JP2953063B2 - プリント基板洗浄液および洗浄方法 - Google Patents
プリント基板洗浄液および洗浄方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント基板の洗浄
液、特にロジンフラックスの洗浄液および該洗浄液を用
いた洗浄方法に関するものである。
液、特にロジンフラックスの洗浄液および該洗浄液を用
いた洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント基板の半田付け工程で
は、半田のぬれを良くする目的で、ロジンフラックスを
プリント基板の半田付け部分に塗布している。このロジ
ンフラックスには活性剤として有機ハロゲンなどが添加
されているが、これらは空中の水分を含むことでイオン
化し、腐蝕性を有する他、電気絶縁を悪くしたりマイグ
レ−ションなど不具合を発生させる。このため、米国軍
事規格のＭＩＬ−Ｐ−２８８０９Ａでは、プリント配線
板上に残留するイオン性物質量を単位面積当たりのＮａ
Ｃｌ量として測定し、例えばオメガメ−タ（ The Kenco
Alloy and Chemical Company， Incorporated “ Omeg
a Meter TM"）で測定したときに、１４μｇ−ＮａＣｌ
／inch2以下になるよう指定されており、半田付け工程
後に不要となったロジンフラックスは、クロロフルオロ
カ−ボンまたはクロロカ−ボンを主成分とする洗浄液で
洗浄を行っていた。
は、半田のぬれを良くする目的で、ロジンフラックスを
プリント基板の半田付け部分に塗布している。このロジ
ンフラックスには活性剤として有機ハロゲンなどが添加
されているが、これらは空中の水分を含むことでイオン
化し、腐蝕性を有する他、電気絶縁を悪くしたりマイグ
レ−ションなど不具合を発生させる。このため、米国軍
事規格のＭＩＬ−Ｐ−２８８０９Ａでは、プリント配線
板上に残留するイオン性物質量を単位面積当たりのＮａ
Ｃｌ量として測定し、例えばオメガメ−タ（ The Kenco
Alloy and Chemical Company， Incorporated “ Omeg
a Meter TM"）で測定したときに、１４μｇ−ＮａＣｌ
／inch2以下になるよう指定されており、半田付け工程
後に不要となったロジンフラックスは、クロロフルオロ
カ−ボンまたはクロロカ−ボンを主成分とする洗浄液で
洗浄を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、クロロフルオ
ロカ−ボン、いわゆるフロンを主成分とする洗浄液は、
洗浄槽より蒸発しやすく、非常に安定であるため、地球
のオゾン層にまで達し、ここでオゾンを破壊する可能性
がある。このため、例えば１９８７年の「オゾン層を破
壊する物質に関するモントリオ−ル議定書」に示される
ように、段階的にフロンの使用量を削減することとなっ
た。一方、クロロカ−ボン、例えばトリクロロエチレン
やテトラクロロエチレンは、発ガン性物質の疑いがあ
り、１９８９年水質汚濁防止法施行令の有害物質に新た
に指定され、これらクロロカ−ボンの使用も望ましくな
い。本発明はこのような従来の事情に対処してなされた
もので、燃焼や生物分解によって処理可能なプリント基
板洗浄液を提供するとともに、この洗浄液を用いた洗浄
方法を提供することを目的とする。
ロカ−ボン、いわゆるフロンを主成分とする洗浄液は、
洗浄槽より蒸発しやすく、非常に安定であるため、地球
のオゾン層にまで達し、ここでオゾンを破壊する可能性
がある。このため、例えば１９８７年の「オゾン層を破
壊する物質に関するモントリオ−ル議定書」に示される
ように、段階的にフロンの使用量を削減することとなっ
た。一方、クロロカ−ボン、例えばトリクロロエチレン
やテトラクロロエチレンは、発ガン性物質の疑いがあ
り、１９８９年水質汚濁防止法施行令の有害物質に新た
に指定され、これらクロロカ−ボンの使用も望ましくな
い。本発明はこのような従来の事情に対処してなされた
もので、燃焼や生物分解によって処理可能なプリント基
板洗浄液を提供するとともに、この洗浄液を用いた洗浄
方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、構造式：
【化２】 で示される溶媒に、ＨＬＢ（ Hydrophile- Lipophile-
Balance ）が８〜１４の範囲であって、添加量が４０重
量％以下の非イオン界面活性剤を添加したことを特徴と
するプリント基板洗浄液である。さらに、この洗浄液を
用いたプリント基板洗浄方法は、上記のプリント基板洗
浄液を用いて３０〜６０℃の温度範囲で洗浄する工程
と、水でリンスする工程とからなることを特徴とする。
Balance ）が８〜１４の範囲であって、添加量が４０重
量％以下の非イオン界面活性剤を添加したことを特徴と
するプリント基板洗浄液である。さらに、この洗浄液を
用いたプリント基板洗浄方法は、上記のプリント基板洗
浄液を用いて３０〜６０℃の温度範囲で洗浄する工程
と、水でリンスする工程とからなることを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明のプリント基板洗浄液の主成分の化１で
示される環状エステル化合物（以下、「ＲＥ」と称
す。）は、これ自身はロジンフラックスの主成分である
アビエチン酸を溶解する速度は非常に遅いが、非イオン
界面活性剤とよく混合する、比較的粘度の小さい溶剤で
ある。
示される環状エステル化合物（以下、「ＲＥ」と称
す。）は、これ自身はロジンフラックスの主成分である
アビエチン酸を溶解する速度は非常に遅いが、非イオン
界面活性剤とよく混合する、比較的粘度の小さい溶剤で
ある。
【０００６】一方、非イオン界面活性剤それ自身では、
フラックスの主成分であるアビエチン酸を溶解するもの
の、この溶解速度も遅い。これは非イオン界面活性剤の
粘度が比較的大きいことに起因する。即ち、数１で示さ
れるように、固体の溶解速度Ｒsは、物質移動係数Ｋdに
比例するが、この物質移動係数Ｋdもまた数２で示され
るように、粘度μに逆比例するからである。
フラックスの主成分であるアビエチン酸を溶解するもの
の、この溶解速度も遅い。これは非イオン界面活性剤の
粘度が比較的大きいことに起因する。即ち、数１で示さ
れるように、固体の溶解速度Ｒsは、物質移動係数Ｋdに
比例するが、この物質移動係数Ｋdもまた数２で示され
るように、粘度μに逆比例するからである。
【数１】Ｒs＝Ｓ・Ｋd（Ｃs−Ｃ）
【数２】Ｋd ∞ Ｄ／ｄ ∞ Ｔ／μ ここで、 Ｒsは固体の溶解速度、 Ｓは固体と液体界面の面積、 Ｋdは物質移動係数、 Ｃsは溶解物の液体中の飽和濃度、 Ｃは溶解物の液体中の濃度、 Ｄは拡散係数、 ｄは拡散境膜の厚さ、 Ｔは溶液の温度、 μは溶液の粘度 である。
【０００７】しかしながら、永年の研究の結果、これら
ロジンフラックスの溶解速度の遅いＲＥと、特定の性質
を有した、即ちＨＬＢが８〜１４の非イオン界面活性剤
を混合すると、両者の欠点を補いながら飛躍的にロジン
フラックスの溶解速度が増加することを見い出したので
ある。このＨＬＢとは、界面活性剤の親水性の度合を示
す指標で、０〜２０の間の数値をとり、
ロジンフラックスの溶解速度の遅いＲＥと、特定の性質
を有した、即ちＨＬＢが８〜１４の非イオン界面活性剤
を混合すると、両者の欠点を補いながら飛躍的にロジン
フラックスの溶解速度が増加することを見い出したので
ある。このＨＬＢとは、界面活性剤の親水性の度合を示
す指標で、０〜２０の間の数値をとり、
【数３】 ＨＬＢ＝（親水基部分の分子量 × ２０）／界面活性剤の分子量 で計算される。例えば、Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）n
Ｈで示される非イオン界面活性剤の場合、親水基は（Ｃ
Ｈ2ＣＨ2Ｏ）nで、分子量は４４×ｎで、全分子量は
１８６＋（４４×ｎ）であるから、
Ｈで示される非イオン界面活性剤の場合、親水基は（Ｃ
Ｈ2ＣＨ2Ｏ）nで、分子量は４４×ｎで、全分子量は
１８６＋（４４×ｎ）であるから、
【数４】 で求められる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明のプリント基板洗浄液および洗
浄方法の実施例について詳述する。実施例１ 表１、表２および表３に示す界面活性剤（同表に数３か
ら求めたＨＬＢも記載した。）を用いて、次の手順でプ
リント基板の洗浄を行った。 手順１１）濃度２０ｗｔ％になるようＲＥに各界面活性
剤を添加調整し、洗浄液を作製する。 手順１２）手順１１で得られた洗浄液５００ｍｌをトレ
−に入れ、洗浄液温度を４０℃に保持しておく。 手順１３）上記トレ−内に５．５×５．０（inch）の大
きさの半田付け後のプリント基板を完全に浸漬する。 手順１４）プリント基板を振動させて１０分間の洗浄を
行う。 手順１５）プリント基板を洗浄液より引き上げ、４０℃
に保持した５００ｍｌの水の入った別のトレ−に完全に
浸漬する。 手順１６）プリント基板を振動させ、５分間の水洗浄を
行う。 手順１７）プリント基板を水より引き上げ、さらに別の
トレ−の５００ｍｌの水に完全に浸漬する。 手順１８）プリント基板を振動させ、５分間の水洗浄を
行う。 手順１９）この後、プリント基板をトレ−より取り出
し、プリント基板に残留しているイオン性物質を、オメ
ガメ−タ６００ＳＭＤ（α−メタルズ社）にて、１５分
間測定する。
浄方法の実施例について詳述する。実施例１ 表１、表２および表３に示す界面活性剤（同表に数３か
ら求めたＨＬＢも記載した。）を用いて、次の手順でプ
リント基板の洗浄を行った。 手順１１）濃度２０ｗｔ％になるようＲＥに各界面活性
剤を添加調整し、洗浄液を作製する。 手順１２）手順１１で得られた洗浄液５００ｍｌをトレ
−に入れ、洗浄液温度を４０℃に保持しておく。 手順１３）上記トレ−内に５．５×５．０（inch）の大
きさの半田付け後のプリント基板を完全に浸漬する。 手順１４）プリント基板を振動させて１０分間の洗浄を
行う。 手順１５）プリント基板を洗浄液より引き上げ、４０℃
に保持した５００ｍｌの水の入った別のトレ−に完全に
浸漬する。 手順１６）プリント基板を振動させ、５分間の水洗浄を
行う。 手順１７）プリント基板を水より引き上げ、さらに別の
トレ−の５００ｍｌの水に完全に浸漬する。 手順１８）プリント基板を振動させ、５分間の水洗浄を
行う。 手順１９）この後、プリント基板をトレ−より取り出
し、プリント基板に残留しているイオン性物質を、オメ
ガメ−タ６００ＳＭＤ（α−メタルズ社）にて、１５分
間測定する。
【０００９】以上の手順で得られたイオン残渣値を表
１，表２および表３に記載した。なお、比較のため半田
付け後のプリント基板を洗浄液で洗浄しないで、そのま
まイオン残渣を測定したところ、８０ＮａＣｌ−μｇ／
inch2以上の値であった。また界面活性剤を添加しない
ＲＥ溶液で同様の条件で洗浄を行ったところ、１８Ｎａ
Ｃｌ−μｇ／inch2であった。
１，表２および表３に記載した。なお、比較のため半田
付け後のプリント基板を洗浄液で洗浄しないで、そのま
まイオン残渣を測定したところ、８０ＮａＣｌ−μｇ／
inch2以上の値であった。また界面活性剤を添加しない
ＲＥ溶液で同様の条件で洗浄を行ったところ、１８Ｎａ
Ｃｌ−μｇ／inch2であった。
【００１０】
【表１】 ──────────────────────────────────── 試料 界面活性剤 ＨＬＢ イオン残渣 番号 (NaCl−μg／inch2） ──────────────────────────────────── 11 C12H25O(CH2CH2O)4H 9.7 3.3 12 C12H25O(CH2CH2O)7H 12.5 4.0 13 C12H25O(CH2CH2O)9H 13.6 3.7 14 C12H25O(CH2CH2O)12H 14.8 7.8 15 C12H25O(CH2CH2O)17H 16.0 11.3 ──────────────────────────────────── （以下余白）
【００１１】
【表２】 ──────────────────────────────────── 試料 界面活性剤 ＨＬＢ イオン残渣 番号 (NaCl−μg／inch2） ──────────────────────────────────── 21 C18H35O(CH2CH2O)4H 7.9 6.9 22 C18H35O(CH2CH2O)9H 11.9 4.1 23 C18H35O(CH2CH2O)15H 14.2 10.3 ────────────────────────────────────
【００１２】
【表３】
【００１３】実施例２ 表１記載の試料番号１２と１５の界面活性剤と、表２記
載の試料番号２１，２２および２３の界面活性剤と、表
３記載の試料番号３１，３２，３４および３５の界面活
性剤を用いて、 手順２１）濃度０〜６０ｗｔ％になるようにＲＥに各界
面活性剤を添加調整し、洗浄液を作製する。 手順２２）手順２１で得られた洗浄液５００ｍｌをトレ
−に入れ、洗浄液温度を４０℃に保持しておく。 手順２３）上記トレ−内に５．５×５．０（inch）の大
きさの半田付け後のプリント基板を完全に浸漬する。 手順２４）プリント基板を振動させて１０分間の洗浄を
行う。 手順２５）プリント基板を洗浄液より引き上げ、４０℃
に保持した５００ｍｌの水の入った別のトレ−に完全に
浸漬する。 手順２６）プリント基板を振動させ、５分間の水洗浄を
行う。 手順２７）プリント基板を水より引き上げ、さらに別の
トレ−の５００ｍｌの水に完全に浸漬する。 手順２８）プリント基板を振動させ、５分間の水洗浄を
行う。 手順２９）この後、プリント基板をトレ−より取り出
し、プリント基板に残留しているイオン性物質を、オメ
ガメ−タ６００ＳＭＤ（α−メタルズ社）にて、１５分
間測定する。以上の手順で得られたイオン残渣値と界面
活性剤の濃度の関係を図１，図２および図３に記載す
る。なお、図１から図３の各番号は界面活性剤の種類を
示すもので、表１から表３の各試料番号の界面活性剤を
示すものである。
載の試料番号２１，２２および２３の界面活性剤と、表
３記載の試料番号３１，３２，３４および３５の界面活
性剤を用いて、 手順２１）濃度０〜６０ｗｔ％になるようにＲＥに各界
面活性剤を添加調整し、洗浄液を作製する。 手順２２）手順２１で得られた洗浄液５００ｍｌをトレ
−に入れ、洗浄液温度を４０℃に保持しておく。 手順２３）上記トレ−内に５．５×５．０（inch）の大
きさの半田付け後のプリント基板を完全に浸漬する。 手順２４）プリント基板を振動させて１０分間の洗浄を
行う。 手順２５）プリント基板を洗浄液より引き上げ、４０℃
に保持した５００ｍｌの水の入った別のトレ−に完全に
浸漬する。 手順２６）プリント基板を振動させ、５分間の水洗浄を
行う。 手順２７）プリント基板を水より引き上げ、さらに別の
トレ−の５００ｍｌの水に完全に浸漬する。 手順２８）プリント基板を振動させ、５分間の水洗浄を
行う。 手順２９）この後、プリント基板をトレ−より取り出
し、プリント基板に残留しているイオン性物質を、オメ
ガメ−タ６００ＳＭＤ（α−メタルズ社）にて、１５分
間測定する。以上の手順で得られたイオン残渣値と界面
活性剤の濃度の関係を図１，図２および図３に記載す
る。なお、図１から図３の各番号は界面活性剤の種類を
示すもので、表１から表３の各試料番号の界面活性剤を
示すものである。
【００１４】実施例３ 表４に示す界面活性剤を用いて、 手順３１）濃度２０ｗｔ％になるように、ＲＥに各界面
活性剤を添加調整し、洗浄液を作製する。 手順３２）手順３１で得られた洗浄液５００ｍｌをトレ
−に入れ、洗浄液温度を１０〜６０℃の所定の温度に保
持しておく。 手順３３）上記トレ−内に５．５×５．０（inch）の大
きさの半田付け後のプリント基板を完全に浸漬する。 手順３４）プリント基板を振動させて１０分間の洗浄を
行う。 手順３５）プリント基板を洗浄液より引き上げ、４０℃
に保持した５００ｍｌの水の入った別のトレ−に完全に
浸漬する。 手順３６）プリント基板を振動させ、５分間の水洗浄を
行う。 手順３７）プリント基板を水より引き上げ、さらに別の
トレ−の５００ｍｌの水に完全に浸漬する。 手順３８）プリント基板を振動させ、５分間の水洗浄を
行う。 手順３９）この後プリント基板をトレ−より取り出し、
プリント基板に残留しているイオン性物質を、オメガメ
−タ６００ＳＭＤにて、１５分間の測定により測 定する。以上の手順で得られたイオン残渣値を表４に記
載した。
活性剤を添加調整し、洗浄液を作製する。 手順３２）手順３１で得られた洗浄液５００ｍｌをトレ
−に入れ、洗浄液温度を１０〜６０℃の所定の温度に保
持しておく。 手順３３）上記トレ−内に５．５×５．０（inch）の大
きさの半田付け後のプリント基板を完全に浸漬する。 手順３４）プリント基板を振動させて１０分間の洗浄を
行う。 手順３５）プリント基板を洗浄液より引き上げ、４０℃
に保持した５００ｍｌの水の入った別のトレ−に完全に
浸漬する。 手順３６）プリント基板を振動させ、５分間の水洗浄を
行う。 手順３７）プリント基板を水より引き上げ、さらに別の
トレ−の５００ｍｌの水に完全に浸漬する。 手順３８）プリント基板を振動させ、５分間の水洗浄を
行う。 手順３９）この後プリント基板をトレ−より取り出し、
プリント基板に残留しているイオン性物質を、オメガメ
−タ６００ＳＭＤにて、１５分間の測定により測 定する。以上の手順で得られたイオン残渣値を表４に記
載した。
【００１５】
【表４】 ──────────────────────────────────── 試料 界面活性剤 ＨＬＢ 洗浄液温度 イオン残渣 番号 (℃) (μg／inch2） ──────────────────────────────────── 41 C12H25O(CH2CH2O)7H 12.5 10 35 42 C12H25O(CH2CH2O)7H 12.5 20 23 43 C12H25O(CH2CH2O)7H 12.5 30 8.3 44 C12H25O(CH2CH2O)7H 12.5 40 4.0 45 C12H25O(CH2CH2O)7H 12.5 50 13.5 46 C12H25O(CH2CH2O)7H 12.5 60 12.3 47 C18H35O(CH2CH2O)9H 11.9 10 58 48 C18H35O(CH2CH2O)9H 11.9 40 4.1 49 C18H35O(CH2CH2O)9H 11.9 70 23 ────────────────────────────────────
【００１６】実施例４ 表５に示す界面活性剤を用いて、 手順４１）濃度２０ｗｔ％になるように、ＲＥに各界面
活性剤を添加調整し、洗浄液を作製する。 手順４２）手順４１で得られた洗浄液５００ｍｌをトレ
−に入れ、洗浄液温度を４０℃に保持しておく。 手順４３）上記トレ−内に５．５×５．０（inch）の大
きさの半田付け後のプリント基板を完全に浸漬する。 手順４４）プリント基板を振動させて１０分間の洗浄を
行う。 手順４５）プリント基板を洗浄液より引き上げ、手順４
１で得られた液５００ｍｌの入った（この液も４０℃に
保温されている。）別のトレ−に完全に浸漬する。 手順４６）プリント基板を振動させ、５分間のＲＥによ
る洗浄を行う。 手順４７）プリント基板を洗浄液より引き上げ、さらに
別のトレ−の５００ｍｌの洗浄液（手順４１で作製した
もの）に完全に浸漬する。 手順４８）プリント基板を振動させ、５分間のＲＥによ
る洗浄を行う。 手順４９）この後、プリント基板をトレ−より取り出
し、プリント基板に残留しているイオン性物質を、オメ
ガメ−タ６００ＳＭＤにて、１５分間測定する。 以上の手順で得られたイオン残渣値を表５に記載した。
活性剤を添加調整し、洗浄液を作製する。 手順４２）手順４１で得られた洗浄液５００ｍｌをトレ
−に入れ、洗浄液温度を４０℃に保持しておく。 手順４３）上記トレ−内に５．５×５．０（inch）の大
きさの半田付け後のプリント基板を完全に浸漬する。 手順４４）プリント基板を振動させて１０分間の洗浄を
行う。 手順４５）プリント基板を洗浄液より引き上げ、手順４
１で得られた液５００ｍｌの入った（この液も４０℃に
保温されている。）別のトレ−に完全に浸漬する。 手順４６）プリント基板を振動させ、５分間のＲＥによ
る洗浄を行う。 手順４７）プリント基板を洗浄液より引き上げ、さらに
別のトレ−の５００ｍｌの洗浄液（手順４１で作製した
もの）に完全に浸漬する。 手順４８）プリント基板を振動させ、５分間のＲＥによ
る洗浄を行う。 手順４９）この後、プリント基板をトレ−より取り出
し、プリント基板に残留しているイオン性物質を、オメ
ガメ−タ６００ＳＭＤにて、１５分間測定する。 以上の手順で得られたイオン残渣値を表５に記載した。
【００１７】
【表５】
【００１８】表１から表３に示したように、界面活性剤
２０％を添加した洗浄液は、界面活性剤を添加していな
いＲＥ溶液で洗浄したときのイオン残渣値１８ＮａＣｌ
−μｇ／inch2より小さい値をとっており、界面活性剤
の添加効果がうかがえる。また表１から表３で、イオン
残渣が例えば６ＮａＣｌ−μｇ／inch2以下のものは、
試料番号１１，１２，１３，２２，３２，３３，３４の
添加する界面活性剤のＨＬＢが８から１４の範囲のもの
であり、界面活性剤の親油基、即ち −Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2
Ｏ）nＨ 以外の部分の種類依存性が少ないこともわか
る。またこれらの界面活性剤の濃度を変えた場合、図１
の１２、図２の２２、図３の３２や３４は濃度範囲が１
０〜２０ｗｔ％近傍で最もイオン残渣が小さくなり洗浄
効果があがっており、４０％を超えると急激に洗浄効果
が衰えている。
２０％を添加した洗浄液は、界面活性剤を添加していな
いＲＥ溶液で洗浄したときのイオン残渣値１８ＮａＣｌ
−μｇ／inch2より小さい値をとっており、界面活性剤
の添加効果がうかがえる。また表１から表３で、イオン
残渣が例えば６ＮａＣｌ−μｇ／inch2以下のものは、
試料番号１１，１２，１３，２２，３２，３３，３４の
添加する界面活性剤のＨＬＢが８から１４の範囲のもの
であり、界面活性剤の親油基、即ち −Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2
Ｏ）nＨ 以外の部分の種類依存性が少ないこともわか
る。またこれらの界面活性剤の濃度を変えた場合、図１
の１２、図２の２２、図３の３２や３４は濃度範囲が１
０〜２０ｗｔ％近傍で最もイオン残渣が小さくなり洗浄
効果があがっており、４０％を超えると急激に洗浄効果
が衰えている。
【００１９】洗浄液の温度の効果は表４から明らかなよ
うに、また水洗効果は、表５の結果と表２や表３を比較
すると明らかなように、３０〜６０℃の範囲でＭＩＬ−
Ｐ−２８８０９Ａの規程値１４μｇ−ＮａＣｌ／inch2
以下であり、特に４０℃近辺が望ましい。水洗の効果
は、表５で明らかなように、水洗を行わない場合、イオ
ン残渣は何れも３０μｇ−ＮａＣｌ／inch2以上となっ
ており、本発明の洗浄液で洗浄したのち、充分な水洗浄
を行わないと、イオン残渣は落ちきれないことがわか
る。従って、本発明の洗浄液、即ち非イオン界面活性剤
を望ましくは４０重量％以下含有するＲＥで、洗浄液温
度３０〜６０℃の範囲で洗浄した後、水を用いてプリン
ト基板の表面に残った洗浄液とイオン性物質をすすぎと
ることにより、良好な洗浄性が生じる。
うに、また水洗効果は、表５の結果と表２や表３を比較
すると明らかなように、３０〜６０℃の範囲でＭＩＬ−
Ｐ−２８８０９Ａの規程値１４μｇ−ＮａＣｌ／inch2
以下であり、特に４０℃近辺が望ましい。水洗の効果
は、表５で明らかなように、水洗を行わない場合、イオ
ン残渣は何れも３０μｇ−ＮａＣｌ／inch2以上となっ
ており、本発明の洗浄液で洗浄したのち、充分な水洗浄
を行わないと、イオン残渣は落ちきれないことがわか
る。従って、本発明の洗浄液、即ち非イオン界面活性剤
を望ましくは４０重量％以下含有するＲＥで、洗浄液温
度３０〜６０℃の範囲で洗浄した後、水を用いてプリン
ト基板の表面に残った洗浄液とイオン性物質をすすぎと
ることにより、良好な洗浄性が生じる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればプ
リント基板上に残留するロジンフラックスをはじめとす
る不要物を、フロンやクロロカ−ボン等の有害物質を使
用することなく効果的に洗浄することができる。
リント基板上に残留するロジンフラックスをはじめとす
る不要物を、フロンやクロロカ−ボン等の有害物質を使
用することなく効果的に洗浄することができる。
【図１】界面活性剤濃度とイオン残渣との関係を示した
図である。
図である。
【図２】界面活性剤濃度とイオン残渣との関係を示した
図である。
図である。
【図３】界面活性剤濃度とイオン残渣との関係を示した
図である。
図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 構造式： 【化１】 で示される溶媒に、ＨＬＢ（ Hydrophile- Lipophile-
Balance ）が８〜１４の範囲であって、添加量が４０重
量％以下の非イオン界面活性剤を添加したことを特徴と
するプリント基板洗浄液。 - 【請求項２】 請求項１に記載のプリント基板洗浄液を
用いて３０〜６０℃の温度範囲で洗浄する工程と、水で
リンスする工程とからなることを特徴とするプリント基
板洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41292890A JP2953063B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | プリント基板洗浄液および洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41292890A JP2953063B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | プリント基板洗浄液および洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04222900A JPH04222900A (ja) | 1992-08-12 |
| JP2953063B2 true JP2953063B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=18521668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41292890A Expired - Lifetime JP2953063B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | プリント基板洗浄液および洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2953063B2 (ja) |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP41292890A patent/JP2953063B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04222900A (ja) | 1992-08-12 |
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