである。１はコイル状の金属板を巻きもどすための
ペイオフリール、２は金属板を巻き取るためのテンショ
ンリールである。３はコイルをつなぐために巻き戻しを
中断したとき、中央部の処理を連続して行うために板を
蓄えておくルーパー、４は３と同様に巻き取ったコイル
を払いだすときのためのルーパーである。エッチング加
工は３、４のルーパー間の中央部で連続的に行うように
なっている。
インである。１はコイル状の金属板を巻きもどすための
ペイオフリール、２は金属板を巻き取るためのテンショ
ンリールである。３はコイルをつなぐために巻き戻しを
中断したとき、中央部の処理を連続して行うために板を
蓄えておくルーパー、４は３と同様に巻き取ったコイル
を払いだすときのためのルーパーである。エッチング加
工は３、４のルーパー間の中央部で連続的に行うように
なっている。
【００１２】電解エッチング加工のプロセスはレジスト
印刷機５、冷却装置６、エッチング槽７、レジスト除去
槽８で構成され、金属板は連続的に通される。本実施例
ではレジストとして表１に示すようなパラフィンワック
スを用いており、印刷機５にはオフセット印刷機が採用
されている。
印刷機５、冷却装置６、エッチング槽７、レジスト除去
槽８で構成され、金属板は連続的に通される。本実施例
ではレジストとして表１に示すようなパラフィンワック
スを用いており、印刷機５にはオフセット印刷機が採用
されている。
【００１３】
【表１】
【００１４】冷却は、エアージェット方式である。また
電解液には食塩水を用い直接金属板に電流を流す直接通
電方式でエッチングを行っている。レジスト除去槽８は
温水ディップ＋蒸気方式で、溶融状態で温水上に浮遊す
るパラフィンに水をスプレーして凝固させて回収してい
る。回収したパラフィンは、回収処理装置９で再溶解し
て夾雑物を濾過して印刷機５にはリサイクルしている
が、約80％が回収可能である。
電解液には食塩水を用い直接金属板に電流を流す直接通
電方式でエッチングを行っている。レジスト除去槽８は
温水ディップ＋蒸気方式で、溶融状態で温水上に浮遊す
るパラフィンに水をスプレーして凝固させて回収してい
る。回収したパラフィンは、回収処理装置９で再溶解し
て夾雑物を濾過して印刷機５にはリサイクルしている
が、約80％が回収可能である。
【００１５】なお本実施例ではレジスト材料や各プロセ
スについて限定した組み合わせで説明しているが、本発
明はこれに限るものでなく、様々な組み合わせによって
レジストのリサイクルが達成されることは明らかであ
り、例えばレジスト材料についても各種低融点の樹脂類
を採用することも可能である。また鉛のような導電性の
低融点金属を被覆して金属板とともにエッチングするこ
とも可能である。
スについて限定した組み合わせで説明しているが、本発
明はこれに限るものでなく、様々な組み合わせによって
レジストのリサイクルが達成されることは明らかであ
り、例えばレジスト材料についても各種低融点の樹脂類
を採用することも可能である。また鉛のような導電性の
低融点金属を被覆して金属板とともにエッチングするこ
とも可能である。
【００１６】
【発明の効果】 レジストをリサイクルするのでコストが低下する。 レジストをリサイクルするので廃棄物の発生が減少
する。 レジスト塗布に際し、溶剤を使用しないので排気処
理が不要。 レジスト焼き付けが不要で、省エネルギが達成され
る。
する。 レジスト塗布に際し、溶剤を使用しないので排気処
理が不要。 レジスト焼き付けが不要で、省エネルギが達成され
る。
【図１】本発明を採用した電解エッチングラインの構成
図。
図。
１ ペイオフリール ２ テンションリール ３ 入側ルーパー ４ 出側ルーパー ５ レジスト印刷機 ６ 冷却装置 ７ 電解エッチング槽 ８ レジスト除去槽 ９ レジスト回収処理装置
Claims (7)
- 【請求項１】 金属表面に、該金属表面とエッチング液
との接触を防ぐレジストを所定のパターンが形成される
ように密着させ、エッチング液に浸漬し、該金属表面を
レジストパターンにエッチングする金属面のエッチング
加工方法において、エッチング処理後のレジストを回収
して、再びレジストとして使用することを特徴とする金
属面のエッチング加工方法。 - 【請求項２】 金属表面に、該金属表面とエッチング液
との接触を防ぐレジストを全面に密着させ、次いで所定
のパターンが形成されるように部分的にレジストを除去
し、エッチング液に浸漬し、該金属表面をレジストパタ
ーンにエッチングする金属面のエッチング加工方法にお
いて、エッチング処理後のレジストを回収して、再びレ
ジストとして使用することを特徴とする金属面のエッチ
ング加工方法。 - 【請求項３】 金属表面にレジストを溶融状態で塗布
し、冷却により皮膜化することを特徴とする請求項１又
は２記載の金属面のエッチング加工方法。 - 【請求項４】 レジストとして 300℃以下の融点を有
し、加熱、冷却により溶融、凝固を安定的に繰り返す物
質を用いることを特徴とする請求項１、２又は３記載の
金属面のエッチング加工方法。 - 【請求項５】 金属が長尺の金属板であり、連続的にレ
ジストパターンを形成し、連続エッチング処理すること
を特徴とする請求項１、２、３又は４記載の金属面のエ
ッチング加工方法。 - 【請求項６】 レジストがパラフィンワックスであるこ
とを特徴とする請求項１、２、３又は５記載の金属面の
エッチング加工方法。 - 【請求項７】 エッチング処理が電解エッチングである
ことを特徴とする請求項１、２、３、４、５又は６記載
の金属面のエッチング加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5190330A JPH0742000A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 金属面のエッチング加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5190330A JPH0742000A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 金属面のエッチング加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0742000A true JPH0742000A (ja) | 1995-02-10 |
Family
ID=16256401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5190330A Pending JPH0742000A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 金属面のエッチング加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0742000A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012146696A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-08-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2014025142A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-02-06 | Je International Corp | マスキング剤および表面処理基材の製造方法 |
| US9214331B2 (en) | 2011-01-06 | 2015-12-15 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP2020131245A (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
| JP2021132083A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | 株式会社カネカ | 薄膜デバイスの製造方法 |
| JP2021132084A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | 株式会社カネカ | 薄膜デバイスの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5290438A (en) * | 1976-01-23 | 1977-07-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of electrolytically etching flexible works |
| JPS57188826A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Matsushita Electronics Corp | Acid-resistant wax for coating semiconductor substrate |
| JPS6351638A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Clean Saafueisu Gijutsu Kk | フオト・エツチングのレジスト塗布回収装置 |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5190330A patent/JPH0742000A/ja active Pending
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| WO2014038325A1 (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-13 | Ｊｅインターナショナル株式会社 | マスキング剤および表面処理基材の製造方法 |
| EP2894241A4 (en) * | 2012-09-10 | 2016-07-20 | Je Internat Corp | MASKING AGENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING PROCESSED SURFACE BASE |
| JP2020131245A (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
| JP2021132083A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | 株式会社カネカ | 薄膜デバイスの製造方法 |
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