JPH01201491A - 腐蝕方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は被腐蝕物を腐蝕液により腐蝕する方法に関し、
特に部分的に腐蝕する方法に関する。

〈従来の技術〉 Ｈ来ｉｃ用のリードフレームやシャドウマスク等の如き
腐蝕法により製品を得る場合において、被ｌＩＩ蝕物の
表面に腐蝕する部分と腐蝕しない部分とを区分けするふ
ためにパターン状にレジスト層を形成させ、しかる後に
ｇ練液を供給して前記被腐蝕物を腐蝕する方法は広く知
られている。

この場合の腐蝕液の供給方法としては腐蝕液浴中に被ｇ
錬物を浸漬させる方法（いわゆる浸漬方式）やあるいは
第２図に示す如く、被腐蝕物（１）に腐蝕液（２）をパ
イプ（３）のノズルから吹き付けることにより行なう方
法（いわゆるスプレ一方式）等が知られている。そして
、ＩＣ用のリードフレーム等の腐蝕には主として前記ス
プレ一方式による方法が採用されている。

〈発明が解決しようとする課題〉 ＩＣ用のリードフレームやシャドウマスク等を得るため
に行なう腐蝕工程においては、腐蝕液は−船釣にはスプ
レ一方式にて鉄板等の被腐蝕物に供給されている。これ
は浸漬方式よりもスプレー方式の方が腐蝕速度がはやい
ためである。

ところで、スプレ一方式にて腐蝕液を供給する方法にお
いては、腐蝕がはじまった後は腐蝕速度が腐蝕液浴に浸
漬する方法に比較して速い反面、腐蝕むらの発生を生ず
ることが多い。この腐蝕むらは、特に表面平滑性の良い
被腐蝕物にスプレー方式にて腐蝕液を供給した場合に生
じ易い、これは次の如き理由によるものと考えられる。

すなわち、スプレ一方式にて腐蝕液を供給する場合にお
いては、被腐蝕物の表面と腐蝕液との間のぬれの程度が
、特に腐蝕の初期段階においては均一になりにくく部分
的なむらとなり易く、従って、腐蝕液が被腐蝕物表面に
部分的に馴んだ部分から腐蝕が進行し、腐蝕が均一とな
らずに腐蝕むらとなるものと考えられる。

ところでＩＣ用のリードフレームやシャドウマスク等の
パターンは多数の細い線状パターンや小さな多数の円形
（又は矩形）透孔パターンが主体となっており、金属か
らなるシート状の被腐蝕物を部分的に腐蝕により除去し
て前記パターンを形成している。

この場合において、前述の腐蝕むらがある場合には、最
終的な腐蝕完了時点においても、必要とされるパターン
が完全な形状を保持せずに部分的に歪んでしまうことと
なる。

また腐蝕により被腐蝕物を部分的に除去するにあたって
は、ＩＣ用リードフレームやシャドウマスクの如き微細
パターンにおいても、シート状の被腐蝕物の腐蝕により
除去される部分の線巾や透孔部分の直径は更に小さくす
ることが求められている。しかしながら従来−船釣に行
なわれているスプレ一方式による腐蝕法では、被腐蝕物
の厚さ程度の線巾や透孔部分の直径が限度とされており
、それ以下のものを高品質に得ることは困難であった。

更に従来のスプレ一方式による腐蝕法において、特に鉄
板等で平滑な表面を有する被腐蝕物にあっては腐蝕液が
被腐蝕物に吹き付けられても被腐蝕物表面からはじかれ
易いために実際に腐蝕が定常的に開始されるまでの時間
を長く要することとなる。

本発明は、被腐蝕物を部分的に腐蝕することによって梨
地状の表面を作り所定のパターンを形成される場合にお
いて、パターン形成を良好に保持させると共に、腐蝕速
度を増加させることのできる腐蝕方法を提供することを
目的としており、更に被腐蝕物を腐蝕により除去する部
分の線巾や面積を従来以上に小さくさせることが可能な
腐蝕方法を提供することを目的としでいる。

く課題を解決する為の手段〉 上記目的を達成するために、本発明においては被腐蝕物
表面にレジスト層をパターン状に形成した後に腐蝕液を
被腐蝕物表面に供給することによって前記被腐蝕物を腐
蝕する方法において、前記腐蝕は、前記被腐蝕物を腐蝕
液浴中に浸漬させた後に前記被腐蝕物を腐蝕液浴から排
出させ、しかる後に腐蝕液を前記被腐蝕物に吹き付ける
ことにより供給することにより行なわれるようにしたも
のである。

第１図は本発明の方法の工程を説明するための説明図で
あって、長尺の被腐蝕物（１υは図の左方から右方に向
って矢印なＩの方向に進行し最終的には巻き取られる場
合についての例である。

第１図の例の場合には、被腐蝕物（１０はまず腐蝕液浴
（２１）中に左方から浸漬されて右方から排出され、引
き続いてスプレ一方式により腐蝕液Ｏりがパイプθ湯の
ノズルから吹き出されているチャンバー（ロ）中に導入
される。ここで被腐蝕物（１θに腐蝕液θりが吹き付け
られる。

チャンバー（ロ）で腐蝕が完了し右方にて巻き取られる
。被腐蝕物として、ＩＣ用リードフレーム用の鉄板やシ
ャドウマスク用の鉄板等の金属を採用した場合には、腐
蝕液としては、これらの金属を腐蝕する性質を有するも
のを採用し、例えば塩化第２鉄溶液（ＦｅＣ］ｓ　）が
用いられる。この場合の塩化第２鉄溶液は４６Ｂ　’ｅ
〜４８Ｂ　’ｅの範囲のものが好ましく、また活性度の
高いもの（疲労度の少ないもの）を用いるのが好ましい
。

塩化第２鉄溶液の活性度を酸化還元電位（ＥＭＦ）で表
現すれば、６００ｍＶ以上が好ましい。

しかしながらＥＭＦが７００ｍＶを超えるようなものは
液の保存性等の問題が生じ、実用的ではなくなる。また
ＥＭＦが６００ｍＶに溝たないものは腐蝕速度が遅くな
り実用的でなくなる。

被腐蝕物を腐蝕液浴中に浸漬する際には、腐蝕液を攪拌
してもしなくてもよいが、攪拌すれば腐蝕速度が増すの
で好ましい。

また腐蝕液を可能な限り活性度の高い状態に保つために
、活性度の高い新液を連続的に又は間欠的に補充して旧
法と入れ換える等の手段を採用することが好ましい。

腐蝕液浴中の腐蝕液の温度は３０℃〜７０″Ｃが好まし
い、３０°Ｃよりも低温では（５５℃〜６０”Ｃ）スプ
レー式の腐蝕と温度差が大きすぎＢｅの１”以上差が出
て腐蝕速度も遅くなり好ましくない、又７０°Ｃを超え
ると塩ビ材の機械的強度など取扱上の問題や鉄液中の遊
離酸も多くなり高温によるレジスト膜の部分破損が生ず
ることが考えられる。

被腐蝕物は第１図に示す例においては長尺のシート状物
が示されているが、枚葉のものであってもよいことは当
然である。

被腐蝕物表面にレジスト層をパターン状に形成する方法
は従来公知の方法を採用することができる。

例えば、被腐蝕物の表面にレジスト層を全面に均一に施
し、しかる後にマスクを介して又は介さずに部分的に光
を照射後現像処理する方法や、又はレジストを印刷方式
等によりパターン状に施してやる方法等任意の方法を採
用することができる。

レジスト層をパターン状に形成するに当っては、被腐蝕
物の片面に形成してもよいが、ＩＣ用のリードフレーム
やシャドウマスク等の如く被腐蝕物の両面から腐蝕を行
なうことが好ましい場合には、両面に形成しておく必要
がある。

く作用〉 上記のように構成された腐蝕方法によれば、レジスト層
をパターン状に形成させた被腐蝕物は、まず腐蝕液浴中
に浸漬される。この浸漬により被腐蝕物表面のレジスト
層が形成されていない部分は腐蝕液により腐蝕が開始さ
れる。この場合の腐蝕は腐蝕液浴中への浸漬であるため
腐蝕液が均一に被腐蝕物表面に接触し、腐蝕が均一に開
始される。

このように腐蝕が均一に開始された状態では、腐蝕が開
始された部分の被腐蝕物表面は、腐蝕により微細な凹凸
が均一に形成されている。このような状態で被腐蝕物を
腐蝕液浴から排出させ、次いで腐蝕液を被腐蝕物にスプ
レ一方式等従来行なわれている方法で吹き付けることに
より、腐蝕は更に進行する。この場合の腐蝕は、既に浸
漬段階で表面に微細な凹凸が均一に形成されているため
に、腐蝕液が吹き付は方式で供給されても、腐蝕液の被
腐蝕物表面への接触の程度が良好となる。

すなわち、ｇ蝕開始前の被腐蝕物表面が平滑な鏡面状の
場合には、従来の腐蝕方法の如く、最初から腐蝕液を吹
き付ける場合は、腐蝕液は被腐蝕物表面での接触時間又
は接触面積が少ないために腐蝕開始までに時間が長くか
が９たり、更には部分的に腐蝕が開始されてしまったり
するためにその部分からの腐蝕の進行が先行することに
より、その他の腐蝕すべき部分との間の腐蝕にバラツキ
を生じてしまい、腐蝕せずに残しておくべきパターン形
状部分にまで腐蝕が進行し、このために良好なパターン
形状を得ることが困難となると考えられていた。

本発明の方法によれば、前記の如く吹き付けにより腐蝕
液を供給する段階においては既に微細な凹凸が被腐蝕物
表面の腐蝕すべき部分に均一に形成されているために、
腐蝕の進行もすみやかに行なわれ、かつ均一に腐蝕が進
行する。

従って、ＩＣ用リードフレームやシャドウマスク等の如
く、腐蝕により除去する部分が元の鉄板の厚さよりも狭
いようなものは従来法では良好に腐蝕除去することは困
難とされていたものが、本発明の方法によれば、良好に
腐蝕除去することが可能となる０例えば鉄板の厚さが２
００　ミクロン〜３００　ミクロンのものについては、
腐蝕除去する部分の巾が１５０　ミクロン〜２００　ミ
クロンのものまで加工することが可能となる。

〈実施例１〉 第３図（ａ）に示す如く被腐蝕物として板厚２００　ミ
クロンの鉄板（３０）の両面にレジストＩｉ５　（３１
）を見当を合わせてＩＣ用リードフレームのパターン状
に形成した。

この場合のレジストはカゼイン（ＰＶＡでも可）を用い
た。レジスト層が形成されていない腐蝕除去すべき部分
（３２）の巾（ｌ　は１３０　ミクロンであった。この
ものを活性度の高い（ＥＭＦ　６００　）塩化第２鉄溶
液を５５℃に保った腐蝕液浴中に６０秒間浸漬した後こ
の腐蝕液浴中から排出させた。

第３図軸）はこの段階における被腐蝕物の状態の説明図
であり、腐蝕除去すべき部分（３２）は両面から腐蝕が
開始されており、腐蝕深度は片面当りで３．５　ミクロ
ンであった。このものを直ちにスプレ一方式により腐蝕
液を吹き付けるチャンバー中に入れ、前記腐蝕液浴中の
腐蝕液と同様の腐蝕液（３３）を両面かに吹き付けた（
第３図（Ｃ）参照のこと）。

腐蝕液の吹き付は開始から４８０秒間で第３図（Ｑに示
す如く、両面からの腐蝕が進行して腐蝕除去すべき部分
の腐蝕が完了した。

こうして得られたＩＣ用リードフレームは良好な腐蝕パ
ターンを有していた。

く比較例１〉 実施例１と同様の材料を用いて、腐蝕液浴中への浸漬を
行なわないこと以外は実施例１と同様にしてスプレ一方
式のみで腐蝕を行なった。この場合の腐蝕完了までの時
間は５４０秒であった。

〈発明の効果〉 本発明は以上説明したように構成されているので、以下
に記載けされるような効果を奏する；すなわち、スプレ
一方式にて腐蝕液を供給する前に腐蝕液浴中に被腐蝕物
を浸漬するようにしたので、腐蝕の初期段階において、
被腐蝕物の腐蝕されるべき部分の表面が均一で微細な凹
凸が形成され、従って以後の腐蝕も均一に進行し、良好
な腐蝕パターンが形成される。さらに、その後のスプレ
一方式による腐蝕液の吹き漬けによる供給方式を採用す
ることにより、それまでに形成された腐蝕の初期段階の
良好な腐蝕状態が確保されたまま、腐蝕速度の向上をは
かることができる。

更に本発明の方法によれば、被ｍ蝕物の腐蝕除去する部
分の巾が狭いパターンにおいても良好に腐蝕することが
可能となる。従って本発明の方法によれば、シート状の
被腐蝕物の厚さ以下の腐蝕部分の巾を有するようなパタ
ーンのものでも良好に腐蝕することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の腐蝕方法を説明するための説明図、第
２図は従来の腐蝕方法を説明するための説明図、第３図
は本発明の腐蝕方法による腐蝕の進行状況を説明するた
めの説明図をそれぞれ示す。 （１）、０υ　被腐蝕物　（２）、０２１．　（３３）
　　腐蝕液（３）、０３　　パイプ　　（２１）　　腐
蝕液浴（１４１チャンバー　　（３１）　　レジスト層
（３２）　　腐蝕除去すべき部分 特　　許　　出　　願　　人 凸版印刷株式会社 代表者　鈴木和夫 第１図 第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）被腐蝕物表面にレジスト層をパターン状に形成し
   た後に腐蝕液を被腐蝕物表面に供給することによって前
   記被腐蝕物を腐蝕する方法において、前記腐蝕は、前記
   被腐蝕物を腐蝕液浴中に浸漬させた後に前記被腐蝕物を
   腐蝕液浴から排出させしかる後に腐蝕液を前記被腐蝕物
   に吹き付けることにより、供給することにより行なわれ
   ることを特徴とする腐蝕方法。
2. （２）前記被腐蝕物はシート状物であって、前記レジス
   ト層は前記被腐蝕物の両面に施されており、前記吹き付
   けにより供給される腐蝕液は前記被腐蝕物の両面から供
   給されることを特徴とする請求項１記載の腐蝕方法。