CN117355798A - 电路基板用树脂膜的剥离剂和电路基板的制造方法 - Google Patents
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 85
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 23
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- 239000013556 antirust agent Substances 0.000 claims description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- -1 amine compound Chemical class 0.000 description 18
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylbutan-1-ol Chemical compound COC(C)(C)CCO MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 4
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- SFHYNDMGZXWXBU-LIMNOBDPSA-N 6-amino-2-[[(e)-(3-formylphenyl)methylideneamino]carbamoylamino]-1,3-dioxobenzo[de]isoquinoline-5,8-disulfonic acid Chemical compound O=C1C(C2=3)=CC(S(O)(=O)=O)=CC=3C(N)=C(S(O)(=O)=O)C=C2C(=O)N1NC(=O)N\N=C\C1=CC=CC(C=O)=C1 SFHYNDMGZXWXBU-LIMNOBDPSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229940083957 1,2-butanediol Drugs 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013494 PH determination Methods 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical group CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N butane-1,2-diol Chemical compound CCC(O)CO BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N butane-2,3-diol Chemical compound CC(O)C(C)O OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 231100000086 high toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000008235 industrial water Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- 125000003831 tetrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
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Abstract
本发明提供一种电路基板用树脂膜的剥离剂,其能够在短时间内剥离电路基板上形成的树脂膜,将树脂膜进行细分化的性能高,并且对环境的负荷低。本发明的一个实施方式涉及一种电路基板用树脂膜的剥离剂,其含有式(1)表示的化合物(成分(A))和碳原子数为1以上且6以下并且分子量为30以上且120以下的脂肪族醇(成分(B)),所述剥离剂的pH为13.0以上且小于14.0,成分(A)的含量为0.1质量%以上且5质量%以下,成分(B)的含量为5质量%以上且40质量%以下。R1‑O‑(A1O)a‑H···式(1)(式(1)中,R1表示碳原子数为6以上且10以下的支链烷基,A1O表示碳原子数为2以上且3以下的氧化烯基,氧化烯基的平均加成摩尔数a为2以上且15以下的数)。
Description
技术领域
本发明涉及一种电路基板用树脂膜的剥离剂和电路基板的制造方法。
背景技术
近年来,在电子信息设备领域中,用于使电子设备的小型化和轻量化或者应对大容量通信成为可能的技术进化不断发展。为了使这些技术进化成为可能,正在追求电子电路部件的高精度化。电子电路部件通过使用感光性树脂的曝光图案化来形成。进一步,为了应对电子电路部件的高精度化,要求上述感光性树脂提高光反应性和固化后的强度以便使精细的曝光图案化成为可能。另一方面,还要求上述感光性树脂在曝光图案化的处理后能够容易地从基板剥离而除去。然而,难以兼顾固化后更强的强度与曝光图案化处理后从基板的高剥离性。
此外,以往,上述感光性树脂从基板的剥离除去使用含有氢氧化季铵等胺化合物的剥离剂,但含有胺化合物的剥离剂存在毒性强而且对环境的负荷高这样的问题。因此,需要开发一种通过替代的碱性剥离剂来提高感光性树脂的剥离性的方法。
例如,专利文献1中记载了一种含有表面活性剂、防蚀材料和水溶性有机溶剂的水系的光致抗蚀剂(感光性树脂)用剥离液,其是在形成有含有铝或银等的导电性金属膜的基板上涂布的光致抗蚀剂的剥离剂。
此外,专利文献2中记载了一种含有无机碱、多元醇和其他有机溶剂的水系的树脂掩模剥离用清洗剂组合物。
此外,专利文献3中记载了一种含有无机碱和具有乙烯氧基的表面活性剂的树脂掩模剥离用清洗剂组合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-58624号公报
专利文献2:日本特开2019-117331号公报
专利文献3:日本特开2019-105670号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,根据本发明人的见解,上述替代的剥离剂存在由于作为胺化合物特长的感光性树脂膜等树脂膜的细分化性能不充分等而难以充分除去树脂膜的残渣这样的问题。
例如,专利文献1中记载的剥离剂对于树脂膜的剥离性不充分,树脂膜的残渣有时残留在电路基板上。此外,专利文献2中记载的清洗剂组合物的有效成分对树脂膜的渗透性不足,出现由树脂膜的细分化性能不充分引起的剥离性的不足,树脂膜的残渣仍有时残留在电路基板上。此外,关于专利文献3中记载的清洗剂组合物,虽然其有效成分对树脂膜的渗透性提高,但存在树脂膜的剥离性依然不充分,为了充分剥离树脂膜而需要长时间的处理,导致生产性下降这样的问题。
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种电路基板用树脂膜的剥离剂、电路基板的制造方法和使用该剥离剂的电路基板的制造方法,所述剥离剂能够在短时间内剥离电路基板上形成的树脂膜,通过将树脂膜进行细分化,减少电路基板上的残渣的性能高,并且对环境的负荷低。
解决问题的方案
用于解决上述问题的本发明的一个实施方式的电路基板用树脂膜的剥离剂含有式(1)表示的化合物(成分(A))和碳原子数为1以上且6以下并且分子量为30以上且120以下的脂肪族醇(成分(B)),所述剥离剂的pH为13.0以上且小于14.0,相对于所述剥离剂的总质量,所述成分(A)的含量为0.1质量%以上且5质量%以下,所述成分(B)的含量为5质量%以上且40质量%以下。
R1-O-(A1O)a-H···式(1)
(式(1)中,R1表示碳原子数为6以上且10以下的支链烷基,A1O表示碳原子数为2以上且3以下的氧化烯基,所述氧化烯基的平均加成摩尔数a为2以上且15以下的数。)
用于解决上述问题的本发明的其他实施方式的电路基板的制造方法具备:准备在至少一个面上形成有树脂膜的电路基板的工序;和使所述剥离剂与所述树脂膜接触的工序。
发明效果
根据本发明,可提供一种电路基板用树脂膜的剥离剂、电路基板的制造方法和使用该剥离剂的电路基板的制造方法,所述剥离剂能够在短时间内剥离电路基板上形成的树脂膜,通过将树脂膜进行细分化来减少电路基板上的残渣的性能高,并且对环境的负荷低。
具体实施方式
下面,对本发明的实施方式进行说明。
涉及本发明的一个实施方式的电路基板用树脂膜的剥离剂(下面也仅称为“剥离剂”)含有式(1)表示的化合物(成分(A))和碳原子数为1以上且6以下并且分子量为30以上且120以下的脂肪族醇(成分(B)),其pH为13.0以上且小于14.0。
R1-O-(A1O)a-H···式(1)
(式(1)中,R1表示碳原子数为6以上且10以下的支链烷基,A1O表示碳原子数为2以上且3以下的氧化烯基,所述氧化烯基的平均加成摩尔数a为2以上且15以下的数。)
下面,对剥离剂中含有的各成分进行说明。
[成分(A)]
成分(A)为式(1)表示的化合物(聚亚烷基二醇)。成分(A)能够使电路基板用树脂膜(下面也仅称为“树脂膜”)充分地细分化而使其容易剥离,从而减少电路基板上的残渣。
R1-O-(A1O)a-H···式(1)
式(1)中,R1表示碳原子数为6以上且10以下的支链烷基。R1优选为碳原子数为8以上且9以下的支链烷基。R1如果是碳原子数为6以上且10以下的支链烷基,则成分(A)变得容易渗透入树脂膜,能够使树脂膜充分地细分化而使其容易剥离,从而减少电路基板上的残渣,此外,不易使剥离剂产生气泡,并且剥离剂保存时的稳定性变得更高。
特别是,成分(A)的R1为支链烷基,由此,能够进一步提高树脂膜的剥离性能。从上述观点出发,R1中包含的支链优选为碳原子数为1以上且3以下的烷基,优选为甲基支链或乙基支链。
R1的具体例子中包括异辛基、2-乙基己基、异壬基、3,5,5-三甲基己基和异癸基等。
式(1)中,A1O表示碳原子数为2以上且3以下的氧化烯基。予以说明,A1O可以仅为氧乙烯基,也可以仅为氧丙烯基,还可以包含氧乙烯基和氧丙烯基这二者。优选地,A1O仅为氧乙烯基或者A1O包含氧乙烯基和氧丙烯基这二者。
A1O包含氧乙烯基和氧丙烯基这二者时,优选单独或形成嵌段的氧乙烯基(EO基)与单独或形成嵌段的氧丙烯基(PO基)按R1-O-EO基-PO基-H的顺序被加成。R1O为这种结构的成分(A)对树脂膜的渗透性特别高,能够将树脂膜进行更精细地细分化,并且使其剥离,进一步减少电路基板上的残渣。
式(1)中,a是氧化烯基(A1O)的平均加成摩尔数,为2以上且15以下的数。a优选为4以上且7以下的数。此外,A1O仅由氧乙烯基构成时,a优选为2以上且10以下的数,A1O仅由氧丙烯基构成时,a优选为2以上且6以下的数,A1O包含氧乙烯基和氧丙烯基这二者时,a优选为5以上且10以下的数。
A1O包含氧乙烯基和氧丙烯基这二者时,如果将氧乙烯基的平均加成摩尔数设为a’、氧丙烯基的平均加成摩尔数设为a”,则a’/a”优选为0.5以上且1.5以下。a’/a”在上述范围的成分(A)对树脂膜的渗透性更高,能够进一步减少电路基板上的残渣。此外,a’/a”在上述范围的成分(A)由于不易使剥离剂产生气泡,所以能够降低剥离剂对周围环境产生的负荷,并且能够降低对使用装置的负荷而进一步提高生产性。
作为成分(A),剥离剂可以仅含有一种式(1)表示的化合物,也可以含有多种,但从剥离性能的观点出发,更优选含有多种。
含有多种时,更优选组合R1为碳原子数6以上且8以下的支链烷基的化合物(a1)与R1为碳原子数9或10的支链烷基的化合物(a2),进一步优选组合碳原子数8的支链烷基的化合物与碳原子数9的支链数的化合物。
组合(a1)与(a2)时,关于(a1)与(a2)的比率,以质量比计,优选为(a1)/(a2)=99/1~40/60,更优选为98/2~50/50,进一步优选为98/2~75/25,特别优选为97/3~80/20。
成分(A)的HLB值没有特别限制,例如可以设为5以上且13以下。
相对于剥离剂的总质量,成分(A)的含量为0.1质量%以上且5质量%以下,优选为0.5质量%以上且5质量%以下,更优选为1质量%以上且2质量%以下。成分(A)的上述含量如果为0.1质量%以上,则能够提高剥离剂对树脂膜的渗透性,进一步减少电路基板上的残渣。成分(A)的上述含量如果为10质量%以下,则剥离剂保存时的稳定性更高。
[成分(B)]
成分(B)是碳原子数为1以上且6以下并且分子量为30以上且120以下的脂肪族醇。成分(B)能够提高树脂膜从电路基板的剥离性,另一方面,不易使剥离剂产生气泡,并且进一步提高剥离剂保存时的稳定性。
作为成分(B),剥离剂可以仅含有一种上述脂肪族醇,也可以含有多种,但从细分化性能的观点出发,更优选含有多种。
含有多种时,更优选组合分子内具有1个羟基的(b1)与分子内具有2个以上羟基的(b2),进一步优选组合羟基数为1个的脂肪族醇与羟基为3个的脂肪族醇。
组合(b1)与(b2)时,关于(b1)与(b2)的比率,以质量比计,优选为(b1)/(b2)=99/1~80/20,更优选为98/2~85/15,特别优选为97/3~90/10。
成分(B)优选为水溶性的醇。此外,成分(B)可以具有脂环式结构,也可以具有非脂环式(直链状或支链状)结构。此外,成分(B)还可以在分子内具有醚结构。成分(B)只要在分子内具有1个以上的羟基即可。成分(B)在分子内具有的羟基的数没有限定,但优选1个以上且3个以下。
成分(B)的例子,可列举:甲醇、乙醇、异丙醇、乙二醇、二乙二醇、甘油、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单丁基醚、3-甲氧基-1-丁醇、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、四氢糠醇等。
这些之中,优选3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、四氢糠醇、甘油、二乙二醇和甲醇,更优选3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇和甘油。
相对于剥离剂的总质量,成分(B)的含量为5质量%以上且40质量%以下,优选为5质量%以上且35质量%以下,更优选为5质量%以上且30质量%以下。成分(B)的上述含量如果为5质量%以上,则能够将树脂膜进行充分地细分化。成分(B)的上述含量如果为40质量%以下,则树脂膜的剥离性和细分化性能提高,并且剥离剂保存时的稳定性更高。
[成分(C)]
剥离剂除了上述的各成分以外,还可以含有防锈剂(成分(C))。成分(C)能够进一步提高本发明的效果。
作为成分(C),剥离剂可以仅含有一种上述防锈剂,也可以含有多种。
防锈剂的种类没有特别限制,能够使用具有咪唑环、吡唑环、恶唑环、噻唑环、三唑环和四唑环等的公知的防锈剂。
从提高树脂膜的剥离性的观点出发,成分(C)优选为具有三唑环的化合物,更优选为具有苯并三唑结构的化合物,进一步优选为式(2)表示的化合物。
[化学式1]
式(2)中,R2表示氢原子、甲基或羧基。这些之中,从进一步提高成分(C)的水溶性和树脂膜的剥离性的观点出发,R2优选为氢原子或羧基,更优选为氢原子。
相对于剥离剂的总质量,成分(C)的含量没有特别限定,但优选为0.5质量%以上且2质量%以下,更优选为0.5质量%以上且1.5质量%以下,进一步优选为1.0质量%以上且1.5质量%以下。成分(C)的上述含量如果为0.5质量%以上,则能够提高剥离剂保存时的稳定性。此外,成分(C)的上述含量如果为0.5质量%以上,则能够使树脂膜充分地细分化而使其容易剥离,从而减少电路基板上的残渣。成分(C)的上述含量如果为2质量%以下,则不易使剥离剂产生气泡。此外,成分(C)的上述含量如果为2质量%以下,则剥离剂保存时的稳定性更高。此外,成分(C)的上述含量如果为2质量%以下,则能够使树脂膜充分地细分化而使其容易剥离,从而减少电路基板上的残渣。
[pH·碱成分]
剥离剂的pH为13.0以上且14.0以下,优选为13.2以上且13.8以下,进一步优选为13.4以上且13.6以下。pH如果在上述范围,则树脂膜的剥离性充分提高。通过添加公知的碱成分,能够将剥离剂的pH调节在上述范围。
上述碱成分是水溶性的并且溶解在水中时使水溶液呈碱性的化合物。上述碱成分可以是分子中包含碳原子的有机碱成分,也可以是分子中不包含碳原子的无机碱成分。
剥离剂可以仅含有一种用于调节pH的上述碱成分,也可以含有多种。
上述有机碱成分的例子中包括单乙醇胺、二乙醇胺和三乙醇胺等。上述无机碱成分的例子中包括氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂、氢氧化钙、碳酸钠、碳酸钾、硅酸钠和硅酸钾等。
从进一步提高树脂膜的剥离性的观点出发,上述有机碱成分优选氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠或碳酸钾,更优选氢氧化钠或氢氧化钾。
[其他成分]
剥离剂除了上述的各成分以外,还可以含有以往的电路基板用树脂膜的剥离剂中一般配入的其他成分。上述其他成分的例子中可以配入防腐剂、增稠剂、着色剂等。
[剥离剂的调配]
剥离剂能够通过将上述成分用水稀释成合适的浓度制成水溶液的公知的方法来调配。作为用于上述稀释的水,可使用离子交换水、蒸馏水、RO水、自来水和工业用水等。
相对于剥离剂的总质量,上述水的含量优选为50质量%以上,更优选为60质量%以上,进一步优选为70质量%以上。上述水的含量没有特别限定,但优选为90质量%以下。
[剥离剂的用途]
剥离剂用于在电路基板的公知的制造方法中将电路基板的表面上暂时形成的树脂膜在进行必要的加工后除去。
也就是说,上述电路基板的制造方法具备:在电路基板的表面上形成树脂膜的工序;对在至少一个面上形成有上述树脂膜的电路基板进行加工的工序;和使用剥离剂从上述加工后的电路基板除去上述树脂膜的工序。
形成在上述电路基板表面上的树脂膜可以为通过光和热等外部刺激而固化的负性树脂膜,也可以为通过上述外部刺激而溶解的正性树脂膜,但优选负性树脂膜。上述负性树脂膜的例子中包括负性干膜抗蚀剂和负性液状抗蚀剂。通过由这些外部刺激(具体为曝光和显影)在上述树脂膜上形成精细的图案,能够将形成有上述图案的树脂膜作为掩模(保护膜)对上述电路基板进行精细加工。电路基板的加工方法没有特别限定,能够使用激光照射和蚀刻等公知的方法。
然后,通过使剥离剂与树脂膜接触,能够除去上述加工后的树脂膜。上述接触只要通过将上述电路基板浸渍于剥离液和向上述电路基板喷雾剥离液等公知的方法进行即可。
认为剥离剂通过在电路基板与树脂膜的界面上溶解树脂膜,或者渗透到树脂膜的内部而使树脂膜膨胀,或者降低电路基板与树脂膜的界面的密合性来使树脂膜剥离。为了更充分地发挥这些作用,优选使剥离剂充分地渗透到树脂膜的内部,以便充分量的剥离剂到达电路基板与树脂膜的界面。进一步,认为剥离剂通过上述渗透使树脂膜进行细分化,由此也使树脂膜更容易剥离。
使剥离剂与树脂膜接触时的剥离剂的温度优选设为20℃~60℃左右。
[实施例]
下面使用实施例和比较例说明本发明,但本发明不受以下的实施例的任何限定。
1.剥离剂的准备
1-1.材料
1-1-1.具有式(1)所示结构的醇
准备表1所示的化合物A1、化合物A2和化合物A1’。化合物A1和化合物A2为式(1)表示的化合物(成分(A)),化合物A1’虽然具有式(1)表示的结构,但由于R1不同,为不是成分(A)的化合物。
R1-O-(A1O)a-H···式(1)
表1中示出了化合物A1、化合物A2和化合物A1’的式(1)中R1的结构(官能团名)、R1的碳原子数、A1O的构成、EO基和PO基的数(平均值)、a’/a”的值(EO基的数(平均值)/PO基的数(平均值))和a的数(平均值)。
表1
1-1-2.有机溶剂
准备表2中记载的化合物B1~化合物B5和化合物B1’。化合物B1~化合物B5是碳原子数为1以上且6以下并且分子量为30以上且120以下的脂肪族醇(成分(B)),化合物B1’为不是成分(B)的有机溶剂。
表2中示出了化合物B1~化合物B5和化合物B1’的化合物名称、分子量、碳原子数和羟基数。
表2
化合物 | 化合物名称 | 分子量 | 碳原子数 | 羟基数 |
B1 | 3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇 | 118 | 6 | 1 |
B2 | 四氢糠醇 | 102 | 5 | 1 |
B3 | 甘油 | 92 | 3 | 3 |
B4 | 二乙二醇 | 62 | 4 | 2 |
B5 | 甲醇 | 32 | 1 | 1 |
B1’ | 二乙二醇单丁基醚 | 162 | 1 | 1 |
1-1-3.防锈剂
准备苯并三唑。苯并三唑是式(2)中R2为H的化合物(成分(C))。
[化学式2]
1-1-4.碱成分
准备表3中记载的化合物D1~化合物D3。化合物D1~化合物D3均为碱成分(成分D)。
表3中示出了化合物D1~化合物D3的化合物名称。
表3
化合物 | 化合物名称 |
D1 | 氢氧化钠 |
D2 | 氢氧化钾 |
D3 | 单乙醇胺 |
1-2.剥离剂的调配
将上述各成分溶解在水中,再添加水使总量成为100质量%,调配水系的电路基板用树脂膜的剥离剂1~剥离剂14和电路基板用树脂膜的剥离剂21~剥离剂28。
1-3.pH的测定
使用pH计(“LAQUA F-72”:株式会社堀场制作所制)测定剥离剂1~剥离剂14和剥离剂21~剥离剂28。予以说明,测定温度设为25℃,在25℃的恒温槽中一边搅拌各剥离剂一边测定。
2.剥离剂的评价
按以下的基准评价上述准备的剥离剂1~剥离剂14和剥离剂21~剥离剂28。
2-1.剥离试验
2-1-1.电路基板用树脂膜的形成
作为集成电路用树脂膜,使用感光性PCB电路用膜(广州逖亚麟电子科技有限公司(Guang Zhou TiYaLin Electronic Technology Co.,Ltd.)制)。上述膜为负性干膜抗蚀剂。
作为电子电路基板,使用无氧铜板(“无氧铜板”:TP技研株式会社制,长度×宽度×厚度=50mm×15mm×1mm)。在上述电子电路基板上涂布上述负性干膜抗蚀剂。具体地,将上述负性干膜抗蚀剂加工成规定的尺寸(纵×横=20mm×15mm),剥离半面的保护膜后,使剥离了上述保护膜的面密合在上述电子电路基板上。在该状态下,使用热板在100℃条件下热压接30秒钟。然后,使用UV点光源(“LIGHTNING CURE LC6”:滨松光子株式会社制),对在上述电子电路基板上的热压接有上述负性干膜抗蚀剂的面照射UV,(照射时间:120秒,总光线量:约22mW),使上述负性干膜抗蚀剂固化,得到形成有树脂膜(电路基板用树脂膜)的电路基板。
2-1-2.剥离试验(剥离评价、细分化评价)
将涂布有上述负性干膜抗蚀剂的电路基板在50mL螺口管内完全浸渍于约50g的上述调配的剥离剂的任一个中,一边在500rpm下搅拌,一边测定直至目视确认到树脂膜被完全除去为止的时间。此外,从剥离剂中任意取出数个剥离后的试验片,测量上述试验片的四边长,计算它们的平均值。剥离试验时的液温调整为50℃来实施试验。重复实施3次该一系列的剥离工序。
在某剥离液中浸渍电路基板后,将直至目视到树脂膜被完全除去为止所需时间的、3次所进行的试验的平均值作为基于该剥离液的“剥离时间”。此外,将在某剥离液中浸渍电路基板所测定的上述试验片的四边长的平均值的进行3次试验的平均值作为通过该剥离液产生的“剥离片的四边长”。
基于上述“剥离时间”和“剥离片的四边长”,按以下的基准评价各个剥离液。
<(1-1)剥离评价>
◎:剥离时间为90秒以内
○:剥离时间大于90秒且为120秒以内
×:剥离工序大于120秒
<(1-2)细分化评价>
◎:剥离片的平均四边长为2mm以下
○:剥离片的平均四边长大于2mm且为5mm以下
×:剥离片的平均四边长大于5mm
2-2.低泡性试验
将在以总量成为100质量%的方式添加水之前的上述剥离剂各10g分别称量到100ml螺口管中。然后,盖上盖子,上下剧烈振动10秒钟后,静置。静置30秒后,测定自液面起的气泡高度。
基于上述测定的气泡高度,按以下的基准评价各个剥离液。
<(2)低泡性>
◎:气泡高度为5mm以下
○:气泡高度大于5mm且为10mm以下
×:气泡高度大于10mm
2-3.稳定性试验
将上述剥离剂各50ml分别投入100ml螺口管,在-10℃和25℃的恒温槽中分别静置一周。确认静置后的剥离剂的外观。
基于上述观察到的剥离剂的外观,按以下的基准评价各个剥离液。
<(3)稳定性>
○:在哪个温度下,静置后的剥离剂都均匀且透明
×:在至少一个温度下,静置后的剥离剂发生白浊
剥离剂1~剥离剂15和剥离剂21~剥离剂28中含有的上述各成分的含量和各剥离液的pH以及关于各剥离液的上述评价的结果如表4~表8所示。予以说明,关于表4~表8中的成分的数值表示相对于剥离剂总质量的比例(单位为质量%)。
表4
表5
表6
表7
表8
从表4~表8可以看出,含有成分(A)和成分(B)的剥离剂能够在短时间内剥离电路基板上形成的树脂膜,将树脂膜进行细分化的性能高,并且由于起泡少而对环境的负荷低。
本申请要求基于2021年6月24日申请的日本专利申请2021-104677号的优先权,该申请的权利要求书和说明书中记载的内容引用到本申请中。
工业实用性
根据本发明,可提供一种剥离剂,其能够在短时间内剥离电路基板上形成的树脂膜,将树脂膜进行细分化的性能高,并且对环境的负荷少。本发明有助于电子电路部件制造时间的缩短和制造负荷的减少,期待带来使用电子电路部件的各领域的进一步发展。
Claims (4)
1.一种电路基板用树脂膜的剥离剂,其含有式(1)表示的化合物即成分(A)和碳原子数为1以上且6以下并且分子量为30以上且120以下的脂肪族醇即成分(B),所述电路基板用树脂膜的剥离剂的特征在于,
所述剥离剂的pH为13.0以上且小于14.0,
相对于所述剥离剂的总质量,所述成分(A)的含量为0.1质量%以上且5质量%以下,所述成分(B)的含量为5质量%以上且40质量%以下,
R1-O-(A1O)a-H···式(1)
式(1)中,R1表示碳原子数为6以上且10以下的支链烷基,A1O表示碳原子数为2以上且3以下的氧化烯基,所述氧化烯基的平均加成摩尔数a为2以上且15以下的数。
2.根据权利要求1所述的电路基板用树脂膜的剥离剂,其进一步含有防锈剂即成分(C),相对于所述剥离剂的总质量,所述成分(C)的含量为0.5质量%以上且2质量%以下。
3.根据权利要求2所述的电路基板用树脂膜的剥离剂,其中,所述防锈剂为式(2)表示的化合物,
[化学式1]
式(2)中,R2表示氢原子、甲基或羧基。
4.一种电路基板的制造方法,其特征在于,具备:
准备在至少一个面上形成有树脂膜的电路基板的工序;和
使权利要求1~3中任一项所述的剥离剂与所述树脂膜接触的工序。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021-104677 | 2021-06-24 | ||
JP2021104677 | 2021-06-24 | ||
PCT/JP2022/023448 WO2022270333A1 (ja) | 2021-06-24 | 2022-06-10 | 回路基板用樹脂膜の剥離剤および回路基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117355798A true CN117355798A (zh) | 2024-01-05 |
Family
ID=84543846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202280036287.6A Pending CN117355798A (zh) | 2021-06-24 | 2022-06-10 | 电路基板用树脂膜的剥离剂和电路基板的制造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240294846A1 (zh) |
EP (1) | EP4316678A1 (zh) |
JP (1) | JPWO2022270333A1 (zh) |
KR (1) | KR20240024847A (zh) |
CN (1) | CN117355798A (zh) |
TW (1) | TW202307191A (zh) |
WO (1) | WO2022270333A1 (zh) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4884889B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-02-29 | 東京応化工業株式会社 | フォトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法 |
CN107614265A (zh) | 2015-03-25 | 2018-01-19 | 斯特拉塔西斯公司 | 导电油墨原位烧结的方法和系统 |
KR20190034148A (ko) * | 2016-07-28 | 2019-04-01 | 노무라마이크로사이엔스가부시키가이샤 | 레지스트 박리액 조성물 |
JP6860276B2 (ja) * | 2016-09-09 | 2021-04-14 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
JP6249260B1 (ja) * | 2016-11-22 | 2017-12-20 | ナガセケムテックス株式会社 | レジスト剥離液及びレジストの剥離方法 |
JP7057653B2 (ja) | 2017-12-08 | 2022-04-20 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
JP7020905B2 (ja) | 2017-12-27 | 2022-02-16 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
-
2022
- 2022-06-10 WO PCT/JP2022/023448 patent/WO2022270333A1/ja active Application Filing
- 2022-06-10 US US18/572,311 patent/US20240294846A1/en active Pending
- 2022-06-10 EP EP22828250.5A patent/EP4316678A1/en active Pending
- 2022-06-10 KR KR1020237044431A patent/KR20240024847A/ko unknown
- 2022-06-10 JP JP2023529841A patent/JPWO2022270333A1/ja active Pending
- 2022-06-10 CN CN202280036287.6A patent/CN117355798A/zh active Pending
- 2022-06-13 TW TW111121783A patent/TW202307191A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022270333A1 (ja) | 2022-12-29 |
KR20240024847A (ko) | 2024-02-26 |
TW202307191A (zh) | 2023-02-16 |
EP4316678A1 (en) | 2024-02-07 |
US20240294846A1 (en) | 2024-09-05 |
JPWO2022270333A1 (zh) | 2022-12-29 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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