JP2706211B2 - 半導体用エッチング液と結晶処理方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体用エッチング液と結晶処理方法および半導体装置の製造方法Info
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- JP2706211B2 JP2706211B2 JP8724493A JP8724493A JP2706211B2 JP 2706211 B2 JP2706211 B2 JP 2706211B2 JP 8724493 A JP8724493 A JP 8724493A JP 8724493 A JP8724493 A JP 8724493A JP 2706211 B2 JP2706211 B2 JP 2706211B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体結晶の処理に関
し、特に、発光素子材料として期待されているＺｎを含
むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体およびその混晶の鏡面化エ
ッチングおよび鏡面化エッチングの工程を有する半導体
装置の製造方法に関する。
し、特に、発光素子材料として期待されているＺｎを含
むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体およびその混晶の鏡面化エ
ッチングおよび鏡面化エッチングの工程を有する半導体
装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であるＺｎＳ
ｅのエッチング液としては、水酸化ナトリウム（ＮａＯ
Ｈ）水溶液、臭素（Ｂｒ）メタノール溶液および水酸化
アンモニウム（ＮＨ4 ＯＨ）−過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）
溶液が知られている。
ｅのエッチング液としては、水酸化ナトリウム（ＮａＯ
Ｈ）水溶液、臭素（Ｂｒ）メタノール溶液および水酸化
アンモニウム（ＮＨ4 ＯＨ）−過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）
溶液が知られている。
【０００３】ＮａＯＨ水溶液を使用する場合には、５〜
５０重量％ＮａＯＨ水溶液を８０〜１００℃に加熱し
て、エッチングを行なう。しかし、ＮａＯＨ水溶液は異
方性エッチャントであるため、エッチピットが発生す
る。そのため、鏡面化エッチングを行なうのは困難であ
る。
５０重量％ＮａＯＨ水溶液を８０〜１００℃に加熱し
て、エッチングを行なう。しかし、ＮａＯＨ水溶液は異
方性エッチャントであるため、エッチピットが発生す
る。そのため、鏡面化エッチングを行なうのは困難であ
る。
【０００４】Ｂｒメタノール溶液を使用する場合には、
Ｂｒをメタノールに０．５〜５体積％溶解し、エッチン
グを行なう。しかし、Ｂｒメタノール溶液はピットエッ
チャントであり、鏡面化エッチングを行なうのは困難で
ある。また、高品質な結晶に対してはエッチング速度が
遅いこと、揮発成分を含んでいるため、エッチャントの
成分比が不均一になりやすいこと等の欠点を有する。
Ｂｒをメタノールに０．５〜５体積％溶解し、エッチン
グを行なう。しかし、Ｂｒメタノール溶液はピットエッ
チャントであり、鏡面化エッチングを行なうのは困難で
ある。また、高品質な結晶に対してはエッチング速度が
遅いこと、揮発成分を含んでいるため、エッチャントの
成分比が不均一になりやすいこと等の欠点を有する。
【０００５】ＮＨ4 ＯＨ−Ｈ2 Ｏ2 溶液を使用する場合
には、体積比がＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ 2 ＝２：１〜６：１
の溶液でエッチングを行なう。ＮＨ4 ＯＨ−Ｈ2 Ｏ2 溶
液は、ＺｎＳｅの（１１１）Ｂ面に対しては有効である
が、（１１１）Ａ面に対してはほとんどエッチングでき
ず、効果がない。
には、体積比がＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ 2 ＝２：１〜６：１
の溶液でエッチングを行なう。ＮＨ4 ＯＨ−Ｈ2 Ｏ2 溶
液は、ＺｎＳｅの（１１１）Ｂ面に対しては有効である
が、（１１１）Ａ面に対してはほとんどエッチングでき
ず、効果がない。
【０００６】また、エッチング中に強固な酸化膜が発生
するため、エッチングが長時間になると、エッチング速
度が遅くなり、均一なエッチング速度でエッチングする
ことができない。
するため、エッチングが長時間になると、エッチング速
度が遅くなり、均一なエッチング速度でエッチングする
ことができない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＺｎＳｅエッチング液
として、従来から知られているＮａＯＨ水溶液およびＢ
ｒメタノール溶液は、エッチング速度が結晶面方位に依
存する異方性を有するため、鏡面化エッチングは困難で
ある。
として、従来から知られているＮａＯＨ水溶液およびＢ
ｒメタノール溶液は、エッチング速度が結晶面方位に依
存する異方性を有するため、鏡面化エッチングは困難で
ある。
【０００８】また、ＮＨ4 ＯＨ−Ｈ2 Ｏ2 溶液は、Ｚｎ
Ｓｅの（１１１）Ａ面に対してほとんどエッチングでき
ないこと、および酸化膜の発生によりエッチング速度を
均一に保てないこと等の欠点を有するため、鏡面化エッ
チングには適さない。
Ｓｅの（１１１）Ａ面に対してほとんどエッチングでき
ないこと、および酸化膜の発生によりエッチング速度を
均一に保てないこと等の欠点を有するため、鏡面化エッ
チングには適さない。
【０００９】本発明の目的は、Ｚｎを含むＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体結晶およびその混晶を鏡面化エッチングす
るためのエッチング液およびエッチング方法を提供する
ことである。
化合物半導体結晶およびその混晶を鏡面化エッチングす
るためのエッチング液およびエッチング方法を提供する
ことである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の結晶処理方法
は、硫酸水溶液に過マンガン酸カリウムを溶解させたエ
ッチング液を使用して、Ｚｎを含むＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体結晶またはその混晶をエッチングすることを特徴
とする。
は、硫酸水溶液に過マンガン酸カリウムを溶解させたエ
ッチング液を使用して、Ｚｎを含むＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体結晶またはその混晶をエッチングすることを特徴
とする。
【００１１】
【作用】過マンガン酸カリウムを添加した硫酸水溶液
は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に対するエッチング速度
が結晶面方位に依存せず、また、長時間のエッチングで
も一定のエッチング速度を示すことが認められた。
は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に対するエッチング速度
が結晶面方位に依存せず、また、長時間のエッチングで
も一定のエッチング速度を示すことが認められた。
【００１２】
【実施例】以下、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＺｎＳｅ
単結晶をＫＭｎＯ4 添加硫酸水溶液を使用してエッチン
グする場合を例にとって説明する。
単結晶をＫＭｎＯ4 添加硫酸水溶液を使用してエッチン
グする場合を例にとって説明する。
【００１３】液相結晶成長によって作製したＺｎＳｅ単
結晶から（１１１）面ウエハおよび（１００）面ウエハ
を切り出す。このウエハをアルミナ系微粉研磨材を用い
てラッピングし、次にポリッシングクロスを用いてポリ
ッシングする。最後に、結晶に付着した研磨材を充分に
除去し、エッチング用サンプルを準備する。
結晶から（１１１）面ウエハおよび（１００）面ウエハ
を切り出す。このウエハをアルミナ系微粉研磨材を用い
てラッピングし、次にポリッシングクロスを用いてポリ
ッシングする。最後に、結晶に付着した研磨材を充分に
除去し、エッチング用サンプルを準備する。
【００１４】次に、Ｈ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１〜１：
１０の体積比で調合した硫酸水溶液を作成する。このＨ
2 ＳＯ4 水溶液２５ｍｌに対してＫＭｎＯ4 を５〜１０
０ｍｇ溶解させて、エッチング液を準備する。
１０の体積比で調合した硫酸水溶液を作成する。このＨ
2 ＳＯ4 水溶液２５ｍｌに対してＫＭｎＯ4 を５〜１０
０ｍｇ溶解させて、エッチング液を準備する。
【００１５】図１（Ａ）は、エッチング速度の結晶面方
位依存性を示すグラフである。使用したエッチング液は
体積比がＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ＝１：４の硫酸２５ｍｌに
ＫＭｎＯ4 ５０ｍｇを溶解したものである。グラフか
ら、ＺｎＳｅの（１１１）Ａ面、（１１１）Ｂ面および
（１００）面に対するエッチング速度はほぼ一定である
ことが判る。
位依存性を示すグラフである。使用したエッチング液は
体積比がＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ＝１：４の硫酸２５ｍｌに
ＫＭｎＯ4 ５０ｍｇを溶解したものである。グラフか
ら、ＺｎＳｅの（１１１）Ａ面、（１１１）Ｂ面および
（１００）面に対するエッチング速度はほぼ一定である
ことが判る。
【００１６】このことから、ＫＭｎＯ4 添加硫酸水溶液
は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のようなイオン結合性が
強く、極性を持った結晶面に対しても、一様なエッチン
グ特性を示すと考えられる。これは、面方位によらず鏡
面化エッチングが可能であることを示している。
は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のようなイオン結合性が
強く、極性を持った結晶面に対しても、一様なエッチン
グ特性を示すと考えられる。これは、面方位によらず鏡
面化エッチングが可能であることを示している。
【００１７】図１（Ｂ）は、エッチング時間とエッチン
グの厚さの関係を示すグラフである。使用したエッチン
グ液は、図１（Ａ）で使用したものと同じものである。
また、ＺｎＳｅウエハは、（１１１）Ｂ面のものを使用
した。
グの厚さの関係を示すグラフである。使用したエッチン
グ液は、図１（Ａ）で使用したものと同じものである。
また、ＺｎＳｅウエハは、（１１１）Ｂ面のものを使用
した。
【００１８】グラフからエッチングの厚さはエッチング
時間にほぼ比例していることが判る。これにより、所望
のエッチングの厚さをエッチング時間によって制御する
ことが可能であることが判る。
時間にほぼ比例していることが判る。これにより、所望
のエッチングの厚さをエッチング時間によって制御する
ことが可能であることが判る。
【００１９】図１（Ｃ）は、エッチング液のＫＭｎＯ4
溶解量と、エッチング速度との関係を示すグラフであ
る。使用したＺｎＳｅウエハは、（１１１）Ｂ面のもの
である。エッチング液として体積比がＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ2
Ｏ＝１：４の硫酸２５ｍｌに、ＫＭｎＯ4 をそれぞれ４
０ｍｇ、５０ｍｇおよび６０ｍｇ溶解した場合について
評価を行なった。
溶解量と、エッチング速度との関係を示すグラフであ
る。使用したＺｎＳｅウエハは、（１１１）Ｂ面のもの
である。エッチング液として体積比がＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ2
Ｏ＝１：４の硫酸２５ｍｌに、ＫＭｎＯ4 をそれぞれ４
０ｍｇ、５０ｍｇおよび６０ｍｇ溶解した場合について
評価を行なった。
【００２０】グラフから、ＫＭｎＯ4 を増加させるとエ
ッチング速度も増加することが判る。エッチング速度増
加の割合は、ＫＭｎＯ4 溶解量に対してリニア以上（高
次）の関係を示している。すなわち、ＫＭｎＯ4 の溶解
量を変化させて、広い範囲内で所望のエッチング速度を
持つエッチング液を得ることが可能である。
ッチング速度も増加することが判る。エッチング速度増
加の割合は、ＫＭｎＯ4 溶解量に対してリニア以上（高
次）の関係を示している。すなわち、ＫＭｎＯ4 の溶解
量を変化させて、広い範囲内で所望のエッチング速度を
持つエッチング液を得ることが可能である。
【００２１】上記実施例は、溶媒となる硫酸の組成がＨ
2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ＝１：４の体積比となる場合、および
硫酸２５ｍｌに対してＫＭｎＯ4 を４０〜６０ｍｇ溶解
した場合について説明したが、これ以外の組成の場合で
も使用可能である。
2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ＝１：４の体積比となる場合、および
硫酸２５ｍｌに対してＫＭｎＯ4 を４０〜６０ｍｇ溶解
した場合について説明したが、これ以外の組成の場合で
も使用可能である。
【００２２】体積比がＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ＝１：３より
も低濃度の硫酸水溶液（体積比１：３≦）を使用し、か
つ硫酸水溶液２５ｍｌに対してＫＭｎＯ4 ２０ｍｇ以上
を溶解した場合に、鏡面化エッチングの傾向を示す。特
に、体積比がＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ 2 Ｏ＝１：４〜１：５の硫
酸水溶液を使用し、この硫酸水溶液２５ｍｌにＫＭｎＯ
4 を４０〜６０ｍｇ溶解した場合に、良好な鏡面状態を
得ることができた。
も低濃度の硫酸水溶液（体積比１：３≦）を使用し、か
つ硫酸水溶液２５ｍｌに対してＫＭｎＯ4 ２０ｍｇ以上
を溶解した場合に、鏡面化エッチングの傾向を示す。特
に、体積比がＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ 2 Ｏ＝１：４〜１：５の硫
酸水溶液を使用し、この硫酸水溶液２５ｍｌにＫＭｎＯ
4 を４０〜６０ｍｇ溶解した場合に、良好な鏡面状態を
得ることができた。
【００２３】ＫＭｎＯ4 は、一般的に酸化剤として知ら
れているが、その働きは溶媒の性質に左右される。本実
施例においても、体積比がＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ＝１：３
より高濃度の硫酸水溶液を使用すると、エッチング速度
の結晶面方位依存性が現れた。
れているが、その働きは溶媒の性質に左右される。本実
施例においても、体積比がＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ＝１：３
より高濃度の硫酸水溶液を使用すると、エッチング速度
の結晶面方位依存性が現れた。
【００２４】また、硫酸水溶液２５ｍｌに対し、ＫＭｎ
Ｏ4 の溶解量を２０ｍｇより少なくすると、均一なエッ
チングが行なわれなくなった。したがって、鏡面化エッ
チャントとして使用する場合には、上記異方性や不均一
エッチングの現れない組成にすることが好ましい。
Ｏ4 の溶解量を２０ｍｇより少なくすると、均一なエッ
チングが行なわれなくなった。したがって、鏡面化エッ
チャントとして使用する場合には、上記異方性や不均一
エッチングの現れない組成にすることが好ましい。
【００２５】本実施例に示したエッチング液を使用する
と、室温でエッチング可能であるため簡便であること、
酸素の発生もなく、エッチング液の組成変動がないこと
等の効果もある。
と、室温でエッチング可能であるため簡便であること、
酸素の発生もなく、エッチング液の組成変動がないこと
等の効果もある。
【００２６】さらに、厚いエッチングが可能であるた
め、ウエハ等の加工変質層除去にも有効であり、良好な
半導体装置の製造が可能となる。たとえば、エピタキシ
ャル成長用下地基板表面のエッチング、電極形成等、表
面に加工を行なう前のエッチング、選択エッチング等に
利用することができる。
め、ウエハ等の加工変質層除去にも有効であり、良好な
半導体装置の製造が可能となる。たとえば、エピタキシ
ャル成長用下地基板表面のエッチング、電極形成等、表
面に加工を行なう前のエッチング、選択エッチング等に
利用することができる。
【００２７】以上、ＺｎＳｅ単結晶をエッチングする場
合について説明したが、このエッチング液は他のＺｎの
カルコゲン化合物に対しても有効である。さらに、この
エッチング液はその他Ｚｎを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体およびその混晶に対しても有効である。
合について説明したが、このエッチング液は他のＺｎの
カルコゲン化合物に対しても有効である。さらに、この
エッチング液はその他Ｚｎを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体およびその混晶に対しても有効である。
【００２８】また、本実施例の結晶処理方法は、Ｚｎを
含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体基板の鏡面上に拡散、イ
オン注入、またはエピタキシャル成長等を行なう工程を
有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体装置製造方法に適用す
ることが可能である。
含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体基板の鏡面上に拡散、イ
オン注入、またはエピタキシャル成長等を行なう工程を
有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体装置製造方法に適用す
ることが可能である。
【００２９】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｚｎを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の鏡面化エッ
チングが可能となる。また、本発明の結晶処理方法は、
厚いエッチングが可能であるため、ウエハ等の加工変質
層除去にも有効である。そのため、良好なＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体装置の製造が可能となる。
Ｚｎを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の鏡面化エッ
チングが可能となる。また、本発明の結晶処理方法は、
厚いエッチングが可能であるため、ウエハ等の加工変質
層除去にも有効である。そのため、良好なＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体装置の製造が可能となる。
【図１】本発明の実施例によるエッチング速度の結晶面
方位依存性を示すグラフ、エッチング時間に対するエッ
チングの厚さを示すグラフ、およびＫＭｎＯ4 溶解量を
変化させたときのエッチング速度の変化を示すグラフで
ある。
方位依存性を示すグラフ、エッチング時間に対するエッ
チングの厚さを示すグラフ、およびＫＭｎＯ4 溶解量を
変化させたときのエッチング速度の変化を示すグラフで
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 一志 神奈川県横浜市緑区荏田南２−17−８ 205号 審査官 高木 康晴 (56)参考文献 特開 平８−34700（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｈ2 ＳＯ4 水溶液に過マンガン酸カリウ
ム（ＫＭｎＯ4 ）を溶解させた半導体用エッチング液。 - 【請求項２】 Ｚｎを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結
晶またはその混晶をＨ2 ＳＯ4 水溶液に過マンガン酸カ
リウム（ＫＭｎＯ4 ）を溶解させたエッチング液を使用
してエッチングすることを特徴とする結晶処理方法。 - 【請求項３】 Ｚｎを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結
晶またはその混晶をＨ2 ＳＯ4 水溶液に過マンガン酸カ
リウム（ＫＭｎＯ4 ）を溶解させたエッチング液を使用
してエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8724493A JP2706211B2 (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 半導体用エッチング液と結晶処理方法および半導体装置の製造方法 |
| US08/226,281 US5445706A (en) | 1993-04-14 | 1994-04-11 | Wet treatment adapted for mirror etching ZnSe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8724493A JP2706211B2 (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 半導体用エッチング液と結晶処理方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213376A JPH08213376A (ja) | 1996-08-20 |
| JP2706211B2 true JP2706211B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=13909399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8724493A Expired - Lifetime JP2706211B2 (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 半導体用エッチング液と結晶処理方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2706211B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100646729B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-11-23 | 주식회사 실트론 | 비저항값이 높은 실리콘웨이퍼의 ｄ-결함 평가용 부식액및 이를 이용한 평가방법 |
| US20240055272A1 (en) * | 2020-12-25 | 2024-02-15 | Tokuyama Corporation | Method for processing semiconductor containing transition metal, method for producing semiconductor containing transition metal, and processing liquid for semiconductors |
-
1993
- 1993-04-14 JP JP8724493A patent/JP2706211B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08213376A (ja) | 1996-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970902 |