JP2001176864A - 透明導電膜のエッチング液組成物 - Google Patents
透明導電膜のエッチング液組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シュウ酸水溶液で透明導電膜をエッチングす
る際に生じる残渣を低減すると共に、エッチング速度を
安定化する。 【解決手段】ドデシルベンゼンスルホン酸とシュウ酸と
水を配合してエッチング液組成物を構成する。
る際に生じる残渣を低減すると共に、エッチング速度を
安定化する。 【解決手段】ドデシルベンゼンスルホン酸とシュウ酸と
水を配合してエッチング液組成物を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置等に使用
される酸化インジウム錫膜（以下ＩＴＯ膜と称する）よ
りなる透明導電膜用のエッチング液に関する。
される酸化インジウム錫膜（以下ＩＴＯ膜と称する）よ
りなる透明導電膜用のエッチング液に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜は、液晶表示装置やエレクト
ロルミネッセンス表示装置などに広く用いられている。
これらの装置において、画素の表示電極等に透明導電膜
が用いられる。そして、透明導電膜としてＩＴＯ膜が広
く使用されている。
ロルミネッセンス表示装置などに広く用いられている。
これらの装置において、画素の表示電極等に透明導電膜
が用いられる。そして、透明導電膜としてＩＴＯ膜が広
く使用されている。
【０００３】ＩＴＯ膜は例えばスパッタリング法等の成
膜プロセスを用いて、例えばガラス等の基板上に形成さ
れる。さらに、レジスト等をマスクとしてＩＴＯ膜をエ
ッチングすることで、電極パターンが形成される。この
エッチング工程には湿式と乾式があるが、湿式法におい
てはエッチング液を用いてエッチングが行われる。
膜プロセスを用いて、例えばガラス等の基板上に形成さ
れる。さらに、レジスト等をマスクとしてＩＴＯ膜をエ
ッチングすることで、電極パターンが形成される。この
エッチング工程には湿式と乾式があるが、湿式法におい
てはエッチング液を用いてエッチングが行われる。
【０００４】ＩＴＯ膜のエッチング液としては従来、塩
化第二鉄水溶液、よう素酸水溶液、塩酸・硝酸混合液
（王水）、シュウ酸水溶液、ドデシルベンゼンスルホン
酸とシュウ酸と水の配合溶液などが使用されている。
化第二鉄水溶液、よう素酸水溶液、塩酸・硝酸混合液
（王水）、シュウ酸水溶液、ドデシルベンゼンスルホン
酸とシュウ酸と水の配合溶液などが使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これら従来のエッチン
グ液はその性質上それぞれに欠点を有する。
グ液はその性質上それぞれに欠点を有する。
【０００６】（ａ） 塩化第二鉄水溶液はエッチング速
度が大きく安価であるが、サイドエッチ量が大きい。こ
のため、サイドエッチ量を見積もって、エッチングマス
クのサイズを調整しなければならない。また、水溶液中
に金属が含まれており、この金属が残留すると液晶表示
装置の薄膜トランジスタ等半導体素子の動作特性、ある
いはＩＴＯ膜の導電性に影響を与え、例えば表示ムラが
生じる場合がある。水溶液中の金属としては塩化第二鉄
の成分であるＦｅの他にＮａ、Ｋ等の不純物がある。
度が大きく安価であるが、サイドエッチ量が大きい。こ
のため、サイドエッチ量を見積もって、エッチングマス
クのサイズを調整しなければならない。また、水溶液中
に金属が含まれており、この金属が残留すると液晶表示
装置の薄膜トランジスタ等半導体素子の動作特性、ある
いはＩＴＯ膜の導電性に影響を与え、例えば表示ムラが
生じる場合がある。水溶液中の金属としては塩化第二鉄
の成分であるＦｅの他にＮａ、Ｋ等の不純物がある。
【０００７】（ｂ） よう素酸水溶液は、サイドエッチ
量が小さい点において優れている。しかし、よう素が遊
離しやすいため、液の経時的安定性に欠けるという問題
がある。即ち、時間と共に、エッチング速度が変化す
る。さらに、高価でもあるため、工業的な量産には適用
しにくい。
量が小さい点において優れている。しかし、よう素が遊
離しやすいため、液の経時的安定性に欠けるという問題
がある。即ち、時間と共に、エッチング速度が変化す
る。さらに、高価でもあるため、工業的な量産には適用
しにくい。
【０００８】（ｃ） 王水はエッチング速度が大きく、
しかも安価である。しかし、液の経時的な安定性に乏し
い。
しかも安価である。しかし、液の経時的な安定性に乏し
い。
【０００９】（ｄ） シュウ酸水溶液は、液の経時的な
安定性が良好であり、しかも安価である。しかしなが
ら、エッチングした際にＩＴＯ膜の一部がエッチングさ
れずに残るエッチング残渣が生じやすいという問題があ
る。
安定性が良好であり、しかも安価である。しかしなが
ら、エッチングした際にＩＴＯ膜の一部がエッチングさ
れずに残るエッチング残渣が生じやすいという問題があ
る。
【００１０】（ｅ）ドデシルベンゼンスルホン酸とシュ
ウ酸と水の配合溶液は、シュウ酸水溶液のエッチング残
渣の問題を解消するために、シュウ酸水溶液にドデシル
ベンゼンスルホン酸を配合している。これは例えば、特
許公開公報（特開平７−１４１９３２）において開示さ
れている。
ウ酸と水の配合溶液は、シュウ酸水溶液のエッチング残
渣の問題を解消するために、シュウ酸水溶液にドデシル
ベンゼンスルホン酸を配合している。これは例えば、特
許公開公報（特開平７−１４１９３２）において開示さ
れている。
【００１１】しかしながら、実験の結果、エッチング残
渣は低減するものの完全には解消しきれていないことが
判った。表示装置の高精細化に伴い、ＩＴＯ膜の精密な
エッチングへの要求が厳しくなっている。従って、エッ
チング残渣の問題はますます大きな問題となっている。
渣は低減するものの完全には解消しきれていないことが
判った。表示装置の高精細化に伴い、ＩＴＯ膜の精密な
エッチングへの要求が厳しくなっている。従って、エッ
チング残渣の問題はますます大きな問題となっている。
【００１２】上記の状況に鑑み、本発明は以下の課題を
解決することを目的とする。
解決することを目的とする。
【００１３】（１）ＩＴＯ膜をエッチングしたときのエ
ッチング残渣が少ないエッチング液を提供することを目
的とする。
ッチング残渣が少ないエッチング液を提供することを目
的とする。
【００１４】（２）経時変化の少ないエッチング液を提
供することを目的とする。
供することを目的とする。
【００１５】（３）サイドエッチ量の小さいエッチング
液を提供することを目的とする。
液を提供することを目的とする。
【００１６】（４）安価なエッチング液を提供すること
を目的とする。
を目的とする。
【００１７】（５）エッチング速度が十分大きいエッチ
ング液を提供することを目的とする。
ング液を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明ではポリオキシエチレンリン酸エステルとシ
ュウ酸と水を配合してなることを特徴とする酸化インジ
ウム錫膜用のエッチング液組成物を構成する。
に、本発明ではポリオキシエチレンリン酸エステルとシ
ュウ酸と水を配合してなることを特徴とする酸化インジ
ウム錫膜用のエッチング液組成物を構成する。
【００１９】本発明に係るエッチング液組成物を使用し
てエッチングを行うことにより、ＩＴＯ膜においてエッ
チング残渣が生じにくくなる。即ち、シュウ酸水溶液に
界面活性剤であるポリオキシエチレンリン酸エステルを
添加することにより、シュウ酸水溶液の低経時変化、低
サイドエッチ、安価さ等を損なうことなく、エッチング
残渣を低減することができる。そして、後述のように、
ドデシルベンゼンスルホン酸とシュウ酸と水の配合溶液
と比較しても、エッチング残渣低減において非常に優れ
た特性を示す。
てエッチングを行うことにより、ＩＴＯ膜においてエッ
チング残渣が生じにくくなる。即ち、シュウ酸水溶液に
界面活性剤であるポリオキシエチレンリン酸エステルを
添加することにより、シュウ酸水溶液の低経時変化、低
サイドエッチ、安価さ等を損なうことなく、エッチング
残渣を低減することができる。そして、後述のように、
ドデシルベンゼンスルホン酸とシュウ酸と水の配合溶液
と比較しても、エッチング残渣低減において非常に優れ
た特性を示す。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳しく説明する。
本発明に係るエッチング液組成物の好ましい調製方法に
ついて説明する。
本発明に係るエッチング液組成物の好ましい調製方法に
ついて説明する。
【００２１】ポリオキシエチレンリン酸エステルはノニ
オン系の界面活性剤の一種である。ＩＴＯエッチング時
の残渣低減には、界面活性剤によるＩＴＯ膜の濡れ性を
向上する効果が寄与しているものと考えられる。従っ
て、エッチング液に界面活性剤、特にノニオン系の界面
活性剤を添加することで、ＩＴＯ膜エッチング時の残渣
低減を図ることができる。そして、精密な実験の結果、
ポリオキシエチレンリン酸エステルが非常に優れた残渣
低減効果を有すると共に、エッチング速度の安定性に優
れていることを見いだしたものである。
オン系の界面活性剤の一種である。ＩＴＯエッチング時
の残渣低減には、界面活性剤によるＩＴＯ膜の濡れ性を
向上する効果が寄与しているものと考えられる。従っ
て、エッチング液に界面活性剤、特にノニオン系の界面
活性剤を添加することで、ＩＴＯ膜エッチング時の残渣
低減を図ることができる。そして、精密な実験の結果、
ポリオキシエチレンリン酸エステルが非常に優れた残渣
低減効果を有すると共に、エッチング速度の安定性に優
れていることを見いだしたものである。
【００２２】ポリオキシエチレンリン酸エステルの配合
量は、配合液全体の５００〜１００００ｐｐｍの範囲で
あれば差し支えない。配合量が５００ｐｐｍを大きく下
回るとエッチング残渣の低減効果が十分には発揮されな
い。一方、配合量が１００００ｐｐｍを大きく上回ると
発泡が生じ、エッチングマスクに対応したエッチングが
なされなくなる。
量は、配合液全体の５００〜１００００ｐｐｍの範囲で
あれば差し支えない。配合量が５００ｐｐｍを大きく下
回るとエッチング残渣の低減効果が十分には発揮されな
い。一方、配合量が１００００ｐｐｍを大きく上回ると
発泡が生じ、エッチングマスクに対応したエッチングが
なされなくなる。
【００２３】シュウ酸の配合量は、水に対する溶解度以
内の配合量であれば、エッチングを行うことができる。
但し、エッチング液の安定性等を考慮すると、シュウ酸
の配合量がエッチング液組成物中のシュウ酸および水
（ポリオキシエチレンリン酸エステルを除いたエッチン
グ液組成物）に対して０．５〜５．０重量％の範囲が好
ましい。この範囲ではシュウ酸の配合量に対するエッチ
ング速度の依存性は小さい。シュウ酸の配合量が０．５
重量％を大きく下回るとエッチング速度が低下し実用性
に欠ける。また、エッチング液の使用に伴うエッチング
液組成中のシュウ酸の濃度低下を考慮すると、使用開始
前にはシュウ酸の配合量がエッチング液組成物中のシュ
ウ酸および水（ポリオキシエチレンリン酸エステルを除
いたエッチング液組成物）に対して３．４〜５．０重量
％の範囲であることが好ましい。
内の配合量であれば、エッチングを行うことができる。
但し、エッチング液の安定性等を考慮すると、シュウ酸
の配合量がエッチング液組成物中のシュウ酸および水
（ポリオキシエチレンリン酸エステルを除いたエッチン
グ液組成物）に対して０．５〜５．０重量％の範囲が好
ましい。この範囲ではシュウ酸の配合量に対するエッチ
ング速度の依存性は小さい。シュウ酸の配合量が０．５
重量％を大きく下回るとエッチング速度が低下し実用性
に欠ける。また、エッチング液の使用に伴うエッチング
液組成中のシュウ酸の濃度低下を考慮すると、使用開始
前にはシュウ酸の配合量がエッチング液組成物中のシュ
ウ酸および水（ポリオキシエチレンリン酸エステルを除
いたエッチング液組成物）に対して３．４〜５．０重量
％の範囲であることが好ましい。
【００２４】本発明に係るエッチング液組成物は例えば
図１に示す工程において用いられる。
図１に示す工程において用いられる。
【００２５】（１）まず、ＩＴＯ基板１０（基板１１上
にＩＴＯ膜１２を形成させたもの：以下単に、ＩＴＯ基
板という）を用意する（図１（１））。基板としてはソ
ーダガラスや硼珪酸ガラス等のガラス基板の他、プラス
チック基板、プラスチックフィルムでも差し支えない。
この基板１１上にスパッタリング等の成膜プロセスを用
いて、ＩＴＯ膜１２が形成される。
にＩＴＯ膜１２を形成させたもの：以下単に、ＩＴＯ基
板という）を用意する（図１（１））。基板としてはソ
ーダガラスや硼珪酸ガラス等のガラス基板の他、プラス
チック基板、プラスチックフィルムでも差し支えない。
この基板１１上にスパッタリング等の成膜プロセスを用
いて、ＩＴＯ膜１２が形成される。
【００２６】（２）このＩＴＯ基板１０上に、レジスト
等のマスク剤をコーテイングしてフォトリソグラフィー
等によるパターニングを行うことで、マスク１３が形成
される（図１（２））。
等のマスク剤をコーテイングしてフォトリソグラフィー
等によるパターニングを行うことで、マスク１３が形成
される（図１（２））。
【００２７】（３）マスク１３が形成されたＩＴＯ基板
１０を本発明のエッチング液組成物中に浸漬し、ＩＴＯ
膜１２のエッチングを行う（図１（３））。
１０を本発明のエッチング液組成物中に浸漬し、ＩＴＯ
膜１２のエッチングを行う（図１（３））。
【００２８】（４）エッチングされたＩＴＯ基板１０を
エッチング液から引き上げ、マスク１３を剥離液等で除
去し水洗後乾燥する（図１（４））。
エッチング液から引き上げ、マスク１３を剥離液等で除
去し水洗後乾燥する（図１（４））。
【００２９】以上の工程においてエッチング液組成物は
適宜室温あるいは加熱して用いられる。ＩＴＯ基板がエ
ッチング液組成物に浸漬される時間はＩＴＯ膜１２の厚
さやエッチングレートを考慮して例えば１〜２０分間程
度に調整される。以下に、本発明の実施例を比較例とと
もに掲げる。
適宜室温あるいは加熱して用いられる。ＩＴＯ基板がエ
ッチング液組成物に浸漬される時間はＩＴＯ膜１２の厚
さやエッチングレートを考慮して例えば１〜２０分間程
度に調整される。以下に、本発明の実施例を比較例とと
もに掲げる。
【００３０】
【実施例】（実施例１）１．０ｗｔ％のシュウ酸と９
９．０ｗｔ％の水とからなる溶液に対し、５００ｐｐｍ
の濃度になる量のポリオキシエチレンリン酸エステルを
添加してエッチング液を調製した。このエッチング液中
にレジストパターニングしたＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１
００ｎｍ）を４５℃で２分１５秒間浸漬してエッチング
を行った。この基板のレジストを除去した後、基板を２
０秒間水洗し、乾燥した。このエッチング後の基板表面
を電子顕微鏡で、断面を走査型電子顕微鏡で観察したと
ころ、ＩＴＯ膜は残渣なく良好にエッチングさているこ
とが認められた。
９．０ｗｔ％の水とからなる溶液に対し、５００ｐｐｍ
の濃度になる量のポリオキシエチレンリン酸エステルを
添加してエッチング液を調製した。このエッチング液中
にレジストパターニングしたＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１
００ｎｍ）を４５℃で２分１５秒間浸漬してエッチング
を行った。この基板のレジストを除去した後、基板を２
０秒間水洗し、乾燥した。このエッチング後の基板表面
を電子顕微鏡で、断面を走査型電子顕微鏡で観察したと
ころ、ＩＴＯ膜は残渣なく良好にエッチングさているこ
とが認められた。
【００３１】（実施例２）２．０ｗｔ％のシュウ酸と９
８．０ｗｔ％の水とからなる溶液に対し、５００ｐｐｍ
の濃度になる量のポリオキシエチレンリン酸エステルを
添加してエッチング液を調製した。このエッチング液中
にレジストパターニングしたＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１
００ｎｍ）を４５℃で２分１５秒間浸漬してエッチング
を行った。この基板のレジストを除去した後、基板を２
０秒間水洗し、乾燥した。このエッチング後の基板表面
を電子顕微鏡で、断面を走査型電子顕微鏡で観察したと
ころ、ＩＴＯ膜は残渣なく良好にエッチングさているこ
とが認められた。
８．０ｗｔ％の水とからなる溶液に対し、５００ｐｐｍ
の濃度になる量のポリオキシエチレンリン酸エステルを
添加してエッチング液を調製した。このエッチング液中
にレジストパターニングしたＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１
００ｎｍ）を４５℃で２分１５秒間浸漬してエッチング
を行った。この基板のレジストを除去した後、基板を２
０秒間水洗し、乾燥した。このエッチング後の基板表面
を電子顕微鏡で、断面を走査型電子顕微鏡で観察したと
ころ、ＩＴＯ膜は残渣なく良好にエッチングさているこ
とが認められた。
【００３２】（実施例３〜８）実施例１，２と同様にし
てシュウ酸、水、ポリオキシエチレンリン酸エステルの
混合比を変えて、ＩＴＯ膜のエッチングを行い、エッチ
ングされたＩＴＯ膜を評価した。ここで、これらの配合
比以外は全て同一の条件でエッチングおよび評価を行っ
た。
てシュウ酸、水、ポリオキシエチレンリン酸エステルの
混合比を変えて、ＩＴＯ膜のエッチングを行い、エッチ
ングされたＩＴＯ膜を評価した。ここで、これらの配合
比以外は全て同一の条件でエッチングおよび評価を行っ
た。
【００３３】実施例１〜８を表にまとめると以下の表１
のようになる・
のようになる・
【表１】 以上のようにポリオキシエチレンリン酸エステルの配合
量が５００〜１００００ｐｐｍ、シュウ酸が１．０〜
５．０ｐｐｍの範囲で良好にＩＴＯ膜をエッチングする
ことができた。
量が５００〜１００００ｐｐｍ、シュウ酸が１．０〜
５．０ｐｐｍの範囲で良好にＩＴＯ膜をエッチングする
ことができた。
【００３４】（実施例９）３．４ｗｔ％のシュウ酸と６
６．６ｗｔ％の水とからなる溶液に対し、１００００ｐ
ｐｍの濃度になる量のポリオキシエチレンリン酸エステ
ルを添加してエッチング液を調製した（実施例４と同様
のエッチング液）。このエッチング液を用いてＩＴＯ基
板（ＩＴＯ膜厚１００ｎｍ）を順次エッチングして、エ
ッチング液の経時変化を評価した。
６．６ｗｔ％の水とからなる溶液に対し、１００００ｐ
ｐｍの濃度になる量のポリオキシエチレンリン酸エステ
ルを添加してエッチング液を調製した（実施例４と同様
のエッチング液）。このエッチング液を用いてＩＴＯ基
板（ＩＴＯ膜厚１００ｎｍ）を順次エッチングして、エ
ッチング液の経時変化を評価した。
【００３５】評価結果を表２に示す。
【００３６】
【表２】 表２では、同一のエッチング液の経時的変化を８つの段
階に区分して表している。即ち、段階１から段階８に至
るまで順次時間が経過している。累計処理数はこのエッ
チング液でエッチング処理を行ったＩＴＯ基板の枚数を
表す。即ち、一つ前の段階の累計処理数との差がそれぞ
れのシュウ酸濃度における処理数となる。例えば、段階
２のときには３００−１００＝２００枚の処理がなされ
ている。
階に区分して表している。即ち、段階１から段階８に至
るまで順次時間が経過している。累計処理数はこのエッ
チング液でエッチング処理を行ったＩＴＯ基板の枚数を
表す。即ち、一つ前の段階の累計処理数との差がそれぞ
れのシュウ酸濃度における処理数となる。例えば、段階
２のときには３００−１００＝２００枚の処理がなされ
ている。
【００３７】シュウ酸濃度は、各段階における処理前で
のシュウ酸と水の混合体に対するシュウ酸の濃度を重量
％（Ｗｔ％）で表している。累計処理数の増加と共にシ
ュウ酸が消費され、シュウ酸濃度が低下していることが
判る。エッチング時間は膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜がエ
ッチングされ下地のガラス基板が露出するまでに要する
時間を分単位で表している。シュウ酸濃度が３．４％か
ら０．５％まで低下してもＩＴＯ基板のエッチング時間
には変化が無いことが判る。そして、エッチング時間の
バラツキ（標準偏差σ）も０．０２２分と非常に小さ
く、エッチングが安定に行われることが判る。
のシュウ酸と水の混合体に対するシュウ酸の濃度を重量
％（Ｗｔ％）で表している。累計処理数の増加と共にシ
ュウ酸が消費され、シュウ酸濃度が低下していることが
判る。エッチング時間は膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜がエ
ッチングされ下地のガラス基板が露出するまでに要する
時間を分単位で表している。シュウ酸濃度が３．４％か
ら０．５％まで低下してもＩＴＯ基板のエッチング時間
には変化が無いことが判る。そして、エッチング時間の
バラツキ（標準偏差σ）も０．０２２分と非常に小さ
く、エッチングが安定に行われることが判る。
【００３８】残渣発生率はＩＴＯ基板の測定ポイント数
に対する残渣の発生した箇所の数の比を百分率で表して
いる。測定ポイントは各ＩＴＯ基板毎に数十箇所設け
た。そして、残渣の有無は、幅５μｍのストライプパタ
ーンでパターンに幅が０．３μｍ以上の膨れがあるか否
かによって判定した。シュウ酸濃度が３．４Ｗｔ％から
０．５Ｗｔ％までの範囲でエッチング残渣は認められな
かった。
に対する残渣の発生した箇所の数の比を百分率で表して
いる。測定ポイントは各ＩＴＯ基板毎に数十箇所設け
た。そして、残渣の有無は、幅５μｍのストライプパタ
ーンでパターンに幅が０．３μｍ以上の膨れがあるか否
かによって判定した。シュウ酸濃度が３．４Ｗｔ％から
０．５Ｗｔ％までの範囲でエッチング残渣は認められな
かった。
【００３９】さらに、累計処理数の増加に伴い、エッチ
ング生成物等の不純物がエッチング液に混入くるにもか
かわらず、エッチング時間、残渣発生率には影響がなか
った。
ング生成物等の不純物がエッチング液に混入くるにもか
かわらず、エッチング時間、残渣発生率には影響がなか
った。
【００４０】（比較例）３．４ｗｔ％のシュウ酸と６
６．６ｗｔ％の水とからなる溶液に対し、１００００ｐ
ｐｍの濃度になる量のドデシルベンゼンスルホン酸を添
加してエッチング液を調製した。このエッチング液はシ
ュウ酸水溶液にドデシルベンゼンスルホン酸を添加して
エッチング特性を改善したものであり、実験的にもシュ
ウ酸水溶液にをエッチング液として用いる場合に対して
エッチング残渣が低減することが公開公報（特開平７−
１４１９３２）に示されている。
６．６ｗｔ％の水とからなる溶液に対し、１００００ｐ
ｐｍの濃度になる量のドデシルベンゼンスルホン酸を添
加してエッチング液を調製した。このエッチング液はシ
ュウ酸水溶液にドデシルベンゼンスルホン酸を添加して
エッチング特性を改善したものであり、実験的にもシュ
ウ酸水溶液にをエッチング液として用いる場合に対して
エッチング残渣が低減することが公開公報（特開平７−
１４１９３２）に示されている。
【００４１】このエッチング液を用いて実施例９と同様
にＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１００ｎｍ）を順次エッチン
グして、エッチング液の経時変化を評価した。 この評
価結果を表３に示す。
にＩＴＯ基板（ＩＴＯ膜厚１００ｎｍ）を順次エッチン
グして、エッチング液の経時変化を評価した。 この評
価結果を表３に示す。
【００４２】
【表３】 表３は表２と同一の形式で表されているので、詳しい説
明は省略する。
明は省略する。
【００４３】表３において各段階におけるシュウ酸濃度
は実施例９の場合と同一である。これはＩＴＯのエッチ
ングはシュウ酸が存在することによって行われ、本発明
でのポリオキシエチレンリン酸エステルや本比較例のド
デシルベンゼンスルホン酸のような界面活性剤自体には
エッチング作用がないことに起因する。
は実施例９の場合と同一である。これはＩＴＯのエッチ
ングはシュウ酸が存在することによって行われ、本発明
でのポリオキシエチレンリン酸エステルや本比較例のド
デシルベンゼンスルホン酸のような界面活性剤自体には
エッチング作用がないことに起因する。
【００４４】表３では累計処理枚数の増大してもエッチ
ング時間にはそれほど変化がない。しかし、そのバラツ
キ（標準偏差σ）が実施例９よりも大きく、エッチング
の安定性に欠けることが判る。また、シュウ酸濃度が
１．８ｗｔ％以下では残渣の発生が見られ、シュウ酸濃
度の低下と共に残渣が増加していることが判る。
ング時間にはそれほど変化がない。しかし、そのバラツ
キ（標準偏差σ）が実施例９よりも大きく、エッチング
の安定性に欠けることが判る。また、シュウ酸濃度が
１．８ｗｔ％以下では残渣の発生が見られ、シュウ酸濃
度の低下と共に残渣が増加していることが判る。
【００４５】以上のように本発明になるエッチング液組
成物は優れたエッチング特性を有することが示された。
即ち、シュウ酸水溶液にドデシルベンゼンスルホン酸エ
ステルを添加することで、エッチング残渣の低減、経時
特性の安定化を図ることができた。しかも、シュウ酸水
溶液の低サイドエッチ、安価、適切なエッチング速度等
の利点は失われていない。エッチング時間が安定であ
り、残渣の発生も無いのは、ドデシルベンゼンスルホン
酸エステルの界面活性効果によるものと考えられる。界
面活性効果により、ＩＴＯ基板とエッチング液のなじみ
が良くなり、ＩＴＯ基板上で均一にエッチングが行われ
る。
成物は優れたエッチング特性を有することが示された。
即ち、シュウ酸水溶液にドデシルベンゼンスルホン酸エ
ステルを添加することで、エッチング残渣の低減、経時
特性の安定化を図ることができた。しかも、シュウ酸水
溶液の低サイドエッチ、安価、適切なエッチング速度等
の利点は失われていない。エッチング時間が安定であ
り、残渣の発生も無いのは、ドデシルベンゼンスルホン
酸エステルの界面活性効果によるものと考えられる。界
面活性効果により、ＩＴＯ基板とエッチング液のなじみ
が良くなり、ＩＴＯ基板上で均一にエッチングが行われ
る。
【００４６】この界面活性効果は多少の不純物が混入し
ても変化することはない。即ち、本発明のエッチング液
組成物に不純物が含まれた場合であっても、本発明の技
術的範囲に含まれる。
ても変化することはない。即ち、本発明のエッチング液
組成物に不純物が含まれた場合であっても、本発明の技
術的範囲に含まれる。
【００４７】
【発明の効果】以上のように、本発明になるエッチング
液組成物は優れたエッチング特性を有することが示され
た。即ち、シュウ酸水溶液にドデシルベンゼンスルホン
酸エステルを添加することで、エッチング残渣の低減、
経時特性の安定化を図ることができた。
液組成物は優れたエッチング特性を有することが示され
た。即ち、シュウ酸水溶液にドデシルベンゼンスルホン
酸エステルを添加することで、エッチング残渣の低減、
経時特性の安定化を図ることができた。
【図１】本発明に係る実施形態を示す図である。
１０ ＩＴＯ基板 １１ 基板 １２ ＩＴＯ １３ マスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA05 GA13 KB14 MA14 MA15 MA18 NA15 NA16 NA25 NA27 NA29 5C094 AA42 AA43 AA46 AA55 DA13 EA05 EB02 FB02 FB04 FB12 FB20 GB10 JA01 5F043 AA26 AA40 BB18 DD10 GG10
Claims (3)
- 【請求項１】 ポリオキシエチレンリン酸エステルとシ
ュウ酸と水を配合してなることを特徴とする酸化インジ
ウム錫膜用のエッチング液組成物。 - 【請求項２】 前記ポリオキシエチレンリン酸エステル
の配合量が前記エッチング液組成物全体の５００ｐｐｍ
以上、１００００ｐｐｍ以下の範囲であることを特徴と
する請求項１記載の酸化インジウム錫膜用のエッチング
液組成物。 - 【請求項３】 前記シュウ酸の配合量が前記エッチング
液組成物中のシュウ酸および水の０．５重量％以上、
５．０重量％以下の範囲であることを特徴とする請求項
２記載の酸化インジウム錫膜用のエッチング液組成物。
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|---|---|---|---|
| JP36177799A JP4230631B2 (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 透明導電膜のエッチング液組成物 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36177799A JP4230631B2 (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 透明導電膜のエッチング液組成物 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176864A true JP2001176864A (ja) | 2001-06-29 |
| JP4230631B2 JP4230631B2 (ja) | 2009-02-25 |
Family
ID=18474830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36177799A Expired - Fee Related JP4230631B2 (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 透明導電膜のエッチング液組成物 |
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7037766B2 (en) | 2001-05-18 | 2006-05-02 | Nec Lcd Technologies, Inc. | Method of fabricating an active matrix substrate for liquid crystal display utilizing interconnection lines formed from multilayered films that include an aluminum-neodymium alloy layer |
| WO2007012378A1 (de) * | 2005-07-25 | 2007-02-01 | Merck Patent Gmbh | Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige schichten |
| KR100821884B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2008-04-16 | 간토 가가꾸 가부시키가이샤 | 에칭액 조성물 |
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| US7628129B2 (en) | 2003-12-12 | 2009-12-08 | Honda Motor Co., Ltd. | Camshaft, method of manufacturing cam for camshaft, and method of manufacturing shaft for camshaft |
| US8263049B2 (en) | 2007-06-12 | 2012-09-11 | Rhodia Operations. | Mono-, di- and polyol alkoxylate phosphate esters in oral care formulations and methods for using same |
| US8263542B2 (en) | 2007-06-12 | 2012-09-11 | Rhodia Operations | Detergent composition with an organophosphorus hydrophilizing soil-release agent and methods for using same |
| US8268765B2 (en) | 2007-06-12 | 2012-09-18 | Rhodia Operations | Mono-, di- and polyol phosphate esters in personal care formulations |
| US8293699B2 (en) | 2007-06-12 | 2012-10-23 | Rhodia Operations | Hard surface cleaning composition with hydrophilizing agent and method for cleaning hard surfaces |
| US8993506B2 (en) | 2006-06-12 | 2015-03-31 | Rhodia Operations | Hydrophilized substrate and method for hydrophilizing a hydrophobic surface of a substrate |
-
1999
- 1999-12-20 JP JP36177799A patent/JP4230631B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2007012378A1 (de) * | 2005-07-25 | 2007-02-01 | Merck Patent Gmbh | Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige schichten |
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| US8993506B2 (en) | 2006-06-12 | 2015-03-31 | Rhodia Operations | Hydrophilized substrate and method for hydrophilizing a hydrophobic surface of a substrate |
| US8263049B2 (en) | 2007-06-12 | 2012-09-11 | Rhodia Operations. | Mono-, di- and polyol alkoxylate phosphate esters in oral care formulations and methods for using same |
| US8263542B2 (en) | 2007-06-12 | 2012-09-11 | Rhodia Operations | Detergent composition with an organophosphorus hydrophilizing soil-release agent and methods for using same |
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| JP4230631B2 (ja) | 2009-02-25 |
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