JPH0342829A - 透明導電膜のエッチャント - Google Patents
透明導電膜のエッチャントInfo
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- JPH0342829A JPH0342829A JP1177043A JP17704389A JPH0342829A JP H0342829 A JPH0342829 A JP H0342829A JP 1177043 A JP1177043 A JP 1177043A JP 17704389 A JP17704389 A JP 17704389A JP H0342829 A JPH0342829 A JP H0342829A
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- Japan
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- etchant
- hydrochloric acid
- transparent conductive
- ferric chloride
- conductive film
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- Pending
Links
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- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 9
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、透明導電膜のエッチャントに関する。
酸化インジウムにスズを添加した透明導電膜（以下、Ｉ
ＴＯと記す）は、液晶表示パネルや太陽電池などに使用
されている。液晶表示パネルにおいては、近年アクティ
ブマトリックス方式の採用により高密度化が進み、ＩＴ
Ｏの微細パターンのエツチングが望まれている。
ＴＯと記す）は、液晶表示パネルや太陽電池などに使用
されている。液晶表示パネルにおいては、近年アクティ
ブマトリックス方式の採用により高密度化が進み、ＩＴ
Ｏの微細パターンのエツチングが望まれている。
ＩＴＯのエッチインドのエッチャントとしては、塩化水
素が代表的であるが、ウェットエツチングのような等方
性エツチングでは、サイドエッチ量を抑え微細パターン
を得るため、エッチャントのエツチングレイトを増加す
る、必要がある。
素が代表的であるが、ウェットエツチングのような等方
性エツチングでは、サイドエッチ量を抑え微細パターン
を得るため、エッチャントのエツチングレイトを増加す
る、必要がある。
ＩＴＯのエッチャントとしては、例えば、特公昭５５−
２１９７０号公報に記載のものがある。
２１９７０号公報に記載のものがある。
この公報に開示されているエッチャントは、下記に記載
するよ５ ｆｘ塩化第２鉄（ＦｅＣｌ、）と塩酸（ＭＣ
Ｉ）とを主成分とする加温エツチング液を使用している
。
するよ５ ｆｘ塩化第２鉄（ＦｅＣｌ、）と塩酸（ＭＣ
Ｉ）とを主成分とする加温エツチング液を使用している
。
エッチャント：塩化第２鉄（４３” Ｂｅ ）２００
ｃｃと塩酸（３６％）１００ｃｃとより なる溶液 液 温：５０’Ｃ 〔発明が解決しようとする課題〕 従来のＩＴＯエッチャントは、５０℃に加熱し、かつ塩
素濃度が高いため、塩素ガスの発生が激しく、危険であ
る。
ｃｃと塩酸（３６％）１００ｃｃとより なる溶液 液 温：５０’Ｃ 〔発明が解決しようとする課題〕 従来のＩＴＯエッチャントは、５０℃に加熱し、かつ塩
素濃度が高いため、塩素ガスの発生が激しく、危険であ
る。
本発明の目的は、このような課題を解決し、安全性に優
れ、かつ微細パターンのエツチングが可能なＩＴＯエッ
チャントを提供することである。
れ、かつ微細パターンのエツチングが可能なＩＴＯエッ
チャントを提供することである。
上記の目的は、塩化第２鉄を１３０ｇ／ｌ〜２００ｇ／
ｌと塩酸７０ ｇ ／ ｌ−１３０ｇ ／ ｌとを含み
、かつ液温か３５℃〜４５℃の水溶液を用いることによ
って解決される。
ｌと塩酸７０ ｇ ／ ｌ−１３０ｇ ／ ｌとを含み
、かつ液温か３５℃〜４５℃の水溶液を用いることによ
って解決される。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は、塩化第２鉄（４３°Ｂｅ）と塩酸（３６％）
と王水と水とを任意の体積比で混合した液温４０℃のエ
ッチャントのエツチングレイトを比較したグラフであり
、第１図における（１）は本発明によるエッチャント、
第１図における（２）は従来法によるエラチャントナそ
れぞれ示し、第２図は本発明によるエッチャントの液温
とエツチングレイトの関係な示すグラフである。以下、
第１図と第２図な参照して説明する。
と王水と水とを任意の体積比で混合した液温４０℃のエ
ッチャントのエツチングレイトを比較したグラフであり
、第１図における（１）は本発明によるエッチャント、
第１図における（２）は従来法によるエラチャントナそ
れぞれ示し、第２図は本発明によるエッチャントの液温
とエツチングレイトの関係な示すグラフである。以下、
第１図と第２図な参照して説明する。
ガラス基板上に、インライン式スパッタリング法を用い
て下記に記載する条件によりＩＴＯを２００ｎｍ〜５０
０ｎｍ形成する。さらにＩＴＯ上に感光性樹脂を形成し
、フォトリソグラフィにより所定の形状にパターニング
する。
て下記に記載する条件によりＩＴＯを２００ｎｍ〜５０
０ｎｍ形成する。さらにＩＴＯ上に感光性樹脂を形成し
、フォトリソグラフィにより所定の形状にパターニング
する。
ターゲット・・・・・・Ｉ ＴＯ（Ｓｎ０２５ｗｔ％〜
１０ｗｔ％含有） ガス種・・・・・・・・・・・・Ａｒまたは０２または
それらの混合ガス ガス圧・・・・・・・・・・・・１ｍｍｔｏｒｒ〜１０
ｍｍｔｏｒｒＲ，Ｆ電力−−０，５Ｗ ／ ｃｎｔ〜５
Ｗ ／ ｃｎｌ基板移動速度・・・０．１ｃｍ／ｍｉ
ｎ〜１０ｃｍ／ｍｉｎ基板温度・・・・・・・・・１０
０℃〜５００°にのガラス基板を、塩化第２鉄（４３°
Ｂｅ）を４００ ｃ ｃ、塩酸（３６％）を３００
ｃ ｃ、水２００ｃｃよりなる４０℃に加熱された液に
浸漬し、ＩＴＯのエツチングを行う。
１０ｗｔ％含有） ガス種・・・・・・・・・・・・Ａｒまたは０２または
それらの混合ガス ガス圧・・・・・・・・・・・・１ｍｍｔｏｒｒ〜１０
ｍｍｔｏｒｒＲ，Ｆ電力−−０，５Ｗ ／ ｃｎｔ〜５
Ｗ ／ ｃｎｌ基板移動速度・・・０．１ｃｍ／ｍｉ
ｎ〜１０ｃｍ／ｍｉｎ基板温度・・・・・・・・・１０
０℃〜５００°にのガラス基板を、塩化第２鉄（４３°
Ｂｅ）を４００ ｃ ｃ、塩酸（３６％）を３００
ｃ ｃ、水２００ｃｃよりなる４０℃に加熱された液に
浸漬し、ＩＴＯのエツチングを行う。
第１図に示すように、従来法によるエッチャント２、あ
るいは王水と水を２：１の割合で混合した王水：水＝２
＝１のエッチャント６はエツチングレイトが４’Ｏｎｍ
／ｍｉｎ以上あり、微細パターンのエツチングが可能で
あるが、４０℃の液温であっても塩素ガスの発生が激し
い。しかし、本発明によるエッチャント１のエツチング
レイトは、２５ｎｍ／ｍｉｎであり、従来法によるエッ
チャント２のエツチングレイトの８分の５であるが、そ
の他のエッチャントに比ベエッチングレイトは十分早（
、従来法によるエッチャントと同様、２μ〜３μのパタ
ーンまでパターニング可能である。
るいは王水と水を２：１の割合で混合した王水：水＝２
＝１のエッチャント６はエツチングレイトが４’Ｏｎｍ
／ｍｉｎ以上あり、微細パターンのエツチングが可能で
あるが、４０℃の液温であっても塩素ガスの発生が激し
い。しかし、本発明によるエッチャント１のエツチング
レイトは、２５ｎｍ／ｍｉｎであり、従来法によるエッ
チャント２のエツチングレイトの８分の５であるが、そ
の他のエッチャントに比ベエッチングレイトは十分早（
、従来法によるエッチャントと同様、２μ〜３μのパタ
ーンまでパターニング可能である。
また、塩素ガスの発生はほとんどない。
また、第２図に示すように、本発明によるエツチング液
は、本発明で使用する温度範囲において、エツチングレ
イトの変化が少なく、安定である。
は、本発明で使用する温度範囲において、エツチングレ
イトの変化が少なく、安定である。
なお、本実施例では塩化第２鉄２００ｇ／ｌと塩酸１２
０ｇ／Ａ！とを含み、液温４０℃の水溶液を用いて説明
を行ったが、１３０ｇ／ｌ〜２４０ｇ ／ ｌ範囲の塩
化第２鉄と、７０ ｇ ／ ６〜１３０ｇ ／ ｌ範囲
の塩酸とを含み、液温３８°Ｃ〜４５６Ｃの範囲の水溶
液を用いても同様の効果が得られる。
０ｇ／Ａ！とを含み、液温４０℃の水溶液を用いて説明
を行ったが、１３０ｇ／ｌ〜２４０ｇ ／ ｌ範囲の塩
化第２鉄と、７０ ｇ ／ ６〜１３０ｇ ／ ｌ範囲
の塩酸とを含み、液温３８°Ｃ〜４５６Ｃの範囲の水溶
液を用いても同様の効果が得られる。
しかし、塩化第２鉄１３０ ｇ／ｌ以下あるいは塩酸７
０ｇ／ｌ以下あるいは液温３５℃以下であるとエツチン
グレイトが低下し微細パターンのエツチングが困難であ
り、また、塩化第２鉄２４０ｇ ／ ｌ以下あるいは塩
酸１３０ｇ／１以上あるいは液温４５℃以上であると塩
素ガスが発生し、本発明のような効果は得られない。
０ｇ／ｌ以下あるいは液温３５℃以下であるとエツチン
グレイトが低下し微細パターンのエツチングが困難であ
り、また、塩化第２鉄２４０ｇ ／ ｌ以下あるいは塩
酸１３０ｇ／１以上あるいは液温４５℃以上であると塩
素ガスが発生し、本発明のような効果は得られない。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば塩素ガス
の発生がほとんどなく、安全性に優れ、安定で、かつＩ
ＴＯを微細にエツチングすることが可能である。
の発生がほとんどなく、安全性に優れ、安定で、かつＩ
ＴＯを微細にエツチングすることが可能である。
第１図は、従来及び本発明に係る塩化第２鉄（４３°Ｂ
ｅ）と塩酸（３６％）と王水と水とを任意の体積比で混
合した液温４０℃のエッチャントにおけるＩＴＯのエツ
チングレイトを比較したグラフ、第２図は本発明による
エッチャントの液温とエツチングレイトの関係を示すグ
ラフである。 １・・・・・・本発明によるエッチャント、２・・・・
・・従来法によるエッチャント、６・・・・・・王水：
水＝２＝１のエッチャント。 第１図 第２図 刃 ０ ０ ■ 液温（°Ｃ）
ｅ）と塩酸（３６％）と王水と水とを任意の体積比で混
合した液温４０℃のエッチャントにおけるＩＴＯのエツ
チングレイトを比較したグラフ、第２図は本発明による
エッチャントの液温とエツチングレイトの関係を示すグ
ラフである。 １・・・・・・本発明によるエッチャント、２・・・・
・・従来法によるエッチャント、６・・・・・・王水：
水＝２＝１のエッチャント。 第１図 第２図 刃 ０ ０ ■ 液温（°Ｃ）
Claims (1)
- 酸化インジウムにスズを添加した透明導電膜のエッチン
グにおいて、塩化第２鉄を１３０ｇ／ｌ〜２４０ｇ／ｌ
と塩酸７０ｇ／ｌ〜１３０ｇ／ｌとを含み、かつ液温が
３５℃〜４５℃の水溶液であることを特徴とする透明導
電膜のエッチャント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177043A JPH0342829A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 透明導電膜のエッチャント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177043A JPH0342829A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 透明導電膜のエッチャント |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342829A true JPH0342829A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16024140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1177043A Pending JPH0342829A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 透明導電膜のエッチャント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342829A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1055016A1 (en) * | 1998-02-10 | 2000-11-29 | Feldman Technology Corporation | Method for etching |
| JP2002299326A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 透明導電膜のエッチング液 |
| JP2008547232A (ja) * | 2005-07-04 | 2008-12-25 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物透明導電層のエッチング用の媒体 |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1177043A patent/JPH0342829A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1055016A1 (en) * | 1998-02-10 | 2000-11-29 | Feldman Technology Corporation | Method for etching |
| EP1055016A4 (en) * | 1998-02-10 | 2005-09-21 | Feldman Technology Corp | METHOD OF METALING |
| US7115212B2 (en) | 1998-02-10 | 2006-10-03 | Feldman Technology Corporation | Method for etching |
| JP2002299326A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 透明導電膜のエッチング液 |
| JP2008547232A (ja) * | 2005-07-04 | 2008-12-25 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物透明導電層のエッチング用の媒体 |
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