JPH0353084A - タンタル用エッチング液 - Google Patents
タンタル用エッチング液Info
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- JPH0353084A JPH0353084A JP18534289A JP18534289A JPH0353084A JP H0353084 A JPH0353084 A JP H0353084A JP 18534289 A JP18534289 A JP 18534289A JP 18534289 A JP18534289 A JP 18534289A JP H0353084 A JPH0353084 A JP H0353084A
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- tantalum
- etching
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- etching solution
- acid
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- Pending
Links
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- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 56
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 56
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はタンタル用エッチング液に関し、詳しくは液晶
表示パネルの電極等に使用されるタンクルをエッチング
するためのタンタル用エッチング液に関する。
表示パネルの電極等に使用されるタンクルをエッチング
するためのタンタル用エッチング液に関する。
従来液晶表示パネル製造工程におけるタンタルのエッチ
ングは、タンタル層上に7ォトレジストパターンの形或
された基板をタンタル用エッチング液に浸漬することに
より行なわれている。
ングは、タンタル層上に7ォトレジストパターンの形或
された基板をタンタル用エッチング液に浸漬することに
より行なわれている。
タンタル用エッチング液としては濃度48%フッ酸を容
量比l,硝酸を容量比2、水を容量比1で混合した酸性
二クチンダ液の他、濃度30%水酸化ナトリウム水溶液
あるいは水酸化カリウム水溶液を容量比9〜10に、濃
度30〜35%の過酸化水素水を容量比1で混合し、9
0℃に加温して用いるアルカリ性エッチング液が知られ
ている。
量比l,硝酸を容量比2、水を容量比1で混合した酸性
二クチンダ液の他、濃度30%水酸化ナトリウム水溶液
あるいは水酸化カリウム水溶液を容量比9〜10に、濃
度30〜35%の過酸化水素水を容量比1で混合し、9
0℃に加温して用いるアルカリ性エッチング液が知られ
ている。
タンタルの微細なエッチング加工を上記酸性エッチング
液で行なう場合、フォトレジストおよびフォトレジスト
とタンタルの界面に対する酸性エッチング液のアタック
が強く、パターン形状の安定性に欠けていた。
液で行なう場合、フォトレジストおよびフォトレジスト
とタンタルの界面に対する酸性エッチング液のアタック
が強く、パターン形状の安定性に欠けていた。
アルカリ性エッチング液の場合、一般的に用いられてい
るポジ型の7ォトレジストは溶解されてしまい使用する
ことができず、またネガ型フォトレジストでもエッチン
グ液を高温で使用するために、フォトレジストが剥離し
てしまうことがあるなど微細化はもとよりプロセスの安
定性に欠けている。
るポジ型の7ォトレジストは溶解されてしまい使用する
ことができず、またネガ型フォトレジストでもエッチン
グ液を高温で使用するために、フォトレジストが剥離し
てしまうことがあるなど微細化はもとよりプロセスの安
定性に欠けている。
本発明では酸性エッチング液に着目し、従来のタンタル
用エッチング液では困難であった、微細なパターンをエ
ッチング可能なタンタル用エッチング液の提供を目的と
する。
用エッチング液では困難であった、微細なパターンをエ
ッチング可能なタンタル用エッチング液の提供を目的と
する。
本発明のタンタル用エッチング液は、ソッ酸を容量比で
1〜5、フッ化アンモニウムを容量比で1〜5、硝酸を
容量比で5〜30、酢酸または水または酢酸と水との混
合液を容量比で1〜5含有するものである。
1〜5、フッ化アンモニウムを容量比で1〜5、硝酸を
容量比で5〜30、酢酸または水または酢酸と水との混
合液を容量比で1〜5含有するものである。
また、更に好ましくは本発明のタンタル用エッチング液
は、濃度35〜55%のフッ酸を容量比でl〜5、濃度
30〜45%のフッ化アンモニウムを容量比で1〜5、
濃度55〜70%の硝酸を容量比で5〜30、酢酸また
は水または酢酸と水との混合液を容量比で1〜5含有す
るものである。
は、濃度35〜55%のフッ酸を容量比でl〜5、濃度
30〜45%のフッ化アンモニウムを容量比で1〜5、
濃度55〜70%の硝酸を容量比で5〜30、酢酸また
は水または酢酸と水との混合液を容量比で1〜5含有す
るものである。
本発明のタンタル用エクチング液は、フツ化アンモニウ
ムを含有するためタンタルのエッチングレートが向上し
た。この様子を第1図に示す。第1図の曲線1は、フツ
化アンモニウム、硝酸、およびフッ酸からなるエッチン
グ液でフッ化アンモニウムと硝酸との容量比を1:10
とし、フツ酸の容量比を変化させた場合のタンタルのエ
ッチングレートの変化を示したものである。一方、同図
中曲線2は硝酸とフッ酸からなるエッチング液で、フッ
酸の容量比を変化させた場合のタンタルのエッチングレ
ートの変化を示したものである。同図から明らかなよう
に、フフ化アンモニウムを添加することによりタンタル
のエッチングレートの向上を図ることができる。また、
フツ化アンモニウムの容量比1〜5にすると微細パター
ンのエッチングに効果があり、更に濃度30〜45%の
フツ化アンモニウムをこの容量比で含有するタンタル用
エッチング液は、特に微細パターンのエッチングに優れ
ている。
ムを含有するためタンタルのエッチングレートが向上し
た。この様子を第1図に示す。第1図の曲線1は、フツ
化アンモニウム、硝酸、およびフッ酸からなるエッチン
グ液でフッ化アンモニウムと硝酸との容量比を1:10
とし、フツ酸の容量比を変化させた場合のタンタルのエ
ッチングレートの変化を示したものである。一方、同図
中曲線2は硝酸とフッ酸からなるエッチング液で、フッ
酸の容量比を変化させた場合のタンタルのエッチングレ
ートの変化を示したものである。同図から明らかなよう
に、フフ化アンモニウムを添加することによりタンタル
のエッチングレートの向上を図ることができる。また、
フツ化アンモニウムの容量比1〜5にすると微細パター
ンのエッチングに効果があり、更に濃度30〜45%の
フツ化アンモニウムをこの容量比で含有するタンタル用
エッチング液は、特に微細パターンのエッチングに優れ
ている。
タンタル用エッチング液に含有されるノツ酸の容量比は
1〜5が好ましく、特に濃度35〜55%のフッ酸をこ
の容量比で含有するタンタル用エッチング液は微細パタ
ーンのエッチングに効果的である。フッ酸の容量比が5
より大きい場合には、エッチングレートは速くなるもの
の、フォトレジストへのアタックが強くなり、フォトレ
ジストの剥離が起きやすくエッチング液として不適であ
る。
1〜5が好ましく、特に濃度35〜55%のフッ酸をこ
の容量比で含有するタンタル用エッチング液は微細パタ
ーンのエッチングに効果的である。フッ酸の容量比が5
より大きい場合には、エッチングレートは速くなるもの
の、フォトレジストへのアタックが強くなり、フォトレ
ジストの剥離が起きやすくエッチング液として不適であ
る。
また、容量比が1より小さい場合には、エッチングに時
間がかかり、フォトレジストとタンタルの界面にエッチ
ング液がしみ込んでしまい微細パターンをエッチングす
るのは困難である。
間がかかり、フォトレジストとタンタルの界面にエッチ
ング液がしみ込んでしまい微細パターンをエッチングす
るのは困難である。
硝酸の容量比は5〜30が好しく、濃度55〜70%の
硝酸をこの容量比で含有するタンタル用エッチング液は
微細パターンのエッチングに効果的である。硝酸の容量
比が5より小さい場合には、エッチングがほとんど行な
われない。また、硝酸の容量比が30より大きい場合に
は、液中のフツ酸の割合が小さくなるためエッチングレ
ートが遅くなり、フォトレジストとタンタルの界面にエ
クチンダ液がしみ込み微細パターンをエッチングするの
は困難である。
硝酸をこの容量比で含有するタンタル用エッチング液は
微細パターンのエッチングに効果的である。硝酸の容量
比が5より小さい場合には、エッチングがほとんど行な
われない。また、硝酸の容量比が30より大きい場合に
は、液中のフツ酸の割合が小さくなるためエッチングレ
ートが遅くなり、フォトレジストとタンタルの界面にエ
クチンダ液がしみ込み微細パターンをエッチングするの
は困難である。
酢酸または水または酢酸と水との混合液の容量比は1〜
5が好ましい。この様子を第2図に示す。
5が好ましい。この様子を第2図に示す。
第2図の曲線6は、フッ酸とフッ化アンモニウムと硝酸
と水とを含有するタンタル用エクチング液で、フッ酸と
フフ化アンモニウムと硝酸との容量比を1:1:10と
し、水の容量比を変化させた場合のタンタルのエッチン
グレートの変化を示すものである。第2図から明らかな
ように、水の容量比が5より大きい場合にはエッチング
レートが遅く、タンタルとフォトレジストとの界面にエ
クチンダ液がしみ込み微細パターンをエッチングするこ
とはできない。また、水の容量比が1より小さい場合に
は、フォトレジストおよびフォトレジストとタンタルの
界面に対するエッチング液のアタックが激しく、微細パ
ターンをエッチングするのは困難である。第2図には水
を使用した結果を示したが、酢酸または酢酸と水との混
合液を使用した場合もほぼ同様な結果が得られる。更に
、本発明のタンタル用エッチング液に酢酸が含有される
場合にはフォトレジストの濡れ性が向上する。
と水とを含有するタンタル用エクチング液で、フッ酸と
フフ化アンモニウムと硝酸との容量比を1:1:10と
し、水の容量比を変化させた場合のタンタルのエッチン
グレートの変化を示すものである。第2図から明らかな
ように、水の容量比が5より大きい場合にはエッチング
レートが遅く、タンタルとフォトレジストとの界面にエ
クチンダ液がしみ込み微細パターンをエッチングするこ
とはできない。また、水の容量比が1より小さい場合に
は、フォトレジストおよびフォトレジストとタンタルの
界面に対するエッチング液のアタックが激しく、微細パ
ターンをエッチングするのは困難である。第2図には水
を使用した結果を示したが、酢酸または酢酸と水との混
合液を使用した場合もほぼ同様な結果が得られる。更に
、本発明のタンタル用エッチング液に酢酸が含有される
場合にはフォトレジストの濡れ性が向上する。
本発明のタンタル用エッチング液は、フッ酸、フッ化ア
ンモニウム、硝酸、酢酸または水または酢酸と水との混
合液の容量比を上記のように組み合わせることにより、
エッチングレートの増加とともに、フォトレジストおよ
びフォトレジストとタンタルとの界面へのエッチング液
のアタックを最小限に押えることができ、良好なプロフ
ァイルを有するメンタルの微細パターンをエッチングで
きるものである。
ンモニウム、硝酸、酢酸または水または酢酸と水との混
合液の容量比を上記のように組み合わせることにより、
エッチングレートの増加とともに、フォトレジストおよ
びフォトレジストとタンタルとの界面へのエッチング液
のアタックを最小限に押えることができ、良好なプロフ
ァイルを有するメンタルの微細パターンをエッチングで
きるものである。
以下、本発明の実′m例を第3図を用いて説明する。
ガラス基板4上にタンタル酸化物5を形或した後に、イ
ンライン式スパッタリング法を用いてタンタル6を膜厚
250nm形或し、次にタンタル膜6上に3μm幅のフ
ォトレジストパ,J−77を形或した。このようにして
作成した試料を下記組成のタンタル用エッチング液でエ
ッチングした。
ンライン式スパッタリング法を用いてタンタル6を膜厚
250nm形或し、次にタンタル膜6上に3μm幅のフ
ォトレジストパ,J−77を形或した。このようにして
作成した試料を下記組成のタンタル用エッチング液でエ
ッチングした。
タンタル用エッチング液は、濃度50%の7ノ酸を容量
比で1、濃度40%のフフ化アンモニウムを容量比で2
、濃度61%の硝酸を容量比で22、水を容量比で3含
有するものである。このときエッチングされたメンタル
の断面図を第3図fa)に示す。
比で1、濃度40%のフフ化アンモニウムを容量比で2
、濃度61%の硝酸を容量比で22、水を容量比で3含
有するものである。このときエッチングされたメンタル
の断面図を第3図fa)に示す。
第3図(a)から明らかなように本発明のタンタル用エ
ッチング液を使用することにより、夕/タルの微細ハタ
ーンを良好なプロフィルでエッチングすることができる
。
ッチング液を使用することにより、夕/タルの微細ハタ
ーンを良好なプロフィルでエッチングすることができる
。
(比較例)
濃度48%のフッ酸を容量比l,濃度61%硝酸を容量
比で2含有するエッチング液で、実施例1で作或した試
料をエッチングした。このときエッチングされたタンタ
ルの断面図を第3図(b)に示す。同図から明らかなよ
うに、エッチングの途中テフォ}L/ジストが剥離し、
タンタルの膜厚が減少し、微細パターンをエッチングす
ることはできなかった。
比で2含有するエッチング液で、実施例1で作或した試
料をエッチングした。このときエッチングされたタンタ
ルの断面図を第3図(b)に示す。同図から明らかなよ
うに、エッチングの途中テフォ}L/ジストが剥離し、
タンタルの膜厚が減少し、微細パターンをエッチングす
ることはできなかった。
本発明のタンタル用エフチング液は、フッ酸を容量比で
1〜5、フッ化アンモニウムを容量比で1〜5、硝酸を
容量比で5〜30,酢酸または水または酢酸と水との混
合液を容量比で1〜5含有するものであり、良好なプロ
ファイルを有する微細なタンタルのパターンをエッチン
グすることができる。また、本発明のタンタル用エッチ
ング液はフフ化アンモニウムを含有することにより、タ
ンタルのエッチングレートの増加を図ることが可能であ
り、更に酢酸または水または酢酸と水との混合液の容量
比を1〜5の範囲内で変化させることにより、エッチン
グレートを所望の範囲にしたり、あるいはフォトレジス
トおよびフォトレジストとタンタルの界面に対するメン
タル用エフチング液のアタックを最小限に押えることが
できる。
1〜5、フッ化アンモニウムを容量比で1〜5、硝酸を
容量比で5〜30,酢酸または水または酢酸と水との混
合液を容量比で1〜5含有するものであり、良好なプロ
ファイルを有する微細なタンタルのパターンをエッチン
グすることができる。また、本発明のタンタル用エッチ
ング液はフフ化アンモニウムを含有することにより、タ
ンタルのエッチングレートの増加を図ることが可能であ
り、更に酢酸または水または酢酸と水との混合液の容量
比を1〜5の範囲内で変化させることにより、エッチン
グレートを所望の範囲にしたり、あるいはフォトレジス
トおよびフォトレジストとタンタルの界面に対するメン
タル用エフチング液のアタックを最小限に押えることが
できる。
また、酢酸を含有することにより、フォトレジストの濡
れ性を向上させることもできる。
れ性を向上させることもできる。
本発明のタンタル用エッチング液は寿命が長く、長期間
使用しても、良好なプロファイルを有するタンタルの微
細パターンをエッチングすることができる。
使用しても、良好なプロファイルを有するタンタルの微
細パターンをエッチングすることができる。
第1図は本発明にかかるフン化アンモニウムの添加効果
を表すグラフであり、第2図は本発明のタンタル用エッ
チング液に含有される水の容量比がエッチングレートに
及ぼす効果を表わすグラフであり、第3図(a)は本発
明のタンタル用エツ−F−ング液でエッチングしたタン
タルのパターンの断面図であり、第3図(b)は従来の
タンタル用エッチング液でエッチングしたタンタルのパ
ターンの断痛図である。 第 図 HF (容量止) 第 2 図 本、 (gi比) 第 3 図 ((1) (b)
を表すグラフであり、第2図は本発明のタンタル用エッ
チング液に含有される水の容量比がエッチングレートに
及ぼす効果を表わすグラフであり、第3図(a)は本発
明のタンタル用エツ−F−ング液でエッチングしたタン
タルのパターンの断面図であり、第3図(b)は従来の
タンタル用エッチング液でエッチングしたタンタルのパ
ターンの断痛図である。 第 図 HF (容量止) 第 2 図 本、 (gi比) 第 3 図 ((1) (b)
Claims (2)
- (1)フッ酸を容量比で1〜5、フッ化アンモニウムを
容量比で1〜5、硝酸を容量で5〜30、酢酸または水
または酢酸と水との混合液を容量比で1〜5含有してな
るタンタル用エッチング液。 - (2)濃度35%〜55%のフッ酸を容量比で1〜5、
濃度30〜45%のフッ化アンモニウムを容量比で1〜
5、濃度55〜70%の硝酸を容量比で5〜30、酢酸
または水または酢酸と水との混合液を容量比で1〜5含
有してなるタンタル用エッチング液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18534289A JPH0353084A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | タンタル用エッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18534289A JPH0353084A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | タンタル用エッチング液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0353084A true JPH0353084A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16169114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18534289A Pending JPH0353084A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | タンタル用エッチング液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0353084A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0470829B1 (en) * | 1990-08-07 | 1995-04-26 | W.R. Grace & Co.-Conn. | Method for modifying concrete properties |
KR100305415B1 (ko) * | 1995-04-26 | 2001-11-22 | 야마자끼 순페이 | 에칭재료와에칭방법및전자장치제조방법 |
US6348093B1 (en) | 2000-04-27 | 2002-02-19 | W. R. Grace & Co. - Conn | Basic-medium-soluble packaging material for use in castable cementitious composites |
EP1840948A1 (en) * | 2004-12-20 | 2007-10-03 | Stella Chemifa Corporation | Fine treatment agent and fine treatment method using same |
JP2007528938A (ja) * | 2003-12-19 | 2007-10-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プロセスチャンバ構成要素からの、タンタル含有堆積物の洗浄 |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP18534289A patent/JPH0353084A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0470829B1 (en) * | 1990-08-07 | 1995-04-26 | W.R. Grace & Co.-Conn. | Method for modifying concrete properties |
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JP2007528938A (ja) * | 2003-12-19 | 2007-10-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プロセスチャンバ構成要素からの、タンタル含有堆積物の洗浄 |
EP1840948A1 (en) * | 2004-12-20 | 2007-10-03 | Stella Chemifa Corporation | Fine treatment agent and fine treatment method using same |
EP1840948A4 (en) * | 2004-12-20 | 2009-01-14 | Stella Chemifa Corp | FINE TREATMENT AGENT AND FINE TREATMENT METHOD USING THE SAME |
US7727415B2 (en) | 2004-12-20 | 2010-06-01 | Stella Chemifa Corporation | Fine treatment agent and fine treatment method using same |
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