JPH07141932A - 透明導電膜のエッチング液組成物 - Google Patents
透明導電膜のエッチング液組成物Info
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- JPH07141932A JPH07141932A JP5325694A JP32569493A JPH07141932A JP H07141932 A JPH07141932 A JP H07141932A JP 5325694 A JP5325694 A JP 5325694A JP 32569493 A JP32569493 A JP 32569493A JP H07141932 A JPH07141932 A JP H07141932A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明は、酸化インジウム錫膜（ＩＴＯ膜）
よりなる透明導電膜のエッチング液組成物に関するもの
であって、ドデシルベンゼンスルホン酸としゅう酸と水
よりなることを特徴とする。 【効果】 このエッチング液組成物は、従来からＩＴＯ
エッチング液として使用されてきたしゅう酸水溶液で起
こるエッチング残渣の問題を解決した。
よりなる透明導電膜のエッチング液組成物に関するもの
であって、ドデシルベンゼンスルホン酸としゅう酸と水
よりなることを特徴とする。 【効果】 このエッチング液組成物は、従来からＩＴＯ
エッチング液として使用されてきたしゅう酸水溶液で起
こるエッチング残渣の問題を解決した。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、表示装置に使用される酸化イン
ジウム錫膜（以下ＩＴＯ膜と称する）よりなる透明導電
膜用のエッチング液に関する。
ジウム錫膜（以下ＩＴＯ膜と称する）よりなる透明導電
膜用のエッチング液に関する。
【０００２】
【背景技術】透明導電膜は、液晶表示装置やエレクトロ
ルミネッセンス表示装置などに広く用いられており、こ
れらの装置において、画素の表示電極を形成するために
は電極パターンを形成するエッチング工程が必要であ
り、その際透明導電膜が用いられる。
ルミネッセンス表示装置などに広く用いられており、こ
れらの装置において、画素の表示電極を形成するために
は電極パターンを形成するエッチング工程が必要であ
り、その際透明導電膜が用いられる。
【０００３】このような透明導電膜としてはＩＴＯ膜が
広く使用されている。このＩＴＯ膜の使用は、ガラスな
どの基板上にＩＴＯ膜を形成させ、レジストをマクスと
してＩＴＯ膜をエッチングする。ＩＴＯ膜のエッチング
液としては従来、塩化第二鉄水溶液、よう素酸水溶液、
りん酸溶液、塩酸・硝酸混合液（王水）、しゅう酸水溶
液などが使用されているが、これら従来のエッチング液
はその性質上それぞれに欠点を有する。
広く使用されている。このＩＴＯ膜の使用は、ガラスな
どの基板上にＩＴＯ膜を形成させ、レジストをマクスと
してＩＴＯ膜をエッチングする。ＩＴＯ膜のエッチング
液としては従来、塩化第二鉄水溶液、よう素酸水溶液、
りん酸溶液、塩酸・硝酸混合液（王水）、しゅう酸水溶
液などが使用されているが、これら従来のエッチング液
はその性質上それぞれに欠点を有する。
【０００４】（イ） 塩化第二鉄水溶液はエッチング速
度は大きく安価であるが、サイドエッチ量が大きく、
又、半導体に影響を及ぼす金属（Ｆｅ）を含有している
という欠点がある。 （ロ） よう素酸水溶液はサイドエッチ量が小さく、良
好であるが高価で、又、よう素が遊離しやすく、液の経
時的安定性に欠けるという問題がある。 （ハ） 王水はエッチング速度が大きく、安価である
が、液の経時的な安定性が乏しく、デリバリーが困難で
ある。 （ニ） りん酸溶液は電極に使用されているＡｌがエッ
チングされるという問題がある。 （ホ） しゅう酸水溶液は、安価で液の経時的な安定性
も良好であるが、エッチング残渣が生じやすいという問
題がある。
度は大きく安価であるが、サイドエッチ量が大きく、
又、半導体に影響を及ぼす金属（Ｆｅ）を含有している
という欠点がある。 （ロ） よう素酸水溶液はサイドエッチ量が小さく、良
好であるが高価で、又、よう素が遊離しやすく、液の経
時的安定性に欠けるという問題がある。 （ハ） 王水はエッチング速度が大きく、安価である
が、液の経時的な安定性が乏しく、デリバリーが困難で
ある。 （ニ） りん酸溶液は電極に使用されているＡｌがエッ
チングされるという問題がある。 （ホ） しゅう酸水溶液は、安価で液の経時的な安定性
も良好であるが、エッチング残渣が生じやすいという問
題がある。
【０００５】
【発明の開示】本発明者らは、安価で、経時的安定性も
良好で、かつ、Ａｌ電極をエッチングしないしゅう酸水
溶液についてエッチング残渣の問題を解決すべく、鋭意
研究を重ねた結果、しゅう酸水溶液に界面活性剤である
ドデシルベンゼンスルホン酸を添加することによりエッ
チング残渣が生じにくくなることを見いだした。本発明
はかかる知見に基づいて完成するに至ったものである。
すなわち、本発明は、ドデシルベンゼンスルホン酸とし
ゅう酸と水よりなることを特徴とするＩＴＯ膜よりなる
透明導電膜のエッチング液組成物を提供するものであ
る。本発明に係るエッチング液組成物を使用してエッチ
ングを行うことにより、ＩＴＯ膜においてエッチング残
渣が生じにくくなる。
良好で、かつ、Ａｌ電極をエッチングしないしゅう酸水
溶液についてエッチング残渣の問題を解決すべく、鋭意
研究を重ねた結果、しゅう酸水溶液に界面活性剤である
ドデシルベンゼンスルホン酸を添加することによりエッ
チング残渣が生じにくくなることを見いだした。本発明
はかかる知見に基づいて完成するに至ったものである。
すなわち、本発明は、ドデシルベンゼンスルホン酸とし
ゅう酸と水よりなることを特徴とするＩＴＯ膜よりなる
透明導電膜のエッチング液組成物を提供するものであ
る。本発明に係るエッチング液組成物を使用してエッチ
ングを行うことにより、ＩＴＯ膜においてエッチング残
渣が生じにくくなる。
【０００６】以下に本発明を詳しく説明する。本発明に
係るエッチング液組成物の好ましい調製方法について説
明する。しゅう酸の配合量について云えば、使用に際し
ては、しゅう酸は、水に対する溶解度以内の配合量であ
ればよいが、具体的には使用温度、デリバリーを考慮し
その状況に応じて任意の配合量を決定することで差支え
ない。配合量の下限については、０．１ｗｔ％未満では
使用温度５０℃で、エッチングレートが１００Å／ｍｉ
ｎ以下となるので実用的でなくなる。ドデシルベンゼン
スルホン酸の配合量については２５〜１００００ｐｐｍ
の範囲が好ましく使用され、２５ｐｐｍ未満ではエッチ
ング残渣を低下させる能力としては不十分であり、１０
０００ｐｐｍを越えると残渣を低下させる能力がそれ以
上には向上しないので、配合量を増やす意味がなくなる
とともに、起泡が著しくなり、リンス工程やリンス時間
に対し、不利益を招く。
係るエッチング液組成物の好ましい調製方法について説
明する。しゅう酸の配合量について云えば、使用に際し
ては、しゅう酸は、水に対する溶解度以内の配合量であ
ればよいが、具体的には使用温度、デリバリーを考慮し
その状況に応じて任意の配合量を決定することで差支え
ない。配合量の下限については、０．１ｗｔ％未満では
使用温度５０℃で、エッチングレートが１００Å／ｍｉ
ｎ以下となるので実用的でなくなる。ドデシルベンゼン
スルホン酸の配合量については２５〜１００００ｐｐｍ
の範囲が好ましく使用され、２５ｐｐｍ未満ではエッチ
ング残渣を低下させる能力としては不十分であり、１０
０００ｐｐｍを越えると残渣を低下させる能力がそれ以
上には向上しないので、配合量を増やす意味がなくなる
とともに、起泡が著しくなり、リンス工程やリンス時間
に対し、不利益を招く。
【０００７】本発明に係るエッチング液組成物の好まし
い使用方法について云えば、パターンを形成しようとす
るＩＴＯ基板（ガラス等の基板上にＩＴＯ膜を形成させ
たもの：以下単に、ＩＴＯ基板という）を本発明のエッ
チング液組成物中に入れ、室温であるいは加熱して１〜
２０分間程度浸漬した後、水洗して乾燥する。以下に、
本発明の実施例を比較例とともに掲げる。
い使用方法について云えば、パターンを形成しようとす
るＩＴＯ基板（ガラス等の基板上にＩＴＯ膜を形成させ
たもの：以下単に、ＩＴＯ基板という）を本発明のエッ
チング液組成物中に入れ、室温であるいは加熱して１〜
２０分間程度浸漬した後、水洗して乾燥する。以下に、
本発明の実施例を比較例とともに掲げる。
【０００８】
実施例１ ０．５ｗｔ％のしゅう酸と９９．５ｗｔ％の水とからな
る溶液に対し、５００ｐｐｍの濃度になる量のドデシル
ベンゼンスルホン酸を添加してエッチング液を調製し
た。このエッチング液中にレジストパターニングしたＩ
ＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４０℃で１５分間
浸漬してエッチングを行った後、この基板を１分間水洗
し、乾燥した。このエッチング後の基板表面を電子顕微
鏡で観察したところ、残渣はほとんど観察されず、ＩＴ
Ｏ膜は良好にエッチングされたことが認められた。
る溶液に対し、５００ｐｐｍの濃度になる量のドデシル
ベンゼンスルホン酸を添加してエッチング液を調製し
た。このエッチング液中にレジストパターニングしたＩ
ＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４０℃で１５分間
浸漬してエッチングを行った後、この基板を１分間水洗
し、乾燥した。このエッチング後の基板表面を電子顕微
鏡で観察したところ、残渣はほとんど観察されず、ＩＴ
Ｏ膜は良好にエッチングされたことが認められた。
【０００９】実施例２ ３．４ｗｔ％のしゅう酸と９６．６ｗｔ％の水とからな
る溶液に対し、５００ｐｐｍの濃度になる量のドデシル
ベンゼンスルホン酸を添加してエッチング液を調製し
た。このエッチング液中にレジストパターニングしたＩ
ＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４０℃で８分３０
秒間浸漬してエッチングを行った後、この基板を１分間
水洗し、乾燥した。このエッチング後の基板表面を電子
顕微鏡で観察したところ残渣はほとんど観察されず、Ｉ
ＴＯ膜は良好にエッチングされたことが認められた。
る溶液に対し、５００ｐｐｍの濃度になる量のドデシル
ベンゼンスルホン酸を添加してエッチング液を調製し
た。このエッチング液中にレジストパターニングしたＩ
ＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４０℃で８分３０
秒間浸漬してエッチングを行った後、この基板を１分間
水洗し、乾燥した。このエッチング後の基板表面を電子
顕微鏡で観察したところ残渣はほとんど観察されず、Ｉ
ＴＯ膜は良好にエッチングされたことが認められた。
【００１０】実施例３ ６ｗｔ％のしゅう酸と９４ｗｔ％の水とからなる溶液に
対し、５００ｐｐｍの濃度になる量のドデシルベンゼン
スルホン酸を添加してエッチング液を調製した。このエ
ッチング液中にレジストパターニングしたＩＴＯ基板
（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４０℃で８分３０秒間浸漬
してエッチングを行った後、この基板を１分間水洗し、
乾燥した。このエッチング後の基板表面を電子顕微鏡で
観察したところ残渣はほとんど観察されず、ＩＴＯ膜は
良好にエッチングされたことが認められた。
対し、５００ｐｐｍの濃度になる量のドデシルベンゼン
スルホン酸を添加してエッチング液を調製した。このエ
ッチング液中にレジストパターニングしたＩＴＯ基板
（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４０℃で８分３０秒間浸漬
してエッチングを行った後、この基板を１分間水洗し、
乾燥した。このエッチング後の基板表面を電子顕微鏡で
観察したところ残渣はほとんど観察されず、ＩＴＯ膜は
良好にエッチングされたことが認められた。
【００１１】実施例４ ３．４ｗｔ％のしゅう酸と９６．６ｗｔ％の水とからな
る溶液に対し、２５ｐｐｍの濃度になる量のドデシルベ
ンゼンスルホン酸を添加してエッチング液を調製した。
このエッチング液中にレジストパターニングしたＩＴＯ
基板（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４０℃で８分３０秒間
浸漬してエッチングを行った後、この基板を１分間水洗
し、乾燥した。このエッチング後の基板表面を電子顕微
鏡で観察したところパターン端部に若干残渣は観察され
たが、ドデシルベンゼンスルホン酸無添加の場合に比べ
ＩＴＯ膜が良好にエッチングされていることが認められ
た。
る溶液に対し、２５ｐｐｍの濃度になる量のドデシルベ
ンゼンスルホン酸を添加してエッチング液を調製した。
このエッチング液中にレジストパターニングしたＩＴＯ
基板（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４０℃で８分３０秒間
浸漬してエッチングを行った後、この基板を１分間水洗
し、乾燥した。このエッチング後の基板表面を電子顕微
鏡で観察したところパターン端部に若干残渣は観察され
たが、ドデシルベンゼンスルホン酸無添加の場合に比べ
ＩＴＯ膜が良好にエッチングされていることが認められ
た。
【００１２】実施例５ ３．４ｗｔ％のしゅう酸と９６．６ｗｔ％の水とからな
る溶液に対し、５０ｐｐｍ濃度になる量のドデシルベン
ゼンスルホン酸を添加してエッチング液を調製した。こ
のエッチング液中にレジストパターニングしたＩＴＯ基
板（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４０℃で８分３０秒間浸
漬してエッチングを行った後、この基板を１分間水洗
し、乾燥した。このエッチング後の基板表面を電子顕微
鏡で観察したところ残渣はほとんど観察されず、ＩＴＯ
膜は良好にエッチングされていることが認められた。
る溶液に対し、５０ｐｐｍ濃度になる量のドデシルベン
ゼンスルホン酸を添加してエッチング液を調製した。こ
のエッチング液中にレジストパターニングしたＩＴＯ基
板（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４０℃で８分３０秒間浸
漬してエッチングを行った後、この基板を１分間水洗
し、乾燥した。このエッチング後の基板表面を電子顕微
鏡で観察したところ残渣はほとんど観察されず、ＩＴＯ
膜は良好にエッチングされていることが認められた。
【００１３】実施例６ ３．４ｗｔ％のしゅう酸と９６．６ｗｔ％の水とからな
る溶液に対し、１００００ｐｐｍの濃度になる量のドデ
シルベンゼンスルホン酸を添加してエッチング液を調製
した。このエッチング液中にレジストパターニングした
ＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４０℃で８分３
０秒間浸漬してエッチングを行った後、この基板を１分
間水洗し、乾燥した。このエッチング後の基板表面を電
子顕微鏡で観察したところ残渣はほとんど観察されず、
ＩＴＯ膜は良好にエッチングされていることが認められ
た。
る溶液に対し、１００００ｐｐｍの濃度になる量のドデ
シルベンゼンスルホン酸を添加してエッチング液を調製
した。このエッチング液中にレジストパターニングした
ＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４０℃で８分３
０秒間浸漬してエッチングを行った後、この基板を１分
間水洗し、乾燥した。このエッチング後の基板表面を電
子顕微鏡で観察したところ残渣はほとんど観察されず、
ＩＴＯ膜は良好にエッチングされていることが認められ
た。
【００１４】比較例１ ０．５ｗｔ％のしゅう酸と９９．５ｗｔ％の水とからな
るエッチング液を調製した。このエッチング液中にレジ
ストパターニングしたＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１５００
Å）を４０℃で１５分間浸漬してエッチングを行った
後、この基板を１分間水洗し、乾燥した。このエッチン
グ後の基板表面を電子顕微鏡で観察したところＩＴＯ膜
はエッチングされていたが、多数の残渣が観察された。
るエッチング液を調製した。このエッチング液中にレジ
ストパターニングしたＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１５００
Å）を４０℃で１５分間浸漬してエッチングを行った
後、この基板を１分間水洗し、乾燥した。このエッチン
グ後の基板表面を電子顕微鏡で観察したところＩＴＯ膜
はエッチングされていたが、多数の残渣が観察された。
【００１５】比較例２ ３．４ｗｔ％のしゅう酸と９６．６ｗｔ％の水とからな
るエッチング液を調製した。このエッチング液中にレジ
ストパターニングしたＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１５００
Å）を４０℃で、８分３０秒間、浸漬してエッチングを
行った後、この基板を１分間水洗し、乾燥した。このエ
ッチング後の基板表面を電子顕微鏡で観察したところＩ
ＴＯ膜はエッチングされていたが、多数の残渣が観察さ
れた。
るエッチング液を調製した。このエッチング液中にレジ
ストパターニングしたＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１５００
Å）を４０℃で、８分３０秒間、浸漬してエッチングを
行った後、この基板を１分間水洗し、乾燥した。このエ
ッチング後の基板表面を電子顕微鏡で観察したところＩ
ＴＯ膜はエッチングされていたが、多数の残渣が観察さ
れた。
【００１６】比較例３ ６ｗｔ％のしゅう酸と９４ｗｔ％の水とからなるエッチ
ング液を調製した。このエッチング液中にレジストパタ
ーニングしたＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４
０℃で、８分３０秒間、浸漬してエッチングを行った
後、この基板を１分間水洗し、乾燥した。このエッチン
グ後の基板表面を電子顕微鏡で観察したところＩＴＯ膜
はエッチングされていたが、多数の残渣が観察された。
ング液を調製した。このエッチング液中にレジストパタ
ーニングしたＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１５００Å）を４
０℃で、８分３０秒間、浸漬してエッチングを行った
後、この基板を１分間水洗し、乾燥した。このエッチン
グ後の基板表面を電子顕微鏡で観察したところＩＴＯ膜
はエッチングされていたが、多数の残渣が観察された。
【００１７】以上のように、従来のエッチング液では、
ＩＴＯ膜上に多数の残渣が観察されるのに対し、本発明
に係るエッチング液組成物は、ＩＴＯ膜上に、エッチン
グ後の残渣がほとんど観察されないという優れたエッチ
ング効果を示す。
ＩＴＯ膜上に多数の残渣が観察されるのに対し、本発明
に係るエッチング液組成物は、ＩＴＯ膜上に、エッチン
グ後の残渣がほとんど観察されないという優れたエッチ
ング効果を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｈ０５Ｂ 33/28
Claims (1)
- 【請求項１】 ドデシルベンゼンスルホン酸としゅう酸
と水を配合してなることを特徴とする酸化インジウム錫
膜用のエッチング液組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5325694A JPH07141932A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | 透明導電膜のエッチング液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP5325694A JPH07141932A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | 透明導電膜のエッチング液組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH07141932A true JPH07141932A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=18179673
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP5325694A Pending JPH07141932A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | 透明導電膜のエッチング液組成物 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH07141932A (ja) |
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1993
- 1993-11-18 JP JP5325694A patent/JPH07141932A/ja active Pending
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