CN106337182A - 含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，根据本发明，以碳原子数在3以上且碳原子数、羧基的数目及除羧基之外的其他官能团的数目满足一定条件的羧酸化合物，作为蚀刻速度调节剂而包含于蚀刻液组合物中，因此，在对含有银或银合金的金属膜进行蚀刻工程时，能够提高蚀刻特性，减少蚀刻液的更换及消耗所用的量，还能够防止不均一的蚀刻造成的不良。

Description

含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物

技术领域

本发明涉及一种含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，具体涉及一种能够一种含有蚀刻调节剂的蚀刻液组合物，该蚀刻调节剂能够提高含有银或银合金的金属膜的蚀刻特性。

背景技术

显示器的反射板起到将后面的光线反射到前面以降低光线损失的作用。相比进行了白色涂料处理的反射板及铝反射板，含有银的薄膜使后面的光线反射到前面的效率更高，能将照明度提高至接近两倍。因此，光线损失较少的含有银或银合金的金属膜被使用到反射板中。

另一方面，随着显示器装置的高分辨率及大型化进程，对于薄膜晶体管基板的配线，一般使用含有比铝及铜具有更高导电性的银的配线。

大韩民国专利公开第2008-0009866号公开了一种用于对反射板或配线所使用的含有银或银合金的金属膜进行蚀刻的蚀刻液组合物，其为一种以磷酸、硝酸及醋酸为主要成分的组合物。然而，上述组合物由于醋酸，其挥发性较强，随着处理时间的增加，蚀刻特性将会发生变化，其结果是，一部分配线的蚀刻偏差有可能增加。

另一方面，大韩民国专利公开第2014-0087757号公开了一种包含磷酸、硝酸及硫酸的银或银合金膜蚀刻液，其中，添加了硫酸以代替醋酸；大韩民国专利公开第2014-0063284号中公开了含有硝酸及硫酸的蚀刻液。然而，在上述这种含有硫酸的情况下，会发生过度蚀刻，不仅一部分配线可能会发生短路，而且，随着对含有银或银合金的金属膜进行蚀刻处理的枚数增加，还可能会导致蚀刻偏差增加这种不良。

因此，需要改善含有银或银合金的膜或配线的蚀刻工程所使用的蚀刻液。

发明内容

本发明的课题在于提供一种含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，更具体地，在于提供一种减少醋酸的含量的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物。

为了达成上述课题，本发明提供一种含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，其包含磷酸、硝酸、蚀刻速度调节剂及水，

上述蚀刻速度调节剂为包含羧基的、碳原子数在3个以上的羧酸化合物，其中，碳原子数x、羧基的数目y及羧基之外的官能团的数目z满足下述关系式：

x为3或4的情况下：y≤x-2且y+z≥2

x为5以上的情况下：y＜x-2且2≤y+z≤5

且在上述关系式中，x及y不可为0，z可为0。

另外，上述羧基之外的官能团是指酮基或羟基。

另外，上述蚀刻速度调节剂包含碳原子数为3至30，且羧基的数目为1至10的羧酸化合物。

另外，根据一实现方式，上述蚀刻速度调节剂为具有3个以上的羧基的化合物的情况下，其分子内具有氮原子。

根据另一实现方式，碳原子数在3个以上的上述羧酸化合物为直链或支链型化合物。

根据另一实现方式，上述蚀刻速度调节剂包含琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、二乙酸、苹果酸、酒石酸、亚氨基二乙酸、乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸中的任意一种以上。

根据另一实现方式，上述组合物包含：20至80质量份的磷酸，1至20质量份的硝酸，以及0.05至30质量份的蚀刻速度调节剂。

另外，根据另一实现方式，上述组合物还包含50质量份以下的醋酸。

上述组合物所蚀刻的含有银或银合金的金属膜可为单一或多层膜。

根据本发明提供的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，其在对含有银或银合金的金属膜进行蚀刻工程时，能够降低蚀刻特性随着处理时间流逝而变化。因此，即使蚀刻处理枚数增加，也能够维持蚀刻偏差，改善蚀刻不均一的现象。

附图说明

图1为用实施例1所提供的蚀刻液组合物进行蚀刻工程时，添加1000ppm的银粉后，含有银或银合金的金属膜的蚀刻轮廓的扫描电子显微镜照片；

图2为用实施例1所提供的蚀刻液组合物进行蚀刻工程时，添加5000ppm的银粉后，含有银或银合金的金属膜的蚀刻轮廓的扫描电子显微镜照片；

图3为用比较例1所提供的蚀刻液组合物进行蚀刻工程时，添加1000ppm的银粉后，含有银或银合金的金属膜的蚀刻轮廓的扫描电子显微镜照片；

图4为用比较例1所提供的蚀刻液组合物进行蚀刻工程时，添加5000ppm的银粉后，含有银或银合金的金属膜的蚀刻轮廓的扫描电子显微镜照片；

图5为用比较例1所提供的蚀刻液组合物进行蚀刻工程时，对含有银或银合金的金属膜的配线短路进行示出的扫描电子显微镜照片；

图6为用实施例9所提供的蚀刻液组合物进行蚀刻工程时，添加1000ppm的银粉后，含有银或银合金的金属膜的蚀刻轮廓的扫描电子显微镜照片；

图7为用实施例9所提供的蚀刻液组合物进行蚀刻工程时，添加5000ppm的银粉后，含有银或银合金的金属膜的蚀刻轮廓的扫描电子显微镜照片；

图8为用比较例3所提供的蚀刻液组合物进行蚀刻工程时，添加1000ppm的银粉后，含有银或银合金的金属膜的蚀刻轮廓的扫描电子显微镜照片；

图9为用比较例3所提供的蚀刻液组合物进行蚀刻工程时，添加5000ppm的银粉后，含有银或银合金的金属膜的蚀刻轮廓的扫描电子显微镜照片；

图10为用比较例3所提供的蚀刻液组合物进行蚀刻工程时，对含有银或银合金的金属膜的配线短路进行示出的扫描电子显微镜照片。

具体实施方式

以下用于对本发明进行详细说明。本说明书及权利要求书中所使用的术语或词语不应解释为通常的含义或字典中的含义，应解释为，发明人为了以最合适的方法说明其发明，基于调整而定义术语的概念这一原则而符合本发明的技术思想的含义与概念。

本发明所提供的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物包含：

磷酸、硝酸、蚀刻速度调节剂及水，

上述蚀刻速度调节剂为包含羧基的、碳原子数在3个以上的羧酸化合物，其中，碳原子数(x)、羧基的数目(y)及羧基之外的官能团的数目(z)满足下述关系式：

x为3或4的情况下：y≤x-2且y+z≥2

x为5以上的情况下：y＜x-2且2≤y+z≤5

但是，上述关系式中x及y不可为0，z可为0。

根据一实现方式，上述羧基之外的官能团可指酮基或羟基。

上述含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物中，上述蚀刻速度调节剂可从碳原子数为3个以上，且含有1个以上的羧基的有机酸中选择。上述有机酸的羧基在蚀刻工程中能够起到使金属离子螯合化而溶于蚀刻溶液内以达到稳定化的作用，因此，能够起到防止金属离子被基板还原而重新附着于基板上的作用。

含有上述羧基的有机酸被称为羧酸化合物，羧酸化合物中包含1个羧基的化合物举例而言可为丙酸(Propionic acid)、己酸(caproic acid)、辛酸(caprylic acid)、苯乙酸(phenylacetic acid)、苯甲酸(benzoic acid)、苯单羧酸(benzene monocarboxylic acid)、硝基苯甲酸(nitro benzoic acid)、羟基苯甲酸(hydroxybenzoic acid)、羟基苯(hydroxybenzene)、氨基苯甲酸(amino benzoic acid)、二乙酸(diacetic acid)、乳酸(1actic acid)、丙酮酸(pyruvic acid)等。

另外，上述羧酸化合物中包含2个羧基的化合物举例而言可为琥珀酸(Succinic acid)、戊二酸(glutaric acid)、苯二甲酸(phthalic acid)、己二酸(adipic acid)、庚二酸(pimelic acid)、辛二酸(suberic acid)、二乙酸(diacetic acid)、亚氨基二乙酸(iminodiacetic acid)、苹果酸(malic acid)、酒石酸(tartaric acid)等。

另外，上述羧酸化合物中包含3个以上的羧基的情况下，优选的是，分子内具有氮原子。羧基为3个以上的情况下，若分子内不包含氮原子，则在相比于与具有2个羧基的分子时，与金属的结合力类似而分子的尺寸较大，因此与金属的结合并不顺利。

包含4个羧基的化合物举例而言可为乙二胺四乙酸(Ethylene diaminetetraacetic acid)，包含5个羧基的化合物举例而言可为二亚乙基三胺五乙酸(Diethylene triamine pentaacetic acid)等。

根据本发明人的研究，上述列举的碳原子为3以上的多个羧酸化合物中，优选的是，碳原子数(x)、羧基的数目(y)以及除羧基之外的官能团的数目(z)满足下述关系式：

x为3或4的情况下：y≤x-2且y+z≥2

x为5以上的情况下：y＜x-2且2≤y+z≤5

但是，上述关系式中x及y不可为0，z可为0。

上述羧酸化合物随着碳原子数增加，链的长度会变长，因此会变得难以溶解于水，这是因为随着羧基、羟基或酮基之类的官能团的数目增加，粘性会变高。

根据本发明人的研究，具有2个羧基而碳原子数不为3的草酸(碳原子数为2)存在与金属结合会产生沉淀物的问题。

对于上述碳原子数及羧基的数目，具体而言，碳原子数可从3至30的范围中选择，而羧基的数目可从1至10的范围中选择。例如，可从碳原子数为3至15，且羧基的数目为1至5的范围中选择，以满足上述关系式，所选择的能够在含有银或银合金的金属膜的蚀刻工程中起到较优的效果。

碳原子数为3而羧基的数目为2的丙二酸的情况下，并不能满足上述关系式(y≤x-2)，会产生在较低的pH中被分解的问题。

另外，碳原子数为5而具有3个羧基的柠檬酸(Citric acid)的情况下，不仅不满足上述关系式(y＜x-2)，而且，因分子内不具有氮原子，会存在与金属的结合并不顺利的问题。

上述蚀刻速度调节剂所包含的羧酸化合物可为直链或支链型化合物，除羧酸外还可包含氮原子含有基团。尤其是，在为包含有3个以上的羧基的化合物的情况下，优选的是分子内具有氮原子。例如可为氨基多羧酸(Aminopolycarboxylic acid)。

根据优选的实现方式，可包含琥珀酸(Succinic acid)、戊二酸(glutaricacid)、己二酸(adipic acid)、庚二酸(pimelic acid)、辛二酸(suberic acid)、二乙酸(diacetic acid)、亚氨基二乙酸(iminodiacetic acid)、苹果酸(malic acid)、酒石酸(tartaric acid)、乙二胺四乙酸(ethylenediamine tetraacetic acid)、二亚乙基三胺五乙酸(diethylenetriamine pentaacetic acid)中的一种以上。

根据一实现方式，以组合物总质量是100质量份为基准，可包含有20至80质量份的磷酸，1至20质量份的硝酸，0.05至30质量份的包含碳原子数为3以上的羧酸化合物的蚀刻速度调节剂，以及余量的去离子水。

上述羧酸化合物的添加含量不足的情况下，可能因过度蚀刻导致配线发生短路；含量过量的情况下，会妨害金属膜的氧化作用，可能会损害蚀刻均一性。因此，以含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物的总质量是100质量份为基准，上述蚀刻速度调节剂的含量可为0.05至30质量份，例如，添加0.1至10质量份可起到蚀刻含有银或银合金的金属膜的作用。

本发明所涉及的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物包含有磷酸，上述磷酸的使用含量以含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物的总质量是100质量份为基准，可添加20至80质量份的量，例如可添加40至70质量份的含量。

对于上述磷酸的使用，磷酸离子溶解于蚀刻液组合物中，会离解出氢元素，自身变得带负电荷。如上所述，带负电荷的磷酸离子与被氧化的银离子结合而进行螯合化反应，由此形成稳定的络合物，因此，银相对于水的溶解性得以增加，从而起到银离子稳定剂的作用，由此，能够防止含有银或银合金的膜或配线的蚀刻工程中可能发生的、银离子重新附着于基板上而留下残影的现象。

另外，上述磷酸在含有银或银合金的膜或配线的蚀刻工程中，可调节pH范围，由此蚀刻速度变得活泼，得以防止含有银或银合金的金属膜形成残渣，从而起到调节含有银或银合金的金属膜的蚀刻面积并控制蚀刻工程的作用。

含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物含有硝酸，而硝酸作为辅助氧化剂使用，起到氧化含有银或银合金的金属膜而进行蚀刻的作用。以含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物的总质量是100质量份为基准，上述硝酸的含量可包含1至20质量份，例如，可使用2至10质量份，其可起到蚀刻上述含有银或银合金的金属膜的作用。上述硝酸在蚀刻液中离解出来的硝酸离子以较快的速度还原含有银或银合金的金属膜表面的电子，因此，根据在上述范围内的含量调节，能够调节蚀刻速度而使蚀刻均一性提高，能够控制光刻胶下面的基材部分被蚀刻这种底切(Undercut)现象。底切现象较大的情况下，含有银或银合金的金属膜的一部分会损失，使用于反射板或薄膜晶体管基板等中时有可能无法发挥作用。

根据一实现方式，上述含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物还可包含醋酸，可起到调节由主氧化剂所启动的蚀刻反应的作用，可通过控制侧蚀量来控制蚀刻轮廓。以上述蚀刻液组合物的总质量是100质量份为基准，可添加50质量份以下的上述醋酸，例如可添加1至50质量份或5至30质量份，其起到控制含有银或银合金的金属膜蚀刻的作用。

对于本发明的蚀刻液组合物所包含的水没有特别限定，可使用去离子水。例如，可使用水的阻抗值，即水中离子被除去的程度在18MΩ/cm以上的去离子水。

本发明的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物还可附加包含腐蚀抑制剂及表面活性剂等添加剂。

本发明的蚀刻液组合物所包含的腐蚀抑制剂是为了银的蚀刻量调节及蚀刻率控制而使用的成分，可使用无机缓蚀剂、有机缓蚀剂或挥发性缓蚀剂等，但不仅限于此。

上述腐蚀抑制剂的相对于蚀刻液总质量可为0.01至10质量份。例如可添加0.01至3质量份。

根据一实现方式，上述含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物还可包含表面活性剂。上述表面活性剂是为了提高作用表面的湿润性(wettingproperty)，使上述蚀刻液能够均等地进行作用，改善添加剂的泡沫特性及提高相对其他有机添加剂的溶解性而附加添加的。

上述表面活性剂可从由非离子性表面活性剂、阴离子性表面活性剂、阳离子性表面活性剂及两性表面活性剂组成的群中选择一种以上来使用。

上述非离子性表面活性剂在水溶液状态下不会产生离子，基于该理由，其可与其他类型的表面活性剂混合添加而使用。非离子性表面活性剂举例而言可包含乙氧基化的直链醇(ethoxylated linear alcohol)、乙氧基化的烷基酚(ethoxylated alkylphenol)、脂肪酸酯(fatty acid ester)、胺与酰胺衍生物(amine and amide derivative)、烷基聚糖苷(alkyl poly glycoside)、环氧乙烷-环氧丙烷共聚物(ethylene oxide-propylene oxide copolymer)、聚醇和乙氧基化的多元醇(poly alcohol and ethoxylated polyalcohol)、硫醇和硫醇衍生物(thiol and mercaptan derivative)等。

上述阴离子性表面活性剂可包含硫酸盐、磺酸盐、有机磷酸系列、肌氨酸(sarcoside)、烷基氨基酸、月桂肌氨酸(lauryl sarcoside)等，例如，包含烷基酯硫酸盐(alkyl ester sulfate)、烷基乙氧基醚硫酸盐(alkyl ethoxy ethersulfate)、十二烷基苯磺酸盐(dodecylbenzene sulfonate)、烷基苯磺酸盐(alkylbenzene sulfonate)、α-烯烃磺酸盐(alpha-olefin sulfonate)、二十四磺酸盐(lignoceric sulfonate)、锍羧基化合物(sulfonium-carboxyl compound)等。

上述阳离子性表面活性剂能够吸附于带负电的基质，因此，能够起到防止静电及柔软剂的作用。还能起到作为固态粒子的分散剂、浮动集尘剂、疏水剂、腐蚀抑制剂的作用。阳离子性表面活性剂举例而言可包括脂肪酸胺、烷基季铵(quaternary alkyl ammonium)、直链二胺(1inear diamine)、n-氯化十二烷基吡啶(n-dodecyl pyridinium chloride)、咪唑与吗啉化合物(imidazoleand morpholine)。

上述两性表面活性剂在同一分子中具有阴离子性与阳离子性的解离，具有一定的等电点，例如可包含两性羧酸盐(amphoteric carboxylate)、烷基甜菜碱(alkyl betaine)、酰胺烷基甜菜碱(amido alkyl betaine)、酰胺烷基磺基甜菜碱(amido alkyl sultaine)、两性磷酸盐(amphoteric phosphate)、磷酸酯甜菜碱(phosphobetaine)、焦磷酸酯甜菜碱(pyrophosphobetaine)、羧基烷基胺(carboxy alkyl polyamine)。

上述表面活性剂举例而言可使用乙炔二醇(Acetylene diol)、烷基胺(alkylamine)、烷基羧酸(alkyl carboxylic acid)与普兰尼克(pluoronic)系列聚合物中的一种以上。上述普兰尼克系列聚合物举例而言可包括环氧乙烷与环氧丙烷的嵌段共聚物等。

上述含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物所能包含的表面活性剂为本领域中通常使用的，并不限定于上述记载的表面活性剂。

在上述表面活性剂的含量不合适的情况下，其提高上述蚀刻液的湿润性，改善添加剂的泡沫特性及提高其他有机添加剂的溶解性的效果不优，或者因溶解度的问题导致可能出现表面活性剂析出的问题。因此，以上述含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物总共为100质量份，可添加0.0005至5质量份的表面活性剂，举例而言，可添加非离子性表面活性剂、两性表面活性剂或它们的混合物共0.001至2质量份。

在配合如上所述的添加剂的情况下，其配合量可根据各添加剂的使用目的等调节而选择，然而，从不损害本发明效果的观点来看，优选的是，以本发明的蚀刻液组合物是100质量份为基准，全部添加剂的含量共占10质量份以下的范围。

上述含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物可用于以单一膜或多层膜的形式构成的含有银或银合金的金属膜及含有银或银合金的金属配线而进行蚀刻工程。举例而言，上述银或银合金膜所包含的多层膜可使用银-铝、氧化铟-银与银-铝-钼、氧化铟锡-银-氧化铟锡等。另外上述含有银或银合金的金属膜的形态是，以银为主要成分，还包含钕、铜、铅、铌、镍、钼、铬、锰、钨、钛、钯等其他金属的合金形态，或者，银的氮化物、硅化物、碳化物、氧化物形态等多种形态。

根据一实现方式，上述含有银或银合金的金属膜可为单一或多层膜，另外，其可用作显示屏用的反射板或TFT金属配线等而使用的含有银或银合金的金属膜。

根据本发明所提供的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，可防止含有银或银合金的金属膜的蚀刻面短路及不均一的残渣。例如，使用本发明所提供的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，对显示器的反射板等基板中所使用的含有银或银合金的金属膜进行蚀刻的情况下，能够使蚀刻后蚀刻面的形态，即蚀刻轮廓形成为均等的斜坡且为下方比上方更宽的圆滑的锥形，因此能够防止电流集中于电解腐蚀或部分较薄的位置而短路的阶差显影。像这样地，在能够无突起且均一且精密地形成蚀刻面的情况下，还能够减小多层膜之间的阶差从而提高分辨率及色相。

以下，以具体的实施例来更详细地说明本发明。然而，下述实施例仅用于例示本发明，本发明可有多种变形，可以各种实施例来实施，下述实施例不在于限定本发明的范围。

实施例1至15及比较例1至8

按照下述表1所公开的成分含量，混合各成分从而制造实施例1至15及比较例1至8的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物。

【表1】

上述表中使用的省略用语的意思如下。

IDA：亚氨基二乙酸，DA：二乙酸，EDTA：乙二胺四乙酸，DTPA：二亚乙基三胺五乙酸，McA：苹果酸，SA：琥珀酸，TA：酒石酸，LA：乳酸，GA：戊二酸，CA：柠檬酸，MA：丙二酸，Oz：草酸。

在玻璃基板上以厚度与与分别沉积氧化铟锡-银或银合金膜-氧化铟锡这三层膜后，进行光刻工程而形成图案，由此制造试片。上述银合金膜是指银-铜-钯合金膜。以下，上述三层膜试片称为ITO-Ag-ITO。

实验例1：评价蚀刻特性随处理枚数增加的情况

测量蚀刻偏差(CD bias)随银粉添加的情况。上述蚀刻偏差是指，基板上形成的光刻胶图案的尺寸小于掩膜图案尺寸的程度。

为了进行对上述实验例1中的评价，利用上述实施例1至15及比较例1至8所提供的蚀刻液组合物，在可喷射的装置(Mini-etcher ME-001)中，在40℃的条件下进行120秒的蚀刻。

实验例2：对配线发生短路的时间进行评价

测量配线发生短路的时间随蚀刻处理时间的情况。上述评价通过测量蚀刻特性随可喷射的装置(Mini-etcher ME-001)中进行喷射的时间而变化来进行。

为了进行上述实验例2的评价，利用上述实施例1至15及比较例1至8所提供的蚀刻液组合物，在可喷射的装置(Mini-etcher ME-001)中，在40℃的条件下进行12小时的蚀刻。

实验例1与2的结果由表2表示。

【表2】

如上述表2示出的实验例1的结果所示，对于包含本发明所提供的蚀刻液组合物的实施例1至15，在进行ITO-Ag-ITO的蚀刻工程时，银粉添加含量为1000ppm的情况下，蚀刻偏差为0.21μm至0.31μm；含量为5000ppm的情况下，蚀刻偏差为0.25μm至0.37μm。对于比较例1至8，银粉添加含量为1000ppm的情况下，蚀刻偏差为0.24μm至0.61μm；含量为5000ppm的情况下，蚀刻偏差为0.57μm至1.25μm，由此可知，与包含本发明所提供的蚀刻液组合物的实施例1至15相比，其出现了显著的差异。

另外，如上述表2示出的实验例2的结果所示，对于实施例1至15，在进行ITO-Ag-ITO的蚀刻工程时，配线发生短路时所需的时间为9小时以上，而对于比较例1至8，为4小时，存在2倍以上的差异。

实验例3：根据扫描电子显微镜照片对蚀刻特性进行评价

如图1至图10所示，利用实施例1及9与比较例1及3的蚀刻液组合物对ITO-Ag-ITO进行蚀刻工程后，利用扫描电子显微镜(日立公司制造，S-4800)对其蚀刻特性进行观察。

通过观察图1至图10这些扫描电子显微镜照片可知，本发明所提供的实施例1及9的蚀刻液组合物相比于比较例1及3的蚀刻轮廓，其蚀刻表面更良好。另外，根据图5及10可确认，比较例1及3的情况下，随着蚀刻工程的进行，含有银或银合金的金属膜配线会发生短路。

如以上观察，对于除了磷酸、硝酸外，还包含有碳原子数为3以上且碳原子数、羧基的数目及除羧基之外的其他官能团的数目满足一定条件的羧酸化合物的、含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，在使用该蚀刻液组合物的情况下，即使蚀刻处理枚数增加，也能够维持蚀刻偏差从而提高蚀刻精密度。另外，相比仅使用醋酸的情况，本发明所提供的蚀刻液组合物能够增加蚀刻处理时间。因此，根据本发明所提供的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，一批(batch)量的蚀刻液能进行长时间的蚀刻，从而能够单位时间内的处理量。

如上述对本发明内容的特定部分的详细记述，对于本领域普通技术人员而言，这些具体的记述仅仅是优选的实施方式，本发明的范围不限于此。因此，本发明的实际保护范围应由权利要求书及其同等物来定义。

Claims (9)

1.一种含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，包含磷酸、硝酸、蚀刻速度调节剂及水，

上述蚀刻速度调节剂为包含羧基的、碳原子数在3个以上的羧酸化合物，其中，碳原子数x、羧基的数目y及羧基之外的官能团的数目z满足下述关系式：

x为3或4的情况下：y≤x-2且y+z≥2

x为5以上的情况下：y＜x-2且2≤y+z≤5

且在上述关系式中，x及y不可为0，z可为0。

2.根据权利要求1所述的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

羧基之外的官能团是指酮基或羟基。

3.根据权利要求1所述的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

上述蚀刻速度调节剂包含碳原子数为3至30，且羧基的数目为1至10的羧酸化合物。

4.根据权利要求1所述的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

上述蚀刻速度调节剂为具有3个以上的羧基的化合物的情况下，其分子内具有氮原子。

5.根据权利要求1所述的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

碳原子数在3个以上的上述羧酸化合物为直链或支链型化合物。

6.根据权利要求1所述的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

上述蚀刻速度调节剂包含琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、二乙酸、苹果酸、酒石酸、亚氨基二乙酸、乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸中的任意一种以上。

7.根据权利要求1所述的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

上述组合物包含：20至80质量份的磷酸，

1至20质量份的硝酸，以及

0.05至30质量份的蚀刻速度调节剂。

8.根据权利要求7所述的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

上述组合物还包含50质量份以下的醋酸。

9.根据权利要求1所述的含有银或银合金的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

上述含有银或银合金的金属膜为单一或多层膜。