JP3353281B2 - 誘電体光学材料の微細加工方法 - Google Patents
誘電体光学材料の微細加工方法Info
- Publication number
- JP3353281B2 JP3353281B2 JP19512193A JP19512193A JP3353281B2 JP 3353281 B2 JP3353281 B2 JP 3353281B2 JP 19512193 A JP19512193 A JP 19512193A JP 19512193 A JP19512193 A JP 19512193A JP 3353281 B2 JP3353281 B2 JP 3353281B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- optical material
- etching
- dielectric optical
- linbo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、通信情報処理分野に
おける光部品の基板材料として広く用いられる誘電体光
学材料表面の微細加工方法に関するものである。
おける光部品の基板材料として広く用いられる誘電体光
学材料表面の微細加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、誘電体光学材料表面に回折格子等
を作り込む微細加工方法としては、例えば特開平３−２
５３８０２号公報がある。これによると、誘電体光学材
料としてＬｉＮｂＯ3 を用い、金属Ｔｉ膜をマスクとし
てＬｉＮｂＯ3 表面の微細加工（エッチング）を行って
いる。
を作り込む微細加工方法としては、例えば特開平３−２
５３８０２号公報がある。これによると、誘電体光学材
料としてＬｉＮｂＯ3 を用い、金属Ｔｉ膜をマスクとし
てＬｉＮｂＯ3 表面の微細加工（エッチング）を行って
いる。
【０００３】このＬｉＮｂＯ3 表面のエッチングは、エ
ッチングガスとして反応性ガスＣＦ4 と不活性ガスＡｒ
との混合ガス、あるいはＣＦ4 とＮ2 との混合ガスを用
いて反応性イオンエッチング（RIE:Reactive Ion Etchi
ng）を行っている。
ッチングガスとして反応性ガスＣＦ4 と不活性ガスＡｒ
との混合ガス、あるいはＣＦ4 とＮ2 との混合ガスを用
いて反応性イオンエッチング（RIE:Reactive Ion Etchi
ng）を行っている。
【０００４】この時のエッチング条件は、所定比率の混
合ガスを用いて高周波電力印加パワー密度（以下、ＲＦ
電力印加パワー密度という）１．２７〜３．８２Ｗ／ｃ
ｍ2の範囲内において、最大１４ｎｍ／分程度のエッチ
ングレートを実現している。
合ガスを用いて高周波電力印加パワー密度（以下、ＲＦ
電力印加パワー密度という）１．２７〜３．８２Ｗ／ｃ
ｍ2の範囲内において、最大１４ｎｍ／分程度のエッチ
ングレートを実現している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の誘電体光学材料
の微細加工方法は以上のように、エッチングガスとして
反応性ガスＣＦ4 と不活性ガスＡｒとの混合ガス、ある
いはＣＦ4 とＮ2 との混合ガスを用いて微細加工（ドラ
イエッチング）を行っているので、エッチングレートが
小さく、また大きなＲＦ電力印加パワー密度が要求さ
れ、かつ微細加工（上記混合ガスを用いたドライエッチ
ング）された誘電体光学材料表面が荒れてしまうという
>課題があった。
の微細加工方法は以上のように、エッチングガスとして
反応性ガスＣＦ4 と不活性ガスＡｒとの混合ガス、ある
いはＣＦ4 とＮ2 との混合ガスを用いて微細加工（ドラ
イエッチング）を行っているので、エッチングレートが
小さく、また大きなＲＦ電力印加パワー密度が要求さ
れ、かつ微細加工（上記混合ガスを用いたドライエッチ
ング）された誘電体光学材料表面が荒れてしまうという
>課題があった。
【０００６】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、エッチングレートを大きくすると
もに、同じエッチングレートならばさらに低ＲＦ電力印
加パワー密度化を実現し、微細加工後の誘電体光学材料
表面の平滑化を実現する誘電体光学材料の微細加工方法
を提供することを目的とする。
めになされたもので、エッチングレートを大きくすると
もに、同じエッチングレートならばさらに低ＲＦ電力印
加パワー密度化を実現し、微細加工後の誘電体光学材料
表面の平滑化を実現する誘電体光学材料の微細加工方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る誘電体光
学材料の微細加工方法は、誘電体光学材料の表面をドラ
イエッチングすることにより、この誘電体光学材料表面
に微細パターンを形成する場合、エッチングガスとして
フロン系エッチングガス（反応性ガス）にハロゲン（以
下、明細書中でハロゲンと記載する場合は、Ｆを含まな
いＣｌあるいはＢｒ等の元素を示唆するものとして記載
する）を含むガスを添加した混合ガスを使用することを
特徴としている。
学材料の微細加工方法は、誘電体光学材料の表面をドラ
イエッチングすることにより、この誘電体光学材料表面
に微細パターンを形成する場合、エッチングガスとして
フロン系エッチングガス（反応性ガス）にハロゲン（以
下、明細書中でハロゲンと記載する場合は、Ｆを含まな
いＣｌあるいはＢｒ等の元素を示唆するものとして記載
する）を含むガスを添加した混合ガスを使用することを
特徴としている。
【０００８】特に、上記誘電体光学材料としてはＬｉＮ
ｂＯ3 、またエッチングガスとしては反応性ガスである
フロン系エッチングガス（Ｃ2 Ｆ6 ガスあるいはＣＦ4
ガス）と、例えばＣｌあるいはＢｒ等のハロゲン（Ｆ含
まず）を含むガスとの混合ガスを用いる。
ｂＯ3 、またエッチングガスとしては反応性ガスである
フロン系エッチングガス（Ｃ2 Ｆ6 ガスあるいはＣＦ4
ガス）と、例えばＣｌあるいはＢｒ等のハロゲン（Ｆ含
まず）を含むガスとの混合ガスを用いる。
【０００９】
【作用】この発明における誘電体光学材料の微細加工方
法は、エッチングガスとしてフロン系エッチングガス
（反応性ガス）にハロゲンを含むガスを添加した混合ガ
スを使用して、ドライエッチングにより誘電体光学材料
表面の微細加工を行っているが、このドライエッチング
は、フロン系エッチングガス及びハロゲン系ガスがＬｉ
ＮｂＯ3 表面のＬｉ及びＮｂとそれぞれ反応し、気化す
ることにより進行する。
法は、エッチングガスとしてフロン系エッチングガス
（反応性ガス）にハロゲンを含むガスを添加した混合ガ
スを使用して、ドライエッチングにより誘電体光学材料
表面の微細加工を行っているが、このドライエッチング
は、フロン系エッチングガス及びハロゲン系ガスがＬｉ
ＮｂＯ3 表面のＬｉ及びＮｂとそれぞれ反応し、気化す
ることにより進行する。
【００１０】具体的には、以下の表１に示すように、Ｎ
ｂ（ニオブ）のハロゲン化合物（例えばＮｂＣｌ5 ）の
沸点は２５４℃であり、フッ化物（例えばＮｂＦ5 ）の
沸点（２３６℃）とほぼ同じである一方、Ｌｉ（リチウ
ム）のハロゲン化合物（例えばＬｉＣｌ、ＬｉＣｌ
Ｏ3 、ＬｉＣｌＯ4 ）の沸点は、それぞれ１３２５℃、
３００℃、４３０℃であり、フッ化物（例えばＬｉＦ）
の沸点（１６７６℃）と比較して低いことから気化しや
すいので、エッチングの高速化（エッチングエートを大
きくする）を実現することができ、また同一エッチング
レートであれば低ＲＦ電力印加パワー密度で実現するこ
とができるとともに、微細加工された誘電体光学材料表
面の平滑化が実現できる。
ｂ（ニオブ）のハロゲン化合物（例えばＮｂＣｌ5 ）の
沸点は２５４℃であり、フッ化物（例えばＮｂＦ5 ）の
沸点（２３６℃）とほぼ同じである一方、Ｌｉ（リチウ
ム）のハロゲン化合物（例えばＬｉＣｌ、ＬｉＣｌ
Ｏ3 、ＬｉＣｌＯ4 ）の沸点は、それぞれ１３２５℃、
３００℃、４３０℃であり、フッ化物（例えばＬｉＦ）
の沸点（１６７６℃）と比較して低いことから気化しや
すいので、エッチングの高速化（エッチングエートを大
きくする）を実現することができ、また同一エッチング
レートであれば低ＲＦ電力印加パワー密度で実現するこ
とができるとともに、微細加工された誘電体光学材料表
面の平滑化が実現できる。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１乃至図３を
用いて説明する。なお、図中同一部分には同一符号を付
して説明を省略する。
用いて説明する。なお、図中同一部分には同一符号を付
して説明を省略する。
【００１３】図１は、この発明に係る誘電体光学材料の
微細加工方法の一実施例を説明するための工程図であ
り、特に、この実施例では誘電体光学材料としてＬｉＮ
ｂＯ3表面にリッジ構造を作り込む微細加工方法につい
て説明する。
微細加工方法の一実施例を説明するための工程図であ
り、特に、この実施例では誘電体光学材料としてＬｉＮ
ｂＯ3表面にリッジ構造を作り込む微細加工方法につい
て説明する。
【００１４】なお、上記誘電体光学材料としてＬｉＮｂ
Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3 等があるが、特にこのＬｉＮｂＯ3
単結晶は大きな電気光学効果を示し、音響光学材料とし
ても比較的大きな良度指数と電気機械結合係数を持ち、
かつ低損失の薄膜導波路が容易に作成できるということ
で、導波路形機能デバイス（例えば光変調器）の基板材
料として広く用いられているものである。
Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3 等があるが、特にこのＬｉＮｂＯ3
単結晶は大きな電気光学効果を示し、音響光学材料とし
ても比較的大きな良度指数と電気機械結合係数を持ち、
かつ低損失の薄膜導波路が容易に作成できるということ
で、導波路形機能デバイス（例えば光変調器）の基板材
料として広く用いられているものである。
【００１５】まず、図１（ａ）に示すようにＬｉＮｂＯ
3 基板１を所定形状にパターニングされたレジストマス
ク２を形成し、真空チャンバ内に置く。
3 基板１を所定形状にパターニングされたレジストマス
ク２を形成し、真空チャンバ内に置く。
【００１６】そして、この真空チャンバ内にエッチング
ガスとして反応性ガスであるフロン系エッチングガス
（この実施例ではＣ2 Ｆ6 を用いるが、ＣＦ4 を用いて
もよい）にハロゲン（ＣｌあるいはＢｒ、この実施例で
はＣｌ）を含むガス（ＣＣｌ4）を添加した混合ガスを
導入し、ＲＦ電力（高周波電力）を印加してＬｉＮｂＯ
3 基板１表面を３０分間ドライエッチング（反応性イオ
ンエッチング：ＲＩＥ）する。
ガスとして反応性ガスであるフロン系エッチングガス
（この実施例ではＣ2 Ｆ6 を用いるが、ＣＦ4 を用いて
もよい）にハロゲン（ＣｌあるいはＢｒ、この実施例で
はＣｌ）を含むガス（ＣＣｌ4）を添加した混合ガスを
導入し、ＲＦ電力（高周波電力）を印加してＬｉＮｂＯ
3 基板１表面を３０分間ドライエッチング（反応性イオ
ンエッチング：ＲＩＥ）する。
【００１７】なお、この時の圧力は３．０〜５．０Ｐ
ａ、ＲＦ電力パワー密度は０．６５Ｗ／ｃｍ2 とし、チ
ャンバ内では上記混合ガスがプラズマに解離し、フッ素
系反応性イオン及びハロゲン系イオンが生成され、Ｌｉ
ＮｂＯ3 基板１表面のＬｉ及びＮｂと反応して気化する
ことにより、ドライエッチングが進行していく（図１
（ｂ））。
ａ、ＲＦ電力パワー密度は０．６５Ｗ／ｃｍ2 とし、チ
ャンバ内では上記混合ガスがプラズマに解離し、フッ素
系反応性イオン及びハロゲン系イオンが生成され、Ｌｉ
ＮｂＯ3 基板１表面のＬｉ及びＮｂと反応して気化する
ことにより、ドライエッチングが進行していく（図１
（ｂ））。
【００１８】最後に、図１（ｃ）に示すようにＬｉＮｂ
Ｏ3 基板１表面をＯ2 アッシャーすることにより、レジ
ストマスク２を除去する。
Ｏ3 基板１表面をＯ2 アッシャーすることにより、レジ
ストマスク２を除去する。
【００１９】以上のように微細加工されたＬｉＮｂＯ3
基板１表面を、図１（ｄ）に示すように触針式段差計
（図中、３は測定用の触針を示す）を走査させることに
より、レジストマスク２によりマスキングされていた領
域とドライエッチされた領域との段差を測定すること
で、この発明によるエッチングレートを算出した図を図
２に示す。
基板１表面を、図１（ｄ）に示すように触針式段差計
（図中、３は測定用の触針を示す）を走査させることに
より、レジストマスク２によりマスキングされていた領
域とドライエッチされた領域との段差を測定すること
で、この発明によるエッチングレートを算出した図を図
２に示す。
【００２０】この図２では、基板１として純ＬｉＮｂＯ
3 とこのＬｉＮｂＯ3 に遷移金属としてＴｉを熱拡散さ
せた試料について、ＲＦ電力印加パワーを０．６５Ｗ／
ｃｍ2 の条件の下、ＣＣｌ4 の添加比％（反応性ガスＣ
2 Ｆ6 に対するＣＣｌ4 の添加量）に対するエッチング
レートをプロットした図である。
3 とこのＬｉＮｂＯ3 に遷移金属としてＴｉを熱拡散さ
せた試料について、ＲＦ電力印加パワーを０．６５Ｗ／
ｃｍ2 の条件の下、ＣＣｌ4 の添加比％（反応性ガスＣ
2 Ｆ6 に対するＣＣｌ4 の添加量）に対するエッチング
レートをプロットした図である。
【００２１】なお、図２に示した試料Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ
3 （Ｔｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 ）は、純ＬｉＮｂＯ3 上にＴ
ｉを約７０ｎｍ堆積させ、６時間１０５０℃の状態を保
持することにより、ＬｉＮｂＯ3 基板内に熱拡散させて
製造した。また、拡散させる遷移金属としてＴｉを選択
した理由は、一般に遷移金属にはＴｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ
等があるが、すでに報告されている実験例からみて、Ｔ
ｉを拡散させた導波路形ＬｉＮｂＯ3 デバイスが最も良
好な伝搬特性を示し、またＴｉ拡散による顕著な結晶性
の低下や電気光学効果の低減は報告されていないからで
ある。
3 （Ｔｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 ）は、純ＬｉＮｂＯ3 上にＴ
ｉを約７０ｎｍ堆積させ、６時間１０５０℃の状態を保
持することにより、ＬｉＮｂＯ3 基板内に熱拡散させて
製造した。また、拡散させる遷移金属としてＴｉを選択
した理由は、一般に遷移金属にはＴｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ
等があるが、すでに報告されている実験例からみて、Ｔ
ｉを拡散させた導波路形ＬｉＮｂＯ3 デバイスが最も良
好な伝搬特性を示し、またＴｉ拡散による顕著な結晶性
の低下や電気光学効果の低減は報告されていないからで
ある。
【００２２】この図２からも分かるように、ＣＣｌ4 を
添加しないでドライエッチングした場合よりもＣＣｌ4
を添加してエッチングした方がエッチングレートが大き
くなり、また前述した従来技術では最大でも１４ｎｍ／
分のエッチングレートしか実現できなかったのに対し、
この発明ではそれ以上のエッチングレートを実現するこ
とができる（この実施例では、上記エッチング条件によ
り１μｍ以上の段差が得られることを確認している）。
添加しないでドライエッチングした場合よりもＣＣｌ4
を添加してエッチングした方がエッチングレートが大き
くなり、また前述した従来技術では最大でも１４ｎｍ／
分のエッチングレートしか実現できなかったのに対し、
この発明ではそれ以上のエッチングレートを実現するこ
とができる（この実施例では、上記エッチング条件によ
り１μｍ以上の段差が得られることを確認している）。
【００２３】さらに、この発明では図２に示したエッチ
ングレートを得るため、ＲＦ電力印加パワー密度を０．
６５Ｗ／ｃｍ2 として製造しているが、前述した従来技
術では１．２７〜３．８２Ｗ／ｃｍ2 程度印加して製造
している。したがって、この発明によれば仮に同じエッ
チングレートであっても大幅に印加するＲＦ電力印加パ
ワー密度を低減できることが分かる。
ングレートを得るため、ＲＦ電力印加パワー密度を０．
６５Ｗ／ｃｍ2 として製造しているが、前述した従来技
術では１．２７〜３．８２Ｗ／ｃｍ2 程度印加して製造
している。したがって、この発明によれば仮に同じエッ
チングレートであっても大幅に印加するＲＦ電力印加パ
ワー密度を低減できることが分かる。
【００２４】また、図３は以上のように反応性ガスにハ
ロゲンを含むガスを添加した混合ガスをエッチングガス
とした微細加工方法（ＣＣｌ4 の添加量を１０％として
ドライエッチングを行った）により加工されたＬｉＮｂ
Ｏ3 基板１表面のＳＥＭ写真であり、この写真からＬｉ
ＮｂＯ3 基板１表面が従来と比較して平滑化されている
ことが分かる。
ロゲンを含むガスを添加した混合ガスをエッチングガス
とした微細加工方法（ＣＣｌ4 の添加量を１０％として
ドライエッチングを行った）により加工されたＬｉＮｂ
Ｏ3 基板１表面のＳＥＭ写真であり、この写真からＬｉ
ＮｂＯ3 基板１表面が従来と比較して平滑化されている
ことが分かる。
【００２５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、誘電体
光学材料（特にＬｉＮｂＯ3 ）表面をドライエッチング
により微細加工する際のエッチングガスとして、フロン
系エッチングガス（Ｃ2 Ｆ6 あるいはＣＦ4 ）にハロゲ
ン（Ｆを含まないＣｌ、Ｂｒ等の元素）を含むガスとの
混合ガスを用いるようにしたので、従来と比較してエッ
チングレートを大きく（ドライエッチングの高速化）、
かつＲＦ電力印加パワー密度を低減させることができる
という効果がある。
光学材料（特にＬｉＮｂＯ3 ）表面をドライエッチング
により微細加工する際のエッチングガスとして、フロン
系エッチングガス（Ｃ2 Ｆ6 あるいはＣＦ4 ）にハロゲ
ン（Ｆを含まないＣｌ、Ｂｒ等の元素）を含むガスとの
混合ガスを用いるようにしたので、従来と比較してエッ
チングレートを大きく（ドライエッチングの高速化）、
かつＲＦ電力印加パワー密度を低減させることができる
という効果がある。
【００２６】さらに、従来の加工方法と比較して、この
発明による微細加工後の誘電体光学材料（特にＬｉＮｂ
Ｏ3 ）の表面は平滑になるという効果がある。
発明による微細加工後の誘電体光学材料（特にＬｉＮｂ
Ｏ3 ）の表面は平滑になるという効果がある。
【図１】この発明に係る誘電体光学材料の微細加工方法
の一実施例を説明するための工程図である。
の一実施例を説明するための工程図である。
【図２】この発明に係る誘電体光学材料の微細加工方法
において、エッチングガスとして混合されるＣｌを含む
ガス（ＣＣｌ4 ）の添加比に対するエッチングレートの
変化を示す図である。
において、エッチングガスとして混合されるＣｌを含む
ガス（ＣＣｌ4 ）の添加比に対するエッチングレートの
変化を示す図である。
【図３】この発明に係る誘電体光学材料の微細加工方法
の一実施例により表面にリッジ構造を作り込んだＬｉＮ
ｂＯ3 基板であって、基板上に形成された微細なパター
ンを表しているＳＥＭ写真である。
の一実施例により表面にリッジ構造を作り込んだＬｉＮ
ｂＯ3 基板であって、基板上に形成された微細なパター
ンを表しているＳＥＭ写真である。
１…誘電体光学材料（ＬｉＮｂＯ3 ）、２レジストマス
ク…、３…触針。
ク…、３…触針。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C02B 5/18 C23F 4/00 H01L 21/3065
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体光学材料の表面に微細パターンを
ドライエッチングにより形成する誘電体光学材料の微細
加工方法において、 前記ドライエッチングは、フロン系エッチングガスにハ
ロゲンを含むガスをエッチングガスとして添加した混合
ガスを使用して行うことを特徴とする誘電体光学材料の
微細加工方法。 - 【請求項２】 前記誘電体光学材料は、ＬｉＮｂＯ3で
あることを特徴とする請求項１記載の誘電体光学材料の
微細加工方法。 - 【請求項３】 前記フロン系エッチングガスは、Ｃ２Ｆ
６ガスあるいはＣＦ４ガスであることを特徴とする請求
項１又は２記載の誘電体光学材料の微細加工方法。 - 【請求項４】 前記ハロゲンは、ＣｌあるいはＢｒであ
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載
の誘電体光学材料の微細加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19512193A JP3353281B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 誘電体光学材料の微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19512193A JP3353281B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 誘電体光学材料の微細加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0727911A JPH0727911A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3353281B2 true JP3353281B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=16335846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19512193A Expired - Fee Related JP3353281B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 誘電体光学材料の微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3353281B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110364441B (zh) * | 2018-04-11 | 2022-07-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于铌酸锂材料的刻蚀方法 |
| JP7304557B2 (ja) * | 2019-07-16 | 2023-07-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマエッチング方法および素子チップの製造方法 |
-
1993
- 1993-07-12 JP JP19512193A patent/JP3353281B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0727911A (ja) | 1995-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4554050A (en) | Etching of titanium | |
| JPH02244507A (ja) | インジウムすず酸化物薄層のエッチング方法及び透明電気導電パターンの形成方法 | |
| JP3353281B2 (ja) | 誘電体光学材料の微細加工方法 | |
| US4931137A (en) | Process for producing mutually spaced conductor elements on a substrate | |
| US3772102A (en) | Method of transferring a desired pattern in silicon to a substrate layer | |
| US6204190B1 (en) | Method for producing an electronic device | |
| JP3366238B2 (ja) | クロム膜のエッチング方法 | |
| JP2000352700A (ja) | 光学導波路デバイス | |
| JPH061764B2 (ja) | パタ−ン形成法 | |
| EP0230118B1 (en) | Lithium niobate waveguide structures | |
| US5106471A (en) | Reactive ion etch process for surface acoustic wave (SAW) device fabrication | |
| US6037268A (en) | Method for etching tantalum oxide | |
| JP3333120B2 (ja) | プラズマエッチングされた複合酸化物基板の表面清浄化方法 | |
| JP3108120B2 (ja) | ＩｎＧａＡｓＰ四元混晶のエッチング方法 | |
| JPH09304620A (ja) | グリッド偏光子の製造方法 | |
| JP3079264B1 (ja) | 光導波路素子及びその製造方法 | |
| JP3158203B2 (ja) | リッジ型三次元導波路の製造方法 | |
| JPS59126634A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP3169654B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6210311B2 (ja) | ||
| US6180321B1 (en) | Method for patterning a thin film layer | |
| JP2691175B2 (ja) | パターン化酸化物超伝導膜形成法 | |
| JP3179745B2 (ja) | パターン作製方法 | |
| JPH0434815B2 (ja) | ||
| JPH0588031A (ja) | ガーネツト光導波路作製用マスクおよびガーネツト光導波路の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070927 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080927 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090927 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090927 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100927 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100927 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110927 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |