TWI634196B

TWI634196B - 含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物

Info

Publication number: TWI634196B
Application number: TW105121409A
Authority: TW
Inventors: 金世圳; 李明翰
Original assignee: 易安愛富科技有限公司
Priority date: 2015-07-09
Filing date: 2016-07-06
Publication date: 2018-09-01
Also published as: KR102410115B1; CN106337182A; KR20170006776A; CN106337182B; TW201702356A

Abstract

本發明涉及一種含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，根據本發明，以碳原子數在3以上且碳原子數、羧基的數目及除羧基之外的其他官能團的數目滿足一定條件的羧酸化合物，作為蝕刻速度調節劑而包含於蝕刻液組合物中，因此，在對含有銀或銀合金的金屬膜進行蝕刻工程時，能夠提高蝕刻特性，減少蝕刻液的更換及消耗所用的量，還能夠防止不均一的蝕刻造成的不良。

Description

含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物

本發明涉及一種含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，具體涉及一種能夠一種含有蝕刻調節劑的蝕刻液組合物，該蝕刻調節劑能夠提高含有銀或銀合金的金屬膜的蝕刻特性。

顯示器的反射板起到將後面的光線反射到前面以降低光線損失的作用。相比進行了白色塗料處理的反射板及鋁反射板，含有銀的薄膜使後面的光線反射到前面的效率更高，能將照明度提高至接近兩倍。因此，光線損失較少的含有銀或銀合金的金屬膜被使用到反射板中。

另一方面，隨著顯示器裝置的高解析度及大型化進程，對於薄膜電晶體基板的配線，一般使用含有比鋁及銅具有更高導電性的銀的配線。

大韓民國專利公開第2008-0009866號公開了一種用於對反射板或配線所使用的含有銀或銀合金的金屬膜進行蝕刻的蝕刻液組合物，其為一種以磷酸、硝酸及醋酸為主要成分的組合物。然而，上述組合物由於醋酸，其揮發性較強，隨著處理時間的增加，蝕刻特性將會發生變化，其結果是，一部分配線的蝕刻偏差有可能增加。

另一方面，大韓民國專利公開第2014-0087757號公開了一種包含磷酸、硝酸及硫酸的銀或銀合金膜蝕刻液，其中，添加了硫酸以代替醋酸；大韓民國專利公開第2014-0063284號中公開了含有硝酸及硫酸的蝕刻液。然而，在上述這種含有硫酸的情況下，會發生過度蝕刻，不僅一部分配線可能會發生短路，而且，隨著對含有銀或銀合金的金屬膜進行蝕刻處理的枚數增加，還可能會導致蝕刻偏差增加這種不良。

因此，需要改善含有銀或銀合金的膜或配線的蝕刻工程所使用的蝕刻液。

本發明的課題在於提供一種含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，更具體地，在於提供一種減少醋酸的含量的含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物。

為了達成上述課題，本發明提供一種含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，其包含磷酸、硝酸、蝕刻速度調節劑及水。

上述蝕刻速度調節劑為包含羧基的、碳原子數在3個以上的羧酸化合物，其中，碳原子數x、羧基的數目y及羧基之外的官能團的數目z滿足下述關係式：x為3或4的情況下：yx-2且y+z2；x為5以上的情況下：y<x-2且2y+z5；且在上述關係式中，x及y不可為0，z可為0。

另外，上述羧基之外的官能團是指酮基或羥基。

另外，上述蝕刻速度調節劑包含碳原子數為3至30，且羧基的數目為1至10的羧酸化合物。

另外，根據一實現方式，上述蝕刻速度調節劑為具有3個以上的羧基的化合物的情況下，其分子內具有氮原子。

根據另一實現方式，碳原子數在3個以上的上述羧酸化合物為直鏈或支鏈型化合物。

根據另一實現方式，上述蝕刻速度調節劑包含琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、二乙酸、蘋果酸、酒石酸、亞氨基二乙酸、乙二胺四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸中的任意一種以上。

根據另一實現方式，上述組合物包含：20至80質量份的磷酸，1至20質量份的硝酸，以及0.05至30質量份的蝕刻速度調節劑。

另外，根據另一實現方式，上述組合物還包含50質量份以下的醋酸。

上述組合物所蝕刻的含有銀或銀合金的金屬膜可為單一或多層膜。

根據本發明提供的含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，其在對含有銀或銀合金的金屬膜進行蝕刻工程時，能夠降低蝕刻特性隨著處理時間流逝而變化。因此，即使蝕刻處理枚數增加，也能夠維持蝕刻偏差，改善蝕刻不均一的現象。

圖1為用實施例1所提供的蝕刻液組合物進行蝕刻工程時，添加1000ppm的銀粉後，含有銀或銀合金的金屬膜的蝕刻輪廓的掃描電子顯微鏡照片；圖2為用實施例1所提供的蝕刻液組合物進行蝕刻工程時，添加5000ppm的銀粉後，含有銀或銀合金的金屬膜的蝕刻輪廓的掃描電子顯微鏡照片；圖3為用比較例1所提供的蝕刻液組合物進行蝕刻工程時，添加1000ppm的銀粉後，含有銀或銀合金的金屬膜的蝕刻輪廓的掃描電子顯微鏡照片；圖4為用比較例1所提供的蝕刻液組合物進行蝕刻工程時，添加5000ppm的銀粉後，含有銀或銀合金的金屬膜的蝕刻輪廓的掃描電子顯微鏡照片；圖5為用比較例1所提供的蝕刻液組合物進行蝕刻工程時，對含有銀或銀合金的金屬膜的配線短路進行示出的掃描電子顯微鏡照片；圖6為用實施例9所提供的蝕刻液組合物進行蝕刻工程時，添加1000ppm的銀粉後，含有銀或銀合金的金屬膜的蝕刻輪廓的掃描電子顯微鏡照片；圖7為用實施例9所提供的蝕刻液組合物進行蝕刻工程時，添加5000ppm的銀粉後，含有銀或銀合金的金屬膜的蝕刻輪廓的掃描電子顯微鏡照片；圖8為用比較例3所提供的蝕刻液組合物進行蝕刻工程時，添加1000ppm的銀粉後，含有銀或銀合金的金屬膜的蝕刻輪廓的掃描電子顯微鏡照片；圖9為用比較例3所提供的蝕刻液組合物進行蝕刻工程時，添加5000ppm的銀粉後，含有銀或銀合金的金屬膜的蝕刻輪廓的掃描電子顯微鏡照片；圖10為用比較例3所提供的蝕刻液組合物進行蝕刻工程時，對含有銀或銀合金的金屬膜的配線短路進行示出的掃描電子顯微鏡照片。

以下用於對本發明進行詳細說明。本說明書及申請專利範圍中所使用的術語或詞語不應解釋為通常的含義或字典中的含義，應解釋為，發明人為了以最合適的方法說明其發明，基於調整而定義術語的概念這一原則而符合本發明的技術思想的含義與概念。

本發明所提供的含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物包含：磷酸、硝酸、蝕刻速度調節劑及水。

上述蝕刻速度調節劑為包含羧基的、碳原子數在3個以上的羧酸化合物，其中，碳原子數(x)、羧基的數目(y)及羧基之外的官能團的數目(z)滿足下述關係式：x為3或4的情況下：yx-2且y+z2；x為5以上的情況下：y<x-2且2y+z5；但是，上述關係式中x及y不可為0，z可為0。

根據一實現方式，上述羧基之外的官能團可指酮基或羥基。

上述含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物中，上述蝕刻速度調節劑可從碳原子數為3個以上，且含有1個以上的羧基的有機酸中選擇。上述有機酸的羧基在蝕刻工程中能夠起到使金屬離子螯合化而溶於蝕刻溶液內以達到穩定化的作用，因此，能夠起到防止金屬離子被基板還原而重新附著於基板上的作用。

含有上述羧基的有機酸被稱為羧酸化合物，羧酸化合物中包含1個羧基的化合物舉例而言可為丙酸(Propionic acid)、己酸(caproic acid)、辛酸(caprylic acid)、苯乙酸(phenylacetic acid)、苯甲酸(benzoic acid)、苯單羧酸(benzene monocarboxylic acid)、硝基苯甲酸(nitro benzoic acid)、羥基苯甲酸(hydroxybenzoic acid)、羥基苯(hydroxybenzene)、氨基苯甲酸(amino benzoic acid)、二乙酸(diacetic acid)、乳酸(lactic acid)、丙酮酸(pyruvic acid)等。

另外，上述羧酸化合物中包含2個羧基的化合物舉例而言可為琥珀酸(Succinic acid)、戊二酸(glutaric acid)、苯二甲酸(phthalic acid)、己二酸(adipic acid)、庚二酸(pimelic acid)、辛二酸(suberic acid)、二乙酸(diacetic acid)、亞氨基二乙酸(iminodiacetic acid)、蘋果酸(malic acid)、酒石酸(tartaric acid)等。

另外，上述羧酸化合物中包含3個以上的羧基的情況下，優選的是，分子內具有氮原子。羧基為3個以上的情況下，若分子內不包含氮原子，則在相比於與具有2個羧基的分子時，與金屬的結合力類似而分子的尺寸較大，因此與金屬的結合並不順利。

包含4個羧基的化合物舉例而言可為乙二胺四乙酸(Ethylene diamine tetraacetic acid)，包含5個羧基的化合物舉例而言可為二亞乙基三胺五乙酸(Diethylene triamine pentaacetic acid)等。

根據本發明人的研究，上述列舉的碳原子為3以上的多個羧酸化合物中，優選的是，碳原子數(x)、羧基的數目(y)以及除羧基之外的官能團的數目(z)滿足下述關係式：x為3或4的情況下：yx-2且y+z2；x為5以上的情況下：y<x-2且2y+z5；但是，上述關係式中x及y不可為0，z可為0。

上述羧酸化合物隨著碳原子數增加，鏈的長度會變長，因此會變得難以溶解於水，這是因為隨著羧基、羥基或酮基之類的官能團的數目增加，黏性會變高。

根據本發明人的研究，具有2個羧基而碳原子數不為3的草酸(碳原子數為2)存在與金屬結合會產生沉澱物的問題。

對於上述碳原子數及羧基的數目，具體而言，碳原子數可從3至30的範圍中選擇，而羧基的數目可從1至10的範圍中選擇。例如，可從碳原子數為3至15，且羧基的數目為1至5的範圍中選擇，以滿足上述關係式，所選擇的能夠在含有銀或銀合金的金屬膜的蝕刻工程中起到較優的效果。

碳原子數為3而羧基的數目為2的丙二酸的情況下，並不能滿足上述關係式(yx-2)，會產生在較低的pH中被分解的問題。

另外，碳原子數為5而具有3個羧基的檸檬酸(Citric acid)的情況下，不僅不滿足上述關係式(y<x-2)，而且，因分子內不具有氮原子，會存在與金屬的結合並不順利的問題。

上述蝕刻速度調節劑所包含的羧酸化合物可為直鏈或支鏈型化合物，除羧酸外還可包含氮原子含有基團。尤其是，在為包含有3個以上的羧基的化合物的情況下，優選的是分子內具有氮原子。例如可為氨基多羧酸(Amino polycarboxylic acid)。

根據優選的實現方式，可包含琥珀酸(Succinic acid)、戊二酸(glutaric acid)、己二酸(adipic acid)、庚二酸(pimelic acid)、辛二酸(suberic acid)、二乙酸(diacetic acid)、亞氨基二乙酸(iminodiacetic acid)、蘋果酸(malic acid)、酒石酸(tartaric acid)、乙二胺四乙酸(ethylenediamine tetraacetic acid)、二亞乙基三胺五乙酸(diethylenetriamine pentaacetic acid)中的一種以上。

根據一實現方式，以組合物總質量是100質量份為基準，可包含有20至80質量份的磷酸，1至20質量份的硝酸，0.05至30質量份的包含碳原子數為3以上的羧酸化合物的蝕刻速度調節劑，以及餘量的去離子水。

上述羧酸化合物的添加含量不足的情況下，可能因過度蝕刻導致配線發生短路；含量過量的情況下，會妨害金屬膜的氧化作用，可能會損害蝕刻均一性。因此，以含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物的總質量是100質量份為基準，上述蝕刻速度調節劑的含量可為0.05至30質量份，例如，添加0.1至10質量份可起到蝕刻含有銀或銀合金的金屬膜的作用。

本發明所涉及的含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物包含有磷酸，上述磷酸的使用含量以含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物的總質量是100質量份為基準，可添加20至80質量份的量，例如可添加40至70質量份的含量。

對於上述磷酸的使用，磷酸離子溶解於蝕刻液組合物中，會離解出氫元素，自身變得帶負電荷。如上所述，帶負電荷的磷酸離子與被氧化的銀離子結合而進行螯合化反應，由此形成穩定的絡合物，因此，銀相對於水的溶解性得以增加，從而起到銀離子穩定劑的作用，由此，能夠防止含有銀或銀合金的膜或配線的蝕刻工程中可能發生的、銀離子重新附著於基板上而留下殘影的現象。

另外，上述磷酸在含有銀或銀合金的膜或配線的蝕刻工程中，可調節pH範圍，由此蝕刻速度變得活潑，得以防止含有銀或銀合金的金屬膜形成殘渣，從而起到調節含有銀或銀合金的金屬膜的蝕刻面積並控制蝕刻工程的作用。

含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物含有硝酸，而硝酸作為輔助氧化劑使用，起到氧化含有銀或銀合金的金屬膜而進行蝕刻的作用。以含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物的總質量是100質量份為基準，上述硝酸的含量可包含1至20質量份，例如，可使用2至10質量份，其可起到蝕刻上述含有銀或銀合金的金屬膜的作用。上述硝酸在蝕刻液中離解出來的硝酸離子以較快的速度還原含有銀或銀合金的金屬膜表面的電子，因此，根據在上述範圍內的含量調節，能夠調節蝕刻速度而使蝕刻均一性提高，能夠控制光刻膠下面的基材部分被蝕刻這種底切(Undercut)現象。底切現象較大的情況下，含有銀或銀合金的金屬膜的一部分會損失，使用於反射板或薄膜電晶體基板等中時有可能無法發揮作用。

根據一實現方式，上述含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物還可包含醋酸，可起到調節由主氧化劑所啟動的蝕刻反應的作用，可通過控制側蝕量來控制蝕刻輪廓。以上述蝕刻液組合物的總質量是100質量份為基準，可添加50質量份以下的上述醋酸，例如可添加1至50質量份或5至30質量份，其起到控制含有銀或銀合金的金屬膜蝕刻的作用。

對於本發明的蝕刻液組合物所包含的水沒有特別限定，可使用去離子水。例如，可使用水的阻抗值，即水中離子被除去的程度在18MΩ/cm以上的去離子水。

本發明的含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物還可附加包含腐蝕抑制劑及表面活性劑等添加劑。

本發明的蝕刻液組合物所包含的腐蝕抑制劑是為了銀的蝕刻量調節及蝕刻率控制而使用的成分，可使用無機緩蝕劑、有機緩蝕劑或揮發性緩蝕劑等，但不僅限於此。

上述腐蝕抑制劑的相對於蝕刻液總質量可為0.01至10質量份。例如可添加0.01至3質量份。

根據一實現方式，上述含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物還可包含表面活性劑。上述表面活性劑是為了提高作用表面的濕潤性(wetting property)，使上述蝕刻液能夠均等地進行作用，改善添加劑的泡沫特性及提高相對其他有機添加劑的溶解性而附加添加的。

上述表面活性劑可從由非離子性表面活性劑、陰離子性表面活性劑、陽離子性表面活性劑及兩性表面活性劑組成的群中選擇一種以上來使用。

上述非離子性表面活性劑在水溶液狀態下不會產生離子，基於該理由，其可與其他類型的表面活性劑混合添加而使用。非離子性表面活性劑舉例而言可包含乙氧基化的直鏈醇(ethoxylated linear alcohol)、乙氧基化的烷基酚(ethoxylated alkylphenol)、脂肪酸酯(fatty acid ester)、胺與醯胺衍生物(amine and amide derivative)、烷基聚糖苷(alkyl poly glycoside)、環氧乙烷-環氧丙烷共聚物(ethylene oxide-propylene oxide copolymer)、聚醇和乙氧基化的多元醇(poly alcohol and ethoxylated polyalcohol)、硫醇和硫醇衍生物(thiol and mercaptan derivative)等。

上述陰離子性表面活性劑可包含硫酸鹽、磺酸鹽、有機磷酸系列、肌氨酸(sarcoside)、烷基氨基酸、月桂肌氨酸(lauryl sarcoside)等，例如，包含烷基酯硫酸鹽(alkyl ester sulfate)、烷基乙氧基醚硫酸鹽(alkyl ethoxy ether sulfate)、十二烷基苯磺酸鹽(dodecylbenzene sulfonate)、烷基苯磺酸鹽(alkyl benzene sulfonate)、α-烯烴磺酸鹽(alpha-olefin sulfonate)、二十四磺酸鹽(lignoceric sulfonate)、鋶羧基化合物(sulfonium-carboxyl compound)等。

上述陽離子性表面活性劑能夠吸附於帶負電的基質，因此，能夠起到防止靜電及柔軟劑的作用。還能起到作為固態粒子的分散劑、浮動集塵劑、疏水劑、腐蝕抑制劑的作用。陽離子性表面活性劑舉例而言可包括脂肪酸胺、烷基季銨(quaternary alkyl ammonium)、直鏈二胺(linear diamine)、n-氯化十二烷基吡啶(n-dodecyl pyridinium chloride)、咪唑與嗎啉化合物(imidazole and morpholine)。

上述兩性表面活性劑在同一分子中具有陰離子性與陽離子性的解離，具有一定的等電點，例如可包含兩性羧酸鹽(amphoteric carboxylate)、烷基甜菜堿(alkyl betaine)、醯胺烷基甜菜堿(amido alkyl betaine)、醯胺烷基磺基甜菜堿(amido alkyl sultaine)、兩性磷酸鹽(amphoteric phosphate)、磷酸酯甜菜堿(phosphobetaine)、焦磷酸酯甜菜堿(pyrophosphobetaine)、羧基烷基胺(carboxy alkyl polyamine)。

上述表面活性劑舉例而言可使用乙炔二醇(Acetylene diol)、烷基胺(alkylamine)、烷基羧酸(alkyl carboxylic acid)與普蘭尼克(pluoronic)系列聚合物中的一種以上。上述普蘭尼克系列聚合物舉例而言可包括環氧乙烷與環氧丙烷的嵌段共聚物等。

上述含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物所能包含的表面活性劑為本領域中通常使用的，並不限定於上述記載的表面活性劑。

在上述表面活性劑的含量不合適的情況下，其提高上述蝕刻液的濕潤性，改善添加劑的泡沫特性及提高其他有機添加劑的溶解性的效果不優，或者因溶解度的問題導致可能出現表面活性劑析出的問題。因此，以上述含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物總共為100質量份，可添加0.0005至5質量份的表面活性劑，舉例而言，可添加非離子性表面活性劑、兩性表面活性劑或它們的混合物共0.001至2質量份。

在配合如上所述的添加劑的情況下，其配合量可根據各添加劑的使用目的等調節而選擇，然而，從不損害本發明效果的觀點來看，優選的是，以本發明的蝕刻液組合物是100質量份為基準，全部添加劑的含量共占10質量份以下的範圍。

上述含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物可用於以單一膜或多層膜的形式構成的含有銀或銀合金的金屬膜及含有銀或銀合金的金屬配線而進行蝕刻工程。舉例而言，上述銀或銀合金膜所包含的多層膜可使用銀-鋁、氧化銦-銀與銀-鋁-鉬、氧化銦錫-銀-氧化銦錫等。另外上述含有銀或銀合金的金屬膜的形態是，以銀為主要成分，還包含釹、銅、鉛、鈮、鎳、鉬、鉻、錳、鎢、鈦、鈀等其他金屬的合金形態，或者，銀的氮化物、矽化物、碳化物、氧化物形態等多種形態。

根據一實現方式，上述含有銀或銀合金的金屬膜可為單一或多層膜，另外，其可用作顯示幕用的反射板或TFT金屬配線等而使用的含有銀或銀合金的金屬膜。

根據本發明所提供的含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，可防止含有銀或銀合金的金屬膜的蝕刻面短路及不均一的殘渣。例如，使用本發明所提供的含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，對顯示器的反射板等基板中所使用的含有銀或銀合金的金屬膜進行蝕刻的情況下，能夠使蝕刻後蝕刻面的形態，即蝕刻輪廓形成為均等的斜坡且為下方比上方更寬的圓滑的錐形，因此能夠防止電流集中於電解腐蝕或部分較薄的位置而短路的階差顯影。像這樣地，在能夠無突起且均一且精密地形成蝕刻面的情況下，還能夠減小多層膜之間的階差從而提高解析度及色相。

以下，以具體的實施例來更詳細地說明本發明。然而，下述實施例僅用於例示本發明，本發明可有多種變形，可以各種實施例來實施，下述實施例不在於限定本發明的範圍。

實施例1至15及比較例1至8

按照下述表1所公開的成分含量，混合各成分從而製造實施例1至15及比較例1至8的含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物。

上述表中使用的省略用語的意思如下：IDA：亞氨基二乙酸，DA：二乙酸，EDTA：乙二胺四乙酸，DTPA：二亞乙基三胺五乙酸，McA：蘋果酸，SA：琥珀酸，TA：酒石酸，LA：乳酸，GA：戊二酸，CA：檸檬酸，MA：丙二酸，Oz：草酸。

在玻璃基板上以厚度70Å與1000Å與70Å，分別沉積氧化銦錫-銀或銀合金膜-氧化銦錫這三層膜後，進行光刻工程而形成圖案，由此製造試片。上述銀合金膜是指銀-銅-鈀合金膜。以下，上述三層膜試片稱為ITO-Ag-ITO。

實驗例1：評價蝕刻特性隨處理枚數增加的情況

測量蝕刻偏差(CD bias)隨銀粉添加的情況。上述蝕刻偏差是指，基板上形成的光刻膠圖案的尺寸小於掩膜圖案尺寸的程度。

為了進行對上述實驗例1中的評價，利用上述實施例1至15及比較例1至8所提供的蝕刻液組合物，在可噴射的裝置(Mini-etcher ME-001)中，在40℃的條件下進行120秒的蝕刻。

實驗例2：對配線發生短路的時間進行評價

測量配線發生短路的時間隨蝕刻處理時間的情況。上述評價通過測量蝕刻特性隨可噴射的裝置(Mini-etcher ME-001)中進行噴射的時間而變化來進行。

為了進行上述實驗例2的評價，利用上述實施例1至15及比較例1至8所提供的蝕刻液組合物，在可噴射的裝置(Mini-etcher ME-001)中，在40℃的條件下進行12小時的蝕刻。

實驗例1與2的結果由表2表示。

如上述表2示出的實驗例1的結果所示，對於包含本發明所提供的蝕刻液組合物的實施例1至15，在進行ITO-Ag-ITO的蝕刻工程時，銀粉添加含量為1000ppm的情況下，蝕刻偏差為0.21μm至0.31μm；含量為5000ppm的情況下，蝕刻偏差為0.25μm至0.37μm。對於比較例1至8，銀粉添加含量為1000ppm的情況下，蝕刻偏差為0.24μm至0.61μm；含量為5000ppm的情況下，蝕刻偏差為0.57μm至1.25μm，由此可知，與包含本發明所提供的蝕刻液組合物的實施例1至15相比，其出現了顯著的差異。

另外，如上述表2示出的實驗例2的結果所示，對於實施例1至15，在進行ITO-Ag-ITO的蝕刻工程時，配線發生短路時所需的時間為9 小時以上，而對於比較例1至8，為4小時，存在2倍以上的差異。

實驗例3：根據掃描電子顯微鏡照片對蝕刻特性進行評價

如圖1至圖10所示，利用實施例1及9與比較例1及3的蝕刻液組合物對ITO-Ag-ITO進行蝕刻工程後，利用掃描電子顯微鏡(日立公司製造，S-4800)對其蝕刻特性進行觀察。

通過觀察圖1至圖10這些掃描電子顯微鏡照片可知，本發明所提供的實施例1及9的蝕刻液組合物相比於比較例1及3的蝕刻輪廓，其蝕刻表面更良好。另外，根據圖5及10可確認，比較例1及3的情況下，隨著蝕刻工程的進行，含有銀或銀合金的金屬膜配線會發生短路。

如以上觀察，對於除了磷酸、硝酸外，還包含有碳原子數為3以上且碳原子數、羧基的數目及除羧基之外的其他官能團的數目滿足一定條件的羧酸化合物的、含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，在使用該蝕刻液組合物的情況下，即使蝕刻處理枚數增加，也能夠維持蝕刻偏差從而提高蝕刻精密度。另外，相比僅使用醋酸的情況，本發明所提供的蝕刻液組合物能夠增加蝕刻處理時間。因此，根據本發明所提供的含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，一批(batch)量的蝕刻液能進行長時間的蝕刻，從而能夠單位時間內的處理量。

如上述對本發明內容的特定部分的詳細記述，對於本領域普通技術人員而言，這些具體的記述僅僅是優選的實施方式，本發明的範圍不限於此。因此，本發明的實際保護範圍應由申請專利範圍及其同等物來定義。

Claims

一種含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，其特徵在於，包含磷酸、硝酸、蝕刻速度調節劑及水，上述蝕刻速度調節劑為包含羧基的、碳原子數在3個以上的羧酸化合物，其中，碳原子數x、羧基的數目y及羧基之外的官能團的數目z滿足下述關係式：x為3或4的情況下：yx-2且y+z2；x為5以上的情況下：y<x-2且2y+z5；且在上述關係式中，x及y不可為0，z可為0；上述蝕刻速度調節劑包含琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、二乙酸、蘋果酸、酒石酸、亞氨基二乙酸、乙二胺四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸中的任意一種以上；且所述蝕刻液組合物不包括亞硝酸鐵(II)或硝酸鐵(III)。
如申請專利範圍第1項所述之含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，其中羧基之外的官能團是指酮基或羥基。
如申請專利範圍第1項所述之含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，其中上述蝕刻速度調節劑包含碳原子數為3至30，且羧基的數目為1至10的羧酸化合物。
如申請專利範圍第1項所述之含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，其中上述蝕刻速度調節劑為具有3個以上的羧基的化合物的情況下，其分子內具有氮原子。
如申請專利範圍第1項所述之含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，其中碳原子數在3個以上的上述羧酸化合物為直鏈或支鏈型化合物。
如申請專利範圍第1項所述之含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，其中上述組合物包含：20至80質量份的磷酸，1至20質量份的硝酸，以及0.05至30質量份的蝕刻速度調節劑。
如申請專利範圍第7項所述之含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，其中上述組合物還包含50質量份以下的醋酸。
如申請專利範圍第1項所述之含有銀或銀合金的金屬膜之蝕刻液組合物，其中上述含有銀或銀合金的金屬膜為單一或多層膜。