WO2007012378A1 - Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige schichten - Google Patents

Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige schichten Download PDF

Info

Publication number
WO2007012378A1
WO2007012378A1 PCT/EP2006/006444 EP2006006444W WO2007012378A1 WO 2007012378 A1 WO2007012378 A1 WO 2007012378A1 EP 2006006444 W EP2006006444 W EP 2006006444W WO 2007012378 A1 WO2007012378 A1 WO 2007012378A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
etching
transparent
phosphoric acid
conductive layers
etching medium
Prior art date
Application number
PCT/EP2006/006444
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Armin Kuebelbeck
Werner Stockum
Original Assignee
Merck Patent Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Merck Patent Gmbh filed Critical Merck Patent Gmbh
Priority to KR1020087004469A priority Critical patent/KR101325957B1/ko
Priority to JP2008523160A priority patent/JP4901866B2/ja
Priority to US11/996,620 priority patent/US7824563B2/en
Priority to EP06762349A priority patent/EP1910240A1/de
Publication of WO2007012378A1 publication Critical patent/WO2007012378A1/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a novel etching medium for patterning transparent conductive layers such as those used in the manufacture of liquid crystal displays (LCD) using flat panel displays or organic light emitting displays (OLEDs) or thin film solar cells.
  • LCD liquid crystal displays
  • OLED organic light emitting displays
  • novel liquid etching medium can advantageously be applied by means of printing processes to the oxidic, transparent, conductive layers to be structured. A subsequent temperature treatment accelerates or starts the etching process.
  • An LC display consists essentially of two glass plates, provided with oxidic, transparent, conductive layers, mostly of indium tin oxide (ITO), which change their light transmission by applying a voltage. In between is a liquid crystal layer. By using spacers, the touch of the ITO
  • Oxidative, transparent, conductive layers thus play an outstanding role in the production process of flat-panel displays and thin-film solar cells.
  • At Flat screens based on liquid crystal displays or organic light emitting diodes at least the electrode facing the viewer must have the highest possible transparency in order to make the visual effect visible to the viewer.
  • a-Si amorphous silicon
  • CIS copper indium selenide
  • cadmium telluride the side of the solar cell facing the sun consists of an oxidic, transparent, conductive material. This is necessary because the semiconductive layers have too low an electrical conductivity, as an economic transport of charge carriers would be possible.
  • CTO Q cadmium stannate CdSnO 3 (CTO) ⁇ indium doped zinc oxide ZnO: ln (IZO) ⁇ undoped tin (IV) oxide (TO) ⁇ undoped indium (IM) oxide (I0)
  • ITO indium tin oxide
  • the oxidic, transparent, conductive layers are usually deposited over the entire surface of the substrate.
  • flat glass machine-drawn soda lime glasses, borosilicate glasses or similar glasses
  • Other suitable carrier materials are polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate 10 (PET) and similar transparent polymers.
  • the transparent conductive layer is structured. With flat screens, individual picture elements (pixels or segments) can be controlled. In thin-film solar cells to reach a serial
  • the transparent, conductive layer is coated through an applied mask.
  • Mask evaporation or mask sputtering is a fairly straightforward process.
  • the method is not suitable for mass production, especially for the production of larger substrates.
  • the masks warp in the process due to different expansion coefficients of substrate and mask.
  • the masks can be used only for a few coating steps, since material is continuously deposited thereon.
  • more complex structures, such as hole structures can not be made with an overlay mask.
  • the resolving power with regard to the formation of finest lines and structures in this method is very limited. The mask sputtering has therefore been able to establish only for small batches with low numbers.
  • LASER light in the near infrared region NIR
  • Nd near infrared region
  • the method is described on the website of Laserod.com, Inc. (http://www.laserod.com/laser direct write.htm).
  • a disadvantage of this method is the relatively high instrumental effort, the low throughput in more complex structures and the re-deposition of vaporized material on adjacent areas.
  • the LASER ablation is used essentially only in the area of the thin-film solar cells, for example for cadmium tellurium solar cells.
  • An example of LASER ablation on transparent conductive layers is described (C. Molpeceres et al., 2005 J. Micromech, Microeng., 15 1271-1278).
  • etchants i. Of chemically aggressive compounds it comes to the dissolution of the attack of the etchant exposed material. In most cases, the goal is to completely remove the layer to be etched. The end of the etching is achieved by the impact with respect to the etchant substantially 10 resistant layer.
  • ⁇ coating of the substrate surface (for example by
  • etching Immersion of the substrates in the etching bath, etching o spin-on or spraying:
  • the etching is applied to a rotating substrate, the etching can be done without / with energy input (eg IR or UV irradiation) oc o dry etching process such as plasma etching in complex vacuum systems or etching with reactive gases in flow reactors.
  • energy input eg IR or UV irradiation
  • oc o dry etching process such as plasma etching in complex vacuum systems or etching with reactive gases in flow reactors.
  • liquid etching media especially for the widespread in the field of flat screens fully oxidized indium tin oxide (ITO), are described in the literature: ⁇ iron (III) chloride + hydrochloric acid ⁇ hot about 30 wt.% Hydrochloric acid ⁇ hot hydrobromic acid 48 wt % ⁇ aqua regia (partly diluted)
  • the etching in the gas phase, possibly in the plasma, of ITO is known, but currently plays only a minor role.
  • hydrogen bromide gas or hydrogen iodide gas is used.
  • Corresponding methods are described by Mitsui Chemical on the Internet site http: //www.mitsui- chem.co.ip / ir / 010910.pdf p.23.
  • the doped tin oxide layers are transparent, conductive layers such as those used in the manufacture of liquid crystal displays (LCD) using flat panel displays or organic light emitting displays
  • OLED organic light-emitting diode
  • thin-film solar cells used in thin-film solar cells. It is also an object of the present invention to provide new etching media which, after etching, can be easily removed from the treated surfaces under the action of heat, without leaving any residues.
  • the present invention provides etching media for etching oxide, transparent, conductive layers comprising at least one etchant
  • etching media according to the invention are particularly suitable for etching doped tin oxide layers.
  • Etching media according to the invention comprise as active, etching component at least one acid selected from the group consisting of ortho, meta, pyro, oligo- and polyphosphoric acid and / or meta-phosphorus pentoxide or mixtures thereof.
  • etching component at least one acid selected from the group consisting of ortho, meta, pyro, oligo- and polyphosphoric acid and / or meta-phosphorus pentoxide or mixtures thereof.
  • the present invention also relates to corresponding etching media in paste form, which except at least one
  • Contain etchant, solvent, particulate and / or soluble inorganic and / or organic thickeners and optionally additives such as defoamers, thixotropic agents, leveling agents, deaerators and adhesion promoters.
  • the present invention likewise provides a method for etching oxidic, transparent, conductive layers, in particular corresponding doped tin oxide layers.
  • the etching medium is applied by spraying, spin-coating, dipping or by printing by screen, stencil, stamp, pad or ink jet printing.
  • Corresponding etching media for applying the method are preferably applied to the substrate to be etched by means of a printing method.
  • the applied etching medium can be activated by heating.
  • the heating can accordingly take place in different ways, namely on a hotplate, in a convection oven, by IR radiation, visible light, UV radiation, or with the aid of microwaves.
  • oxidic, transparent, conductive layers for the production of solar cells can also be structured in a corresponding manner.
  • oxidic, transparent, conductive layers for the production of flat screens can also be structured in a corresponding manner.
  • WO 03/040345 describes a combined etching and doping medium for etching silicon nitride.
  • the etchant contained is based on phosphoric acid, or its salts and / or corresponding
  • Phosphoric acid or their salts or suitable precursors from which a phosphoric acid is released under suitable conditions of use.
  • Phosphonic acid phosphorous acid
  • phosphinic acid hypophosphorous acid
  • phenylphosphinic acid and other organic phosphinic acids phenylphosphonic acid and other organic phosphonic acid.
  • Suitable salts of phosphoric acid are mono-, di-, tri-salts of the acids listed under phosphoric acids. In particular, these include the corresponding more ammonium salts to understand. From these salts, the corresponding phosphoric acids are released in the formulations of the etching media, if appropriate by heating.
  • phosphoric acid precursors compounds which form by chemical reaction and / or thermal decomposition of phosphoric acids and / or their salts.
  • Suitable for use in the etching media according to the invention are in particular corresponding mono-, di- or th-esters of said phosphoric acids, such as, for example, monomethyl phosphate, di-n-butyl phosphate (DBP) and tert-butyl phosphate (TBP).
  • Phosphoric acids are per se Lewis acids that are capable of forming adducts with Lewis bases. These phosphoric acid adducts may optionally decompose at higher temperatures back into the starting materials. Lighter volatile or decomposing Lewis bases release the phosphoric acids.
  • An example of a suitable Lewis base is 1-methyl-2-pyrrolidone (NMP), which is also used in exemplified compositions of the invention.
  • phosphoric acid-based etching media have considerable advantages: ⁇
  • the etching medium can be selectively applied in the form of a thickened paste to the substrate to be etched by means of a printing process. On the complex photolithography can be omitted.
  • ⁇ Due to the very low volatility of the etching medium, which assumes a vitreous state during the etching process ("Phosphorsalzperle"), the etch rate is constantly high, even for small amounts of etching medium, over a longer period of time Within a few minutes their etching power by evaporation of the solvent or etching medium almost completely.
  • the etching can be started by heat input. at
  • the etching rate in volloxidatorm is indium tin oxide ca.
  • the etching medium has a very low vapor pressure. As a result, it is not corrosive to the environment. Thus, for example, metallic components such as: printheads, printing screens, etc., which are in direct contact with the etching medium, can easily be used.
  • the now ready to use paste can be printed with a 260 mesh stainless steel mesh screen.
  • polyester or similar sieve materials can be used.
  • Polyester or similar sieve materials are used.
  • the now ready to use paste can be printed with a 260 mesh stainless steel mesh screen.
  • polyester or similar sieve materials can be used.
  • Substrate glass with 125nm ITO layer
  • the etched line had an average width of 50 ⁇ m.
  • Viscosity of etching medium 7-1 OmPas (with optimized etching paste)
  • Pixel Resolution 1440 dpi Printhead Distance: 1 mm
  • Substrate glass with 125nm ITO layer
  • the etched line had a width of ⁇ 35 ⁇ m.

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues Ätzmedium zum Strukturieren von transparenten, leitfähigen Schichten, wie sie beispielsweise in der Herstellung von Flüssigkristallanzeigen (LCD) unter Verwendung von Flachbildschirmen oder von organischen lichtemittierenden Anzeigen (OLED) oder bei Dünnschichtsolarzellen verwendet werden. Im speziellen handelt es sich um partikelfreie Zusammensetzungen, durch die selektiv feine Strukturen in oxidische, transparente und leitfähige Schichten geätzt werden können, ohne angrenzende Flächen zu beschädigen oder anzugreifen. Das neuartige flüssige Ätzmedium kann vorteilhaft mittels Druckverfahren auf die zu strukturierenden oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten aufgebracht werden. Eine nachfolgende Temperaturbehandlung beschleunigt, bzw. startet den Ätzprozess.

Description

Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige Schichten
Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues Ätzmedium zum Strukturieren von transparenten, leitfähigen Schichten, wie sie beispielsweise in der Herstellung von Flüssigkristallanzeigen (LCD) unter Verwendung von Flachbildschirmen oder von organischen lichtemittierenden Anzeigen (OLED) oder bei Dünnschichtsolarzellen verwendet werden.
Im speziellen handelt es sich um partikelfreie Zusammensetzungen, durch die selektiv feine Strukturen in oxidische, transparente und leitfähige Schichten geätzt werden können, ohne angrenzende Flächen zu beschädigen oder anzugreifen. Das neuartige flüssige Ätzmedium kann vorteilhaft mittels Druckverfahren auf die zu strukturierenden oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten aufgebracht werden. Eine nachfolgende Temperaturbehandlung beschleunigt, bzw. startet den Ätzprozess.
Stand der Technik
Es ist notwendig, oxidische, transparente, leitfähige Schichten auf einem Trägermaterial, wie beispielsweise auf Dünnglas, zur Herstellung von
Flüssigkristallanzeigen zu strukturieren. Ein LC-Display besteht im wesentlichen aus zwei Glasplatten, versehenen mit oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten, meist aus Indium-Zinn-Oxid (ITO), welche durch Anlegen einer Spannung ihre Lichtdurchlässigkeit verändern. Dazwischen befindet sich eine Flüssigkristallschicht. Durch die Verwendung von Abstandshaltern wird die Berührung der ITO
Vorderseite und Rückseite verhindert. Für die Darstellung von Zeichen, Symbolen oder sonstigen Mustern ist es erforderlich, die ITO Schicht auf der Glasscheibe zu strukturieren. Dadurch wird es möglich, selektiv Bereiche innerhalb des Displays anzusteuern.
Oxidische, transparente, leitfähige Schichten spielen also im Herstellungsprozess von Flachbildschirmen und von Dünnschichtsolarzellen eine herausragende Rolle. Bei Flachbildschirmen auf Basis von Flüssigkristallanzeigen oder organischen Leuchtdioden muss zumindest die dem Betrachter zugewandte Elektrode eine möglichst hohe Transparenz aufweisen, um den optischen Effekt für den Betrachter sichtbar machen zu können. Der optische Effekt kann, wie im Fall von Flüssigkristallanzeigen, eine
Änderung der Transmission oder Reflexion sein oder wie im Fall von OLEDs eine Emission von Licht darstellen.
Auch bei Dünnschichtsolarzellen auf der Basis von amorphem Silizium (a-Si), Kupfer-Indium-Selenid (CIS) oder Cadmium-Tellurid besteht die der Sonne zugewandte Seite der Solarzelle aus einem oxidischen, transparenten, leitfähigen Material. Dies ist notwendig, da die halbleitenden Schichten eine zu geringe elektrische Leitfähigkeit haben, als dass damit ein wirtschaftlicher Transport von Ladungsträgern möglich wäre.
Als oxidische, transparente, leitfähige Schichten sind dem Fachmann bekannt:
α Indium-Zinnoxid ln2O3:Sn (ITO) α Fluor dotiertes Zinnoxid SnO2:F (FTO) α Antimon dotiertes Zinnoxid SnO2:Sb (ATO) α Aluminium dotiertes Zinkoxid ZnO:AI (AZO) Daneben werden in der Literatur beispielweise noch die Systeme
Q Cadmiumstannat CdSnO3 (CTO) α Indium dotiertes Zinkoxid ZnO:ln (IZO) α undotiertes Zinn (IV) Oxid (TO) α undotiertes Indium (IM) Oxid (I0)
Q undotiertes Zinkoxid (ZO) beschrieben. In der Display- und Dünnschichtsolartechnik hat sich im wesentlichen Indium-Zinnoxid (ITO) als transparentes leitfähiges Material durchgesetzt. Dies liegt u.a. an den damit erreichbaren sehr niedrigen Schichtwiderständen, welche < 6 Ω betragen bei Schichtdicken von 200 nm und Transmissionswerten von >80%. Es liegt aber auch an der ausgereiften und relativ einfach durchzuführenden Beschichtung mittels Kathodenzerstäubung. Einen guten Überblick über oxidische, transparente, leitfähige Schichten, sowie deren Abscheidetechniken bieten K.L. Chopra, S. Major und D. K. Pandya in „Transparent Conductors - A Status Review", Thin Solid Films, 102 (1983) 1-46, Electronics and Optics.
5 Die oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten werden zumeist ganzflächig auf dem Trägermaterial abgeschieden. Als Trägermaterial wird in den meisten Fällen Flachglas (maschinengezogene oder im Floatglasprozess hergestellte Natron-Kalk-Gläser, Borosilikat-Gläser oder ähnliche Gläser) verwendet. Als weitere geeignete Trägermaterialen kommen Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat 10 (PET) und ähnliche transparente Polymere in Frage.
Es werden dabei im wesentlichen folgende Abscheideverfahren verwendet:
Q direktes Aufdampfen der Oxide α reaktives Aufdampfen der Metalle in Gegenwart von Sauerstoff α direkte Kathodenzerstäubung (Sputtern) der Oxide (DC-, 15 Magnetron-, RF-, lonenstrahl-Sputtern) α reaktives Sputtern der Metalle in Gegenwart von Sauerstoff α Chemical Vapour Deposition (CVD) von Precusoren wie beispielweise SnCI4 Q Sprühpyrolyse α Tauchbeschichtung mit einem geeigneten SoI 20
In den beiden wichtigsten Applikationen für transparente leitfähige Schichten (Flachbildschirme und Dünnschichtsolarzellen), ist die transparente leitfähige Schicht strukturiert. Bei Flachbildschirmen können einzelne Bildelemente (Pixel oder Segmente) angesteuert „ werden. Bei Dünnschichtsolarzellen erreicht man eine serielle
-CO
Verschaltung mehrerer getrennter Solarzellen innerhalb eines Substrates. Dies führt zu einer höheren Ausgangsspannung, die wiederum wegen der besseren Überwindung von ohmschen Widerständen von Vorteil ist.
30 Mehrere verschiedene Strukturierungsverfahren werden zu deren Herstellung üblicherweise eingesetzt. U. a. sind folgende zu nennen: Maskenbedampfunq oder Maskensputtern
Zur Herstellung einfacherer Strukturen genügt es, wenn die transparente, leitfähige Schicht durch eine aufgelegte Maske hindurch beschichtet wird.
Sputtern mit Hilfe einer aufgelegten Maske ist ein dem Fachmann bekanntes Verfahren. In US 4,587,041 A1 ist ein solcher Prozess beschrieben.
Die Maskenbedampfung bzw. das Maskensputtern ist ein recht einfacher Prozess. Für eine Massenproduktion, speziell für die Herstellung von größeren Substraten, ist das Verfahren jedoch nicht geeignet. Die Masken verziehen sich im Prozess auf Grund unterschiedlicher Ausdehnungskoeffizienten von Substrat und Maske. Auch sind die Masken nur für wenige Beschichtungsschritte verwendbar, da ständig Material darauf abgeschieden wird. Komplexere Strukturen, wie beispielsweise Lochstrukturen, können außerdem mit einer aufgelegten Maske nicht hergestellt werden. Auch ist das Auflösungsvermögen im Hinblick auf die Bildung feinster Linien und Strukturen in diesem Verfahren sehr begrenzt. Das Maskensputtern hat sich deshalb nur für Kleinserien mit geringer Stückzahl etablieren können.
LASER-Ablation
Mit Hilfe von LASER-Licht im nahen Infrarot-Bereich (NIR), wie es beispielsweise von einem Nd:YAG-LASER ausgesendet wird, ist es möglich transparente leitfähige Schichten zu strukturieren. Das Verfahren wird beispielsweise in auf der Internetseite von Laserod.com, Inc. (http://www.laserod.com/laser direct write.htm) beschrieben. Nachteilig bei diesem Verfahren ist der relativ hohe instrumentelle Aufwand, der niedrige Durchsatz bei komplexeren Strukturen und die Re-Deposition von verdampftem Material auf benachbarten Bereichen. Eingesetzt wird die LASER-Ablation im wesentlichen nur im Bereich der Dünnschichtsolarzellen, beispielsweise für Cadmium-Tellur Solarzellen. Ein Beispiel für die LASER-Ablation on transparent leitfähigen Schichten beschreiben (C. Molpeceres et al 2005 J. Micromech. Microeng. 15 1271- 1278).
c Photolithoqraphie o —
Durch Anwendung von Ätzmitteln, d.h. von chemisch aggressiven Verbindungen kommt es zur Auflösung des dem Angriff des Ätzmittels ausgesetzten Materials. In den meisten Fällen ist es das Ziel, die zu ätzende Schicht vollständig zu entfernen. Das Ende der Ätzung wird durch das Auftreffen auf eine gegenüber dem Ätzmittel weitgehend 10 resistente Schicht erreicht.
Die Herstellung eines Negativs oder Positivs (abhängig vom Photolack) der Ätzstruktur erfolgt üblicherweise in folgenden Schritten: α Belackung der Substratoberfläche (z. B. durch
Schleuderbelackung mit einem flüssigen Fotolack), 15 □ Trocknen des Fotolacks, α Belichtung der belackten Substratoberfläche, α Entwicklung, α Spülen α ggf. Trocknen
Q Ätzen der Strukturen beispielsweise durch o Tauchverfahren (z.B. Nassätzen in Nasschemiebänken)
Eintauchen der Substrate in das Ätzbad, Ätzvorgang o Spin-on oder Sprühverfahren: Die Ätzlösung wird auf ein drehendes Substrat aufgebracht, der Ätzvorgang kann ohne/mit Energieeintrag (z.B. IR- oder UV-Bestrahlung) oc erfolgen o Trockenätzverfahren wie z.B. Plasmaätzen in aufwendigen Vakuumanlagen oder Ätzen mit reaktiven Gasen in Durchflussreaktoren α Entfernen des Fotolackes, beispielsweise durch Lösungsmittel α Spülen 30 □ Trocknen
Aufgrund der hohen Strukturgenauigkeit der geätzten Bereiche - die geätzten Strukturen können bis herab auf wenige μm genau geätzt werden - und dem auch bei hoch komplexen zu ätzenden Strukturen recht hohen Durchsatz, ist die Photolithographie für die Strukturierung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten im Bereich der Flachbildschirme das Verfahren der Wahl. Es ist jedoch besonders nachteilig, dass eine hohe Anzahl von Prozessschritten notwendig ist unter Einsatz von sehr kostspieligen Geräten. Außerdem werden erhebliche Mengen an HilfsChemikalien (Photoresist, Entwickler, Ätzmedium, Resiststripper) und Spülwasser verbraucht.
Als flüssige Ätzmedien, speziell für das im Bereich der Flachbildschirme weit verbreitete voll oxidierte Indium-Zinnoxid (ITO), werden in der Literatur beschrieben: α Eisen (III) Chlorid + Salzsäure α heiße ca. 30 Gew. % Salzsäure α heiße Bromwasserstoffsäure 48 Gew. % α Königswasser (z.T. verdünnt)
Auch das Ätzen in der Gasphase, gegebenenfalls im Plasma, von ITO ist bekannt, spielt aber zur Zeit nur eine untergeordnete Rolle. Zum Einsatz kommt hierbei beispielsweise Bromwasserstoffgas oder lodwasserstoffgas. Entsprechende Methoden werden von der Firma Mitsui Chemical auf der Internetseite http://www.mitsui- chem.co.ip/ir/010910.pdf S.23 beschrieben.
Alle genannten fluiden Ätzmedien ist gemeinsam, dass es sich dabei um außerordentlich korrosive Systeme handelt. Die Ätzmedien sind für die umgebenden Anlagen, das Bedienungspersonal und die Umwelt als recht problematisch einzustufen.
Als bekanntes Verfahren sind zur Strukturierung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Materialien, insbesondere zur Herstellung von Flachbildschirmen, wird daher üblicherweise das aufwendige und materialintensive Verfahren der Photolithographie eingesetzt, da die bestehenden Alternativen (LASER-Ablation und Maskensputtern) nicht ausreichend leistungsfähig sind. Aufgabenstellung
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, neue, kostengünstige Ätzpasten zum Ätzen von sehr gleichmäßigen, dünnen Linien mit einer Breite von weniger als 500 μm, insbesondere von weniger als 100 μm, und von feinsten Strukturen auf dotierten Zinnoxidschichten, welche für die Herstellung von LC Displays verwendet werden, zur Verfügung zu stellen. Bei den dotierten Zinnoxidschichten handelt es sich um transparente, leitfähige Schichten, wie sie beispielsweise in der Herstellung von Flüssigkristallanzeigen (LCD) unter Verwendung von Flachbildschirmen oder von organischen lichtemittierenden Anzeigen
(OLED) oder bei Dünnschichtsolarzellen verwendet werden. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es auch, neue Ätzmedien zur Verfügung zu stellen, die sich nach dem Ätzen unter Einwirkung von Wärme in einfacher Weise, ohne Rückstände zu hinterlassen, von den behandelten Oberflächen entfernen lassen.
Beschreibung der Erfindung
Durch die vorliegende Erfindung werden Ätzmedien zur Verfügung gestellt zum Ätzen von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten, enthaltend mindestens ein Ätzmittel bestehend aus
Phosphorsäure oder deren Salze oder
Addukte der Phosphorsäure oder
Gemische aus Phosphorsäure mit Salzen der Phosphorsäure und/oder Addukten der Phosphorsäuren. Versuche haben gezeigt, dass die erfindungsgemäßen Ätzmedien insbesondere zum Ätzen von dotierten Zinnoxidschichten geeignet sind.
Erfindungsgemäße Ätzmedien enthalten als aktive, ätzende Komponente wenigstens eine Säure ausgewählt aus der Gruppe ortho-, meta-, pyro-, oligo- und poly-Phosphorsäure und/oder meta- Phosphorpentoxid oder deren Gemische. Es können aber auch ein oder mehrere verschiedene Ammoniumsalz(e) der Phosphorsäure und/oder mono- oder di- oder tri-Ester einer Phosphorsäure enthalten sein, die durch thermischen Energieeintrag die ätzende Phosphorsäure freisetzen.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind auch entsprechende Ätzmedien in Pastenform, welche außer mindestens einem
Ätzmittel, Lösungsmittel, partikuläre und/oder lösliche anorganische und/oder organische Verdickungsmittel und gegebenenfalls Additive wie Entschäumer, Thixotropiermittel, Verlaufsmittel, Entlüfter und Haftvermittler enthalten.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ebenso ein Verfahren zum Ätzen von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten, insbesondere von entsprechenden dotierten Zinnoxidschichten. Je nach Konsistenz des verwendeten erfindungsgemäßen Ätzmediums und je nach Anwendungszweck erfolgt das Aufbringen des Ätzmediums durch Aufsprühen, Aufschleudern, Tauchen oder durch Drucken im Sieb-, Schablonen-, Stempel-, Tampon- oder Tintenstrahldruck.
Bevorzugt werden entsprechende Ätzmedien zur Durchführung des Verfahrens mittels eines Druckverfahrens auf das zu ätzende Substrat aufgebracht. Üblicherweise lässt sich das aufgebrachte Ätzmedium durch Erwärmen aktivieren. Je nach Zusammensetzung des Ätzmediums und eingesetzten Ätzmittels muss zu diesem Zweck auf unterschiedliche Temperaturen erhitzt werden. Das Erhitzen kann dementsprechend in unterschiedlicher Weise erfolgen, und zwar auf einer Heizplatte, in einem Konvektionsofen, durch IR-Strahlung, sichtbares Licht, UV-Strahlung, oder mit Hilfe von Mikrowellen.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren kann die Strukturierung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten zur Herstellung von Solarzellen erfolgen. Es können aber auch in entsprechender Weise oxidische, transparente, leitfähige Schichten zur Herstellung von Flachbildschirmen strukturiert werden. Ausführliche Beschreibung der Erfindung
In WO 03/040345 wird ein kombiniertes Ätz- und Dotiermedium zum Ätzen von Siliziumnitrid beschrieben. Das enthaltene Ätzmittel basiert auf Phosphorsäure, bzw. deren Salzen und/oder entsprechenden
Precursoren. Wie Versuche gezeigt haben, können unter den in dieser Patentanmeldung beschriebenen Bedingungen lediglich Siliziumnitrid- Schichten mit ausreichenden Ätzraten behandelt werden.
Überraschenderweise wurde nun durch Versuchen gefunden, dass mit entsprechenden Ätzmedien, in denen das Ätzmittel auf einer Phosphorsäure, bzw. deren Salzen und/oder entsprechenden Precursoren basieren, unter geeigneten Bedingungen auch oxidische, transparente, leitfähige Schichten, wie vor allem Indium-Zinnoxid, mit hohen Ätzraten bei moderaten Temperaturen geätzt werden können.
in den erfindungsgemäßen Ätzmedien dienen als Ätzmittel
Phosphorsäure, bzw. deren Salze oder geeignete Precursoren, aus denen unter geeigneten Anwendungsbedingungen eine Phosphorsäure freigesetzt wird.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung sind unter dem Begriff
Phosphorsäure im einzelnen folgende Phosphorsäuren zu verstehen:
Ortho-Phosphorsäure (H3PO4),
Pyro-Phosphorsäure (H4PO7),
Meta-Phosphorsäure [(HPO3)χ],
Oligo- und Poly-Phosphorsäuren,
Phosphonsäure (Phosphorige Säure), Phosphinsäure (Hypophosphorige Säure), Phenylphosphinsäure und andere organische Phosphinsäuren, Phenylphosphonsäure und andere organische Phosphonsäure.
Als Salze der Phosphorsäure sind Mono-, Di-, Tri-Salze der unter Phosphorsäuren aufgeführten Säuren einsetzbar. Insbesondere sind darunter die entsprechendenderen Ammoniumsalze zu verstehen. Aus diesen Salzen werden in den Formulierungen der Ätzmedien die entsprechenden Phosphorsäuren, gegebenenfalls durch Erhitzen, freigesetzt.
Unter Phosphorsäure-Precursoren sind Verbindungen zu verstehen, die durch chemische Reaktion und/oder thermische Zersetzung Phosphorsäuren und/oder ihre Salze bilden. Zur Verwendung in den erfindungsgemäßen Ätzmedien sind insbesondere entsprechende Mono-, Di- oder Th-Ester der genannten Phosphorsäuren, wie beispielsweise Monomethylphosphat, Di-n-butylphosphat (DBP) und Th- n-butylphosphat (TBP) einsetzbar.
Phosphorsäuren sind an sich Lewis-Säuren, die in der Lage sind mit Lewis-Basen Addukte zu bilden. Diese Phosphorsäure-Addukte können bei höheren Temperaturen gegebenenfalls wieder in die Ausgangsstoffe zerfallen. Leichter flüchtige oder sich zersetzende Lewisbasen setzen dabei die Phosphorsäuren frei.
Ein Beispiel für eine geeignete Lewis-Base ist 1-Methyl-2-Pyrrolidon (NMP), das auch in erfindungsgemäßen beispielhaft wiedergegebenen Zusammensetzungen verwendet wird.
Gegenüber den bekannten, zuvor geschilderten Ätzmedien zur Ätzung von ITO, weisen auf Phosphorsäure basierende Ätzmedien erhebliche Vorteile auf: α Das Ätzmedium kann in Form einer angedickten Paste auf das zu ätzende Substrat mittels eines Druckverfahrens selektiv appliziert werden. Auf die aufwendige Photolithographie kann verzichtet werden. α Bedingt durch die sehr geringe Flüchtigkeit des Ätzmediums, das während des Ätzvorganges einen glasartigen Zustand („Phosphorsalzperle") einnimmt, ist die Ätzrate auch von aufgedruckten geringsten Mengen an Ätzmedium über einen längeren Zeitraum hin konstant hoch. Wässrige oder auf anderen Lösungsmitteln basierende Ätzmedien verlieren innerhalb von wenigen Minuten ihre Ätzkraft durch das Abdampfen des Lösungsmittels oder Ätzmediums fast vollständig. α Die Ätzung kann durch Wärmeeintrag gestartet werden. Bei
Raumtemperatur ist die Ätzrate sehr niedrig (<1 nm/min) α Bei 1800C beträgt die Ätzrate in volloxidiertem Indium-Zinnoxid ca.
100 nm/min. Dem gegenüber beträgt die Ätzrate von Indium- Zinnoxid in 18 Gew. % Salzsäure lediglich 8 Ä/s (=48 nm/min), wie auf der Internetseite der Firma betelco
(http://www.betelco.com/sb/phd/pdf/chapter5.pdf S. 128) beschrieben. Q Das Ätzmedium hat einen sehr geringen Dampfdruck. Dadurch ist es für die Umgebung nicht korrosiv. So können beispielsweise problemlos metallische Bauteile wie: Druckköpfe, Drucksiebe, usw., die mit dem Ätzmedium unmittelbar in Kontakt sind, verwendet werden.
In Druckversuchen mit hochauflösenden Siebdruckgeweben konnten Ätzlinienbreiten von 50 μm erreicht werden. Deutlich geringere Linienbreiten sind per Siebdruck kaum herzustellen, was im wesentlichen durch die zur Verfügung stehenden Siebdruckgewebe begründet ist. Für viele Anwendungen, beispielsweise Standard-TN- LCD's (7-Segment-Anzeigen u.a.) ist diese Auflösung jedoch völlig ausreichend. Für höherwertige Displays, beispielsweise STN- Matrixanzeigen oder TFT-Matrix-Anzeigen, sind höhere Auflösungen notwendig.
Um höhere Auflösungen, bzw. feinere gedruckte Strukturen, herstellen zu können, sind andere Druckverfahren notwendig. Die klassischen Druckverfahren, wie beispielsweise Offsetdruck, Tampondruck u.a. können auf den verwendeten Substraten, wie z. B. dünnen Glasscheiben, entweder nicht eingesetzt werden, oder es kann mit ihrer Hilfe nicht die gewünschte Auflösung erreicht werden. Ein brauchbares Druckverfahren stellt der Inkjet-Druck dar. Beispielsweise stellt die Firma Litrex (Peasanton, CA, USA) hochauflösende industrielle Inkjet-Drucker her. Mit dem Litrex 120 InkJet-Printer ist es möglich einzelne Ätzmedientropfen von 10 Picoliter Volumen mit ± 10 μm
Positioniergenauigkeit berührungslos auf einem ITO-beschichteten Glassubstrat zu applizieren. Mit dem Gerät können so Linienbreiten bis herab auf 30 μm in ITO geätzt werden bei Verwendung der erfindungsgemäßen Ätzmedien.
Auch ohne weitere Ausführungen wird davon ausgegangen, daß ein Fachmann die obige Beschreibung im weitesten Umfang nutzen kann. Die bevorzugten Ausführungsformen und Beispiele sind deswegen lediglich als beschreibende, keineswegs als in irgendeiner Weise limitierende Offenbarung aufzufassen.
Die vollständige Offenbarung aller vor- und nachstehend aufgeführten Anmeldungen, Patente und Veröffentlichungen, sowie der korrespondierenden Anmeldung DE 10 2005 035 255.3, eingereicht am 25.07.2005, sind durch Bezugnahme in diese Anmeldung eingeführt.
Zum besseren Verständnis und zur Verdeutlichung der Erfindung werden im folgenden Beispiele gegeben, die im Rahmen des Schutzbereichs der vorliegenden Erfindung liegen. Diese Beispiele dienen auch zur Veranschaulichung möglicher Varianten. Aufgrund der allgemeinen Gültigkeit des beschriebenen Erfindungsprinzips sind die Beispiele jedoch nicht geeignet, den Schutzbereich der vorliegenden Anmeldung nur auf diese zu reduzieren.
Beispiele:
Beispiel 1
Herstellung einer Ätzpaste für Indium-Zinnoxid
Zu einem Lösungsmittelgemisch bestehend aus 176 g Dl Wasser 271 g 1-Methyl-2-pyrrolidon wird unter Rühren 446 g Phosphorsäure (85 %) zugegeben. Anschließend wird unter starken Rühren 15g Hydroxyethylcellulose Die klare homogene Mischung wird nun mit 293 g Vestosint Polyamidpulver versetzt und für 2 Stunden nachgerührt.
Die nun gebrauchsfertige Paste kann mit einem 260 Mesh Edelstahlgewebe-Sieb verdruckt werden. Prinzipiell können auch Polyester oder ähnlich Siebmaterialien verwendet werden.
Beispiel 2
Zu einem Lösungsmittelgemisch bestehend aus 181g Dl Wasser 181g Ethylenglycol 98g 1-Methyl-2-pyrrolidon wird unter Rühren
460 g Phosphorsäure (85 %) zugegeben. Anschließend wird unter starken Rühren 17g Hydroxyethylcellulose Die klare homogene Mischung wird nun mit 293 g Coathylene Polyethylenpulver versetzt und für 2 Stunden nachgerührt.
Die nun gebrauchsfertige Paste kann mit einem 260 Mesh Edelstahlgewebe-Sieb verdruckt werden. Prinzipiell können auch
Polyester oder ähnlich Siebmaterialien verwendet werden.
Beispiel 3
Zu einem Lösungsmittelgemisch bestehend aus
176 g Dl Wasser
271 g 1-Methyl-2-pyrrolidon wird unter Rühren
446 g Phosphorsäure (85 %) zugegeben. Anschließend wird unter starkem Rühren
32g Polyethylenglycol 1500
15g Hydroxyethylcellulose
Die klare homogene Mischung wird nun mit
271g Magnesiumsulfatpulver versetzt und für 2 Stunden nachgerührt.
Die nun gebrauchsfertige Paste kann mit einem 260 Mesh Edelstahlgewebe-Sieb verdruckt werden. Prinzipiell können auch Polyester oder ähnlich Siebmaterialien verwendet werden.
Hochauflösender Siebdruck auf ein ITO-beschichtetes Substrat
Für einen Druck- und Ätztest wurden folgende Parameter verwendet:
Sieb: Stahl - Sieb mit einer Maschenzahl von
260 mesh/inch und Fadendurchmesser von 20 μm und 15μm Emulsionsdicke.
Layout: 45μm Linien
Siebdruckmaschine: EKRA E1
Substrat: Glas mit 125nm ITO Schicht
Ätzung: 1800C für 120s erhitzt
Ergebnis: Die geätzte Linie hatte eine Breite von durchschnittlich 50 μm.
Inkjetdruck auf ein ITO-beschichtetes Substrat
Inkjet-printer: OTB
Druckkopf: XAAR Omnidot 760
Viskosität Ätzmedium: 7-1 OmPas (mit optimierter Ätzpaste)
Maximal Frequenz: 5,5 kHz
Maximum linear speed: 700mm/s
Pixel Auflösung: 1440 dpi Abstand Druckkopf: 1 mm Substrat: Glas mit 125nm ITO Schicht
Ätzung: 18O0C für 120s erhitzt
Ergebnis: Die geätzte Linie hatte eine Breite von <35 μm.

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Ätzmedium zum Ätzen von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten, enthaltend mindestens ein Ätzmittel bestehend aus Phosphorsäure oder deren Salze oder
Addukten der Phosphorsäure oder
Gemischen aus Phosphorsäure mit Salzen der Phosphorsäure und/oder Addukten der Phosphorsäuren.
2. Ätzmedium gemäß Anspruch 1 , enthaltend als aktive Komponente ortho-, meta-, pyro-, oligo- und/oder poly-
Phosphorsäure, und/oder meta- Phosphorpentoxid oder deren Gemische.
3. Ätzmedium gemäß Anspruch 2 enthaltend ein oder mehrere verschiedene Ammoniumsalz(e) der Phosphorsäure und/oder mono- oder di- oder tri-Ester einer Phosphorsäure, die durch thermischen Energieeintrag die ätzende Phosphorsäure freisetzen.
4. Ätzmedium gemäß der Ansprüche 1 - 3 in Pastenform, enthaltend außer mindestens einem Ätzmittel, Lösungsmittel, partikuläre und/oder lösliche anorganische und/oder organische
Verdickungsmittel und gegebenenfalls Additive wie Entschäumer, Thixotropiermittel, Verlaufsmittel, Entlüfter und Haftvermittler.
5. Verfahren zum Ätzen von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten, dadurch gekennzeichnet, dass ein Ätzmedium gemäß der Ansprüche 1 - 4 mittels eines Druckverfahrens auf das zu ätzende Substrat aufgebracht wird.
6. Verfahren gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Ätzmedium gemäß der Ansprüche 1 -4 je nach Konsistenz durch
Aufsprühen, Aufschleudern, Tauchen oder durch Drucken im Sieb-, Schablonen-, Stempel-, Tampon- oder Tintenstrahldruck aufgebracht wird.
7. Verfahren gemäß der Ansprüche 5 - 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Erhitzen auf einer Heizplatte, in einem
Konvektionsofen, durch IR-Strahlung, sichtbares Licht, UV- Strahlung, oder Mikrowelle erfolgt.
8. Verfahren gemäß der Ansprüche 5 - 7 zur Strukturierung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten zur Herstellung von Solarzellen.
9. Verfahren gemäß der Ansprüche 5 - 7 zur Strukturierung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten zur Herstellung von Flachbildschirmen.
PCT/EP2006/006444 2005-07-25 2006-07-03 Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige schichten WO2007012378A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020087004469A KR101325957B1 (ko) 2005-07-25 2006-07-03 산화성 투명 전도층을 위한 에칭 매질
JP2008523160A JP4901866B2 (ja) 2005-07-25 2006-07-03 酸化物の透明な導電層をエッチングするためのエッチング媒体
US11/996,620 US7824563B2 (en) 2005-07-25 2006-07-03 Etching media for oxidic, transparent, conductive layers
EP06762349A EP1910240A1 (de) 2005-07-25 2006-07-03 Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige schichten

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005035255.3 2005-07-25
DE102005035255A DE102005035255A1 (de) 2005-07-25 2005-07-25 Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige Schichten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007012378A1 true WO2007012378A1 (de) 2007-02-01

Family

ID=36939209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2006/006444 WO2007012378A1 (de) 2005-07-25 2006-07-03 Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige schichten

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7824563B2 (de)
EP (1) EP1910240A1 (de)
JP (1) JP4901866B2 (de)
KR (1) KR101325957B1 (de)
CN (2) CN101228097A (de)
DE (1) DE102005035255A1 (de)
MY (1) MY145052A (de)
TW (1) TWI391473B (de)
WO (1) WO2007012378A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010508664A (ja) * 2006-10-30 2010-03-18 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 透明導電性酸化物層をエッチングするための印刷可能な媒体
US8617418B2 (en) 2009-03-30 2013-12-31 Toray Industries, Inc. Conductive film removal agent and conductive film removal method
JP2014063574A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Oike Ind Co Ltd 導電性パターンの形成方法、および透明導電性フィルム

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005032807A1 (de) * 2005-07-12 2007-01-18 Merck Patent Gmbh Kombinierte Ätz- und Dotiermedien für Siliziumdioxidschichten und darunter liegendes Silizium
US8624050B2 (en) * 2007-06-22 2014-01-07 General Electric Company Solution process for transparent conductive oxide coatings
WO2009067475A1 (en) * 2007-11-19 2009-05-28 Applied Materials, Inc. Crystalline solar cell metallization methods
US7888168B2 (en) * 2007-11-19 2011-02-15 Applied Materials, Inc. Solar cell contact formation process using a patterned etchant material
GB0820126D0 (en) * 2008-11-04 2008-12-10 Conductive Inkjet Technology Ltd Inkjet ink
CN101958361A (zh) * 2009-07-13 2011-01-26 无锡尚德太阳能电力有限公司 透光薄膜太阳电池组件刻蚀方法
KR101811068B1 (ko) * 2009-12-28 2017-12-20 도레이 카부시키가이샤 도전 적층체 및 그것을 이용하여 이루어지는 터치 패널
CN102127447A (zh) * 2009-12-30 2011-07-20 杜邦太阳能有限公司 透明导电金属氧化物膜的形态设计
JP5638437B2 (ja) 2010-04-09 2014-12-10 富士フイルム株式会社 導電膜及びその製造方法、並びにタッチパネル及び太陽電池
US8524524B2 (en) 2010-04-22 2013-09-03 General Electric Company Methods for forming back contact electrodes for cadmium telluride photovoltaic cells
US20130092657A1 (en) * 2010-06-14 2013-04-18 Nano Terra, Inc. Cross-linking and multi-phase etch pastes for high resolution feature patterning
WO2012083082A1 (en) 2010-12-15 2012-06-21 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
EP2725587A4 (de) 2011-06-24 2015-07-08 Kuraray Co Verfahren zur bildung eines leitfähigen films, leitfähiger film, isolierverfahren und isolierfilm
SG187274A1 (en) 2011-07-14 2013-02-28 3M Innovative Properties Co Etching method and devices produced using the etching method
US20150152328A1 (en) * 2012-06-04 2015-06-04 Merck Patent Gmbh Photoactivated etching paste and its use
JP2014082332A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Hitachi Chemical Co Ltd 液状組成物
TWI534247B (zh) * 2013-01-31 2016-05-21 An etch paste for etching an indium tin oxide conductive film
TWI506834B (zh) * 2013-05-28 2015-11-01 中原大學 Method for preparing organic solar cells with conductive nanocoltons
JP6261926B2 (ja) * 2013-09-18 2018-01-17 関東化學株式会社 金属酸化物エッチング液組成物およびエッチング方法
CN104332563A (zh) * 2014-09-01 2015-02-04 京东方科技集团股份有限公司 一种封装方法、显示面板及其制作方法、显示装置
CN103980905B (zh) * 2014-05-07 2017-04-05 佛山市中山大学研究院 一种用于氧化物材料体系的蚀刻液及其蚀刻方法和应用
JP6494349B2 (ja) * 2015-03-18 2019-04-03 株式会社Adeka エッチング液組成物及びエッチング方法
CN105655389B (zh) * 2016-01-15 2018-05-11 京东方科技集团股份有限公司 有源层、薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制备方法
CN106280680A (zh) * 2016-08-09 2017-01-04 上海交通大学 一种水溶性含磷油墨及其制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4348255A (en) * 1979-07-04 1982-09-07 Bbc Brown, Boveri & Company, Ltd. Process for the preparation of an optically transparent and electrically conductive film pattern
SU1366489A1 (ru) * 1986-05-22 1988-01-15 Минский радиотехнический институт Раствор дл травлени стекла
US5830375A (en) * 1996-06-10 1998-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Automated method for monitoring and controlling the orthophosphoric acid etch rate of silicon nitride insulator layers
JPH1171135A (ja) * 1997-08-22 1999-03-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd 酸化錫被膜の除去方法
JP2001176864A (ja) * 1999-12-20 2001-06-29 Toshiba Electronic Engineering Corp 透明導電膜のエッチング液組成物
WO2001083391A1 (de) * 2000-04-28 2001-11-08 Merck Patent Gmbh Ätzpasten für anorganische oberflächen
WO2003034504A1 (de) * 2001-10-10 2003-04-24 Merck Patent Gmbh Kombinierte ätz- und dotiermedien

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5789480A (en) * 1980-11-26 1982-06-03 Seiko Epson Corp Etchant for transparent electric conductive film
JP3173318B2 (ja) * 1994-04-28 2001-06-04 キヤノン株式会社 エッチング方法及び半導体素子の製造方法
JP2002367974A (ja) * 2001-06-04 2002-12-20 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 透明導電膜用エッチング剤組成物
JP2002363776A (ja) * 2001-06-11 2002-12-18 Mitsubishi Gas Chem Co Inc エッチング剤組成物
JP2005116542A (ja) * 2002-03-25 2005-04-28 Nagase Chemtex Corp エッチング液組成物
JP2004156070A (ja) * 2002-11-01 2004-06-03 Kanto Chem Co Inc 透明導電膜を含む積層膜のエッチング液組成物
DE102005031469A1 (de) * 2005-07-04 2007-01-11 Merck Patent Gmbh Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4348255A (en) * 1979-07-04 1982-09-07 Bbc Brown, Boveri & Company, Ltd. Process for the preparation of an optically transparent and electrically conductive film pattern
SU1366489A1 (ru) * 1986-05-22 1988-01-15 Минский радиотехнический институт Раствор дл травлени стекла
US5830375A (en) * 1996-06-10 1998-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Automated method for monitoring and controlling the orthophosphoric acid etch rate of silicon nitride insulator layers
JPH1171135A (ja) * 1997-08-22 1999-03-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd 酸化錫被膜の除去方法
JP2001176864A (ja) * 1999-12-20 2001-06-29 Toshiba Electronic Engineering Corp 透明導電膜のエッチング液組成物
WO2001083391A1 (de) * 2000-04-28 2001-11-08 Merck Patent Gmbh Ätzpasten für anorganische oberflächen
WO2003034504A1 (de) * 2001-10-10 2003-04-24 Merck Patent Gmbh Kombinierte ätz- und dotiermedien

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DATABASE WPI Section Ch Week 198831, Derwent World Patents Index; Class L01, AN 1988-218799, XP002398031 *
DATABASE WPI Section Ch Week 200230, Derwent World Patents Index; Class A25, AN 2002-245349, XP002398032 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1999, no. 08 30 June 1999 (1999-06-30) *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010508664A (ja) * 2006-10-30 2010-03-18 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 透明導電性酸化物層をエッチングするための印刷可能な媒体
US8617418B2 (en) 2009-03-30 2013-12-31 Toray Industries, Inc. Conductive film removal agent and conductive film removal method
JP2014063574A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Oike Ind Co Ltd 導電性パターンの形成方法、および透明導電性フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
MY145052A (en) 2011-12-15
CN101228097A (zh) 2008-07-23
CN104496192A (zh) 2015-04-08
TWI391473B (zh) 2013-04-01
US7824563B2 (en) 2010-11-02
DE102005035255A1 (de) 2007-02-01
US20080217576A1 (en) 2008-09-11
JP4901866B2 (ja) 2012-03-21
KR101325957B1 (ko) 2013-11-07
KR20080030681A (ko) 2008-04-04
TW200712179A (en) 2007-04-01
JP2009503825A (ja) 2009-01-29
EP1910240A1 (de) 2008-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007012378A1 (de) Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige schichten
WO2007003255A1 (de) Medium zur ätzung von oxidischen transparent leitfähigen schichten
DE19535068C2 (de) Beschichtung zur strukturierten Erzeugung von Leiterbahnen auf der Oberfläche von elektrisch isolierenden Substraten, Verfahren zum Herstellen der Beschichtung und von strukturierten Leiterbahnen
EP0594932B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines transparenten Musters aus leitendem Film
EP0910128B1 (de) Herstellung von organischen elektrolumineszierenden Bauteilen
KR100893564B1 (ko) 저점도 전구체 조성물 및 전도성 전자 형상의 증착 방법
DE4424748C2 (de) Verfahren zum Bilden von Elektroden mit niedrigem Widerstand sowie Flachtafelanzeigevorrichtung
DE102007013181B4 (de) Transparente, elektrisch leitfähige Schicht
EP1838639A1 (de) Druckf[higes medium zur ätzung von siliziumdioxid- und siliziumnitridschichten
DE69912334T2 (de) Verfahren zum Ablagern einer Metalloxyd(en)schicht
DE102005033724A1 (de) Druckfähige Ätzmedien für Siliziumdioxid-und Siliziumnitridschichten
DE102018202513B4 (de) Verfahren zur Metallisierung eines Bauelements
DE10324880A1 (de) Verfahren zur Herstellung von OLEDs
WO2014101987A1 (de) Druckbare diffusionsbarrieren für siliziumwafer
EP0022279B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optisch transparenten und elektrisch leitfähigen Filmmusters
DE102009060066B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements sowie elektronisches Bauelement
DE10055636C2 (de) Transparenter leitfähiger Film und Verfahren zur Herstellung des Films
WO2013010612A1 (de) Strukturierung von antistatischen und antireflektionsbeschichtungen und von entsprechenden stapelschichten
DD253512A1 (de) Verfahren zur strukturierung transparenter leitfaehiger metalloxidschichten
DE102008018939A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer elektrisch leitenden Struktur auf einem temperaturempfindlichen Foliensubstrat
DE19757874A1 (de) Leitfähiges Schichtsystem und dessen Verwendung in elektrolumineszierenden Anordnungen
DD241175A1 (de) Verfahren zur herstellung transparenter leiterbahnen fuer elektrolumineszenzdisplays

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2006762349

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006762349

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680026998.6

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11996620

Country of ref document: US

Ref document number: 2008523160

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 609/KOLNP/2008

Country of ref document: IN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087004469

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2006762349

Country of ref document: EP