JPS63125683A - 酸化錫導電膜のエッチング方法 - Google Patents
酸化錫導電膜のエッチング方法Info
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- JPS63125683A JPS63125683A JP26992286A JP26992286A JPS63125683A JP S63125683 A JPS63125683 A JP S63125683A JP 26992286 A JP26992286 A JP 26992286A JP 26992286 A JP26992286 A JP 26992286A JP S63125683 A JPS63125683 A JP S63125683A
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Landscapes
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- Weting (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、金属元素含有導電膜用エツチング液に係り、
特に酸化錫膜を亜鉛を用いて塩酸でエツチングするとき
のエツチング液の組成に関する。
特に酸化錫膜を亜鉛を用いて塩酸でエツチングするとき
のエツチング液の組成に関する。
従来の技術
例えば非晶質半導体太陽電池、液晶表示素子等に使用さ
れる透明導電膜には、酸化錫（ＳｎＯｚ）膜が用いられ
ている。この導電膜を回路パターンに形成するには、酸
化錫膜を選択的にエツチングしなければならない。これ
を行なうには例えば基板上に形成された酸化錫膜全面に
耐酸性のホトレジスト塗料を塗布し、このホトレジスト
膜上にホトマスクを重ねて露光し、これによりホトレジ
スト膜の光の当たった部分を重合させて不溶性とする一
方、光の当たらない部分を洗い落として酸化錫膜を露出
させることによりホトレジスト膜で所望のパターンを形
成する。
れる透明導電膜には、酸化錫（ＳｎＯｚ）膜が用いられ
ている。この導電膜を回路パターンに形成するには、酸
化錫膜を選択的にエツチングしなければならない。これ
を行なうには例えば基板上に形成された酸化錫膜全面に
耐酸性のホトレジスト塗料を塗布し、このホトレジスト
膜上にホトマスクを重ねて露光し、これによりホトレジ
スト膜の光の当たった部分を重合させて不溶性とする一
方、光の当たらない部分を洗い落として酸化錫膜を露出
させることによりホトレジスト膜で所望のパターンを形
成する。
ついで、この基板上に亜鉛粉末をふりかけた後１０〜２
０％塩酸溶液に浸して上記露出した酸化錫膜をエツチン
グする。この後重合したホトレジスト膜を剥離剤を用い
て剥離して酸化錫膜のパターンを形成する。
０％塩酸溶液に浸して上記露出した酸化錫膜をエツチン
グする。この後重合したホトレジスト膜を剥離剤を用い
て剥離して酸化錫膜のパターンを形成する。
ところで、上記エツチングの原理は、
Ｚｎ ＋ ２ ＨＣＩＩ −ＺｎＣｊｌ！ｚ ＋２ Ｈ
” ＋２ｅ （１１Ｓｎｏｗ ＋ ４Ｈ” ＋４ｅ −
Ｓｎ ＋ ２ＨｚＯ＋２）Ｓｎ ＋ ４ ＭＣＩ
！ −ＳｎＣＩ！ ａ ＋ ４）１” ４ｅ
（３）のように、まず亜鉛と塩酸の反応により活性な
水素を発生しく１１、この活性な水素が酸化錫を還元し
て金属錫を発生しく２）、この金属錫が塩酸に熔解する
とともに、水素を発生しく３）、この水素が（２）式に
おいて酸化錫を還元して金属錫を発生し、これによりま
た（３）式の反応が起こり、これらが繰り返される。
” ＋２ｅ （１１Ｓｎｏｗ ＋ ４Ｈ” ＋４ｅ −
Ｓｎ ＋ ２ＨｚＯ＋２）Ｓｎ ＋ ４ ＭＣＩ
！ −ＳｎＣＩ！ ａ ＋ ４）１” ４ｅ
（３）のように、まず亜鉛と塩酸の反応により活性な
水素を発生しく１１、この活性な水素が酸化錫を還元し
て金属錫を発生しく２）、この金属錫が塩酸に熔解する
とともに、水素を発生しく３）、この水素が（２）式に
おいて酸化錫を還元して金属錫を発生し、これによりま
た（３）式の反応が起こり、これらが繰り返される。
発明が解決しようとする問題点
ところが、上記の酸化錫膜のパターンを形成するエツチ
ング工程で、酸化錫膜を形成した基板をエンチング液に
浸漬して上記反応を行なうと、ホトレジスト膜を除去さ
れて露出された酸化錫膜は。
ング工程で、酸化錫膜を形成した基板をエンチング液に
浸漬して上記反応を行なうと、ホトレジスト膜を除去さ
れて露出された酸化錫膜は。
５ｎＯｔ Ｓｎ −５ｎｆＪ！、のように変化して溶
解し、基板から除去されるが、この際ホトレジスト膜で
被覆されている酸化錫膜の側部も上記（１１式によって
生じた水素により（２）式によりＳｎとなり、これが浸
透したエツチング液のＨＣＡと反応して（３）式により
５ｎＣ１１４となって溶解する。これはサイドエツチン
グ現象と呼ばれるが、これが起きた状態で基板をエツチ
ング液から引き上げると、ホトレジスト膜下でサイドエ
ツチング部分よりさらに内側のＳｎＯ□がＳｎに還元さ
れ、このＳｎがエツチング液の塩酸に溶解されずに残っ
ている。この状態でホトレジスト膜を剥離すると、この
Ｓｎの部分が基板から容易に剥落し、さらにサイドエツ
チングを増大することになる。このようにサイドエツチ
ングの程度が大きくなると、エツチングによりできあが
った導電膜の回路パターンの線を細くし、精度の高い導
電膜パターンを作成することができず、微小回路を作成
する上で問題である。
解し、基板から除去されるが、この際ホトレジスト膜で
被覆されている酸化錫膜の側部も上記（１１式によって
生じた水素により（２）式によりＳｎとなり、これが浸
透したエツチング液のＨＣＡと反応して（３）式により
５ｎＣ１１４となって溶解する。これはサイドエツチン
グ現象と呼ばれるが、これが起きた状態で基板をエツチ
ング液から引き上げると、ホトレジスト膜下でサイドエ
ツチング部分よりさらに内側のＳｎＯ□がＳｎに還元さ
れ、このＳｎがエツチング液の塩酸に溶解されずに残っ
ている。この状態でホトレジスト膜を剥離すると、この
Ｓｎの部分が基板から容易に剥落し、さらにサイドエツ
チングを増大することになる。このようにサイドエツチ
ングの程度が大きくなると、エツチングによりできあが
った導電膜の回路パターンの線を細くし、精度の高い導
電膜パターンを作成することができず、微小回路を作成
する上で問題である。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するために、金属元素含有
導電膜から金属を遊離させこの金属を溶解させる工程に
使用されるエツチング液に上記金属をイオンし溶解可能
にする金属塩を含有させることを特徴とする金属元素含
有導電膜用エツチング液を提供するものである。
導電膜から金属を遊離させこの金属を溶解させる工程に
使用されるエツチング液に上記金属をイオンし溶解可能
にする金属塩を含有させることを特徴とする金属元素含
有導電膜用エツチング液を提供するものである。
次に本発明の詳細な説明する。
本発明においては、酸エツチング液に金属元素含有導電
膜の金属をイオン化し溶解させる金属塩を含有させるが
、これには例えば酸化錫を導電膜とし、この酸化錫を例
えば亜鉛粉末の存在下にエツチング液を作用させて錫に
還元し、この錫を溶解させる例では、塩化第二鉄をエツ
チング液に含有させる例が挙げられる。本発明はこれに
限らず、酸化インジウム、その他透明電極等に使用され
る金属元素導電膜にも適応でき、その他亜鉛粉末、酸、
塩化第二鉄も同じような作用を有する物質、例えば後者
の２つではそれぞれ硫酸、塩化カルシウム等が使用でき
る。
膜の金属をイオン化し溶解させる金属塩を含有させるが
、これには例えば酸化錫を導電膜とし、この酸化錫を例
えば亜鉛粉末の存在下にエツチング液を作用させて錫に
還元し、この錫を溶解させる例では、塩化第二鉄をエツ
チング液に含有させる例が挙げられる。本発明はこれに
限らず、酸化インジウム、その他透明電極等に使用され
る金属元素導電膜にも適応でき、その他亜鉛粉末、酸、
塩化第二鉄も同じような作用を有する物質、例えば後者
の２つではそれぞれ硫酸、塩化カルシウム等が使用でき
る。
上記の典型的な場合には、エツチング液としては、塩酸
濃度は４〜１８重景％重量化第二鉄濃度が１〜１２重量
％である水溶液が好ましいが、これに限らない。塩酸濃
度が４重量％より少ないときのエツチング液は常温では
エツチング速度を遅くする。また、塩酸濃度が２０重重
景より大きくなると、常温での亜鉛粉末との反応による
水素ガスの発生量が多くなり、上記（３）式の反応を起
こすことが多くなり、サイドエツチングを起こし易くな
る。また、塩化第二鉄濃度が１重量％より少ないときは
、常温でのＳｎの溶解（下記（６）式）が少なくなり、
１５重量％を越えると塩酸と亜鉛の反応速度が遅く、時
間がかかる。しかし、温度を変えると上記の下限濃度、
上限濃度を越える場合でも実用に支障ないエツチングを
行うことができる場合があるので、上記範囲に限るもの
ではない。
濃度は４〜１８重景％重量化第二鉄濃度が１〜１２重量
％である水溶液が好ましいが、これに限らない。塩酸濃
度が４重量％より少ないときのエツチング液は常温では
エツチング速度を遅くする。また、塩酸濃度が２０重重
景より大きくなると、常温での亜鉛粉末との反応による
水素ガスの発生量が多くなり、上記（３）式の反応を起
こすことが多くなり、サイドエツチングを起こし易くな
る。また、塩化第二鉄濃度が１重量％より少ないときは
、常温でのＳｎの溶解（下記（６）式）が少なくなり、
１５重量％を越えると塩酸と亜鉛の反応速度が遅く、時
間がかかる。しかし、温度を変えると上記の下限濃度、
上限濃度を越える場合でも実用に支障ないエツチングを
行うことができる場合があるので、上記範囲に限るもの
ではない。
作用
金属元素含有導電膜を例えば酸化錫とし、錫をイオン化
し溶解可能にする塩化第二鉄を塩酸とともに用いたエツ
チング液を亜鉛粉末とともに使用した場合、次の化学反
応を起こさせることができる。
し溶解可能にする塩化第二鉄を塩酸とともに用いたエツ
チング液を亜鉛粉末とともに使用した場合、次の化学反
応を起こさせることができる。
Ｚｎ ＋ ２ ＨＣＩ！ ＺｎＣｊ！ｚ ＋
２１（”＋２ｅ （４１Ｓｎ０２ ＋ ４８” ＋
４ｅ −Ｓｎ ＋ ２１（２０ｆ５１Ｓｎ ＋
４ＦｅＣｊ！＝ −５ｎＣｊＬ ＋ ４ＦｅＣ／ｚ
（６１これらの反応式（４）〜（６）と上記（１）〜
（３）の反応式を比較してみると、（３）と（６）の式
が異なり、サイドエツチングにより発生されたＳｎがエ
ツチング液に溶解されるときに（３）式では水素が発生
するが、（６）式ではこの水素の発生がなく、ホトレジ
スト膜の下の５ｎ０２のＳｎへの還元を（３）弐の場合
よりも少なくできる。
２１（”＋２ｅ （４１Ｓｎ０２ ＋ ４８” ＋
４ｅ −Ｓｎ ＋ ２１（２０ｆ５１Ｓｎ ＋
４ＦｅＣｊ！＝ −５ｎＣｊＬ ＋ ４ＦｅＣ／ｚ
（６１これらの反応式（４）〜（６）と上記（１）〜
（３）の反応式を比較してみると、（３）と（６）の式
が異なり、サイドエツチングにより発生されたＳｎがエ
ツチング液に溶解されるときに（３）式では水素が発生
するが、（６）式ではこの水素の発生がなく、ホトレジ
スト膜の下の５ｎ０２のＳｎへの還元を（３）弐の場合
よりも少なくできる。
実施例
次に本発明の詳細な説明する。
実施例１
予め５ｎ０２膜を１０００人の厚さに形成したガラス基
板上にホトレジスト塗料を塗布し、ネガフィルムを当て
露光して重合部と非重合部を形成し、非重合部を洗い落
として重合部からなる幅３０μｍ、長さ２０ｍの細線パ
ターンを形成する。
板上にホトレジスト塗料を塗布し、ネガフィルムを当て
露光して重合部と非重合部を形成し、非重合部を洗い落
として重合部からなる幅３０μｍ、長さ２０ｍの細線パ
ターンを形成する。
一方、水２００ｃｃ 、塩酸溶液（３５重量％） １０
０ｃｃ、塩化第二鉄溶液（４０Ｂ６） ５０ｃｃを混合
したエツチング液を作成する。このエツチング液中の塩
酸濃度は１２．６重量％、塩化第二鉄濃度は６．６重量
％であった。
０ｃｃ、塩化第二鉄溶液（４０Ｂ６） ５０ｃｃを混合
したエツチング液を作成する。このエツチング液中の塩
酸濃度は１２．６重量％、塩化第二鉄濃度は６．６重量
％であった。
上記基板上に亜鉛粉末をふりかけ、そのままの状態で上
記エツチング液に浸漬し、３０秒放置後取り出して水洗
する。ついで、市販のレジスト剥離液により細線パター
ン上のレジスト膜を剥離する。
記エツチング液に浸漬し、３０秒放置後取り出して水洗
する。ついで、市販のレジスト剥離液により細線パター
ン上のレジスト膜を剥離する。
これによりＳｎＯ２の細線パターンが形成される。この
線幅を走査型電子顕微鏡で撮影し、最小の線幅を測定し
た結果及び元の幅３０μｍからの縮み幅の割合を計算し
た結果（縮み率）を表に示す。
線幅を走査型電子顕微鏡で撮影し、最小の線幅を測定し
た結果及び元の幅３０μｍからの縮み幅の割合を計算し
た結果（縮み率）を表に示す。
実施例２〜８
実施例１において、塩酸溶液（３５重量％）１００ｃｃ
、塩化第二鉄溶液（４０Ｂ６） ５０ｃｃの代わりに表
の実施例２〜８のそれぞれの欄に記載された塩酸溶液（
３５重量％）、塩化第二鉄溶液（４０Ｂ５）を各分量用
いた以外は同様にしてＳｎＯ□の細線パターンを形成し
、その最小の線幅を同様にして測定した結果及びその縮
み率の計算結果を表に示す。
、塩化第二鉄溶液（４０Ｂ６） ５０ｃｃの代わりに表
の実施例２〜８のそれぞれの欄に記載された塩酸溶液（
３５重量％）、塩化第二鉄溶液（４０Ｂ５）を各分量用
いた以外は同様にしてＳｎＯ□の細線パターンを形成し
、その最小の線幅を同様にして測定した結果及びその縮
み率の計算結果を表に示す。
なお、エツチング液中の塩酸濃度及び塩化第二鉄濃度を
表に示した。
表に示した。
比較例１〜６
実施例１において、塩酸溶液（３５重重量）を１００ｃ
ｃに代えて表の比較例１〜６のそれぞれの欄に記載され
た分量用い、塩化第二鉄溶液５０ｃｃを加えなかった以
外は同様にしてＳｎＯ□の細線パターンを形成し、その
最小の線幅を同様にして測定した結果手続補正書（白銀 昭和６１年１２月Ｏ１日 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 ２、発明の名称 金属元素含有導電膜用エツチング液 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都台東区上野１丁目２番１２号 太陽誘電株式会社 代表者 川 １） 貢 ４、代理人 ■１０５ 東京都港区西新橋２丁目２番１０号 三喜ビル５、補正
命令の日付 自発 ８、補正の内容 ｆｉｌ 明細書第５頁第１０行および第１１行に、「
塩化カルシウム」とあるを、 「塩化第二銅」と訂正する。
ｃに代えて表の比較例１〜６のそれぞれの欄に記載され
た分量用い、塩化第二鉄溶液５０ｃｃを加えなかった以
外は同様にしてＳｎＯ□の細線パターンを形成し、その
最小の線幅を同様にして測定した結果手続補正書（白銀 昭和６１年１２月Ｏ１日 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 ２、発明の名称 金属元素含有導電膜用エツチング液 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都台東区上野１丁目２番１２号 太陽誘電株式会社 代表者 川 １） 貢 ４、代理人 ■１０５ 東京都港区西新橋２丁目２番１０号 三喜ビル５、補正
命令の日付 自発 ８、補正の内容 ｆｉｌ 明細書第５頁第１０行および第１１行に、「
塩化カルシウム」とあるを、 「塩化第二銅」と訂正する。
Claims (2)
- （１）金属元素含有導電膜から金属を遊離させこの金属
を溶解させる工程に使用されるエッチング液に上記金属
をイオン化し溶解可能にする金属塩を含有させることを
特徴とする金属元素含有導電膜用エッチング液。 - （２）金属元素含有導電膜が酸化錫膜であり、酸が塩酸
であり、金属塩が塩化第二鉄であり、塩酸を４〜１８重
量％、塩化第二鉄を１〜１２重量％含有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の金属元素含有導電膜
用エッチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26992286A JPS63125683A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 酸化錫導電膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26992286A JPS63125683A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 酸化錫導電膜のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63125683A true JPS63125683A (ja) | 1988-05-28 |
| JPH0469234B2 JPH0469234B2 (ja) | 1992-11-05 |
Family
ID=17479076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26992286A Granted JPS63125683A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 酸化錫導電膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63125683A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008547232A (ja) * | 2005-07-04 | 2008-12-25 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物透明導電層のエッチング用の媒体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6357784A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-12 | Fujitsu Ltd | 透明電極膜エツチング方法 |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP26992286A patent/JPS63125683A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6357784A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-12 | Fujitsu Ltd | 透明電極膜エツチング方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008547232A (ja) * | 2005-07-04 | 2008-12-25 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物透明導電層のエッチング用の媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0469234B2 (ja) | 1992-11-05 |
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