JPH0342829A - 透明導電膜のエッチャント - Google Patents
透明導電膜のエッチャントInfo
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- JPH0342829A JPH0342829A JP1177043A JP17704389A JPH0342829A JP H0342829 A JPH0342829 A JP H0342829A JP 1177043 A JP1177043 A JP 1177043A JP 17704389 A JP17704389 A JP 17704389A JP H0342829 A JPH0342829 A JP H0342829A
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- etchant
- hydrochloric acid
- transparent conductive
- ferric chloride
- conductive film
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- Pending
Links
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- PYRZPBDTPRQYKG-UHFFFAOYSA-N cyclopentene-1-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CCCC1 PYRZPBDTPRQYKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、透明導電膜のエッチャントに関する。
酸化インジウムにスズを添加した透明導電膜（以下、Ｉ
ＴＯと記す）は、液晶表示パネルや太陽電池などに使用
されている。液晶表示パネルにおいては、近年アクティ
ブマトリックス方式の採用により高密度化が進み、ＩＴ
Ｏの微細パターンのエツチングが望まれている。
ＴＯと記す）は、液晶表示パネルや太陽電池などに使用
されている。液晶表示パネルにおいては、近年アクティ
ブマトリックス方式の採用により高密度化が進み、ＩＴ
Ｏの微細パターンのエツチングが望まれている。
ＩＴＯのエッチインドのエッチャントとしては、塩化水
素が代表的であるが、ウェットエツチングのような等方
性エツチングでは、サイドエッチ量を抑え微細パターン
を得るため、エッチャントのエツチングレイトを増加す
る、必要がある。
素が代表的であるが、ウェットエツチングのような等方
性エツチングでは、サイドエッチ量を抑え微細パターン
を得るため、エッチャントのエツチングレイトを増加す
る、必要がある。
ＩＴＯのエッチャントとしては、例えば、特公昭５５−
２１９７０号公報に記載のものがある。
２１９７０号公報に記載のものがある。
この公報に開示されているエッチャントは、下記に記載
するよ５ ｆｘ塩化第２鉄（ＦｅＣｌ、）と塩酸（ＭＣ
Ｉ）とを主成分とする加温エツチング液を使用している
。
するよ５ ｆｘ塩化第２鉄（ＦｅＣｌ、）と塩酸（ＭＣ
Ｉ）とを主成分とする加温エツチング液を使用している
。
エッチャント：塩化第２鉄（４３” Ｂｅ ）２００
ｃｃと塩酸（３６％）１００ｃｃとより なる溶液 液 温：５０’Ｃ 〔発明が解決しようとする課題〕 従来のＩＴＯエッチャントは、５０℃に加熱し、かつ塩
素濃度が高いため、塩素ガスの発生が激しく、危険であ
る。
ｃｃと塩酸（３６％）１００ｃｃとより なる溶液 液 温：５０’Ｃ 〔発明が解決しようとする課題〕 従来のＩＴＯエッチャントは、５０℃に加熱し、かつ塩
素濃度が高いため、塩素ガスの発生が激しく、危険であ
る。
本発明の目的は、このような課題を解決し、安全性に優
れ、かつ微細パターンのエツチングが可能なＩＴＯエッ
チャントを提供することである。
れ、かつ微細パターンのエツチングが可能なＩＴＯエッ
チャントを提供することである。
上記の目的は、塩化第２鉄を１３０ｇ／ｌ〜２００ｇ／
ｌと塩酸７０ ｇ ／ ｌ−１３０ｇ ／ ｌとを含み
、かつ液温か３５℃〜４５℃の水溶液を用いることによ
って解決される。
ｌと塩酸７０ ｇ ／ ｌ−１３０ｇ ／ ｌとを含み
、かつ液温か３５℃〜４５℃の水溶液を用いることによ
って解決される。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は、塩化第２鉄（４３°Ｂｅ）と塩酸（３６％）
と王水と水とを任意の体積比で混合した液温４０℃のエ
ッチャントのエツチングレイトを比較したグラフであり
、第１図における（１）は本発明によるエッチャント、
第１図における（２）は従来法によるエラチャントナそ
れぞれ示し、第２図は本発明によるエッチャントの液温
とエツチングレイトの関係な示すグラフである。以下、
第１図と第２図な参照して説明する。
と王水と水とを任意の体積比で混合した液温４０℃のエ
ッチャントのエツチングレイトを比較したグラフであり
、第１図における（１）は本発明によるエッチャント、
第１図における（２）は従来法によるエラチャントナそ
れぞれ示し、第２図は本発明によるエッチャントの液温
とエツチングレイトの関係な示すグラフである。以下、
第１図と第２図な参照して説明する。
ガラス基板上に、インライン式スパッタリング法を用い
て下記に記載する条件によりＩＴＯを２００ｎｍ〜５０
０ｎｍ形成する。さらにＩＴＯ上に感光性樹脂を形成し
、フォトリソグラフィにより所定の形状にパターニング
する。
て下記に記載する条件によりＩＴＯを２００ｎｍ〜５０
０ｎｍ形成する。さらにＩＴＯ上に感光性樹脂を形成し
、フォトリソグラフィにより所定の形状にパターニング
する。
ターゲット・・・・・・Ｉ ＴＯ（Ｓｎ０２５ｗｔ％〜
１０ｗｔ％含有） ガス種・・・・・・・・・・・・Ａｒまたは０２または
それらの混合ガス ガス圧・・・・・・・・・・・・１ｍｍｔｏｒｒ〜１０
ｍｍｔｏｒｒＲ，Ｆ電力−−０，５Ｗ ／ ｃｎｔ〜５
Ｗ ／ ｃｎｌ基板移動速度・・・０．１ｃｍ／ｍｉ
ｎ〜１０ｃｍ／ｍｉｎ基板温度・・・・・・・・・１０
０℃〜５００°にのガラス基板を、塩化第２鉄（４３°
Ｂｅ）を４００ ｃ ｃ、塩酸（３６％）を３００
ｃ ｃ、水２００ｃｃよりなる４０℃に加熱された液に
浸漬し、ＩＴＯのエツチングを行う。
１０ｗｔ％含有） ガス種・・・・・・・・・・・・Ａｒまたは０２または
それらの混合ガス ガス圧・・・・・・・・・・・・１ｍｍｔｏｒｒ〜１０
ｍｍｔｏｒｒＲ，Ｆ電力−−０，５Ｗ ／ ｃｎｔ〜５
Ｗ ／ ｃｎｌ基板移動速度・・・０．１ｃｍ／ｍｉ
ｎ〜１０ｃｍ／ｍｉｎ基板温度・・・・・・・・・１０
０℃〜５００°にのガラス基板を、塩化第２鉄（４３°
Ｂｅ）を４００ ｃ ｃ、塩酸（３６％）を３００
ｃ ｃ、水２００ｃｃよりなる４０℃に加熱された液に
浸漬し、ＩＴＯのエツチングを行う。
第１図に示すように、従来法によるエッチャント２、あ
るいは王水と水を２：１の割合で混合した王水：水＝２
＝１のエッチャント６はエツチングレイトが４’Ｏｎｍ
／ｍｉｎ以上あり、微細パターンのエツチングが可能で
あるが、４０℃の液温であっても塩素ガスの発生が激し
い。しかし、本発明によるエッチャント１のエツチング
レイトは、２５ｎｍ／ｍｉｎであり、従来法によるエッ
チャント２のエツチングレイトの８分の５であるが、そ
の他のエッチャントに比ベエッチングレイトは十分早（
、従来法によるエッチャントと同様、２μ〜３μのパタ
ーンまでパターニング可能である。
るいは王水と水を２：１の割合で混合した王水：水＝２
＝１のエッチャント６はエツチングレイトが４’Ｏｎｍ
／ｍｉｎ以上あり、微細パターンのエツチングが可能で
あるが、４０℃の液温であっても塩素ガスの発生が激し
い。しかし、本発明によるエッチャント１のエツチング
レイトは、２５ｎｍ／ｍｉｎであり、従来法によるエッ
チャント２のエツチングレイトの８分の５であるが、そ
の他のエッチャントに比ベエッチングレイトは十分早（
、従来法によるエッチャントと同様、２μ〜３μのパタ
ーンまでパターニング可能である。
また、塩素ガスの発生はほとんどない。
また、第２図に示すように、本発明によるエツチング液
は、本発明で使用する温度範囲において、エツチングレ
イトの変化が少なく、安定である。
は、本発明で使用する温度範囲において、エツチングレ
イトの変化が少なく、安定である。
なお、本実施例では塩化第２鉄２００ｇ／ｌと塩酸１２
０ｇ／Ａ！とを含み、液温４０℃の水溶液を用いて説明
を行ったが、１３０ｇ／ｌ〜２４０ｇ ／ ｌ範囲の塩
化第２鉄と、７０ ｇ ／ ６〜１３０ｇ ／ ｌ範囲
の塩酸とを含み、液温３８°Ｃ〜４５６Ｃの範囲の水溶
液を用いても同様の効果が得られる。
０ｇ／Ａ！とを含み、液温４０℃の水溶液を用いて説明
を行ったが、１３０ｇ／ｌ〜２４０ｇ ／ ｌ範囲の塩
化第２鉄と、７０ ｇ ／ ６〜１３０ｇ ／ ｌ範囲
の塩酸とを含み、液温３８°Ｃ〜４５６Ｃの範囲の水溶
液を用いても同様の効果が得られる。
しかし、塩化第２鉄１３０ ｇ／ｌ以下あるいは塩酸７
０ｇ／ｌ以下あるいは液温３５℃以下であるとエツチン
グレイトが低下し微細パターンのエツチングが困難であ
り、また、塩化第２鉄２４０ｇ ／ ｌ以下あるいは塩
酸１３０ｇ／１以上あるいは液温４５℃以上であると塩
素ガスが発生し、本発明のような効果は得られない。
０ｇ／ｌ以下あるいは液温３５℃以下であるとエツチン
グレイトが低下し微細パターンのエツチングが困難であ
り、また、塩化第２鉄２４０ｇ ／ ｌ以下あるいは塩
酸１３０ｇ／１以上あるいは液温４５℃以上であると塩
素ガスが発生し、本発明のような効果は得られない。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば塩素ガス
の発生がほとんどなく、安全性に優れ、安定で、かつＩ
ＴＯを微細にエツチングすることが可能である。
の発生がほとんどなく、安全性に優れ、安定で、かつＩ
ＴＯを微細にエツチングすることが可能である。
第１図は、従来及び本発明に係る塩化第２鉄（４３°Ｂ
ｅ）と塩酸（３６％）と王水と水とを任意の体積比で混
合した液温４０℃のエッチャントにおけるＩＴＯのエツ
チングレイトを比較したグラフ、第２図は本発明による
エッチャントの液温とエツチングレイトの関係を示すグ
ラフである。 １・・・・・・本発明によるエッチャント、２・・・・
・・従来法によるエッチャント、６・・・・・・王水：
水＝２＝１のエッチャント。 第１図 第２図 刃 ０ ０ ■ 液温（°Ｃ）
ｅ）と塩酸（３６％）と王水と水とを任意の体積比で混
合した液温４０℃のエッチャントにおけるＩＴＯのエツ
チングレイトを比較したグラフ、第２図は本発明による
エッチャントの液温とエツチングレイトの関係を示すグ
ラフである。 １・・・・・・本発明によるエッチャント、２・・・・
・・従来法によるエッチャント、６・・・・・・王水：
水＝２＝１のエッチャント。 第１図 第２図 刃 ０ ０ ■ 液温（°Ｃ）
Claims (1)
- 酸化インジウムにスズを添加した透明導電膜のエッチン
グにおいて、塩化第２鉄を１３０ｇ／ｌ〜２４０ｇ／ｌ
と塩酸７０ｇ／ｌ〜１３０ｇ／ｌとを含み、かつ液温が
３５℃〜４５℃の水溶液であることを特徴とする透明導
電膜のエッチャント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177043A JPH0342829A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 透明導電膜のエッチャント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177043A JPH0342829A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 透明導電膜のエッチャント |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342829A true JPH0342829A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16024140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1177043A Pending JPH0342829A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 透明導電膜のエッチャント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342829A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299326A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 透明導電膜のエッチング液 |
| EP1055016A4 (en) * | 1998-02-10 | 2005-09-21 | Feldman Technology Corp | CHEMICAL ATTACK METHOD |
| JP2008547232A (ja) * | 2005-07-04 | 2008-12-25 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物透明導電層のエッチング用の媒体 |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1177043A patent/JPH0342829A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1055016A4 (en) * | 1998-02-10 | 2005-09-21 | Feldman Technology Corp | CHEMICAL ATTACK METHOD |
| US7115212B2 (en) | 1998-02-10 | 2006-10-03 | Feldman Technology Corporation | Method for etching |
| JP2002299326A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 透明導電膜のエッチング液 |
| JP2008547232A (ja) * | 2005-07-04 | 2008-12-25 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物透明導電層のエッチング用の媒体 |
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