TW201638394A - 用於蝕刻含銀薄層的蝕刻劑組合物和用其製造顯示裝置的陣列基板的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了用於蝕刻含銀薄層的蝕刻劑組合物和用其製造液晶顯示器的陣列基板的方法，所述蝕刻劑組合物包含硝酸鐵、無機酸、乙酸和/或乙酸鹽、腐蝕抑制劑、螯合劑、乙醇酸和水。

Description

用於蝕刻含銀薄層的蝕刻劑組合物和用其製造顯示裝置的陣列基板的方法 發明領域
本發明涉及用於蝕刻含銀(Ag)薄層的蝕刻劑組合物和利用它製造顯示裝置的陣列基板的方法。
發明背景
隨著資訊時代的全面來臨，處理和顯示大量資訊的顯示器領域正在迅速進步。因此，各種各樣的平板顯示器已經開發並受到關注。
所述平板顯示器的例子包括液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示板(PDP)、場致發射顯示器(FED)和有機發光二極體(OLED)。隨著薄膜電晶體-液晶顯示器的螢幕尺寸增大，與薄膜電晶體連接的閘極線和數據線也加長，從而增加了線路電阻。為此原因，在閘極線和數據線中常規使用鉻(Cr)、鉬(Mo)、鋁(Al)及其合金使得難以實現具有大尺寸和高解析度的平板顯示器。
為了解決由於電阻增加所致的信號延遲問題，所 述閘極線和數據線需要由具有盡可能低的電阻率的材料形成。因為銀與其他金屬相比具有低電阻率(約1.59μΩcm)以及高亮度和導電性，已經做出很多嘗試來向彩色濾光片電極、線路和反射板施加銀層、銀合金層、或包括銀層或銀合金層的多層，以便實現具有大尺寸、高解析度和低電耗的平板顯示器。另外，還需要適合用於這樣的材料的蝕刻劑。
在沉積含銀薄層並然後利用常規蝕刻劑形成圖案的情況下，蝕刻差，不理想地產生殘留物或引起再吸附。此外，因為所述蝕刻劑的高黏度，所以難以蝕刻塗有外塗層材料的銀奈米導線，從而不理想地增加了加工時間。相比之下，銀可能被過度或不均勻蝕刻，不理想地引起線路的掀起或剝離以及所述線路的側剖面差。
韓國專利申請公佈No.10-2008-0110259公開了蝕刻劑組合物，其中包含磷酸、硝酸、乙酸和水的用於蝕刻銀的常規蝕刻劑添加了磷酸二氫鈉(NaH2PO)作為添加劑。然而，在蝕刻塗有保護性外塗層材料的銀奈米導線的情況下，所述蝕刻劑也許不能迅速滲入在所述外塗層材料之下的銀奈米導線，並且可以降低所述外塗層材料的蝕刻速率，不理想地導致蝕刻效率低下。
韓國專利No.10-1323458公開了包含磷酸、硝酸、乙酸和磷酸二氫鈉的蝕刻劑組合物。然而，這種蝕刻劑組合物具有高黏度並因而使其難以蝕刻奈米尺度孔中的金屬。因此，需要開發能夠解決上述問題的新蝕刻劑。
[引用文獻]
[專利文獻]
韓國專利申請公佈No.10-2008-0110259
韓國專利No.10-1323458
發明概要
因此，本發明著眼於相關領域中遇到的問題而做出，本發明的目的是提供蝕刻劑組合物，其中當蝕刻銀(Ag)或銀合金單層或者包括所述單層和氧化銦層的多層時，既不出現殘留物也不出現再吸附，並且可以產生低側蝕和均勻的蝕刻特性。
本發明的另一個目的是提供利用上述蝕刻劑組合物製造顯示裝置的陣列基板的方法。
本發明提供了用於蝕刻含銀薄層的蝕刻劑組合物，其包含：基於所述組合物的總重量，(A)1-20wt%的硝酸鐵；(B)2-8wt%的選自硝酸、硫酸和鹽酸的至少一種酸；(C)5-15wt%的選自乙酸和乙酸鹽的至少一種化合物；(D)0.1-5wt%的腐蝕抑制劑；(E)0.1-5wt%的螯合劑；(F)0.1-2wt%的乙醇酸；和(G)餘量的水。
此外，本發明提供了製造顯示裝置的陣列基板的方法，所述方法包括：a)在基板上形成閘極線；b)在所述包括閘極線的基板上形成閘極絕緣層；c)在所述閘極絕緣層上形成半導體層；d)在所述半導體層上形成源極電極和汲極電極；和e)形成與所述汲極電極連接的反射層或像素電 極，其中a)、d)和e)的至少一個包含利用上述蝕刻劑組合物進行蝕刻，從而形成所述閘極線、源極電極和汲極電極、或者所述反射層或像素電極。
此外，本發明提供了通過利用上述蝕刻劑組合物蝕刻而形成的線路。
根據本發明，所述用於蝕刻含銀(Ag)薄層的蝕刻劑組合物包含硝酸鐵、無機酸、乙酸和/或乙酸鹽、腐蝕抑制劑、螯合劑、乙醇酸和水。因此，在蝕刻所述含銀薄層時，可防止出現殘留物和再吸附，並且得益於所述蝕刻劑組合物的低黏度，可蝕刻奈米尺度的金屬。
還有，根據本發明，可提供利用所述蝕刻劑組合物製造顯示裝置的陣列基板的方法。
本發明的上述和其他目標、特徵和優點將從以下結合附圖的詳細說明中更清楚地瞭解，所述附圖中：圖1是掃描電子顯微鏡(SEM)圖像，示出了相當於光致抗蝕劑臨界尺寸(PR CD)的寬度；圖2是SEM圖像，示出了相當於圖案CD的寬度；圖3是SEM圖像，示出了利用所述蝕刻劑蝕刻後存在和不存在銀(Ag)殘留物；以及圖4是SEM圖像，示出了利用所述蝕刻劑蝕刻後存在和不存在再吸附的銀(Ag)。
較佳實施例之詳細說明
本發明人研究了蝕刻劑組合物，其使得易於控制含銀薄層的蝕刻，從而展現出沒有過蝕刻的優異的蝕刻特性，而且還得益於所述蝕刻劑的低黏度而便於蝕刻銀奈米導線同時防止出現金屬殘留物和再吸附，並由此製備了所述蝕刻劑組合物，其包含硝酸鐵；選自硝酸、硫酸和鹽酸的至少一種酸；乙酸和/或乙酸鹽；腐蝕抑制劑；螯合劑；乙醇酸；和水，從而完成了本發明。
本發明解決了用於蝕刻含銀薄層的蝕刻劑組合物，其包含：基於所述組合物的總重量，(A)1-20wt%的硝酸鐵；(B)2-8wt%的選自硝酸、硫酸和鹽酸的至少一種酸；(C)5-15wt%的選自乙酸和乙酸鹽的至少一種化合物；(D)0.1-5wt%的腐蝕抑制劑；(E)0.1-5wt%的螯合劑；(F)0.1-2wt%的乙醇酸；和(G)餘量的水。
在本文中使用時，所述含銀薄層是單層，或包括兩個或更多個包含銀(Ag)的層的多層。所述含銀薄層的例子可以包括但不限於，銀(Ag)或銀合金的單層，或包含所述單層和氧化銦層的多層。
下面是本發明用於蝕刻含薄層的蝕刻劑組合物的各個組分的說明。然而，本發明不限於這些組分。
(A)硝酸鐵
在本發明的用於蝕刻含銀薄層的蝕刻劑組合物中，硝酸鐵通過氧化和分解對包含銀的含銀金屬起到主要蝕刻劑的作用。硝酸鐵的具體例子可以包括選自硝酸亞鐵(Fe(NO3)2．6H2O)和硝酸鐵(Fe(NO3)3．6H2O)的至少一種。
相關領域公開了除硝酸鐵之外還包含氯化鐵、硫酸鐵或磷酸鐵的蝕刻劑組合物。然而，當所述包含氯化鐵或硫酸鐵的蝕刻劑組合物用於蝕刻銀或銀合金線路時，可以產生頑固的沉積物例如氯化銀(AgCl)或硫化銀(AgS)，不理想地引起例如加工期間管道封閉、由於沉積物對線路的影響所致的短路等問題。此外，溶解度很低的磷酸鐵難以用作所述蝕刻劑組合物的成分。
基於本發明蝕刻劑組合物的總重量，硝酸鐵(A)的使用量為1-20wt%，並優選5-10wt%。如果所述硝酸鐵的量小於1wt%，可能降低所述含銀金屬的蝕刻速率，蝕刻可能進行不完全，並且可能產生殘留物。在產生殘留物的情況下，電可以流向不希望的位置，不理想地引起電擊。另一方面，如果其量超過20wt%，可能過度增加所述含銀層的蝕刻速率，從而使線路短路或減少線路寬度，從而使得不可能展現電極功能性。
(B)選自硝酸、硫酸和鹽酸的至少一種酸
在本發明的用於蝕刻含銀薄層的蝕刻劑組合物中，選自硝酸、硫酸和鹽酸的至少一種酸起到蝕刻氧化銦層(I-X-O)例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)或氧化銦鎵鋅(IGZO)的作用，並通過與硝酸鐵(A)一起氧化，用作幫助蝕刻所述含銀薄層的輔助蝕刻劑。
在此，本發明的蝕刻劑組合物優選不含磷酸。雖然用於蝕刻含銀金屬的常規蝕刻劑組合物包含磷酸、硝酸和其他添加劑，但它不適合於蝕刻奈米尺度的線路例如銀 奈米線(AgNW)。這被認為是由於磷酸的高黏度之故。在包含磷酸作為主要蝕刻組分的情況下，所述蝕刻劑組合物具有10cP或更高(在室溫下，亦即25℃)的高黏度。因此，所述用於含銀金屬的蝕刻劑組合物不易用於蝕刻精細AgNW，不理想地引起缺陷。還有，在包含磷酸的情況下，需要40℃或更高的加工溫度，從而可能不理想地發生對下部柔性層的損害。
然而，本發明的蝕刻劑組合物具有1.5或更低的低黏度(在25℃下)，並可以在等於或低於30℃的溫度下使用，從而對用於利用AgNW製造柔性基板是有利的。
基於本發明的蝕刻劑組合物的總重量，選自硝酸、硫酸和鹽酸的至少一種酸的使用量為2-8wt%，並優選5-8wt%。如果所述選自硝酸、硫酸和鹽酸的至少一種酸的量小於2wt%，可以降低所述銀、銀合金或氧化銦的蝕刻速率。因為這種現象根據基板中的位置引起侵蝕速度的差異，可以發生含銀薄層的非均勻蝕刻，從而不理想地引起斑點。另一方面，如果其量超過8wt%，所述光致抗蝕劑可以破裂，由此化學品可以滲透並可以發生蝕刻不希望的位置，不理想地使氧化銦層和銀或銀合金層短路。此外，所述含銀金屬可能由於過蝕刻而損失，從而可以損失金屬線路的功能性。
(C)選自乙酸和乙酸鹽的至少一種化合物
在本發明的用於蝕刻含銀薄層的蝕刻劑組合物中，乙酸和/或乙酸鹽起到調節所述含銀薄層的蝕刻速率的 作用，從而控制蝕刻外形的均勻性。
乙酸鹽沒有特別的限制，但其具體例子可以包括乙酸鉀、乙酸鈉和乙酸銨。
基於本發明的蝕刻劑組合物的總重量，所述乙酸和/或乙酸鹽的使用量為5-15wt%，並優選5-10wt%。如果所述乙酸和/或乙酸鹽的量小於5wt%，對所述含銀薄層的蝕刻速率的貢獻不顯著，並且不能根據需要表現出添加它的效應。另一方面，如果其量超過15wt%，所述含銀薄層的蝕刻速率可能變得太緩慢，由此可以不理想地產生金屬殘留物。
(D)腐蝕抑制劑
在本發明的用於蝕刻含銀薄層的蝕刻劑組合物中，所述腐蝕抑制劑(D)起到防止所述含銀薄層過蝕刻的作用。所述腐蝕抑制劑優選是環胺化合物。所述環胺化合物的優選例子包括吡咯類化合物、吡唑類化合物、咪唑類化合物、三唑類化合物、四唑類化合物、五唑類化合物、噁唑類化合物、異噁唑類化合物、噻唑類化合物、和異噻唑類化合物，在其中可以選擇至少一種。優選地，所述三唑類化合物以苯並三唑為例，所述四唑類化合物包括選自5-胺基四唑、3-胺基四唑和5-甲基四唑的至少一種。
基於本發明的蝕刻劑組合物的總重量，腐蝕抑制劑(D)的使用量為0.1-5wt%，並優選0.5-3wt%。如果所述腐蝕抑制劑的量小於0.1wt%，在蝕刻所述含銀薄層的過程中可以發生過蝕刻，不理想地引起缺陷例如線路短路。另 一方面，如果其量超過5wt%，含銀薄層沒有被完全蝕刻而是可能殘留，不理想地引起電短路。
(E)螯合劑
在本發明的用於蝕刻含銀薄層的蝕刻劑組合物中，所述螯合劑(E)起到防止所述銀(Ag)的再吸附的作用。銀(Ag)是具有很高還原性的金屬，因而容易還原成它的離子態並可能沉積。由於銀(Ag)的化學性質，其容易再吸附，所述含銀金屬可以吸附在不希望的位置，不理想地引起缺陷。所述螯合劑負責防止所述含銀金屬通過化學鍵合吸附到不特定的位置，從而防止缺陷。
所述螯合劑的具體例子可以包括選自次氮基三乙酸(NTA)、亞胺基二乙酸(IDA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、乙二醇四乙酸(EGTA)、1,2-雙(鄰胺基苯氧基)乙烷-N,N,N',N'-四乙酸(BAPTA)、1,4,7,10-四氮雜環十二烷四乙酸(DOTA)、N-羥乙基-乙二胺三乙酸(HEDTA)和二伸乙基四胺五乙酸(DTPA)的至少一種，但本發明不限於此。
基於本發明的蝕刻劑組合物的總重量，螯合劑(E)的使用量為0.1-5wt%，並優選0.5-3wt%。如果所述螯合劑的量小於0.1wt%，不能有效防止所述含銀金屬的再吸附。另一方面，如果其量超過5wt%，可以發生在所述含銀金屬的蝕刻表面上的吸附，從而顯著降低蝕刻速率，並在一些位置不發生蝕刻。
(F)乙醇酸
在本發明的用於蝕刻含銀薄層的蝕刻劑組合物 中，乙醇酸(F)起到當水溶液中存在硝酸鐵時抑制發生變褐現象的作用。
基於本發明的蝕刻劑組合物的總重量，乙醇酸(F)的使用量為0.1-2wt%，並優選0.5-1.5wt%。如果所述乙醇酸的量超過2wt%，有由於與所述無機酸反應引起爆炸的風險。
(G)水
在本發明的用於蝕刻含銀薄層的蝕刻劑組合物中，水(G)沒有特別的限制，但優選包括去離子水，其適合於半導體加工並具有18MΩ/cm或更高的電阻率。
使用的水量要使得所述蝕刻劑組合物的總重量是100wt%。
除上述組分之外，本發明的蝕刻劑組合物還可包含選自蝕刻控制劑、表面活性劑、掩蔽劑、pH控制劑和其他添加劑的至少一種添加劑。所述添加劑可以選自本領域中通常使用的那些，以便在本發明範圍內進一步增強本發明的效果。
本發明的蝕刻劑組合物的組分可以是適合於半導體加工的純度。
向其應用本發明的蝕刻劑組合物的所述含銀(Ag)薄層在其中包含銀，並可以包括銀(Ag)或銀合金的單層或者包括所述單層和氧化銦層的多層，但本發明不限於此。
所述銀合金，沒有特別的限制，主要由銀構成並包含選自鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、錳(Mn)、鉻(Cr)、錫(Sn)、 鈀(Pd)、釹(Nd)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鎂(Mg)、鎢(W)、鏷(Pa)、鋁(Al)和鈦(Ti)的至少一種金屬。優選使用包含鈀(Pd)或銅(Cu)的銀合金層。
所述含銀薄層可以包括包含銀(Ag)或銀合金單層和氧化銦層的多層。所述氧化銦層的例子可以包括但不限於，氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)和氧化銦鎵鋅(IGZO)
所述多層的具體例子可以包括但不限於，包含氧化銦層/銀(Ag)或氧化銦層/銀合金的雙層，包含氧化銦層/銀/氧化銦層或氧化銦層/銀合金/氧化銦層的三層，等等。
另外，本發明解決了製造顯示裝置的陣列基板的方法，所述方法包括：a)在基板上形成閘極線；b)在所述包括閘極線的基板上形成閘極絕緣層；c)在所述閘極絕緣層上形成半導體層；d)在所述半導體層上形成源極電極和汲極電極；和e)形成與所述汲極電極連接的反射層或像素電極，其中a)、d)和e)的至少一個包含利用上述蝕刻劑組合物進行蝕刻，從而形成所述閘極線、源極電極和汲極電極、或者所述反射層或像素電極。
更具體地說，a)包括在所述基板上形成含銀薄層並利用本發明的蝕刻劑組合物蝕刻所述含銀薄層，從而形成所述閘極線，和d)包括在所述半導體層上形成含銀薄層並利用本發明的蝕刻劑組合物蝕刻所述含銀薄層，從而形成源極電極和汲極電極。
所述顯示裝置可以是有機發光二極體(OLED)或 液晶顯示器(LCD)，並且所述顯示裝置的陣列基板可以是薄膜電晶體(TFT)陣列基板。
所述含銀薄層的描述仍然與上文相同。
此外，本發明解決了線路，其通過利用上述蝕刻劑組合物蝕刻而形成。
更具體地說，所述線路可以是跟蹤線路，其讀出在觸控式螢幕面板(TSP)的X和Y座標處感應的信號，或者是柔性顯示器的銀奈米線線路。
所述線路可以由銀(Ag)或銀合金的單層、或包括該單層和氧化銦層的多層製成。所述銀合金的單層和包括所述單層和氧化銦層的多層的描述仍然與上文相同。
本發明的蝕刻劑組合物可以用於蝕刻銀(Ag)或銀合金的單層和包括所述單層和氧化銦層的多層，其適合於在製作顯示裝置(OLED，LCD等等)中用於線路或反射層。還有，它可以在形成觸控式螢幕面板的線路時用於蝕刻過程。
本發明的蝕刻劑組合物可以多樣應用於OLED、LCD、TSP等的製作。
本發明通過以下實施例、比較例和試驗例來詳細說明，提出它們僅僅是為了舉例說明本發明，但本發明不限於這些實施例、比較例和試驗例，並且可以被多種修改和變更。本發明的範圍可以通過將在後文提出的申請專利範圍的技術理念來限定。
<實施例和比較例>蝕刻劑組合物的製備
利用下面表1中顯示的量(wt%)的組分製備實施例1至8和比較例1至11的蝕刻劑組合物。
<試驗例>蝕刻劑組合物性能的測試
銀奈米線與外塗層材料一起施加在基板上，之後在其上形成光致抗蝕劑，隨後曝光和顯影以使所述基板形成圖案，然後利用金剛石割刀將所述圖案化的基板切成500 x 600mm的尺寸，從而製備樣品。
使用實施例1至8和比較例1至11的各蝕刻劑組合物，如下測量蝕刻性能。
試驗例1：CD偏離的評價(CD偏離=PR CD-圖案CD)
實施例1至8和比較例1至11的各蝕刻劑組合物放入噴霧蝕刻機(蝕刻器(TFT)，K.C.Tech製造)中，然後升溫到30℃的溫度。當溫度達到30±0.1℃時，蝕刻樣品。總蝕刻時間是60秒。
所述基板被放在蝕刻機中，然後進行噴霧蝕刻製程60秒。之後，從所述蝕刻機取出所述基板，用去離子水清潔，然後利用空氣噴霧乾燥器乾燥。清潔和乾燥後，切割所述基板，之後利用SEM(SU-8010，HITACHI製造)測量通過剝除過程清除所述光致抗蝕劑後剩餘的圖案化光致抗蝕劑的寬度和銀奈米線的寬度。
基於下列標準評價CD(臨界尺寸)偏離[光致抗蝕劑寬度(PR CD)-銀奈米線寬度(圖案CD)〕。結果顯示在下面表2中。
<CD偏離的評價標準>
◎優秀：小於0.2μm
○良好：0.2至小於0.5μm
X差：0.5μm或更高
試驗例2：殘留物的測量
實施例1至8和比較例1至11的各蝕刻劑組合物放 入噴霧蝕刻機(蝕刻器(TFT)，K.C.Tech製造)中，然後升溫到30℃的溫度。當溫度達到30±0.1℃時，蝕刻所述樣品。總蝕刻時間是60秒。
所述基板被放在蝕刻機中，然後進行噴霧蝕刻製程60秒。之後，從所述蝕刻機取出所述基板，用去離子水清潔，然後利用空氣噴霧乾燥器乾燥，隨後利用光致抗蝕劑剝除劑去除所述光致抗蝕劑。清潔和乾燥後，利用SEM(SU-8010，HITACHI製造)測量由未被蝕刻而留在未被所述光致抗蝕劑覆蓋的部分上的銀(Ag)產生的殘留物，並基於下列標準評價。結果顯示在下面表2中。
<殘留物評價標準>
○良好：不存在殘留物
X差：存在殘留物
試驗例3：銀再吸附的測量
實施例1至8和比較例1至11的各蝕刻劑組合物放入噴霧蝕刻機(刻蝕器(TFT)，K.C.Tech製造)中，然後升溫到30℃的溫度。當溫度達到30±0.1℃時，蝕刻所述樣品。總蝕刻時間是60秒。
所述基板被放在蝕刻機中，然後進行噴霧蝕刻製程60秒。之後，從所述蝕刻機取出所述基板，用去離子水清潔，然後利用空氣噴霧乾燥器乾燥，隨後利用光致抗蝕劑剝除劑去除所述光致抗蝕劑。清潔和乾燥後，利用SEM(SU-8010，HITACHI製造)觀察所述蝕刻掉的銀(Ag)是否被吸附到其中在蝕刻過程後暴露數據線異種金屬的部分 上或被吸附到由於彎曲的形狀而可能發生摩擦的特定部分上，並基於下列標準評價。結果顯示在下面表2中。
<再吸附的評價標準>
○良好：不存在再吸附的Ag
X差：存在再吸附的Ag
試驗例4：爆炸穩定性評價
在實施例1至8和比較例1至11的各蝕刻劑組合物儲存在30℃恒溫箱中時，利用溫度監測系統(YOKOGAWA製造)測量在24小時之中所述化學品溫度的變化。基於下列評價標準，用肉眼觀察沸騰或劇烈反應。結果顯示在下面表2中。
<爆炸穩定性評價標準>
○良好：溫度增加小於20℃，或者既沒有爆炸也沒有劇烈反應
X差：溫度增加20℃或更高，或者產生爆炸或劇烈反應
試驗例5：產生沉積物的評價
實施例1至8和比較例1至11的各蝕刻劑組合物放入噴霧蝕刻機(蝕刻器(TFT)，K.C.Tech製造)中，然後升溫到30℃的溫度。當溫度達到30±0.1℃時，蝕刻所述樣品。總蝕刻時間是60秒。
所述基板被放在蝕刻機中，然後進行噴霧蝕刻製程60秒。之後，從所述蝕刻機取出所述基板，用去離子水清潔，然後利用空氣噴霧乾燥器乾燥。清潔和乾燥後，利用SEM(SU-8010，HITACHI製造)觀察歸因於沉積物例如 AgCl或AgS產生的沉澱，並基於下列標準評價。結果顯示在下面表2中。
<沉積物產生的評價標準>
○良好：不存在沉積物
X差：存在沉積物
試驗例6：黏度測量
在30℃恒溫箱中安裝黏度計(CANNON製造)，並測量升溫至30℃的實施例1至8和比較例1至11的各蝕刻劑組合物的黏度。結果顯示在下面表2中。
從表2的結果顯而易見，本發明的實施例1至8的蝕刻劑組合物表現出優越的結果，使得它們在CD偏離、殘留物、再吸附、爆炸穩定性和沉積物方面適合於大量生產，並具有小於1.5cP的低黏度。
然而，所述比較例的蝕刻劑組合物在至少一個上述評價項目中不合適。特別是，含有磷酸的比較例11顯現出3cP或更高的高黏度。
雖然已經出於說明性的目的公開了本發明的優選實施方式，但本領域技術人員將領會，在不悖離所附申請專利範圍中公開的本發明的範圍和精神之下，各種修改、添加和取代是可能的。

Claims (13)

  1. 一種用於蝕刻含銀薄層的蝕刻劑組合物，其包含：基於該組合物的總重量，(A)1-20wt%的硝酸鐵；(B)2-8wt%的選自硝酸、硫酸和鹽酸的至少一種酸；(C)5-15wt%的選自乙酸和乙酸鹽的至少一種化合物；(D)0.1-5wt%的腐蝕抑制劑；(E)0.1-5wt%的螯合劑；(F)0.1-2wt%的乙醇酸；和(G)餘量的水。
  2. 如請求項1之蝕刻劑組合物，其中該蝕刻劑組合物用於蝕刻銀或銀合金的單層，或包括該單層和氧化銦層的多層。
  3. 如請求項2之蝕刻劑組合物，其中該氧化銦層包括選自氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦錫鋅和氧化銦鎵鋅的至少一種。
  4. 如請求項2之蝕刻劑組合物，其中包括該單層和氧化銦層的該多層包括氧化銦層/銀、氧化銦層/銀合金、氧化銦層/銀/氧化銦層、或氧化銦層/銀合金/氧化銦層。
  5. 如請求項2之蝕刻劑組合物，其中該銀合金包括銀和選自鎳、銅、鋅、錳、鉻、錫、鈀、釹、鈮、鉬、鎂、鎢、鏷、鋁和鈦的至少一種。
  6. 如請求項1的蝕刻劑組合物，其中該硝酸鐵包括選自硝酸亞鐵和硝酸鐵的至少一種。
  7. 如請求項1的蝕刻劑組合物，其中該乙酸鹽包括選自乙酸鉀、乙酸鈉和乙酸銨的至少一種。
  8. 如請求項1的蝕刻劑組合物，其中該腐蝕抑制劑是環胺化合物。
  9. 如請求項8的蝕刻劑組合物，其中該環胺化合物包括選自吡咯類化合物、吡唑類化合物、咪唑類化合物、三唑類化合物、四唑類化合物、五唑類化合物、噁唑類化合物、異噁唑類化合物、噻唑類化合物、和異噻唑類化合物的至少一種。
  10. 如請求項1之蝕刻劑組合物，其中該螯合劑包括選自次氮基三乙酸、亞胺基二乙酸、乙二胺四乙酸、乙二醇四乙酸、1,2-雙(鄰胺基苯氧基)乙烷-N,N,N',N'-四乙酸、1,4,7,10-四氮雜環十二烷四乙酸、N-羥乙基-乙二胺三乙酸和二伸乙基四胺五乙酸的至少一種。
  11. 如請求項1之蝕刻劑組合物，其不含磷酸。
  12. 如請求項1的蝕刻劑組合物，其在25℃具有1.5cP或更低的黏度。
  13. 一種製造顯示裝置的陣列基板的方法，該方法包括：a)在基板上形成閘極線；b)在包括閘極線的該基板上形成閘極絕緣層；c)在該閘極絕緣層上形成半導體層；d)在該半導體層上形成源極電極和汲極電極；和 e)形成與該汲極電極連接的反射層或像素電極，其中a)、d)和e)的至少一個包含利用請求項1的蝕刻劑組合物進行蝕刻，從而形成該閘極線、源極電極和汲極電極、或者該反射層或像素電極。
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