KR20090081937A - 인듐계 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속패턴의 형성방법 - Google Patents

인듐계 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속패턴의 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090081937A
KR20090081937A KR1020080008123A KR20080008123A KR20090081937A KR 20090081937 A KR20090081937 A KR 20090081937A KR 1020080008123 A KR1020080008123 A KR 1020080008123A KR 20080008123 A KR20080008123 A KR 20080008123A KR 20090081937 A KR20090081937 A KR 20090081937A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ammonium
etching
composition
potassium
weight
Prior art date
Application number
KR1020080008123A
Other languages
English (en)
Inventor
양승재
장상훈
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020080008123A priority Critical patent/KR20090081937A/ko
Publication of KR20090081937A publication Critical patent/KR20090081937A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, HNO3 1 내지 15중량%; CH3COOH 1 내지 10중량%; 암모늄염, 칼륨염 및 인산염 중에서 선택되는 1종 이상의 염화합물 0.01 내지 5중량%; 및 물 70 내지 97.99중량%를 포함하는 인듐계 산화막의 식각액 조성물에 관한 것이다.
인듐계, 산화막, 투명전도막, 식각액, IZO, a-ITO

Description

인듐계 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법{Etchant composition for an Indium based oxide layer and method for fabricating metal pattern}
본 발명은 평판 디스플레이 장치에서 투명전극으로 사용 되는 인듐계 산화막의 식각액 조성물 및 이를 사용한 금속 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
IZO와 a-ITO와 같은 박막을 투명전도막(Thin Film of Transparent Conductive Oxides)라 하는데 일반적으로 이들 박막은 가시광 영역에서 투과율이 약 90% 이상이고, 저항률이 1×10-4Ω㎝ 이하의 특성을 가지고 있다. 투명전도막이 투명하기 위해서는 일반적으로 전도전자가 적어야 하며 전기전도도가 크기 위해서는 전도전자가 많아야 한다. 투명전도막의 경우 이와 같이 상반되는 두 조건을 만족시켜야 한다.
IZO와 a-ITO를 증착하는 방법에는 일반적으로 스퍼터링(Sputtering)을 사용하는데 CVD(Chemical Vapor Deposition)방법에 비하여 증착 조건을 조절하기가 용이하며 대형의 기판을 사용하여 제조할 경우 박막의 두께 및 박막 특성의 균일화 를 기하는데 용이한 장점을 가지고 있다. 스퍼터링 방법으로 제조할 경우 산화물 타겟 또는 합금 타겟(alloy target)을 사용하는 두 가지가 방법이 있는데 합금 타겟을 사용하는 경우 증착속도가 빠르고 타겟 수명도 훨씬 길며 타겟 제조의 용이성 및 재활용이 가능하다는 장점이 있으나 공정 변수에 민감한 특성 변화를 보이는 단점이 있다. 산화물 타겟을 이용하면 박막의 화학 양론비를 재현성 있게 제어할 수 있으나 합금 타겟에 비해 증착속도가 느리고 증착 도중 타겟에 물리적인 균열이 일어날 수 있고 타겟에 아크가 일어나는 단점이 있다. 인듐-주성분계 산화물을 스퍼터링에 의해 증착시키는 경우 O2와 반응하여 In2O3의 형태를 가지게 되는데 전기전도도를 향상 시키기 위하여 도펀트로 Ge, Si, Ti, Sb, Zr, Sn 및 Zn등을 사용한다.
본 발명에서의 IZO와 a-ITO는 각각 In2O3와 ZnO, In2O3와 SnO2가 적정비율로 혼합되어 있는 투명전도막 산화물의 의미한다.
액정 평판 디스플레이의 디바이스의 구동에 따라 차이가 있지만 최근에는 통상적으로 Top 화소전극을 사용하고 있다. 소스/드레인 패시베이션(Passivation)층 위에 증착을 한 후 상기 화소 전극층 위에 포토레지스트를 코팅하고 노광 및 현상 공정을 통하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 패턴이 형성된 기판에 식각액을 사용하여 식각 공정을 한 후 포토레지스트를 스트립 하여 원하는 형태의 금속 산화물 패턴을 형성 시킨다.
인듐 산화막은 내화학성이 우수하여 식각이 용이하지 않은 물질 중의 하나 로서, 인듐 산화막을 식각하기 위하여 예컨대, 한국공개특허공보 제1996-2903호에 개시된 왕수계(HCl+HNO3) 식각액; 한국공개특허공보 제1997-65685호에 개시된 염산, 약산 및 알코올 중에서 선택된 하나의 물질로 이루어진 식각액; 미국특허 제5,456,795호에 개시된 염화철계 (FeCl3+HCl) 식각액; 한국공개특허공보 제2000-17470호에 개시된 옥살산 및 그것의 염 또는 알루미늄 염화물을 주성분으로 하는 식각액 등이 사용될 수 있다. 또한, 미국특허 제5,340,491호는 요오드화수소(HI)와 염화철(FeCl3)을 함유하는 식각액에 대해서 개시하고 있다.
그러나, 왕수계 식각액의 경우, 가격은 저렴하나 패턴의 측면에서 더 빨리 식각되어 프로파일(profile)이 불량할 뿐만 아니라 주성분인 염산이나 질산이 쉽게 휘발하기 때문에 시간이 지남에 따라 식각액 조성물의 변동이 심하다. 또한, 염화철계 식각액의 경우에도 주성분이 염산이기 때문에 시간이 지남에 따라 성분의 변동이 크다. 또한, 옥살산으로 이루어진 식각액은 식각이 용이할지라도 저온에서 용해도가 낮아 석출물이 생기는 문제가 있다. 이외에 요오드화수소(HI)로 이루어진 식각액의 경우, 식각 속도가 크고 측면 식각이 적지만 가격이 비싸고 독성과 부식성이 커서 실제 공정에 사용하기에는 한계가 있다.
한편, 상술한 기존의 식각액은 대부분 강한 화학적 활성을 지니고 있어서 식각 중에 내화학성이 불량한 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 등의 인접 금속에 대해 침식을 일으킬 수 있다. 이는 상술한 금속 중에 하나를 포함하는 다층막 구조인 경우에도 마찬가지이다.
또한, 염산을 함유하는 식각액의 경우, 발연성이 있어 흄(fume)으로 인한 대기 오염의 문제를 유발하며 이에 따라 설비의 증대 및 안전조업의 문제를 야기한다.
본 발명은 약액 사용에 따른 시간경시와 매수경시에 충분한 식각 능력을 나타내고 하부막에 대한 침식 및 식각 후 잔사 발생이 없으며, 장비 재질에 대한 어택 및 다른 약액과의 혼입에 의한 발열반응, 석출현상이 없으며, 환경친화적인 인듐계 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, HNO3 1 내지 15중량%; CH3COOH 1 내지 10중량%; 암모늄염, 칼륨염 및 인산염 중에서 선택되는 1종 이상의 염화합물 0.01 내지 5중량%; 및 물 70 내지 97.99 중량%를 포함하는 인듐계 산화막 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 인듐계 산화막을 형성하는 공정; 상기 인듐계 산화막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 공정; 및 상기 공정에서 형성된 인듐계 산화막을 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 식각하는 공정을 포함하는 금속 패턴의 형성 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 본 발명은 약액 사용에 따른 시간경시와 매수경시에 충분한 식각 능력을 나타내고 하부막에 대한 침식 및 식각 후 잔사 발생이 없으며, 장비 재질에 대해 어택이 없어 장비의 유지 보수에 안정성을 제공하고 다른 약액과의 혼입에 의한 발열반응, 석출현상이 없어 사용자의 약액 사용 시 안정성을 제공하며 환경친화적이기 때문에 인듐계 산화막의 식각에 있어서 매우 뛰어난 공정 효율을 나타낸다.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, HNO3 1 내지 15중량%; CH3COOH 1 내지 10중량%; 암모늄염, 칼륨염 및 인산염 중에서 선택되는 1종 이상의 염화합물 0.01 내지 5중량%; 및 물 70 내지 97.99중량%를 포함하는 인듐계 산화막의 식각액 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 식각액 조성물은 평판 디스플레이 장치에서 투명전극으로 사용되는 인듐계 산화막 배선 형성에 사용되는 것을 말하며, 구체적으로 IZO(Indium Zinc Oxide) 및 a-ITO(Amorphous Indium Tin Oxide) 등의 식각용 조성물이다. 그러나, 상기의 투명전도막에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 식각액 조성물에서 HNO3는 주산화제로서, 인듐계 산화막(IZO, a-ITO 등)을 식각한다. HNO3의 함량은 조성물의 총 중량에 대해 1 내지 15 중량%가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 4 내지 10 중량%이다. HNO3이 1중량% 미만인 경우 식각 속도가 저하되어 충분한 식각이 이루어지지 않아서 잔사가 발생 할 수 있으며, 15중량%를 초과하는 경우에는 과도한 식각, 포토레지스트에 화학적 손상이 발생하여 변형이 올 수 있으며, 또한, 하부막인 게이트 배선 및 소스/드레인 배선에 화학적 손상이 발생하여 단락(shortage)이 일어나 후속공정에 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에서 CH3COOH는 보조산화제로서 HNO3과 더불어 식각속도를 조절하는 역할을 한다. CH3COOH의 함량은 조성물의 총 중량에 대해 1 내지 10 중량%가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 3 내지 8 중량%이다. CH3COOH이 1중량% 미만인 경우 충분한 식각 속도를 얻을 수 없으며, 10 중량%를 초과하게 되면 식각 속도가 증가하나 하부막인 게이트 배선 및 소스/드레인 배선에 화학적 손상이 발생하여 단락(shortage)이 일어 나 후속공정에 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에서 암모늄염, 칼륨염 및 인산염 중에서 선택되는 1종 이상의 염화합물은 식각 억제제로서 작용하며, 함량은 조성물의 총 중량에 대해 0.01 내지 5 중량%가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 2 중량%이다. 상기 식각 억제제가 0.01 중량% 미만인 경우에는 하부막에 손상이 발생할 수 있으며, 5중량%를 초과하게 되면 하부막 손상은 억제 할 수 있으나 인듐계 산화막의 식각 속도가 저하되어 양호한 식각 특성을 얻을 수 없다.
상기에서 암모늄염, 칼륨염 및 인산염으로는 이 분야에서 사용되는 것들을 제한 없이 사용할 수 있으며, 예컨대, 암모늄티오설페이트, 암모늄 설페이트, 암모늄퍼설페이트, 인산암모늄, 초산암모늄, 질산암모늄, 붕산암모늄, 암모늄시트레이트, 암모늄옥살레이트, 암모늄포메이트, 암모늄카보네이트; 인산이수소나트륨(sodium dihydrogen phosphate), 질산나트륨, 황산나트륨, 초산나트륨; 인산이수소칼륨(potassium dihydrogen phosphate), 초산칼륨, 질산칼륨, 및 황산칼륨 등을 들 수 있다.
상기 물은 특별히 한정되는 것은 아니나, 탈이온수가 바람직하다. 특히, 물의 비저항 값(즉, 물속에 이온이 제거된 정도)이 18㏁/㎝이상인 탈이온수를 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 물의 함량은 조성물 총 중량에 대하여 70 내지 97.99중량%로 포함되며, 상기 함량은 수용액 형태로 첨가되는 다른 성분에 포함된 것과 물의 단독 첨가량을 합산한 것이다.
본 발명의 식각액 조성물에는 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 첨가할 수 있으며, 첨가제로는 계면 활성제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제 및 pH 조절제 등을 사용할 수 있다.
계면 활성제는 표면장력을 저하시켜 식각의 균일성을 증가시키는 역할을 한다. 이러한 계면 활성제로는 식각액에 견딜 수 있고 상용성이 있는 형태의 계면 활성제가 바람직하다. 그 예로는 임의의 음이온성, 양이온성, 양쪽 이온성 또는 비이온성 계면 활성제 등을 들 수 있다. 또한, 계면 활성제로서 불소계 계면 활성제를 사용할 수 있다.
또한, 상기 첨가제는 이에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당 업계에 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들을 선택하여 첨가할 수도 있다.
본 발명의 조성물에서, HNO3, CH3COOH, 및 암모늄염, 칼륨염 및 인산염 중에서 선택되는 1종 이상의 염화합물은 통상적으로 공지된 방법에 따라 제조가능하고, 특히 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한,
기판 상에 인듐계 산화막을 형성하는 공정;
상기 인듐계 산화막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 공정; 및
상기 공정에서 형성된 인듐계 산화막을 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 식각하는 공정을 포함하는 금속 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.
상기 금속 패턴의 형성 방법은 액정표시장치용 TFT 어레이 기판의 제조 분야 등에서 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예 1~10: 식각액 조성물의 제조 및 식각 특성 평가
a-ITO 기판을 다이아몬드 칼을 이용하여 10×10mm로 절단하여 시편을 준비 하였다. 그리고 표 1 에 기재된 조성비로 식각액 10kg을 제조하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비 (SEMES사 제조)내에 제조된 식각액을 넣고 온도를 40 ℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 식각 공정을 수행하였다. a-ITO막 식각 시간은 실제 공정 시간을 고려하여 80초를 기준으로 하여 실시 하였다. 또한 하부막 손상 평가를 위하여 금속배선이 형성된 Mo/Al, Mo/Al/Mo 기판을 10×10mm으로 준비하여 분사식 식각액에 5min동안 노출시켜 손상 평가를 실시하였다. 상기 기판들은 식각이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍(熱風)건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트(PR) 박리기(stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM; HITACHI사 제조, 모 델명: S-4700)을 이용하여 투명전도막의 잔사발생, PR 어텍 여부 및 하부막 손상을 평가하였다.
식각 특성 결과는 하기 표 1과 같다.
실시예 조성(중량%) 식각 특성 결과
질산/초산/CH3COOK/물 잔사 발생 하부 막 손상 PR Attack
1 4 / 5 / 0.5 / 90.5 × × ×
2 4 / 10 / 1 / 85.0 × × ×
3 6 / 4 / 0.5 / 89.5 × × ×
4 6 / 7 / 0.7 / 86.3 × × ×
5 8 / 4 / 0.5 / 87.5 × × ×
6 8 / 6 / 0.7 / 85.3 × × ×
7 9 / 3 / 1.0 / 87 × × ×
8 9 / 7 / 1.5 / 82.5 × × ×
9 10 / 4 / 1.5 / 84.5 × × ×
10 10 / 7 / 2 / 81 × × ×
표 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 인듐계 산화막을 식각하는 경우, 잔사발생, 하부막 손상 및 PR 어텍 면에서 모두 양호한 식각특성이 나타나는 것을 확인할 수 있다.
또한, 실시예 5의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO막을 식각한 결과를 나타내는 도 1의 SEM 사진으로부터 양호한 식각 특성 확인할 수 있으며, 실시예 5의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO막을 식각한 후, 하부막 손상 평가를 위하여 촬영한 SEM 사진인 도 3a(Mo/Al 박막) 및 3b(Mo/Al/Mo 박막)로부터 하부막에 대한 손상이 없음을 확인 할 수 있다. (하부막 손상 없이 금속 배선 형성이 이루어진 Mo/Al 박막(도 2a) 및 Mo/Al/Mo 박막(도 2b)의 사진과 비교).
비교예 1~5: 식각액 조성물의 제조 및 식각특성평가
a-ITO 기판을 다이아몬드 칼을 이용하여 10×10mm로 절단하여 시편 준비를 하였다. 그리고 표 2 에 기재된 조성비로 식각액 10kg을 제조하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비 (SEMES사 제조)내에 제조된 식각액을 넣고 온도를 40 ℃ 로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 식각 공정을 수행하였다. a-ITO막 식각 시간은 실제 공정 시간을 고려하여 80초를 기준으로 하여 실시 하였다. 또한 하부막 손상 평가를 위하여 금속배선이 형성된 Mo/Al, Mo/Al/Mo 기판을 10×10mm으로 준비하여 분사식 식각액에 5min동안 노출시켜 손상 평가를 실시 하였다. 상기 기판들은 식각이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍(熱風)건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트(PR) 박리기(stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM; HITACHI사 제조, 모델명: S-4700)을 이용하여 투명전도막의 잔사발생, PR 어텍 여부 및 하부막 손상을 평가하였다.
비교예 조성(중량%) 식각 특성 결과
질산/초산/CH3COOK/물 잔사 발생 하부 막 손상 PR Attack
1 8 / 4 / 0 / 88 × ○ ×
2 0.5 / 9 / 1 / 89.5 ○ × ×
3 20 / 5 / 2 / 73 × ○ ○
4 4 / 5 / 6 / 85.0 ○ × ×
5 9 / 0 / 0.5 / 90.5 ○ × ×
표 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 비교예의 식각액 조성물을 사용하여 인듐계 산화막을 식각한 결과, 식각 억제제인 CH3COOK가 포함되지 않은 비교예 1의 경우 하부막에 손상이 발생하였으며, HNO3의 함량이 너무 적은 비교예 2의 경우 충분한 식각이 이루어지지 않으므로 잔사가 발생하였으며, HNO3의 함량이 너무 과다한 비교예 3의 경우 하부막 손상 및 PR 어텍이 발생하였으며, 식각 억제제인 CH3COOK의 함량이 과다한 비교예 4의 경우 식각 속도가 저하되어 잔사가 발생하였으며, 보조산화제인 CH3COOH이 포함되지 않은 비교예 5의 경우 잔사가 발생하였다.
이러한 사실은 첨부된 도면에 의하여 더 명확하게 확인되는데, 도 4a 및 도 4b는 비교예 1의 식각액 조성물로 a-ITO막을 식각한 결과로서 하부막인 Mo/Al 박막(도 4a) 및 Mo/Al/Mo 박막(도 4b)에 손상이 발생한 것을 확인할 수 있다. 도 5는 비교예 2의 식가액 조성물로 a-ITO막을 식각한 결과로서 식각 잔사의 발생을 확인할 수 있다. 또한, 도 6a 및 도 6b는 비교예 3의 식각액 조성물로 a-ITO막을 식각한 결과로서 하부막인 Mo/Al 박막(도 6a) 및 Mo/Al/Mo 박막(도 6b)의 손상과 PR 어텍을 확인할 수 있다. 또한, 도 7 및 도 8은 각각 비교예 4 및 비교예 5의 식가액 조성물로 a-ITO막을 식각한 결과로서 식각 잔사의 발생을 확인할 수 있다.
도 1은 실시예 5의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO막을 식각한 결과를 나타내는 SEM 사진이다.
도 2a는 하부막 손상 없이 금속 배선 형성이 이루어진 Mo/Al 박막의 SEM 사진이다.
도 2b는 하부막 손상 없이 금속 배선 형성이 이루어진 Mo/Al/Mo 박막의 SEM 사진이다.
도 3a는 실시예 5의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO막을 식각한 후, 하부막인 Mo/Al 박막의 상태를 나타내는 SEM 사진이다.
도 3b는 실시예 5의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO막을 식각한 후, 하부막인 Mo/Al/Mo 박막의 상태를 나타내는 SEM 사진이다.
도 4a는 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO막을 식각한 후, 하부막인 Mo/Al 박막의 상태를 나타내는 SEM 사진이다.
도 4b는 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO막을 식각한 후, 하부막인 Mo/Al/Mo 박막의 상태를 나타내는 SEM 사진이다.
도 5는 비교예 2의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO막을 식각한 결과를 나타내는 SEM 사진이다.
도 6a는 비교예 3의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO막을 식각한 후, 하부막인 Mo/Al 박막의 상태를 나타내는 SEM 사진이다.
도 6b는 비교예 3의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO막을 식각한 후, 하부 막인 Mo/Al/Mo 박막의 상태를 나타내는 SEM 사진이다.
도 7은 비교예 4의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO막을 식각한 결과를 나타내는 SEM 사진이다.
도 8은 비교예 5의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO막을 식각한 결과를 나타내는 SEM 사진이다.

Claims (7)

  1. 조성물 총 중량에 대하여, HNO3 1 내지 15중량%; CH3COOH 1 내지 10중량%; 암모늄염, 칼륨염 및 인산염 중에서 선택되는 1종 이상의 염화합물 0.01 내지 5중량%; 및 물 70 내지 97.99중량%를 포함하는 인듐계 산화막의 식각액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 암모늄염, 칼륨염 및 인산염 중에서 선택되는 1종 이상의 염화합물이 암모늄티오설페이트, 암모늄설페이트, 암모늄퍼설페이트, 인산암모늄, 초산암모늄, 질산암모늄, 붕산암모늄, 암모늄시트레이트, 암모늄옥살레이트, 암모늄포메이트, 암모늄카보네이트; 인산이수소나트륨(sodium dihydrogen phosphate), 질산나트륨, 황산나트륨, 초산나트륨; 인산이수소칼륨 (potassium dihydrogen phosphate), 초산칼륨, 질산칼륨, 및 황산칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인듐계 산화막의 식각액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 물은 탈이온수인 것을 특징으로 하는 인듐계 산화막의 식각액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물은 식각조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제 및 pH 조절제 중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐계 산화막의 식각액 조성물.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 인듐계 산화막이 IZO(Indium Zinc Oxide)막 또는 a-ITO(Amorphous Indium Tin Oxide)막인 것을 특징으로 하는 인듐계 산화막의 식각액 조성물.
  6. 기판 상에 인듐계 산화막을 형성하는 공정;
    상기 인듐계 산화막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 공정; 및
    상기 공정에서 형성된 인듐계 산화막을 청구항 1의 식각액 조성물을 사용하여 식각하는 공정을 포함하는 금속 패턴의 형성 방법.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 광반응 물질은 포토레지스트 물질로서, 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨지는 것임을 특징으로 하는 금속 패턴의 형성 방법.
KR1020080008123A 2008-01-25 2008-01-25 인듐계 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속패턴의 형성방법 KR20090081937A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080008123A KR20090081937A (ko) 2008-01-25 2008-01-25 인듐계 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속패턴의 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080008123A KR20090081937A (ko) 2008-01-25 2008-01-25 인듐계 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속패턴의 형성방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090081937A true KR20090081937A (ko) 2009-07-29

Family

ID=41293142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080008123A KR20090081937A (ko) 2008-01-25 2008-01-25 인듐계 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속패턴의 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090081937A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170027931A (ko) * 2015-09-02 2017-03-13 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
CN109536961A (zh) * 2018-11-12 2019-03-29 深圳市中科东明表面处理新材料技术有限公司 蚀刻液及蚀刻液的制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170027931A (ko) * 2015-09-02 2017-03-13 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
CN109536961A (zh) * 2018-11-12 2019-03-29 深圳市中科东明表面处理新材料技术有限公司 蚀刻液及蚀刻液的制备方法
CN109536961B (zh) * 2018-11-12 2021-03-30 深圳市中科东明表面处理新材料技术有限公司 蚀刻液及蚀刻液的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5030403B2 (ja) 酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物及びそれを用いたエッチング方法
JP6669522B2 (ja) 銀含有薄膜のエッチング液組成物およびこれを用いた表示装置用アレイ基板の製造方法
JP5841772B2 (ja) 多重膜のエッチング液組成物及びそのエッチング方法
JP2016167581A5 (ko)
KR102546803B1 (ko) 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판
JP2014027274A (ja) エッチング液組成物、及び多重金属膜のエッチング方法｛ｅｔｃｈａｎｔｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ、ａｎｄｍｅｔｈｏｄｆｏｒｅｔｃｈｉｎｇａｍｕｌｔｉ−ｌａｙｅｒｅｄｍｅｔａｌｆｉｌｍ｝
KR20160097754A (ko) 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판
TWI679308B (zh) 銀蝕刻液組合物及利用其之顯示基板
KR101702129B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
CN110295368B (zh) 不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物
KR102263693B1 (ko) 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법
KR101926274B1 (ko) 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법
KR20130046405A (ko) 은 또는 은합금의 배선 및 반사막 형성을 위한 식각용액
CN105755472B (zh) 银蚀刻液组合物和利用它的显示基板
KR102639626B1 (ko) 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법
KR20090081937A (ko) 인듐계 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속패턴의 형성방법
KR20190112622A (ko) 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용하여 제조된 표시장치용 어레이기판 및 이의 제조방법
KR101347455B1 (ko) 인듐계 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속패턴의 형성방법
KR101151952B1 (ko) 인듐산화막의 식각용액 및 그 식각방법
KR102260190B1 (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
CN113652693A (zh) 银薄膜蚀刻液组合物、使用该组合物的蚀刻方法及金属图案形成方法
KR102281335B1 (ko) 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법
CN110359050B (zh) 含银薄膜蚀刻液组合物、用其制造的用于显示装置的阵列基板及其制造方法
CN113637972A (zh) 银薄膜蚀刻液组合物、使用该组合物的蚀刻方法及金属图案形成方法
KR20090079439A (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application