CN110295368B - 不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种制造显示器时使用于金属配线制造工序的不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物及利用此的金属配线形成方法。提供一种蚀刻液组合物，包含：所述有机酸化合物的阴离子、磺酸化合物的阴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、包含氮的二羰基(Dicarbonyl)化合物、以及余量的水，并且所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。
Description
技术领域
本发明涉及不包含磷酸盐的氧化铟锡/银(ITO/Ag)多层膜蚀刻液组合物，更详细地，涉及当制造显示器时使用于金属配线制造工序的不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物。
背景技术
目前，显示器市场的趋势(Trend)已呈现出液晶显示器(LCD)的局限点，并且由于有机发光二极管(OLED)的优点，有机发光二极管的开发和各种范围的应用正在被越来越多的尝试。
有机发光二极管是一种具有很多优点的显示器装置。与液晶显示器相比，有机发光二极管的对比度、视角、响应速度更优秀，并可以使显示器装置的厚度更薄，而且由于宽视角及形态变形自由，也可适用于柔性显示器。
而且，有机发光二极管在结构上不使用背光模组(Back light unit，BLU)和彩色滤光片(Color Filter)。这是因为有机发光二极管为自身发光元件，因而不额外需要用于产生其他规定的光的装置。因此，在有机发光二极管中，为了防止光损失，使用包含银(Ag)的氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)多层膜来构成特定配线。ITO是Idium Tin Oxide的简称，是一种透明且导电的物质。氧化烟锡电导率优秀、带隙(Band-gap)为2.5eV以上，可在可见光区域表现出高透射性，因此用于各种显示器面板、电磁波屏蔽膜(Film)、有机电致发光(EL)等。而且，与其他透明电极材料相比，电极图案加工性优秀、化学稳定性和热稳定性突出、涂敷(Coating)时电阻低。并且，银的电阻率低、亮度高且电导率高，因此在构成有机发光二极管的配线方面具有有利的优点。
但是，在使用含有银的氧化铟锡/银/氧化铟锡膜的情况下，使用现有的蚀刻液组合物会导致在配线蚀刻工序时形成氧化铟锡/银/氧化铟锡的大的切割尺寸偏斜(Cutdimension skew，CD-Skew)，致使配线宽度的余量差，并且根据蚀刻工序环境，不均匀的切割尺寸偏斜的形成导致配线均匀度不良。而且，因不均匀蚀刻的发生，可能产生银残渣，并且可与构成下层配线的金属进行反应，产生还原性银析出物。存在银残渣与析出物会产生称之为暗点的不合格的问题。尤其，在诱发银还原性析出物的下部配线的情况下，以包含铝(Al)的钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)配线为主，并且在使用现有的蚀刻液组合物来进行蚀刻工序的情况下，铝会损伤(Damage)，当发生铝损伤(Al Damage)时，通过所产生的电子来与银离子进行反应，从而成为诱发银还原性析出物的主要原因。虽然所述铝损伤，但钛(Ti)没有损伤，因此上层钛像尖(Tip)一样突出的钛尖(Ti Tip)在蚀刻工序之后断裂，并朝向主要配线部移动，从而成为暗点与配线不良的原因。这由特定组成成分引起，因此需要开发一种不含有特定组成成分的新型蚀刻液。
发明内容
需要解决的课题
因此，本发明的目的在于，提供一种组合物，即，不包含磷酸盐，而且即使统一蚀刻氧化铟锡/银/氧化铟锡配线，小的切割尺寸偏斜与经时性也得到提高。
本发明的另一目的在于，提供一种组合物，即，不存在因银的蚀刻率高而导致银残渣的问题，而且不发生铝损伤、析出及钛尖。
课题的解决手段
为达成所述目的，本发明提供一种蚀刻液组合物，其包含：有机酸化合物的阴离子、磺酸化合物的阴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、包含氮的二羰基(Dicarbonyl)化合物、以及余量的水，所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。
其中，优选地，所述有机酸化合物的阴离子选自由醋酸盐(acetate)、苹果酸盐(malate)、柠檬酸盐(citrate)、酒石酸盐(Tartarate)、乳酸盐(Lactate)、甲酸盐(Formate)、琥珀酸盐(Succinate)及富马酸盐(fumarate)组成的组。
发明效果
本发明的不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物可提供一种蚀刻液组合物，即，即使不包含磷酸盐，银的蚀刻率也高，而且小的切割尺寸偏斜与经时性也得到提高。
附图说明
图1为通过本发明实施例1至实施例15的蚀刻组合物蚀刻的包含层叠的氧化铟锡/银/氧化铟锡多层膜及光致抗蚀剂图案的样品的镜下(Scope)及扫描电子显微镜(SEM)照片。
图2为通过本发明的比较例1至比较例23的蚀刻组合物蚀刻的包含层叠的氧化铟锡/银/氧化铟锡多层膜及光致抗蚀剂图案的样品的镜下(Scope)照片及扫描电子显微镜(SEM)照片。
具体实施方式
以下，参照附图更加详细地说明本发明。
本发明的蚀刻液组合物提供一种蚀刻液组合物，即，包含有机酸化合物的阴离子、磺酸化合物的阴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、包含氮的二羰基化合物以及余量的水，而且所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。
所述蚀刻液组合物的硝酸根离子为用于主要地氧化银膜的主氧化剂，在银蚀刻工序中，硝酸根离子(nitrate，NO3-)与银进行反应来蚀刻银膜。通过所述反应可将作为无机酸化合物的硝酸(HNO3)分解为硝酸银(AgNO3，Silver Nitrate)、一氧化氮(NO，Nitricoxide)与水(Water，H2O)，来降低银膜的蚀刻速度。所述硝酸根离子含量可以为1重量百分比至20重量百分比，优选地，可以为5重量百分比至15重量百分比。若硝酸根离子的含量高于20重量百分比，则蚀刻率过高，难以控制蚀刻程度，由此，包含所述银的金属膜可被过度蚀刻。若硝酸根离子的含量少于1重量百分比，则可导致蚀刻率降低，从而不能充分地进行蚀刻。
在所述蚀刻液组合物中，有机酸化合物的阴离子是与作为银的主氧化剂的硝酸根离子有关的辅助氧化剂。在硝酸根离子(4NO3-)与银(3Ag)反应来蚀刻银的情况下，硝酸根离子可被分解为3AgNO3、NO及2H2O，蚀刻速度下降，而有机酸化合物的阴离子抑制硝酸根离子的分解，来恒定维持含有银的金属膜的蚀刻速度。而且，所述有机酸化合物的阴离子可包含有机酸化合物失去氢离子后的阴离子盐的形态。
所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比，优选地，可以为40重量百分比至48重量百分比。若有机酸化合物的阴离子的含量高于50重量百分比，则可因银膜的蚀刻速度过快而诱发冲蚀不良，并且若少于35重量百分比，则硝酸根离子可通过减少分解抑制效果来抑制稳定性，并可产生银残渣。
作为具体例，所述有机酸化合物的阴离子可以为选自由醋酸盐(acetate，CH3COO-)、苹果酸盐(malate)、柠檬酸盐(citrate)、酒石酸盐(Tartarate)、乳酸盐(Lactate)、甲酸盐(Formate)、琥珀酸盐(Succinate)、富马酸盐(Fumarate)及它们的混合物组成的组中的一种以上。对于有机酸化合物，无水和含水均可选择来使用。
作为本发明的另一实施例，有机酸化合物的阴离子可包含：第一有机酸化合物的阴离子，选自由醋酸盐、乳酸盐、甲酸盐及它们的混合物组成的组中的一种以上；以及第二有机酸化合物的阴离子，选自由柠檬酸盐、苹果酸盐、酒石酸盐、琥珀酸盐、富马酸盐及它们的混合物组成的组中的一种以上。作为另一实施例，第一有机酸化合物的阴离子可包含醋酸盐，第二有机酸化合物的阴离子可包含柠檬酸盐，而且相对于100重量百分比的所述蚀刻液组合物，醋酸盐的含量可以为15重量百分比至25重量百分比，柠檬酸盐的含量可以为20重量百分比至25重量百分比。
所述蚀刻液组合物的磺酸化合物的阴离子为辅助氧化剂，在硝酸根离子(4NO3-)与银进行反应来蚀刻银膜的情况下，硝酸根离子可分解为3AgNO3与NO及2H2O，蚀刻速度下降，而磺酸化合物的阴离子减缓硝酸根离子的分解速度，恒定维持含有银的金属膜的蚀刻速度。而且，所述磺酸化合物的阴离子可包含磺酸化合物失去氢离子后的阴离子盐的形态。
所述磺酸化合物的阴离子的含量可以为1重量百分比至10重量百分比，优选地，可以为2重量百分比至8重量百分比。若磺酸化合物的阴离子盐的含量高于10重量百分比，则可因银膜的蚀刻速度过快而诱发冲蚀不良，并且若少于1重量百分比，则可通过减少硝酸盐分解抑制效果来抑制稳定性，并可产生残渣。
所述磺酸化合物的阴离子盐可以为选自由甲磺酸盐(methanesulfonate)、对甲苯磺酸盐(p-Toluenesulfonate)、苯磺酸盐(Benzenesulfonate)、氨基甲磺酸盐(Aminomethylsulfonate)、氨基磺酸盐(Sulfamate)及它们的混合物组成的组中的一种。所述磺酸化合物的阴离子可以为甲磺酸(Methanesulfonic acid)、对甲苯磺酸(p-Toluenesulfonic acid)、苯磺酸(Benzenesulfonic acid)、氨基甲磺酸(Aminomethylsulfonicacid)、氨基磺酸(Sulfamic acid)失去氢离子后的阴离子盐的形态。
所述蚀刻液组合物的硫酸根离子作为用于主要地蚀刻铟锡氧化物(Indium-TinOxide，以下称“ITO”)的主蚀刻剂，在没有硫酸根离子的情况下，氧化铟锡不被蚀刻。所述硫酸根离子的含量可以为10重量百分比至20重量百分比，最优选地，可以为12重量百分比至19重量百分比。若硫酸根离子的含量高于20重量百分比，则可因氧化铟锡膜的蚀刻速度过快而诱发冲蚀不良，若少于10重量百分比，则氧化铟锡的蚀刻速度下降，可产生氧化铟锡残渣及银残渣。而且，硫酸根离子可包含硫酸化合物失去氢离子后的盐的形态，作为硫酸化合物的阴离子，例如，为硫酸盐。
所述硫酸根离子可以为硫酸(Sulfuric acid，H2SO4)、硫酸氢铵(Ammoniumhydrogen sulfate,(NH4)HSO4)、硫酸氢钾(Potassium hydrogen sulfate，KHSO4)、硫酸氢钠(Sodium hydrogen sulfate，NaHSO4)、硫酸铵(Ammonium sulfate，(NH4)2SO4)、硫酸钾(Potassium sulfate，K2SO4)、硫酸钠(Sodium sulfate，Na2SO4)及它们的混合物失去氢离子后的阴离子形态。对于所述硫酸化合物，无水和含水均可使用。
所述蚀刻液组合物的包含氮的二羰基化合物为与氧化铟锡、银、铝相关的蚀刻调节剂，防止在形成配线时形成过度的切割尺寸偏斜、通过防止铝损伤，来抑制银析出及钛尖的发生，不产生基于银浓度的切割尺寸偏斜变化。具体地，若所述蚀刻液组合物中使用规定含量的包含氮的二羰基化合物，则作为氧化铟锡、银、铝的蚀刻调节剂，具有如下的效果，即，在由氧化剂氧化的金属(Metal)表面有效附着二羰基化合物所具有的氮和氧，来妨碍过度蚀刻，从而调节蚀刻，并且可形成低的切割尺寸偏斜(LowCD-Skew)，防止铝损伤，从而抑制银析出，并且控制基于银浓度增加的切割尺寸偏斜的变化，来大大地提高累积层数性能。
在所述包含氮的二羰基化合物的衍生物的情况下，必须混合两种以上的衍生物来使用。作为所述包含氮的二羰基化合物的具体例，可以为选自天冬酰胺(Asparagine，C4H8N2O3)、亚氨基二乙酸(Iminodiacetic acid，C4H7NO4)、2,4-咪唑啉二酮(Imidazolidine-2,4-dione，C3H4N2O2)、丁二酰亚胺(Succinimide，C4H5NO2)、戊二酰亚胺(Glutarimide，C5H7NO2)、谷氨酸(Glutamic acid，C5H9NO4)、天门冬氨酸(Aspartic acid，C4H7NO4)、焦谷氨酸(Pyro-glutamic acid，C5H7NO3)、马尿酸(Hippuric acid，C9H9NO3)及它们的混合物中的两种以上。对于包含氮的二羰基化合物，无水和含水均可使用。
所述包含氮的二羰基化合物的总含量可以为2重量百分比至10重量百分比，最优选地，可以为3重量百分比至8重量百分比。若包含氮的二羰基化合物的含量高于10重量百分比，则氧化铟锡、银蚀刻速度过度下降，不形成切割尺寸偏斜，并产生银残渣，并且若包含氮的二羰基化合物少于2重量百分比，作为从光致抗蚀剂末端至金属末端的长度的切割尺寸偏斜过度形成，并发生铝损伤，从而产生银析出及钛尖，并且可在药液时间经过中发生问题。
本发明的蚀刻液组合物还可包含金属离子。所述金属离子作为金属氧化剂，具有与硫酸根离子一同提高氧化铟锡蚀刻速度的效果。所述金属离子的含量可以为0.01重量百分比至2重量百分比，最优选地，可以为0.01重量百分比至1.5重量百分比。若所述金属离子的含量高于2重量百分比，则氧化铟锡蚀刻速度过度加快，切割尺寸偏斜过度形成，并且若少于0.01重量百分比，可因氧化铟锡蚀刻速度过度下降导致产生氧化铟锡残渣及银残渣。金属离子可以为金属盐的形态。所述金属离子可以为选自铁离子、铜离子、镁离子及它们的混合物中的一种以上。
作为所述金属离子化合物的具体例，可以为选自硝酸铁(Ferric nitrate，Fe(NO3)3)、硝酸铜(Copper nitrate，Cu(NO3)2)、硝酸镁(Magnesium nitrate，Mg(NO3)2)及它们的混合物中的一种以上。对于金属离子化合物，均可以使用无水和含水。若设所述铁离子与硝酸根离子为100重量百分比，则其中铁离子为0.23重量百分比至3.93重量百分比，并且若设铜离子与硝酸根离子为100重量百分比，则其中铜离子为0.34重量百分比至5.76重量百分比，并且若设镁离子与硝酸根离子的和为100重量百分比，则镁离子为0.16重量百分比至2.79重量百分比，所述铁离子与硝酸根离子的重量比可以为99：1。
在本发明中，即使没有明确提及，水仍占有整个蚀刻液中水以外的其他剩余成分的重量百分比和以外的全部，以使在整个蚀刻液组合物中除了水以外的其他剩余成分的重量百分比的和与水的重量百分比的和为100重量百分比。作为用于所述蚀刻液的水，优选地，使用半导体用等级的水或超纯水。
在所述蚀刻液组合物中，无机酸化合物不包含磷酸盐，这是因为在使用现有的难溶性磷酸的混酸类蚀刻剂的情况下，会因磷酸盐而具有切割尺寸偏斜过度形成的倾向性，并且磷酸盐会导致形成其他配线的铝损伤，以致产生银还原性析出及钛尖。与此同时，用有机酸化合物与磺酸化合物的阴离子来代替基于磷酸盐的银蚀刻，并且针对氧化铟锡蚀刻，可使用硫酸氢化合物的阴离子与金属氧化剂化合物来统一实现氧化铟锡与银蚀刻。
本发明的蚀刻液组合物可用作用于形成可使用于膜晶体管液晶显示装置等的金属配线的蚀刻液。所述金属配线可通过蚀刻金属膜进行图案化来形成，而且所述金属膜可以为由氧化铟锡与银及氧化铟锡/银/氧化铟锡构成的多层膜。本发明的金属配线形成方法包括在在基板上形成包括包含银的单层膜、氧化铟锡单层膜、包含上部氧化铟锡与下部氧化铟锡中的至少一种且包含银的多层膜的步骤中统一形成配线的步骤。所述蚀刻液包含有机酸化合物的阴离子、磺酸化合物的阴离子、无机酸化合物的氮离子、硫酸化合物的阴离子、包含氮的二羰基化合物以及金属离子化合物的离子。所述多层膜包括包含氧化铟锡的上部膜、下部膜及银，并且利用蚀刻液蚀刻所述多层膜的步骤可以统一蚀刻所述上部膜及所述下部膜，而不需分为氧化铟锡蚀刻工序步骤与银配线蚀刻工序步骤来进行，而且可通过基于此的工序步骤减少来简化工序。
为了解决在配线形成蚀刻工序中所产生的过度形成的切割尺寸偏斜、残渣及析出，本发明的蚀刻液组合物为去除现有混酸类蚀刻液中所使用的磷酸盐的蚀刻液组合物。去除磷酸盐，并针对失去磷酸盐而不足的部分，使用有机酸、磺酸、硫酸化合物的阴离子、包含氮的二羰基化合物以及金属离子化合物来开发蚀刻液特性。通过去除磷酸盐，来消除发生于其他配线的铝损伤并解决了以往所产生的还原性银析出及钛尖。针对在去除磷酸的同时因银的蚀刻能力下降而产生的残渣，通过所述有机酸化合物的阴离子来完善下降的蚀刻能力，从而解决残渣，而且针对氧化铟锡的蚀刻，通过所述硫酸根离子与金属离子来完善下降的蚀刻能力。
以下，通过实施例来更加详细地说明本发明，但本发明并不限定于下述实施例。
实施例1至实施例15及比较例1至比较例23.蚀刻液组合物
如下表1所示，制备本发明的蚀刻液组合物的实施例1至实施例15及比较例1至比较例23的蚀刻液。下表1中的％是重量百分比。
表1
实验例1.测定蚀刻液的蚀刻速度、切割尺寸偏斜、银的残渣与析出
针对包括层叠的氧化铟锡/银/氧化铟锡三层膜及光致抗蚀剂图案的样品，使用镜下(Scope)与扫描电子显微镜(SEM)照片来测定实施例1至实施例15及比较例1至比较例23的蚀刻组合物对各个样品的蚀刻速度(Etch rate，E/R)、切割尺寸偏斜、残渣及析出后，将结果在下表2中示出，在如下的图1与图2中示出与实施例及比较例相关的镜下与扫描电子显微镜照片。氧化铟锡/银/氧化铟锡蚀刻速度为至/>时是合适的蚀刻速度。切割尺寸偏斜(Cut dimension skew)(偏侧)指光致抗蚀剂末端与氧化铟锡/银/氧化铟锡末端之间的距离。所述切割尺寸偏斜(偏侧)的合适范围为0.2μm至0.3μm。若残渣及析出存在少量，则表示为“有”，若不存在则表示为“无”。
表2
实验结果(参照所述表2)，实施例1至实施例15中，因率先去除析出发生因子组成，从而在析出实验中表现出优秀的效果。可以确认，比较例1(有机酸小于35％)、比较例3(磺酸化合物的阴离子小于1％)及比较例5(硝酸根离子小于1％)的银蚀刻能力降低且切割尺寸偏斜无法满足范围，并产生残渣，而比较例2(有机酸大于50％)、比较例4(磺酸化合物的阴离子大于10％)、比较例6(硝酸根离子大于20％)中，银蚀刻能力过度提高且切割尺寸偏斜过度形成。可以确认，比较例7(硫酸根离子小于10％)因对氧化铟锡的蚀刻能力降低而产生残渣，比较例8(硫酸根离子大于20％)因对氧化铟锡的蚀刻能力提高而切割尺寸偏斜过度形成。可以确认，在如比较例9含有磷酸盐的情况下，与不含有磷酸盐的实施例1至实施例15及比较例1至比较例8不同，蚀刻速度增加，因此切割尺寸偏斜大幅增加，以致切割尺寸偏斜超出可满足的范围，出现产生银还原性析出、下部配线发生铝损伤及产生钛尖等非常脆弱的结果。
实验例2.实施例15与比较例9的析出比较
以与所述实验例1相同的方法，进行所述实施例15与比较例9的银析出试验。其结果可知，在包含磷酸盐的比较例9中产生银析出，相反，在不包含磷酸盐的实施例15的情况下，不产生所述银。因此，本发明可提供不包含磷酸盐的蚀刻液组合物。
实验例3.蚀刻液的处理次数增加的可靠性评价
对于本发明的实施例2的蚀刻液，通过增加银离子浓度来进行如下的基板处理次数评价。利用实施例2的蚀刻液来进行参考蚀刻(referenceetch)，每次添加500ppm银粉来进行蚀刻测试，从而与参考结果进行比较，将结果整理于如下的表3中。
表3
◎：优秀(与参考相比，变化量为10％以内)/×：不合格(与参考相比，变化量大于10％)
参照所述表3，可以确认，在所述蚀刻组合物实施例2中，即使银离子浓度增加，蚀刻速度、切割尺寸偏斜、残渣及析出也没有大的变化。因此可知所述蚀刻组合物具有可靠性。
实验例4.基于蚀刻液的时间的经过而增加的可靠性评价
如下所示，针对本发明的实施例2的蚀刻液，增加时间经时来评价基板的时间经时。利用实施例2的蚀刻液，进行参考蚀刻，时间经时以12小时为单位进行蚀刻测试，与参考测试结果进行比较，将结果整理于如下的表4中。
表4
◎：优秀(与参考相比，变化量为10％以内)/×：不合格(与参考相比，变化量大于10％)
参照所述表4，可以确认，在所述蚀刻组合物实施例2中，即使时间经时增加，蚀刻速度、切割尺寸偏斜、残渣及析出也没有大的变化。因此可知所述蚀刻组合物具有可靠性。
Claims (13)
1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，相对于100重量百分比的所述蚀刻液组合物，包含：
有机酸化合物的阴离子；
1重量百分比至10重量百分比的磺酸化合物的阴离子；
1重量百分比至20重量百分比的硝酸根离子；
10重量百分比至20重量百分比的硫酸根离子；
2重量百分比至10重量百分比的两种以上的包含氮的二羰基化合物；以及
余量的水，
所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸化合物的阴离子选自由醋酸盐、苹果酸盐、柠檬酸盐、酒石酸盐、乳酸盐、甲酸盐、琥珀酸盐及富马酸盐组成的组。
3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸化合物的阴离子，包含：
第一有机酸化合物的阴离子，选自由醋酸盐、乳酸盐、甲酸盐及它们的混合物组成的组；以及
第二有机酸化合物的阴离子，选自由柠檬酸盐、苹果酸盐、酒石酸盐、琥珀酸盐、富马酸盐及它们的混合物组成的组。
4.根据权利要求3所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述第一有机酸化合物的阴离子为醋酸盐，第二有机酸化合物的阴离子为柠檬酸盐。
5.根据权利要求4所述的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于100重量百分比的所述蚀刻液组合物，醋酸盐的含量为15重量百分比至25重量百分比，柠檬酸盐的含量为20重量百分比至25重量百分比。
6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述磺酸化合物的阴离子选自由甲磺酸盐、对甲苯磺酸盐、苯磺酸盐、氨基甲磺酸盐、氨基磺酸盐及它们的混合物组成的组。
7.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述硫酸根离子选自由硫酸、硫酸氢铵、硫酸氢钾、硫酸氢钠、硫酸铵、硫酸钾、硫酸钠及它们的混合物组成的组失去氢离子后的阴离子形态。
8.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述包含氮的二羰基化合物为选自由天冬酰胺、亚氨基二乙酸、2,4-咪唑啉二酮、丁二酰亚胺、戊二酰亚胺、谷氨酸、天门冬氨酸、焦谷氨酸、马尿酸及它们的混合物组成的组中的两种以上。
9.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，还包含0.01重量百分比至2重量百分比的金属离子，所述金属离子选自由铁离子、镁离子、铜离子及它们的混合物组成的组。
10.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物不包含磷酸盐。
11.根据权利要求9所述的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于100重量百分比的所述铁离子与硝酸根离子，所述铁离子的含量为0.23重量百分比至3.93重量百分比，相对于100重量百分比的所述铜离子与硝酸根离子，所述铜离子的含量为0.34重量百分比至5.76重量百分比，相对于100重量百分比的所述镁离子与硝酸根离子，所述镁离子的含量为0.16重量百分比至2.79重量百分比，所述铁离子与硝酸根离子的重量比是99：1。
12.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，还包含0.01重量百分比至2重量百分比的金属离子。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物用于蚀刻氧化铟锡膜、银膜或它们的合金膜。
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