JP4884889B2 - フォトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法 - Google Patents
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Description
本発明の剥離液は、界面活性剤(以下、「(A)成分」ともいう。)を含有する。界面活性剤は、エッチングにより形成された金属残渣、可溶化したレジストが析出し再付着することを防止しすることができる。界面活性剤は、特に制限はなく、ノニオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤の種々のものを用いることができるが、少なくともノニオン性界面活性剤が含まれていることが好ましく、特にはノニオン性界面活性剤のみから構成されていることが好ましい。また(A)成分は1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
防食剤(以下、「(B)成分」ともいう。)としては、還元性を有する防食剤、吸着性を有する防食剤、還元性および吸着性を併せ持つ防食剤の3種に分類することができる。
前記還元性を有する防食剤としては、ピロカテコール、tert−ブチルカテコール、ピロガロール、没食子酸、ルチンなどの芳香族ヒドロキシ化合物、キシリトール、ソルビトール、ブチルグルコシド、トレハロース、グルコース、マンノース、ガラクトース、マンニトールなどの糖アルコール類、Cn(H2O)mで表されるグルコースなどの糖系化合物を挙げることができる。
水(以下、「(C)成分」ともいう。)は、本発明のフォトレジスト剥離液中の他成分中に必然的に含まれているものであるが、さらに加えてその量を調整する。(C)成分の配合量は、剥離液中5質量%以上60質量%以下である。より好ましくは10質量%以上50質量%以下である。(C)成分の配合量を上記範囲とすることにより、フォトレジスト層、残渣物に対する優れた剥離性能、および、アルミニウムなどの金属層に対する防食性能を得ることができる。
水溶性有機溶剤(以下、「(D)成分」ともいう。)としては、水と混和性のある有機溶剤であればよく、他の配合成分を溶解させるものであれば特に限定されず、任意に使用することができる。このような水溶性有機溶剤としては、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類;ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス(2−ヒドロキシエチル)スルホン、テトラメチレンスルホンなどのスルホン類;N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミドなどのアミド類;N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−プロピル−2−ピロリドン、N−ヒドロキシメチル−2−ピロリドン、N−ヒドロキシエチル−2−ピロリドンなどのラクタム類;1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジノンなどのイミダゾリジノン類;エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどのジエチレングリコールモノアルキルエーテル(アルキルは炭素原子数1〜6の低級アルキル)、およびその誘導体が挙げられる。中でも、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシドの中から選ばれる少なくとも1種が、フォトレジスト剥離性向上の点から好ましい。(C)成分は1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
[フォトレジスト膜の剥離性]
TFT用フォトレジストであるTFR−H(東京応化工業(株)製)をウェハ上にパターニングし、150℃にて90秒間ポストベークを施した。このレジストパターンを有するウェハを、50℃に加熱した下記表1に示すフォトレジスト用剥離液に2分間浸漬し、レジストの剥離性をSEM写真により観察し、下記評価基準により評価した。結果を表1に示す。
○:完全に除去された。
△:一部残存物が認められた。
×:大部分が残存していた。
Alを形成したウェハを、下記表1に示すフォトレジスト用剥離液に50℃、30分間浸漬処理し、シート抵抗値を測定した。その結果からAlのエッチング量(腐食量)を求め、Alに対する防食性を下記評価基準により評価した。結果を表1に示す。なお、シート抵抗値の測定は、VR−70(国際電気(株)製)を用いて測定した。
○:腐食は全くみられなかった。
△:腐食が散見された。
×:深刻な腐食が発生していた。
APCを形成したウェハを、下記表1に示すフォトレジスト用剥離液に50℃、30分間浸漬処理し、シート抵抗値を測定した。その結果からAlのエッチング量(腐食量)を求め、Alに対する防食性を下記評価基準により評価した。結果を表1に示す。なお、シート抵抗値の測定は、VR−70(国際電気(株)製)を用いて測定した。
○:腐食は全くみられなかった。
△:腐食が散見された。
×:深刻な腐食が発生していた。
SFT120:ソフタール120(POEアルキルアルコールエーテル、(株)日本触媒製)
Piro:ピロガロール
MIPA:モノイソプロパノールアミン
PG:プロピレングリコール
MEA:モノエタノールアミン
XYL:キシリトール
BDG:ジエチレングリコールモノブチルエーテル
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
Claims (6)
- (A)界面活性剤を1質量%以上30質量%以下、(B)防食剤を0.05質量%以上10質量%以下、(C)水を5質量%以上60質量%以下、および(D)水溶性有機溶剤を30質量%以上95質量%以下含有し、
前記(A)成分が、ポリオキシアルキレンのアルキルエーテル化物、およびアルキルアミンオキサイド化合物のいずれか1種のノニオン性界面活性剤であるフォトレジスト用剥離液。 - 前記ノニオン性界面活性剤の、HLB値が8以上であり、かつ、曇点が50℃以上である請求項1記載のフォトレジスト用剥離液。
- 前記(B)成分が、ピロガロールおよびキシリトールの中から選ばれる少なくとも1種である請求項1または2記載のフォトレジスト用剥離液。
- 前記(D)成分が、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシドの中から選ばれる少なくとも1種である請求項1から3いずれか記載のフォトレジスト用剥離液。
- 銀を含む金属層が形成された基板上のフォトレジストの剥離に用いる請求項1から4いずれか記載のフォトレジスト用剥離液。
- 銀を含む金属層が形成された基板上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を露光、現像処理し、続いて該基板をドライエッチング加工し、さらに前記フォトレジスト膜の残留物およびエッチング残渣物を請求項1から5いずれか記載のフォトレジスト用剥離液により洗浄除去する工程を含む基板の処理方法。
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