JPH0353084A - タンタル用エッチング液 - Google Patents

タンタル用エッチング液

Info

Publication number
JPH0353084A
JPH0353084A JP18534289A JP18534289A JPH0353084A JP H0353084 A JPH0353084 A JP H0353084A JP 18534289 A JP18534289 A JP 18534289A JP 18534289 A JP18534289 A JP 18534289A JP H0353084 A JPH0353084 A JP H0353084A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tantalum
etching
volume ratio
etching solution
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18534289A
Other languages
English (en)
Inventor
Masami Kikuchi
正美 菊池
Michio Irino
入野 美知夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Watch Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Watch Co Ltd filed Critical Citizen Watch Co Ltd
Priority to JP18534289A priority Critical patent/JPH0353084A/ja
Publication of JPH0353084A publication Critical patent/JPH0353084A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はタンタル用エッチング液に関し、詳しくは液晶
表示パネルの電極等に使用されるタンクルをエッチング
するためのタンタル用エッチング液に関する。
〔従来技術〕
従来液晶表示パネル製造工程におけるタンタルのエッチ
ングは、タンタル層上に7ォトレジストパターンの形或
された基板をタンタル用エッチング液に浸漬することに
より行なわれている。
タンタル用エッチング液としては濃度48%フッ酸を容
量比l,硝酸を容量比2、水を容量比1で混合した酸性
二クチンダ液の他、濃度30%水酸化ナトリウム水溶液
あるいは水酸化カリウム水溶液を容量比9〜10に、濃
度30〜35%の過酸化水素水を容量比1で混合し、9
0℃に加温して用いるアルカリ性エッチング液が知られ
ている。
〔発明が解決しようとする課題〕
タンタルの微細なエッチング加工を上記酸性エッチング
液で行なう場合、フォトレジストおよびフォトレジスト
とタンタルの界面に対する酸性エッチング液のアタック
が強く、パターン形状の安定性に欠けていた。
アルカリ性エッチング液の場合、一般的に用いられてい
るポジ型の7ォトレジストは溶解されてしまい使用する
ことができず、またネガ型フォトレジストでもエッチン
グ液を高温で使用するために、フォトレジストが剥離し
てしまうことがあるなど微細化はもとよりプロセスの安
定性に欠けている。
本発明では酸性エッチング液に着目し、従来のタンタル
用エッチング液では困難であった、微細なパターンをエ
ッチング可能なタンタル用エッチング液の提供を目的と
する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のタンタル用エッチング液は、ソッ酸を容量比で
1〜5、フッ化アンモニウムを容量比で1〜5、硝酸を
容量比で5〜30、酢酸または水または酢酸と水との混
合液を容量比で1〜5含有するものである。
また、更に好ましくは本発明のタンタル用エッチング液
は、濃度35〜55%のフッ酸を容量比でl〜5、濃度
30〜45%のフッ化アンモニウムを容量比で1〜5、
濃度55〜70%の硝酸を容量比で5〜30、酢酸また
は水または酢酸と水との混合液を容量比で1〜5含有す
るものである。
本発明のタンタル用エクチング液は、フツ化アンモニウ
ムを含有するためタンタルのエッチングレートが向上し
た。この様子を第1図に示す。第1図の曲線1は、フツ
化アンモニウム、硝酸、およびフッ酸からなるエッチン
グ液でフッ化アンモニウムと硝酸との容量比を1:10
とし、フツ酸の容量比を変化させた場合のタンタルのエ
ッチングレートの変化を示したものである。一方、同図
中曲線2は硝酸とフッ酸からなるエッチング液で、フッ
酸の容量比を変化させた場合のタンタルのエッチングレ
ートの変化を示したものである。同図から明らかなよう
に、フフ化アンモニウムを添加することによりタンタル
のエッチングレートの向上を図ることができる。また、
フツ化アンモニウムの容量比1〜5にすると微細パター
ンのエッチングに効果があり、更に濃度30〜45%の
フツ化アンモニウムをこの容量比で含有するタンタル用
エッチング液は、特に微細パターンのエッチングに優れ
ている。
タンタル用エッチング液に含有されるノツ酸の容量比は
1〜5が好ましく、特に濃度35〜55%のフッ酸をこ
の容量比で含有するタンタル用エッチング液は微細パタ
ーンのエッチングに効果的である。フッ酸の容量比が5
より大きい場合には、エッチングレートは速くなるもの
の、フォトレジストへのアタックが強くなり、フォトレ
ジストの剥離が起きやすくエッチング液として不適であ
る。
また、容量比が1より小さい場合には、エッチングに時
間がかかり、フォトレジストとタンタルの界面にエッチ
ング液がしみ込んでしまい微細パターンをエッチングす
るのは困難である。
硝酸の容量比は5〜30が好しく、濃度55〜70%の
硝酸をこの容量比で含有するタンタル用エッチング液は
微細パターンのエッチングに効果的である。硝酸の容量
比が5より小さい場合には、エッチングがほとんど行な
われない。また、硝酸の容量比が30より大きい場合に
は、液中のフツ酸の割合が小さくなるためエッチングレ
ートが遅くなり、フォトレジストとタンタルの界面にエ
クチンダ液がしみ込み微細パターンをエッチングするの
は困難である。
酢酸または水または酢酸と水との混合液の容量比は1〜
5が好ましい。この様子を第2図に示す。
第2図の曲線6は、フッ酸とフッ化アンモニウムと硝酸
と水とを含有するタンタル用エクチング液で、フッ酸と
フフ化アンモニウムと硝酸との容量比を1:1:10と
し、水の容量比を変化させた場合のタンタルのエッチン
グレートの変化を示すものである。第2図から明らかな
ように、水の容量比が5より大きい場合にはエッチング
レートが遅く、タンタルとフォトレジストとの界面にエ
クチンダ液がしみ込み微細パターンをエッチングするこ
とはできない。また、水の容量比が1より小さい場合に
は、フォトレジストおよびフォトレジストとタンタルの
界面に対するエッチング液のアタックが激しく、微細パ
ターンをエッチングするのは困難である。第2図には水
を使用した結果を示したが、酢酸または酢酸と水との混
合液を使用した場合もほぼ同様な結果が得られる。更に
、本発明のタンタル用エッチング液に酢酸が含有される
場合にはフォトレジストの濡れ性が向上する。
本発明のタンタル用エッチング液は、フッ酸、フッ化ア
ンモニウム、硝酸、酢酸または水または酢酸と水との混
合液の容量比を上記のように組み合わせることにより、
エッチングレートの増加とともに、フォトレジストおよ
びフォトレジストとタンタルとの界面へのエッチング液
のアタックを最小限に押えることができ、良好なプロフ
ァイルを有するメンタルの微細パターンをエッチングで
きるものである。
〔実施列〕
以下、本発明の実′m例を第3図を用いて説明する。
ガラス基板4上にタンタル酸化物5を形或した後に、イ
ンライン式スパッタリング法を用いてタンタル6を膜厚
250nm形或し、次にタンタル膜6上に3μm幅のフ
ォトレジストパ,J−77を形或した。このようにして
作成した試料を下記組成のタンタル用エッチング液でエ
ッチングした。
タンタル用エッチング液は、濃度50%の7ノ酸を容量
比で1、濃度40%のフフ化アンモニウムを容量比で2
、濃度61%の硝酸を容量比で22、水を容量比で3含
有するものである。このときエッチングされたメンタル
の断面図を第3図fa)に示す。
第3図(a)から明らかなように本発明のタンタル用エ
ッチング液を使用することにより、夕/タルの微細ハタ
ーンを良好なプロフィルでエッチングすることができる
(比較例) 濃度48%のフッ酸を容量比l,濃度61%硝酸を容量
比で2含有するエッチング液で、実施例1で作或した試
料をエッチングした。このときエッチングされたタンタ
ルの断面図を第3図(b)に示す。同図から明らかなよ
うに、エッチングの途中テフォ}L/ジストが剥離し、
タンタルの膜厚が減少し、微細パターンをエッチングす
ることはできなかった。
〔発明の効果〕
本発明のタンタル用エフチング液は、フッ酸を容量比で
1〜5、フッ化アンモニウムを容量比で1〜5、硝酸を
容量比で5〜30,酢酸または水または酢酸と水との混
合液を容量比で1〜5含有するものであり、良好なプロ
ファイルを有する微細なタンタルのパターンをエッチン
グすることができる。また、本発明のタンタル用エッチ
ング液はフフ化アンモニウムを含有することにより、タ
ンタルのエッチングレートの増加を図ることが可能であ
り、更に酢酸または水または酢酸と水との混合液の容量
比を1〜5の範囲内で変化させることにより、エッチン
グレートを所望の範囲にしたり、あるいはフォトレジス
トおよびフォトレジストとタンタルの界面に対するメン
タル用エフチング液のアタックを最小限に押えることが
できる。
また、酢酸を含有することにより、フォトレジストの濡
れ性を向上させることもできる。
本発明のタンタル用エッチング液は寿命が長く、長期間
使用しても、良好なプロファイルを有するタンタルの微
細パターンをエッチングすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にかかるフン化アンモニウムの添加効果
を表すグラフであり、第2図は本発明のタンタル用エッ
チング液に含有される水の容量比がエッチングレートに
及ぼす効果を表わすグラフであり、第3図(a)は本発
明のタンタル用エツ−F−ング液でエッチングしたタン
タルのパターンの断面図であり、第3図(b)は従来の
タンタル用エッチング液でエッチングしたタンタルのパ
ターンの断痛図である。 第 図 HF (容量止) 第 2 図 本、 (gi比) 第 3 図 ((1) (b)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)フッ酸を容量比で1〜5、フッ化アンモニウムを
    容量比で1〜5、硝酸を容量で5〜30、酢酸または水
    または酢酸と水との混合液を容量比で1〜5含有してな
    るタンタル用エッチング液。
  2. (2)濃度35%〜55%のフッ酸を容量比で1〜5、
    濃度30〜45%のフッ化アンモニウムを容量比で1〜
    5、濃度55〜70%の硝酸を容量比で5〜30、酢酸
    または水または酢酸と水との混合液を容量比で1〜5含
    有してなるタンタル用エッチング液。
JP18534289A 1989-07-18 1989-07-18 タンタル用エッチング液 Pending JPH0353084A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18534289A JPH0353084A (ja) 1989-07-18 1989-07-18 タンタル用エッチング液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18534289A JPH0353084A (ja) 1989-07-18 1989-07-18 タンタル用エッチング液

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0353084A true JPH0353084A (ja) 1991-03-07

Family

ID=16169114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18534289A Pending JPH0353084A (ja) 1989-07-18 1989-07-18 タンタル用エッチング液

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0353084A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0470829B1 (en) * 1990-08-07 1995-04-26 W.R. Grace & Co.-Conn. Method for modifying concrete properties
KR100305415B1 (ko) * 1995-04-26 2001-11-22 야마자끼 순페이 에칭재료와에칭방법및전자장치제조방법
US6348093B1 (en) 2000-04-27 2002-02-19 W. R. Grace & Co. - Conn Basic-medium-soluble packaging material for use in castable cementitious composites
EP1840948A1 (en) * 2004-12-20 2007-10-03 Stella Chemifa Corporation Fine treatment agent and fine treatment method using same
JP2007528938A (ja) * 2003-12-19 2007-10-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プロセスチャンバ構成要素からの、タンタル含有堆積物の洗浄

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0470829B1 (en) * 1990-08-07 1995-04-26 W.R. Grace & Co.-Conn. Method for modifying concrete properties
KR100305415B1 (ko) * 1995-04-26 2001-11-22 야마자끼 순페이 에칭재료와에칭방법및전자장치제조방법
US6348093B1 (en) 2000-04-27 2002-02-19 W. R. Grace & Co. - Conn Basic-medium-soluble packaging material for use in castable cementitious composites
JP2007528938A (ja) * 2003-12-19 2007-10-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プロセスチャンバ構成要素からの、タンタル含有堆積物の洗浄
EP1840948A1 (en) * 2004-12-20 2007-10-03 Stella Chemifa Corporation Fine treatment agent and fine treatment method using same
EP1840948A4 (en) * 2004-12-20 2009-01-14 Stella Chemifa Corp FINE TREATMENT AGENT AND FINE TREATMENT METHOD USING THE SAME
US7727415B2 (en) 2004-12-20 2010-06-01 Stella Chemifa Corporation Fine treatment agent and fine treatment method using same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100456373B1 (ko) 구리 또는 구리/티타늄 식각액
EP0892840A1 (en) A composition for cleaning and etching electronic display and substrate
TW200951205A (en) Cleaning and etching composition for glass substrate of liquid crystal display device and etching method for glass substrate using the same
JPH0353084A (ja) タンタル用エッチング液
US5928969A (en) Method for controlled selective polysilicon etching
KR970023504A (ko) 유전체소자(誘電體素子)의 제조방법
US6893578B1 (en) Selective etchant for oxide sacrificial material in semiconductor device fabrication
KR970008397A (ko) 식각용액 및 이를 이용한 반도체 장치의 식각방법
JPS6340734A (ja) ガラス板への貫通孔の形成方法
JP2775247B2 (ja) 半導体素子の位相反転マスク製造方法
JPH0311093B2 (ja)
KR100415319B1 (ko) 투명도전막의 에칭액 조성물
JPH01151236A (ja) アルミニウム膜のテーパーエツチング方法
JPH01230023A (ja) 液晶表示体
JPH01125831A (ja) エッチング液及びエッチング方法
JP2706211B2 (ja) 半導体用エッチング液と結晶処理方法および半導体装置の製造方法
TWI223661B (en) Etchant formulation for ITO film
JPH01268885A (ja) Ta膜パターン形成法
JPH02185985A (ja) エッチング液
JPS6216276B2 (ja)
KR100370111B1 (ko) 액정표시장치 제조방법
CA1042773A (en) Method of etching a surface of a substrate comprising linbo3
JPH0342829A (ja) 透明導電膜のエッチャント
JPH0589662A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH079652A (ja) 精密ガラス凹版の作成方法