JP2000352700A - 光学導波路デバイス - Google Patents

光学導波路デバイス

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JP2000352700A
JP2000352700A JP2000104831A JP2000104831A JP2000352700A JP 2000352700 A JP2000352700 A JP 2000352700A JP 2000104831 A JP2000104831 A JP 2000104831A JP 2000104831 A JP2000104831 A JP 2000104831A JP 2000352700 A JP2000352700 A JP 2000352700A
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waveguide device
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optical
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Wilbur Dexter Johnston
デクスター ジョンソン ウィルバー
William James Minford
ジェームス ミンフォード ウィリアム
John William Osenbach
ウィリアム オーセンバック ジョン
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 変動する温度範囲のもとで、長期にわたり性
能を安定させた光学導波路デバイスを提供すること。 【解決手段】 本発明の光学導波路デバイスは、ピロ電
気結晶を含む基板を有し、この基板の少なくとも一部の
バルク抵抗は、１０13Ω・ｃｍ以下である。本発明の他
の対応によれば、本発明の光学導波路デバイスを製造す
る方法は、あるバルク抵抗値を有するピロ電気クリスタ
ルを含む基板を用意し、この基板を減圧環境の下で、あ
る時間、かつある温度で加熱して、基板のバルク抵抗を
１０13Ω・ｃｍ以下にさせる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リチウムナイオバ
イト（ＬｉＮｂＯ3）デバイスのような光学導波路デバ
イスに関する。
【０００２】
【従来の技術】光学導波路デバイスは、ＬｉＮｂＯ3ま
たはＬｉＴａＯ3製の基板に、導波路パスとバイアス電
極を具備した構造を採用している。これらのデバイス
は、電極と基板との間に、酸化物バッファ層を具備して
いる。電極に加えられるバイアス電圧により、導波路パ
スの屈折率を変化させ、その結果これらのデバイスは、
高速の光学スイッチ、変調器、減衰器、あるいは他の種
類の光学デバイスとして用いられている。
【０００３】このようなデバイスが適正に動作するため
には、印加されたＤＣ電界が長期にわたり、様々な温度
範囲のもとで導波路内で維持されることが望ましい。そ
のため、長期間のバイアス電界の安定性は重要な関心事
項である。バイアス電界の安定性を与えるための多くの
アプローチは、ＬｉＮｂＯ3製の基板上の、ＯＨ、ある
いはプロトンの濃度を低減すること（これに関しては、
Nagata et al 著の“Improved Long Term Drift in OH-
Reduced Lithium Niobate Optical IntensityModulator
s”,Optical & Photonics News,vol.7,Engineering & L
aboratory Notes(1996) と、Koide,et al 著の“Preven
tion of Thermal Degradation by Using Dehydrated Li
Nbo3 Crystal”Jpn.J.App Phy.,vol.33,pp.L957-L958(1
994)を参照のこと）と、ＬｉＮｂＯ3製の基板の表面か
ら、損傷された層を除去すること（Minikata et al, 著
の“DC Drift Free Ti Diffused LiNbO3 Optical Modul
ators” Bulletin of the Research Institute of Elec
tronics,vol.30,pp.209-212(1995)を参照のこと）が含
まれる、あるいはバッファ層の成分の変更（ＥＰ特許第
０５５３５６８Ａ１を参照のこと）が関連している。
【０００４】このようなアプローチは、長期にわたるド
リフトを取り除くのには有効ではあるが、ＬｉＮｂＯ3
およびＬｉＴａＯ3のようなピロ電気材料は、温度の変
動に対し敏感である。すなわち、温度の変動が、基板の
表面上に電荷の形成（charge build-up）を引き起こ
し、この電荷形成は、所望の変調を行うために、バイア
ス電圧（電界）を増加させることになる。上記の解決方
法は、このような温度変動に起因するバイアス電界の不
安定の問題を解決できない。
【０００５】このバイアス電界の不安定性の問題に対す
る１つのアプローチは、部分的に酸化したポリシリコン
またはＴｉ／Ｓｉ／Ｎのような半絶縁性の電荷消散層を
基板上に形成することである。しかし、この電荷消散層
の有効性は、バイアスがかかった状態では、長期の間で
劣化することになり、そのためその有効性が下がってし
まうことを見いだした。
【０００６】表面音響波デバイスに用いられる、ＬｉＮ
ｂＯ3材料は、ガス（１０％のＨ２と、９０％のＮ２）
中で４００から７５０℃の温度で約１時間加熱すること
により処理することが提案されている。（これに関して
は、Standifer et al 著の“Chemically Reduced Lithi
um Niobate Single Crystals...”IEEE Frequency Con
trol Symposium,May 27-29,1998,pp.470 to 472. を参
照のこと。）これは、動作中にスパークリングを抑制す
るために行われ、かつ、デバイスの光リソグラフ処理の
間光学反射を低減するために行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、変動
する温度範囲のもとで、長期にわたり性能を安定させた
光学導波路デバイスを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光学導波路デバ
イスは、ピロ電気結晶を含む基板を有し、この基板の少
なくとも一部のバルク抵抗は、１０13Ω・ｃｍ以下であ
る。本発明の他の態様によれば、本発明の光学導波路デ
バイスを製造する方法は、あるバルク抵抗値を有するピ
ロ電気クリスタルを含む基板を用意し、この基板を減圧
環境の下で、ある時間／温度で加熱して、基板のバルク
抵抗を１０13Ω・ｃｍ以下にさせる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１に本発明の光学変調器を示
す。この光学変調器は、厚さが約１ｍｍで、約５０×５
０ｍｍの大きさのＬｉＮｂＯ3からなる基板１１を含
む。このＬｉＮｂＯ3製の基板１１を例にこの実施例で
は説明するが、本発明は他の種類のピロ電気結晶にも適
応できる。光学導波路１２が基板１１内に形成される
が、これは通常、主表面を介したチタンの拡散により行
われる。基板１１の主表面上に、バッファ層１３が堆積
され、このバッファ層１３は、基板の屈折率よりも低い
屈折率を有する透明な誘電体層である。このバッファ層
１３は、Ｉｎ2Ｏ3と、ＴｉＯ2をドーピングした二酸化
シリコンを含む。電荷消散層１４がこのバッファ層１３
の上に堆積される。電極１５、１６、１７が、この電荷
消散層１４の上に堆積される。従来公知のように、電極
１５、１６、１７に与えられる電気的バイアス電圧が、
光学導波路１２の屈折率を変化させ、これにより、光学
導波路１２内を伝搬する光学信号の強度を変化させる。
【００１０】図２−７と図８のフローチャートは、図１
のデバイスを生成する製造シーケンスを表す。数個のデ
バイスが、１枚のウェハから製造されるが、１個のデバ
イスを形成するウェハの一部のみを同図に示す。
【００１１】製造プロセスは、室温で、５×１０14Ω・
ｃｍ以上の初期バルク抵抗率を有するＬｉＮｂＯ3製の
基板１１を用意することから始まる。図２に示すよう
に、図８のステップ３０により、チタンを含有する金属
層２０が、電子ビーム蒸着のような技術を用いて基板１
１の主表面上に堆積される。フォトレジスト層２１が金
属層２０の上に堆積され、標準の光リソグラフ技術を用
いてパターン化され、基板内にチタンを含有する金属層
が存在しない領域を露出させる。図３に示すように、図
８のステップ３１では、この露出した（フォトレジスト
層２１で覆われていない）金属層２０をエッチングで除
去する。その後、残留したフォトレジストを除去し、こ
れを図４に示す。このステップは、図８のステップ３２
である。
【００１２】次に、図５と図８のステップ３３に示すよ
うに、残留した金属層２０を基板１１内に拡散して、導
波路パス（光学導波路１２）を形成する。この拡散ステ
ップは、１０００℃で約１２時間の空気中で行われる。
【００１３】次にステップ３４で示されるように、基板
１１を減圧した雰囲気で加熱する。このステップの目的
は、基板１１のバルク抵抗率を１０13Ω・ｃｍ以下にす
ることである。抵抗率を下げることにより基板は、温度
変化に対し敏感でなくなることが見いだされた。すなわ
ち、デバイスにかけられるＤＣバイアスは、広い温度範
囲（−４０〜８５℃）にわたってほぼ一定であり、この
範囲の温度変動では、光学導波路１２内を流れる信号の
所望の変調に対し何ら影響を及ぼさないことが見いださ
れた。バルク抵抗率の低下は、基板結晶の緩和時間、誘
電率緩和時間（dielectric reiaxation time）を低下さ
せ、その結果、変調に影響を及ぼすようなピロ電子効果
に起因する表面上に電荷が蓄積されることがない。特
に、１０13オーム−ｃｍの抵抗率は、約３０分の緩和時
間を起こし、これは従来の抵抗率５ 14Ω・ｃｍの結晶に
対する３０時間の緩和時間とは対照的である。必要以上
の抵抗率の低下は回避しなければならない、。その理由
は、結晶は非透明となり損失が高くなるからである。バ
ルク抵抗率の有効な範囲は、１０11〜１０13Ω・ｃｍで
あり、好ましくは、３×１０12〜１０13Ω・ｃｍであ
る。
【００１４】所望のバルク抵抗率１０13Ω・ｃｍは、乾
燥窒素を含む、あるいは合成ガス（水素と窒素）を含む
減圧雰囲気あるいは真空雰囲気で５００℃で約１時間に
わたって加熱することにより得られる。一般的に３５０
℃〜８００℃で、１０分〜１０時間の時間が、本発明で
は用いられる。この加熱ステップは、チタンを拡散する
ステップ（ステップ３３）の後で、バッファ層の形成前
（ステップ３５）の前に実行するのが好ましい。しか
し、他のステップで行うことも可能である。
【００１５】図６とステップ３５に示すように、バッフ
ァ層１３が基板１１の上部表面と底部表面に形成され
る。このステップは、アルゴンと酸素雰囲気中で１５０
℃以下の温度でかつ約１０〜２０時間にわたってスパッ
タリングし、その後、湿分を含む空気中で約５時間にわ
たり約５００℃の温度でアニールすることにより行われ
る。これらの温度は、基板の表面を酸化するのを阻止す
るバッファ層が存在するために、基板のバルク抵抗率を
所望の範囲以上に上昇させるのには十分ではない。一般
的に６〜２０時間の範囲のスパッタリング時間と４５０
℃〜６００℃のアニール温度と３〜２４時間の時間が用
いられる。
【００１６】次にステップ３６において、電荷消散層１
４がバッファ層１３の上に形成される。この電荷消散層
１４は、Ｔｉ／Ｓｉ／Ｎを含み、２０〜１５０℃の温度
で、０．５〜５時間にわたってスパッタリングすること
により形成される。
【００１７】図７と図８のステップ３７に示すように、
電極１５、１６、１７が電荷消散層１４の上に形成さ
れ、そして適宜パターン化してデバイスを完成させる。
電極の形成は、蒸着光リソグラフ、電気メッキ等の標準
的な技術を用いて行われる。
【００１８】以上の実施例においては、基板のバルク抵
抗率をその深さ全部にわたって低減させるものである
が、基板の一部の深さに対してのみ、バルク抵抗率を低
減させるのが好ましい。このような実施例を、図９に示
す。点線４０は、基板１１の領域４１と領域４２の境界
を示す。これらの２つの領域４１，４２は、異なるバル
ク抵抗率を有する。この境界は、光学導波路１２の下で
約３０μｍの深さのところに形成される。一実施例にお
いては、上の領域４１のバルク抵抗率は、１０13Ω・ｃ
ｍ以下であり、これは基板の表面を前述した減圧雰囲気
であるが、５００℃で５分〜１５分の短い時間さらすこ
とにより行われる。これにより、残りの領域４２は、基
板の元のバルク抵抗率、例えば５×１０14Ω・ｃｍであ
る。
【００１９】本発明のこの実施例においては、上の領域
４１は、基板の初期の抵抗５×１０ 14Ω・ｃｍで、一方
下の領域４２は、１０13Ω・ｃｍ以下のバルク抵抗率を
有する。この構造体は、基板を前述した減圧雰囲気に最
初にさらしその後基板を酸化雰囲気中にさらして、上部
部分のみを１０13Ω・ｃｍ以上の抵抗率（例えば、５×
１０14Ω・ｃｍに戻す。この酸化は、例えば５００〜１
０００℃の範囲の温度で、かつ１０分〜４時間にわたっ
て行われる。
【００２０】異なる抵抗率を有する２つの領域４１，４
２の間の、シャープな境界４０は、必ずしも必要ではな
く、抵抗率が徐々に変化してもよい。
【００２１】本発明の変形例として、本発明はリチウム
ナイオバイト製の基板を用いたが、酸化物結晶の酸化／
還元に対し、導電率が類似の関係を有する、他のピロ電
子結晶、例えばＬｉＴａＯ3、ＢａＮａＮｂ2Ｏ5、ＫＴ
ａＮｂＯ3を用いることも可能である。さらに、本発明
は、光学変調器を例に説明したが、本発明は、ピロ電子
結晶を用いた、いかなる光学導波路デバイス、例えば光
学スイッチ、偏光制御、およびスクランブラー等にも用
いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による導波路デバイスの斜視
図。
【図２】本発明の一実施例による製造段階の第１ステッ
プの状態を表す端面図。
【図３】本発明の一実施例による製造段階の第２ステッ
プの状態を表す端面図。
【図４】本発明の一実施例による製造段階の第３ステッ
プの状態を表す端面図。
【図５】本発明の一実施例による製造段階の第４ステッ
プの状態を表す端面図。
【図６】本発明の一実施例による製造段階の第５ステッ
プの状態を表す端面図。
【図７】本発明の一実施例による製造段階の第６ステッ
プの状態を表す端面図。
【図８】本発明の一実施例の方法を表すフローチャー
ト。
【図９】本発明の他の実施例によるデバイスの端面図。
【符号の説明】
１０ 光学変調器 １１ 基板 １２ 光学導波路 １３ バッファ層 １４ 電荷消散層 １５、１６、１７ 電極 ２０ 金属層 ２１ フォトレジスト層
フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ウィルバー デクスター ジョンソン アメリカ合衆国、07945、ニュージャージ ー、メンドハム タウンシップ、オーク ノル ロード 30 (72)発明者 ウィリアム ジェームス ミンフォード アメリカ合衆国、18067、ペンシルヴェニ ア、レイ タウンシップ、レッカー ドラ イブ 3962 (72)発明者 ジョン ウィリアム オーセンバック アメリカ合衆国、19503、ペンシルヴェニ ア、クッツタウン、ウォールナット ドラ イブ 17

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ピロ電気結晶からなる基板（１１）を有
    する、光学導波路デバイス（１０）において、 前記基板の少なくとも一部のバルク抵抗率は、１０13Ω
    ・ｃｍ以下であることを特徴とする光学導波路デバイ
    ス。
  2. 【請求項２】 前記基板は、ＬｉＮｂＯ3とＬｉＴａＯ3
    からなるグループから選択された材料製であることを特
    徴とする請求項１記載の光学導波路デバイス。
  3. 【請求項３】 前記バルク抵抗率は、１０11〜１０13Ω
    ・ｃｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１記載の
    光学導波路デバイス。
  4. 【請求項４】 前記バルク抵抗率は、３×１０12〜１０
    13Ω・ｃｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１記
    載の光学導波路デバイス。
  5. 【請求項５】 前記光学導波路デバイスは、光学変調器
    であることを特徴とする請求項１記載の光学導波路デバ
    イス。
  6. 【請求項６】 前記基板の主表面上に、バッファ層（１
    ３）をさらに有することを特徴とする請求項１記載の光
    学導波路デバイス。
  7. 【請求項７】 前記バッファ層（１３）の上に、電荷消
    散層（１４）をさらに有することを特徴とする請求項６
    記載の光学導波路デバイス。
  8. 【請求項８】 前記導波路は、拡散材料領域（１２）を
    有することを特徴とする請求項１記載の光学導波路デバ
    イス。
  9. 【請求項９】 前記拡散材料領域は、チタンを含有する
    ことを特徴とする請求項８記載の光学導波路デバイス。
  10. 【請求項１０】 前記基板上に形成された電極（１５、
    １６、１７）をさらに有することを特徴とする請求項１
    記載の光学導波路デバイス。
  11. 【請求項１１】 前記基板の深さ全体にわたって、バル
    ク抵抗率が１０13オーム−ｃｍ以下であることを特徴と
    する請求項１記載の光学導波路デバイス。
  12. 【請求項１２】 前記基板の深さの一部（ｄ）のみが１
    ０13Ω・ｃｍことを特徴とする請求項１記載の光学導波
    路デバイス。
  13. 【請求項１３】 光学導波路デバイス（１０）の製造方
    法において、 （Ａ）ピロ電気結晶製の基板（１１）を用意するステッ
    プと、 （Ｂ）前記基板を、減圧雰囲気中で、基板の少なくとも
    一部のバルク抵抗率が１０13Ω・ｃｍとなるような時間
    と温度に加熱するのステップを有することを特徴とする
    光学導波路デバイス。
  14. 【請求項１４】 前記バルク抵抗率は、１０11〜１０13
    Ω・ｃｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１３記
    載の光学導波路デバイス。
  15. 【請求項１５】 前記バルク抵抗率は、３×１０12〜１
    ０13Ω・ｃｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１
    ３記載の光学導波路デバイス。
  16. 【請求項１６】 前記（Ｂ）のステップは、温度が３５
    ０℃〜８００℃で、１０分から１０時間の範囲にわたっ
    て加熱することを特徴とする請求項１３記載の光学導波
    路デバイス。
  17. 【請求項１７】 （Ｃ）導波路（１２）を形成するため
    に、基板内に材料を拡散するステップと、 （Ｄ）前記基板の主表面の少なくとも一部の上に、バッ
    ファ層（１３）を形成するステップと、をさらに有する
    ことを特徴とする請求項１３記載の光学導波路デバイ
    ス。
  18. 【請求項１８】 前記（Ｂ）のステップは、前記（Ｃ）
    のステップの後で、かつ、（Ｄ）のステップの前に行わ
    れることを特徴とする請求項１７記載の光学導波路デバ
    イス。
  19. 【請求項１９】 前記バッファ層（１３）は、アルゴン
    と、酸素雰囲気で、１５０℃以下の温度で、６〜２０時
    間にわたってスパッタリングし、その後、４５０〜６０
    ０℃で、空気を含有する雰囲気で、３〜２４時間にわた
    ってアニールするステップにより形成されることを特徴
    とする請求項１８記載の光学導波路デバイス。
  20. 【請求項２０】 前記基板は、基板の深さ全部にわたっ
    て、バルク抵抗率を下げるのに十分な時間と温度、加熱
    されることを特徴とする請求項１３記載の光学導波路デ
    バイス。
  21. 【請求項２１】 前記基板は、基板の一部の深さのみ
    が、１０13Ω・ｃｍ以下の抵抗率となるような、時間と
    温度、加熱されることを特徴とする請求項１３記載の光
    学導波路デバイス。
  22. 【請求項２２】 基板から取り除かれた表面の一部が、
    １０13Ω・ｃｍ以下のバルク抵抗率を有するように、酸
    化雰囲気で基板を加熱するステップをさらに有すること
    を特徴とする請求項１３記載の光学導波路デバイス。
JP2000104831A 1999-04-07 2000-04-06 光学導波路デバイス Pending JP2000352700A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6956980B2 (en) 2000-09-18 2005-10-18 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Optical waveguide type optical modulator and production method therefor

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2820217B1 (fr) * 2001-01-31 2003-04-18 Teem Photonics Structure en optique integree comportant dans un substrat au moins une portion de guide non enterree ainsi que son procede de realisation
TWI300448B (en) 2003-03-06 2008-09-01 Shinetsu Chemical Co Method for manufacturing litheum tantalate crystal
US7374612B2 (en) * 2003-09-26 2008-05-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method of producing single-polarized lithium tantalate crystal and single-polarized lithium tantalate crystal
JP2005119907A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Sumitomo Metal Mining Co Ltd タンタル酸リチウム基板およびその製造方法
EP1730561B1 (en) * 2004-04-02 2008-08-13 Northrop Grumman Corporation Implementation of one or more optical waveguides in reduced optical material
US7324257B2 (en) * 2004-07-27 2008-01-29 Jds Uniphase Corporation Low bias drift modulator with buffer layer
JP4708905B2 (ja) * 2005-08-05 2011-06-22 イビデン株式会社 薄膜エンベディッドキャパシタンス、その製造方法、及びプリント配線板
US7228046B1 (en) * 2005-11-23 2007-06-05 Honeywell International, Inc. Environmentally stable electro-optic device and method for making same
US7844149B2 (en) * 2007-01-12 2010-11-30 Jds Uniphase Corporation Humidity tolerant electro-optic device
DE102009013336A1 (de) * 2009-03-16 2010-09-23 Perkinelmer Optoelectronics Gmbh & Co.Kg Pyroelektrisches Material, Strahlungssensor, Verfahren zur Herstellung eines Strahlungssensors und Verwendung von Lithiumtantalat und Lithiumniobat

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0566428A (ja) * 1991-09-05 1993-03-19 Nec Corp 光制御デバイス
JPH05158001A (ja) * 1991-12-06 1993-06-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光制御デバイス
DE69226761T2 (de) * 1991-12-27 1999-01-14 Fujitsu Ltd Optische Wellenleiteranordnung mit reduzierter DC-Drift
US5388170A (en) * 1993-11-22 1995-02-07 At&T Corp. Electrooptic device structure and method for reducing thermal effects in optical waveguide modulators
JP3544020B2 (ja) * 1995-01-13 2004-07-21 富士通株式会社 光導波路デバイスの製造方法
EP0893515B1 (en) * 1997-07-25 2003-11-26 Crystal Technology, Inc. Preconditioned crystals of lithium niobate and lithium tantalate and methods of preparing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6956980B2 (en) 2000-09-18 2005-10-18 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Optical waveguide type optical modulator and production method therefor

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Publication number Publication date
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