JP2000200766A - 電子部品用洗浄液 - Google Patents
電子部品用洗浄液Info
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- JP2000200766A JP2000200766A JP11276370A JP27637099A JP2000200766A JP 2000200766 A JP2000200766 A JP 2000200766A JP 11276370 A JP11276370 A JP 11276370A JP 27637099 A JP27637099 A JP 27637099A JP 2000200766 A JP2000200766 A JP 2000200766A
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- JP
- Japan
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- electronic parts
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- washing fluid
- cleaning
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電子部品の表面に付着した微細なゴミや有機物
を効率的に洗浄除去し、かつシリコンに対する侵食性を
抑制した電子部品洗浄液であって、シリコン表面を有す
る電子部品の洗浄工程において好適に使用され得る電子
部品用洗浄液を提供する。 【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｃ）を含有する電子部品
用洗浄液。 （Ａ）：アンモニウム、カリウム又はナトリウムの水酸
化物 （Ｂ）：繰り返し単位として、オキシエチレン基及び／
又はオキシプロピレン基からなり、各繰り返し単位はエ
ーテル結合を形成している化合物 （Ｃ）：水
を効率的に洗浄除去し、かつシリコンに対する侵食性を
抑制した電子部品洗浄液であって、シリコン表面を有す
る電子部品の洗浄工程において好適に使用され得る電子
部品用洗浄液を提供する。 【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｃ）を含有する電子部品
用洗浄液。 （Ａ）：アンモニウム、カリウム又はナトリウムの水酸
化物 （Ｂ）：繰り返し単位として、オキシエチレン基及び／
又はオキシプロピレン基からなり、各繰り返し単位はエ
ーテル結合を形成している化合物 （Ｃ）：水
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用洗浄液
に関するものである。更に詳しくは、本発明は、電子部
品の表面に付着した微細なゴミや有機物を洗浄除去し、
かつシリコンに対する侵食性を抑制した電子部品用洗浄
液であって、シリコン表面を有する電子部品の洗浄工程
に最適に使用され得る電子部品用洗浄液に関するもので
ある。
に関するものである。更に詳しくは、本発明は、電子部
品の表面に付着した微細なゴミや有機物を洗浄除去し、
かつシリコンに対する侵食性を抑制した電子部品用洗浄
液であって、シリコン表面を有する電子部品の洗浄工程
に最適に使用され得る電子部品用洗浄液に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイ、シリコン基板を用い
る集積回路デバイス等の電子部品の製造・組み立て時に
おいて、電子部品の表面に付着する微細なゴミや有機物
を洗浄する工程がある。従来、かかる工程に用いられる
洗浄液としては、水酸化アンモニウム水溶液が知られて
いる。ところで、電子部品のうちには、表面の少なくと
も一部にシリコン部分を有するものがある。かかる部品
の洗浄時に、上記水酸化アンモニウム水溶液を用いた場
合、シリコンを侵食するという問題点がある。
る集積回路デバイス等の電子部品の製造・組み立て時に
おいて、電子部品の表面に付着する微細なゴミや有機物
を洗浄する工程がある。従来、かかる工程に用いられる
洗浄液としては、水酸化アンモニウム水溶液が知られて
いる。ところで、電子部品のうちには、表面の少なくと
も一部にシリコン部分を有するものがある。かかる部品
の洗浄時に、上記水酸化アンモニウム水溶液を用いた場
合、シリコンを侵食するという問題点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電子
部品の表面に付着した微細なゴミや有機物を効率的に洗
浄除去し、かつシリコンに対する侵食性を抑制した電子
部品洗浄液であって、シリコン表面を有する電子部品の
洗浄工程において好適に使用され得る電子部品用洗浄液
を提供することにある。
部品の表面に付着した微細なゴミや有機物を効率的に洗
浄除去し、かつシリコンに対する侵食性を抑制した電子
部品洗浄液であって、シリコン表面を有する電子部品の
洗浄工程において好適に使用され得る電子部品用洗浄液
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、下
記の（Ａ）〜（Ｃ）を含有する電子部品用洗浄液に係る
ものである。 （Ａ）：アンモニウム、カリウム又はナトリウムの水酸
化物 （Ｂ）：繰り返し単位として、オキシエチレン基及び／
又はオキシプロピレン基からなり、各繰り返し単位はエ
ーテル結合を形成している化合物 （Ｃ）：水
記の（Ａ）〜（Ｃ）を含有する電子部品用洗浄液に係る
ものである。 （Ａ）：アンモニウム、カリウム又はナトリウムの水酸
化物 （Ｂ）：繰り返し単位として、オキシエチレン基及び／
又はオキシプロピレン基からなり、各繰り返し単位はエ
ーテル結合を形成している化合物 （Ｃ）：水
【０００５】
【発明の実施の形態】次に、本発明を詳細に説明する。
本発明における（Ａ）は、アンモニウム、カリウム又は
ナトリウムの水酸化物であり、電子部品への金属汚染の
観点から水酸化アンモニウムが好ましい。電子部品用洗
浄液中における（Ａ）の濃度は、０．０１〜３１重量％
であることが好ましく、さらに好ましくは０．１〜５．
０重量％である。該濃度が低すぎると洗浄性が不十分と
なる場合があり、一方該濃度が高すぎると洗浄液の調製
が困難となる場合がある。
本発明における（Ａ）は、アンモニウム、カリウム又は
ナトリウムの水酸化物であり、電子部品への金属汚染の
観点から水酸化アンモニウムが好ましい。電子部品用洗
浄液中における（Ａ）の濃度は、０．０１〜３１重量％
であることが好ましく、さらに好ましくは０．１〜５．
０重量％である。該濃度が低すぎると洗浄性が不十分と
なる場合があり、一方該濃度が高すぎると洗浄液の調製
が困難となる場合がある。
【０００６】本発明における（Ｂ）において、オキシエ
チレン基とオキシプロピレン基との共重合形式は、ブロ
ック重合でも、ランダム重合でも、ブロック性を帯びた
ランダム重合でもよく、これらの中でブロック重合が好
ましい。（Ｂ）の化合物の末端は、水素原子又は水酸基
が好ましい。オキシエチレン基とは、−ＣＨ2−ＣＨ2−
Ｏ−で示され、オキシプロピレン基とは、−ＣＨ（ＣＨ
3）−ＣＨ2−Ｏ−又は−ＣＨ2−ＣＨ（ＣＨ3）−Ｏ−で
示される。以下、オキシエチレン基をＥＯ、オキシプロ
ピレン基をＰＯと記すことがある。
チレン基とオキシプロピレン基との共重合形式は、ブロ
ック重合でも、ランダム重合でも、ブロック性を帯びた
ランダム重合でもよく、これらの中でブロック重合が好
ましい。（Ｂ）の化合物の末端は、水素原子又は水酸基
が好ましい。オキシエチレン基とは、−ＣＨ2−ＣＨ2−
Ｏ−で示され、オキシプロピレン基とは、−ＣＨ（ＣＨ
3）−ＣＨ2−Ｏ−又は−ＣＨ2−ＣＨ（ＣＨ3）−Ｏ−で
示される。以下、オキシエチレン基をＥＯ、オキシプロ
ピレン基をＰＯと記すことがある。
【０００７】本発明における（Ｂ）において、オキシプ
ロピレン基の平均分子量は、５００〜３０００であるこ
とが好ましく、さらに好ましくは９００〜１７５０であ
る。該平均分子量が過小であると洗浄性が不十分となる
場合があり、一方該平均分子量が過大であると調製時の
溶解性が不十分となる場合がある。
ロピレン基の平均分子量は、５００〜３０００であるこ
とが好ましく、さらに好ましくは９００〜１７５０であ
る。該平均分子量が過小であると洗浄性が不十分となる
場合があり、一方該平均分子量が過大であると調製時の
溶解性が不十分となる場合がある。
【０００８】（Ｂ）におけるオキシエチレン基のオキシ
エチレン基とオキシプロピレン基の合計量に対する重量
比、すなわち（Ｂ）におけるオキシエチレン基の含有割
合は、０．０５〜０．８であることが好ましく、さらに
好ましくは０．１〜０．４である。該含有割合が過少で
あると調製時の溶解性が不十分となる場合があり、一方
該含有割合が過多であると消泡性が不十分となる場合が
ある。
エチレン基とオキシプロピレン基の合計量に対する重量
比、すなわち（Ｂ）におけるオキシエチレン基の含有割
合は、０．０５〜０．８であることが好ましく、さらに
好ましくは０．１〜０．４である。該含有割合が過少で
あると調製時の溶解性が不十分となる場合があり、一方
該含有割合が過多であると消泡性が不十分となる場合が
ある。
【０００９】本発明における（Ｂ）の具体的な製品名と
しては、アデカプルロニック Ｌ３１、Ｌ６１、Ｌ４
４、Ｌ６４、Ｌ６８（旭電化（株）製、以降アデカＬ３
１、Ｌ６１、Ｌ４４、Ｌ６４、Ｌ６８と略す）、レオコ
ン １０１５Ｈ，１０２０Ｈ（ライオン（株）製）、エ
パン ４１０、４２０、６１０、７１０、７２０（第一
工業製薬（株））等が挙げられる。
しては、アデカプルロニック Ｌ３１、Ｌ６１、Ｌ４
４、Ｌ６４、Ｌ６８（旭電化（株）製、以降アデカＬ３
１、Ｌ６１、Ｌ４４、Ｌ６４、Ｌ６８と略す）、レオコ
ン １０１５Ｈ，１０２０Ｈ（ライオン（株）製）、エ
パン ４１０、４２０、６１０、７１０、７２０（第一
工業製薬（株））等が挙げられる。
【００１０】電子部品用洗浄液中における（Ｂ）／
（Ａ）の重量比は、０．１×１０-4〜１であることが好
ましく、さらに好ましくは０．２×１０-4〜１である。
該比が過小であるとシリコンに対する侵食性が大となる
場合があり、一方該比が過大であると消泡性が不十分と
なる場合がある。本発明の（Ｃ）は水である。本発明の
洗浄液を得るには、所定量の各成分を混合すればよい。
（Ａ）の重量比は、０．１×１０-4〜１であることが好
ましく、さらに好ましくは０．２×１０-4〜１である。
該比が過小であるとシリコンに対する侵食性が大となる
場合があり、一方該比が過大であると消泡性が不十分と
なる場合がある。本発明の（Ｃ）は水である。本発明の
洗浄液を得るには、所定量の各成分を混合すればよい。
【００１１】本発明の洗浄液を用いて洗浄する方法とし
ては、たとえば、１０〜８０℃の温度範囲において、本
発明の洗浄液により電子部品を洗浄すればよい。また、
本発明の洗浄液を過酸化水素水等と混合して、電子部品
を洗浄してもよい。
ては、たとえば、１０〜８０℃の温度範囲において、本
発明の洗浄液により電子部品を洗浄すればよい。また、
本発明の洗浄液を過酸化水素水等と混合して、電子部品
を洗浄してもよい。
【００１２】本発明の洗浄液は、洗浄効果に優れるとと
もに、アモルファスシリコン、多結晶シリコン等のシリ
コンに対する侵食性を抑制したものであり、液晶ディス
プレイ、シリコン基板を用いる集積回路デバイス等の電
子部品の洗浄工程において好適に使用され得る。
もに、アモルファスシリコン、多結晶シリコン等のシリ
コンに対する侵食性を抑制したものであり、液晶ディス
プレイ、シリコン基板を用いる集積回路デバイス等の電
子部品の洗浄工程において好適に使用され得る。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。 実施例１及び比較例１ 被洗浄材として、シリコン基板上に厚み４４００Å多結
晶シリコン層を有するテスト片を用いた。該テスト片
を、恒温浴中、４５℃に保持された表１記載の洗浄液に
浸せきし、洗浄液の多結晶シリコンに対する侵食性を調
べた。条件及び結果を表１に示した。
発明はこれに限定されるものではない。 実施例１及び比較例１ 被洗浄材として、シリコン基板上に厚み４４００Å多結
晶シリコン層を有するテスト片を用いた。該テスト片
を、恒温浴中、４５℃に保持された表１記載の洗浄液に
浸せきし、洗浄液の多結晶シリコンに対する侵食性を調
べた。条件及び結果を表１に示した。
【００１４】
【表１】 ＊アデカＬ３１：オキシプロピレン基の平均分子量が９
５０であり、オキシエチレン基の含有割合が０．１であ
る（Ｂ）の化合物
５０であり、オキシエチレン基の含有割合が０．１であ
る（Ｂ）の化合物
【００１５】実施例２及び比較例２ 被洗浄材として、ガラス基板上に厚み４２００Åアモル
ファスシリコン層を有するテスト片を用いた。該テスト
片を、恒温浴中、４５℃に保持された表２記載の洗浄液
に浸せきし、洗浄液のアモルファスシリコンに対する侵
食性を調べた。条件及び結果を表２に示した。
ファスシリコン層を有するテスト片を用いた。該テスト
片を、恒温浴中、４５℃に保持された表２記載の洗浄液
に浸せきし、洗浄液のアモルファスシリコンに対する侵
食性を調べた。条件及び結果を表２に示した。
【００１６】
【表２】 アデカＬ３１：前記のとおり
【００１７】実施例３〜１０及び比較例３，４ 被洗浄材として、シリコン基板上に厚み２８００Å多結
晶シリコン層を有するテスト片を用いた。該テスト片
を、恒温浴中、４５℃に保持された表３記載の洗浄液に
浸せきし、洗浄液の多結晶シリコンに対する侵食性を調
べた。条件及び結果を表３に示した。
晶シリコン層を有するテスト片を用いた。該テスト片
を、恒温浴中、４５℃に保持された表３記載の洗浄液に
浸せきし、洗浄液の多結晶シリコンに対する侵食性を調
べた。条件及び結果を表３に示した。
【００１８】
【表３】 ＊EO含有量：（Ｂ）化合物におけるオキシエチレン基の
含有割合
含有割合
【００１９】実施例１１〜１７及び比較例５ 被洗浄材として、シリコン基板上に厚み５００Å多結晶
シリコン層を有するテスト片、及び厚み１０００Åアモ
ルファスシリコン層を有するテスト片を用いた。該テス
ト片を、恒温浴中、４５℃に保持された表５記載の洗浄
液に浸せきし、洗浄液の多結晶シリコン及びアモルファ
スシリコン層対する侵食性を調べた。条件及び結果を表
４に示した。
シリコン層を有するテスト片、及び厚み１０００Åアモ
ルファスシリコン層を有するテスト片を用いた。該テス
ト片を、恒温浴中、４５℃に保持された表５記載の洗浄
液に浸せきし、洗浄液の多結晶シリコン及びアモルファ
スシリコン層対する侵食性を調べた。条件及び結果を表
４に示した。
【００２０】
【表４】 ＊アデカＬ３１：前記のとおり
【００２１】
【発明の効果】本発明の電子部品用洗浄液は、電子部品
の表面に付着した微細なゴミや有機物を効率的に洗浄除
去し、かつシリコンに対する侵食性を抑制したものであ
って、シリコン表面を有する電子部品の洗浄工程におい
て好適に使用されることができる。
の表面に付着した微細なゴミや有機物を効率的に洗浄除
去し、かつシリコンに対する侵食性を抑制したものであ
って、シリコン表面を有する電子部品の洗浄工程におい
て好適に使用されることができる。
Claims (7)
- 【請求項１】下記の（Ａ）〜（Ｃ）を含有する電子部品
用洗浄液。 （Ａ）：アンモニウム、カリウム又はナトリウムの水酸
化物 （Ｂ）：繰り返し単位として、オキシエチレン基及び／
又はオキシプロピレン基からなり、各繰り返し単位はエ
ーテル結合を形成している化合物 （Ｃ）：水 - 【請求項２】（Ａ）が水酸化アンモニウムである請求項
１記載の電子部品用洗浄液。 - 【請求項３】（Ａ）の濃度が０．０１〜３１重量％であ
る請求項１又は２記載の電子部品用洗浄液。 - 【請求項４】（Ｂ）のオキシエチレン基とオキシプロピ
レン基との共重合形式がブロック重合であることを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品用洗浄
液。 - 【請求項５】（Ｂ）におけるオキシプロピレン基の平均
分子量が５００〜３０００である請求項１〜４のいずれ
かに記載の電子部品用洗浄液。 - 【請求項６】（Ｂ）におけるオキシエチレン基のオキシ
エチレン基とオキシプロピレン基の合計量に対する重量
比が、０．０５〜０．８を満足する請求項１〜５のいず
れかに記載の電子部品用洗浄液。 - 【請求項７】（Ｂ）／（Ａ）の重量比が０．１×１０-4
〜１である請求項１〜６のいずれかに記載の電子部品用
洗浄液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11276370A JP2000200766A (ja) | 1998-11-02 | 1999-09-29 | 電子部品用洗浄液 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-311940 | 1998-11-02 | ||
| JP31194098 | 1998-11-02 | ||
| JP11276370A JP2000200766A (ja) | 1998-11-02 | 1999-09-29 | 電子部品用洗浄液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200766A true JP2000200766A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=26551873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11276370A Pending JP2000200766A (ja) | 1998-11-02 | 1999-09-29 | 電子部品用洗浄液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000200766A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001288496A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-10-16 | Sumitomo Chem Co Ltd | 電子部品洗浄液 |
| US6730239B1 (en) * | 1999-10-06 | 2004-05-04 | Renesas Technology Corp. | Cleaning agent for semiconductor device & method of fabricating semiconductor device |
-
1999
- 1999-09-29 JP JP11276370A patent/JP2000200766A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730239B1 (en) * | 1999-10-06 | 2004-05-04 | Renesas Technology Corp. | Cleaning agent for semiconductor device & method of fabricating semiconductor device |
| JP2001288496A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-10-16 | Sumitomo Chem Co Ltd | 電子部品洗浄液 |
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